JP2020136476A - Iii族窒化物半導体装置およびエッチング装置 - Google Patents
Iii族窒化物半導体装置およびエッチング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020136476A JP2020136476A JP2019027613A JP2019027613A JP2020136476A JP 2020136476 A JP2020136476 A JP 2020136476A JP 2019027613 A JP2019027613 A JP 2019027613A JP 2019027613 A JP2019027613 A JP 2019027613A JP 2020136476 A JP2020136476 A JP 2020136476A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- group iii
- light emitting
- iii nitride
- etching apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 268
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 61
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 10
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 10
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 88
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 34
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 20
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 13
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 10
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 8
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 5
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 5
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 5
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 3
- -1 GaN (see Chemical class 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L potassium persulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012935 ammoniumperoxodisulfate Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- RHFWLQOLQAFLGT-UHFFFAOYSA-N neon xenon Chemical compound [Ne].[Xe] RHFWLQOLQAFLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
Description
III族窒化物結晶で構成され、第1半導体素子および第2半導体素子が形成された素子形成層と、
前記素子形成層に設けられ、前記第1半導体素子と前記第2半導体素子との間を分離する素子分離溝と、
を有し、
前記素子分離溝の底面の、原子間力顕微鏡で観察された5μm角の領域のうち、前記III族窒化物結晶の貫通転位の位置を除く領域における二乗平均平方根表面粗さが、1nm以下である、III族窒化物半導体装置
が提供される。
少なくとも上面がIII族窒化物結晶で構成されたエッチング対象物を保持する保持部と、
前記III族窒化物結晶が含有するIII族元素の酸化物の生成に用いられる酸素を含み、さらに、電子を受け取る酸化剤を含む、アルカリ性または酸性のエッチング液を収納する容器と、
前記エッチング対象物の前記上面上に、前記エッチング液を供給する供給部と、
前記エッチング対象物の前記上面上に、波長が365nm以下の光を照射する発光部と、
を有し、前記III族窒化物結晶の光電気化学エッチングを行う、エッチング装置
が提供される。
本発明の一実施形態によるIII族窒化物半導体装置100(以下、装置100ともいう)について説明する。図1(a)は、装置100の概略断面図であり、図1(b)は、装置100の材料となる積層基板10の概略断面図である。図2(a)は、ウエハ200の態様として示された装置100の概略平面図であり、図2(b)は、チップ210の態様として示された装置100の概略平面図である。
次に、上述の実施形態の実験例として、積層基板10に、素子分離溝120に対応する溝(以下、溝120ともいう)をPECエッチングで作製した実験例について説明する。積層基板10としては、上記で例示したHEMTの材料となるもの、つまり、SiC基板20上に、AlNによる核生成層31、GaNによるチャネル層32(厚さ1.2μm)、Al0.22Ga0.78Nによる障壁層33(厚さ24nm)、および、GaNによるキャップ層34(厚さ5nm)が積層されたものを用いた。
以上、本発明の実施形態および変形例を具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態および変形例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
III族窒化物結晶で構成され、第1半導体素子および第2半導体素子が形成された素子形成層と、
前記素子形成層に設けられ、前記第1半導体素子と前記第2半導体素子との間を分離する素子分離溝と、
を有し、
前記素子分離溝の底面の、原子間力顕微鏡で観察された5μm角の領域のうち、前記III族窒化物結晶の貫通転位の位置を除く領域における二乗平均平方根表面粗さが、1nm以下である、III族窒化物半導体装置。
前記観察された5μm角の領域の、前記貫通転位の位置に、突出部を有する、付記1に記載のIII族窒化物半導体装置。
前記素子分離溝の底面におけるPL発光スペクトルのバンド端ピーク強度は、前記素子形成層の上面におけるPL発光スペクトルのバンド端ピーク強度に対して、90%以上の強度を有する、付記1または2に記載のIII族窒化物半導体装置。
前記第1半導体素子および前記第2半導体素子は、高電子移動度トランジスタであり、
前記素子形成層は、チャネル層と、前記チャネル層の上方に形成された障壁層と、を有し、
前記素子分離溝の底面は、前記チャネル層の上面よりも深い位置に配置されている、付記1〜3のいずれか1つに記載のIII族窒化物半導体装置。
少なくとも上面がIII族窒化物結晶で構成されたエッチング対象物を保持する保持部と、
前記III族窒化物結晶が含有するIII族元素の酸化物の生成に用いられる酸素を含み、さらに、電子を受け取る酸化剤を含む、アルカリ性または酸性のエッチング液を収納する容器と、
前記エッチング対象物の前記上面上に、前記エッチング液を供給する供給部と、
前記エッチング対象物の前記上面上に、波長が365nm以下の光を照射する発光部と、
を有し、前記III族窒化物結晶の光電気化学エッチングを行う、エッチング装置。
前記供給部は、前記エッチング対象物の前記上面に向けて前記エッチング液を吐出する吐出口を有し、
前記エッチング対象物が前記保持部に保持されて前記光電気化学エッチングが行われる際の平面視において、
前記吐出口、および、前記発光部は、前記エッチング対象物と重なりを持つ位置に配置されている、付記5に記載のエッチング装置。
前記供給部は、前記平面視で前記エッチング対象物と重なる領域を通って前記エッチング液を輸送する配管を有し、
前記配管は、前記発光部から照射された前記光による前記配管の影が、前記エッチング対象物の前記上面に映らない位置に配置されている、付記6に記載のエッチング装置。
前記配管は、前記発光部よりも上方を通るように配置されている、付記7に記載のエッチング装置。
前記配管は、前記平面視で前記発光部と重ならない位置に配置されている、付記7または8に記載のエッチング装置。
前記発光部は、前記吐出口からの前記エッチング液の吐出動作を妨げない位置に配置されている、付記6〜9のいずれか1つに記載のエッチング装置。
前記発光部は、前記平面視で前記エッチング対象物の外側に張り出した位置まで配置されている、付記6〜10のいずれか1つに記載のエッチング装置。
前記保持部は、前記エッチング対象物を回転可能に保持する、付記6〜11のいずれか1つに記載のエッチング装置。
前記吐出口は、前記エッチング対象物の回転の中心部に向けて前記エッチング液を吐出する、付記12に記載のエッチング装置。
前記発光部は、前記平面視で前記エッチング対象物の周方向の一部に配置されている、付記12または13に記載のエッチング装置。
前記エッチング液の温度を調節する温度調節部を有する、付記5〜14のいずれか1つに記載のエッチング装置。
前記温度調節部は、前記容器に収納された前記エッチング液の温度を調節する、付記15に記載のエッチング装置。
前記温度調節部は、前記保持部に設けられている、付記15または16に記載のエッチング装置。
前記温度調節部は、赤外域の波長の光を照射する発光部として設けられている、付記15〜17のいずれか1つに記載のエッチング装置。
前記保持部は、直径2インチ以上である前記エッチング対象物が保持されるように設けられている、付記5〜18のいずれか1つに記載のエッチング装置。
Claims (19)
- III族窒化物結晶で構成され、第1半導体素子および第2半導体素子が形成された素子形成層と、
前記素子形成層に設けられ、前記第1半導体素子と前記第2半導体素子との間を分離する素子分離溝と、
を有し、
前記素子分離溝の底面の、原子間力顕微鏡で観察された5μm角の領域のうち、前記III族窒化物結晶の貫通転位の位置を除く領域における二乗平均平方根表面粗さが、1nm以下である、III族窒化物半導体装置。 - 前記観察された5μm角の領域の、前記貫通転位の位置に、突出部を有する、請求項1に記載のIII族窒化物半導体装置。
- 前記素子分離溝の底面におけるPL発光スペクトルのバンド端ピーク強度は、前記素子形成層の上面におけるPL発光スペクトルのバンド端ピーク強度に対して、90%以上の強度を有する、請求項1または2に記載のIII族窒化物半導体装置。
- 前記第1半導体素子および前記第2半導体素子は、高電子移動度トランジスタであり、
前記素子形成層は、チャネル層と、前記チャネル層の上方に形成された障壁層と、を有し、
前記素子分離溝の底面は、前記チャネル層の上面よりも深い位置に配置されている、請求項1〜3のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体装置。 - 少なくとも上面がIII族窒化物結晶で構成されたエッチング対象物を保持する保持部と、
前記III族窒化物結晶が含有するIII族元素の酸化物の生成に用いられる酸素を含み、さらに、電子を受け取る酸化剤を含む、アルカリ性または酸性のエッチング液を収納する容器と、
前記エッチング対象物の前記上面上に、前記エッチング液を供給する供給部と、
前記エッチング対象物の前記上面上に、波長が365nm以下の光を照射する発光部と、
を有し、前記III族窒化物結晶の光電気化学エッチングを行う、エッチング装置。 - 前記供給部は、前記エッチング対象物の前記上面に向けて前記エッチング液を吐出する吐出口を有し、
前記エッチング対象物が前記保持部に保持されて前記光電気化学エッチングが行われる際の平面視において、
前記吐出口、および、前記発光部は、前記エッチング対象物と重なりを持つ位置に配置されている、請求項5に記載のエッチング装置。 - 前記供給部は、前記平面視で前記エッチング対象物と重なる領域を通って前記エッチング液を輸送する配管を有し、
前記配管は、前記発光部から照射された前記光による前記配管の影が、前記エッチング対象物の前記上面に映らない位置に配置されている、請求項6に記載のエッチング装置。 - 前記配管は、前記発光部よりも上方を通るように配置されている、請求項7に記載のエッチング装置。
- 前記配管は、前記平面視で前記発光部と重ならない位置に配置されている、請求項7または8に記載のエッチング装置。
- 前記発光部は、前記吐出口からの前記エッチング液の吐出動作を妨げない位置に配置されている、請求項6〜9のいずれか1項に記載のエッチング装置。
- 前記発光部は、前記平面視で前記エッチング対象物の外側に張り出した位置まで配置されている、請求項6〜10のいずれか1項に記載のエッチング装置。
- 前記保持部は、前記エッチング対象物を回転可能に保持する、請求項6〜11のいずれか1項に記載のエッチング装置。
- 前記吐出口は、前記エッチング対象物の回転の中心部に向けて前記エッチング液を吐出する、請求項12に記載のエッチング装置。
- 前記発光部は、前記平面視で前記エッチング対象物の周方向の一部に配置されている、請求項12または13に記載のエッチング装置。
- 前記エッチング液の温度を調節する温度調節部を有する、請求項5〜14のいずれか1項に記載のエッチング装置。
