JP2020113390A - 有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】異物と異物の除去とに起因するダークスポットや発光ムラの発生を抑制する有機ＥＬ素子の製造方法及び有機ＥＬ装置を提供する。【解決手段】有機ＥＬ素子１の製造方法は、透明電極３が形成されたフィルム基材２を準備し、透明電極３上に粘着体４１を貼り付け、貼り付けた粘着体４１を透明電極３から剥がすことによって透明電極３に付着した異物９を除去する、ことを含んでいる。そして有機ＥＬ素子１の製造方法は、異物９を除去した後、電磁波８を照射することによって透明電極３上に残った粘着体４１を除去する、ことを含んでいる。【選択図】図１

Description

本発明は、有機ＥＬ素子の製造方法及び有機ＥＬ装置に関する。

従来の技術として、ＩＴＯ（スズドープ酸化インジウム：Indium Tin Oxide）層を３０℃以上６０℃以下の温度を有する温水で洗浄する工程を含む電気光学装置の製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。

この電気光学装置として有機ＥＬ装置を製造する場合、異物がＩＴＯ層上に付着した状態で有機発光層を形成すると、表示されない領域（ダークスポット）が発生する可能性がある。そこでこの電気光学装置の製造方法では、ＩＴＯ層上を温水で洗浄することにより、ＩＴＯ層を形成する際に副次的に生じる異物を選択的に除去することができる。

特開２００９−２９５４６１号公報

しかし従来の電気光学装置の製造方法によって製造された有機ＥＬ装置は、温水による洗浄後、水分がＩＴＯ層上や雰囲気中に残った場合、残った水分が原因となってダークスポットが発生する可能性がある。

従って本発明の目的は、異物と異物の除去とに起因するダークスポットや発光ムラの発生を抑制する有機ＥＬ素子の製造方法及び有機ＥＬ装置を提供することにある。

本発明の一態様は、透明電極が形成された基材を準備し、透明電極上に粘着体を貼り付け、貼り付けた粘着体を透明電極から剥がすことによって透明電極に付着した異物を除去する、有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。

本発明によれば、異物と異物の除去とに起因するダークスポットや発光ムラの発生を抑制することができる。

図１（ａ）〜図１（ｅ）は、実施の形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法の一例を示す概略図である。 図２（ａ）は、実施例１において使用した粘着シートの基本構成の一例を示す概略図であり、図２（ｂ）は、実施例２において使用した粘着ローラーの基本構成の一例を示す概略図である。 図３は、実施例１において評価した粘着シートの仕様を示す表である。 図４（ａ）〜図４（ｃ）は、実施例１において疑似異物としてシリカゲルを散布した状態を撮像した写真である。 図５（ａ）〜図５（ｅ）は、実施例１において粘着シートを剥離した後の状態を撮像した透明電極部分の写真である。 図６（ａ）は、実施例１における接触角θの測定について説明するための概略図であり、図６（ｂ）は、アクリル系とシリコーン系の粘着体のＵＶＯ洗浄時間（ｍｉｎ）と接触角θ（°）との関係を示すグラフである。 図７は、実施例１における第１のデバイス評価に使用した粘着シートや洗浄時間などの条件を示した表である。 図８（ａ）は、逆バイアスを印加した際にリーク電流が流れない有機ＥＬ素子の一例を示し、図８（ｂ）は、リーク電流が流れる場合の有機ＥＬ素子の一例を示している。 図９は、実施例１の第１のデバイス評価における図７の基板Ｎｏ．１〜基板Ｎｏ．９のリーク電流を測定した結果のグラフである。 図１０（ａ）は、実施例１の第１のデバイス評価におけるＩ−Ｖ特性を測定した結果を示すグラフであり、図１０（ｂ）は、Ｌ−Ｉ特性を測定した結果を示すグラフである。 図１１（ａ）は、実施例１の第１のデバイス評価におけるＥＱＥ−Ｌ特性を測定した結果を示すグラフであり、図１１（ｂ）は、ＰＥ−Ｌ特性を測定した結果を示すグラフである。 図１２（ａ）〜図１２（ｅ）は、実施例１の第１のデバイス評価において使用したデバイスを点灯させて撮像した写真である。 図１３は、実施例１の第２のデバイス評価に使用した粘着シートや洗浄時間などの条件を示した表である。 図１４は、実施例１の第２のデバイス評価における図１３の基板Ｎｏ．１〜基板Ｎｏ．９のリーク電流を測定した結果のグラフである。 図１５（ａ）は、実施例１の第２のデバイス評価におけるＩ−Ｖ特性を測定した結果を示すグラフであり、図１５（ｂ）は、Ｌ−Ｉ特性を測定した結果を示すグラフである。 図１６（ａ）は、実施例１の第２のデバイス評価におけるＥＱＥ−Ｌ特性を測定した結果を示すグラフであり、図１６（ｂ）は、ＰＥ−Ｌ特性を測定した結果を示すグラフである。 図１７（ａ）〜図１７（ｅ）は、実施例１の第２のデバイス評価において使用したデバイスを点灯させて撮像した写真である。 図１８は、実施例２において評価した粘着ローラーの仕様を示す表である。 図１９（ａ）〜図１９（ｆ）は、実施例２において粘着ローラーを移動させて異物の除去を行った後の状態を撮像した透明電極部分の写真である。 図２０は、実施例２におけるフッ素系ゴムとブチル系合成ゴムを粘着体に用いた場合のＵＶＯ洗浄時間（ｍｉｎ）と接触角θ（°）との関係を示すグラフである。 図２１は、実施例２におけるシリコーンを粘着体に用いた場合のＵＶＯ洗浄時間（ｍｉｎ）と接触角θ（°）との関係を示すグラフである。 図２２は、実施例２の第１のデバイス評価に使用した粘着ローラーや洗浄時間などの条件を示した表である。 図２３は、実施例２の第１のデバイス評価における図２２の基板Ｎｏ．１〜基板Ｎｏ．９のリーク電流を測定した結果のグラフである。 図２４（ａ）は、実施例２の第１のデバイス評価におけるＩ−Ｖ特性を測定した結果を示すグラフであり、図２４（ｂ）は、Ｌ−Ｉ特性を測定した結果を示すグラフである。 図２５（ａ）は、実施例２の第１のデバイス評価におけるＥＱＥ−Ｌ特性を測定した結果を示すグラフであり、図２５（ｂ）は、ＰＥ−Ｌ特性を測定した結果を示すグラフである。 図２６（ａ）〜図２６（ｆ）は、実施例２の第１のデバイス評価において使用したデバイスを点灯させて撮像した写真である。 図２７は、実施例２の第２のデバイス評価に使用した粘着ローラー、粘着シート及び洗浄時間などの条件を示した表である。 図２８は、実施例２の第２のデバイス評価における図２７の基板Ｎｏ．１〜基板Ｎｏ．９のリーク電流を測定した結果のグラフである。 図２９（ａ）は、実施例２の第２のデバイス評価におけるＩ−Ｖ特性を測定した結果を示すグラフであり、図２９（ｂ）は、Ｌ−Ｉ特性を測定した結果を示すグラフである。 図３０（ａ）は、実施例２の第２のデバイス評価におけるＥＱＥ−Ｌ特性を測定した結果を示すグラフであり、図３０（ｂ）は、ＰＥ−Ｌ特性を測定した結果を示すグラフである。 図３１（ａ）〜図３１（ｆ）は、実施例２の第２のデバイス評価における図２７の基板Ｎｏ．３〜基板Ｎｏ．８の点灯時の写真である。 図３２（ａ）は、実施例３の有機ＥＬ素子の構成の一例を示す概略図であり、図３２（ｂ）は、ＨＩＬの膜厚が９０ｎｍの際のシリカゲル粒径とリーク電流の関係を示す図である。 図３３（ａ）及び図３３（ｂ）は、実施例３における散布したシリカゲルの粒径がφ１μｍの際の基板の断面図であり、図３３（ｃ）及び図３３（ｄ）は、シリカゲルの粒径がφ５μｍの際の基板の断面図である。

（実施の形態の要約）
実施の形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、透明電極が形成された基材を準備し、透明電極上に粘着体を貼り付け、貼り付けた粘着体を透明電極から剥がすことによって透明電極に付着した異物を除去する、ことを含んでいる。

この有機ＥＬ素子の製造方法では、粘着体により透明電極上の異物を除去するので、水によって透明電極上を洗浄する場合と比べて、水分の残留によるダークスポットの発生を抑制することができる。従って有機ＥＬ素子の製造方法は、異物と異物の除去とに起因するダークスポットや発光ムラの発生を抑制することができる。

[実施の形態]
（有機ＥＬ素子１の概要）
図１（ａ）〜図１（ｅ）は、有機ＥＬ素子の製造方法の一例を示す概略図である。なお以下に記載する実施の形態や実施例に係る各図において、図形間の比率は、実際の比率とは異なる場合がある。また数値範囲を示す「Ａ〜Ｂ」は、Ａ以上Ｂ以下の意味で用いるものとする。

有機ＥＬ素子１は、例えば、図１（ｅ）に示すように、基材としてのフィルム基材２と、透明電極３と、有機発光層５と、上部電極６と、を備えて概略構成されている。なお基材は、フィルム基材などのフィルム状の基材であるフレキシブル基材に限定されず、ガラス基材などのリジッド基材やリジッドフレキシブル基材であっても良い。

この有機ＥＬ素子１の製造方法は、例えば、図１（ａ）〜図１（ｃ）に示すように、透明電極３が形成された基材（フィルム基材２）を準備し、透明電極３上に粘着体４１を貼り付け、貼り付けた粘着体４１を透明電極３から剥がすことによって透明電極３に付着した異物９を除去する、ことを含んでいる。

そして有機ＥＬ素子１の製造方法は、例えば、図１（ｄ）に示すように、異物９を除去した後、電磁波８を照射することによって透明電極３上に残った粘着体４１を除去する、ことを含んでいる。この透明電極３上に残った粘着体４１とは、例えば、図１（ｃ）及び図１（ｄ）に示す残渣４１０である。

この異物９は、例えば、透明電極３が形成されたフィルム基材２の保管や搬送中に付着する雰囲気中の塵や機械から出た物体などである。有機ＥＬ素子１は、異物９が透明電極３の表面３０に付着すると発光ムラが生じたり、異物９が原因で透明電極３と上部電極６とが短絡して発光しなくなったりする可能性がある。

従って有機ＥＬ素子１の製造時には、透明電極３上を洗浄する必要があるが、水分が残ると非発光領域、つまりダークスポットが発生するので、水による洗浄が困難となる。本実施の形態では、水を用いることなく透明電極３上の洗浄を可能とする製造方法を提供するものである。

（フィルム基材２の構成）
フィルム基材２は、例えば、外部からの液体や気体の侵入を抑制するガスバリア性を有するように構成されている。そしてフィルム基材２は、柔軟性に富んでいるので、有機ＥＬ素子１が高い柔軟性を有している。フィルム基材２は、有機発光層５から出力された光を透過する透明材料を用いて形成されている。

フィルム基材２は、例えば、芯材フィルムと、芯材フィルムに設けられたガスバリア層と、を有している。芯材フィルムは、一例として、ＰＥＴ（polyethyleneterephtalate）やＰＥＮ（polyethylene naphthalate）などを用いてフィルム状に形成されている。ガスバリア層は、例えば、無機材料と有機材料とを交互に積層して形成されている。無機材料は、一例として、ＳｉやＡｌの酸化物や窒化物、ＺｎやＳｎの酸化物などが用いられる。また有機材料は、一例として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂材料が用いられる。

なお芯材フィルムやガスバリア層の厚みは、任意である。また有機ＥＬ素子１は、例えば、上部電極６側にもガスバリア性を有するフィルムを有し、当該フィルムとフィルム基材２とにより透明電極３、有機発光層５及び上部電極６を挟むように概略構成されている。

（透明電極３及び上部電極６の構成）
透明電極３及び上部電極６は、一方が陽極であり、他方が陰極である。本実施の形態では、透明電極３が陽極、上部電極６が陰極であるものとする。透明電極３が光を透過するため、有機発光層５によって生成された光は、図１（ｅ）の紙面下側、つまり透明電極３及びフィルム基材２を介して外に出力される。陽極は、有機発光層５に正孔を注入するためのものである。また陰極は、有機発光層５に電子を注入するためのものである。

透明電極３は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法などにより、有機発光層５から出力される光を透過するＩＴＯなどにより形成される。

上部電極６は、有機発光層５から出力される光の取り出し効率を高めるため、当該光を反射する材料で形成される。上部電極６は、例えば、真空蒸着法などにより、Ａｌ、ＡｇやＭｇなどの金属材料やその合金材料を用いて形成される。この上部電極６は、例えば、透明電極であるＩＴＯであっても良い。

なお透明電極３及び上部電極６の厚みは、任意である。

（有機発光層５の構成）
有機発光層５は、例えば、陽極（透明電極３）側から順に少なくとも正孔輸送層、発光層及び電子輸送層が積層される。正孔輸送層は、例えば、α−ＮＰＤ（ジフェニルナフチルジアミン）やＴＰＤ（Triphenyl Diamine）などを用いて形成される。発光層は、例えば、アルミキノリノール錯体（Alq_３）やベリリウムキノリノール錯体（BeBq_２）などを用いて形成される。電子輸送層は、例えば、アルミキノリノール錯体などを用いて形成される。

この有機発光層５は、例えば、塗布法や印刷法などによって形成される。この有機発光層５の厚みは、任意である。

（粘着シート４の構成）
粘着シート４は、例えば、図１（ｂ）〜図１（ｄ）に示すように、電磁波８の照射によってオゾン酸化されるアクリル系の粘着体４１を備える概略構成されている。この粘着体４１は、例えば、フィルム状の基体４０に貼り付けられている。この粘着体４１の厚みは、厚い方が良い。具体的には、粘着体４１は、一例として、７μｍ以上である方が好ましく、１０μｍ以上であることがより好ましい。また粘着体４１は、粘着力が高い方が良い。

図１（ｃ）及び図１（ｄ）では、粘着シート４の剥離の際に、透明電極３の表面３０に残った粘着体４１を残渣４１０として図示している。電磁波８の照射によるオゾン酸化とは、大気中の酸素が１８５ｎｍの紫外線を吸収しオゾンを生成し、このオゾンが２５４ｎｍの紫外線を吸収してＯ_２＋（活性酸素）を発生し、この発生した活性酸素が有機物（粘着体４１）と結びついてＨ_２Ｏ、Ｃ_２Ｏ、ＮＯ_Ｘなどの気体９０として酸化分解されることである。

この照射される電磁波８は、一例として、２００〜３８０ｎｍの近紫外線である。

なお粘着体４１は、シート状に限定されず、ロール状であっても良い。

以下に実施の形態の有機ＥＬ素子１の製造方法の一例について図１（ａ）〜図１（ｅ）に従って説明する。

（有機ＥＬ素子１の製造方法）
図１（ａ）に示すように、透明電極３が形成されたフィルム基材２を準備する。具体的には、まず真空蒸着法によってフィルム基材２上に透明電極３の前駆体膜を形成する。そしてフォトリソグラフィ法によって前駆体膜を所望の形状に加工し、透明電極３を形成する。なお透明電極３は、フィルム基材２の耐熱可能温度域内でアニールにより結晶化されていても良い。

次に図１（ｂ）に示すように、透明電極３上の異物９が付着するように透明電極３上に粘着体４１を貼り付ける。なおこの際、粘着シート４を貼り付けた状態で数十時間から百数十時間保管しても良い。

次に図１（ｃ）に示すように、粘着シート４を透明電極３から剥離して異物９を除去する。ここでは、一例として、透明電極３上に粘着体４１の一部が残って残渣４１０となっている。

次に図１（ｄ）に示すように、電磁波８を照射することによって透明電極３上に残った粘着シート４の粘着体４１の一部である残渣４１０を除去する。この残渣４１０の除去は、電磁波８を平均照度０．１５ｍＷ／ｃｍ^２で２０分間照射することにより行われた。照射した電磁波８の換算波長は、３６５ｎｍである。

次に図１（ｅ）に示すように、少なくとも有機発光層５及び上部電極６を形成するなどの工程を経て有機ＥＬ素子１を得る。

ここで変形例としての有機ＥＬ素子の製造方法は、透明電極が形成された基材を準備し、
透明電極上にロール状の粘着体を貼り付け、
貼り付けた粘着体を透明電極から剥がすことによって透明電極に付着した異物を除去し、
さらにシート状の粘着体を用いて異物を除去し、
電磁波を照射することによって透明電極上に残った粘着体を除去する、
ことを含む。

（実施の形態の効果）
本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法は、異物９と異物９の除去とに起因するダークスポットの発生を抑制することができる。具体的には、有機ＥＬ素子１の製造方法では、水を用いて異物を除去するのではなく、粘着体４１を用いて異物９を除去する。そして有機ＥＬ素子１の製造方法では、さらに電磁波８を照射することにより、透明電極３上に残った粘着体４１の一部である残渣４１０を除去する。従って有機ＥＬ素子１の製造方法は、この方法を採用しない場合と比べて、異物９を除去した後に残渣４１０が透明電極３上に残ったとしても除去できるので、異物９と異物９の除去とに起因するダークスポットの発生を抑制することができる。

有機ＥＬ素子１の製造方法では、水を使用しないので、乾燥工程がなく、製造に必要な時間が短縮される。

有機ＥＬ素子１の製造方法では、異物９が除去されるので、歩留まりが向上する。

以下では、実施例１〜実施例３について記載する。この実施例１〜実施例３では、有機ＥＬ素子の製造方法に関する以下の項目について実験を通して説明する。
・有機ＥＬ素子の製造方法は、粘着体がロール状及びシート状の少なくとも一方であることを含む。
・有機ＥＬ素子の製造方法は、粘着体がアクリル系であることを含む。
・有機ＥＬ素子の製造方法は、粘着体の厚みが７μｍ以上であることを含む。
・有機ＥＬ素子の製造方法は、ロール状の粘着体を用いて異物を除去した後、さらにシート状の粘着体を用いて異物を除去することを含む。
・有機ＥＬ素子の製造方法は、ロール状の粘着体がシリコーン系であり、シート状の粘着体がアクリル系であることを含む。
・有機ＥＬ素子の製造方法は、異物を除去した後、電磁波を照射することによって透明電極上に残った粘着体を除去することを含む。
・有機ＥＬ素子の製造方法は、積算光量が１８０ｍＪ／ｃｍ^２となる電磁波を照射することを含む。
・有機ＥＬ素子の製造方法は、異物を除去した後、透明電極上に塗布膜を生成することを含む。
・有機ＥＬ素子の製造方法は、想定される異物の粒径の１０倍以上であることを含む。

[実施例１]
実施例１では、シート状の粘着体の素材と異物の除去能力との関係について説明する。図２（ａ）は、異物の除去能力の評価に使用した粘着シートの基本構成の一例を示す概略図である。図２（ａ）に示す粘着シート４ａは、例えば、シート状の基体４０ａと、シート状の基体４０ａに貼り付けられたシート状の粘着体４１ａと、を備えて概略構成されている。この実施例１では、粘着体４１ａの種類を変えて異物の除去能力を調べた。

図３は、評価に使用した粘着シートの種類を示す表である。粘着シートは、図３に示すように、５種類のものを使用した。以下に、種類、メーカー、片面／両面（粘着体が設けられた面）、粘着体種類、粘着力、粘着体厚みの順で記載する。
・ＮＴ５０ ＰＡＮＡＣ社 片面 アクリル系 ０．０９Ｎ／ｃｍ ７μｍ
・ＥＴ２５Ａ ＰＡＮＡＣ社 片面 アクリル系 ０．０３９Ｎ／ｃｍ ５μｍ
・９０３０Ｗ 寺岡製作所社 両面（弱粘着／強粘着） シリコーン系 ０．０３２Ｎ／ｃｍ（強粘着側） ３２μｍ
・ＤＴ−２２００ＳＥ−２５ 日立化成社 片面 アクリル系 ０．０１６Ｎ／ｃｍ ７μｍ
・ＥＴ３８Ｔ２５ ＰＡＮＡＣ社 片面 アクリル系 ０．０６Ｎ／ｃｍ ２５μｍ
なお粘着力は、９０３０Ｗのみがガラスに対しての粘着力であり、その他がＰＥＴに対する粘着力である。また上記の粘着シートは、基体４０ａがＰＥＴフィルムである。

（ａ）シリカゲル除去評価（粘着シート）
図４（ａ）〜図４（ｃ）は、基板に形成された透明電極とガラス部上に疑似異物としてシリカゲルを散布した状態を撮像した写真である。図４（ａ）は、基板の左上側の写真である。図４（ｂ）は、基板中央の写真である。図４（ｃ）は、基板の右下側の写真である。なおガラス部３ｂとは、透明電極３ａが形成されてない部分である。

実験は、シリカゲル９ａを散布して粘着シートを貼り付けて保管した後、粘着シートを剥離することによって行った。このシリカゲル９ａは、粒径が２〜２５μｍの球体である。

図５（ａ）〜図５（ｅ）は、粘着シートを剥離した後の状態を撮像した透明電極部分の写真である。図５（ａ）は、使用した粘着シートがＰＮＡＣ社製ＮＴ５０である。図５（ｂ）は、使用した粘着シートがＰＮＡＣ社製ＥＴ２５Ａである。図５（ｃ）は、使用した粘着シートが寺岡製作所社製９０３０Ｗである。図５（ｄ）は、使用した粘着シートが日立化成社製ＤＴ−２２００ＳＥ−２５である。図５（ｅ）は、使用した粘着シートがＰＮＡＣ社製ＥＴ３８Ｔ２５である。

散布したシリカゲルは、図５（ｂ）及び図５（ｄ）に示すように、ＰＮＡＣ社製ＥＴ２５Ａ（粘着力０．０３９Ｎ／ｃｍ 粘着体厚み５μｍ）、及び日立化成社製ＤＴ−２２００ＳＥ−２５（粘着力０．０１６Ｎ／ｃｍ 粘着体厚み７μｍ）を使用した場合、他と比べて多く残った。

なおＰＡＮＡＣ社製ＮＴ５０（粘着力０．０９Ｎ／ｃｍ 粘着体厚み７μｍ）は、日立化成社製ＤＴ−２２００ＳＥ−２５と同じ粘着体厚みを有するものの粘着力がおよそ５．６倍となっており、図５（ａ）に示すように、良好な除去能力を有している。

上記の実験の結果、異物の除去は、粘着体が厚く、粘着力が高い方が高い除去能力を示すことが分かる。粘着体の厚みは、例えば、７μｍ以上が好ましく、１０μｍ以上がより好ましい。

（ｂ）接触角評価（粘着シート）
図６（ａ）は、接触角θの測定について説明するための概略図である。図６（ｂ）は、アクリル系とシリコーン系の粘着体のＵＶＯ洗浄時間（ｍｉｎ）と接触角θ（°）との関係を示すグラフである。図６（ｂ）は、横軸がＵＶＯ洗浄時間であり、縦軸が接触角θである。

次に、粘着シートを用いて異物を除去した後、電磁波を照射することによって透明電極３ａ上に残った粘着体４１ａを除去するＵＶＯ洗浄（ＵＶオゾン洗浄）を行った。

このＵＶＯ洗浄は、ハイマックス社製ＵＶＯＣＬＥＡＮＥＲ １４４ＡＸ−２２０を用いて行った。平均照度は、０．１５ｍＷ／ｃｍ^２であり、電磁波の波長は、換算値で３６５ｎｍである（近紫外線：ＵＶ）。また洗浄結果の評価は、例えば、図６（ａ）に示すように、洗浄後、基板２ａ上の透明電極３ａに水１０を滴下し、その接触角θを測定することによって行った。

図６（ｂ）に示すように、２０分間、ＵＶＯ洗浄を行うと、いずれの粘着体であっても接触角がおよそ２〜４°程度となり、水で洗浄した場合と同等の接触角θとなった。なお粘着シートの貼り付け時間は、ＮＴ５０（２０ｈ）、ＥＴ２５Ａ（１６８ｈ）、９０３０Ｗ（２４ｏｒ７２０ｈ）、ＤＴ−２２０ＳＥ−２５（１６８ｈ）、ＥＴ３８Ｔ２５（１６８ｈ）であった。

この実験の結果、接触角θは、平均照度０．１５ｍＷ／ｃｍ^２で２０分間、つまり積算光量が１８０ｍＪ／ｃｍ_２（３６５ｎｍ換算）となる電磁波を照射することで、水による洗浄と同等となることが分かった。なお異物の除去は、積算光量が大きいほど、言い換えるなら電磁波を照射する時間が長いほど効果が高い。

（ｃ）第１のデバイス評価（粘着シート）
図７は、第１のデバイス評価に使用した粘着シートや洗浄時間などの条件を示した表である。散布に使用したシリカゲルは、粒径が０．２〜５．０μｍである。また粘着シートを張り付けた時間を示す粘着シート貼付保管時間は、２４ｈである。また洗浄時間は、２０ｍｉｎである。またＨＩＬ塗布膜厚は、９０ｎｍである。このＨＩＬとは、有機ＥＬ素子１の有機発光層５が５層構造の場合、陽電極（透明電極３）の上に形成される正孔注入層（HIL：Hole Injection Layer）である。素子構成とは、青１段である。この青１段とは、青色に発光する素子のみの構成を有することを示している。

この第１のデバイス評価では、ＰＡＮＡＣ社製ＮＴ５０（アクリル系）、ＰＡＮＡＣ社製ＥＴ２５Ａ（アクリル系）、寺岡製作所社製９０３０Ｗ（シリコーン系）を用いて評価した。

・基板Ｎｏ．１は、シリカゲルの散布や粘着シートの貼り付けなどを行わずに形成された正常なデバイス（Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ）である。
・基板Ｎｏ．２及び基板Ｎｏ．３は、シリカゲルを散布した基板を用いて形成されたデバイスである。
・基板Ｎｏ．４及び基板Ｎｏ．５は、粘着シートとしてＰＡＮＡＣ社製ＮＴ５０（アクリル系）を用いてシリカゲルを除去した基板を用いて形成されたデバイスである。測定された接触角θは、４．１°であった。
・基板Ｎｏ．６及び基板Ｎｏ．７は、粘着シートとしてＰＡＮＡＣ社製ＥＴ２５Ａ（アクリル系）を用いてシリカゲルを除去した基板を用いて形成されたデバイスである。測定された接触角θは、２．４°であった。
・基板Ｎｏ．８及び基板Ｎｏ．９は、粘着シートとして寺岡製作所社製９０３０Ｗ（シリコーン系）を用いてシリカゲルを除去した基板を用いて形成されたデバイスである。測定された接触角θは、２．１°であった。

図８（ａ）は、逆バイアスを印加した際にリーク電流が流れない有機ＥＬ素子の一例を示し、図８（ｂ）は、リーク電流が流れる場合の有機ＥＬ素子の一例を示している。

この有機ＥＬ素子１ａは、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、基板２ａと、透明電極３ａと、有機発光層５ａと、上部電極６ａと、を備えて概略構成されている。なお有機発光層５ａは、厚みが１００〜２００ｎｍである。

図８（ａ）に示す有機ＥＬ素子１ａは、透明電極３ａ上の異物９が有機発光層５ａに覆われ、上部電極６ａと透明電極３ａとが接触しないようになっている。従って有機ＥＬ素子１ａは、逆バイアスを印加してもリーク電流が流れない。

一方図８（ｂ）に示す有機ＥＬ素子１ａは、異物９のために透明電極３ａが露出し、上部電極６ａと透明電極３ａとが短絡している。従ってこの有機ＥＬ素子１ａは、逆バイアスを印可するとリーク電流が流れる。

このように、異物の除去能力は、リーク電流を測定することによっても評価することができる。図９は、図７の基板Ｎｏ．１〜基板Ｎｏ．９のリーク電流を測定した結果のグラフである。横軸が電圧（Voltage）[Ｖ]であり、縦軸が電流密度（current density）[ｍＡ／ｃｍ^２]である。

・「Ref#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．１を示している。
・「粒散布のみ#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．２を示している。
・「粒散布のみ#2(Avg.)」は、基板Ｎｏ．３を示している。
・「粒散布/NT50#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．４を示している。
・「粒散布/NT50#2(Avg.)」は、基板Ｎｏ．５を示している。
・「粒散布/ET25A#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．６を示している。
・「粒散布/ET25A#2(Avg.)」は、基板Ｎｏ．７を示している。
・「粒散布/9030W#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．８を示している。
・「粒散布/9030W#2(Avg.)」は、基板Ｎｏ．９を示している。
なお「粒散布」とは、シリカゲルの散布を示している。またリーク電流の測定は、４回（ｎ＝４）行った。図９は、その平均をグラフにしたものである。

基板Ｎｏ．１は、シリカゲルの散布が行われていない正常なデバイスなので、リーク電流の高低を判定する参考（reference）となる。そして異物の除去能力は、リーク電流が低いほど高い。この実験の結果、粘着シートとしてＮＴ５０と９０３０Ｗを使用した場合、リーク電流が基板Ｎｏ．１より低い値となった。なおＥＴ２５Ａは、図９に示すように、基板Ｎｏ．１より若干高いリーク電流が流れた。

図１０（ａ）は、Ｉ−Ｖ特性を測定した結果を示すグラフであり、横軸が電圧（Voltage）[Ｖ]であり、縦軸が電流密度（current density）[ｍＡ／ｃｍ^２]である。図１０（ｂ）は、Ｌ−Ｉ特性を測定した結果を示すグラフであり、横軸が電流密度（current density）[ｍＡ／ｃｍ^２]であり、縦軸が輝度（luminance）[ｃｄ／ｍ^２]である。図１１（ａ）は、ＥＱＥ−Ｌ特性を測定した結果を示すグラフであり、横軸が輝度（luminance）[ｃｄ／ｍ^２]であり、縦軸が外部量子収率（external quantum yield:external quantum efficiency）[％]である。図１１（ｂ）は、ＰＥ−Ｌ特性を測定した結果を示すグラフであり、横軸が輝度（luminance）[ｃｄ／ｍ^２]であり、縦軸が電力効率（power efficiency）[ｌｍ／Ｗ]である。

・「Ref#1-5」は、粒（シリカゲル）の散布が行われていない正常なデバイスを示している。
・「粒散布のみ#1-1」は、粒の散布が行われた状態で形成されたデバイスを示している。
・「粒散布/NT50#1-1」は、散布された粒を粘着シート（ＮＴ５０）で除去した後、形成されたデバイスを示している。
・「粒散布/ET25A#1-1」は、散布された粒を粘着シート（ＥＴ２５Ａ）で除去した後、形成されたデバイスを示している。
・「粒散布/9030W#1-1」は、散布された粒を粘着シート（９０３０Ｗ）で除去した後、形成されたデバイスを示している。
なおこれらのグラフは、１回（ｎ＝１）行った測定を平均してグラフ化されている。

粘着シートによる異物が除去されたデバイスは、図１０（ａ）〜図１１（ｂ）に示すように、リファレンス（正常なデバイス）とほぼ同等の特性が得られた。なお図１０（ａ）に示すように、シリコーン系の粘着シート（寺岡製作所社製９０３０Ｗ）がＩ−Ｖ特性において高電圧化が発生していた。

つまりアクリル系の粘着シートを用いて異物の除去がなされた状態で形成された有機ＥＬ素子は、リファレンスと同一の挙動が確認され、異物の除去が有機ＥＬ素子の作成において負の影響がないことが分かった。

図１２（ａ）は、シリカゲルを散布していない正常なデバイス（Reference）の点灯時の写真である。図１２（ｂ）は、シリカゲルを散布して除去を行っていないデバイスの点灯時の写真である。図１２（ｃ）は、ＰＡＮＡＣ社製ＮＴ５０（アクリル系）を用いて散布したシリカゲルの除去を行ったデバイスの点灯時の写真である。図１２（ｄ）は、ＰＡＮＡＣ社製ＥＴ２５Ａ（アクリル系）を用いて散布したシリカゲルの除去を行ったデバイスの点灯時の写真である。図１２（ｅ）は、寺岡製作所社製９０３０Ｗ（シリコーン系）を用いて散布したシリカゲルの除去を行ったデバイスの点灯時の写真である。図１２（ａ）〜図１２（ｅ）のデバイスの横方向の幅は、２ｎｍである。

この図１２（ａ）〜図１２（ｅ）に示すように、アクリル系の粘着体を有する粘着シート（ＮＴ５０及びＥＴ２５Ａ）の方がシリコーン系の粘着体を有する粘着シート（９０３０Ｗ）よりもより多くの異物を除去していることが分かった。

（ｄ）第２のデバイス評価（粘着シート）
図１３は、第２のデバイス評価に使用した粘着シートや洗浄時間などの条件を示した表である。散布に使用したシリカゲルは、粒径が０．２〜５．０μｍである。また粘着シートを張り付けた時間を示す粘着シート貼付保管時間は、１２０ｈである。またＨＩＬ塗布膜厚は、９０ｎｍである。素子構成は、青１段である。

この第２のデバイス評価では、日立化成社製ＤＴ−２２００ＳＥ−２５（アクリル系）、寺岡製作所社製９０３０Ｗ（シリコーン系）を用い、洗浄時間を変えるなどして評価した。

・基板Ｎｏ．１は、シリカゲルの散布や粘着シートの貼り付けなどを行わずに形成された正常なデバイス（Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ）である。
・基板Ｎｏ．２〜基板Ｎｏ．５は、粘着シートとして日立化成社製ＤＴ−２２００ＳＥ−２５（アクリル系）を用いてシリカゲルを除去し、時間（０ｍｉｎ、５ｍｉｎ、１０ｍｉｎ、２０ｍｉｎ）を変えてＵＶＯ洗浄を行った後、形成されたデバイスである。測定された接触角θは、８５．０°、１４．０°、１０．１°、３．１°であった。
・基板Ｎｏ．６〜基板Ｎｏ．９は、粘着シートとして寺岡製作所社製９０３０Ｗ（シリコーン系）を用いてシリカゲルを除去し、時間（０ｍｉｎ、５ｍｉｎ、１０ｍｉｎ、２０ｍｉｎ）を変えてＵＶＯ洗浄を行った後、形成されたデバイスである。測定された接触角θは、８０．６°、４３．４°、２．２°、２．１°であった。

図１４は、図１３の基板Ｎｏ．１〜基板Ｎｏ．９のリーク電流を測定した結果のグラフである。横軸が電圧（Voltage）[Ｖ]であり、縦軸が電流密度（current density）[ｍＡ／ｃｍ^２]である。

・「Ref#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．１を示している。
・「DT-2200SE-25/UVOなし#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．２を示している。
・「DT-2200SE-25/UVO 5min#2(Avg.)」は、基板Ｎｏ．３を示している。
・「DT-2200SE-25/UVO 10min#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．４を示している。
・「DT-2200SE-25/UVO 20min#2(Avg.)」は、基板Ｎｏ．５を示している。
・「9030W/UVOなし#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．６を示している。
・「9030W/UVO 5min #2(Avg.)」は、基板Ｎｏ．７を示している。
・「9030W/UVO 10min#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．８を示している。
・「9030W/UVO 20min#2(Avg.)」は、基板Ｎｏ．９を示している。
リーク電流の測定は、４回（ｎ＝４）行った。図１４は、その平均をグラフにしたものである。なお基板Ｎｏ．６は、８回の測定の平均をグラフにしている。

この実験の結果、日立化成社製ＤＴ−２２００ＳＥ−２５（アクリル系）は、ＵＶＯ洗浄の有無や洗浄時間に関わらず、リファレンスである基板Ｎｏ．１よりもリーク電流が低い値となった。

また寺岡製作所社製９０３０Ｗ（シリコーン系）は、ＵＶＯ洗浄しない場合、リファレンスである基板Ｎｏ．１よりもリーク電流が高い値となった。しかし寺岡製作所社製９０３０Ｗ（シリコーン系）は、ＵＶＯ洗浄を行うことによってリファレンスである基板Ｎｏ．１よりもリーク電流が低い値となった。

図１５（ａ）は、Ｉ−Ｖ特性を測定した結果を示すグラフであり、横軸が電圧[Ｖ]であり、縦軸が電流密度[ｍＡ／ｃｍ^２]である。図１５（ｂ）は、Ｌ−Ｉ特性を測定した結果を示すグラフであり、横軸が電流密度[ｍＡ／ｃｍ^２]であり、縦軸が輝度[ｃｄ／ｍ^２]である。図１６（ａ）は、ＥＱＥ−Ｌ特性を測定した結果を示すグラフであり、横軸が輝度[ｃｄ／ｍ^２]であり、縦軸が外部量子収率[％]である。図１６（ｂ）は、ＰＥ−Ｌ特性を測定した結果を示すグラフであり、横軸が輝度[ｃｄ／ｍ^２]であり、縦軸が電力効率[ｌｍ／Ｗ]である。

・「Ref Avg」は、粒（シリカゲル）の散布が行われていない正常なデバイスを示している。
・「DT-2200SE-25/UVOなし Avg」は、散布された粒を粘着シート（ＤＴ−２２００ＳＥ−２５）で除去した後、形成されたデバイスを示している。
・「DT-2200SE-25/UVO 5min Avg」は、散布された粒を粘着シート（ＤＴ−２２００ＳＥ−２５）で除去してＵＶＯ洗浄を５分間した後、形成されたデバイスを示している。
・「DT-2200SE-25/UVO 10min Avg」は、散布された粒を粘着シート（ＤＴ−２２００ＳＥ−２５）で除去してＵＶＯ洗浄を１０分間した後、形成されたデバイスを示している。
・「DT-2200SE-25/UVO 20min Avg」は、散布された粒を粘着シート（ＤＴ−２２００ＳＥ−２５）で除去してＵＶＯ洗浄を２０分間した後、形成されたデバイスを示している。
なおこれらのグラフは、２回（ｎ＝２）行った測定を平均してグラフ化されている。

粘着シートによる異物が除去されたデバイスは、図１５（ａ）〜図１６（ｂ）に示すように、リファレンス（正常なデバイス）とほぼ同等の特性が得られた。

つまり上記の粘着シートを使用した異物の除去がなされた状態で形成された有機ＥＬ素子は、リファレンスと同一の挙動が確認され、異物の除去が有機ＥＬ素子の作成において負の影響がないことが分かった。

図１７（ａ）は、シリカゲルを散布していない正常なデバイス（Reference）の点灯時の写真である。図１７（ｂ）は、シリカゲルを散布して日立化成社製ＤＴ−２２００ＳＥ−２５（アクリル系）を用いてシリカゲルを除去した後、ＵＶＯ洗浄を行っていないデバイスの点灯時の写真である。図１７（ｃ）は、シリカゲルを散布して日立化成社製ＤＴ−２２００ＳＥ−２５（アクリル系）を用いてシリカゲルを除去した後、ＵＶＯ洗浄を５ｍｉｎ行ったデバイスの点灯時の写真である。図１７（ｄ）は、シリカゲルを散布して日立化成社製ＤＴ−２２００ＳＥ−２５（アクリル系）を用いてシリカゲルを除去した後、ＵＶＯ洗浄を１０ｍｉｎ行ったデバイスの点灯時の写真である。図１７（ｅ）は、シリカゲルを散布して日立化成社製ＤＴ−２２００ＳＥ−２５（アクリル系）を用いてシリカゲルを除去した後、ＵＶＯ洗浄を２０ｍｉｎ行ったデバイスの点灯時の写真である。図１７（ａ）〜図１７（ｅ）のデバイスの横方向の幅は、２ｎｍである。また粘着体の厚みは、いずれも７μｍである。

この図１７（ａ）〜図１７（ｅ）からも明らかなように、アクリル系の粘着体を用いた粘着シートは、シリコーン系の粘着体を用いた場合と比べて、ＵＶＯ洗浄の有無や時間に関係なく良好な異物の除去効果が得られた。

（ｅ）まとめ
実施例１では、粘着体がシリコーン系よりアクリル系の方が異物の除去能力が高いことが分かった。粘着体がシリコーン系の場合、ＵＶＯ洗浄後の接触角θが小さく、またリーク電流が低いものの点灯時のダークスポットや発光ムラが多い結果となった。一方アクリル系の粘着体を用いた異物の除去は、ＵＶＯ洗浄後の接触角θが小さいと共にリーク電流が低く、さらに点灯時のダークスポットや発光ムラが少ない結果となった。またアクリル系の粘着体を用いて異物を除去したデバイスは、ＩＶＬ特性などが異物を散布していないリファレンスと同等であり、異物の除去が素子性能に負の影響を与えていないことが分かった。

実施例１では、粘着体の粘着力が高く、厚みが厚い方が異物の除去能力が高いことが分かった。具体的には、厚みが７μｍで粘着力が異なる粘着体を用いて異物を除去した場合、粘着力が高い粘着体を用いた方が異物の除去能力が高いことが分かった。

実施例１では、異物を除去した後、電磁波（積算光量：１８０ｍＪ／ｃｍ^２）を照射することで異物の除去能力が高くなることが分かった。なお異物の除去は、積算光量が大きいほど、言い換えるなら電磁波を照射する時間が長いほど効果が高い。

[実施例２]
実施例２では、ロール状の粘着体の素材と異物の除去能力の関係について説明する。図２（ｂ）は、異物の除去能力の評価に使用した粘着ローラーの基本構成の一例を示す概略図である。図２（ｂ）に示す粘着ローラー４ｂは、例えば、円柱形状の芯材４０ｂと、芯材４０ｂに取り付けられたロール状の粘着体４１ｂと、を備えて概略構成されている。また粘着ローラー４ｂは、例えば、ホルダ４６によって芯材４０ｂが保持され、回転中心４７を中心に芯材４０ｂと粘着体４１ｂが回転するように構成されている。ホルダ４６には、取手４５が設けられている。異物の除去は、粘着ローラー４ｂを基板の上で移動させて行われた。この実施例２では、粘着体４１ｂの種類を変えて異物の除去能力を調べた。

図１８は、評価した粘着ローラーの仕様を示す表である。粘着ローラーは、図１８に示すように、７種類のものを使用した。以下に、種類、メーカー、粘着体種類、特性、粘着ローラークリーニング方法の順で記載する。
・ＨＣ−７１５ＦＥ ａｕｄｉｏ−ｔｅｃｈｎｉｃａ社 フッ素系ゴム 耐溶剤性耐摩耗性 クリーニング液（エタノール）使用
・ＨＣ−７１５／３０ ａｕｄｉｏ−ｔｅｃｈｎｉｃａ社 ブチル系合成ゴム 粘着力：弱 クリーニング液（ＴＣ−３２０Ｃ）使用
・ＨＣ−７１５／１１０ ａｕｄｉｏ−ｔｅｃｈｎｉｃａ社 ブチル系合成ゴム 粘着力：中 クリーニング液（ＴＣ−３２０Ｃ）使用
・ＨＣ−７１５／４５０ ａｕｄｉｏ−ｔｅｃｈｎｉｃａ社 ブチル系合成ゴム 粘着力：強 クリーニング液（ＴＣ−３２０Ｃ）使用
・ＤＣＨ−６Ｈ２ＬＳ オサダコーポレーション社 シリコーン ダブルハード（密着力：微弱） 粘着パッド（アクリル系粘着体）使用
・ＤＣＨ−６ＨＬＳ オサダコーポレーション社 シリコーン ハード（密着力：弱） 粘着パッド（アクリル系粘着体）使用
・ＤＣＨ−６Ｓ オサダコーポレーション社 シリコーン ソフト（密着力：強） 粘着パッド（アクリル系粘着体）使用
エタノールは、市販品である。クリーニング液のＴＣ−３２０Ｃは、メーカー純正品である。ＤＣＨ−６Ｈ２ＬＳ、ＤＣＨ−６ＨＬＳ及びＤＣＨ−６Ｓは、ＰＬ処理（マット面状処理）及び帯電防止処理がなされている。

（ａ）シリカゲル除去評価（粘着ローラー）
実験は、例えば、図４（ａ）〜図４（ｃ）と同様に、シリカゲル９ａを散布した基板の上を、粘着ローラーを移動させて行った。このシリカゲル９ａは、粒径が２〜２５μｍの球体である。

図１９（ａ）〜図１９（ｆ）は、粘着ローラーを移動させて異物の除去を行った後の状態を撮像した透明電極部分の写真である。図１９（ａ）は、使用した粘着ローラーがａｕｄｉｏ−ｔｅｃｈｎｉｃａ社製ＨＣ−７１５ＦＥである。図１９（ｂ）は、使用した粘着ローラーがａｕｄｉｏ−ｔｅｃｈｎｉｃａ社製ＨＣ−７１５／３０である。図１９（ｃ）は、使用した粘着ローラーがａｕｄｉｏ−ｔｅｃｈｎｉｃａ社製ＨＣ−７１５／１１０である。図１９（ｄ）は、使用した粘着ローラーがａｕｄｉｏ−ｔｅｃｈｎｉｃａ社製ＨＣ−７１５／４５０である。図１９（ｅ）は、使用した粘着ローラーがオサダコーポレーション社製ＤＣＨ−６Ｈ２ＬＳである。図１９（ｆ）は、使用した粘着ローラーがオサダコーポレーション社製ＤＣＨ−６ＨＬＳである。

なお異物の除去は、シリカゲルを散布した基板に対し、粘着ローラーを手動で５往復させて行った。

粘着ローラーは、図１９（ａ）〜図１９（ｆ）に示すように、実施例１の粘着シートと比べて、概ね良好な異物の除去能力を示した。また粘着体がシリコーンである方がフッ素系ゴムやブチル系合成ゴムと比べて、概ね良好な異物の除去能力を示した。

（ｂ）接触角評価（粘着ローラー）
図２０は、フッ素系ゴムとブチル系合成ゴムを粘着体に用いた場合のＵＶＯ洗浄時間（ｍｉｎ）と接触角θ（°）との関係を示すグラフである。図２０は、横軸がＵＶＯ洗浄時間であり、縦軸が接触角θである。

次に、粘着ローラーを用いて異物を除去した後、電磁波を照射することによって透明電極上に残った粘着体を除去するＵＶＯ洗浄を行った。

このＵＶＯ洗浄は、粘着シートと同様に、ハイマックス社製ＵＶＯＣＬＥＡＮＥＲ １４４ＡＸ−２２０を用いて行った。平均照度は、０．１５ｍＷ／ｃｍ^２であり、電磁波の波長は、換算値で３６５ｎｍである。また洗浄結果の評価は、粘着シートにおける接触角θの測定と同様の方法で行われた。なお異物の除去は、積算光量が大きいほど、言い換えるなら電磁波を照射する時間が長いほど効果が高い。

図２０に示すように、２０分間、ＵＶＯ洗浄を行うと、ブチル系合成ゴムの粘着体の接触角がおよそ３〜６°程度となり、良好な接触角θとなった。しかしフッ素系ゴムの粘着体は、２０分間、ＵＶＯ洗浄を行っても接触角θが小さくならなかった。

この実験の結果、粘着ローラーの粘着体は、フッ素系ゴムよりもブチル系合成ゴムの方が良いことが分かった。

図２１は、シリコーンを粘着体に用いた場合のＵＶＯ洗浄時間（ｍｉｎ）と接触角θ（°）との関係を示すグラフである。図２１は、横軸がＵＶＯ洗浄時間であり、縦軸が接触角θである。

図２１に示すように、２０分間、ＵＶＯ洗浄を行うと、いずれの粘着体であっても接触角がおよそ２〜３°程度となり、水で洗浄した場合と同等の接触角θとなった。

この実験の結果、粘着ローラーの粘着体がシリコーンである場合、接触角θは、平均照度０．１５ｍＷ／ｃｍ^２で２０分間、電磁波を照射するで、水による洗浄と同等となることが分かった。なお異物の除去は、積算光量が大きいほど、言い換えるなら電磁波を照射する時間が長いほど効果が高い。

（ｃ）第１のデバイス評価（粘着ローラー）
図２２は、第１のデバイス評価に使用した粘着ローラーや洗浄時間などの条件を示した表である。散布に使用したシリカゲルは、粒径が２〜２５μｍである。また洗浄時間は、２０ｍｉｎである。またＨＩＬ塗布膜厚は、９０ｎｍである。素子構成とは、青１段である。

この第１のデバイス評価では、ロール状の粘着体を用いて異物を除去した後、さらにシート状の粘着体を用いて異物を除去し、ＵＶＯ洗浄を行って接触角θを測定した。また比較として、第１のデバイス評価では、ロール状の粘着体のみで異物を除去した後、ＵＶＯ洗浄を行って接触角θを測定した。

第１のデバイス評価では、粘着ローラーとして、オサダコーポレーション社製ＤＣＨ−６Ｈ２ＬＳ（シリコーン）、ａｕｄｉｏ−ｔｅｃｈｎｉｃａ社製ＨＣ−７１５ＦＥ（フッ素系ゴム）を用いた。また第２のデバイス評価では、粘着シートとして、ＰＡＮＡＣ社製ＥＴ２５Ａ（アクリル系：粘着体厚み５μｍ）、ＰＮＡＣ社製ＥＴ３８Ｔ２５（アクリル系：粘着体厚み２５μｍ）を用いた。

・基板Ｎｏ．１は、シリカゲルの散布やシリカゲルの除去を行わずに形成された正常なデバイス（Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ）である。
・基板Ｎｏ．２は、粘着シートとしてＰＡＮＡＣ社製ＥＴ２５Ａ（アクリル系：粘着体厚み５μｍ）を用いてシリカゲルを除去した基板を用いて形成されたデバイスである。測定された接触角θは、２．４°であった。
・基板Ｎｏ．３は、粘着シートとしてＰＮＡＣ社製ＥＴ３８Ｔ２５（アクリル系：粘着体厚み２５μｍ）を用いてシリカゲルを除去した基板を用いて形成されたデバイスである。測定された接触角θは、２．９°であった。
・基板Ｎｏ．４は、粘着ローラーとしてオサダコーポレーション社製ＤＣＨ−６Ｈ２ＬＳ（シリコーン）、粘着シートとしてＰＡＮＡＣ社製ＥＴ２５Ａ（アクリル系：粘着体厚み５μｍ）を用いてシリカゲルを除去した基板を用いて形成されたデバイスである。測定された接触角θは、粘着ローラーのみで３．０°、粘着ローラーと粘着シートの組み合わせで２．４°であった。
・基板Ｎｏ．５は、粘着ローラーとしてオサダコーポレーション社製ＤＣＨ−６Ｈ２ＬＳ（シリコーン）、粘着シートとしてＰＡＮＡＣ社製ＥＴ３８Ｔ２５（アクリル系：粘着体厚み２５μｍ）を用いてシリカゲルを除去した基板を用いて形成されたデバイスである。測定された接触角θは、粘着ローラーのみで３．０°、粘着ローラーと粘着シートの組み合わせで２．９°であった。
・基板Ｎｏ．６は、粘着ローラーとしてａｕｄｉｏ−ｔｅｃｈｎｉｃａ社製ＨＣ−７１５ＦＥ（フッ素系ゴム）、粘着シートとしてＰＡＮＡＣ社製ＥＴ２５Ａ（アクリル系：粘着体厚み５μｍ）を用いてシリカゲルを除去した基板を用いて形成されたデバイスである。測定された接触角θは、粘着ローラーのみで２６．１°、粘着ローラーと粘着シートの組み合わせで２．４°であった。
・基板Ｎｏ．７は、粘着ローラーとしてａｕｄｉｏ−ｔｅｃｈｎｉｃａ社製ＨＣ−７１５ＦＥ（フッ素系ゴム）、粘着シートとしてＰＡＮＡＣ社製ＥＴ３８Ｔ２５（アクリル系：粘着体厚み２５μｍ）を用いてシリカゲルを除去した基板を用いて形成されたデバイスである。測定された接触角θは、粘着ローラーのみで２６．１°、粘着ローラーと粘着シートの組み合わせで２．９°であった。
・基板Ｎｏ．８は、粘着ローラーとしてオサダコーポレーション社製ＤＣＨ−６Ｈ２ＬＳ（シリコーン）を用いてシリカゲルを除去した基板を用いて形成されたデバイスである。測定された接触角θは、３．０°であった。
・基板Ｎｏ．９は、粘着ローラーとしてａｕｄｉｏ−ｔｅｃｈｎｉｃａ社製ＨＣ−７１５ＦＥ（フッ素系ゴム）を用いてシリカゲルを除去した基板を用いて形成されたデバイスである。測定された接触角θは、２６．１°であった。

図２３は、図２２の基板Ｎｏ．１〜基板Ｎｏ．９のリーク電流を測定した結果のグラフである。横軸が電圧（Voltage）[Ｖ]であり、縦軸が電流密度（current density）[ｍＡ／ｃｍ^２]である。

・「Ref#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．１を示している。
・「シートET25A#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．２を示している。
・「シートET38T25#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．３を示している。
・「ローラーDCH-6H2LS+シートET25A#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．４を示している。
・「ローラーDCH-6H2LS+シートET38T25#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．５を示している。
・「ローラーHC-715FE+シートET25A#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．６を示している。
・「ローラーHC-715FE+シートET38T25#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．７を示している。
・「ローラーDCH-6H2LS#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．８を示している。
・「ローラーHC-715FE#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．９を示している。
リーク電流の測定は、４回（ｎ＝４）行った。図２３は、その平均をグラフにしたものである。

基板Ｎｏ．１は、シリカゲルの散布が行われていない正常なデバイスなので、リーク電流の高低を判定する参考（reference）となる。この実験の結果、粘着体がＰＡＮＡＣ社製ＥＴ２５Ａ（アクリル系：粘着体厚み５μｍ）の粘着シートのみでシリカゲルを除去した場合（基板Ｎｏ．２）、リファレンスよりも高いリーク電流が測定された。また粘着体がＰＡＮＡＣ社製ＥＴ３８Ｔ２５（アクリル系：粘着体厚み２５μｍ）の粘着シートのみでシリカゲルを除去した場合（基板Ｎｏ．３）、リファレンスよりも若干高いリーク電流が測定された。さらに粘着体がａｕｄｉｏ−ｔｅｃｈｎｉｃａ社製ＨＣ−７１５ＦＥ（フッ素系ゴム）の粘着ローラーのみでシリカゲルを除去した場合（基板Ｎｏ．９）、リファレンスよりも若干高いリーク電流が測定された。

基板Ｎｏ．４〜基板Ｎｏ．８は、リファレンスよりもリーク電流が低い値だった。

図２４（ａ）は、Ｉ−Ｖ特性を測定した結果を示すグラフであり、横軸が電圧[Ｖ]であり、縦軸が電流密度[ｍＡ／ｃｍ^２]である。図２４（ｂ）は、Ｌ−Ｉ特性を測定した結果を示すグラフであり、横軸が電流密度[ｍＡ／ｃｍ^２]であり、縦軸が輝度[ｃｄ／ｍ^２]である。図２５（ａ）は、ＥＱＥ−Ｌ特性を測定した結果を示すグラフであり、横軸が輝度[ｃｄ／ｍ^２]であり、縦軸が外部量子収率[％]である。図２５（ｂ）は、ＰＥ−Ｌ特性を測定した結果を示すグラフであり、横軸が輝度[ｃｄ／ｍ^２]であり、縦軸が電力効率[ｌｍ／Ｗ]である。

・「RefAvg.」は、基板Ｎｏ．１を示している。
・「シートET25AAvg.」は、基板Ｎｏ．２を示している。
・「シートET38T25Avg.」は、基板Ｎｏ．３を示している。
・「ローラーDCH-6H2LS+シートET25AAvg.」は、基板Ｎｏ．４を示している。
・「ローラーDCH-6H2LS+シートET38T25Avg.」は、基板Ｎｏ．５を示している。
・「ローラーHC-715FE+シートET25AAvg.」は、基板Ｎｏ．６を示している。
・「ローラーHC-715FE+シートET38T25Avg.」は、基板Ｎｏ．７を示している。
・「ローラーDCH-6H2LSAvg.」は、基板Ｎｏ．８を示している。
・「ローラーHC-715FEAvg.」は、基板Ｎｏ．９を示している。
なおこれらのグラフは、２回（ｎ＝２）行った測定を平均してグラフ化されている。

基板Ｎｏ．２〜基板Ｎｏ．９は、図２４（ａ）〜図２５（ｂ）に示すように、リファレンス（正常なデバイス）とほぼ同等の特性が得られた。

図２６（ａ）は、シリカゲルを散布していない正常なデバイス（Reference）の点灯時の写真である。図２６（ｂ）は、ＰＡＮＡＣ社製ＥＴ２５Ａ（粘着体厚み５μｍ）を用いて散布したシリカゲルの除去を行ったデバイスの点灯時の写真である。図２６（ｃ）は、ＰＡＮＡＣ社製ＥＴ３８Ｔ２５（粘着体厚み２５μｍ）を用いて散布したシリカゲルの除去を行ったデバイスの点灯時の写真である。図２６（ｄ）は、粘着ローラーとしてオサダコーポレーション社製ＤＣＨ−６Ｈ２ＬＳ（粘着力：微弱）、粘着シートとしてＥＴ２５Ａ（粘着体厚み５μｍ）を用いて散布したシリカゲルの除去を行ったデバイスの点灯時の写真である。図２６（ｅ）は、粘着ローラーとしてＤＣＨ−６Ｈ２ＬＳ、粘着シートとしてＥＴ３８Ｔ２５（粘着体厚み２５μｍ）を用いて散布したシリカゲルの除去を行ったデバイスの点灯時の写真である。図２６（ｆ）は、粘着ローラーとしてＤＣＨ−６Ｈ２ＬＳを用いて散布したシリカゲルの除去を行ったデバイスの点灯時の写真である。図２６（ａ）〜図２６（ｆ）のデバイスの横方向の幅は、２ｎｍである。

この図２６（ａ）〜図２６（ｅ）に示すように、異物の除去能力は、粘着体がシリコーンである粘着ローラーで異物を除去した後、さらに粘着体がアクリル系である粘着シートで異物を除去した方が、粘着体がアクリル系である粘着シートのみで除去する場合と比べて、高いことが分かった。

（ｄ）第２のデバイス評価（粘着ローラー）
図２７は、第２のデバイス評価に使用した粘着ローラー、粘着シート及び洗浄時間などの条件を示した表である。散布に使用したシリカゲルは、粒径が２〜２５μｍである。またＨＩＬ塗布膜厚は、９０ｎｍである。素子構成は、青１段である。

この第２のデバイス評価では、粘着シートとしてＰＡＮＡＣ社製ＥＴ３８Ｔ２５（アクリル系：粘着力０．０６Ｎ／ｃｍ：粘着体厚み２５μｍ）を使用した。また第２のデバイス評価では、粘着ローラーとしてオサダコーポレーション社製ＤＣＨ−６Ｈ２ＬＳ（シリコーン：密着力微弱）、オサダコーポレーション社製ＤＣＨ−６ＨＬＳ（シリコーン：密着力弱）、ａｕｄｉｏ−ｔｅｃｈｎｉｃａ社製ＨＣ−７１５ＦＥ（フッ素系ゴム）、ａｕｄｉｏ−ｔｅｃｈｎｉｃａ社製ＨＣ−７１５／３０（ブチル系合成ゴム：粘着力弱）、ａｕｄｉｏ−ｔｅｃｈｎｉｃａ社製ＨＣ−７１５／１１０（ブチル系合成ゴム：粘着力中）及びａｕｄｉｏ−ｔｅｃｈｎｉｃａ社製ＨＣ−７１５／４５０（ブチル系合成ゴム：粘着力強）を用いた。

第２のデバイス評価では、粘着シートには同じものを使用し、粘着ローラーを変えて接触角θを測定して評価した。

・基板Ｎｏ．１は、シリカゲルの散布やシリカゲルの除去を行わずに形成された正常なデバイス（Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ）である。
・基板Ｎｏ．２は、シリカゲルの散布が行われた状態で形成されたデバイスである。測定された接触角θは、２．４°であった。
・基板Ｎｏ．３は、粘着ローラーとしてオサダコーポレーション社製ＤＣＨ−６Ｈ２ＬＳ、粘着シートとしてＰＡＮＡＣ社製ＥＴ３８Ｔ２５を用いてシリカゲルを除去した基板を用いて形成されたデバイスである。測定された接触角θは、粘着ローラーのみで３．０°、粘着ローラーと粘着シートの組み合わせで２．９°であった。
・基板Ｎｏ．４は、粘着ローラーとしてオサダコーポレーション社製ＤＣＨ−６ＨＬＳ、粘着シートとしてＰＡＮＡＣ社製ＥＴ３８Ｔ２５を用いてシリカゲルを除去した基板を用いて形成されたデバイスである。測定された接触角θは、粘着ローラーのみで３．４°、粘着ローラーと粘着シートの組み合わせで２．９°であった。
・基板Ｎｏ．５は、粘着ローラーとしてａｕｄｉｏ−ｔｅｃｈｎｉｃａ社製ＨＣ−７１５ＦＥ、粘着シートとしてＰＡＮＡＣ社製ＥＴ３８Ｔ２５を用いてシリカゲルを除去した基板を用いて形成されたデバイスである。測定された接触角θは、粘着ローラーのみで５５．６°、粘着ローラーと粘着シートの組み合わせで２．９°であった。
・基板Ｎｏ．６は、粘着ローラーとしてａｕｄｉｏ−ｔｅｃｈｎｉｃａ社製ＨＣ−７１５／３０、粘着シートとしてＰＡＮＡＣ社製ＥＴ３８Ｔ２５を用いてシリカゲルを除去した基板を用いて形成されたデバイスである。測定された接触角θは、粘着ローラーのみで７．１°、粘着ローラーと粘着シートの組み合わせで２．９°であった。
・基板Ｎｏ．７は、粘着ローラーとしてａｕｄｉｏ−ｔｅｃｈｎｉｃａ社製ＨＣ−７１５／１１０、粘着シートとしてＰＡＮＡＣ社製ＥＴ３８Ｔ２５を用いてシリカゲルを除去した基板を用いて形成されたデバイスである。測定された接触角θは、粘着ローラーのみで５．５°、粘着ローラーと粘着シートの組み合わせで２．９°であった。
・基板Ｎｏ．８は、粘着ローラーとしてａｕｄｉｏ−ｔｅｃｈｎｉｃａ社製ＨＣ−７１５／４５０、粘着シートとしてＰＡＮＡＣ社製ＥＴ３８Ｔ２５を用いてシリカゲルを除去した基板を用いて形成されたデバイスである。測定された接触角θは、粘着ローラーのみで３．３°、粘着ローラーと粘着シートの組み合わせで２．９°であった。
・基板Ｎｏ．９は、シリカゲルの散布を行わない状態で、粘着ローラーとしてオサダコーポレーション社製ＤＣＨ−６ＨＬＳによる異物の除去を行った基板を用いて形成されたデバイスである。測定された接触角θは、３．４°であった。

図２８は、図２７の基板Ｎｏ．１〜基板Ｎｏ．９のリーク電流を測定した結果のグラフである。横軸が電圧（Voltage）[Ｖ]であり、縦軸が電流密度（current density）[ｍＡ／ｃｍ^２]である。

・「Ref#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．１を示している。
・「シリカゲル散布のみ#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．２を示している。
・「ローラーDCH-6H2LS+シートET38T25#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．３を示している。
・「ローラーDCH-6HLS+シートET38T25#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．４を示している。
・「ローラーHC-715FE+シートET38T25#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．５を示している。
・「ローラーHC-715/30+シートET38T25#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．６を示している。
・「ローラーHC-715/110+シートET38T25#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．７を示している。
・「ローラーHC-715/450+シートET38T25#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．８を示している。
・「シリカゲル散布なし+ローラーDCH-6HLS#1(Avg.)」は、基板Ｎｏ．９を示している。
リーク電流の測定は、４回（ｎ＝４）行った。図２８は、その平均をグラフにしたものである。

この実験の結果、粘着体がフッ素系ゴムであるＨＣ−７１５ＦＥ（基板Ｎｏ．５）、ブチル系合成ゴムであるＨＣ−７１５／３０（基板Ｎｏ．６）及びＨＣ−７１５／１１０（基板Ｎｏ．７）は、リファレンスである基板Ｎｏ．１よりリーク電流が高い値となった。

図２９（ａ）は、Ｉ−Ｖ特性を測定した結果を示すグラフであり、横軸が電圧[Ｖ]であり、縦軸が電流密度[ｍＡ／ｃｍ^２]である。図２９（ｂ）は、Ｌ−Ｉ特性を測定した結果を示すグラフであり、横軸が電流密度[ｍＡ／ｃｍ^２]であり、縦軸が輝度[ｃｄ／ｍ^２]である。図３０（ａ）は、ＥＱＥ−Ｌ特性を測定した結果を示すグラフであり、横軸が輝度[ｃｄ／ｍ^２]であり、縦軸が外部量子収率[％]である。図３０（ｂ）は、ＰＥ−Ｌ特性を測定した結果を示すグラフであり、横軸が輝度[ｃｄ／ｍ^２]であり、縦軸が電力効率[ｌｍ／Ｗ]である。

・「Ref Avg.」は、基板Ｎｏ．１を示している。
・「2〜25μm粒散布のみ Avg.」は、基板Ｎｏ．２を示している。
・「ローラーDCH-6H2LS+シートET38T25 Avg.」は、基板Ｎｏ．３を示している。
・「ローラーDCH-6HLS+シートET38T25 Avg.」は、基板Ｎｏ．４を示している。
・「ローラーHC-715FE+シートET38T25 Avg.」は、基板Ｎｏ．５を示している。
・「ローラーHC-715/30+シートET38T25 Avg.」は、基板Ｎｏ．６を示している。
・「ローラーHC-715/110+シートET38T25 Avg.」は、基板Ｎｏ．７を示している。
・「ローラーHC-715/450+シートET38T25 Avg.」は、基板Ｎｏ．８を示している。
・「2〜25μm粒散布なし/ローラーDCH-6HLS Avg.」は、基板Ｎｏ．９を示している。
なおこれらのグラフは、２回（ｎ＝２）行った測定を平均してグラフ化されている。

少なくとも粘着ローラーを用いてシリカゲルなどの異物が除去されたデバイスは、図２９（ａ）〜図３０（ｂ）に示すように、リファレンス（正常なデバイス）とほぼ同等の特性が得られた。

つまり少なくとも粘着ローラーを使用して異物の除去がなされた状態で形成された有機ＥＬ素子は、リファレンスと同様の挙動が確認され、異物の除去が有機ＥＬ素子の作成において負の影響がないことが分かった。

図３１（ａ）〜図３１（ｆ）は、基板Ｎｏ．３〜基板Ｎｏ．８の点灯時の写真である。図３１（ａ）〜図３１（ｆ）のデバイスの横方向の幅は、２ｎｍである。

この図３１（ａ）〜図３１（ｆ）に示すように、粘着体がフッ素系ゴムであるＨＣ−７１５ＦＥ（基板Ｎｏ．５）、ブチル系合成ゴムであるＨＣ−７１５／３０（基板Ｎｏ．６）及びＨＣ−７１５／１１０（基板Ｎｏ．７）は、点灯時にダークスポットが他のものと比べて多くみられる。以上より、粘着ローラーの粘着体は、シリコーンが好ましい。

（ｅ）まとめ
実施例２では、粘着ローラーを単独で使用しても異物の除去能力が高いことが分かった。しかし粘着体がフッ素系ゴムの場合、ＵＶＯ洗浄を行っても接触角θが下がらないことが分かった。一方粘着体がシリコーンゴム（粘着パッドの粘着体：アクリル系）の場合、ＵＶＯ洗浄によって接触角θが下がることが分かった。

実施例２では、ロール状の粘着体を用いて異物を除去した後、さらにシート状の粘着体を用いて異物を除去することにより異物の除去能力がさらに高まることが分かった。このロール状とシート状の粘着体の組み合わせは、ロール状の粘着体がシリコーン系であり、シート状の粘着体がアクリル系である組み合わせが良いことが分かった。この組み合わせの異物の除去は、ＵＶＯ洗浄後の接触角θが小さいと共にリーク電流が低く、さらに点灯時のダークスポットや発光ムラが少ない結果となった。またこの組み合わせで異物を除去したデバイスは、ＩＶＬ特性などが異物を散布していないリファレンスと同等であり、異物の除去が素子性能に負の影響を与えていないことが分かった。

[実施例３]
実施例３では、透明電極上に形成された塗布膜の膜厚とその膜厚で覆うことができる異物の粒径の関係について説明する。図３２（ａ）は、有機ＥＬ素子の基本構成の一例を説明する概略図である。図３２（ｂ）は、散布したシリカゲルの粒径とリーク電流の関係を示す図である。図３２（ｂ）は、横軸が散布したシリカゲル９ａの粒径（μｍ）であり、縦軸がリーク電流（μＡ）である。本実施例におけるＨＩＬの膜厚は、９０ｎｍである。図中の（×）と（＋）は、ＨＩＬの膜厚を９０ｎｍとして作成した２つの有機ＥＬ素子を示している。

図３２（ａ）に示す有機ＥＬ素子１ｂは、基板２ｂと、透明電極３ｃと、有機発光層５ｂと、上部電極６ｂと、を備えて概略構成されている。この有機発光層５ｂは、例えば、透明電極３ｃ側から塗布膜としての正孔注入層（ＨＩＬ５０）、正孔輸送層（ＨＴＬ５１）、発光層（ＥＭＬ５２）、電子輸送層（ＥＴＬ５３）及び電子注入層（ＥＩＬ５４）が積層されて形成されている。本実施例では、アミン系ポリマートルエン溶液を用いてＨＩＬ５０を形成した。なお塗布膜は、ＨＩＬ５０に限定されず、有機発光層５ｂの構造によって他の膜であっても良い。実施例３では、塗布によって形成した。

図３２（ｂ）に示すように、リーク電流は、シリカゲル９ａの粒径が３μｍを超えると増加している。そこでＨＩＬ５０の膜厚とその膜厚で覆うことができる異物の粒径を調べるため、粒径が１μｍと５μｍとなるシリカゲル９ａを散布した後、透明電極３ｃ、ＨＩＬ５０及びその断面ＳＥＭ観察を行った。

なお収束イオンビーム（ＦＩＢ）を使用して切断するにあたり、保護のため、ＨＩＬ５０上にＦＩＢ用の保護膜７を作成した。

図３３（ａ）〜図３３（ｄ）は、基板の断面写真である。図３３（ａ）は、シリカゲル９ａの粒径がφ１μｍであり、ＨＩＬ５０の膜厚が９０ｎｍである場合の断面写真である。図３３（ｂ）は、図３３（ａ）におけるシリカゲル９ａの周辺の拡大図である。図３３（ｃ）は、シリカゲル９ａの粒径がφ５μｍであり、ＨＩＬ５０の膜厚が９０ｎｍである場合の断面写真である。図３３（ｄ）は、図３３（ｃ）におけるシリカゲル９ａの周辺の拡大図である。

図３３（ｃ）及び図３３（ｄ）に示すように、散布されたシリカゲル９ａの粒径がφ５μｍの場合、ＨＩＬ５０は、シリカゲル９ａの周辺で切れて透明電極３ｃが露出している。従ってシリカゲル９ａの粒径がφ５μｍの場合、膜厚が９０ｎｍでは、例えば、図８（ｂ）に示すように、異物を塗布膜で覆うことができないので、シリカゲルが散布されないリファレンスに比べて、リーク電流が高い値となる。

一方図３３（ａ）及び図３３（ｂ）に示すように、散布されたシリカゲル９ａの粒径がφ１μｍの場合、ＨＩＬ５０は、シリカゲル９ａの周辺で切れずに繋がり、透明電極３ｃが露出しない。従ってシリカゲル９ａの粒径がφ１μｍの場合、膜厚が９０ｎｍでは、例えば、図８（ａ）に示すように、異物を塗布膜で覆うことができているので、シリカゲルが散布されないリファレンスに比べて、リーク電流が低い値となる。

以上より、塗布膜の膜厚は、シリカゲル９ａの粒径の１０倍以上であれば良いことが分かる。つまり塗布膜の膜厚は、想定される異物の粒径の１０倍以上であれば良い。例えば、想定される異物の平均粒径が０．６〜１．２μｍである場合、塗布膜の膜厚は、６０〜１２０ｎｍとなる。

実施例３では、異物を除去した後、透明電極上に塗布膜を生成することで異物を覆ってリーク電流を低い値とすることができることが分かった。また実施例３では、塗布膜の膜厚が想定される異物の粒径（平均粒径）の１０倍以上の膜厚であれば良いことが分かった。

上述の実施の形態、実施例１〜実施例３に記載の有機ＥＬ素子の製造方法によって製造された有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ装置は、異物と異物の除去とに起因するダークスポットや発光ムラの発生が抑制される。この有機ＥＬ装置は、例えば、有機ＥＬ照明、有機ＥＬ表示器、車両用照明装置などに使用されると共に、これらを用いた車両用表示器、車両用インターフェース機器などに広く適用可能である。

以上、本発明の実施の形態、及び実施例１〜実施例３について説明したが、この実施の形態、及び実施例１〜実施例３は、一例に過ぎず、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。この新規な実施の形態、及び実施例１〜実施例３は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。また、この実施の形態、及び実施例１〜実施例３の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない。さらに、この実施の形態、及び実施例１〜実施例３は、発明の範囲及び要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１，１ａ，１ｂ…有機ＥＬ素子、２…フィルム基材、２ａ，２ｂ…基板、３，３ａ，３ｃ…透明電極、３ｂ…ガラス部、４，４ａ…粘着シート、４ｂ…粘着ローラー、５，５ａ，５ｂ…有機発光層、６，６ａ，６ｂ…上部電極、７…保護膜、８…電磁波、９…異物、９ａ…シリカゲル、１０…水、３０…表面、４０，４０ａ…基体、４０ｂ…芯材、４１，４１ａ，４１ｂ…粘着体、４５…取手、４６…ホルダ、４７…回転中心、９０…気体、４１０…残渣

Claims (12)

1. 透明電極が形成された基材を準備し、
   前記透明電極上に粘着体を貼り付け、
   貼り付けた前記粘着体を前記透明電極から剥がすことによって前記透明電極に付着した異物を除去する、
   有機ＥＬ素子の製造方法。
2. 前記粘着体がロール状及びシート状の少なくとも一方である、
   請求項１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
3. 前記粘着体がアクリル系である、
   請求項１又は２に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
4. 前記粘着体の厚みが７μｍ以上である、
   請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
5. ロール状の前記粘着体を用いて前記異物を除去した後、さらにシート状の前記粘着体を用いて前記異物を除去する、
   請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
6. 前記ロール状の前記粘着体がシリコーン系であり、前記シート状の前記粘着体がアクリル系である、
   請求項５に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
7. 前記異物を除去した後、電磁波を照射することによって前記透明電極上に残った前記粘着体を除去する、
   請求項１乃至６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
8. 積算光量が１８０ｍＪ／ｃｍ^２となる前記電磁波を照射する、
   請求項７に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
9. 前記異物を除去した後、前記透明電極上に塗布膜を生成する、
   請求項１乃至８のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
10. 前記塗布膜の膜厚が想定される前記異物の粒径の１０倍以上である、
    請求項９に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
11. 前記基材がフィルム基材である、
    請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
12. 請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法を用いて製造された有機ＥＬ装置。