CN112857631B - 一种芯体结构及压力传感器 - Google Patents
一种芯体结构及压力传感器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112857631B CN112857631B CN202110438680.5A CN202110438680A CN112857631B CN 112857631 B CN112857631 B CN 112857631B CN 202110438680 A CN202110438680 A CN 202110438680A CN 112857631 B CN112857631 B CN 112857631B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- adhesive layer
- core structure
- groove
- main body
- silicon wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/18—Measuring force or stress, in general using properties of piezo-resistive materials, i.e. materials of which the ohmic resistance varies according to changes in magnitude or direction of force applied to the material
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2287—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges
- G01L1/2293—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges of the semi-conductor type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
本发明提供一种芯体结构,该芯体结构包括硅片主体以及胶粘层,硅片主体具有相反设置的感应面和固定面,所述固定面开设有槽口朝下的第一槽,胶粘层设于所述固定面且围设所述第一槽的外围,所述胶粘层的厚度为d,50um≤d≤350um。
Description
技术领域
本发明实施例涉及压力传感器技术领域,特别涉及一种芯体结构及压力传感器。
背景技术
压力传感器(Pressure Transducer)是能感受压力信号,并能按照一定的规律将压力信号转换成可用的输出的电信号的器件或装置。压力芯片是压力传感器的重要元件之一,常规的压力芯片包括玻璃盖板、玻璃底板、硅片主体,玻璃盖板和玻璃底板分别设于硅片主体的上下两面,成本较高,工艺复杂。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种芯体结构及压力传感器,旨在解决现有技术中压力芯片成本较高,工艺复杂的问题。
为解决上述技术问题,本发明的实施方式提供了一种芯体结构,包括:
硅片主体,具有相反设置的感应面和固定面,所述固定面开设有槽口朝下的第一槽;
胶粘层,设于所述固定面,且围设所述第一槽的外围,所述胶粘层的厚度为d,50um≤d≤350um。
优选地,60um≤d≤250um。
优选地,70um≤d≤150um。
优选地,所述胶粘层为硅胶或者环氧树脂。
优选地,还包括玻璃盖板,所述玻璃盖板设于所述硅片主体与所述感应面相同的一侧;
优选地,所述芯体结构包括基板,所述胶粘层设于所述基板和所述固定面之间。
优选地,所述第一槽的截面形状为方形。
优选地,所述第一槽的截面形状为梯形。
优选地,所述胶粘层与所述第一槽的槽口呈间距设置。
为了实现上述目的,本发明提供一种压力传感器,包括上述的芯体结构。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明,这些示例性说明并不构成对实施例的限定,附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件,除非有特别申明,附图中的图不构成比例限制。
图1为本发明实施例提供的芯体结构第一实施例的示意图;
图2为本发明实施例提供的芯体结构第二实施例的示意图;
图3为本发明实施例提供的芯体结构第三实施例的示意图;
图4为本发明实施例提供的芯体结构第四实施例的示意图;
图5为本发明实施例提供的芯体结构第五实施例的示意图。
本发明附图标号说明:
标号 | 名称 | 标号 | 名称 |
100 | 芯体结构 | 13 | 第一槽 |
1 | 硅片主体 | 2 | 胶粘层 |
11 | 感应面 | 3 | 玻璃盖板 |
12 | 固定面 |
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
需要说明,若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……),则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。
另外,若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述,则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外,各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本发明要求的保护范围之内。
本发明提供一种芯体结构,请参阅该图1至图5,该芯体结构100包括硅片主体1以及胶粘层2,硅片主体1具有相反设置的感应面11和固定面12,所述固定面12开设有槽口朝下的第一槽13,胶粘层2设于所述固定面12且围设所述第一槽13的外围,所述胶粘层2的厚度为d,50um≤d≤350um。d过小岂不到隔绝应力的作用,d过大会增大整体尺寸,且由于胶粘层2涂覆并固化困难。在本实施例中,胶粘层2为胶水涂覆并固化形成。