- 前記温度調節部は、前記容器に収納された前記エッチング液の温度を調節する、請求項15に記載のエッチング装置。
- 前記温度調節部は、前記保持部に設けられている、請求項15または16に記載のエッチング装置。
- 前記温度調節部は、赤外域の波長の光を照射する発光部として設けられている、請求項15〜17のいずれか1項に記載のエッチング装置。
- 前記保持部は、直径2インチ以上である前記エッチング対象物が保持されるように設けられている、請求項5〜18のいずれか1項に記載のエッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019027613A JP7232074B2 (ja) | 2019-02-19 | 2019-02-19 | Iii族窒化物半導体装置およびエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019027613A JP7232074B2 (ja) | 2019-02-19 | 2019-02-19 | Iii族窒化物半導体装置およびエッチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020136476A true JP2020136476A (ja) | 2020-08-31 |
JP7232074B2 JP7232074B2 (ja) | 2023-03-02 |
Family
ID=72263568
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019027613A Active JP7232074B2 (ja) | 2019-02-19 | 2019-02-19 | Iii族窒化物半導体装置およびエッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7232074B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023027086A1 (ja) | 2021-08-27 | 2023-03-02 | 京セラ株式会社 | 半導体デバイスの製造方法および製造装置 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6605548B1 (en) * | 1999-06-01 | 2003-08-12 | National Research Council Of Canada | Process for etching gallium nitride compound based semiconductors |
JP2004259734A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2005268380A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Renesas Technology Corp | ウェットエッチング装置、およびウェットエッチング方法。 |
JP2006339605A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体部材のダメージ評価方法、化合物半導体部材の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体部材及び窒化ガリウム系化合物半導体膜 |
WO2007105281A1 (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Fujitsu Limited | 化合物半導体装置の製造方法及びエッチング液 |
JP2011505064A (ja) * | 2007-11-27 | 2011-02-17 | ピコギガ インターナショナル | 電子デバイスの作製プロセス |
WO2013105015A1 (en) * | 2012-01-12 | 2013-07-18 | Koninklijke Philips N.V. | Sidewall etching of led die to improve light extraction |
JP2015503240A (ja) * | 2011-12-16 | 2015-01-29 | エルジー シルトロン インコーポレイテッド | 枚葉式ウェハエッチング装置 |
JP2015115492A (ja) * | 2013-12-12 | 2015-06-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP2015202454A (ja) * | 2014-04-14 | 2015-11-16 | 学校法人神奈川大学 | フッ素系有機化合物の分解方法、及びフッ素系有機化合物の分解装置 |
JP2017143230A (ja) * | 2016-02-12 | 2017-08-17 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP2018125440A (ja) * | 2017-02-01 | 2018-08-09 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2018195609A (ja) * | 2017-05-12 | 2018-12-06 | 国立大学法人北海道大学 | エッチング方法及びエッチング装置 |
-
2019
- 2019-02-19 JP JP2019027613A patent/JP7232074B2/ja active Active
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6605548B1 (en) * | 1999-06-01 | 2003-08-12 | National Research Council Of Canada | Process for etching gallium nitride compound based semiconductors |
JP2004259734A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2005268380A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Renesas Technology Corp | ウェットエッチング装置、およびウェットエッチング方法。 |
JP2006339605A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体部材のダメージ評価方法、化合物半導体部材の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体部材及び窒化ガリウム系化合物半導体膜 |
