JP2020134594A - 光導波路構造及びその製造方法 - Google Patents
光導波路構造及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020134594A JP2020134594A JP2019024843A JP2019024843A JP2020134594A JP 2020134594 A JP2020134594 A JP 2020134594A JP 2019024843 A JP2019024843 A JP 2019024843A JP 2019024843 A JP2019024843 A JP 2019024843A JP 2020134594 A JP2020134594 A JP 2020134594A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- groove
- optical waveguide
- forming
- mesa
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 95
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 19
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000347 anisotropic wet etching Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- LKJPSUCKSLORMF-UHFFFAOYSA-N Monolinuron Chemical compound CON(C)C(=O)NC1=CC=C(Cl)C=C1 LKJPSUCKSLORMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
Description
図1は、実施形態1に係る光導波路構造の模式的な斜視図である。図2は、図1のX−X線断面図である。図1では、発明の理解を容易にするために、後述する上部誘電体層104bの図示を省略している。光導波路構造100は、基板101と、積層部102と、光導波層103と、誘電体層104と、ヒータ105と、第1電極パッド106a、第2電極パッド106bと、導体配線107a、107b、107cとを備えている。積層部102には、第1溝である第1トレンチ溝108aと第2溝である第2トレンチ溝108bとが形成されている。
光導波路構造100は、たとえば以下のような工程で製造することができる。図3〜図5は、図1に示す光導波路構造100の製造方法を説明する図であり、図3〜図5の(a)は、図1のAA線の位置での断面図であり、図3〜図5の(b)は、上面図である。
図6は、実施形態2に係る光導波路構造100Aを説明する模式図である。図6では、発明の理解を容易にするために、上部誘電体層104bの図示を省略している。光導波路構造100Aは、基板101と分布反射部102cとの間に、熱流遮断層110を有している。
図7は、実施形態3に係る光導波路構造100Bの模式的な上面図である。図8は、図7のY−Y線断面図である。図7では、発明の理解を容易にするために、上部誘電体層104bの図示を省略している。光導波路構造100Bは、基板101と分布反射部102cとの間に、空隙120を有している。空隙120の厚さは、たとえば0.5μmである。
光導波路構造100Aは、たとえば以下のような工程で製造することができる。図9および図10は、図7に示す光導波路構造100Bの製造方法を説明する図である。
101 基板
102 積層部
102a 第1サポートメサ
102b 第2サポートメサ
102c 分布反射部
103 光導波層
104a 下部誘電体層
104b 上部誘電体層
104c ブリッジ部
105 ヒータ
106a 第1電極パッド
106b 第2電極パッド
107a、107b、107c 導体配線
108a 第1トレンチ溝
108b 第2トレンチ溝
109a 第1キャップ層
109b 第2キャップ層
110 熱流遮断層
111 犠牲層
120 空隙
M メサ部
Claims (10)
- 基板と、
前記基板上に設けられた、光導波層と回折格子層とを含み、一方向に沿って所定の長さで伸びるように構成された分布反射部と、
前記分布反射部の左右の各々の側に前記分布反射部に沿って伸び、前記分布反射部を含む断面形状がメサ形状を定義する第1溝と第2溝と、
前記分布反射部の左右の各々の側に、前記第1溝と前記第2溝を介して前記分布反射部に沿って伸びるように構成された第1サポートメサと第2サポートメサと、
前記分布反射部の上部に前記分布反射部に沿って配置されたヒータと、
前記第1サポートメサと第2サポートメサの上部にそれぞれ配置された第1電極パッドと第2電極パッドと、
前記分布反射部と前記第1サポートメサと第2サポートメサとを部分的に橋渡しする、下部誘電体層からなるブリッジ部と、
前記ブリッジ部上に配置され、前記ヒータと前記電極パッドとを電気的に接続する導体配線と、
を備える光導波路構造。 - 前記基板と前記分布反射部との間に、熱流遮断構造を有する請求項1に記載の光導波路構造。
- 前記熱流遮断構造は、ヒ素を含む3元系以上の化合物半導体であって、前記基板と前記分布反射部に略格子整合する請求項2に記載の光導波路構造。
- 前記熱流遮断構造は、空隙である請求項2に記載の光導波路構造。
- 前記導体配線は、前記下部誘電体層と前記導体配線を覆う上部誘電体で挟まれたサンドイッチ構造をなす請求項1〜3のいずれか一つに記載の光導波路構造。
- 前記導体配線の電気抵抗は、前記ヒータの電気抵抗より低い請求項1〜5のいずれか一つに記載の光導波路構造。
- 前記ブリッジ部の延伸方向は、前記分布反射部の延びる方向に対して35°〜55°の角度である請求項1〜6のいずれか一つに記載の光導波路構造。
- 基板上に、一方向に沿って所定の長さで伸びる光導波層と、回折格子層とを含む積層部を形成する工程と、
前記積層部の上部に、前記光導波層の左右の各々の側に前記光導波層に沿って伸びる第1キャップ層と第2キャップ層を形成する工程と、
前記第1キャップ層と第2キャップ層、および前記積層部の上部を覆う下部誘電体層を形成する工程と、
前記下部誘電体層の上部、かつ前記光導波層に沿ってヒータを配置する工程と、
前記下部誘電体層の上部に第1電極パッドと第2電極パッドを形成する工程と、
前記下部誘電体層の上部に前記ヒータと前記第1電極パッドと第2電極パッドとを電気的に接続する導体配線を形成する工程と、
前記下部誘電体層、前記第1キャップ層と第2キャップ層、および前記積層部を鉛直方向にドライエッチングする工程と、
前記積層部を異方性ウェットエッチングして、前記光導波層の左右の各々の側に前記前記光導波層に沿って伸びる第1溝と第2溝、分布反射部のそれぞれを形成し、これら第1溝と第2溝により前記分布反射部を含む断面形状がメサ形状のメサ部、および、前記分布反射部の左右の各々の側に、前記第1溝と前記第2溝を介して前記分布反射部に沿って伸びるように構成された第1サポートメサと第2サポートメサを形成する工程と、
を含む光導波路構造の製造方法。 - 基板上に熱流遮断層を形成する工程と、
前記熱流遮断層の上部に一方向に沿って所定の長さで伸びる光導波層と、回折格子層とを含む積層部を形成する工程と、
前記積層部の上部に、前記光導波層の左右の各々の側に前記光導波層に沿って伸びる第1キャップ層と第2キャップ層を形成する工程と、
前記第1キャップ層と第2キャップ層、および前記積層部の上部を覆う下部誘電体層を形成する工程と、
前記下部誘電体層の上部、かつ前記光導波層に沿ってヒータを配置する工程と、
前記下部誘電体層の上部に第1電極パッドと第2電極パッドを形成する工程と、
前記下部誘電体層の上部に前記ヒータと前記第1電極パッドと第2電極パッドとを電気的に接続する導体配線を形成する工程と、
前記下部誘電体層、前記第1キャップ層と第2キャップ層、および前記積層部を鉛直方向にドライエッチングする工程と、
前記積層部を異方性ウェットエッチングして、前記光導波層の左右の各々の側に前記前記光導波層に沿って伸びる第1溝と第2溝、分布反射部のそれぞれを形成し、これら第1溝と第2溝により前記分布反射部を含む断面形状がメサ形状のメサ部、および、前記分布反射部の左右の各々の側に、前記第1溝と前記第2溝を介して前記分布反射部に沿って伸びるように構成された第1サポートメサと第2サポートメサを形成する工程と、
を含む光導波路構造の製造方法。 - 基板上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層の上部に一方向に沿って所定の長さで伸びる光導波層と、回折格子層とを含む積層部を形成する工程と、
前記積層部の上部に、前記光導波層の左右の各々の側に前記光導波層に沿って伸びる第1キャップ層と第2キャップ層を形成する工程と、
前記第1キャップ層と第2キャップ層、および前記積層部の上部を覆う下部誘電体層を形成する工程と、
前記積層部または前記下部誘電体層の上部、かつ前記光導波層に沿ってヒータを配置する工程と、
前記下部誘電体層の上部に第1電極パッドと第2電極パッドを形成する工程と、
前記下部誘電体層の上部に前記ヒータと前記第1電極パッドと第2電極パッドとを電気的に接続する導体配線を形成する工程と、
前記下部誘電体層、前記第1キャップ層と第2キャップ層、および前記積層部を鉛直方向にドライエッチングする工程と、
前記積層部を異方性ウェットエッチングして、前記光導波層の左右の各々の側に前記前記光導波層に沿って伸びる第1溝と第2溝、分布反射部のそれぞれを形成し、これら第1溝と第2溝により前記分布反射部を含む断面形状がメサ形状のメサ部、および、前記分布反射部の左右の各々の側に、前記第1溝と前記第2溝を介して前記分布反射部に沿って伸びるように構成された第1サポートメサと第2サポートメサを形成する工程と、
前記分布反射部および前記第1溝と第2溝の真下の前記犠牲層を除去することにより、前記メサ部および前記第1溝と第2溝の真下に平面的に広がる空隙を形成する工程と、
を含む光導波路構造の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019024843A JP7246960B2 (ja) | 2019-02-14 | 2019-02-14 | 光導波路構造及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019024843A JP7246960B2 (ja) | 2019-02-14 | 2019-02-14 | 光導波路構造及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020134594A true JP2020134594A (ja) | 2020-08-31 |
JP7246960B2 JP7246960B2 (ja) | 2023-03-28 |
Family
ID=72278421
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019024843A Active JP7246960B2 (ja) | 2019-02-14 | 2019-02-14 | 光導波路構造及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7246960B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63249354A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-17 | Toshiba Corp | 橋絡配線方法 |
US5675295A (en) * | 1995-05-09 | 1997-10-07 | Imec Vzw | Microwave oscillator, an antenna therefor and methods of manufacture |
JP2007273694A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Eudyna Devices Inc | 光半導体装置 |
JP2012174938A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光半導体素子およびその製造方法 |
JP2015170750A (ja) * | 2014-03-07 | 2015-09-28 | 住友電気工業株式会社 | 光半導体素子及び光半導体素子の製造方法 |
-
2019
- 2019-02-14 JP JP2019024843A patent/JP7246960B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63249354A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-17 | Toshiba Corp | 橋絡配線方法 |
US5675295A (en) * | 1995-05-09 | 1997-10-07 | Imec Vzw | Microwave oscillator, an antenna therefor and methods of manufacture |
JP2007273694A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Eudyna Devices Inc | 光半導体装置 |
JP2012174938A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光半導体素子およびその製造方法 |
JP2015170750A (ja) * | 2014-03-07 | 2015-09-28 | 住友電気工業株式会社 | 光半導体素子及び光半導体素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7246960B2 (ja) | 2023-03-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20170317471A1 (en) | An optical device and a method for fabricating thereof | |
JP2010157691A5 (ja) | ||
JP6597037B2 (ja) | 量子カスケードレーザデバイス | |
US11482838B2 (en) | Optical waveguide structure | |
JP6667325B2 (ja) | 半導体光素子 | |
KR102642580B1 (ko) | 박막 히터 집적 파장가변 분포 궤환형 레이저 다이오드 | |
JP6416553B2 (ja) | 半導体素子及び半導体素子の製造方法 | |
JP6782083B2 (ja) | 半導体光素子、およびその製造方法 | |
US9774168B2 (en) | Quantum cascade semiconductor laser | |
JP4422597B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
JP2020134594A (ja) | 光導波路構造及びその製造方法 | |
JP5257281B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPH1197799A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP7012409B2 (ja) | 光導波路構造及びその製造方法 | |
JP5730702B2 (ja) | 光素子の製造方法及び光素子 | |
JP5655643B2 (ja) | 半導体光集積回路装置及びその製造方法 | |
JP7051505B2 (ja) | 光導波路構造及びその製造方法 | |
JP6213222B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
JPH05251812A (ja) | 量子井戸構造光変調器付き分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法 | |
JP7353766B2 (ja) | リング共振器フィルタおよび波長可変レーザ素子 | |
JP5924138B2 (ja) | 光半導体集積回路装置及びその製造方法 | |
JP2014135351A (ja) | 半導体光素子、集積型半導体光素子およびその製造方法 | |
JP2020134599A (ja) | 光半導体素子および集積型半導体レーザ | |
JP7342714B2 (ja) | 受光デバイス及び受光デバイスの製造方法 | |
JP2011175216A (ja) | 半導体光素子、半導体マッハツェンダー型光変調器および半導体光素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220809 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221005 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230131 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230307 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230315 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7246960 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |