JP2020118946A - 色変換素子 - Google Patents
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Abstract
Description
。従って、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態等は、一例であり、本発明を限定する趣旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
次に、投影装置の動作について説明する。
以上のように、本実施の形態に係る色変換素子1は、基板2と、基板2上に配置された蛍光部3であって、外部からのレーザー光Lを受光して、当該レーザー光Lとは異なる色の光を放出する蛍光部3と、蛍光部3における基板2とは反対側の第一主面(表面31)に対して積層された第一平坦化層6と、蛍光部3における基板2側の第二主面(背面32)に対して積層された第二平坦化層7と、第二平坦化層7における基板側の主面(背面)に積層され、誘電体多層膜からなる反射層4と、反射層4と基板2との間に介在して、反射層4と基板2とを接合する接合部5と、を備えている。
した。しかし、蛍光部は全体として一体成型された一体物であってもよい。
次に、変形例1について説明する。図4は、変形例1に係る色変換素子1Aの概略構成を示す断面図であり、具体的には図2に対応した図である。なお、以降の説明においては、実施の形態に係る色変換素子1と同等の部分には同じ符号を付してその説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。
次に、変形例2について説明する。図5は、変形例2に係る色変換素子1Bの概略構成を示す断面図であり、具体的には図2に対応した図である。なお、以降の説明においては、実施の形態に係る色変換素子1と同等の部分には同じ符号を付してその説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。
次に、変形例3について説明する。図6は、変形例3に係る色変換素子1Cの概略構成を示す断面図であり、具体的には図2に対応した図である。なお、以降の説明においては、実施の形態に係る色変換素子1と同等の部分には同じ符号を付してその説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。
次に、変形例4について説明する。図7は、変形例4に係る色変換素子1Dの概略構成を示す断面図であり、具体的には図4に対応した図である。なお、以降の説明においては、変形例2に係る色変換素子1Aと同等の部分には同じ符号を付してその説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。
次に、変形例5について説明する。図8は、変形例5に係る色変換素子1Eの概略構成を示す断面図であり、具体的には図5に対応した図である。なお、以降の説明においては、変形例3に係る色変換素子1Bと同等の部分には同じ符号を付してその説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。
次に、変形例6について説明する。図9は、変形例6に係る色変換素子1Fの概略構成を示す断面図であり、具体的には図5に対応した図である。なお、以降の説明においては、変形例2と同等の部分には同じ符号を付してその説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。
次に、変形例7について説明する。図10は、変形例7に係る色変換素子1Gの概略構成を示す断面図であり、具体的には図9に対応した図である。なお、以降の説明においては、変形例6と同等の部分には同じ符号を付してその説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。
次に、変形例8について説明する。図11は、変形例8に係る色変換素子1Hの概略構成を示す断面図であり、具体的には図5に対応した図である。なお、以降の説明においては、変形例2と同等の部分には同じ符号を付してその説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。
上記実施の形態では、色変換素子1が投影装置に適用される場合を例示して説明したが、色変換素子は照明装置に用いることも可能である。その場合、色変換素子は回転しないために、ホイール状でなくともよい。以下、照明装置に用いられる色変換素子の一例について説明する。
以上、本発明に係る照明装置について、上記実施の形態及び各変形例に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態及び各変形例に限定されるものではない。
2、2i 基板
3、3i 蛍光部
4、4i 反射層
5、5c、5d、5e、5i 接合部
6、6a、6b、6f、6g、6h 第一平坦化層
7 第二平坦化層
8 反射抑制層
31 表面(第一主面)
32 背面(第二主面)
53、53i 空気層
63a 凹凸構造
64b 中空粒体(粒体)
65b 基体
610f 第一層
620f、620g 第二層
630g 第三層
640g 第四層
L、L1 レーザー光
R、R1 照射領域
Claims (16)
- 基板と、
前記基板上に配置された蛍光部であって、外部からのレーザー光を受光して、当該レーザー光とは異なる色の光を出射する蛍光部と、
前記蛍光部における前記基板とは反対側の第一主面に対して積層された第一平坦化層と、
前記蛍光部における前記基板側の第二主面に対して積層された第二平坦化層と、
前記第二平坦化層における基板側の主面に積層され、誘電体多層膜からなる反射層と、
前記反射層と前記基板との間に介在して、前記反射層と前記基板とを接合する接合部と、
を備える
色変換素子。 - 前記接合部は、前記蛍光部における前記レーザー光が照射される照射領域の少なくとも一部に平面視で重なる位置に、前記反射層を露出させる空気層を有する
請求項1に記載の色変換素子。 - 前記接合部は、酸化物及び窒化物の少なくとも一方を含有するシリコン樹脂から形成されており、前記蛍光部における前記レーザー光が照射される照射領域の少なくとも一部に平面視で重なる位置に配置されている
請求項1に記載の色変換素子。 - 前記第一平坦化層における前記蛍光部とは反対側の主面には、反射抑制層が積層されている
請求項1〜3のいずれか一項に記載の色変換素子。 - 前記第一平坦化層における前記蛍光部とは反対側の主面は、微細な凹凸構造を有する
請求項1〜3のいずれか一項に記載の色変換素子。 - 前記第一平坦化層は、透光性を有する基体と、前記基体内に分散された複数の粒体とを備え、
前記粒体の屈折率は、前記基体の屈折率よりも小さい
請求項1〜3のいずれか一項に記載の色変換素子。 - 前記粒体は、中空粒体である
請求項6に記載の色変換素子。 - 前記第一平坦化層は、前記蛍光部の前記第一主面に積層された第一層と、前記第一層における前記蛍光部とは反対側の面に積層された第二層とを備え、
前記第一層には、前記粒体が含まれておらず、
前記第二層には、複数の前記粒体が分散されている
請求項6または7に記載の色変換素子。 - 前記粒体の直径は、前記レーザー光の波長よりも小さい
請求項6〜8のいずれか一項に記載の色変換素子。 - 前記複数の粒体の濃度は、前記第一平坦化層内において前記蛍光部から離れるにつれて漸増している
請求項6〜9のいずれか一項に記載の色変換素子。 - 前記第一平坦化層は、複数の層から形成されており、
各層における前記複数の粒体の濃度は、前記第一平坦化層を全体的に見て前記蛍光部から離れるにつれて漸増するように、決定されている
請求項10に記載の色変換素子。 - 前記第一平坦化層及び前記第二平坦化層の少なくとも一方は、可視光透過率が90%以上である
請求項1〜11のいずれか一項に記載の色変換素子。 - 前記第二平坦化層は、屈折率が前記蛍光部の屈折率よりも小さい
請求項1〜12のいずれか一項に記載の色変換素子。 - 前記第一平坦化層及び前記第二平坦化層の少なくとも一方は、厚みが1.0μm以上である
請求項1〜13のいずれか一項に記載の色変換素子。 - 前記第一平坦化層及び前記第二平坦化層の少なくとも一方は、SiO2により形成されている
請求項1〜14のいずれか一項に記載の色変換素子。 - 前記第二平坦化層における前記反射層側の主面は、表面粗さRaが20nm以下である
請求項1〜15のいずれか一項に記載の色変換素子。
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