本发明通过在硅片主体1的固定面12设置胶粘层2,胶粘层2的厚度为d,50um≤d≤350um通过胶粘层2隔绝来消除将硅片主体1直接粘接在基板或者其他零件上带来的应力。
优选地,60um≤d≤250um,或者,70um≤d≤150um。d可以为80um、90um、100um、110um、120um、130um、或者140um。
优选地,所述胶粘层2为硅胶或者环氧树脂。胶粘层2可以是通过在硅片主体1的固定面12且围绕第一槽13的外围涂覆,并经过固化处理形成。
该芯体结构100可以是用于测量绝压,也可以是用于测量表压,在本实施例中,请参阅图5,该芯体结构100还包括玻璃盖板3,所述玻璃盖板3设于所述硅片主体1与所述感应面11相同的一侧,如此,该芯体结构100背面感压。
芯体结构100可以是直接安装在壳体,也可以是设于基板,在本实施例中,所述芯体结构100包括基板,所述胶粘层2设于所述基板和所述固定面12之间,如此,通过胶粘层2可以硅片主体1粘接在基板,不仅可以固定,还可以起到隔绝应力的效果。
请参阅图1和图2,第一槽13的截面形状可以为方形,请参阅图3和图4,第一槽13的截面形状也可以为梯形。在第一槽13的截面形状为梯形时,呈上窄下宽渐缩设置。可以有效防止第一槽13内积水结冰。
请参阅图2和图4,为了防止积水,所述胶粘层2与所述第一槽13的槽口呈间距设置,如此,排水效果更好。
本发明还提供一种压力传感器,该压力传感器包括上述的芯体结构100。该压力传感器的实施例包括上述芯体结构100的所有实施例。
以上仅为本发明的优选实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是在本发明的发明构思下,利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (6)
1.一种芯体结构,其特征在于,包括:
硅片主体,具有相反设置的感应面和固定面,所述固定面开设有槽口朝下的第一槽;
胶粘层,设于所述固定面且围设所述第一槽的外围,所述胶粘层的厚度为d,50um≤d≤60um, 所述第一槽的截面形状为方形。
2.如权利要求1所述的芯体结构,其特征在于,所述胶粘层为硅胶或者环氧树脂。
3.如权利要求1所述的芯体结构,其特征在于,还包括玻璃盖板,所述玻璃盖板设于所述硅片主体与所述感应面相同的一侧。
4.如权利要求1或3所述的芯体结构,其特征在于,所述芯体结构包括基板,所述胶粘层设于所述基板和所述固定面之间。
5.如权利要求1或3所述的芯体结构,其特征在于,所述胶粘层与所述第一槽的槽口呈间距设置。
6.一种压力传感器,其特征在于,包括如权利要求1至5任意一项所述的芯体结构。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110438680.5A CN112857631B (zh) | 2021-04-23 | 2021-04-23 | 一种芯体结构及压力传感器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110438680.5A CN112857631B (zh) | 2021-04-23 | 2021-04-23 | 一种芯体结构及压力传感器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112857631A CN112857631A (zh) | 2021-05-28 |
CN112857631B true CN112857631B (zh) | 2021-08-20 |
Family
ID=75992677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110438680.5A Active CN112857631B (zh) | 2021-04-23 | 2021-04-23 | 一种芯体结构及压力传感器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112857631B (zh) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6691581B2 (en) * | 1995-05-25 | 2004-02-17 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Pressure transducer fabricated from beta silicon carbide |
CN102401715A (zh) * | 2010-08-23 | 2012-04-04 | 霍尼韦尔国际公司 | 压力传感器 |
CN204556140U (zh) * | 2015-02-16 | 2015-08-12 | 福建上润精密仪器有限公司 | 一种硅片和金属基座的无应力组合结构 |
CN109341907A (zh) * | 2018-11-29 | 2019-02-15 | 华景传感科技(无锡)有限公司 | 一种压力传感器 |
CN110501097A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-11-26 | 苏州感芯微系统技术有限公司 | 一种低应力的硅压传感器模块 |
CN110542498A (zh) * | 2019-09-06 | 2019-12-06 | 重庆大学 | 一种mems应变式差分式压力传感器及制作方法 |
CN209841242U (zh) * | 2019-05-13 | 2019-12-24 | 龙微科技无锡有限公司 | 一种具有应力消除结构的mems压力传感器封装结构 |
CN111024280A (zh) * | 2020-01-21 | 2020-04-17 | 苏州感芯微系统技术有限公司 | 一种压阻式触觉传感 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108414120B (zh) * | 2018-02-28 | 2021-06-15 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | Si基GaN压力传感器的制备方法 |
CN208847393U (zh) * | 2018-07-31 | 2019-05-10 | 苏州纳芯微电子股份有限公司 | 一种压力传感器的封装结构 |
US11060929B2 (en) * | 2019-03-04 | 2021-07-13 | Silicon Microstructures, Inc. | Pressure sensor die attach |
-
2021
- 2021-04-23 CN CN202110438680.5A patent/CN112857631B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6691581B2 (en) * | 1995-05-25 | 2004-02-17 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Pressure transducer fabricated from beta silicon carbide |
CN102401715A (zh) * | 2010-08-23 | 2012-04-04 | 霍尼韦尔国际公司 | 压力传感器 |
CN204556140U (zh) * | 2015-02-16 | 2015-08-12 | 福建上润精密仪器有限公司 | 一种硅片和金属基座的无应力组合结构 |
CN109341907A (zh) * | 2018-11-29 | 2019-02-15 | 华景传感科技(无锡)有限公司 | 一种压力传感器 |
CN209841242U (zh) * | 2019-05-13 | 2019-12-24 | 龙微科技无锡有限公司 | 一种具有应力消除结构的mems压力传感器封装结构 |
CN110501097A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-11-26 | 苏州感芯微系统技术有限公司 | 一种低应力的硅压传感器模块 |
CN110542498A (zh) * | 2019-09-06 | 2019-12-06 | 重庆大学 | 一种mems应变式差分式压力传感器及制作方法 |
CN111024280A (zh) * | 2020-01-21 | 2020-04-17 | 苏州感芯微系统技术有限公司 | 一种压阻式触觉传感 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112857631A (zh) | 2021-05-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR0163626B1 (ko) | 반도체 압력센서 | |
KR101174680B1 (ko) | 가속도 센서 및 그 제조 방법 | |
US8082798B2 (en) | Sensor geometry for improved package stress isolation | |
US8671765B2 (en) | Pressure sensor having a diaphragm | |
US6201467B1 (en) | Pressure sensor component and production method | |
US4852408A (en) | Stop for integrated circuit diaphragm | |
KR102021103B1 (ko) | 높은 감도를 갖는 실리콘 스트레인 게이지 및 이를 포함하는 압력 변환기 | |
US11699672B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing same | |
US8567255B2 (en) | Semiconductor pressure sensor having a recess with a larger area than a planar shape of a diaphragm | |
CN112857631B (zh) | 一种芯体结构及压力传感器 | |
EP3682211B1 (en) | Attachment of stress sensitive integrated circuit dies | |
JP5771915B2 (ja) | Memsデバイス及びその製造方法 | |
JPH07101747B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
KR101573367B1 (ko) | 압저항형 세라믹 압력센서 | |
EP3255402B1 (en) | Strain detector and manufacturing method thereof | |
JP6523034B2 (ja) | 半導体実装構造体 | |
US8890308B2 (en) | Integrated circuit package and method of forming the same | |
CN111049961A (zh) | 一种终端设备 | |
CN217588935U (zh) | 一种车载摄像头封装模块 | |
US20240167901A1 (en) | Pressure-sensing element and pressure sensor | |
CN215832918U (zh) | 芯体结构及压力传感器 | |
US20230299030A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing same | |
JP2002286567A (ja) | ダイアフラムセンサ | |
JPH11108783A (ja) | 静電容量型圧力センサ及びその固定構造 | |
JPH05299671A (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |