JP2020119834A

JP2020119834A - ヒータの温度制御方法、ヒータ及び載置台

Info

Publication number: JP2020119834A
Application number: JP2019011538A
Authority: JP
Inventors: 河西　繁; Shigeru Kasai; 河西　　繁
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2019-01-25
Filing date: 2019-01-25
Publication date: 2020-08-06
Anticipated expiration: 2039-01-25
Also published as: US20220151026A1; WO2020153224A1; KR102638346B1; JP7249791B2; CN113330819A; KR20210114481A

Abstract

【課題】低コストで作製可能なヒータにおいて、所望の面内温度分布が容易に得られる技術を提供する。【解決手段】ヒータの温度調整方法であって、前記ヒータは、半導体基板から成る１枚の板状部材と、前記１枚の板状部材の側面に、周方向に間隔をおいて３以上形成された電極と、を有し、当該温度調整方法は、前記電極と他の前記電極との間に通電すると共に、通電する前記電極の組を順次切り替えて、前記板状部材を加熱する加熱工程を有し、前記加熱工程における電極間の通電時間は前記電極の組毎に設定されている。【選択図】図５

Description

本開示は、ヒータの温度制御方法、ヒータ及び載置台に関する。

特許文献１には、シリコンヒータ上にウェハを載置し、シリコンヒータによりウェハを均一加熱することが開示されている。特許文献１に開示のシリコンヒータは、シリコン板の外周部に沿って帯状ターミナルが対向して設けられており、シリコン板の中央部に帯状ターミナルを結ぶ線を横切る方向に少なくとも１つの貫通スリットが設けられている。

特開２００５−２５１５６０号公報

本開示にかかる技術は、低コストで作製可能なヒータにおいて、所望の面内温度分布が容易に得られる技術を提供する。

本開示の一態様は、ヒータの温度調整方法であって、前記ヒータは、半導体基板から成る１枚の板状部材と、前記１枚の板状部材の側面に、周方向に間隔をおいて３以上形成された電極と、を有し、当該温度調整方法は、前記電極と他の前記電極との間に通電すると共に、通電する前記電極の組を順次切り替えて、前記板状部材を加熱する加熱工程を有し、前記加熱工程における電極間の通電時間は前記電極の組毎に設定されている。

本開示によれば、低コストで作製可能なヒータにおいて、所望の面内温度分布を容易に得ることができる。

本実施形態にかかる載置台を有する検査装置の構成の概略を示す斜視図である。本実施形態にかかる載置台を有する検査装置の構成の概略を示す正面図である。図２のステージの構成を概略的に示す断面図である。図２のステージを層毎に分割して示す断面図である。図３のヒータの構成を概略的に示す上面図である。切替部の構成の概略を説明する回路図である。一の加熱領域と、当該加熱領域の加熱に用いられる電極の組との関係を示す説明図である。他の加熱領域と、当該加熱領域の加熱に用いられる電極の組との関係を示す説明図である。他の加熱領域と、当該加熱領域の加熱に用いられる電極の組との関係を示す説明図である。他の加熱領域と、当該加熱領域の加熱に用いられる電極の組との関係を示す説明図である。温度制御処理の各加熱工程において、切替部の各トランジスタのうちＯＮ状態とされるものを示す図である。温度制御処理の各加熱工程の各ステップにおける通電時間を説明する図である。電極の他の例を示す図である。図１３の電極を用いる場合のヒータの温度制御処理を説明する図である。ヒータの板状部材の温度を測定する方法の他の例を説明する図である。ヒータの他の例の構成を概略的に示す上面図である。

半導体製造プロセスでは、所定の回路パターンを持つ多数の電子デバイスが半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上に形成される。形成された電子デバイスは、電気的特性等の検査が行われ、良品と不良品とに選別される。電子デバイスの検査は、例えば、各電子デバイスが分割される前のウェハの状態で、検査装置を用いて行われる。
近年では、検査装置として、高温での電子デバイスの電気的特性検査を行うことができるように、ウェハが載置される載置台に、加熱手段が設けられているものもある。
また、半導体製造プロセスでは、ウェハに対し、成膜装置を用いた成膜やエッチング装置を用いたエッチングが行われる。この成膜装置やエッチング装置に設けられる載置台にも加熱手段が設けられている。

ところで、検査や成膜等において、ウェハは、所望の面内温度分布となるように（例えば面内均一となるように）、加熱される。
特許文献１には、前述のように、シリコンヒータ上にウェハを載置し、シリコンヒータによりウェハを均一加熱することが開示されている。特許文献１に開示のシリコンヒータは、シリコン板の外周部に沿って帯状ターミナルが対向して設けられており、シリコン板の中央部に帯状ターミナルを結ぶ線を横切る方向に少なくとも１つの貫通スリットが設けられている。

しかし、特許文献１に開示のように貫通スリットを設ける構成のステージヒータでは、当該ステージヒータの完成後に、面内温度分布を調整することは難しい。したがって、ステージヒータの完成後に、所望の面内温度分布が得られないことが判明した場合、所望の面内温度分布を得るのは困難である。

なお、所望の面内温度分布を得るための構成として、例えば、シリコンヒータを複数の分割体に分割し分割体毎に制御する構成や、シリコンヒータに用いられるシリコン基板の不純物濃度を面内の一部において調整する構成が考えられる。しかし、前者の構成では、各分割体への配線に時間を要し、製作に困難性がある。また、後者の構成では、面内の一部において不純物濃度が調整されたシリコン基板は高価なものとなるため、高コストとなる。

そこで、本開示にかかる技術は、容易に且つ低コストで作製可能なヒータにおいて、所望の面内温度分布が容易に得られる技術を提供する。

以下、本実施形態にかかるヒータの温度制御方法、ヒータ及び載置台について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

まず、本実施形態にかかる載置台が適用される検査装置の構成について説明する。図１及び図２はそれぞれ、本実施形態にかかる載置台を有する検査装置１の構成の概略を示す斜視図及び正面図である。図２では、図１の検査装置１の後述の収容室とローダが内蔵する構成要素を示すため、その一部が断面で示されている。

検査装置１は、被処理体としてのウェハＷに形成された複数の電子デバイス（図示せず）それぞれの電気的特性の検査を行うものである。この検査装置１は、図１及び図２に示すように、検査時にウェハＷを収容する収容室２と、収容室２に隣接して配置されるローダ３と、収容室の上方を覆うように配置されるテスタ４とを備える。

収容室２は、内部が空洞の筐体であり、検査対象のウェハＷが載置される載置台としてのステージ１０を有する。ステージ１０は、該ステージ１０に対するウェハＷの位置がずれないようにウェハＷを吸着保持する。また、ステージ１０は、水平方向及び鉛直方向に移動自在に構成されており、この構成により、後述のプローブカード１１とウェハＷの相対位置を調整してウェハＷの表面の電極をプローブカード１１のプローブ１１ａと接触させることができる。

収容室２における該ステージ１０の上方には、該ステージ１０に対向するようにプローブカード１１が配置される。プローブカード１１は、ウェハＷに設けられた電子デバイスの電極等に電気的に接触されるプローブ１１ａを有する。
また、プローブカード１１は、インターフェース１２を介してテスタ４へ接続されている。各プローブ１１ａは、電気的特性検査時にウェハＷの各電子デバイスの電極に接触し、テスタ４からの信号をインターフェース１２を介して電子デバイスへ供給し、且つ、電子デバイスからの信号をインターフェース１２を介してテスタ４へ伝達する。

ローダ３は、搬送容器であるＦＯＵＰ（図示せず）に収容されているウェハＷを取り出して収容室２のステージ１０へ搬送する。また、ローダ３は、電子デバイスの電気的特性検査が終了したウェハＷをステージ１０から受け取り、ＦＯＵＰへ収容する。

さらに、ローダ３は、ベースユニット１３を有する。ベースユニット１３は、ステージ１０に関する各種制御を行う制御部１３ａを有し、配線１４を介してステージ１０へ接続されている。

ベースユニット１３の制御部１３ａは、図示を省略するが、例えば、ＣＰＵや、メモリ等からなるプログラム格納部を有している。プログラム格納部には、検査対象の電子デバイスの温度制御をするための、後述のヒータ１３０の温度制御処理等の制御部１３ａにおける各種処理を制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部１３ａにインストールされたものであってもよい。プラグラムの一部または全ては専用ハードウェア（回路基板）で実現してもよい。
制御部１３ａは、例えば、ウェハＷの電子デバイスの温度やステージ１０の後述の天井層１１０の温度に基づいて、後述のヒータ１３０に印加する電圧や後述の蓋層１４０及び溝層１５０から成る冷却層への冷却媒体の流量を制御する。

ベースユニット１３は、さらに、直流電源１３ｂ及び切替部１３ｃを有する。直流電源１３ｂ及び切替部１３ｃについては後述する。
なお、ベースユニット１３は収容室２に設けられてもよい。

テスタ４は、電子デバイスが搭載されるマザーボードの回路構成の一部を再現するテストボード（図示せず）を有する。テストボードは、電子デバイスからの信号に基づいて、該電子デバイスの良否を判断するテスタコンピュータ１５に接続される。テスタ４では、上記テストボードを取り替えることにより、複数種のマザーボードの回路構成を再現することができる。

さらに、検査装置１は、ユーザ向けに情報を表示したりユーザが指示を入力したりするためのユーザインターフェース部１６を備える。ユーザインターフェース部１６は、例えば、タッチパネルやキーボード等の入力部と液晶ディスプレイ等の表示部とからなる。

上述の各構成要素を有する検査装置１では、電子デバイスの電気的特性の検査の際、テスタコンピュータ１５が、電子デバイスと各プローブ１１ａを介して接続されたテストボードへデータを送信する。そして、テスタコンピュータ１５が、送信されたデータが当該テストボードによって正しく処理されたか否かを当該テストボードからの電気信号に基づいて判定する。

次に、ステージ１０の構成について図３及び図４を用いて説明する。図３はステージ１０の構成を概略的に示す断面図である。図４は、ステージ１０を構成する各層を示すためにステージ１０を層毎に分割して示す断面図である。

ステージ１０は、図３及び図４に示すように、加熱層であるヒータ１３０等を含む複数の層が積層されて成る。ステージ１０は、当該ステージ１０を水平方向及び鉛直方向に移動させる移動機構（図示せず）上に、熱絶縁部２０を介して載置される。熱絶縁部２０は、例えば樹脂やグラファイト、熱伝導率の低いセラミック等から成る。

ステージ１０の上記複数の層を成す各層は、図の例では、上方から順に、天井層１１０、電磁シールド層１２０、ヒータ１３０、蓋層１４０、溝層１５０である。以下に説明するように、上記複数の層はそれぞれ、シリコン（Ｓｉ）単結晶基板により構成されている。

天井層１１０は、表面にウェハＷが載置される層である。この天井層１１０は、Ｓｉ単結晶基板により構成され、酸化膜としてのＳｉ酸化膜１１１が裏面に形成されている。

電磁シールド層１２０は、天井層１１０とヒータ１３０との間に設けられ、ヒータ１３０で生じた電磁波がステージ１０の天井層１１０側から外部へ放射されることを抑制する層である。この電磁シールド層１２０は、高濃度に不純物が添加され導電率が高いＳｉ単結晶基板により構成され、その表面と裏面にＳｉ酸化膜１２１、１２２が形成され側面に電極１２３が形成されている。電磁シールド層１２０は、電極１２３を介して接地電位あるいは出力インピーダンスの低い電位に接続される。

ヒータ１３０は、天井層１１０を加熱する層であり、天井層１１０の裏面側に設けられ、より具体的には、電磁シールド層１２０の直下の位置に設けられている。ヒータ１３０は、半導体基板としてのＳｉ単結晶基板から成る１枚の板状部材１３１を有し、この板状部材１３１を構成するＳｉ単結晶基板には高濃度に不純物が添加され導電率が高いものが用いられる。また、ヒータ１３０は、板状部材１３１の裏面と表面の両面に、略全面を覆うように形成されたＳｉ酸化膜１３２、１３３と、側面に形成された電極１３４とを有する。
ヒータ１３０の詳細については後述する。

蓋層１４０と溝層１５０は、冷却層として機能するものである。冷却層とは、天井層１１０の裏面側に設けられ、冷却媒体により当該天井層１１０を冷却する層である。

溝層１５０は、ステージ１０における積層方向の一方向（図３の上方向）に開口する溝１５１を有する層である。この溝層１５０は、Ｓｉ単結晶基板により構成され、蓋層１４０側の面にＳｉ酸化膜１５２が形成されると共に、上述の溝１５１が形成されている。

蓋層１４０は、溝層１５０の溝１５１の開口部を覆うように溝層１５０に対して設けられ、溝１５１と共に冷却媒体としての冷却水の流路を形成する層である。本実施形態において、蓋層１４０は、ヒータ１３０で生じた電磁波がステージ１０の裏側（天井層１１０と反対側）から外部へ放射されることを抑制する電磁シールド層を兼ねる。上記電磁波がステージ１０の裏側から放射されると、検査装置１の収容室２内で反射してウェハＷに到達し電気的特性検査に影響を及ぼすことがある。上記電磁シールド層はこれを防止するためのものである。
上述の蓋層１４０は、高濃度に不純物が添加され導電率が高いＳｉ単結晶基板により構成され、その表面と裏面にＳｉ酸化膜１４１、１４２が形成され側面に電極１４３が形成されている。蓋層１４０は、電極１４３を介して接地電位あるいは出力インピーダンスの低い電位に接続される。

続いて、ヒータ１３０の構成について図５を用いて説明する。図５はヒータ１３０の構成を概略的に示す上面図である。なお、図５において、Ｓｉ酸化膜１３２、１３３の図示は省略している。
ヒータ１３０は、前述のように、１枚の板状部材１３１と、Ｓｉ酸化膜１３２、１３３と、電極１３４とを有する。

ヒータ１３０は、例えば、図５に示すように平面視円形状である。板状部材１３１も、例えば、平面視円形状である。
板状部材１３１の側面には、周方向に間隔をおいて、具体的には、周方向に等間隔で配置されるように、３以上の電極１３４が形成されている。図の例では、電極１３４の数は８つである。以下では、電極１３４を、図の上側のものから時計回りに順に、第１電極１３４_１、第２電極１３４_２、…、第８電極１３４_８として、説明することがある。

電極１３４には、直流電源１３ｂ（図２参照）が切替部１３ｃ（図２参照）を介して接続されている。
直流電源１３ｂは、直流電力を供給するものである。直流電源１３ｂからの直流電力を電極１３４と他の電極１３４との間に通電することにより、板状部材１３１を加熱することができる。電極１３４の組み合わせは多数あるが、直流電源１３ｂが各時点において直流電力を供給する電極１３４の組はその一部である。
切替部１３ｃは、直流電源１３ｂからの直流電力の供給先の電極１３４の組を切り替えるものである。直流電源１３ｂからの直流電力の供給先の電極１３４の組を、制御部１３ａの制御の下、切替部１３ｃで順次切り替えることにより、ヒータ１３０において加熱される部分を切り替えることができる。

図６は、切替部１３ｃの構成の概略を説明する回路図である。
図に示すように、切替部１３ｃは、高電位側に接続されるトランジスタＴｒａのエミッタと低電位側に接続されるトランジスタＴｒｂのコレクタとが接続されて成るトランジスタ対を有する。そして、切替部１３ｃは、電極１３４の数と同じ数の上記トランジスタ対が並列に接続されて成る。また、各トランジスタ対におけるトランジスタＴｒａのエミッタとトランジスタＴｒｂのコレクタとの接続部分Ｐに、当該トランジスタ対に対応する電極１３４（第１〜第８電極１３４_１〜１３３_８のいずれか１つ）が接続されている。

続いて、図７〜図１０を用いて、本実施形態にかかるヒータ１３０の温度制御処理について説明する。図７〜図１０は、後述の加熱領域と、当該加熱領域の加熱に用いられる電極１３４の組との関係を示す説明図である。なお、図７〜１０の矢印は、各加熱領域の加熱に用いられる電極１３４の組を示している。

本実施形態にかかるヒータ１３０の温度制御処理では、図７〜図１０に示すように、ヒータ１３０を径方向に区分し、区分された領域毎に加熱する。具体的には、板状部材１３１を径方向に区分し、区分された領域毎に加熱する。以下では、板状部材１３１を径方向に区分した領域を加熱領域Ｒとする。板状部材１３１の区分数すなわち加熱領域Ｒの数は、例えば、電極の数をｎとしたときｎ／２である（本例では８／２＝４である）。各加熱領域Ｒと、当該加熱領域Ｒの加熱に用いられる電極１３４の組を構成する電極１３４の位置関係とは対応している。なお、以下では、加熱領域Ｒを、中央から順に加熱領域Ｒ１〜Ｒ４とする。

（加熱領域Ｒ１の加熱工程）
中心の加熱領域Ｒ１の加熱に用いられる電極１３４の組は、図７に示すように、通電したときに当該加熱領域Ｒ１内またはその近傍を電流が流れる電極１３４の組である。具体的には、加熱領域Ｒ１に対し、以下のように互いに対向する電極１３４の組が設定されている。
（第１の電極１３４_１、第５の電極１３４_５）
（第２の電極１３４_２、第６の電極１３４_６）
（第３の電極１３４_３、第７の電極１３４_７）
（第４の電極１３４_４、第８の電極１３４_８）
（第５の電極１３４_５、第１の電極１３４_１）
（第６の電極１３４_６、第２の電極１３４_２）
（第７の電極１３４_７、第３の電極１３４_３）
（第８の電極１３４_８、第４の電極１３４_４）
なお、本明細書では、（第ｊの電極１３４_ｊ、第ｋの電極１３４_ｋ）との記載は、高電位側の電極が第ｊの電極１３４_ｊであり、低電位側の電極が第ｋの電極１３４_ｋである電極１３４の組を意味する。

加熱領域Ｒ１に隣接する加熱領域Ｒ２の加熱に用いられる電極１３４の組は、図８に示すように、通電したときに当該加熱領域Ｒ２内またはその近傍を電流が流れる電極１３４の組である。具体的には、加熱領域Ｒ２に対し、以下の電極１３４の組が設定されている。
（第１の電極１３４_１、第４の電極１３４_４）
（第１の電極１３４_１、第６の電極１３４_６）
（第２の電極１３４_２、第５の電極１３４_５）
（第２の電極１３４_２、第７の電極１３４_７）
（第３の電極１３４_３、第６の電極１３４_６）
（第３の電極１３４_３、第８の電極１３４_８）
（第４の電極１３４_４、第７の電極１３４_７）
（第４の電極１３４_４、第１の電極１３４_１）
（第５の電極１３４_５、第８の電極１３４_８）
（第５の電極１３４_５、第２の電極１３４_２）
（第６の電極１３４_６、第１の電極１３４_１）
（第６の電極１３４_６、第３の電極１３４_３）
（第７の電極１３４_７、第２の電極１３４_２）
（第７の電極１３４_７、第４の電極１３４_４）
（第８の電極１３４_８、第３の電極１３４_３）
（第８の電極１３４_８、第５の電極１３４_５）

加熱領域Ｒ２の外側に隣接する加熱領域Ｒ３の加熱に用いられる電極１３４の組は、図９に示すように、通電したときに当該加熱領域Ｒ３内またはその近傍を電流が流れる電極１３４の組である。具体的には、加熱領域Ｒ３に対し、以下の電極１３４の組が設定されている。
（第１の電極１３４_１、第３の電極１３４_３）
（第１の電極１３４_１、第７の電極１３４_７）
（第２の電極１３４_２、第４の電極１３４_４）
（第２の電極１３４_２、第８の電極１３４_８）
（第３の電極１３４_３、第５の電極１３４_５）
（第３の電極１３４_３、第１の電極１３４_１）
（第４の電極１３４_４、第６の電極１３４_６）
（第４の電極１３４_４、第２の電極１３４_２）
（第５の電極１３４_５、第７の電極１３４_７）
（第５の電極１３４_５、第３の電極１３４_３）
（第６の電極１３４_６、第８の電極１３４_８）
（第６の電極１３４_６、第４の電極１３４_４）
（第７の電極１３４_７、第１の電極１３４_１）
（第７の電極１３４_７、第５の電極１３４_５）
（第８の電極１３４_８、第２の電極１３４_２）
（第８の電極１３４_８、第６の電極１３４_６）

加熱領域Ｒ３の外側に隣接する最外周の加熱領域Ｒ４の加熱に用いられる電極１３４の組は、図１０に示すように、通電したときに当該加熱領域Ｒ４内またはその近傍を電流が流れる電極１３４の組である。具体的には、加熱領域Ｒ４に対し、以下の電極１３４の組が設定されている。
（第１の電極１３４_１、第２の電極１３４_２）
（第１の電極１３４_１、第８の電極１３４_８）
（第２の電極１３４_２、第３の電極１３４_３）
（第２の電極１３４_２、第１の電極１３４_１）
（第３の電極１３４_３、第４の電極１３４_４）
（第３の電極１３４_３、第２の電極１３４_２）
（第４の電極１３４_４、第５の電極１３４_５）
（第４の電極１３４_４、第３の電極１３４_３）
（第５の電極１３４_５、第６の電極１３４_６）
（第５の電極１３４_５、第４の電極１３４_４）
（第６の電極１３４_６、第７の電極１３４_７）
（第６の電極１３４_６、第５の電極１３４_５）
（第７の電極１３４_７、第８の電極１３４_８）
（第７の電極１３４_７、第６の電極１３４_６）
（第８の電極１３４_８、第１の電極１３４_１）
（第８の電極１３４_８、第７の電極１３４_７）

続いて、図１１及び図１２を用いて、本実施形態にかかるヒータ１３０の温度制御処理をさらに具体的に説明する。図１１は、温度制御処理の各加熱工程において、切替部１３ｃの各トランジスタＴｒａ、ＴｒｂのうちＯＮ状態とされるものを示す図である。図１２は、温度制御処理の各加熱工程の各ステップにおける通電時間を説明する図である。図１１及び図１２では、「Ｔｒｍ（ｍ＝１〜８）」は、第ｍ電極１３４_ｍ（ｍ＝１〜８）に対応するトランジスタ対を意味する。また、図において、「ａＯＮ」は該当するトランジスタ対の高電位側のトランジスタＴｒａがＯＮ状態にされることを意味し、「ｂＯＮ」は該当するトランジスタ対の低電位側のトランジスタＴｒｂがＯＮ状態にされることを意味する。なお、図１１において、背景が最も濃い灰色で示されるトランジスタ対Ｔｒｍは、各加熱領域Ｒの加熱時に高電位側のトランジスタがＯＮ状態にされるトランジスタ対Ｔｒｍを意味する。また、背景が次に濃い灰色で示されるトランジスタ対Ｔｒｍは、加熱領域Ｒ１の加熱時に低電位側のトランジスタがＯＮ状態にされるトランジスタ対を、背景がその次に濃い灰色で示されるトランジスタ対Ｔｒｍは、加熱領域Ｒ２の加熱時に低電位側のトランジスタがＯＮ状態にされるトランジスタ対を、背景が最も薄い灰色で示されるトランジスタ対Ｔｒｍは、加熱領域Ｒ３の加熱時に低電位側のトランジスタがＯＮ状態にされるトランジスタ対を、背景が白色で示されるトランジスタ対Ｔｒｍは、加熱領域Ｒ４の加熱時に低電位側のトランジスタがＯＮ状態にされるトランジスタ対を示す。

本実施形態にかかるヒータ１３０の温度制御処理では、例えば、加熱領域Ｒ１（Zone１）を加熱する工程、加熱領域Ｒ２（Zone２）を加熱する工程、加熱領域Ｒ３（Zone３）を加熱する工程、加熱領域Ｒ４（Zone４）を加熱する工程が順に繰り返される。また、各加熱領域Ｒを加熱する工程では、電極１３４間への通電パターンが回転するように、直流電源１３ｂからの直流電力の供給先の電極１３４の組が切り替えられる。以下、具体的に説明する。

（加熱領域Ｒ１の加熱工程）
加熱領域Ｒ１の加熱工程では、以下のステップ１〜８が順に繰り返される。
ステップ１では、図１１に示すように、通電される電極１３４の組として（第１の電極１３４_１、第５の電極１３４_５）が用いられるように、当該電極１３４の組に対応する、切替部１３ｃの所定のトランジスタがＯＮ状態とされる。具体的には、第１の電極１３４_１に対するトランジスタ対Ｔｒ１の高電位側と、第５の電極１３４_５に対するトランジスタ対Ｔｒ５の低電位側のみがＯＮ状態とされる。
ステップ２〜ステップ８では、通電される電極１３４の組として以下のものが用いられるように、ステップ１と同様に、該当する電極１３４に対応する高電位側のトランジスタＴｒａと低電位側のトランジスタＴｒｂのみがＯＮ状態とされる。

ステップ２：（第２の電極１３４_２、第６の電極１３４_６）
ステップ３：（第３の電極１３４_３、第７の電極１３４_７）
ステップ４：（第４の電極１３４_４、第８の電極１３４_８）
ステップ５：（第５の電極１３４_５、第１の電極１３４_１）
ステップ６：（第６の電極１３４_６、第２の電極１３４_２）
ステップ７：（第７の電極１３４_７、第３の電極１３４_３）
ステップ８：（第８の電極１３４_８、第４の電極１３４_４）

（加熱領域Ｒ２の加熱工程）
加熱領域Ｒ２の加熱工程では、以下のステップ１〜８が順に繰り返される。
ステップ１では、通電される電極１３４の組として（第１の電極１３４_１、第４の電極１３４_４）及び（第１の電極１３４_１、第６の電極１３４_６）が用いられるように、上記電極１３４の組に対応する、切替部１３ｃの所定のトランジスタがＯＮ状態とされる。具体的には、両電極１３４の組で共通の第１の電極１３４_１に対するトランジスタ対Ｔｒ１の高電位側と、第４の電極１３４_４に対するトランジスタ対Ｔｒ４及び第６の電極１３４_６に対するトランジスタ対Ｔｒ６の低電位側とのみが、ＯＮ状態とされる。
ステップ２〜ステップ８では、通電される電極１３４の組として以下のものが用いられるように、ステップ１と同様に、該当する電極１３４に対応する高電位側のトランジスタＴｒａと低電位側のトランジスタＴｒｂのみがＯＮ状態とされる。

ステップ２：（第２の電極１３４_２、第５の電極１３４_５）及び（第２の電極１３４_２、第７の電極１３４_７）
ステップ３：（第３の電極１３４_３、第６の電極１３４_６）及び（第３の電極１３４_３、第８の電極１３４_８）
ステップ４：（第４の電極１３４_４、第７の電極１３４_７）及び（第４の電極１３４_４、第１の電極１３４_１）
ステップ５：（第５の電極１３４_５、第８の電極１３４_８）及び（第５の電極１３４_５、第２の電極１３４_２）
ステップ６：（第６の電極１３４_６、第１の電極１３４_１）及び（第６の電極１３４_６、第３の電極１３４_３）
ステップ７：（第７の電極１３４_７、第２の電極１３４_２）及び（第７の電極１３４_７、第４の電極１３４_４）
ステップ８：（第８の電極１３４_８、第３の電極１３４_３）及び（第８の電極１３４_８、第５の電極１３４_５）

（加熱領域Ｒ３の加熱工程）
加熱領域Ｒ３の加熱工程では、以下のステップ１〜８が順に繰り返される。
ステップ１では、通電される電極１３４の組として（第１の電極１３４_１、第３の電極１３４_３）及び（第１の電極１３４_１、第７の電極１３４_７）が用いられるように、上記電極１３４の組に対応する、切替部１３ｃの所定のトランジスタがＯＮ状態とされる。具体的には、両電極１３４の組で共通の第１の電極１３４_１に対すトランジスタ対Ｔｒ１の高電位側と、第３の電極１３４_３に対するトランジスタ対Ｔｒ３及び第７の電極１３４_７に対するトランジスタ対Ｔｒ７の低電位側とのみが、ＯＮ状態とされる。
ステップ２〜ステップ８では、通電される電極１３４の組として以下のものが用いられるように、ステップ１と同様に、該当する電極１３４に対応する高電位側のトランジスタＴｒａと低電位側のトランジスタＴｒｂのみがＯＮ状態とされる。

ステップ２：（第２の電極１３４_２、第４の電極１３４_４）及び（第２の電極１３４_２、第８の電極１３４_８）
ステップ３：（第３の電極１３４_３、第５の電極１３４_５）及び（第３の電極１３４_３、第１の電極１３４_１）
ステップ４：（第４の電極１３４_４、第６の電極１３４_６）及び（第４の電極１３４_４、第２の電極１３４_２）
ステップ５：（第５の電極１３４_５、第７の電極１３４_７）及び（第５の電極１３４_５、第３の電極１３４_３）
ステップ６：（第６の電極１３４_６、第８の電極１３４_８）及び（第６の電極１３４_６、第４の電極１３４_４）
ステップ７：（第７の電極１３４_７、第１の電極１３４_１）及び（第７の電極１３４_７、第５の電極１３４_５）
ステップ８：（第８の電極１３４_８、第２の電極１３４_２）及び（第８の電極１３４_８、第６の電極１３４_６）

（加熱領域Ｒ４の加熱工程）
加熱領域Ｒ４の加熱工程では、以下のステップ１〜８が順に繰り返される。
ステップ１では、通電される電極１３４の組として（第１の電極１３４_１、第２の電極１３４_２）及び（第１の電極１３４_１、第８の電極１３４_８）が用いられるように、上記電極１３４の組に対応する、切替部１３ｃの所定のトランジスタがＯＮ状態とされる。具体的には、両電極１３４の組で共通の第１の電極１３４_１に対すトランジスタ対Ｔｒ１の高電位側と、第２の電極１３４_２に対するトランジスタ対Ｔｒ２及び第８の電極１３４_８に対するトランジスタ対Ｔｒ８の低電位側とのみが、ＯＮ状態とされる。
ステップ２〜ステップ８では、通電される電極１３４の組として以下のものが用いられるように、ステップ１と同様に、該当する電極１３４に対応する高電位側のトランジスタＴｒａと低電位側のトランジスタＴｒｂのみがＯＮ状態とされる。

ステップ２：（第２の電極１３４_２、第３の電極１３４_３）及び（第２の電極１３４_２、第１の電極１３４_１）
ステップ２：（第３の電極１３４_３、第４の電極１３４_４）及び（第３の電極１３４_３、第２の電極１３４_２）
ステップ２：（第４の電極１３４_４、第５の電極１３４_５）及び（第４の電極１３４_４、第３の電極１３４_３）
ステップ２：（第５の電極１３４_５、第６の電極１３４_６）及び（第５の電極１３４_５、第４の電極１３４_４）
ステップ２：（第６の電極１３４_６、第７の電極１３４_７）及び（第６の電極１３４_６、第５の電極１３４_５）
ステップ２：（第７の電極１３４_７、第８の電極１３４_８）及び（第７の電極１３４_７、第６の電極１３４_６）
ステップ２：（第８の電極１３４_８、第１の電極１３４_１）及び（第８の電極１３４_８、第７の電極１３４_７）

各加熱工程における各ステップの時間長さは、例えば１×１０^−３〜５×１０^−３秒である。

また、本実施形態にかかるヒータ１３０の温度制御処理では、図１２に示すように、加熱領域Ｒそれぞれの加熱工程の各ステップにおける電極１３４間への通電時間、すなわち高電位側及び低電位側の両方のトランジスタＴｒａ、ＴｒｂをＯＮ状態とする時間は、可変である。より具体的には、加熱領域Ｒそれぞれの加熱工程の各ステップにおけるデューティ比（高電位側のトランジスタＴｒａをＯＮ状態にしている時間の長さに対する低電位側のトランジスタＴｒｂをＯＮ状態にしている時間の長さ）は、可変である。
なお、以下では、本実施形態にかかるヒータ１３０の温度制御処理において、上述の加熱領域Ｒ１の加熱工程、加熱領域Ｒ２の加熱工程、加熱領域Ｒ３の加熱工程、加熱領域Ｒ４の加熱工程の４つの加熱工程を順に繰り返すものとする。また、上記４つの加熱工程それぞれにおいて、ステップ１〜ステップ８までの１サイクルを、同じ回数ずつ繰り返すものとする。

本実施形態にかかるヒータ１３０の温度制御処理において、上記ステップにおけるデューティ比（すなわち電極１３４間への通電時間）は、電極１３４の組毎に設定される。例えば、上記デューティ比は、加熱領域Ｒ毎、すなわち加熱工程毎に設定される。これにより、各加熱領域Ｒの加熱量を加熱領域毎に異ならせたり同じにしたりし、板状部材１３１の面内温度分布を調整することができる。

各加熱領域Ｒに対する上記デューティ比は、例えば、当該加熱領域Ｒの加熱工程で用いられる電極１３４の組における電極１３４間の距離に基づいて設定される。したがって、例えば、上記電極１３４間の距離が長い、加熱領域Ｒ１の加熱工程では、上記デューティ比は長く設定される。また、上記電極１３４間の距離が短い、加熱領域Ｒ４の加熱工程では、上記デューティ比は短く設定される。このようにデューティ比を設定にすることにより、直流電源１３ｂから供給される電力が一定の場合において、各加熱領域Ｒの加熱量を略等しくし、板状部材１３１を面内均一に加熱することができる。また、デューティ比は、当該加熱領域Ｒの加熱工程で用いられる電極１３４の組における電極１３４間の電気抵抗値に基づいて設定されてもよい。これによっても同様に板状部材１３１を面内均一に加熱することができる。

続いて、ヒータ１３０を大きな昇温幅で加熱する加熱処理（以下、「昇温処理」という。）を伴うヒータ１３０の均熱処理について説明する。なお、以下では、ステージ１０の天井層１１０における、各加熱領域Ｒに対応する部分それぞれに温度センサ（図示せず）が設けられ、各加熱領域Ｒの温度が一定期間毎に測定されているものとする。

ヒータ１３０の設定温度が大きく変更された場合や、ヒータ１３０の起動時には、ヒータ１３０を大きな昇温幅で加熱する昇温処理が行われる。
昇温処理では、例えば、ヒータ１３０の中央寄りを加熱する、加熱領域Ｒ１の加熱工程及び加熱領域Ｒ２の加熱工程のみが、繰り返し行われる。この際、各加熱工程における各ステップでのデューティ比は１００％とされる。なお、この昇温処理において、加熱領域Ｒ３及び加熱領域Ｒ４は加熱領域Ｒ１及び加熱領域Ｒ２からの伝熱により加熱される。

そして、ステージ１０の天井層１１０の加熱領域Ｒ１に対応する部分に設けられた温度センサで測定された温度が、目標温度等の所定の温度に達すると、昇温処理は終了する。

その後、加熱領域Ｒ１の加熱工程、加熱領域Ｒ２の加熱工程、加熱領域Ｒ３の加熱工程及び加熱領域Ｒ４の加熱工程の全てが順に繰り返し行われる。
加熱領域Ｒそれぞれの加熱工程における、各ステップでのデューティ比は、例えば、前述のように、当該加熱領域Ｒの加熱工程で用いられる電極１３４の組における電極１３４間の距離に基づいて設定される。
これに代えて、加熱領域Ｒそれぞれの加熱工程における、各ステップでのデューティ比は、加熱対象の加熱領域Ｒの温度に基づいて設定されてもよい。例えば、加熱領域Ｒ３の加熱工程におけるデューティ比は、ステージ１０の天井層１１０の加熱領域Ｒ３に対応する部分に設けられた温度センサで測定された温度が目標温度を超えていた場合、現在の値から所定値分低くなるように設定される。一方、上記測定された温度が目標温度未満であった場合、加熱領域Ｒ３の加熱工程におけるデューティ比は、現在の値から所定値分高くなるよう設定される。

