CN209841242U - 一种具有应力消除结构的mems压力传感器封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种具有应力消除结构的MEMS压力传感器封装结构，涉及MEMS压力传感器封装结构领域，该MEMS压力传感器封装结构中，封装基板在与MEMS压力传感器芯片胶粘区域设置有第一金属层结构，在第一金属层结构的外围设置有非连续结构的第二金属层结构，第一金属层结构可以起到应力抵消的作用，第二金属层结构可以起到应力分散的作用，通过这两部分金属层结构可以基本消除封装基板产生的应力干扰，从而提高MEMS压力传感器的精度。
Description
技术领域
本实用新型涉及MEMS压力传感器封装结构领域，尤其是一种具有应力消除结构的MEMS压力传感器封装结构。
背景技术
MEMS压力传感器区别于传统结构的压力传感器，通常使用封装胶水将MEMS压力传感器芯片粘贴到封装基板上，并通过打线将信号引出，形成MEMS压力传感器封装。在实际应用时，该封装基板通常会直接采用PCB板，这种做法有利于提高后续工艺兼容性。但由于PCB板材质较软，因此在使用过程中容易因变形等原因而产生应力并通过封装胶水传递到MEMS压力传感器芯片上，造成输出漂移，导致结果误差，影响MEMS压力传感器的精度，且MEMS压力传感器的量程越小，其受到PCB板的干扰应力而产生的误差越大。
实用新型内容
本发明人针对上述问题及技术需求，提出了一种具有应力消除结构的MEMS压力传感器封装结构，该MEMS压力传感器封装结构可以基本消除封装基板产生的干扰应力，从而提高MEMS压力传感器的精度。
本实用新型的技术方案如下：
一种具有应力消除结构的MEMS压力传感器封装结构，该MEMS压力传感器封装结构包括：MEMS压力传感器芯片和封装底座，封装底座包括封装基板和设置在封装基板表面的第一金属层结构和第二金属层结构，MEMS压力传感器芯片通过封装胶水粘贴在封装底座上，第一金属层结构至少覆盖封装基板与MEMS压力传感器芯片相接触的区域，第二金属层结构围绕在第一金属层结构的外围且形成内部有开口的非连续结构。
其进一步的技术方案为，封装基板的两侧表面分别设置第一金属层结构和第二金属层结构，MEMS压力传感器芯片通过封装胶水粘贴在封装基板的一侧表面的第一金属层结构上。
其进一步的技术方案为，封装基板包括但不限于PCB板、陶瓷板和注塑板。
本实用新型的有益技术效果是：
本申请公开了一种具有应力消除结构的MEMS压力传感器封装结构，该MEMS压力传感器封装结构中，封装基板在与MEMS压力传感器芯片胶粘区域设置有第一金属层结构，在第一金属层结构的外围设置有非连续结构的第二金属层结构，第一金属层结构可以起到应力抵消的作用，第二金属层结构可以起到应力分散的作用，通过这两部分金属层结构可以基本消除封装基板产生的应力干扰，从而提高MEMS压力传感器的精度。
附图说明
图1是本申请公开的MEMS压力传感器封装结构的结构图。
图2是本申请中第一金属层结构和第二金属层结构在封装基板上的设置示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做进一步说明。
本申请公开了一种具有应力消除结构的MEMS压力传感器封装结构，请参考图1，该MEMS压力传感器封装结构包括：MEMS压力传感器芯片1和封装底座2，图1以MEMS压力传感器芯片1包括典型的硅杯结构为例。封装底座2包括封装基板21和设置在封装基板表面的第一金属层结构22和第二金属层结构23，其中，封装基板21的材料不限，包括但不限于PCB板、陶瓷板和注塑板等各种常见的基板。第一金属层结构22和第二金属层结构23通常都采用铜镀金层实现。MEMS压力传感器芯片1通过封装胶水3粘贴在封装底座2上，封装底座2中的第一金属层结构22设置在MEMS压力传感器芯片1的通气孔区域，且第一金属层结构22至少覆盖封装基板与MEMS压力传感器芯片相接触的区域，其具体形状和大小不做限定，第一金属层结构22起到应力抵消的作用。第二金属层结构23围绕在第一金属层结构22的外围且形成内部有开口的非连续结构，如图2示出了第二金属层结构23的一种结构，第二金属层结构23的具体实现结构有多种，只要形成非环形连续结构即可，本申请不对各种其所有结构一一赘述，非连续结构的第二金属层结构23可以起到应力分散的作用。第一金属层结构22和第二金属层结构23设置在封装基板21的至少一侧的表面，图1中封装基板21的两侧表面分别设置第一金属层结构22和第二金属层结构23为例，且这是实际常用的做法、应力消除效果更好，则MEMS压力传感器芯片1在粘贴在封装底座2上时，通过封装胶水3粘贴在封装基板21的一侧表面的第一金属层结构上22，如图1所示，且如图1所示，但封装基板21上对应MEMS压力传感器芯片1开设有通气孔时，该通气孔的侧壁也设置有第一金属层结构22。实际应用时，第一金属层结构22和第二金属层结构23的面积和具体位置都可以根据需要进行调节。该封装结构中实际还包括打线等结构，这部分与常规的MEMS压力传感器封装结构类似，因此本申请不再赘述。
在该MEMS压力传感器封装结构中，当封装基板21产生应力时，第二金属层结构23会吸收掉部分应力，第一金属层结构22会抵消剩余部分的应力，通过这两部分金属层结构基本可以消除封装基板21产生的干扰应力，从而极大的提高了MEMS压力传感器的精度。
以上所述的仅是本申请的优选实施方式，本实用新型不限于以上实施例。可以理解，本领域技术人员在不脱离本实用新型的精神和构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变化，均应认为包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种具有应力消除结构的MEMS压力传感器封装结构，其特征在于，所述MEMS压力传感器封装结构包括：MEMS压力传感器芯片和封装底座，所述封装底座包括封装基板和设置在所述封装基板表面的第一金属层结构和第二金属层结构，所述MEMS压力传感器芯片通过封装胶水粘贴在所述封装底座上，所述第一金属层结构至少覆盖所述封装基板与所述MEMS压力传感器芯片相接触的区域，所述第二金属层结构围绕在所述第一金属层结构的外围且形成内部有开口的非连续结构。
2.根据权利要求1所述的MEMS压力传感器封装结构，其特征在于，所述封装基板的两侧表面分别设置所述第一金属层结构和第二金属层结构，所述MEMS压力传感器芯片通过封装胶水粘贴在所述封装基板的一侧表面的所述第一金属层结构上。
3.根据权利要求1或2所述的MEMS压力传感器封装结构，其特征在于，所述封装基板包括但不限于PCB板、陶瓷板和注塑板。
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020192661A1 (zh) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | 西人马联合测控（泉州）科技有限公司 | 压力传感器及其封装方法 |
| CN112857631A (zh) * | 2021-04-23 | 2021-05-28 | 武汉飞恩微电子有限公司 | 一种芯体结构及压力传感器 |
| CN113148942A (zh) * | 2021-04-08 | 2021-07-23 | 青岛歌尔智能传感器有限公司 | 外部封装结构、mems传感器以及电子设备 |
| US11686581B2 (en) | 2020-06-08 | 2023-06-27 | Analog Devices, Inc. | Stress-relief MEMS gyroscope |
| US11692825B2 (en) | 2020-06-08 | 2023-07-04 | Analog Devices, Inc. | Drive and sense stress relief apparatus |
| US11698257B2 (en) | 2020-08-24 | 2023-07-11 | Analog Devices, Inc. | Isotropic attenuated motion gyroscope |
| CN117191231A (zh) * | 2023-05-22 | 2023-12-08 | 湖南大学 | 陶瓷压力传感器及其制造方法 |
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2019
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Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020192661A1 (zh) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | 西人马联合测控（泉州）科技有限公司 | 压力传感器及其封装方法 |
| US11686581B2 (en) | 2020-06-08 | 2023-06-27 | Analog Devices, Inc. | Stress-relief MEMS gyroscope |
| US11692825B2 (en) | 2020-06-08 | 2023-07-04 | Analog Devices, Inc. | Drive and sense stress relief apparatus |
| US11698257B2 (en) | 2020-08-24 | 2023-07-11 | Analog Devices, Inc. | Isotropic attenuated motion gyroscope |
| US11965740B2 (en) | 2020-08-24 | 2024-04-23 | Analog Devices, Inc. | Isotropic attenuated motion gyroscope |
| CN113148942A (zh) * | 2021-04-08 | 2021-07-23 | 青岛歌尔智能传感器有限公司 | 外部封装结构、mems传感器以及电子设备 |
| WO2022213681A1 (zh) * | 2021-04-08 | 2022-10-13 | 青岛歌尔智能传感器有限公司 | 外部封装结构、mems传感器以及电子设备 |
| CN113148942B (zh) * | 2021-04-08 | 2023-11-14 | 青岛歌尔智能传感器有限公司 | 外部封装结构、mems传感器以及电子设备 |
| CN112857631A (zh) * | 2021-04-23 | 2021-05-28 | 武汉飞恩微电子有限公司 | 一种芯体结构及压力传感器 |
| CN112857631B (zh) * | 2021-04-23 | 2021-08-20 | 武汉飞恩微电子有限公司 | 一种芯体结构及压力传感器 |
| CN117191231A (zh) * | 2023-05-22 | 2023-12-08 | 湖南大学 | 陶瓷压力传感器及其制造方法 |
| CN117191231B (zh) * | 2023-05-22 | 2024-05-07 | 湖南大学 | 陶瓷压力传感器及其制造方法 |
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