JP2020125542A - キャリア付き銅箔及び銅箔基板 - Google Patents

Abstract

【課題】キャリア層及びキャリア層の上に設置された極薄銅層を含むキャリア付き銅箔を提供する。【解決手段】極薄銅層はキャリア層に面した剥離面を含む。キャリア層が極薄銅層から剥離された後、剥離面の実体体積（Ｖｍ）が０．０９から０．２７μｍ３／μｍ２であり、かつ剥離面のニッケル残留量が６０μｇ／ｄｍ２を超えない。【選択図】図１

Description

本発明は電着銅箔の技術分野に関し、特にキャリア付きの電着銅箔及びその銅箔基板に関する。

電気製品が次第に薄型軽量及び高周波信号伝送へ発展する傾向に伴い、銅箔と銅箔基板に対する需要も増す一方である。一般的に、銅箔基板の導電回路が銅導線によって構成され、導電回路が特定の配置設計を有するため、予定の経路に沿って電気信号を予定の領域まで伝達することができる。また、導電回路の線幅（ｌｉｎｅ）／線間隔（ｓｐａｃｅ）の微小化が進むなか、銅箔基板上の銅層の厚さも当然薄型化され、微小化される線幅／線間隔の要求を満たすために、例えば厚さを９μｍよりも薄くする。しかし、銅箔の厚さが薄すぎると、例えば、５μｍより低い場合、その機械強度が不足になりがちで、銅箔基板の製造に用いると、破損の問題が頻発するため、必要に応えることが難しい。この問題を解決するために、既にキャリア付き銅箔が開発され、薄過ぎる銅箔の強度をキャリア層で補強し、銅箔基板の製造上の要求に応えるものである。

キャリア付き銅箔の銅箔基板を用いて導電回路を製作する工程は、通常以下のステップを含む。まず、キャリア付き銅箔の銅層を絶縁搭載板に圧接させる。次に、キャリア付き銅箔中のキャリア層を剥離させ、銅層の表面を露出させて、絶縁搭載板と銅層を含む銅箔基板を製作する。続いて、銅箔基板の銅層が露出された面にフォトレジスト層を設置した後、露光、現像工程によりフォトレジスト層をパターン化し、パターン化フォトレジスト層を形成する。続いて、エッチング工程を実施し、パターン化フォトレジスト層のパターンを銅層に転写して、銅層のパターン化を実現する。最後に、パターン化フォトレジスト層を除去する。上記工程により、導電回路パターンを有する銅箔基板を製作することができる。

しかし、上記の導電回路を有する銅箔基板には、依然として改善すべき技術的な欠点が多く存在する。例を挙げると、銅層の露出面とパターン化フォトレジスト層との間の接着性が不十分であるため、パターン化フォトレジスト層によるパターンを銅層に転写するエッチング過程において、パターン化フォトレジスト層が銅層の表面から剥離し易くなり、パターン化フォトレジスト層によるパターンを完全、正確に極薄銅層に転写できず、パターン化した後の銅層に予想した導電回路パターンを形成することもできず、予定の線幅／線間隔寸法を実現できない。

従って、従来技術に存在する欠点を解消できるキャリア付き銅箔及び銅箔基板を提供する必要がある。

特開２０１７−０３８０４３号公報 特開２０１８−０７４１５３号公報

上記問題に鑑み、本発明は改良されたキャリア付き銅箔及び銅箔基板を提供し、従来技術に存在する欠点を解消するものである。

本発明の一実施例はキャリア付き銅箔を提供する。キャリア付き銅箔はキャリア層、及びキャリア層の上に設置された極薄銅層を含み、極薄銅層がキャリア層に面した剥離面を含む。キャリア層が極薄銅層から剥離された後、剥離面の実体体積（ｔｈｅ ｍａｔｅｒｉａｌ ｖｏｌｕｍｅ、Ｖｍ）が０．０９から０．２７μｍ^３／μｍ^２であり、かつ剥離面のニッケル残留量が６０μｇ／ｄｍ^２を超えない。

本発明の別の実施例は銅箔基板を提供する。銅箔基板は搭載板、及び搭載板の少なくとも一つの表面の上に設置された極薄銅層を含み、極薄銅層が搭載板の反対側に位置する剥離面を含み、剥離面の実体体積が０．０９から０．２７μｍ^３／μｍ^２であり、かつ剥離面のニッケル残留量が６０μｇ／ｄｍ^２を超えない。

上記実施例によれば、極薄銅層の剥離面の実体体積が０．０９から０．２７μｍ^３／μｍ^２であり、かつ剥離面のニッケル残留量が６０μｇ／ｄｍ^２を超えないため、後に極薄銅層の剥離面上にパターン化フォトレジスト層を形成する際、剥離面とパターン化フォトレジスト層との間の接着性が一層良くなる。剥離面とパターン化フォトレジスト層との間の接着性を高めることで、後のパターン化フォトレジスト層によるパターンを極薄銅層に転写する過程において、パターン化フォトレジスト層が極薄銅層の表面から剥離しにくくなり、パターン化フォトレジスト層によるパターンを完全、正確に極薄銅層に転写し、さらにパターン化された後の極薄銅層に予想した導電回路パターンを形成し、パターン化された後の極薄銅層に予定の線幅（ｌｉｎｅ）／線間隔（ｓｐａｃｅ）寸法を実現できる。

本発明の一実施例に基づくキャリア付き銅箔を示す断面概略図。 本発明の一実施例に基づく銅箔基板を示す断面概略図。 極薄銅層の表面高さと負荷率間の関係図。 本発明の一実施例に基づくキャリア層の一方側に剥離層と遷移阻止層を形成した後を示す断面概略図。 本発明の一実施例に基づくキャリア層の一方側に電解銅層と粗化層を形成した後を示す断面概略図。 本発明の一実施例に基づく極薄銅層の一方側にパターン化フォトレジスト層を形成した後を示す概略図。 本発明の一実施例に基づくパターン化極薄銅層を形成した後を示す概略図。 本発明の一実施例に基づくパターン化フォトレジスト層を除去した後を示す概略図。

以下は、当業者が参考のうえ本発明を実施できるよう、キャリア付き銅箔、銅箔基板及びその製作方法の具体的な実施形態を説明する。これらの具体的な実施形態では対応する図面を参照し、これらの図面も実施形態の一部である。本発明の実施例の開示内容が以下の通りであるが、本発明はこれに制限されず、本発明の精神と範囲内であれば、当業者がこれに対し一定の変更と修正を行うことができる。なお、各実施例及び実験例で用いる方法に関し、特に説明がない場合、通常の方法とする。

本発明で言及される空間関連の記載用語、「・・・の上」及び「・・・の上方」などの用語について、本発明における定義として最も広い範囲で解釈すべきであり、「・・・の上」及び「・・・の上方」などの用語は、ある物体の上に直接配置されることを意味するだけではなく、両者の間に中間特徴または中間層がある場合においてある物体の上に配置されることも含み、かつ、「・・・の上」又は「・・・の上方」はある物体の上または上方を意味するだけではなく、両者の間に中間特徴または中間層がない場合に、物体の上または上方（即ち、ある物体の上に直接配置）に配置される状態を含む。

また、以下に異なる指示がない限り、本発明及び特許請求の範囲で示される数値パラメータは概数であり、必要に応じて変更可能とし、または、少なくとも開示された有意義の桁数字に基づき、かつ通常の繰り上げ方法で各数値パラメータを解読すべきである。本発明において、範囲は、一端の点から他端の点まで、または二つの端点の間を意味する。特に説明がない限り、本発明における全ての範囲は端点を含むものとする。

なお、本発明の精神から離脱しない限り、以下に記載される異なる実施形態の技術特徴を互いに置換、再構築、合併することで、その他の実施例を構成することができる。

図１は本発明の一実施例に基づくキャリア付き銅箔を示す断面概略図である。図１が示すように、キャリア付き銅箔１００は少なくともキャリア層１０２と極薄銅層１０４を含み、極薄銅層１０４がキャリア層１０２の一方側に設置され、かつ、キャリア層１０２と極薄銅層１０４との間に剥離層１０６と遷移阻止層１０８を設置してもよい。ここで、極薄銅層１０４は複合層であり、順に設置された電解銅層１１０、粗化層１１２、不動態化層（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ）１１４及びカップリング層１１６を含んでもよい。本発明において、「極薄銅層」の定義は「厚さが５μｍ以下の銅含有複合層」を含み、例えば厚さが０．２μｍから３．５μｍの銅含有複合層である。

また、キャリア層１０２は、電解堆積（電解、電着、電気めっきとも称す）工程によって形成された金属層であり、その材質に銅、アルミニウム、鉄、ニッケル、またはこれらの合金を選択することができるが、これに限定されない。キャリア層１０２は、対向して設置された堆積面（ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ ｓｉｄｅ）１０２Ａとドラム面（ｄｒｕｍ ｓｉｄｅ）１０２Ｂを有し、かつ堆積面１０２Ａの十点平均粗さ（Ｒｚ）がドラム面（ｄｒｕｍ ｓｉｄｅ）１０２Ｂの十点平均粗さ（Ｒｚ）より高くてもよい。ここで、十点平均粗さ（Ｒｚ）は基準ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９９４に基づく定義とする。キャリア層１０２の厚さについて限定しないが、極薄銅層１０４を搭載するために十分であって、かつ十分な機械強度を提供できればよく、例えば１８μｍから３５μｍである。

剥離層１０６と遷移阻止層１０８は、キャリア層１０２の堆積面１０２Ａまたはドラム面１０２Ｂ上に順に設置され、かつ剥離層１０６がキャリア層１０２と極薄銅層１０４との間に一定の接着性をもたらすための密着促進層であってもよいが、後の工程でキャリア層１０２が極薄銅層１０４から剥離し難くならない程にする。例を挙げると、剥離層１０６の組成はヘテロ芳香族（ｈｅｔｅｒｏａｒｏｍａｔｉｃ）化合物、例えば、１，２，３−ベンゾトリアゾール（１，２，３−ｂｅｎｚｏｔｒｉａｚｏｌｅ）、カルボキシベンゾトリアゾール（ｃａｒｂｏｘｙｂｅｎｚｏｔｒｉａｚｏｌｅ、ＣＢＴＡ）、Ｎ’,Ｎ’‐ビス（ベンゾトリアゾリル）尿素（Ｎ’,Ｎ’‐ｂｉｓ（ｂｅｎｚｏｔｒｉａｚｏｌｙｌｍｅｔｈｙｌ）ｕｒｅａ）、１Ｈ−１，２，４−トリアゾール（１Ｈ−１，２，４−ｔｒｉａｚｏｌｅ）、または３−アミノ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール（３−ａｍｉｎｏ−１Ｈ−１，２，４−ｔｒｉａｚｏｌｅ）などを含んでもよいが、これに限定されない。また、遷移阻止層１０８と電解銅層１１０が異なる組成を有し、例を挙げると、遷移阻止層１０８はニッケルを含む層であり、その組成が純ニッケルであっても、その他の無機添加（ｄｏｐｉｎｇ）剤を含むニッケルまたはニッケル含有合金であってもよいが、これに限定されない。ここで、ニッケルと合金を形成することができる金属として、コバルト、タングステン、モリブテン、亜鉛、錫、クロム及び鉄から選択することができるが、これに限定されない。なお、一部の実施例に基づき、遷移阻止層１０８を選択的に省略することも可能である。

極薄銅層１０４における電解銅層１１０、粗化層１１２、不動態化層１１４及びカップリング層１１６をこの順にキャリア層１０２の上に設置し、剥離層１０６と遷移阻止層１０８をキャリア層１０２と極薄銅層１０４との間に設置することができる。ここで、電解銅層１１０は電着工程によってキャリア層１０２に形成された銅層であり、その厚さが通常５μｍ以下である。粗化層１１２は単層または多層の銅層であり、ノジュール（ｎｏｄｕｌｅ）構造を含むことが可能であるため、極薄銅層１０４の表面粗さを促進することができる。不動態化層１１４は金属層または金属合金層であってもよい。なお、前記金属層は、ニッケル、亜鉛、クロム、コバルト、モリブテン、鉄、錫及びバナジウムから選択され、例えば、ニッケル層、ニッケル亜鉛合金層、亜鉛層、亜鉛錫合金層またはクロム層であってよいが、これらに限定されない。また、金属層及び金属合金層は単層または多層構造、例えば、亜鉛含有層及びニッケル含有層の単層が積層されたものであってもよい。多層構造の場合、必要に応じて各層の積層順を調整することが可能であり、特に制限がなく、例えば、亜鉛含有層をニッケル含有層の上に積層し、またはニッケル含有層を亜鉛含有層の上に積層してもよい。カップリング層１１６は、シランで形成され、３−アミノプロピルトリエトキシシラン（３−ａｍｉｎｏｐｒｏｐｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ、ＡＰＴＥＳ）、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（Ｎ−（ｉｉ−ａｍｉｎｏｅｔｈｙｌ）−３−ａｍｉｎｏｐｒｏｐｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）、３−（グリシジルオキシプロピル）トリエトキシシラ（（３−ｇｌｙｃｉｄｙｌｏｘｙｐｒｏｐｙｌ）ｔｒｉｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）、８−グリシジルオキシオクチル）トリメトキシシラン（（８−ｇｌｙｃｉｄｙｌｏｘｙｏｃｔｙｌ）ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）、メタクリロイルプロピルトリエトキシシラン（ｍｅｔｈａｃｒｙｌｏｙｌ ｐｒｏｐｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）、メタクリロイルオクチルトリメトキシシラン（ｍｅｔｈａｃｒｙｌｏｙｌ ｏｃｔｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）、メタクリロイルプロピルトリメトキシシラン（ｍｅｔｈａｃｒｙｌｏｙｌ ｐｒｏｐｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）、（３−メルカプトプロピル）トリメトキシシラン（（３−ｍｅｒｃａｐｔｏｐｒｏｐｙｌ）ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）、３−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン（（３−ｇｌｙｃｉｄｙｌｏｘｙｐｒｏｐｙｌ）ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）から選択することできるが、これらに限定されず、極薄銅層１０４とその他の材料（例えば、搭載板）との間の接着性を促進するものである。

さらに、極薄銅層１０４は、キャリア層１０２に面した剥離面１０４Ａと、剥離面１０４Ａの反対側に位置する圧接面１０４Ｂを有する。特に指定しない場合、本発明の剥離面１０４Ａとは、キャリア層１０２が極薄銅層１０４から剥離された後、極薄銅層１０４の露出された表面を意味する。キャリア層１０２が極薄銅層１０４から剥離された後、前記剥離面１０４Ａの実体体積（Ｖｍ）が０．０９から０．２７μｍ^３／μｍ^２であり、かつ剥離面１０４Ａのニッケル残留量が６０μｇ／ｄｍ^２を超えず、好ましくは２５から５４μｇ／ｄｍ^２である。また、圧接面１０４Ｂの十点平均粗さ（Ｒｚ）が０．７から１．９μｍである。圧接面１０４Ｂの実体体積（Ｖｍ）、空隙体積（Ｖｖ）両者の間の差について言うと、圧接面の実体体積（Ｖｍ）が０．２５から０．３７μｍ^３／μｍ^２であり、圧接面の空隙体積（Ｖｖ）が０．２８から０．４７μｍ^３／μｍ^２であり、かつ、圧接面１０４Ｂの実体体積（Ｖｍ）と空隙体積（Ｖｖ）の間の差が０．０１から０．１４μｍ^３／μｍ^２である。本実施例では、カップリング層１１６の外側が極薄銅層１０４の圧接面１０４Ｂである。

図２は本発明の一実施例に基づく銅箔基板を示す断面概略図である。銅箔基板２００は少なくとも極薄銅層１０４と搭載板１１８を含み、極薄銅層１０４の圧接面１０４Ｂが搭載板１１８に面し、かつそれに直接接触する。図１が示すキャリア付き銅箔１００を搭載板１１８に熱間圧接（ｈｏｔ ｐｒｅｓｓｉｎｇ）させ、かつキャリア付き銅箔１００中のキャリア層１０２を極薄銅層１０４から剥離させることで、図２が示す構造を形成できる。キャリア層１０２が極薄銅層１０４から剥離する時に、極薄銅層１０４の剥離面１０４Ａが露出され、剥離面１０４Ａの実体体積（Ｖｍ）が０．０９から０．２７μｍ^３／μｍ^２であり、かつ剥離面１０４Ａのニッケル残留量が６０μｇ／ｄｍ^２を超えない。

図３は極薄銅層の表面高さと負荷率（ｍａｔｅｒｉａｌ ｒａｔｉｏ、ｍｒ）間の関係図である。上記実施例において言及された実体体積（Ｖｍ）と空隙体積（Ｖｖ）はＩＳＯ ２５１７８−２（２０１２）の定義に基づき、その測定結果が例えば図３が示す通りである。ここで、実体体積（Ｖｍ）３０４は、曲線の下方及び水平分断線の上方に囲まれた実体の体積を積分することで算出され、この水平分断線は前記曲線の負荷率がＰ２である点に対応する高さである。即ち、実体体積（Ｖｍ）３０４は、負荷率（ｍｒ）０％から負荷率（ｍｒ）Ｐ２（８０％）の区間内で、高さ水平線の上方及び曲線の下方に囲まれた範囲である。なお、特に説明がなければ、本発明の実体体積（Ｖｍ）は負荷率（ｍｒ）０％から８０％の区間で算出された値であり、即ち負荷率（ｍｒ）が８０％の時に算出された実体体積（Ｖｍ）である。

空隙体積（Ｖｖ）３０２は、曲線の上方及び水平分断線の下方に囲まれた空隙の体積を積分することで算出され、この水平分断線は前記曲線の負荷率（ｍｒ）がＰ１である点に対応する高さである。即ち、空隙体積（Ｖｖ）３０２は、負荷率（ｍｒ）がＰ１（１０％）の高さ水平線の下方、負荷率（ｍｒ）が１００％までの区間内の曲線の上方に囲まれた範囲である。なお、特に説明がなければ、本発明の空隙体積（Ｖｖ）は、負荷率（ｍｒ）１０％から１００％の区間で算出された値であり、即ち、負荷率（ｍｒ）が１０％の時に算出された空隙体積（Ｖｖ）である。

具体的に、本発明の実施例によれば、極薄銅層１０４の剥離面１０４Ａの実体体積（Ｖｍ）が０．０９から０．２７μｍ^３／μｍ^２であり、かつ剥離面１０４Ａのニッケル残留量が６０μｇ／ｄｍ^２を超えないため、後に極薄銅層１０４の剥離面１０４Ａ上にパターン化フォトレジスト層を形成する時に、剥離面１０４Ａとパターン化フォトレジスト層との間に優れた接着性が得られる。剥離面１０４Ａとパターン化フォトレジスト層との間の接着性を高めることで、後のパターン化フォトレジスト層によるパターンを極薄銅層１０４に転写する過程において、パターン化フォトレジスト層が極薄銅層１０４の表面から剥離しにくくなり、パターン化フォトレジスト層によるパターンを完全、正確に極薄銅層に転写し、さらにパターン化された後の極薄銅層に予想した導電回路パターンを形成し、パターン化された後の極薄銅層１０４に予定の線幅（ｌｉｎｅ）／線間隔（ｓｐａｃｅ）寸法を実現できる。

また、本発明の実施例によれば、極薄銅層１０４の圧接面１０４Ｂの十点平均粗さ（Ｒｚ）が０．７から１．９μｍであり、かつ圧接面１０４Ｂの実体体積（Ｖｍ）と空隙体積（Ｖｖ）間の差が０．０１から０．１４μｍ^３／μｍ^２であるため、極薄銅層１０４と搭載板１１８との間の剥離強度を３ｌｂ／ｉｎより高くすることができ、パターン化された後の極薄銅層１０４が搭載板１１８から一層剥離し難くいことを意味する。

以下において、さらにキャリア付き銅箔、銅箔基板及び導電回路パターンを有する銅箔基板の製作方法について例示的に説明する。

図４は本発明の一実施例に基づくキャリア層の一方側に剥離層と遷移阻止層を形成した後の断面概略図である。図４が示すように、電解堆積（ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法を利用して、金属陰極回転輪（ｄｒｕｍ）の表面上にキャリア層１０２を形成し、例えば銅含有キャリア層であり、キャリア層１０２において金属陰極回転輪から離れている側が堆積面（ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ ｓｉｄｅ）１０２Ａであり、キャリア層１０２において金属陰極回転輪に面した側がドラム面（ｄｒｕｍ ｓｉｄｅ）１０２Ｂである。その後、キャリア層１０２のドラム面１０２Ｂにおいて剥離層１０６と遷移阻止層１０８を順に設置する。ここで、浸漬（ｄｉｐｐｉｎｇ）方法を利用して剥離層１０６をキャリア層１０２上に設置し、電気めっきの方法を利用して剥離層１０６上に遷移阻止層１０８を設置することができる。

図５は本発明の一実施例に基づいてキャリア層の一方側に電解銅層と粗化層を形成した後を示す断面概略図である。遷移阻止層１０８を形成した後、引き続き遷移阻止層１０８の表面上に極薄銅層１０４を形成することができる。この工程において、極薄銅層１０４中の電解銅層１１０、粗化層１１２及び不動態化層１１４が電解堆積によって順に遷移阻止層１０８の表面上に形成され、その後カップリング層１１６を不動態化層１１４上に塗布し、最終的に図１が示すような構造を得る。

続いて、キャリア付き銅箔１００を搭載板に熱間圧接させ、かつキャリア付き銅箔１００中のキャリア層１０２を極薄銅層１０４から剥離させて、極薄銅層１０４の剥離面１０４Ａを露出させ、図２が示すような銅箔基板２００を得ることができる。なお、キャリア層１０２を剥離させた後、一部の遷移阻止層１０８、例えばニッケル金属が極薄銅層１０４の剥離面１０４Ａに残留することがあり、このニッケル金属を極薄銅層１０４の剥離面１０４Ａの一部と見てもよい。また、剥離層１０６と遷移阻止層１０８の厚さが極薄であるため、電解堆積によってキャリア層１０２上に極薄銅層１０４を製作する時に、キャリア層１０２の表面形態、電解液の成分、及び電解堆積条件はいずれも前記剥離面１０４Ａの形態を影響し得る。従って、異なる表面形態のキャリア層を選択し、電解液の成分を調整し、または電解堆積の条件を制御することで、剥離面１０４Ａの表面構造を調整できる。

ここで、上記搭載板１１８にベーク板（ｂａｋｅｌｉｔｅ ｂｏａｒｄ）、高分子板、またはガラス繊維板を採用することが可能であるが、これに限定されない。前記高分子板の高分子成分として、例えば、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎｓ）、ポリエステル樹脂（ｐｏｌｙｅｓｔｅｒ ｒｅｓｉｎｓ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎｓ）、アクリル（ａｃｒｙｌｉｃｓ）、ホルムアルデヒド樹脂（ｆｏｒｍａｌｄｅｈｙｄｅ ｒｅｓｉｎｓ）、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ ｔｒｉａｚｉｎｅ ｒｅｓｉｎｓ、ＢＴ樹脂とも呼ぶ）、シアン酸エステル樹脂（ｃｙａｎａｔｅ ｅｓｔｅｒ ｒｅｓｉｎ）、フルオロポリマ（ｆｌｕｏｒｏｐｏｌｙｍｅｒｓ）、ポリエーテルスルホン（ｐｏｌｙ ｅｔｈｅｒ ｓｕｌｆｏｎｅ）、セルロース熱可塑性プラスチック（ｃｅｌｌｕｌｏｓｉｃ ｔｈｅｒｍｏｐｌａｓｔｉｃｓ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリオレフィン（ｐｏｌｙｏｌｅｆｉｎｓ）、ポリプロピレン（ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）、ポリスルフィド（ｐｏｌｙｓｕｌｆｉｄｅ）、ポリウレタン（ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、液晶ポリマー（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ、ＬＣＰ）、ポリフェニレンオキサイド（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｏｘｉｄｅ、ＰＰＯ）を挙げることができる。上記ガラス繊維板は、ガラス繊維不織材料を前記高分子（例えば、エポキシ樹脂）に浸した後形成される予備浸漬材料（ｐｒｅｐｒｅｇ）であってもよい。

図６は本発明の一実施例に基づく極薄銅層の一方側にパターン化フォトレジスト層を形成したものを示す概略図である。図２が示すような銅箔基板２００を完成した後、銅箔基板２００の極薄銅層１０４の剥離面１０４Ａにフォトレジスト、例えばドライフィルムフォトレジストを設置し、かつ適切な露光、現像工程を行うことで、パターン化フォトレジスト層３２０を形成することができる。また、パターン化フォトレジスト層３２０によってパターンが形成され、例えば、導電回路パターンである。

図７は本発明の一実施例に基づくパターン化極薄銅層を形成する概略図である。パターン化フォトレジスト層３２０を形成した後、適切なエッチング工程、例えばウェットエッチング工程を行い、パターン化したフォトレジスト層３２０によって形成された導電回路パターンを極薄銅層１０４に転写し、パターン化された極薄銅層４１０を形成し、パターン化された極薄銅層４１０が導線パターン４１２と間隔パターン４１４を含む。本発明の実施例によれば、極薄銅層１０４の剥離面１０４Ａとパターン化フォトレジスト層との間の接着性が良いため、パターン化フォトレジスト層３２０によって形成されたパターンを極薄銅層１０４に転写する過程において、パターン化フォトレジスト層３２０が極薄銅層１０４の表面から一層剥離しにくくなり、パターン化フォトレジスト層３２０によって形成されたパターンを完全、正確に極薄銅層に転写することができ、パターン化された極薄銅層４１０に予想した導電回路パターンを形成し、パターン化された極薄銅層４１０に予定の線幅（ｌｉｎｅ）／線間隔（ｓｐａｃｅ）寸法を実現できる。このようにして、導電回路パターンを有する銅箔基板４００を得る。

図８は本発明の一実施例に基づくパターン化フォトレジスト層を除去した後を示す概略図である。図７が示す導電回路パターンを有する銅箔基板４００が完成した後、続いてパターン化フォトレジスト層３２０を除去し、極薄銅層１０４の剥離面１０４Ａを露出させる。本発明の実施例によれば、極薄銅層１０４と搭載板１１８との間の剥離強度が３ｌｂ／ｉｎより高いため、パターン化された極薄銅層４１０が搭載板１１８上から一層剥離し難く、パターン化された極薄銅層４１０の導線パターン４１２と間隔パターン４１４を完全無欠に搭載板１１８上に設置することができる。

当業者が本発明を実施できるよう、以下は本発明の各具体的な実施例をより詳しく開示することで、本発明のキャリア付き銅箔及び銅箔基板、及びその他のフォトレジスト層間の接着性を具体的に説明する。なお、以下の実施例は例示に過ぎず、これによって本発明の解釈を制限すべきではない。即ち、本発明の範疇を超えない前提に、各実施例中に用いられる材料、材料の用量と割合及び処理工程などを適宜変更することができる。

以下の具体的な実施例及び比較例は、キャリア付き銅箔及び銅箔基板の製作工程、キャリア付き銅箔の表面粗さ（Ｒｚ、Ｖｖ、Ｖｍ）の測定結果、フォトレジスト層と銅箔基板との間の接着性測定結果、及び極薄銅層と搭載板との間の剥離強度測定結果を開示するものである。その一部のパラメータと測定結果を下表１、２に示す。

実施例１
＜ｉ．キャリア層の製作＞
銅線を濃度５０ｗｔ．％の硫酸水溶液中に溶解させて、硫酸銅電解液を製作し、かつ、硫酸銅電解液中の各組成の濃度は、３２０ｇ／Ｌの硫酸銅（ＣｕＳＯ_４・５Ｈ_２Ｏ）と１１０ｇ／Ｌの硫酸である。次に、１リットル毎の硫酸銅電解液中に、５．５ｍｇの低分子量ゲル（ＳＶ、Ｎｉｐｐｉ，Ｉｎｃ．）、３ｍｇの３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸ナトリウム（ｓｏｄｉｕｍ３−ｍｅｒｃａｐｔｏｐｒｏｐａｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ （ＭＰＳ）、Ｈｏｐａｘ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ Ｌｔｄ．製）、及び２５ｍｇの塩酸（ＲＣＩ Ｌａｂｓｃａｎ Ｌｔｄ．）を加える。

次に、５０℃の溶液温度と５０Ａ／ｄｍ^２の電流密度で電解堆積を行い、厚さ１８μｍの電着（または電気めっきと称す）銅箔を製作することができる。ここで、銅箔の製作に利用される装置は、金属陰極ドラム（または、金属陰極回転輪と称す）と非溶解性の金属陽極を含む。金属陰極ドラムは鏡面研磨（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）された表面を有する。基準ＪＩＳ Ｇ ０５５２に基づき、前記鏡面研磨された表面は数値７の結晶粒度（ｇｒａｉｎ ｓｉｚｅ ｎｕｍｂｅｒ）を有する。金属陰極ドラムは電解堆積の過程において持続的に回転可能である。非溶解性の金属陽極は、略金属陰極ドラムの下半部に配置され、金属陰極ドラムの下半部を囲む。前記銅電解液を陰極ドラムと陽極との間に流すと同時に、陰極ドラムと陽極の間に電流または電圧を印加することにより、陰極ドラム上に銅を電解堆積させ、銅箔を形成することができる。続いて、銅箔を陰極ドラムの表面から剥離する。前記装置により、連続して銅箔を製造することができ、この銅箔を後の工程でキャリア付き銅箔のキャリア層とすることができる。

＜ｉｉ．剥離層の製作＞
前記の厚さ１８μｍの電解堆積銅箔を濃度が１０００ｐｐｍ、溶液温度が３０℃のカルボキシベンゾトリアゾール（ｃａｒｂｏｘｙｂｅｎｚｏｔｒｉａｚｏｌｅ、ＣＢＴＡ）溶液中に３０秒浸漬させて、キャリア層上に剥離層を形成する。

＜ｉｉｉ．遷移阻止層の製作＞
遷移阻止層は選択的に設置することができる。３００ｇ／Ｌの硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ）と４０ｇ／Ｌホウ酸（Ｈ_３ＢＯ_３）を含む電解液を用いて、遷移阻止層を製作する。製作する時、前記銅箔を前記溶液中に置き、また溶液温度が５０℃の条件において、電流密度４Ａ／ｄｍ^２を印加し、１秒間維持して、キャリア層のドラム面に位置する剥離層上に遷移阻止層を形成する。実施例１のキャリア層の上には遷移阻止層が設置されていない。

＜ｉｖ．電解銅層の製作＞
銅線を濃度５０ｗｔ．％の硫酸水溶液中に溶解させて、硫酸銅電解液を製作し、硫酸銅電解液中の各組成の濃度は、３２０ｇ／Ｌの硫酸銅（ＣｕＳＯ_４・５Ｈ_２Ｏ）と１１０ｇ／Ｌの硫酸である。続いて、１リットル毎の硫酸銅電解液中に、５．５ｍｇの低分子量ゲル（ＳＶ、Ｎｉｐｐｉ，Ｉｎｃ.製、３ｍｇの３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸ナトリウム（ｓｏｄｉｕｍ３−ｍｅｒｃａｐｔｏｐｒｏｐａｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ （ＭＰＳ）、Ｈｏｐａｘ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ Ｌｔｄ．製）、２５ｍｇの塩酸（ＲＣＩ Ｌａｂｓｃａｎ Ｌｔｄ．）、９．５ｍｇのポリエチレンイミン（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｉｍｉｎｅ（ＰＥＩ）、線状高分子、Ｍｎ＝５０００、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ Ｃｏｍｐａｎｙ）、及び６．８ｍｇのｏ−スルホベンズイミド（１，１−ｄｉｏｘｏ−１，２−ｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌ−３−ｏｎｅ（サッカリン）、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ Ｃｏｍｐａｎｙ）を加える。

続いて、５０℃の溶液温度で、２０Ａ／ｄｍ^２の電流密度に４５秒間維持して、キャリア層のドラム面上に電解堆積を行い、厚さ３μｍの電解堆積銅層（または、電解銅層と称す）を形成する。

＜ｖ．粗化層の製作＞
９５ｇ／Ｌの硫酸銅（ＣｕＳＯ_４・５Ｈ_２Ｏ）、１１５ｇ／Ｌの硫酸、及び３．５ｐｐｍ塩素イオンを含む硫酸銅電気めっき液を使用し、前記銅箔をその中に入れる。２５℃の溶液温度において、電流密度５０Ａ／ｄｍ^２を印加し、１０秒間維持して、電解銅層上に組成が銅であるノジュール構造（ｎｏｄｕｌｅ）を形成する。

ノジュール構造が電解銅層から剥離することを防止するために、さらに電解堆積を利用して、ノジュール構造上に成分が銅である被覆層を形成してもよい。被覆層を形成する過程において、硫酸銅溶液を使用し、かつ、硫酸銅と硫酸の濃度がそれぞれ３２０ｇ／Ｌと１００ｇ／Ｌであり、かつ電解液の温度を４０℃に保ち、電流密度が１５Ａ／ｄｍ^２であり、電解堆積が１０秒とする。

＜ｖｉ．不動態化層の製作＞
ニッケル電解液を使用し、前記の粗化層を有する銅箔置をその中に置き、粗化層上に電解堆積を行って、ニッケル含有層を形成する。電解堆積の条件が以下の通り：１８０ｇ／Ｌの硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ）、３０ｇ／Ｌのホウ酸（Ｈ_３ＢＯ_３）、３．６ｇ／Ｌの次亜リン酸ナトリウム（ｓｏｄｉｕｍ ｈｙｐｏｐｈｏｓｐｈｉｔｅ、ＮａＨ_２ＰＯ_２）、溶液温度が２０℃であり、電気めっき溶液のｐＨが３．５であり、電流密度が０．２Ａ／ｄｍ^２であり、及び電解堆積時間が３秒である。電解堆積が完了した後、水で電解堆積後の銅箔を洗浄する。

ニッケル層の製作工程が完了した後、さらに銅箔の両側に亜鉛層を設置する。電解堆積の過程において、硫酸亜鉛の濃度が１００ｇ／Ｌに維持され、溶液ｐＨが３．４であり、溶液温度が５０℃であり、かつ電流密度が４Ａ／ｄｍ^２の条件において２秒間電解堆積を行う。亜鉛めっきの工程を完了した後、水で電解堆積後の銅箔を洗浄する。

亜鉛層の製作工程を完了した後、さらに前記亜鉛層を設置した銅箔をクロムめっき浴に置いて、前記銅箔の両面にそれぞれクロム層めっきを行う。電解堆積の条件が以下の通り：５ｇ／Ｌのクロム酸、溶液温度が３５℃であり、溶液ｐＨが１１．５であり、電流密度が１０Ａ／ｄｍ^２であり、及び電解堆積時間が５秒である。

＜ｖｉｉ．カップリング層の製作＞
前記電気めっきを完了した後、水で電気めっき後の銅箔を洗浄し、銅箔の表面を乾燥させず、銅箔をシランカップリング剤の処理チャンバー中に設置し、かつ濃度が０．２５ｗｔ．％の３−アミノプロピルトリエトキシシラン（３−ａｍｉｎｏｐｒｏｐｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ、ＡＰＴＥＳ）溶液を不動態化層上に吹き付けて、シランカップリング剤を不動態化層の表面に吸着させる。なお、シランカップリング剤は銅キャリア層の所定側のみに形成され（即ち、粗化層を設置した側）、かつ、シランカップリング剤がカップリング層を構成する。

ここまで、実施例１のキャリア付き銅箔を完成し、そのうち、カップリング層の外側面をキャリア付き銅箔の圧接面とする。

実施例２−１８
実施例２−１８の製造手順が実施例１の製造手順とほぼ同じであり、互いに異なる製造パラメータは下表１、２が示す通りである。そのうち、実施例２から９には遷移阻止層が設置されず、実施例１０から１８には遷移阻止層が設置されている。

比較例１−１０
比較例１−１０の製造手順が実施例１の製造手順とほぼ同じであり、互いに異なる製造パラメータ結果は下表１、２が示す通りである。そのうち、比較例１から４には遷移阻止層が設置されず、比較例５から１０には遷移阻止層が設置されている。

測定方法
以下の測定方法で測定を行い、各具体的な実施例及び比較例の量測結果を下表１、２に示す。

＜空隙体積（Ｖｖ）、実体体積（Ｖｍ）＞
基準ＩＳＯ２５１７８−２（２０１２）に基づき、レーザー顕微鏡（ＬＥＸＴ ＯＬＳ５０００−ＳＡＦ、Ｏｌｙｍｐｕｓ）の表面テクスチャ分析により、各面の空隙体積（Ｖｖ）と実体体積（Ｖｍ）を測定する。そして、波長４０５ｎｍの光源により、１００倍の対物レンズ（ＭＰＬＡＰＯＮ−１００ｘ ＬＥＸＴ、Ｏｌｙｍｐｕｓ）と１．０倍の光学ズームを利用し、１２９μｍ×１２９μｍの観測面積、１０２４画素×１０２４画素の解像度を測定条件とした。レーザー顕微鏡の傾斜自動除去機能を起動させ、かつ画像に対しフィルタリングを行っていない。画像を撮影する時の空気温度は２４±３℃であり、相対湿度が６３±３％である。なお、ここで、実体体積（Ｖｍ）とは負荷率（ｍｒ）が８０％で測定された数値を意味し、空隙体積（Ｖｖ）とは負荷率が１０％で測定された数値を意味する。実体体積（Ｖｍ）及び空隙体積（Ｖｖ）の単位はμｍ^３／μｍ^２である。

＜剥離面の実体体積（Ｖｍ）＞
キャリア付き銅箔の圧接面をＢＴ樹脂（ＧＨＰＬ−８３０ＮＸ ｔｙｐｅＡ、Ｍｉｔｓｕｂｉｓｈｉ ｇａｓ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｃｏ.）に向けて、両者を圧接させる。圧接条件は以下の通りである：温度２３３℃Ｃ、圧力５８０ｐｓｉ、及び圧接時間１００分間。そして、キャリア付き銅箔中のキャリア層を剥離させて、電解銅層の一方側の面（即ち、剥離面）を露出させる。前記＜空隙体積（Ｖｖ）、実体体積（Ｖｍ）＞中の測定方法により、電解銅層の剥離面の実体体積（Ｖｍ）を測定する。

＜圧接面の十点平均粗さＲｚ＞
基準ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９９４に基づき、表面粗さ測定器（ＳＥ ６００ Ｓｅｒｉｅｓ、Ｋｏｓａｋａ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ Ｌｔｄ．）を用いて、各実施例のキャリア付き銅箔の圧接面の十点平均粗さ（Ｒｚ）を検測した。具体的な測定条件が以下の取りである：測定ピンの先端の直径が２μｍであり、測定ピンの先端のテーパー度が９０°であり、測定長さが４．０ｍｍであり、輪郭局延（Ｃｏｎｔｏｕｒ ｃｕｒｖｅｓ）フィルタのカットオフ値がλｃ＝０．８ｍｍである。

＜剥離面のニッケル残留量＞
キャリア付き銅箔を切断して１５０×１５０ｍｍの寸法にして、かつキャリア層と電解銅層の外側にそれぞれナイロン（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ）高分子の保護層を貼り付けて、銅の溶解を防止する。続いて、キャリア層を剥離させ、電解銅層の一方側の面（または、剥離面と称す）を露出させる。そして、サンプルをさらに切断して１００×１００ｍｍの寸法（面積＝１ｄｍ^２）にした後、サンプルを培養皿に入れて、かつ、２０ｍｌの１８％ＨＣｌ溶液と３ｍｌの３０％Ｈ_２Ｏ_２溶液を用いて、常温（２５℃）でサンプルを１０分間浸す。電解銅層の剥離面のニッケルが完全に溶解した後、溶液を５０ｍｌの定量瓶に移す。その後、水出培養皿を洗浄し、かつ定量瓶の中へ収集し、定量瓶の中の溶液を予定体積に到達させる。ニッケル含有量は、誘導結合プラズマ発光分析器（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａ ａｔｏｍｉｃ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ （ＩＣＰ−ＡＥＳ）、型ｉＣＡＰ７０００、Ｔｈｅｒｍｏ社から購入）で測定する。

＜フォトレジスト接着性測定＞
キャリア付き銅箔の圧接面をＢＴ樹脂（ＧＨＰＬ−８３０ＮＸ ｔｙｐｅＡ、Ｍｉｔｓｕｂｉｓｈｉ ｇａｓ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｃｏ.）に向けて、両者を圧接させる。圧接条件は以下の通りである：温度２３３℃、圧力５８０ｐｓｉ、及び圧接時間１００分間。その後、キャリア付き銅箔中のキャリア層を剥離させ、電解銅層の剥離面を露出させる。続いて、電解銅層の剥離面とドライフィルムフォトレジスト層（ＦＦ−９０３０Ａ、Ｃｈａｎｇ Ｃｈｕｎ ｐｌａｓｔｉｃｓ．ｃｏ.）を圧接させて、積層板を形成する。ここで、ドライフィルムフォトレジスト層の圧接条件は、６５℃、３．０ｋｇ／ｃｍ^２、３秒である。

ドライフィルムフォトレジスト層を電解銅層に圧接させた後、室温において積層板を１５分間冷却する。続いて、積層板の表面を露光マスク（ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｍａｓｋ）（Ｌ／Ｓ＝１／１、線形パターン配置、各線の幅が２０から５０μｍ）で被覆する。露光マスクに遮蔽された状態で、露光装置（ＥＸＭ−１２０１Ｆ、ＯＲＣ）を利用して、３０ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギー強度で積層板に対し１５分間露光し、一部のドライフィルムフォトレジスト層を硬化させる（ｃｕｒｅｄ）。

露光工程を行った後、積層板を室温で１５分間冷却する。続いて、ウェット現像工程を行い、現像剤をドライフィルムフォトレジスト層に吹き付けて、未硬化（ｕｎｃｕｒｅｄ）のドライフィルムフォトレジスト層を除去し、線形パターンを有するパターン化フォトレジスト層を形成する。なお、現像条件は、２９℃、１．０ｗｔ．％のＮａ_２ＣＯ_３、吹き付け圧力が１．２ｋｇ／ｃｍ^２である。

そして、３６ｗｔ.％の塩酸水溶液＋４０ｗｔ.％塩化鉄（ｆｅｒｒｉｃ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）水溶液＋超純水を用いて、体積比例１：１：１でエッチング液を配置し、前記サンプルに対しエッチングを行い、パターン化フォトレジスト層によって形成されたパターンを電解銅層に転写し、パターン化された電解銅層を得る。

各種の露光マスクを利用して、様々なパターン化された電解銅層を形成することができる。例を挙げると、前記工程によって、線幅が５μｍの等差で増大する複数組のサンプルを製作し、例えば、線幅が２０μｍの第一組、線幅が２５μｍの第二組、及び線幅が３０μｍの第三組を製作し、かつ各組が５つのサンプルを含むことができる。

パターン化された電解銅層を得た時に、各組サンプルにパターン化フォトレジスト層がパターン化された電解銅層の表面から剥離する現象が発生したか否かを観察することで、フォトレジスト層と電解銅層との間の接着性の優劣を評価する。その評価基準は以下の通りである：
Ａ級：線幅≦３０μｍの特定組において、前記組中の５のサンプルの何れにもパターン化フォトレジスト層がパターン化電解銅層の表面から剥離する現象が発生しなかった。

Ｂ級：線幅≦３０μｍの特定組において、前記組中の５のサンプルの一部にパターン化フォトレジスト層がパターン化電解銅層の表面から剥離する現象があるが、線幅＞３０μｍの特定組において、前記組中の５のサンプルの何れにもパターン化フォトレジスト層がパターン化電解銅層の表面から剥離する現象が発生しなかった。

＜剥離強度＞
キャリア付き銅箔の圧接面をＢＴ樹脂（ＧＨＰＬ−８３０ＮＸ ｔｙｐｅＡ、Ｍｉｔｓｕｂｉｓｈｉ ｇａｓ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｃｏ.）に向けて、両者を圧接させ、積層板を形成する。圧接条件が以下の通りである：温度２３３℃、圧力５８０ｐｓｉ、及び圧接時間１００分間。

そして、キャリア層を剥離させ、極薄銅層の剥離面を露出させる。続いて、極薄銅層の剥離面上に、電解堆積によって厚さ３２μｍの補助銅層を形成し、極薄銅層と補助銅層の合計厚さを３５μｍとする。

最後に、万能試験機を用いて、合計厚さが３５μｍの極薄銅層と補助銅層を同時に剥離させ、かつ剥離強度を分析する。

前記の実施例１−１８によれば、電解銅層の剥離面の実体体積（Ｖｍ）が０．０９から０．２７μｍ^３／μｍ^２であり、かつ剥離面のニッケル残留量が６０μｇ／ｄｍ^２を超えない場合、剥離面とパターン化フォトレジスト層との間の接着性がＡ級に達し、比較例１−１０のＢ級より優れている。従って、パターン化フォトレジスト層が電解銅層の表面から一層剥離しにくくなるため、パターン化フォトレジスト層によって形成されるパターンを完全、正確に電解銅層中に転写し、さらにパターン化された後の電解銅層に予想した導電回路パターンを形成し、パターン化された後の電解銅層に予定の線幅（ｌｉｎｅ）／線間隔（ｓｐａｃｅ）寸法を実現できる。

また、前記の実施例１−７及び１０−１６によれば、電解銅層の圧接面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が０．７から１．９μｍであり、かつ圧接面の実体体積（Ｖｍ）と空隙体積（Ｖｖ）間の差が０．０１から０．１４μｍ^３／μｍ^２である場合、電解銅層とＢＴ樹脂間の剥離強度が３ｌｂ／ｉｎより高くなり、この剥離強度が比較例２、６の剥離強度（２．１ｌｂ／ｉｎ）より明らかに高いことから、パターン化された後の電解銅層が樹脂から一層剥離しにくいことを意味する。

以上な本発明の好ましい実施例に過ぎず、本発名の特許請求の範囲において行われた等価な変更と修正はすべて本発明の範囲に属する。

１００ キャリア付き銅箔
１０２ キャリア層
１０２Ａ 堆積面
１０２Ｂ ドラム面
１０４ 極薄銅層
１０４Ａ 剥離面
１０４Ｂ 圧接面
１０６ 剥離層
１０８ 遷移阻止層
１１０ 電解銅層
１１２ 粗化層
１１４ 不動態化層
１１６ カップリング層
１１８ 搭載板
２００ 銅箔基板
３０２ 空隙体積
３０４ 実体体積
３２０ パターン化フォトレジスト層
４００ 銅箔基板
４１０ パターン化された極薄銅層
４１２ 導線パターン
４１４ 間隔パターン

Claims (10)

1. キャリア付き銅箔であって、
   キャリア層と、
   前記キャリア層の上に設置された極薄銅層とを含み、
   前記極薄銅層が前記キャリア層に面した剥離面を含み、
   前記キャリア層が前記極薄銅層から剥離された後、前記剥離面の実体体積（Ｖｍ）が０．０９から０．２７μｍ^３／μｍ^２であり、かつ、前記剥離面のニッケル残留量が６０μｇ／ｄｍ^２を超えない、キャリア付き銅箔。
2. 前記極薄銅層はさらに、前記剥離面の反対側に位置する圧接面を含み、
   前記圧接面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が０．７から１．９μｍであり、かつ前記圧接面の実体体積（Ｖｍ）と空隙体積（Ｖｖ）間の差が０．０１から０．１４μｍ^３／μｍ^２である、請求項１に記載のキャリア付き銅箔。
3. 前記圧接面の空隙体積（Ｖｖ）が０．２８から０．４７μｍ^３／μｍ^２である、請求項２に記載のキャリア付き銅箔。
4. 前記圧接面の実体体積（Ｖｍ）が０．２５から０．３７μｍ^３／μｍ^２である、請求項２に記載のキャリア付き銅箔。
5. 前記極薄銅層はさらに、順に設置された粗化層、不動態化層及びカップリング層を含み、
   前記カップリング層の外側が前記圧接面であり、かつ前記圧接面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が前記剥離面の十点平均粗さ（Ｒｚ）より高い、請求項２に記載のキャリア付き銅箔。
6. 前記キャリア付き銅箔はさらに、前記キャリア層と前記極薄銅層との間に設置された遷移阻止層を含み、
   前記遷移阻止層と前記極薄銅層が異なる組成を有する、請求項１に記載のキャリア付き銅箔。
7. 前記遷移阻止層がニッケルを含む、請求項６に記載のキャリア付き銅箔。
8. 前記キャリア層が前記極薄銅層から剥離された後、前記剥離面のニッケル残留量が２５から５４μｇ／ｄｍ^２である、請求項７に記載のキャリア付き銅箔。
9. 前記キャリア付き銅箔はさらに、前記キャリア層と前記極薄銅層との間に設置された剥離層を含み、
   前記剥離層の組成がヘテロ芳香族（ｈｅｔｅｒｏａｒｏｍａｔｉｃ）化合物を含む、請求項１に記載のキャリア付き銅箔。
10. 銅箔基板であって、
    搭載板と、
    前記搭載板の少なくとも一つの表面の上に設置された極薄銅層とを含み、
    前記極薄銅層は前記搭載板の反対側に位置する剥離面を含み、前記剥離面の実体体積（Ｖｍ）が０．０９から０．２７μｍ^３／μｍ^２であり、かつ前記剥離面のニッケル残留量が６０μｇ／ｄｍ^２を超えない、銅箔基板。

Images