次に、ステージ１０の作製方法について説明する。
ステージ１０の作製方法は、Ｓｉ単結晶基板の両面または片面にＳｉ酸化膜を形成し、ヒータ１３０を含む複数の層それぞれを作製する各層作製工程と、上記複数の層における積層方向に互いに隣接する層を、上記Ｓｉ酸化膜を介して接合する接合工程、とを含む。以下、上述の各層作製工程と接合工程とを具体的に説明する。

上述の各層作製工程は、（Ａ）天井層作製工程、（Ｂ）電磁シールド層作成工程、（Ｃ）ヒータ作製工程、（Ｄ）蓋層作成工程及び（Ｅ）溝層作製工程を含む。なお、各工程で用いられるＳｉ単結晶基板の直径は例えば３００ｍｍであり、各層の厚さは０．５ｍｍ〜１０ｍｍである。また、各工程で形成されるＳｉ酸化膜の厚さは例えば１μｍ〜１０μｍである。なお、以下の説明では、ヒータ作製工程等で用いられる各電極は金属膜であるものとする。

（Ａ）天井層作製工程
この工程では、Ｓｉインゴットを切り出して形成されるＳｉ単結晶基板の、天井層１１０の裏面に相当する面に、熱酸化処理によってＳｉ酸化膜１１１が形成され、天井層１１０が作製される。

（Ｂ）電磁シールド層作成工程
この工程では、高濃度に不純物が添加されたＳｉインゴットを切り出して形成されるＳｉ単結晶基板の表面と裏面に、熱酸化処理によってＳｉ酸化膜１２１、１２２が形成される。それと共に、上記Ｓｉ単結晶基板の側面に、メタライズ処理によって電極１２３が形成される。これにより、電磁シールド層１２０が作製される。

（Ｃ）ヒータ作製工程
この工程では、高濃度に不純物が添加されたＳｉインゴットを切り出して形成されるＳｉ単結晶基板である板状部材１３１の表面と裏面に、熱酸化処理によってＳｉ酸化膜１３２、１３３が形成されると共に、それぞれの側面に、メタライズ処理によって電極１３４が形成される。これにより、ヒータ１３０が作製される。

（Ｄ）蓋層作製工程
この工程では、高濃度に不純物が添加されたＳｉインゴットを切り出して形成されるＳｉ単結晶基板の表面と裏面に、熱酸化処理によってＳｉ酸化膜１４１、１４２が形成される。それと共に、上記Ｓｉ単結晶基板の側面に、メタライズ処理によって電極１４３が形成される。これにより、蓋層１４０が作製される。
（Ｅ）溝層作製工程
この工程では、Ｓｉインゴットを切り出して形成されるＳｉ単結晶基板の、蓋層１４０側の面に相当する面に、エッチング処理あるいは機械加工によって溝１５１が形成される。また、Ｓｉ単結晶基板の、蓋層１４０側の面に相当する面に、熱酸化処理によってＳｉ酸化膜１５２が形成される。これにより、溝層１５０が作製される。

接合工程では、Ｓｉ酸化膜１１１及びＳｉ酸化膜１２１を介した天井層１１０と電磁シールド層１２０との接合、Ｓｉ酸化膜１２２及びＳｉ酸化膜１３２を介した電磁シールド層１２０とヒータ１３０との接合、Ｓｉ酸化膜１３３及びＳｉ酸化膜１４１を介したヒータ１３０と蓋層１４０との接合、Ｓｉ酸化膜１４２及びＳｉ酸化膜１５２を介した蓋層１４０と溝層１５０との接合が行われる。
層間のＳｉ酸化膜を介した接合には、例えばプラズマ活性化低温接合や、イオンビーム等を用いて接合面を活性化させる常温接合が用いられる。

その後、各電極に対し配線が行われる。

以上のように、本実施形態では、ヒータ１３０が１つの板状部材１３１の側面に電極１３４を形成したものであり配線が容易である。また、板状部材１３１には不純物濃度が面内で均一なＳｉ単結晶基板等の半導体基板を用いることができる。そのため、ヒータ１３０は、容易に且つ低コストで作製可能である。さらに、本実施形態では、ヒータ１３０の板状部材１３１を加熱する工程において、通電する電極１３４の組を順次切り替えながら、電極１３４の組毎に設定された通電時間に亘って、電極１３４間に通電している。そのため、上記通電時間を調整することで、板状部材１３１における、電極１３４の組に対応する領域の加熱量を調整し、板状部材１３１の面内温度分布を変更することができる。したがって、ヒータ１３０において所望の面内温度分布を容易に得ることができる。

また、ヒータ１３０は、１つの板状部材の側面に電極１３４を形成した構成であり、配線層を別に設ける必要がない。したがって、ステージ１０のように、ヒータ１３０を用いた積層構造を有する装置を容易に作製することができる。

なお、以上の例では、板状部材１３１の側面に沿って周方向に間隔をおいて形成された電極１３４の数は８であったが、これに限られず、３以上であれば良く、数が多いほど、より局所的な温度制御をすることができる。

図１３は、電極１３４の他の例を示す図である。図１４は、本例の電極１３４を用いる場合のヒータ１３０の温度制御処理を説明する図である。
図１３の電極１３４はそれぞれ、周方向に分割され、大分割電極２０１と該大分割電極２０１より周方向の幅が小さい小分割電極２０２とを有する。より具体的には、電極１３４は、それぞれ周方向に３分割され、２つの大分割電極２０１と、これら大分割電極２０１の間に設けられた小分割電極２０２とを有する。

そして、各加熱工程において電極１３４間に通電する際、図１４に示すように、電極１３４の組を構成する一方の電極１３４の小分割電極２０２と、他方の電極１３４の小分割電極２０２及び大分割電極２０１との間のみに通電する。一方の電極１３４の大分割電極２０１と他方の電極１３４の大分割電極２０１との間には通電しない。

より具体的には、加熱領域Ｒ１を加熱する工程では、例えば、図１４（Ａ）に示すように、第１の電極１３４_１と第５の電極１３４_５との間に通電する際、第１の電極１３４_１の小分割電極２０２と、第５の電極１３４_５の大分割電極２０１及び小分割電極２０２との間のみに通電する。第１の電極１３４_１の大分割電極２０１と第５の電極１３４_５の大分割電極２０１との間には通電しない。
加熱領域Ｒ２を加熱する工程では、例えば、図１４（Ｂ）に示すように、第１の電極１３４_１と第４の電極１３４_４との間に通電する際、第１の電極１３４_１の小分割電極２０２と、第４の電極１３４_４の大分割電極２０１及び小分割電極２０２との間のみに通電する。第１の電極１３４_１の大分割電極２０１と第４の電極１３４_４の大分割電極２０１との間には通電しない。
加熱領域Ｒ３を加熱する工程では、例えば、図１４（Ｃ）に示すように、第１の電極１３４_１と第３の電極１３４_３との間に通電する際、第１の電極１３４_１の小分割電極２０２と、第３の電極１３４_３の大分割電極２０１及び小分割電極２０２との間のみに通電する。第１の電極１３４_１の大分割電極２０１と第３の電極１３４_３の大分割電極２０１との間には通電しない。
加熱領域Ｒ４を加熱する工程では、例えば、図１４（Ｄ）に示すように、第１の電極１３４_１と第２の電極１３４_２との間に通電する際、第１の電極１３４_１の小分割電極２０２と、第２の電極１３４_２の大分割電極２０１及び小分割電極２０２との間のみに通電する。第１の電極１３４_１の大分割電極２０１と第２の電極１３４_２の大分割電極２０１との間には通電しない。

図５の例の電極１３４では、図７の仮想線で示すように、電極１３４間に通電した際、板状部材１３１において、当該電極１３４間の両側端の部分に電流が集中し、当該電極１３４間の中央部分に電流はほとんど流れない。
それに対し、図１３の例の電極１３４では、電極１３４間に通電した際、板状部材１３１において、当該電極１３４間の中央部分にも電流が流れる。したがって、当該電極１３４間の中央部分も加熱することができる。
本例の電極１３４は、特に、板状部材１３１の中央の加熱領域Ｒ１を加熱する際に有用である。

なお、同様な効果は、本例と異なり電極１３４の数を単純に増加させても得ることができる。ただし、本例の電極１３４によれば、電極１３４の数を単純に増加させる場合に比べて、切替部１３ｃのトランジスタＴｒａ、Ｔｒｂの数、すなわちスイッチング素子の数を少なくすることができるため、低コストである。また、本例の電極１３４は小分割電極２０２を有するため、電極１３４の数を単純に増加させる場合に比べて、例えば、板状部材１３１のより中央部分を加熱することができる。

小分割電極２０２の周方向の幅は、例えば板状部材１３１の直径の１／１０以下であるとよい。

なお、電極１３４に通電する際、小分割電極２０２間の通電時間と、小分割電極２０２と一方の大分割電極２０１との間の通電時間と、小分割電極２０２と他方の大分割電極２０１との間の通電時間とは、異なってもよく、例えば、分割電極間の距離に応じて設定される。

図１５は、ヒータ１３０の板状部材１３１の温度を測定する方法の他の例を説明する図である。
以上の例では、板状部材１３１の温度を、ステージ１０の天井層１１０に設けられた温度センサ（図示せず）により測定するものとしていた。より具体的には、各加熱領域Ｒの温度を、ステージ１０の天井層１１０における、当該加熱領域Ｒに対応する部分に設けられた温度センサにより測定するものとしていた。
板状部材１３１の温度の測定方法、具体的には、各加熱領域Ｒの温度の測定方法は、これに限られない。

図１５に示すように、板状部材１３１を構成するＳｉは、電気抵抗率に温度依存性があり、具体的には、温度が上昇すると電気抵抗率が低下する傾向にある。
したがって、板状部材１３１の温度を、電極１３４と他の電極１３４との間に通電したときの電気抵抗率に基づいて推定し、推定結果を測定結果としてもよい。具体的には、例えば、加熱領域Ｒそれぞれの温度を、当該加熱領域Ｒの加熱に用いる電極１３４の組毎に、電極１３４間に直流電源１３ｂから所定の電圧を印加し、そのときに流れる電流を測定する。次いで、上記所定の電圧と電流測定結果から電気抵抗値を算出し、算出結果から所定の換算式に基づいて、温度を算出／推定する。そして、加熱領域Ｒそれぞれについて、上記電極１３４の組毎の、温度推定結果の平均値を算出し、算出結果を当該加熱領域Ｒの温度測定結果とする。

より具体的には、加熱領域Ｒ１の温度を測定する場合は、例えば、当該加熱領域Ｒ１の加熱に用いる電極１３４の組（（第１の電極１３４_１、第５の電極１３４_５）や（第２の電極１３４_２、第６の電極１３４_６）等）それぞれに対し個別に、直流電源１３ｂから所定の電圧を印加する。そして、そのときに流れる電流を測定する。上記所定の電圧の電圧値と電流測定結果から電気抵抗値を算出し、算出結果から上記所定の換算式に基づいて、上記電極１３４の組それぞれを構成する電極１３４間の温度を算出／推定する。そして、温度推定結果の平均値を算出し、算出結果を当該加熱領域Ｒ１の温度測定結果とする。この加熱領域Ｒ１の温度測定結果は、加熱領域Ｒ１の加熱工程におけるデューティ比の設定に用いられる。
同様に、加熱領域Ｒ１〜Ｒ４を温度測定することができ、その測定結果を、加熱領域Ｒ２〜Ｒ４の加熱工程それぞれにおけるデューティ比の設定に用いることができる。

なお、電気抵抗値から温度を算出する上記所定の換算式は、事前に作成され取得される。例えば、ステージ１０として組み立てられる前に板状部材１３１に対し熱電対等の温度センサを設け、そのときの測温結果と電極１３４間の電気抵抗値から、上記所定の換算式を作成することができる。

測温工程は、加熱領域それぞれの加熱工程と同時または合間に行われ、例えば、加熱領域Ｒの加熱工程が所定回数（例えば、５回や１０回）行われる毎に、加熱領域Ｒの測温工程は行われる。なお、測温工程を加熱工程の合間に行う場合、当該測温工程におけるデューティ比は一定である。また、測温工程を加熱工程と同時に行う場合、加熱工程におけるデューティ比はすなわち測温工程におけるデューティ比であり、加熱工程におけるデューティ比が変化するということは、測温工程におけるデューティ比も当該工程の実行タイミングによって異なる。そして、測温工程におけるデューティ比に応じて好適な上記所定の換算式が異なる場合がある。この場合は、デューティ比毎に上記所定の換算式を用意するようにしてもよい。
なお、通電した時の電極１３４間の電圧は、該電極１３４間の電気抵抗値の算出に必要となるところ、例えば、直流電源１３ｂからの出力が一定であれば、その出力電圧を、記憶部（図示せず）に予め記憶させておき、上記電気抵抗値の算出時に用いるようにしてもよい。また、上記電圧は、測定により取得してもよい。

図１６は、ヒータの他の例の構成を概略的に示す上面図である。
図５のヒータ１３０は、平面視円形の板状部材１３１を有していたが、板状部材１３１の形状はこれに限られない。図１６の例のヒータ２１０が有する板状部材２１１のように、平面視矩形（本例では正方形）であってもよい。

以上では、加熱工程の各ステップにおけるデューティ比は、加熱工程毎に設定されており、例えば、加熱領域Ｒ２の加熱工程では上記デューティ比はステップ間で共通であった。しかし、これに代えて、上記デューティ比は、ステップ毎に設定されてもよく、例えば、加熱領域Ｒ２の加熱工程内で上記デューティ比をステップ間で異ならせても良い。これにより、各加熱領域Ｒにおける特定の部分のみ、加熱量を小さくしたり大きくしたりすることができる。
例えば、加熱領域Ｒ２の加熱工程において、通電する電極１３４の組に第２電極１３４_２が含まれるステップのみ、同加熱工程における他のステップより上記デューティ比が長く設定されたものとする。この場合、加熱領域Ｒ２における、第２電極１３４_２に近い特定の部分Ａ（図８参照）のみ、加熱量を多くすることができる。
このような上記デューティ比の設定は、ヒータ１３０の周囲の面内温度分布に特異点がある場合に有効である。ヒータ１３０の周囲の面内温度分布における特異点とは、例えば以下の通りである。すなわち、ステージ１０は、蓋層１４０と溝層１５０により構成される冷却層を有するが、この冷却層への冷却媒体の導入口近傍の部分において、他の部分に比べて低温になる場合がある。この場合において、ステージ１０における冷却媒体の導入口近傍の部分は、ヒータ１３０の周囲の面内温度分布における特異点となりうる。

なお、以上では、上記デューティ比の設定で、各加熱領域Ｒの加熱量を調整し、ヒータ１３０の面内温度分布を調整していた。これに代えて、上記デューティ比を一定とし、１サイクル内での加熱領域Ｒ１、加熱領域Ｒ２、加熱領域Ｒ３及び加熱領域Ｒ４それぞれの加熱工程の実行回数を互いに異ならせることにより、各加熱領域Ｒの加熱量を調整し、ヒータ１３０の面内温度分布を調整するようにしてもよい。

また、以上の説明では、ヒータ１３０は、Ｓｉ単結晶基板により構成されていたが、Ｓｉ多結晶基板により構成されてもよい。ステージ１０を構成するヒータ１３０以外の層についても同様である。
ヒータ１３０は、アルミナ、シリコンカーバイドの単結晶基板または多結晶基板など、酸化物が形成されるものにより構成されてもよい。ただし、Ｓｉ単結晶基板やＳｉ多結晶基板は、半導体産業の応用分野の大きさから安価で入手できるため、これらの基板を用いることにより、低コストでヒータ１３０を作製することができる。なお、ステージ１０を構成するヒータ１３０以外の層についても同様である。

また、以上では、直流電源１３ｂを用いており、ヒータ１３０の加熱のための電力として直流電力を用いていたが、交流電力を用いてもよい。
以上では、電源に対する高電位側や低電位側へ接続する電極１３４を切り替えるためのスイッチング素子として、トランジスタを用いていたが、他のスイッチング素子を用いてもよい。
また、以上では、同時に高電位側へ接続される電極１３４の数を１つに制限していたが、同時に低電位側へ接続される電極１３４の数を１つに制限するようにしてもよい。なお、同時に高電位側へ接続される電極１３４と、同時に低電位側へ接続される電極１３４の数との両方を複数としてもよい。

以上の説明では、ステージ１０は検査装置１に搭載されていたが、ステージ１０は他の被処理体処理装置に用いることができる。なお、被処理体装置とは、ウェハ等の被処理体に対し検査処理や成膜処理等の所定の処理を行う装置である。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）ヒータの温度調整方法であって、
前記ヒータは、半導体基板から成る１枚の板状部材と、前記１枚の板状部材の側面に、周方向に間隔をおいて３以上形成された電極と、を有し、
当該温度調整方法は、
前記電極と他の前記電極との間に通電すると共に、通電する前記電極の組を順次切り替えて、前記板状部材を加熱する加熱工程を有し、
前記加熱工程における電極間の通電時間は前記電極の組毎に設定されている、ヒータの温度調整方法。
前記（１）では、ヒータが１つの板状部材の側面に電極を形成したものであり配線が容易である。また、板状部材には不純物濃度が面内で均一なＳｉ基板等の半導体基板を用いることができる。そのため、ヒータを容易に且つ低コストで作製可能である。さらに、前記（１）では、ヒータの板状部材を加熱する工程において、通電する電極の組を順次切り替えながら、電極組毎に設定された通電時間に亘って、電極間に通電している。そのため、上記通電時間を調整することで、板状部材における、電極の組に対応する領域の加熱量を調整し、板状部材の面内温度分布を変更することができる。したがって、ヒータにおいて所望の面内温度分布を容易に得ることができる。

（２）前記電極間の通電時間は、当該電極間の距離または電気抵抗値に基づいて設定されている、前記（１）に記載のヒータの温度調整方法。
前記（２）によれば、電極間の通電時間が、当該電極間の距離または電気抵抗値に基づいて設定されているため、ヒータの温度を面内で均一にすることができる。

（３）前記板状部材を径方向に分割した領域毎に、当該領域に対応する位置関係を有する電極の組が、当該領域の加熱に用いられる前記電極の組として設定されている、前記（１）または（２）に記載のヒータの温度調整方法。

（４）前記電極はそれぞれ、周方向に分割され、大分割電極と該大分割電極より周方向の幅が小さい小分割電極とを有し、
前記加熱工程において通電する際、一方の前記電極の前記小分割電極と、他方の前記電極の前記小分割電極及び前記大分割電極との間に通電し、前記一方の前記電極の前記大分割電極と前記他方の前記電極の前記大分割電極との間には通電しない、前記（１）〜（３）のいずれか１に記載のヒータの温度調整方法。

（５）前記電極と他の電極との間に通電したときの電気抵抗値に基づいて、前記板状部材の温度を測定する測定工程を有する、前記（１）〜（４）のいずれか１に記載のヒータの温度調整方法。

（６）前記測定工程での測定結果に基づいて、前記電極間の通電時間を調整する調整工程を有する、前記（５）に記載のヒータの温度調整方法。
前記（６）によれば、測温結果に応じて、板状部材の面内温度分布を調整することができる。

（７）半導体材料から形成された１枚の板状部材と、
前記１枚の板状部材の側面に、周方向に間隔をおいて３以上形成された電極と、を有する、ヒータ。

（８）前記（７）に記載のヒータを有する、被処理体が載置される載置台。

１０ステージ
１３０，２１０ヒータ
１３１，２１１板状部材
１３４電極

Claims

ヒータの温度調整方法であって、
前記ヒータは、半導体基板から成る１枚の板状部材と、前記１枚の板状部材の側面に、周方向に間隔をおいて３以上形成された電極と、を有し、
当該温度調整方法は、
前記電極と他の前記電極との間に通電すると共に、通電する前記電極の組を順次切り替えて、前記板状部材を加熱する加熱工程を有し、
前記加熱工程における電極間の通電時間は前記電極の組毎に設定されている、ヒータの温度調整方法。
前記電極間の通電時間は、当該電極間の距離または電気抵抗値に基づいて設定されている、請求項１に記載のヒータの温度調整方法。
前記板状部材を径方向に分割した領域毎に、当該領域に対応する位置関係を有する電極の組が、当該領域の加熱に用いられる前記電極の組として設定されている、請求項１または２に記載のヒータの温度調整方法。
前記電極はそれぞれ、周方向に分割され、大分割電極と該大分割電極より周方向の幅が小さい小分割電極とを有し、
前記加熱工程において通電する際、一方の前記電極の前記小分割電極と、他方の前記電極の前記小分割電極及び前記大分割電極との間に通電し、前記一方の前記電極の前記大分割電極と前記他方の前記電極の前記大分割電極との間には通電しない、請求項１〜３のいずれか１項に記載のヒータの温度調整方法。
前記電極と他の電極との間に通電したときの電気抵抗値に基づいて、前記板状部材の温度を測定する測定工程を有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載のヒータの温度調整方法。
前記測定工程での測定結果に基づいて、前記電極間の通電時間を調整する調整工程を有する、請求項５に記載のヒータの温度調整方法。
半導体材料から形成された１枚の板状部材と、
前記１枚の板状部材の側面に、周方向に間隔をおいて３以上形成された電極と、を有する、ヒータ。
請求項７に記載のヒータを有する、被処理体が載置される載置台。