WO2007105281A1 (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Fujitsu Limited | 化合物半導体装置の製造方法及びエッチング液 |
JP2011505064A (ja) * | 2007-11-27 | 2011-02-17 | ピコギガ インターナショナル | 電子デバイスの作製プロセス |
JP2015503240A (ja) * | 2011-12-16 | 2015-01-29 | エルジー シルトロン インコーポレイテッド | 枚葉式ウェハエッチング装置 |
WO2013105015A1 (en) * | 2012-01-12 | 2013-07-18 | Koninklijke Philips N.V. | Sidewall etching of led die to improve light extraction |
JP2015115492A (ja) * | 2013-12-12 | 2015-06-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP2015202454A (ja) * | 2014-04-14 | 2015-11-16 | 学校法人神奈川大学 | フッ素系有機化合物の分解方法、及びフッ素系有機化合物の分解装置 |
JP2017143230A (ja) * | 2016-02-12 | 2017-08-17 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP2018125440A (ja) * | 2017-02-01 | 2018-08-09 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2018195609A (ja) * | 2017-05-12 | 2018-12-06 | 国立大学法人北海道大学 | エッチング方法及びエッチング装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023027086A1 (ja) | 2021-08-27 | 2023-03-02 | 京セラ株式会社 | 半導体デバイスの製造方法および製造装置 |
KR20240037325A (ko) | 2021-08-27 | 2024-03-21 | 교세라 가부시키가이샤 | 반도체 디바이스의 제조 방법 및 제조 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7232074B2 (ja) | 2023-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6818852B2 (ja) | 構造体の製造方法および構造体の製造装置 | |
CN107978509B (zh) | 第iii族氮化物衬底的制造方法及第iii族氮化物衬底 | |
JP6942291B1 (ja) | 構造体の製造方法、および、構造体の製造装置 | |
Tiginyanu et al. | Membrane-assisted revelation of the spatial nanoarchitecture of dislocation networks | |
JP7232074B2 (ja) | Iii族窒化物半導体装置およびエッチング装置 | |
JP2007227450A (ja) | 光電気化学エッチング装置 | |
US11393693B2 (en) | Structure manufacturing method and intermediate structure | |
US11756827B2 (en) | Structure manufacturing method and manufacturing device, and light irradiation device | |
Yue et al. | Faceted sidewall etching of n-GaN on sapphire by photoelectrochemical wet processing | |
US11342191B2 (en) | Structure manufacturing method, structure manufacturing apparatus and intermediate structure | |
JP7261684B2 (ja) | 構造体の製造方法 | |
JP7112857B2 (ja) | GaN材料および半導体装置の製造方法 | |
JP7084371B2 (ja) | 半導体装置、および、構造体の製造方法 | |
JP7176944B2 (ja) | 構造体の製造方法および構造体の製造装置 | |
JP7181052B2 (ja) | 構造体の製造方法および構造体の製造装置 | |
TWI840593B (zh) | 結構體的製造方法及製造裝置 | |
TWI843876B (zh) | 結構體的製造方法及結構體 | |
JP2006080274A (ja) | エッチング方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2013030625A (ja) | 半導体装置の製造方法及び処理装置 | |
TW202111803A (zh) | 結構體的製造方法及製造裝置 | |
JP2003045852A (ja) | Iii族窒化物半導体のドライエッチング方法 | |
JP2020013837A (ja) | 構造体および中間構造体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220106 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220921 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221122 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20221223 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230214 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230217 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7232074 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |