JP2020109958A - セラミック基板を有するバルク弾性波共振器 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 410
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 113
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 206
- 239000011029 spinel Substances 0.000 claims abstract description 206
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims abstract description 114
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 49
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 19
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 12
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 45
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 20
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 7
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N molybdenum(IV) oxide Inorganic materials O=[Mo]=O QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(IV) oxide Inorganic materials O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000019687 Lamb Nutrition 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- UAMZXLIURMNTHD-UHFFFAOYSA-N dialuminum;magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Mg+2].[Al+3].[Al+3] UAMZXLIURMNTHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- -1 magnesium aluminate Chemical class 0.000 description 2
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 2
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000036039 immunity Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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Abstract
【課題】所望の無線周波数特性を有し、製造プロセスを単純化することができるバルク弾性波共振器を含む弾性波コンポーネントを提供する。【解決手段】弾性表面波デバイスの断面500において、バルク弾性波共振器160及び弾性表面波デバイス520を含む。バルク弾性波共振器160は、スピネル基板302の第1部分501と、当該スピネル基板302上に配置された第1圧電層150と、第1圧電層150の対向側に配置された電極とを含む。弾性表面波デバイス520は、スピネル基板302の第2部分502と、スピネル基板302上に配置された第2圧電層521と、第2圧電層521上のインターディジタルトランスデューサ電極522とを含む。【選択図】図6A
Description
優先権出願の相互参照
本願は、「スピネル基板を有するバルク弾性波共振器」との名称の2018年12月28日に出願された米国仮特許出願第62/785,906号、及び「共通スピネル基板を有する弾性波共振器」との名称の2018年12月28日に出願された米国仮特許出願第62/785,958号の優先権の利益を主張し、これらの開示はそれぞれ、全体がここに参照により組み入れられる。
本願は、「スピネル基板を有するバルク弾性波共振器」との名称の2018年12月28日に出願された米国仮特許出願第62/785,906号、及び「共通スピネル基板を有する弾性波共振器」との名称の2018年12月28日に出願された米国仮特許出願第62/785,958号の優先権の利益を主張し、これらの開示はそれぞれ、全体がここに参照により組み入れられる。
本開示の実施形態は弾性波デバイス、例えばバルク弾性波デバイスに関する。
無線周波数電子システムには弾性波フィルタを実装することができる。例えば、携帯電話機の無線周波数フロントエンドにおけるフィルタは、一つ以上の弾性波フィルタを含み得る。複数の弾性波フィルタを、マルチプレクサとして配列することができる。例えば、2つの弾性波フィルタをデュプレクサとして配列することができる。
弾性波フィルタは、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列された複数の共振器を含み得る。複数例の弾性波フィルタには、弾性表面波(SAW)フィルタ及びバルク弾性波(BAW)フィルタが含まれる。複数例のBAW共振器が、薄膜バルク弾性波共振器(FBAR)及びソリッドマウント共振器(SMR)を含む。BAWフィルタにおいて、弾性波は、圧電層のバルクの中を伝播する。SAWフィルタは、圧電基板上にインターディジタルトランスデューサ電極を含み、インターディジタルトランスデューサ電極が配置された圧電層の表面上で弾性表面波を生成することができる。
特許請求の範囲に記載のイノベーションはそれぞれが、いくつかの側面を有し、その単独の一つのみが、その所望の属性に対して関与するわけではない。ここで、特許請求の範囲を制限することなく、本開示のいくつかの卓越した特徴の概要が記載される。
一側面において、バルク弾性波共振器が開示される。バルク弾性波共振器は、セラミック基板と、当該セラミック基板上に配置された圧電層と、当該圧電層の対向側に配置された第1電極及び第2電極とを含む。バルク弾性波共振器はまた、第1パッシベーション層及び第2パッシベーション層を含むパッシベーション層も含む。第1パッシベーション層は、セラミック基板と第1電極との間に配置される。第2電極は、圧電層と第2パッシベーション層との間に配置される。バルク弾性波共振器はさらに、当該バルク弾性波共振器のアクティブ領域のエッジに沿ったフレーム構造物を含む。
一実施形態において、セラミック基板はスピネル基板である。
一実施形態において、バルク弾性波共振器はさらに、セラミック基板と第1電極との間に配置されたエアキャビティを含む。エアキャビティは、圧電層に最も近いセラミック基板の表面の上に配置することができる。エアキャビティは、セラミック基板の表面に対して鋭角を有するように形成される。
一実施形態において、バルク弾性波共振器は薄膜バルク弾性波共振器である。
一実施形態において、バルク弾性波共振器はさらに、セラミック基板と第1電極との間に配置された音響ミラーを含む。
一実施形態において、バルク弾性波共振器はさらにフレーム構造物の下にあるセラミック基板の2つの側に配置された音響ミラーを含む。
一実施形態において、フレーム構造は、ルテニウム、モリブデン、タングステン、イリジウム、白金、クロム、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム又は二酸化ケイ素の少なくとも一つを含む。
一実施形態において、第1パッシベーション層は、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素の少なくとも一つを含む。
一実施形態において、セラミック基板は、圧電層の中心部分に面する平坦化された表面を含む。
一実施形態において、セラミック基板は多結晶セラミック基板である。
一実施形態において、第2電極の少なくとも一部分が、第1電極とは異なる厚さを有する。第2電極は、2つの異なる厚さを含み得る。
一実施形態において、フレーム構造物は隆起フレーム構造物を含む。
一実施形態において、フレーム構造物は、隆起フレーム構造物及び陥凹フレーム構造物を含む。
一実施形態において、フレーム構造物は、第1隆起フレーム層、及び第1電極と圧電層との間に配置された第2隆起フレーム層を含む。
一実施形態において、フレーム構造物は隆起フレーム構造物を含む。
一実施形態において、フレーム構造物は、隆起フレーム構造物及び陥凹フレーム構造物を含む。
一実施形態において、フレーム構造物は、第1隆起フレーム層、及び第1電極と圧電層との間に配置された第2隆起フレーム層を含む。
一側面において、弾性波フィルタが開示される。弾性波フィルタはバルク弾性波共振器を含む。バルク弾性波共振器は、セラミック基板上に配置された圧電層を含み、第1電極及び第2電極が当該圧電層の対向側に配置され、第1パッシベーション層が当該セラミック基板と第1電極との間に配置され、第2パッシベーション層が、第2電極が当該圧電層と第2パッシベーション層との間に配置されるように配置され、フレーム構造物が当該バルク弾性波共振器のアクティブ領域のエッジに沿っている。弾性波フィルタはまた、複数の弾性波共振器も含む。バルク弾性波共振器と複数の弾性波共振器とは、無線周波数信号をフィルタリングするべく一緒に配列される。
一実施形態において、セラミック基板はスピネル基板である。
一実施形態において、無線周波数信号は、5ギガヘルツから10ギガヘルツの範囲にある周波数を有する。
一実施形態において、無線周波数信号は、5ギガヘルツから10ギガヘルツの範囲にある周波数を有する。
一つの側面において、パッケージ状モジュールが開示される。パッケージ状モジュールは、パッケージ基板と、当該パッケージ基板上に配置された弾性波フィルタとを含む。弾性波フィルタは、無線周波数信号をフィルタリングするべく構成される。弾性波フィルタはバルク弾性波共振器を含む。バルク弾性波共振器は、セラミック基板と、当該バルク弾性波共振器のアクティブ領域の中間エリアの外側のフレーム構造物とを含む。パッケージ状モジュールはまた、パッケージ基板上に配置された無線周波数コンポーネントも含む。弾性波フィルタ及び無線周波数コンポーネントは、共通パッケージの中に封入される。
一実施形態において、セラミック基板はスピネル基板である。
一実施形態において、無線周波数コンポーネントは電力増幅器を含む。
一実施形態において、無線周波数コンポーネントは無線周波数スイッチを含む。
一実施形態において、パッケージ状モジュールはさらに、セラミック基板上の弾性表面波共振器を含む。
一側面において、弾性波コンポーネントが開示される。弾性波コンポーネントは、バルク弾性波共振器及び弾性表面波デバイスを含む。バルク弾性共振器は、セラミック基板の第1部分と、当該セラミック基板上に配置された第1圧電層と、第1圧電層の対向側に配置された電極とを含む。弾性表面波デバイスは、セラミック基板の第2部分と、当該セラミック基板上に配置された第2圧電層と、第2圧電層上に配置されたインターディジタルトランスデューサ電極とを含む。
一実施形態において、セラミック基板はスピネル基板である。
一実施形態において、バルク弾性波共振器は、当該バルク弾性波共振器のアクティブ領域のエッジに沿ったフレーム構造物を含む。
一実施形態において、バルク弾性波共振器は、セラミック基板と、当該セラミック基板に最も近い電極との間に配置されたパッシベーション層を含む。
一実施形態において、バルク弾性波共振器は薄膜バルク弾性波共振器である。
一実施形態において、バルク弾性波共振器は、セラミック基板と当該電極のうちの一方の電極との間にエアキャビティを含む。弾性表面波デバイスは、エアキャビティの中に配置され得る。
一実施形態において、バルク弾性波共振器は、弾性表面波デバイスから側方に配置される。
一実施形態において、弾性波コンポーネントはさらに、共通ノードにおいて互いに結合された受信フィルタ及び送信フィルタを含む。受信フィルタは弾性表面波デバイスを含み、送信フィルタはバルク弾性波共振器を含む。
一実施形態において、送信フィルタはさらに、セラミック基板の第3部分を含む他の弾性表面波デバイスを含む。送信フィルタはさらに、特定周波数において目標信号に対する逆位相信号を生成するべく構成されたループ回路を含み得る。ループ回路は、セラミック基板の第3部分を含む他の弾性表面波デバイスを含み得る。受信フィルタはさらに、特定周波数において目標信号に対する逆位相信号を生成するべく構成されたループ回路を含み得る。ループ回路は、セラミック基板の第3部分を含む他の弾性表面波共振器を含み得る。
一つの側面において、マルチプレクサが開示される。マルチプレクサは、バルク弾性波共振器を含む第1フィルタと、共通ノードにおいて第1フィルタに結合された第2フィルタとを含む。バルク弾性波共振器は、セラミック基板の第1部分と、当該セラミック基板上に配置された第1圧電層と、第1圧電層の対向側に配置された電極とを含む。第2フィルタは弾性表面波デバイスを含む。弾性表面波デバイスは、セラミック基板の第2部分と、当該セラミック基板上に配置された第2圧電層と、第2圧電層上に配置されたインターディジタルトランスデューサ電極とを含む。
一実施形態において、セラミック基板はスピネル基板である。
一側面において、弾性波コンポーネントが開示される。弾性波コンポーネントは、薄膜バルク弾性波共振器と、他タイプの弾性波共振器とを含む。薄膜バルク波共振器は、セラミック基板の第1部分と、当該セラミック基板上に配置された圧電層と、当該圧電層の対向側に配置された電極とを含む。他タイプの弾性波共振器は、セラミック基板の第2部分を含む。
一実施形態において、セラミック基板はスピネル基板である。
一実施形態において、他タイプの弾性波共振器は弾性表面波共振器である。
一実施形態において、他タイプの弾性波共振器はソリッドマウント共振器である。
一実施形態において、セラミック基板の第1部分は、当該セラミック基板の第2部分から側方に配置される。
一実施形態において、セラミック基板の第1部分は、当該セラミック基板の第2部分と実質的に重なる。
一側面において、弾性波コンポーネントが開示される。弾性波コンポーネントは、ガラス基板の第1部分と、当該ガラス基板上の第1圧電層と、当該第1圧電層の対向側の電極とを含むバルク弾性波共振器を含み、当該弾性波コンポーネントはまた、当該ガラス基板の第2部分と、当該ガラス基板上の第2圧電層と、当該第2圧電層上のインターディジタルトランスデューサ電極とを含む弾性表面波デバイスも含む。
一実施形態において、ガラス基板はケイ酸塩ガラス基板である。
一実施形態において、バルク弾性波共振器は、当該バルク弾性波共振器のアクティブ領域のエッジに沿ったフレーム構造物を含む。
一実施形態において、バルク弾性波共振器は、ガラス基板と、当該電極のうち当該ガラス基板に最も近い一電極との間にパッシベーション層を含む。
一実施形態において、バルク弾性波共振器は薄膜バルク弾性波共振器である。
一実施形態において、バルク弾性波共振器は、ガラス基板と当該電極のうちの一電極との間にエアキャビティを含む。弾性表面波デバイスは、エアキャビティの中に配置され得る。
一実施形態において、バルク弾性波共振器は、弾性表面波デバイスから側方に配置される。
一実施形態において、弾性波コンポーネントはさらに、共通ノードにおいて互いに結合された受信フィルタ及び送信フィルタを含む。受信フィルタは弾性表面波デバイスを含み、送信フィルタはバルク弾性波共振器を含む。送信フィルタはさらに、ガラス基板の第3部分を含む他の弾性表面波デバイスを含み得る。送信フィルタはさらに、特定周波数において目標信号に対する逆位相信号を生成するべく構成されたループ回路を含み得る。ループ回路は、ガラス基板の第3部分を含む他の弾性表面波デバイスを含み得る。受信フィルタはさらに、特定周波数において目標信号に対する逆位相信号を生成するべく構成されたループ回路を含み得る。ループ回路は、ガラス基板の第3部分を含む他の弾性表面波共振器を含み得る。
一つの側面において、マルチプレクサが開示される。マルチプレクサは、バルク弾性波共振器を含む第1フィルタを含む。バルク弾性波共振器は、ガラス基板の第1部分と、当該ガラス基板上の第1圧電層と、当該第1圧電層の対向側の電極とを含む。マルチプレクサはまた、共通ノードにおいて第1フィルタに結合された第2フィルタも含む。第2フィルタは弾性表面波デバイスを含む。弾性表面波デバイスは、ガラス基板の第2部分と、当該ガラス基板上の第2圧電層と、当該第2圧電層上のインターディジタルトランスデューサ電極とを含む。
一実施形態において、ガラス基板はケイ酸塩ガラス基板である。
一側面において、弾性波コンポーネントが開示される。弾性波コンポーネントは、薄膜バルク弾性波共振器を含む。薄膜バルク弾性波共振器は、ガラス基板の第1部分と、当該ガラス基板上の圧電層と、当該圧電層の対向側の電極とを含む。弾性波コンポーネントはまた、ガラス基板の第2部分を含む他タイプの弾性波共振器も含む。
一実施形態において、ガラス基板はケイ酸塩ガラス基板である。
一実施形態において、他タイプの弾性波共振器は弾性表面波共振器である。
一実施形態において、他タイプの弾性波共振器はソリッドマウント共振器である。
一実施形態において、ガラス基板の第1部分は、ガラス基板の第2部分から側方に配置される。
一実施形態において、ガラス基板の第1部分は、当該ガラス基板の第2部分と実質的に重なる。
一側面において、弾性波コンポーネントが開示される。弾性波コンポーネントは、ガラス基板の第1部分と、当該ガラス基板上の第1圧電層と、当該第1圧電層の対向側の電極とを含むバルク弾性波共振器を含み、当該弾性波コンポーネントはまた、当該ガラス基板の第2部分と、当該ガラス基板上の第2圧電層と、当該第2圧電層上のインターディジタルトランスデューサ電極とを含む弾性表面波デバイスも含む。
一実施形態において、ガラス基板はケイ酸塩ガラス基板である。
一実施形態において、バルク弾性波共振器は、当該バルク弾性波共振器のアクティブ領域のエッジに沿ったフレーム構造物を含む。
一実施形態において、バルク弾性波共振器は、ガラス基板と、当該電極のうち当該ガラス基板に最も近い一電極との間にパッシベーション層を含む。
一実施形態において、バルク弾性波共振器は薄膜バルク弾性波共振器である。
一実施形態において、バルク弾性波共振器は、ガラス基板と当該電極のうちの一電極との間にエアキャビティを含む。弾性表面波デバイスは、エアキャビティの中に配置され得る。
一実施形態において、バルク弾性波共振器は、弾性表面波デバイスから側方に配置される。
一実施形態において、弾性波コンポーネントはさらに、共通ノードにおいて互いに結合された受信フィルタ及び送信フィルタを含む。受信フィルタは弾性表面波デバイスを含み、送信フィルタはバルク弾性波共振器を含む。送信フィルタはさらに、ガラス基板の第3部分を含む他の弾性表面波デバイスを含み得る。送信フィルタはさらに、特定周波数において目標信号に対する逆位相信号を生成するべく構成されたループ回路を含み得る。ループ回路は、ガラス基板の第3部分を含む他の弾性表面波デバイスを含み得る。受信フィルタはさらに、特定周波数において目標信号に対する逆位相信号を生成するべく構成されたループ回路を含み得る。ループ回路は、ガラス基板の第3部分を含む他の弾性表面波共振器を含み得る。
一つの側面において、マルチプレクサが開示される。マルチプレクサは、バルク弾性波共振器を含む第1フィルタを含む。バルク弾性波共振器は、ガラス基板の第1部分と、当該ガラス基板上の第1圧電層と、当該第1圧電層の対向側の電極とを含む。マルチプレクサはまた、共通ノードにおいて第1フィルタに結合された第2フィルタも含む。第2フィルタは弾性表面波デバイスを含む。弾性表面波デバイスは、ガラス基板の第2部分と、当該ガラス基板上の第2圧電層と、当該第2圧電層上のインターディジタルトランスデューサ電極とを含む。
一実施形態において、ガラス基板はケイ酸塩ガラス基板である。
一側面において、弾性波コンポーネントが開示される。弾性波コンポーネントは、薄膜バルク弾性波共振器を含む。薄膜バルク弾性波共振器は、ガラス基板の第1部分と、当該ガラス基板上の圧電層と、当該圧電層の対向側の電極とを含む。弾性波コンポーネントはまた、ガラス基板の第2部分を含む他タイプの弾性波共振器も含む。
一実施形態において、ガラス基板はケイ酸塩ガラス基板である。
一実施形態において、他タイプの弾性波共振器は弾性表面波共振器である。
一実施形態において、他タイプの弾性波共振器はソリッドマウント共振器である。
一実施形態において、ガラス基板の第1部分は、ガラス基板の第2部分から側方に配置される。
一実施形態において、ガラス基板の第1部分は、当該ガラス基板の第2部分と実質的に重なる。
一側面において、バルク弾性波共振器が開示される。バルク弾性波共振器は、スピネル基板と、当該スピネル基板上の圧電層と、当該圧電層の対向側の第1電極及び第2電極と、第1パッシベーション層及び第2パッシベーション層を含むパッシベーション層と、当該バルク弾性波共振器のアクティブ領域のエッジに沿ったフレーム構造物とを含む。第1パッシベーション層は、スピネル基板と第1電極との間に配置される。第2電極は、圧電層と第2パッシベーション層との間に配置される。
一実施形態において、バルク弾性波共振器はさらに、スピネル基板と第1電極との間に配置されたエアキャビティを含む。エアキャビティは、圧電層に最も近いスピネル層の表面の上に配置され得る。エアキャビティは、スピネル基板の表面に対して鋭角を有するように形成することができる。
一実施形態において、バルク弾性波共振器は薄膜バルク弾性波共振器である。
一実施形態において、バルク弾性波共振器はさらに、スピネル基板と第1電極との間に配置された音響ミラーを含む。
一実施形態において、バルク弾性波共振器はさらに、フレーム構造物の下にあるスピネル基板の2つの側に配置された音響ミラーを含む。
一実施形態においてフレーム構造物は、ルテニウム、モリブデン又は二酸化ケイ素の少なくとも一つを含む。
一実施形態において、第1パッシベーション層は二酸化ケイ素を含む。
一実施形態において、スピネル基板は、圧電層の中心部分に面する平坦化された表面を含む。
一実施形態において、スピネル基板は多結晶スピネル基板である。
一実施形態において、第2電極の少なくとも一部分が、第1電極とは異なる厚さを有する。第2電極は、2つの異なる厚さを含み得る。
一実施形態において、弾性波フィルタが開示される。弾性波フィルタは、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列された弾性波共振器を含み得る。弾性波共振器は、上記実施形態のいずれかのバルク弾性波共振器を含み得る。弾性波フィルタと、付加回路と、当該弾性表面波フィルタ及び付加回路を封入するパッケージとを含むフロントエンドモジュールが開示される。付加回路は、多投無線周波数スイッチを含み得る。付加回路は、電力増幅器を含み得る。アンテナ及び弾性波フィルタを含む無線通信デバイスが開示される。弾性波フィルタは、アンテナに関連付けられた無線周波数信号をフィルタリングするべく配列することができる。
一側面において、バルク弾性波共振器を製造する方法が開示される。方法は、スピネル基板の上に犠牲層を堆積させることと、当該犠牲層の上にバルク弾性波共振器の第1電極を形成することとを含む。方法はまた、第1電極の上に圧電層とバルク弾性波共振器の第2電極とを、当該圧電層が第1電極と第2電極との間に配置されるように形成することも含む。方法はさらに、エアギャップを形成するべく、第1電極及び圧電層とスピネル基板との間の犠牲層の犠牲材料を除去することを含む。
一実施形態において、バルク弾性波共振器はさらに、堆積させることに先立ってスピネル基板の表面を平滑化することを含む。
一実施形態において、バルク弾性波共振器はさらに、堆積させることに先立ってスピネル基板の表面上で化学機械研磨を行うことを含む。
一実施形態において、第1電極を形成することは、第1電極がパッシベーション層に物理的に接触するように行われる。
一実施形態において、バルク弾性波共振器はさらに、第2電極の上にパッシベーション層を堆積させることを含む。
一実施形態において、バルク弾性波共振器は薄膜バルク弾性波共振器である。
一実施形態において、犠牲層は、スピネル基板の上に直接堆積される。
方法はさらに、バルク弾性波共振器のフレーム構造物を形成することを含み得る。
一つの側面において、パッケージ状モジュールが開示される。パッケージ状モジュールは、パッケージ基板と、当該パッケージ基板上の配置された弾性波フィルタとを含む。弾性波フィルタは、無線周波数信号をフィルタリングするべく構成される。弾性波フィルタはバルク弾性波共振器を含む。バルク弾性波共振器は、スピネル基板と、当該バルク弾性波共振器のアクティブ領域の中間エリアの外側のフレーム構造物とを含む。パッケージ状モジュールはまた、パッケージ基板上に配置された無線周波数コンポーネントも含む。弾性波フィルタ及び無線周波数コンポーネントは、共通パッケージの中に封入される。
一実施形態において、無線周波数コンポーネントは電力増幅器を含む。
一実施形態において、無線周波数コンポーネントは無線周波数スイッチを含む。
一実施形態において、パッケージ状モジュールはさらに、スピネル基板上の弾性表面波共振器を含む。
一実施形態において、バルク弾性波共振器はさらに、上記特徴のうち任意の適切な一つ以上を含む。
一側面において、バルク弾性波共振器が開示される。バルク弾性波共振器は、スピネル基板と、当該スピネル基板上の圧電層と、当該圧電層の対向側の第1電極及び第2電極と、第1パッシベーション層及び第2パッシベーション層を含むパッシベーション層とを含み得る。第1パッシベーション層は、スピネル基板と第1電極との間に配置される。第2電極は、圧電層と第2パッシベーション層との間に配置される。バルク弾性波共振器はまた、当該バルク弾性波共振器のアクティブ領域のエッジに沿ったフレーム構造物を含む。
一実施形態において、バルク弾性波共振器はさらに、スピネル基板と第1電極との間に配置されたエアキャビティを含む。エアキャビティは、圧電層に最も近いスピネル層の表面の上に存在し得る。
一実施形態において、エアキャビティは、スピネル基板の表面に対して鋭角を有するように形成される。
一実施形態において、バルク弾性波共振器は薄膜バルク弾性波共振器である。
一実施形態において、バルク弾性波共振器はさらに、スピネル基板と第1電極との間に配置された音響ミラーを含む。
一実施形態において、バルク弾性波共振器はさらに、フレーム構造物の下にあるスピネル基板の2つの側に配置された音響ミラーを含む。
一実施形態においてフレーム構造物は、ルテニウム、モリブデン又は二酸化ケイ素の少なくとも一つを含む。
一実施形態において、第1パッシベーション層は二酸化ケイ素を含む。
一実施形態において、スピネル基板は、圧電層の中心部分に面する平坦化された表面を含む。
一実施形態において、スピネル基板は多結晶スピネル基板である。
一実施形態において、第2電極の少なくとも一部分が、第1電極とは異なる厚さを有する。
一実施形態において、第2電極は、2つの異なる厚さを含む。
一実施形態において、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列された弾性波共振器を含む弾性波フィルタが開示される。弾性波共振器は、上記実施形態のいずれかのバルク弾性波共振器を含み得る。フロントエンドモジュールが、弾性波フィルタと、付加回路と、当該弾性表面波フィルタ及び付加回路を封入するパッケージとを含み得る。付加回路は、多投無線周波数スイッチを含み得る。付加回路は、電力増幅器を含み得る。一実施形態において、アンテナと、そして弾性波フィルタとを含む無線通信デバイスが開示される。弾性波フィルタは、アンテナに関連付けられた無線周波数信号をフィルタリングするべく配列することができる。
一側面において、バルク弾性波共振器を製造する方法が開示される。方法は、スピネル基板の上に犠牲層を堆積させることと、当該犠牲層の上に配置されるバルク弾性波共振器の第1電極を形成することと、当該第1電極の上に当該バルク弾性波共振器の圧電層及び第2電極を、当該圧電層が第1電極と第2電極との間に配置されるように形成することと、エアギャップを形成するべく、第1電極及び圧電層と当該スピネル基板との間に配置された当該犠牲層の犠牲材料を除去することとを含む。
一実施形態において、方法はさらに、堆積させることに先立ってスピネル基板の表面を平滑化することを含む。
一実施形態において、方法はさらに、堆積させることに先立ってスピネル基板の表面上で化学機械研磨を行うことを含む。
一実施形態において、第1電極を形成することは、第1電極がパッシベーション層に物理的に接触するように行われる。
一実施形態において、方法はさらに、第2電極の上にパッシベーション層を堆積させることを含む。
一実施形態において、バルク弾性波共振器は薄膜バルク弾性波共振器である。
一実施形態において、犠牲層は、スピネル基板の上に直接堆積される。
一実施形態において、方法はさらに、バルク弾性波共振器のフレーム構造物を含む。
一側面において、弾性波コンポーネントが開示される。弾性波コンポーネントは、バルク弾性波共振器及び弾性表面波共振器を含む。バルク弾性波共振器は、スピネル基板の第1部分と、当該スピネル基板上に配置された第1圧電層と、第1圧電層の対向側に配置された電極とを含む。弾性表面波共振器は、スピネル基板の第2部分と、当該スピネル基板上に配置された第2圧電層と、第2圧電層上に配置されたインターディジタルトランスデューサ電極とを含む。
一実施形態において、バルク弾性波共振器は、当該バルク弾性波共振器のアクティブ領域のエッジに沿ったフレーム構造物を含む。
一実施形態において、バルク弾性波共振器は、スピネル基板と、当該電極のうちの当該スピネル基板に最も近い一方の電極との間のパッシベーション層を含む。
一実施形態において、バルク弾性波共振器は薄膜バルク弾性波共振器である。
一実施形態において、バルク弾性波共振器は、スピネル基板と当該電極のうちの一方の電極との間にエアキャビティを含み、当該エアキャビティは、当該一電極に最も近いスピネル層の表面の上に存在する。
一実施形態において、弾性波コンポーネントはさらに、共通ノードにおいて互いに結合された受信フィルタ及び送信フィルタを含む。受信フィルタは弾性表面波共振器を含み、送信フィルタはバルク弾性波共振器を含み得る。
一実施形態において、送信フィルタはさらに、スピネル基板の第3部分を含む他の弾性表面波共振器を含む。
一実施形態において、送信フィルタはさらにループ回路を含む。ループ回路は、スピネル基板の第3部分を含む他の弾性表面波共振器を含み得る。
一実施形態において、受信フィルタはさらにループ回路を含む。ループ回路は、スピネル基板の第3部分を含む他の弾性表面波共振器を含み得る。
一実施形態において、バルク弾性波共振器はさらに、上記特徴のうち任意の適切な一つ以上を含む。
一側面において、弾性波コンポーネントが開示される。弾性波コンポーネントは、薄膜バルク弾性波共振器と、他タイプの弾性波共振器とを含む。薄膜バルク弾性波コンポーネントは、スピネル基板の第1部分と、当該スピネル基板上に配置された圧電層と、当該圧電層の対向側に配置された電極とを含む。他タイプの弾性波共振器は、スピネル基板の第2部分を含む。
一実施形態において、他タイプの弾性波共振器は弾性表面波共振器である。
一実施形態において、他タイプの弾性波共振器はソリッドマウント共振器である。
一実施形態において、弾性波コンポーネントはさらに、上記特徴の任意の適切な一つ以上を含む。
一つの側面において、マルチプレクサが開示される。マルチプレクサは、共通ノードに結合された受信フィルタと、当該共通ノードに結合された送信フィルタとを含む。受信フィルタは弾性表面波共振器を含む。弾性表面波共振器は、スピネル基板の第1部分を含む。送信フィルタはバルク弾性波共振器を含む。バルク弾性波共振器は、スピネル基板の第2部分を含む。
一実施形態において、マルチプレクサはデュプレクサである。
一実施形態において、バルク弾性波共振器はさらに、上記実施形態のうちの一つ以上の適切な特徴を含む。
一実施形態において、マルチプレクサはさらに、上記実施形態のうちの一つ以上の適切な特徴を含む。
一つの側面において、弾性波コンポーネントを製造する方法が開示される。方法は、バルク弾性波共振器をスピネル基板上に形成することと、異なるタイプの弾性波共振器を当該スピネル基板上に形成することとを含む。
一実施形態において、異なるタイプの共振器は弾性表面波共振器である。
一実施形態において、方法はさらに、バルク弾性波共振器と異なるタイプの共振器とを、これらが帯域通過フィルタに含まれるように電気的に接続することを含む。フィルタは送信フィルタであり、異なるタイプの弾性波共振器は、バルク弾性波共振器と送信フィルタの出力ポートとの間に結合される。
一側面において、パッケージ状モジュールが開示される。パッケージ状モジュールは、パッケージ基板と、当該パッケージ基板上の配置された弾性波フィルタとを含む。弾性波フィルタは、無線周波数信号をフィルタリングするべく構成される。弾性波フィルタはバルク弾性波共振器を含む。バルク弾性波共振器は、スピネル基板と、当該バルク弾性波共振器のアクティブ領域の中間エリアの外側のフレーム構造物とを含む。パッケージ状モジュールはまた、パッケージ基板上に配置された無線周波数コンポーネントも含む。弾性波フィルタ及び無線周波数コンポーネントは、共通パッケージの中に封入される。
一実施形態において、無線周波数コンポーネントは電力増幅器を含む。
一実施形態において、無線周波数コンポーネントは無線周波数スイッチを含む。
一実施形態において、パッケージ状モジュールはさらに、スピネル基板上の弾性表面波共振器を含む。
一実施形態において、バルク弾性波共振器はさらに、上記実施形態のうちの一つ以上の適切な特徴を含む。
本開示をまとめる目的で本イノベーションの所定の側面、利点及び新規な特徴が、ここに記載されてきた。理解されることだが、そのような利点の必ずしもすべてが、いずれかの特定の実施形態において達成されるというわけではない。よって、本イノベーションは、ここに教示される一つの利点又は一群の利点を、ここに教示又は示唆される他の利点を必ずしも達成することなく、達成又は最適化する態様で、具体化し又は実行することができる。
ここで、本開示の実施形態が、添付図面を参照する非限定的な例を介して記載される。
所定の実施形態の以下の詳細な説明は、特定の実施形態の様々な記載を表す。しかしながら、ここに記載のイノベーションは、例えば特許請求の範囲によって画定され及びカバーされる多数の異なる態様で具体化することができる。本記載において、同じ参照番号が同一の又は機能的に類似の要素を示し得る図面が参照される。理解されることだが、図面に示される要素は必ずしも縮尺どおりではない。さらに理解されることだが、所定の実施形態は、図面に示されるよりも多くの要素を含んでよく、及び/又は図面に示される要素の部分集合を含んでよい。さらに、いくつかの実施形態は、2つ以上の図面からの特徴のいずれかの適切な組み合わせを組み入れてよい。
様々なバルク弾性波(BAW)共振器がシリコンウェハ上に形成される。シリコンウェハが、無線周波数(RF)フィルタ製造のためのBAW共振器の基板として使用されるとき、相対的に高性能の共振器を実装するべく高抵抗率シリコン(HRS)を使用することができる。HRS基板は、基板へのエネルギー漏洩を阻止することができる。ウェハ上に作られるBAW構造と、BAW共振器の自由振動を許容するエアキャビティとを形成する場合、基板は、犠牲層等を除去する工程中に当該基板を保護するための二酸化ケイ素(SiO2)膜を使用することによって保護することができる。二酸化ケイ素膜を形成するべく、シリコン基板を酸化させる化学蒸着(CVD)及び/又は物理蒸着(PVD)のような堆積方法を使用することができる。かかるプロセスの間、電子及び正孔は、酸化物と基板との界面において帯電し得る。このような可動性の電子及び正孔は、HRSの抵抗の低減を引き起こし得る。これは、品質係数(Q)値及び/又はBAWフィルタ特性のようなBAW共振器の特性に悪影響を及ぼし得る。
BAW共振器を、酸化物とシリコンとの界面に生じる可動性の電子及び/又は正孔を回避するべく、シリコン界面に直接製造することができる。この場合、BAW構造を実現するべく独特なプロセス及び化学物質が使用され得る。代替的又は付加的に、可動性を低減及び/又は排除するべく酸化物とシリコンとの間にトラップ層を形成することができる。
本開示の側面は、スピネル基板上のBAW共振器に関する。スピネル基板は、多結晶スピネル基板となり得る。多結晶スピネル基板は、アルミン酸マグネシウム(MgAl2O4)スピネル基板となり得る。かかるBAW共振器は、良好なRF性能及び機械処理特性を有し得る。犠牲層を除去するガスは、スピネル基板を全くエッチングしないことがある。したがって、犠牲層をスピネル基板の上に直接形成することができる。こうして、スピネル基板上のBAW共振器は、所望のRF特性を与え、さらには製造プロセスを単純化することができる。
スピネル基板上のBAW共振器に関連付けられる一定数の利点が存在する。例えば、無線周波数に存在し得る正接損失が、相対的に低くなり得る。スピネル基板上のBAW共振器は、HRS基板上の同様のBAW共振器よりも良好な機械的強度をあたえることができる。スピネル基板上のBAW共振器は、ダイシングのようなプロセス中において良好な加工可能性を有し得る。スピネル基板上のBAW共振器は、他のBAW共振器において存在し得る結集した電子及び正孔を低減及び/又は排除することができる。スピネル基板上のBAW共振器は、酸素不純物の熱ドナーによる基板の抵抗率の低下を低減及び/又は排除することができる。さらに、BAW共振器と異なるタイプの弾性波共振器とを、共通スピネル基板上に実装することもできる。
スピネル基板は、セラミック基板の一例である。スピネル基板を含む実施形態の任意の適切な原理及び利点は、任意の適切なセラミック基板によって実装することができる。例えば、弾性波デバイス及び/又は弾性波コンポーネント及び/又は弾性波フィルタを、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従うセラミック基板とともに実装することができる。さらに、スピネル基板を含む実施形態の任意の適切な原理及び利点を、ガラス基板によって実装することができる。例えば、弾性波デバイス及び/又は弾性波コンポーネント及び/又は弾性波フィルタを、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従うガラス基板とともに実装することができる。
ここに開示される弾性波共振器は、弾性波フィルタに実装することができる。弾性波フィルタは、無線周波数帯域を通過させて当該無線周波数帯域の外側の周波数を減衰させるべく配列された帯域通過フィルタとしてよい。2つ以上の弾性波フィルタを、共通ノードにおいて一緒に結合してデュプレクサのようなマルチプレクサとして配列することができる。
弾性波フィルタは、携帯電話機のRFフロントエンドにおいてのような様々なアプリケーションにおいて、無線周波数(RF)信号をフィルタリングすることができる。弾性波フィルタには、弾性表面波(SAW)デバイス及び/又はBAWデバイスが実装され得る。SAWデバイスは、SAW共振器、SAW遅延線、及びマルチモードSAW(MMS)フィルタ(例えばダブルモードSAW(DMS)フィルタ)を含む。
図1A〜1Eは、一実施形態に係るスピネル基板上にバルク弾性波共振器を製造するプロセスを示す断面図の例である。BAW共振器は、例えば、帯域通過フィルタに含めることができる。
図1Aは、犠牲層104をスピネル基板102上に有するスピネル基板102の断面図である。スピネル基板102は、多結晶スピネル基板(例えばアルミン酸マグネシウム(MgAl2O4)多結晶スピネル基板)としてよい。スピネル基板102は、相対的に高い抵抗率を有し得る。一図示例において、スピネル基板102は、2つの異なる材料を組み合わせることによって形成することができる。例えば、スピネルは、アルミナとマグネシアとを一緒に組み合わせることによって形成され得る。いくつかの実施形態において、スピネル材料は、高純度粉末から形成され得る。粉末はその後、成形され、焼成され、加工され得る。例えば、スピネル基板102の、頂面及び底面のような一つ以上の表面を、化学機械研磨(CMP)を使用して平滑化及び/又は平坦化することができる。かかる平滑化及び/又は平坦化により、スピネル基板102は、1ナノメートル(nm)未満の表面粗さを有し得る。一例として、スピネル基板は、0.4nmの表面粗さ(Ra)を有するように形成することができる。他例として、3nm未満の表面粗さ、例えば2nm以下の表面粗さを達成するべく、機械研磨を使用することができる。例えば、スピネル基板102は、所定のアプリケーションにおいて、約0.1nmから2nmの範囲にある表面粗さを有する多結晶スピネル基板としてよい。機械研磨手順を使用して平坦化された表面は、当該表面がひとたび所定の仕様(例えば、表面粗さ、基板全体にわたる均一性、基板の長さ全体にわたる基板の十分に均一な厚さ等)に従って適切に研磨された場合に平坦化表面と称してよい。
スピネル基板102は、予め決められた範囲内の所定の材料特性を有するように形成してよい。例えば、スピネル基板102は、立方センチメートル当たり3.4から3.7グラムの範囲内の密度を有し得るので、密度は立方センチメートル当たり近似的に3.6グラムとなる。他例として、スピネル基板102は、概ね5.9ppm/Kの熱膨張係数、及び概ね18.0W/mKの熱伝導度を有し得る。
犠牲層104は、図示のようにスピネル基板102上に直接堆積させることができる。犠牲層104は、後の製造段階で除去することができる。例えば、以下に図1Eに関連して述べるように、犠牲層104を除去することにより、エアキャビティを形成することができる。犠牲層104は、アモルファスシリコン又はポリシリコンのような任意の適切な犠牲材料から形成することができる。犠牲層104は、スピネル基板102の少なくとも一部分に直接接触して形成し得る。犠牲層104は、スピネル基板102と、それぞれの少なくとも一つの表面に対して実質的に平行となり得る。
図1Aに示される構造は、BAW共振器、詳しくは、図1B〜1Eに関連して開示される薄膜バルク弾性波共振器(FBAR)の一部となる。SAW共振器、弾性境界波共振器、SMR、及び/又はラム波共振器のような他タイプの弾性波共振器もまた、スピネル基板102上に形成することができる。所定の実施形態において、スピネル基板は、実質的に均一の厚さとしてよい。いくつかの他実施形態において、スピネル基板は、様々な厚さとしてよい。例えば、スピネル基板が多数の弾性波フィルタの共通基板として使用される一実施形態において、様々な厚さが、当該スピネル基板上に形成される異なる弾性波フィルタの設置面積に対応してよい。
いくつかの実施形態(図1A〜1Eには示さず)において、スピネル基板102の上側部分をエッチングにより除去してよい。例えば、スピネル基板102は、キャビティが形成されるフィルタの設置面積の中心近くの一つ以上の部分においてエッチングされ得る。かかる実施形態において、犠牲層を、スピネル基板102の一つ以上のキャビティ内に堆積してよい。加えて、犠牲層104は、スピネル基板102の一つ以上のキャビティの上方に及び当該キャビティ内に形成してよい。いくつかの例において、犠牲層104は、層が異なる段階で除去され得るように異なる材料から形成してよい。例えば、一つの材料の犠牲層が、スピネル基板102の一つ以上のキャビティ内に形成される一方、他の材料の他の犠牲層104が、スピネル基板102の平坦面及び下に横たわる犠牲層の上方に形成されてよい。いくつかの実施形態において、犠牲層104は使用しなくてもよい。一例において、バルク弾性波共振器は、音響ミラーを有するソリッドマウント共振器(SMR)としてよい。所定のSMRを、犠牲層104なしで形成することができる。いくつかの他実施形態において、BAW−SMRデバイスにおける音響ミラーの上方又は下方にエアキャビティが形成され得るように、犠牲層104とともに音響ミラーを使用してよい。
図1Bは、犠牲材料が、パターン犠牲層122を形成するべくスピネル基板102の上にパターニングされ得ることを示す断面図である。図1Bに示されるように、犠牲層122はエッチングされて島パターンとなっている。島パターンは、図示のような角度付きエッジを有してよく、又は鋭いエッジを有してよい。例えば、一方又は双方の側における島パターンの傾斜の形成は、例えば、図示のように、スピネル基板102の頂面に対して90度の角度未満となるように制御することができる。パターン犠牲層122の島パターンは、図示のようにパッシベーション層126によって覆うことができる。
図1Cは、スピネル基板102及びパターン犠牲層122の上に配置された電極128を示す断面図である。電極128は、任意の適切な導電材料としてよい。図示のように、第1電極128は、パターン犠牲層122の一部分にわたって延びる。第1電極128は、一つ以上の角度付きエッジを有し得る。例えば、電極についての一つ以上のエッジの勾配は、スピネル基板102の平坦面に対してパターン犠牲層122が形成する勾配に近似するように形成され得る。層129が、電極128とスピネル基板102及びパターン犠牲層122の上面との間に配置され得る。層129は、電極128の全体又は少なくとも一部分に沿って延びるように形成され得る。いくつかの実施形態において、層129は、電極128を超えて延びて電極128と一定の重なりのみが存在するようにしてもよい。
図1Dは、第1電極128の上の圧電層150及び第2電極152を示す断面図である。圧電層150は、第1電極128と第2電極152との間に配置される。圧電層150は、窒化アルミニウム(AlN)層又は任意の他の適切な圧電層としてよい。バルク弾性波共振器のアクティブ領域又はアクティブドメインが、エアキャビティ144の上で第1電極128及び第2電極152双方と重なる圧電層150の部分によって画定され得る。図1Dに示される実施形態において、第1電極128及び第2電極152はそれぞれ、圧電層150のかなりの部分と重なる。
図1Eは、バルク弾性波共振器160の断面図である。図示のように、バルク弾性波共振器160は、圧電層150、第1電極128、第2電極152、フレーム構造物(例えば隆起フレーム構造物175)、スピネル基板102、エアキャビティ144、並びに第1層176及び第2層178を含む電気接続層を含む。層129は、例えば、上述したように第1電極128の下に含まれてよい。第1層176は、ルテニウム、モリブデン又は二酸化ケイ素の一つ以上を含み得る。第2層178は、チタン及び/又は銅を含み得る。図1B〜1Dからのパターン犠牲層122を除去して、図1Eに示されるエアキャビティ144を形成することができる。
図1Eのバルク弾性波共振器160はFBARである。エアキャビティ144は、第1電極128とスピネル基板102との間に含まれる。加えて、一つ以上のパッシベーション層を、第1電極128とスピネル基板102との間に含めてよい。例えば、パッシベーション層126は、図1Eにおいて第1電極128とスピネル基板102との間に配置される。パッシベーション層は、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素の少なくとも一つを含み得る。図示のエアキャビティ144は、少なくとも部分的に、第1電極128及びスピネル基板102の幾何学形状によって画定される。エアキャビティ144は、スピネル基板102上に堆積されたパターン犠牲層122を除去することによって形成され得る。
バルク弾性波共振器は、フレーム構造物を含み得る。フレーム構造物は、隆起フレーム構造物、陥凹フレーム構造物、又は隆起フレーム構造物及び陥凹フレーム構造物を含み得る。隆起フレーム構造を含むフレーム構造物の一例が図1E〜1Gに示される。隆起フレーム構造物及び陥凹フレーム構造物を含むフレーム構造物の一例が図1H〜1Jに示される。
バルク弾性波共振器は、フレーム構造物を含み得る。フレーム構造物は、隆起フレーム構造物、陥凹フレーム構造物、又は隆起フレーム構造物及び陥凹フレーム構造物を含み得る。隆起フレーム構造を含むフレーム構造物の一例が図1E〜1Gに示される。隆起フレーム構造物及び陥凹フレーム構造物を含むフレーム構造物の一例が図1H〜1Jに示される。
バルク弾性波共振器160は、アクティブ領域を含む。ここでは、第1電極128及び第2電極152が、スピネル基板102の上面に実質的に垂直な方向に重なる。図1Eのバルク弾性波共振器160は、バルク弾性波共振器160のアクティブ領域の周縁まわりに隆起フレームゾーンを含む。隆起フレームゾーンは、所定例において、境界リングと称してよい。隆起フレーム構造物175は、隆起フレームゾーンに存在する。隆起フレーム構造物175は、バルク弾性波デバイスのアクティブ領域の中間エリアに存在する。隆起フレーム構造物175は、隆起フレームゾーンに存在し、第1電極128及び第2電極152それぞれ、並びに圧電層150の上方に延びる。隆起フレーム構造物175は、ルテニウム、モリブデン、タングステン、イリジウム、白金、クロム、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム又は炭化ケイ素の少なくとも一つを含み得る。
隆起フレーム構造物175は、相対的に高密度の材料としてよい。例えば、第2隆起フレーム層24は、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、ルテニウム(Ru)等、又はこれらの任意の適切な合金を含んでよい。隆起フレーム構造物175は金属層としてよい。代替的に、隆起フレーム構造物175は、相対的に高密度の適切な非金属材料としてよい。隆起フレーム構造物175の密度は、第2電極152の密度と同様又はこれよりも重くてよい。隆起フレーム構造物175は、相対的に高い音響インピーダンスを有し得る。隆起フレーム構造物175は、横スプリアスモードを低減し得る。隆起フレーム構造物175は、バルク弾性波共振器160のアクティブドメインからの側方エネルギー漏洩を阻止することができる。これにより、バルク弾性波共振器160の品質係数(Q)を増加させることができる。隆起フレーム構造物175は、平面図で環状となり得る。いくつかの実施形態において、バルク弾性波共振器160は、2つの隆起フレームドメインを含み得る。
隆起フレーム構造物175は、相対的に高密度の材料としてよい。例えば、第2隆起フレーム層24は、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、ルテニウム(Ru)等、又はこれらの任意の適切な合金を含んでよい。隆起フレーム構造物175は金属層としてよい。代替的に、隆起フレーム構造物175は、相対的に高密度の適切な非金属材料としてよい。隆起フレーム構造物175の密度は、第2電極152の密度と同様又はこれよりも重くてよい。隆起フレーム構造物175は、相対的に高い音響インピーダンスを有し得る。隆起フレーム構造物175は、横スプリアスモードを低減し得る。隆起フレーム構造物175は、バルク弾性波共振器160のアクティブドメインからの側方エネルギー漏洩を阻止することができる。これにより、バルク弾性波共振器160の品質係数(Q)を増加させることができる。隆起フレーム構造物175は、平面図で環状となり得る。いくつかの実施形態において、バルク弾性波共振器160は、2つの隆起フレームドメインを含み得る。
一つ以上のパッシベーション層174を、第2電極152の上に含めてよい。例えば、二酸化ケイ素パッシベーション層を、第2電極152の上のパッシベーション層174として含めてよい。パッシベーション層174は、バルク弾性波共振器160の異なる領域に異なる厚さを有するように形成することができる。加えて、第1電極128及び/又は第2電極152は、バルク弾性波共振器160の異なる領域に異なる厚さを有するように形成してよい。例えば、図1Eに示されるように、第2電極152は、バルク弾性波共振器160の様々な部分において薄くされる。所定の実施形態において、バルク弾性波共振器160の第2電極152は、バルク弾性波共振器160の第1電極128とは異なる材料を含み得る。第2電極152は、異なる領域において異なる厚さを有する。
バルク弾性波共振器160は、相対的に高い共振周波数を有し得る。圧電層150の材料と圧電層150の厚さとの組み合わせが、共振周波数に影響し得る。圧電層150が薄くなるのに伴い、共振周波数は高くなる。相対的に高い共振周波数を達成するには、窒化アルミニウムが適切な材料となり得る。
ここに開示されるバルク弾性波共振器は、所望の電気特性(例えば所望のQ値)を備えて約13GHzまでの共振周波数を達成することができる材料と厚さとの組み合わせの圧電層150を有し得る。かかるBAW共振器は、セラミック基板、アルミン酸マグネシウムスピネル基板、又はガラス基板を有し得る。ここに開示のBAW共振器は、3.5GHzから13GHzの範囲にある動作帯域のフィルタ無線周波数信号をフィルタリングすることができる。例えば、窒化アルミニウムの圧電層150は、約5GHzの動作帯域の周波数信号をフィルタするべく約0.4μmの厚さを有し得る。例えば、窒化アルミニウムの圧電層150は、約10GHzの動作帯域の周波数信号をフィルタするべく約0.2μmの厚さを有し得る。例えば、圧電層150は、12GHzから13GHzの範囲にある動作帯域の周波数信号をフィルタするべく約0.1μmの厚さを有し得る。
ここに開示されるバルク弾性波共振器は、所望の電気特性(例えば所望のQ値)を備えて約13GHzまでの共振周波数を達成することができる材料と厚さとの組み合わせの圧電層150を有し得る。かかるBAW共振器は、セラミック基板、アルミン酸マグネシウムスピネル基板、又はガラス基板を有し得る。ここに開示のBAW共振器は、3.5GHzから13GHzの範囲にある動作帯域のフィルタ無線周波数信号をフィルタリングすることができる。例えば、窒化アルミニウムの圧電層150は、約5GHzの動作帯域の周波数信号をフィルタするべく約0.4μmの厚さを有し得る。例えば、窒化アルミニウムの圧電層150は、約10GHzの動作帯域の周波数信号をフィルタするべく約0.2μmの厚さを有し得る。例えば、圧電層150は、12GHzから13GHzの範囲にある動作帯域の周波数信号をフィルタするべく約0.1μmの厚さを有し得る。
図1A〜1EがFBAR製造の断面図を示すにもかかわらず、ここに開示される任意の適切な原理及び利点は、ソリッドマウント共振器(SMR)又はラム波共振器のような他の適切な弾性波共振器に適用することができる。
上述したように、バルク弾性波共振器160は、スピネル系基板102を含む。スピネル基板102は、異なる基板を使用することと比べて品質係数(Q)を改善することができる。
スピネル基板は、セラミック基板の一例である。図1Fは、バルク弾性波共振器161の断面図である。バルク弾性波共振器161は、図1Eに示されるバルク弾性波共振器160と一般に同様であるが、バルク弾性波共振器161が、バルク弾性波共振器160のスピネル基板102の代わりにセラミック基板103を含む点が異なる。セラミック基板103は、例えば、多結晶スピネル(例えばアルミン酸マグネシウムスピネルと称され得るMgAl2O4)、共焼成セラミック、サファイヤ(Al2O3)、炭化ケイ素(SiC)、又は多結晶窒化アルミニウム(AlN)を含み得る。セラミック基板130は、圧電層150の音響インピーダンスよりも高い音響インピーダンスを有し得る。Al2O3及びSiCのようないくつかのセラミック材料は、他の材料よりも良好な熱伝導度、電力取り扱い性、及び耐久性を有し得る。図1A〜1Eに示されるものと同様の製造プロセスを、図1Fに示されるバルク波共振器161の製造に適用することができる。さらに、スピネル基板を含むここに開示のデバイス、コンポーネント及びフィルタの任意の適切な原理及び利点を、セラミック基板を含むデバイス、コンポーネント及びフィルタに適用することができる。
図1Gは、バルク弾性波共振器162の断面図である。バルク弾性波共振器162は、図1E及び1Fに示されるバルク弾性波共振器160、161と一般に同様であるが、バルク弾性波共振器162が、バルク弾性波共振器160のスピネル基板102及びバルク弾性波共振器161のセラミック基板103の代わりにガラス基板105を含む点が異なる。ガラス基板105は、非結晶のアモルファス固体を含む。ガラス基板105は、溶融石英ガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダ石灰ケイ酸塩ガラス、アルミノケイ酸塩ガラス又は酸化ゲルマニウムガラスのようなケイ酸塩ガラスを含み得る。図1A〜1Eに示されるものと同様の製造プロセスを、図1Gに示されるバルク波共振器162の製造に適用することができる。スピネル層基板102と同様に、ガラス基板105も、異なる基板を使用することと比べて品質係数(Q)を改善することができる。さらに、スピネル基板を含むここに開示のデバイス、コンポーネント及びフィルタの任意の適切な原理及び利点を、ガラス基板を含むデバイス、コンポーネント及びフィルタに適用することができる。
図1Hは、バルク弾性波共振器163の断面図である。バルク弾性波共振器163は、図1Eに示されるバルク弾性波共振器160と一般に同様であるが、バルク弾性波共振器163が、隆起フレーム構造物175、第2隆起フレーム構造177物及び陥凹フレーム構造物179を含むフレーム構造物を有する点が異なる。隆起フレーム構造物175及び177があることにより、バルク弾性波共振器163は、二重隆起フレームバルク弾性波共振器又は多層隆起フレームバルク弾性波共振器と称することができる。
隆起フレーム構造物175と第2隆起フレーム構造物177とは、バルク弾性波共振器163のアクティブ領域において互いに重なる。バルク弾性波デバイス163の隆起フレームドメインが、バルク弾性波デバイス163のアクティブドメインにおいて、二重隆起フレーム構造物の当該部分によって画定される。二重隆起フレーム構造物の少なくとも一部分が、バルク弾性波デバイス163のアクティブ領域に含まれる。二重隆起フレーム構造物は、横方向エネルギーの高効率反射に起因してQを有意に改善することができる。
図1Hに示されるように、第2隆起フレーム構造物177は、圧電層150と第2電極152との間に配置される。第2隆起フレーム構造物177は、低音響インピーダンス材料である。低音響インピーダンス材料は、第1電極128よりも低い音響インピーダンスを有する。低音響インピーダンス材料は、第2電極152よりも低い音響インピーダンスを有する。低音響インピーダンス材料は、圧電層150よりも低い音響インピーダンスを有してよい。一例として、第2隆起フレーム構造物177は、二酸化ケイ素(SiO2)層としてよい。様々なバルク弾性波デバイスにおいて二酸化ケイ素がすでに使用されているので、二酸化ケイ素の第2隆起フレーム構造物177が相対的に製造容易となり得る。第2隆起フレーム構造物177は、窒化ケイ素(SiN)層、炭化ケイ素(SiC)層、又は任意の他の適切な低音響インピーダンス層としてよい。第2隆起フレーム構造物177は、相対的に低い密度を有してよい。第2隆起フレーム構造物177は、バルク弾性波共振器163のアクティブ領域を超えて延び得る。これは、所定例において製造上の理由のためとなり得る。
図1Hは、バルク弾性波共振器163の断面図である。バルク弾性波共振器163は、図1Eに示されるバルク弾性波共振器160と一般に同様であるが、バルク弾性波共振器163が、隆起フレーム構造物175、第2隆起フレーム構造177物及び陥凹フレーム構造物179を含むフレーム構造物を有する点が異なる。隆起フレーム構造物175及び177があることにより、バルク弾性波共振器163は、二重隆起フレームバルク弾性波共振器又は多層隆起フレームバルク弾性波共振器と称することができる。
隆起フレーム構造物175と第2隆起フレーム構造物177とは、バルク弾性波共振器163のアクティブ領域において互いに重なる。バルク弾性波デバイス163の隆起フレームドメインが、バルク弾性波デバイス163のアクティブドメインにおいて、二重隆起フレーム構造物の当該部分によって画定される。二重隆起フレーム構造物の少なくとも一部分が、バルク弾性波デバイス163のアクティブ領域に含まれる。二重隆起フレーム構造物は、横方向エネルギーの高効率反射に起因してQを有意に改善することができる。
図1Hに示されるように、第2隆起フレーム構造物177は、圧電層150と第2電極152との間に配置される。第2隆起フレーム構造物177は、低音響インピーダンス材料である。低音響インピーダンス材料は、第1電極128よりも低い音響インピーダンスを有する。低音響インピーダンス材料は、第2電極152よりも低い音響インピーダンスを有する。低音響インピーダンス材料は、圧電層150よりも低い音響インピーダンスを有してよい。一例として、第2隆起フレーム構造物177は、二酸化ケイ素(SiO2)層としてよい。様々なバルク弾性波デバイスにおいて二酸化ケイ素がすでに使用されているので、二酸化ケイ素の第2隆起フレーム構造物177が相対的に製造容易となり得る。第2隆起フレーム構造物177は、窒化ケイ素(SiN)層、炭化ケイ素(SiC)層、又は任意の他の適切な低音響インピーダンス層としてよい。第2隆起フレーム構造物177は、相対的に低い密度を有してよい。第2隆起フレーム構造物177は、バルク弾性波共振器163のアクティブ領域を超えて延び得る。これは、所定例において製造上の理由のためとなり得る。
第2隆起フレーム構造物177は、第2隆起フレーム構造物177が存在しない同様のデバイスと比べ、バルク弾性波共振器163の隆起フレームドメインの実効電気機械結合係数(k2)を低減することができる。これにより、隆起フレームスプリアスモードの励振強度が低減され得る。さらに、第2隆起フレーム構造物177は、隆起フレームモードの周波数を、バルク弾性波共振器163の主要共振周波数から相対的に離れるように移動させるべく寄与し得る。これは、ガンマ損失に対する有意な影響をもたらさない。
スピネル基板は、セラミック基板の一例である。図1Iは、バルク弾性波共振器164の断面図である。バルク弾性波共振器164は、図1Hに示されるバルク弾性波共振器163と一般に同様であるが、バルク弾性波共振器164が、バルク弾性波共振器163のスピネル基板102の代わりにセラミック基板103を含む点が異なる。セラミック基板103は、例えば、多結晶スピネル(例えばMgAl2O4)、共焼成セラミック又は多結晶窒化アルミニウム(AlN)を含み得る。セラミック基板130は、圧電層150の音響インピーダンスよりも高い音響インピーダンスを有し得る。スピネル基板を含むここに開示のデバイス、コンポーネント及びフィルタの任意の適切な原理及び利点を、セラミック基板を含むデバイス、コンポーネント及びフィルタに適用することができる。
図1Jは、バルク弾性波共振器165の断面図である。バルク弾性波共振器165は、図1H及び1Iに示されるバルク弾性波共振器163及び164それぞれと一般に同様であるが、バルク弾性波共振器165が、バルク弾性波共振器163のスピネル基板102及びバルク弾性波共振器164のセラミック基板103の代わりにガラス基板105を含む点が異なる。ガラス基板105は、非結晶のアモルファス固体を含む。ガラス基板105は、溶融石英ガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダ石灰ケイ酸塩ガラス、アルミノケイ酸塩ガラス又は酸化ゲルマニウムガラスのようなケイ酸塩ガラスを含み得る。スピネル基板及び/又はセラミック基板を含むここに開示のデバイス、コンポーネント及びフィルタの任意の適切な原理及び利点を、ガラス基板を含むデバイス、コンポーネント及びフィルタに適用することができる。
スピネル基板は、セラミック基板の一例である。図1Iは、バルク弾性波共振器164の断面図である。バルク弾性波共振器164は、図1Hに示されるバルク弾性波共振器163と一般に同様であるが、バルク弾性波共振器164が、バルク弾性波共振器163のスピネル基板102の代わりにセラミック基板103を含む点が異なる。セラミック基板103は、例えば、多結晶スピネル(例えばMgAl2O4)、共焼成セラミック又は多結晶窒化アルミニウム(AlN)を含み得る。セラミック基板130は、圧電層150の音響インピーダンスよりも高い音響インピーダンスを有し得る。スピネル基板を含むここに開示のデバイス、コンポーネント及びフィルタの任意の適切な原理及び利点を、セラミック基板を含むデバイス、コンポーネント及びフィルタに適用することができる。
図1Jは、バルク弾性波共振器165の断面図である。バルク弾性波共振器165は、図1H及び1Iに示されるバルク弾性波共振器163及び164それぞれと一般に同様であるが、バルク弾性波共振器165が、バルク弾性波共振器163のスピネル基板102及びバルク弾性波共振器164のセラミック基板103の代わりにガラス基板105を含む点が異なる。ガラス基板105は、非結晶のアモルファス固体を含む。ガラス基板105は、溶融石英ガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダ石灰ケイ酸塩ガラス、アルミノケイ酸塩ガラス又は酸化ゲルマニウムガラスのようなケイ酸塩ガラスを含み得る。スピネル基板及び/又はセラミック基板を含むここに開示のデバイス、コンポーネント及びフィルタの任意の適切な原理及び利点を、ガラス基板を含むデバイス、コンポーネント及びフィルタに適用することができる。
ここに開示の実施形態は、スピネル基板102を含み得る。しかしながら、ここに開示の施形態のいずれかのスピネル基板102は、セラミック基板103又はガラス基板105のような他の適切な基板によって置換することができる。
図2は、一実施形態に係るスピネル基板を有するBAW共振器についての、スピネル基板の代わりにトラップリッチ層を備えたシリコン基板を有するBAW共振器と比べての、品質係数(Q)及び振幅のグラフである。図2におけるQ曲線により示されるように、スピネル基板を有するBAW共振器は、他のBAW共振器と比べて改善されたQを達成することができる。図2はまた、スピネル基板を有するBAW共振器が、他のBAW共振器と比べて改善されたアドミタンスを達成し得ることも示す。
図3は、一実施形態に係るバルク弾性波共振器300の断面図である。バルク弾性波共振器300は、図1Eのバルク弾性波共振器160と同様であるが、スピネル基板102と第1電極128との間に音響ミラー304が含まれてバルク弾性波共振器300が陥凹フレーム構造物306を含む点が異なる。いくつかの他の実施形態(図示せず)において、エアギャップ又はエアキャビティは、バルク弾性波共振器300から省略することができる。図示の音響ミラー304は、低インピーダンス層304Aと高インピーダンス層304Bとが交互にされたブラッグ反射器を含む。一例として、ブラッグ反射器は、交互にされた二酸化ケイ素層304A及びタングステン層304Bを含み得る。ブラッグ反射器を有する音響ミラーは、ソリッド音響ミラーと称してよい。SMRの任意の他の適切な特徴を、代替的又は付加的に、スピネル基板を有するBAWフィルタに実装してよい。
図4は、一実施形態に係るバルク弾性波共振器400の断面図である。バルク弾性波共振器400は、図3のバルク弾性波共振器300と同様であるが、音響ミラーが異なる配置とされる点が異なる。図4において、BAW共振器400は、隆起フレーム構造物の下に配置された音響ミラー404を含む。図示の音響ミラー404は、ブラッグ反射器を含む。図示のように、ブラッグ反射器は、バルク弾性波共振器400の対向側に示される。バルク弾性波共振器400において、ブラッグ反射器は、アクティブドメインの外側に配置される。スピネル基板102は、バルク弾性波共振器400のアクティブドメインにおいて第1電極128の下に含まれる。ブラッグ反射器は、交互にされた二酸化ケイ素層及びタングステン層のような、交互にされた低インピーダンス及び高インピーダンス層を含む。SMRの任意の他の適切な特徴を、BAWデバイスに代替的又は付加的に実装することができる。
図5Aは、他実施形態に係るバルク弾性波共振器450の断面図である。バルク弾性波共振器450は図1Eのバルク弾性波共振器160と同様であるが、エアキャビティ144aがスピネル基板202に形成されてバルク弾性波共振器450が陥凹フレーム構造306を含む点が異なる。エアキャビティ144aを、スピネル基板202の中にエッチングすることができる。図5Aにおけるスピネル基板202の上の層(例えば第1電極128a、第2電極152a、圧電層150a、第1層176a、層129a、パッシベーション層126a及びパッシベーション層174a)は、図1Eにおける層(例えば第1電極128、第2電極152、圧電層150、第1層176、層129、パッシベーション層126及びパッシベーション層174)とは異なる形状としてよい。図5Aにおける層は、特性、特徴及び/機能が、図1Eにおける層と一般に同様となり得る。
図5Bは、他実施形態に係るバルク弾性波共振器475の断面図である。図示のように、バルク弾性波共振器475は、圧電層150と、第1電極128と、第2電極152と、フレーム構造物(例えば隆起フレーム構造物175及び177並びに陥凹フレーム構造物179)と、基板205と、エアキャビティ144と、第1層176を含む電気接続層とを含む。層129が、第1電極128の下に含まれてよい。第1層176は、ルテニウム、モリブデン又は二酸化ケイ素の一つ以上を含み得る。バルク弾性波共振器475はまた、ビア(例えば信号ビア210及び熱ビア211)と、対応ビアに接続されたパッド(例えば信号パッド207及び熱パッド208)とを含む。バルク弾性波共振器475はさらに、基板205を覆う蓋212を含む。いくつかの実施形態において、基板205は、セラミック基板(例えばスピネル基板)又はガラス基板としてよい。
信号パッド207及び/又は熱パッド208は、475を外部デバイス又は基板(例えばプリント回路基板(PCB))に接続し得る。熱ビア211及び熱パッド208は、熱ビア及び/又は熱パッドが存在しない同様のバルク弾性波共振器よりも良好な熱伝導度をバルク弾性波共振器475aに与えることができる。
いくつかの例において、バルク弾性波共振器475における放熱の原理及び利点を、ソリッドマウント共振器(SMR)に適用することができる。かかる例において、熱ビアは、ソリッド音響ミラーを貫通してよい。
信号パッド207及び/又は熱パッド208は、475を外部デバイス又は基板(例えばプリント回路基板(PCB))に接続し得る。熱ビア211及び熱パッド208は、熱ビア及び/又は熱パッドが存在しない同様のバルク弾性波共振器よりも良好な熱伝導度をバルク弾性波共振器475aに与えることができる。
いくつかの例において、バルク弾性波共振器475における放熱の原理及び利点を、ソリッドマウント共振器(SMR)に適用することができる。かかる例において、熱ビアは、ソリッド音響ミラーを貫通してよい。
様々なタイプの弾性波共振器及び/又はデバイスを、共通基板(例えばスピネル基板、セラミック基板又はガラス基板)に実装することができる。したがって、弾性波コンポーネントが、異なるタイプの弾性波共振器及び/又はデバイスを、共通のスピネル基板上にかつ共通のパッケージ内に含み得る。例えば、FBAR及びSAW共振器を、共通のスピネル基板上に実装することができる。いくつかの例において、FBAR及び温度補償SAW共振器を、共通のスピネル基板上に実装することができる。他例として、FBAR及びSMRを、共通のスピネル基板上に実装することができる。他例として、BAW共振器及びラム波共振器を、共通のスピネル基板上に実装することができる。もう一つの例として、BAW共振器及び境界波共振器を、共通のスピネル基板上に実装することができる。異なるタイプの弾性波共振器を共通のスピネル基板上に有するここに開示される実施形態の特徴の任意の適切な組み合わせを、互いに実装し合うこともできる。さらに、異なるタイプの弾性波共振器を共通のセラミック基板及び/又は共通のガラス基板上に有するここに開示される実施形態の特徴の任意の適切な組み合わせを、互いに実装し合うこともできる。
図6Aは、共通スピネル基板302上のBAW共振器160及びSAWデバイス520の断面500の一例を示す。ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従う複数のBAW共振器を、SAWデバイス及び/又は共振器と同じ基板上に実装することができる。SAWデバイス520は、SAW共振器としてよい。BAW共振器及びSAW共振器の任意の適切な組み合わせを、共通スピネル基板203上に形成することができる。例えば、図示のように、FBARとして示されるBAW共振器160を、共通スピネル基板302上でSAWデバイス520から側方に配置してよい。SAWデバイス520は、共通基板302上に圧電層521を含み、圧電層521上にインターディジタルトランスデューサ電極522を含む。共通基板302は、セラミック基板(例えばスピネル基板)又はガラス基板としてよい。圧電層521は、例えば、タンタル酸リチウム(LT)層又はニオブ酸リチウム(LN)層としてよい。いくつかの例において、SAWデバイス520の圧電層521は、BAW共振器160の圧電層150の同じ材料と同じとしてよい。例えば、SAWデバイス520の圧電層521を窒化アルミニウム層とし、BAW共振器160の圧電層150を窒化アルミニウム層としてよい。
図6Aの弾性波コンポーネントにおいて、スピネル基板302の第1部分501をBAW共振器160の一部とみなし、スピネル基板302の第2部分502をSAWデバイス520の一部とみなしてよい。共通基板302は、SAWデバイス520の多層圧電基板の一部としてよい。分散調整層を、所定のアプリケーションにおいて、SAWデバイス520の圧電層521と共通基板302との間に含めることができる。図6Aに示されないにもかかわらず、SAWデバイス520は、インターディジタルトランスデューサ電極の上に温度補償層を有する温度補償SAWデバイスとしてよい。温度補償層は、二酸化ケイ素層としてよい。
図6Aの弾性波コンポーネントにおいて、スピネル基板302の第1部分501をBAW共振器160の一部とみなし、スピネル基板302の第2部分502をSAWデバイス520の一部とみなしてよい。共通基板302は、SAWデバイス520の多層圧電基板の一部としてよい。分散調整層を、所定のアプリケーションにおいて、SAWデバイス520の圧電層521と共通基板302との間に含めることができる。図6Aに示されないにもかかわらず、SAWデバイス520は、インターディジタルトランスデューサ電極の上に温度補償層を有する温度補償SAWデバイスとしてよい。温度補償層は、二酸化ケイ素層としてよい。
図6Bは、BAW共振器510のエアキャビティの中に形成されるSAWデバイス520を含む弾性波コンポーネント600の実施形態の一例を示す。BAW共振器510のエアキャビティ144は、SAWデバイス520を収容するのに十分なサイズを有し得る。したがって、BAW共振器510は、所定のアプリケーションにおいて、BAW共振器160よりも高さのあるエアキャビティを有し得る。BAW共振器510の電極及び圧電層は、SAWデバイス520のためのキャップとしての役割を果たし得る。SAWデバイス520の圧電層521は、共通基板302と直接接触してよい。代替的に、介在層を、SAWデバイス520の圧電層521と共通基板302との間に含めてもよい。
図7Aは、BAW共振器160、第1SAWデバイス720及び第2SAWデバイス725を含む弾性波コンポーネント700の実施形態の一例を示す。図示の弾性波デバイス160、720及び725は、共通のスピネル基板302上に形成される。いくつかの例において、弾性波デバイスの一つ以上が、共通基板302の異なる表面上に存在してよい。例えば、弾性波デバイスを、共通基板302の対向側に配置してよい。
図7Bは、送信フィルタ750、受信フィルタ760、送信ポート752、受信ポート762及びアンテナポート745を含むデュプレクサの模式的な図である。図示のデュプレクサは、BAW共振器及びSAW共振器を含むハイブリッドデュプレクサである。デュプレクサのBAW共振器及びSAW共振器を共通スピネル基板上に実装することにより、電気接続線を短くすることができる。これにより、デュプレクサの性能を高め、及び/又は相対的に長い接続線からもたらされ得る不整合を低減することができる。送信フィルタ750は、耐性が相対的に高いBAW共振器と、コストが相対的に低いSAW共振器とを含む。送信フィルタ750のBAW共振器730は、SAW共振器を経由してアンテナノード745に結合される。これにより、送信フィルタ750の高調波改善がもたらされ得る。
送信フィルタ750は、アンテナノードで受信フィルタ760に結合される。図7Bのデュプレクサは、図7Aに示される弾性波共振器を使用して実装することができる。例えば、送信フィルタ750は、BAW共振器730及びSAW共振器740を含み得る。BAW共振器730の一部又はすべてを、ここに開示されるスピネル基板を有するBAW共振器の任意の適切な原理及び利点に従って実装することができる。例えば、BAW共振器734は、図7AのBAW共振器160によって実装することができる。SAW共振器740の一部又はすべてを、BAW共振器730の一つ以上とともに共通スピネル基板上に実装することができる。例えば、SAW共振器740の一つを、図7AのSAW共振器720によって実装することができる。受信フィルタ760は、SAW共振器によって実装することができる。ここで、SAW共振器の一つ以上を、BAW共振器730の一つ以上及び/又はSAW共振器740の一つ以上とともに共通スピネル基板上に実装することができる。一例として、SAW共振器764は、図7AのSAW共振器725によって実装することができる。
図示の送信フィルタ750は、送信ポート752において受信した無線周波数信号をフィルタリングし、フィルタリングされた出力信号をアンテナポート745に与えるように配列される。直列インダクタを、送信ポート752と送信フィルタ750の弾性波共振器との間に結合することができる。シャントインダクタを、送信フィルタ750が受信フィルタ760に結合されるアンテナノードに接続することができる。送信フィルタ及び受信フィルタは双方とも、図7Bに示されるデュプレクサにおける弾性波ラダーフィルタである。送信フィルタ750は帯域通過フィルタとしてよい。任意の適切な数の直列BAW共振器及びシャントBAW共振器が、送信フィルタ750に含まれてよい。受信フィルタ760は帯域通過フィルタとしてよい。図示の受信フィルタ760は、アンテナポート745において受信した無線周波数信号をフィルタリングし、フィルタリングされた出力信号を受信ポート762に与えるべく配列される。任意の適切な数の直列共振器及びシャント共振器を、受信フィルタ760に含めてよい。
図8は、一実施形態に係るデュプレクサ800の模式的な図である。図8のデュプレクサ800は図7のデュプレクサと同様であるが、デュプレクサ800がループ回路を含む点が異なる。図示のように、デュプレクサ800は、送信ループ回路835及び受信ループ回路865を含む。デュプレクサ800の弾性波デバイスの一部又はすべてを、共通スピネル基板上に実装することができる。
送信ループ回路835は、送信フィルタ750に結合される。送信ループ回路835は、送信フィルタ750の入力共振器及び出力共振器に結合することができる。いくつかの他例において、ループ回路835は、送信フィルタ750の、図示とは異なるノードに結合することができる。ループ回路835は、近似的に同じ振幅及び逆の位相を有する信号を、キャンセル対象の信号成分に適用することができる。したがって、ループ回路835は、特定の周波数において標的信号に逆位相を生成するべく構成される。送信ループ回路835は、それぞれのキャパシタを介して送信フィルタ750に結合されたSAWデバイスを含んでよい。ループ回路835のSAWデバイスは、送信フィルタ750のBAW共振器730の一部又はすべてと共通のスピネル基板上に実装することができる。例えば、送信ループ回路835のSAWデバイスが図7AのSAWデバイス720に対応し、BAW共振器730のBAW共振器が図7AのBAW共振器160に対応し得る。送信ループ回路835は、米国特許第9,246,533号明細書及び/又は米国特許第9,520,857号明細書に記載される任意の適切な原理及び利点に従って実装することができる。これらの特許の開示はその全体が、ここに参照により組み入れられる。
受信ループ回路865は、受信フィルタ760に結合される。受信ループ回路865は一般に、受信側である点を除いて送信ループ回路835の任意の適切な特徴を実装し得る。受信ループ回路865のSAWデバイスは、送信フィルタ750のBAW共振器730の一部又はすべてと共通のスピネル基板上に実装することができる。例えば、受信ループ回路865のSAWデバイスが図7AのSAWデバイス725に対応し、BAW共振器730のBAW共振器が図7AのBAW共振器160に対応し得る。
図7B及び8がデュプレクサを示すにもかかわらず、ここに説明される(例えば図7B及び/又は図8を参照しての)任意の適切な原理及び利点を、共通ノードに結合された複数のフィルタを含む任意の他のマルチプレクサ(例えばクアッドプレクサ、ヘキサプレクサ、オクタプレクサ等)に実装することができる。同様に、図8が送信フィルタ及び受信フィルタを有するデュプレクサを示すにもかかわらず、図8及び/又はここに開示される他の実施形態の任意の適切な原理及び利点を、送信フィルタ及び/又は受信フィルタに実装することができる。例えば、図9は、一実施形態に係るループ回路835を有する送信フィルタ750を示す。他例として、図10は、一実施形態に係るループ回路865を有する受信フィルタ760を示す。
ここに開示されるスピネル基板を有する弾性波共振器は、様々なパッケージ状モジュールに実装することができる。ここに開示される弾性波デバイスの任意の適切な原理及び利点が実装され得るいくつかの例のパッケージ状モジュールが、以下に説明される。当該例のパッケージ状モジュールは、図示の回路素子を封入するパッケージを含み得る。図示される回路素子は、共通パッケージ基板上に配置することができる。パッケージ基板は、例えば、積層基板としてよい。図11及び12は、所定実施形態に係る図示のパッケージ状モジュールの模式的なブロック図である。当該モジュールの特徴の任意の適切な組み合わせを相互に一緒に実装することができる。デュプレクサが図12のパッケージ状モジュールの例に示されるが、共通ノードに結合された複数の弾性波フィルタを含む任意の他の適切なマルチプレクサを、一つ以上のデュプレクサの代わりに実装することができる。例えば、所定のアプリケーションにおいて、クアッドプレクサを実装してよい。代替的又は付加的に、パッケージ状モジュールの一つ以上のフィルタを、マルチプレクサに含まれない送信フィルタ又は受信フィルタとして配列することができる。
ここに開示される特徴の任意の適切な組み合わせを含む弾性波デバイス(例えばBAW共振器又はSAW共振器)は、周波数レンジ1(FR1)内の第5世代(5G)ニューラジオ(NR)動作帯域にある無線周波数信号をフィルタリングするべく配列されたフィルタに含まれ得る。5G NR動作帯域における無線周波数信号をフィルタリングするべく配列されたフィルタは、ここに開示される一つ以上のBAW共振器及び/又はSAWデバイスを含み得る。FR1は、現行の5G NR仕様によれば、例えば410MHzから7.125GHzとすることができる。
ここに開示の一つ以上のBAW共振器を含むフィルタは、5Gアプリケーションにおけるいくつかの他のBAW共振器よりも良好な高調波性能(例えば下側高調波歪み及び/又は小さな相互変調歪み)を達成することができる。ここに開示のセラミック及び/又はガラス基板は、特に相対的に高い電力及び/又は相対的に高い動作温度において、シリコン基板よりも良好な高調波性能に寄与し得る。例えば、セラミック及び/又はガラス基板は、5Gアプリケーションでの相対的に高いピーク電力動作において、及び/又は5Gアプリケーションでの(例えば相対的に高い時間分割二重化送信デューティーサイクルによる)相対的に高い平均電力による動作において、高調波性能を改善し得る。
ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従う一以上の弾性波デバイスは、4G LTE動作帯域における無線周波数信号をフィルタリングするべく配列されたフィルタに含めてよい。ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従う一つ以上の弾性波共振器は、4G LTE動作帯域及び5G NR動作帯域を含む通過帯域を有するフィルタにおいて無線周波数信号をフィルタリングするべく配列されたフィルタに含めることができる。
ここに開示の一つ以上のBAW共振器を含むフィルタは、5Gアプリケーションにおけるいくつかの他のBAW共振器よりも良好な高調波性能(例えば下側高調波歪み及び/又は小さな相互変調歪み)を達成することができる。ここに開示のセラミック及び/又はガラス基板は、特に相対的に高い電力及び/又は相対的に高い動作温度において、シリコン基板よりも良好な高調波性能に寄与し得る。例えば、セラミック及び/又はガラス基板は、5Gアプリケーションでの相対的に高いピーク電力動作において、及び/又は5Gアプリケーションでの(例えば相対的に高い時間分割二重化送信デューティーサイクルによる)相対的に高い平均電力による動作において、高調波性能を改善し得る。
ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従う一以上の弾性波デバイスは、4G LTE動作帯域における無線周波数信号をフィルタリングするべく配列されたフィルタに含めてよい。ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従う一つ以上の弾性波共振器は、4G LTE動作帯域及び5G NR動作帯域を含む通過帯域を有するフィルタにおいて無線周波数信号をフィルタリングするべく配列されたフィルタに含めることができる。
図11は、一実施形態に係る弾性波コンポーネント1102を含む無線周波数モジュール1100の模式的な図である。例示の無線周波数モジュール1100は、弾性波コンポーネント1102及び他の回路1103を含む。弾性波コンポーネント1102は、ここに開示される弾性波共振器の特徴の任意の適切な組み合わせに従うスピネル基板を有する一つ以上の弾性波共振器及び/又はデバイスを含んでよい。弾性波コンポーネント1102は、弾性波共振器及び/又はデバイスを含む弾性波ダイを含んでよい。例えば、弾性波コンポーネント1102は、スピネル基板を有するBAWダイを含んでよい。他例として、弾性波コンポーネント1102は、一つ以上のBAW共振器と一つ以上のSAWデバイスとを共通のスピネル基板上に含んでよい。
図11に示される弾性波コンポーネント1102は、フィルタ1104と、端子1105A及び1105Bとを含む。フィルタ1104は、複数の弾性波共振器を含む。弾性波共振器の一つ以上を、ここに開示されるスピネル基板を有する弾性波共振器の任意の適切な原理及び利点に従って実装することができる。フィルタ1104は、3.5GHzから13GHzの範囲、5GHzから10GHzの範囲、又はここに開示の任意範囲にある動作帯域における無線周波数信号をフィルタリングするべく配列された一つ以上のBAW共振器を含み得る。端子1105A及び1105Bは、例えば、入力接点及び出力接点としての役割を果たし得る。弾性波コンポーネント1102及び他の回路1103は、図11において共通パッケージ基板1106上に存在する。パッケージ基板1106は積層基板としてよい。端子1105A及び1105Bは、電気コネクタ1108A及び1108Bそれぞれを経由してパッケージ基板1106上の接点1107A及び1107Bそれぞれに電気的に接続され得る。電気コネクタ1108A及び1108Bは、例えばバンプ又はワイヤボンドとしてよい。
他の回路1103は任意の適切な付加回路を含み得る。例えば、他の回路は、一つ以上の電力増幅器、一つ以上の無線周波数スイッチ、一つ以上の付加フィルタ、一つ以上の低雑音増幅器、一つ以上のRF結合器、一つ以上の遅延線、一つ以上の位相シフタ等、又はこれらの任意の適切な組み合わせを含み得る。無線周波数モジュール1100は、例えば、無線周波数モジュール1100を保護し及び/又はその容易な扱いを促すべく、一つ以上のパッケージ構造物を含み得る。かかるパッケージ構造物は、パッケージ基板1100を覆うように形成されたオーバーモールド構造物を含み得る。オーバーモールド構造物は、無線周波数モジュール1100のコンポーネントの一部又はすべてを封入することができる。
図12は、一実施形態に係る弾性波コンポーネントを含む無線周波数モジュール1210の模式的な図である。図示のように、無線周波数モジュール1210は、それぞれの送信フィルタ1213A1〜1213N1及びそれぞれの受信フィルタ1213A2〜1213N2を含むデュプレクサ1212A〜1212Nと、電力増幅器1214と、選択スイッチ1215と、アンテナスイッチ1216とを含む。無線周波数モジュール1210は、図示の素子を封入するパッケージを含み得る。図示の素子は、共通のパッケージ基板1206上に配置することができる。パッケージ基板1206は、例えば積層基板としてよい。電力増幅器を含む無線周波数モジュールを、電力増幅器モジュールと称してよい。無線周波数モジュールは、図12に例示の素子及び/又は付加素子の部分集合を含み得る。無線周波数モジュール1210は、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従うスピネル基板を有する弾性波デバイスのいずれか一つを含んでよい。
デュプレクサ1212A〜1212Nはそれぞれが、共通ノードに結合された2つの弾性波フィルタを含み得る。例えば、2つの弾性波フィルタは、例えば図7B及び/又は8を参照して記載された送信フィルタ及び受信フィルタとしてよい。図示のように、送信フィルタ及び受信フィルタはそれぞれが、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列された帯域通過フィルタを含み得る。送信フィルタ1213A1〜1213N1の一つ以上が、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従うスピネル基板を有する弾性波共振器の一つ以上を含み得る。同様に、受信フィルタ1213A2〜1213N2の一つ以上が、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従うスピネル基板を有する弾性波共振器の一つ以上を含み得る。図12がデュプレクサを例示するにもかかわらず、ここに開示の任意の適切な原理及び利点は、他のマルチプレクサ(例えばクアッドプレクサ、ヘキサプレクサ、オクタプレクサ等)に、及び/又はスイッチプレクサに実装することができる。
電力増幅器1214は、無線周波数信号を増幅することができる。図示のスイッチ1215は多投無線周波数スイッチである。スイッチ1215は、電力増幅器1214の出力を、送信フィルタ1213A1〜1213N1の選択された送信フィルタに電気的に結合することができる。いくつかの例において、スイッチ1215は、電力増幅器1214の出力を、送信フィルタ1213A1〜1213N1のうちの一つを超える送信フィルタに電気的に接続することができる。アンテナスイッチ1216は、デュプレクサ1212A〜1212Nの一つ以上からの信号をアンテナポートANTに選択的に結合することができる。デュプレクサ1212A〜1212Nは、異なる周波数帯域及び/又は異なる動作モード(例えば異なる電力モード、異なる信号モード等)に関連付けることができる。
図13Aは、一実施形態に係る無線周波数フロントエンド1022においてフィルタ1023を含む無線通信デバイス1020の模式的な図である。フィルタ1023は、ここに記載される一つ以上のスピネル基板上に実装することができる。フィルタ1023は、ここに説明される任意の適切な原理及び利点に従うスピネル基板を有する弾性波共振器の一つ以上を含み得る。無線通信デバイス1020は、任意の適切な無線通信デバイスでよい。例えば、無線通信デバイス1020は、スマートフォンのような携帯電話機としてよい。図示のように、無線通信デバイス1020は、アンテナ1021、RFフロントエンド1022、送受信器1024、プロセッサ1025、メモリ1026及びユーザインタフェイス1027を含む。アンテナ1021は、RFフロントエンド1022により与えられたRF信号を送信することができる。そのようなRF信号は、キャリアアグリゲーション信号を含み得る。アンテナ1021は、RF信号を受信し、受信したRF信号を、処理を目的としてRFフロントエンド1022に与えることができる。
RFフロントエンド1022は、一つ以上の電力増幅器、一つ以上の低雑音増幅器、一つ以上のRFスイッチ、一つ以上の受信フィルタ、一つ以上の送信フィルタ、一つ以上のデュプレクスフィルタ、一つ以上のマルチプレクサ、一つ以上の周波数マルチプレクシング回路等、又はこれらの任意の適切な組み合わせを含み得る。RFフロントエンド1022は、任意の適切な通信規格に関連づけられたRF信号を送信及び受信することができる。フィルタ1023は、上述したいずれかの実施形態を参照して説明される特徴の任意の適切な組み合わせを含む一つ以上の弾性波共振器を含み得る。
RF送受信器1024は、増幅及び/又は他の処理を目的としてRF信号をRFフロントエンド1022に与えることができる。送受信器1024はまた、RFフロントエンド1022の低雑音増幅器が与えるRF信号を処理することもできる。送受信器1024はプロセッサ1025と通信する。プロセッサ1025は、ベース帯域プロセッサとしてよい。プロセッサ1025は、無線通信デバイス1020のための、任意の適切なベース帯域処理機能を与えることができる。メモリ1026には、プロセッサ1025がアクセス可能である。メモリ1026は、無線通信デバイス1020のための任意の適切なデータを記憶することができる。ユーザインタフェイス1027は、タッチスクリーン能力を有するディスプレイのような、任意の適切なユーザインタフェイスとしてよい。
図13Bは、無線周波数フロントエンド1022にフィルタ1023を、ダイバーシティ受信モジュール1332に第2フィルタ1333を含む無線通信デバイス1330の模式的な図である。フィルタ1023は、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従うスピネル基板を有する弾性波共振器の一つ以上を含み得る。無線通信デバイス1330は、図13Aの無線通信デバイス1020と同様であるが、無線通信デバイス1330がさらにダイバーシティ受信機能を含む点が異なる。図13Bに示されるように、無線通信デバイス1330は、ダイバーシティアンテナ1331と、ダイバーシティアンテナ1331が受信した信号を処理するべく構成されてフィルタ1333を含むダイバーシティモジュール1332と、無線周波数フロントエンド1022及びダイバーシティ受信モジュール1332双方と通信する送受信器1334とを含む。フィルタ1333は、上述したいずれかの実施形態を参照して説明される特徴の任意の適切な組み合わせを含むスピネル基板を有する弾性波共振器の一つ以上を含み得る。
上述された実施形態のいずれもが、セルラーハンドセットのような携帯デバイスに実装することができる。実施形態の原理及び利点は、ここに記載される実施形態のいずれから利益を得る任意のアップリンクセルラーデバイスのような任意のシステム又は装置のために使用することができる。ここでの教示は、様々なシステムに適用可能である。本開示がいくつかの実施形態例を含むにもかかわらず、ここに説明される教示は、様々な構造に適用することができる。ここに説明される原理及び利点はいずれも、約450MHzから8.5GHzの範囲のような、約30kHzから300GHzの範囲にある周波数を有する信号を処理するべく構成されたRF回路に関連して実装することができる。
本開示の複数の側面は、様々な電子デバイスに実装することができる。電子デバイスの例は、消費者用電子製品、ダイ及び/又は弾性波フィルタアセンブリ及び/又はパッケージ状無線周波数モジュールのような消費者用電子製品の部品、アップリンク無線通信デバイス、無線通信インフラストラクチャ、電子試験機器等を含んでよいが、これらに限られない。電子デバイスの例は、スマートフォンのような携帯電話機、スマートウォッチ又はイヤピースのようなウェアラブルコンピューティングデバイス、電話機、テレビジョン、コンピュータモニタ、コンピュータ、モデム、ハンドヘルドコンピュータ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、パーソナルディジタルアシスタント(PDA)、電子レンジ、冷蔵庫、自動車、ステレオシステム、DVDプレーヤ、CDプレーヤ、MP3プレーヤのようなディジタル音楽プレーヤ、ラジオ、ビデオカメラ、カメラ、ディジタルカメラ、携帯型メモリチップ、洗濯機、乾燥機、洗濯/乾燥機、周辺デバイス、腕時計、置き時計等を含んでよいが、これらに限られない。さらに、電子デバイスは未完成の製品も含んでよい。
本明細書及び特許請求の範囲全体にわたり、文脈上そうでないことが明らかでない限り、「含む」、「備える」等の用語は、排他的又は網羅的な意味とは反対の包括的意味に、すなわち「〜を含むがこれらに限られない」との意味に解釈すべきである。ここで一般に使用される単語「結合」は、直接接続されるか又は一つ以上の中間要素を介して接続されるかのいずれかとなり得る2つ以上の要素を言及する。同様に、ここで一般に使用される単語「接続」は、直接接続されるか又は一つ以上の中間要素を介して接続されるかのいずれかとなり得る2つ以上の要素を言及する。加えて、単語「ここ」、「上」、「下」及び同様の趣旨の単語は、本アプリケーションにおいて使用される場合、本アプリケーション全体を言及し、本アプリケーションの任意の固有部分を言及するわけではない。文脈が許容する場合、単数又は複数を使用する上述の詳細な説明における用語はそれぞれ、複数又は単数をも含み得る。2つ以上の項目のリストを言及する単語「又は」及び「若しくは」は、当該単語の以下の解釈のすべてをカバーする。すなわち、当該リストの任意の項目、当該リストのすべての項目、及び当該リストの項目の任意の組み合わせである。
さらに、とりわけ「できる」、「し得る」、「してよい」、「かもしれない」、「例えば」、「のような」等のようなここに記載の条件付き言語は一般に、特にそうでないことが述べられ、又は使用の文脈上そうでないことが理解される場合を除き、所定の実施形態が所定の特徴、要素及び/又は状態を含む一方で他の実施形態がこれらを含まないことを伝えるように意図される。すなわち、かかる条件的言語は一般に、特徴、要素及び/若しくは状態が任意の態様で一つ以上の実施形態にとって必要であるとの示唆を意図しない。
所定の実施形態が記載されてきたが、これらの実施形態は、例により提示されたにすぎないので、本開示の範囲を制限することを意図しない。実際のところ、ここに記載される新規な方法、装置及びシステムは、様々な他の形態で具体化することができる。さらに、ここに記載される方法及びシステムの形態における様々な省略、置換及び変更が、本開示の要旨から逸脱することなくなし得る。例えば、複数のブロックが所与の配列で提示されるが、代替実施形態は、異なる部品及び/又は回路トポロジで同様の機能を果たすことができ、いくつかのブロックは削除、移動、追加、細分化、結合、及び/又は修正することができる。これらのブロックはそれぞれが、様々な異なる態様で実装することができる。上述した様々な実施形態の要素及び工程の任意の適切な組み合わせを、さらなる実施形態を与えるように組み合わせることができる。添付の特許請求の範囲及びその均等物が、本開示の範囲及び要旨に収まるかかる形態又は修正をカバーすることが意図される。
Claims (40)
- 弾性波コンポーネントであって、
セラミック基板の第1部分、前記セラミック基板上の第1圧電層、及び前記第1圧電層の対向側の電極を含むバルク弾性波共振器と、
前記セラミック基板の第2部分、前記セラミック基板上の第2圧電層、及び前記第2圧電層上のインターディジタルトランスデューサ電極を含む弾性表面波デバイスと
を含む、弾性波コンポーネント。 - 前記セラミック基板はスピネル基板である、請求項1の弾性波コンポーネント。
- 前記バルク弾性波共振器は、前記バルク弾性波共振器のアクティブ領域のエッジに沿ったフレーム構造物を含む、請求項1の弾性波コンポーネント。
- 前記バルク弾性波共振器は、前記セラミック基板と前記電極のうちの前記セラミック基板に最も近い電極との間にパッシベーション層を含む、請求項1の弾性波コンポーネント。
- 前記バルク弾性波共振器は薄膜バルク弾性波共振器である、請求項1の弾性波コンポーネント。
- 前記バルク弾性波共振器は、前記セラミック基板と前記電極のうちの一方の電極との間にエアキャビティを含む、請求項1の弾性波コンポーネント。
- 前記弾性表面波デバイスは、前記エアキャビティの中に配置される、請求項6の弾性波コンポーネント。
- 前記バルク弾性波共振器は、前記弾性表面波デバイスから側方に配置される、請求項1の弾性波共振器。
- 共通ノードにおいて互いに結合された受信フィルタ及び送信フィルタをさらに含み、
前記受信フィルタは前記弾性表面波デバイスを含み、
前記送信フィルタは前記バルク弾性波共振器を含む、請求項1の弾性波コンポーネント。 - 前記送信フィルタはさらに、前記セラミック基板の第3部分を含む他の弾性表面波デバイスを含む、請求項9の弾性波コンポーネント。
- 前記送信フィルタはさらに、特定周波数における目標信号の逆位相信号を生成するべく構成されたループ回路を含み、
前記ループ回路は、前記セラミック基板の第3部分を含む他の弾性表面波デバイスを含む、請求項9の弾性波コンポーネント。 - 前記受信フィルタはさらに、特定周波数における目標信号の逆位相信号を生成するべく構成されたループ回路を含み、
前記ループ回路は、前記セラミック基板の第3部分を含む他の弾性表面波共振器を含む、請求項9の弾性波コンポーネント。 - マルチプレクサであって、
バルク弾性波共振器を含む第1フィルタと、
共通ノードにおいて前記第1フィルタに結合された第2フィルタと
を含み、
前記バルク弾性波共振器は、セラミック基板の第1部分、前記セラミック基板上の第1圧電層、及び前記第1圧電層の対向側の電極を含み、
前記第2フィルタは弾性表面波デバイスを含み、
前記弾性表面波デバイスは、前記セラミック基板の第2部分、前記セラミック基板上の第2圧電層、及び前記第2圧電層上のインターディジタルトランスデューサ電極を含む、マルチプレクサ。 - 前記セラミック基板はスピネル基板である、請求項13のマルチプレクサ。
- 弾性波コンポーネントであって、
セラミック基板の第1部分、前記セラミック基板上の圧電層、及び前記圧電層の対向側の電極を含む薄膜バルク弾性波共振器と、
前記セラミック基板の第2部分を含む他タイプの弾性波共振器と
を含む、弾性波コンポーネント。 - 前記セラミック基板はスピネル基板である、請求項15の弾性波コンポーネント。
- 前記他タイプの弾性波共振器は弾性表面波共振器である、請求項15の弾性波コンポーネント。
- 前記他タイプの弾性波共振器はソリッドマウント共振器である、請求項15の弾性波コンポーネント。
- 前記セラミック基板の第1部分は、前記セラミック基板の第2部分から側方に配置される、請求項15の弾性波コンポーネント。
- 前記セラミック基板の第1部分は、前記セラミック基板の第2部分と実質的に重なる、請求項15の弾性波コンポーネント。
- バルク弾性波共振器であって、
セラミック基板と、
前記セラミック基板上の圧電層と、
前記圧電層の対向側の第1電極及び第2電極と、
第1パッシベーション層及び第2パッシベーション層を含むパッシベーション層と、
前記バルク弾性波共振器のアクティブ領域のエッジに沿ったフレーム構造物と
を含み、
前記第1パッシベーション層は、前記セラミック基板と前記第1電極との間に配置され、
前記第2電極は、前記圧電層と前記第2パッシベーション層との間に配置される、バルク弾性波共振器。 - 前記セラミック基板はスピネル基板である、請求項21のバルク弾性波共振器。
- 前記セラミック基板と前記第1電極との間に配置されたエアキャビティをさらに含み、
前記エアキャビティは、前記セラミック基板の、前記圧電層に最も近い表面の上に存在する、請求項21のバルク弾性波共振器。 - 前記エアキャビティは、前記セラミック基板の表面に対して鋭角を有するように形成される、請求項23のバルク弾性波共振器。
- 前記バルク弾性波共振器は薄膜バルク弾性波共振器である、請求項21のバルク弾性波共振器。
- 前記セラミック基板と前記第1電極との間に配置された音響ミラーをさらに含む、請求項21のバルク弾性波共振器。
- 前記フレーム構造物の下にある前記セラミック基板の2つの側に配置された音響ミラーをさらに含む、請求項21のバルク弾性波共振器。
- 前記セラミック基板は、前記圧電層の中心部分に面する平坦化表面を含む、請求項21のバルク弾性波共振器。
- 前記セラミック基板は多結晶セラミック基板である、請求項21のバルク弾性波共振器。
- 前記第2電極の少なくとも一部分が、前記第21電極とは異なる厚さを有する、請求項21のバルク弾性波共振器。
- 前記フレーム構造物は隆起フレーム構造物を含む、請求項21のバルク弾性波共振器。
- 前記フレーム構造物は、隆起フレーム構造物及び陥凹フレーム構造物を含む、請求項21のバルク弾性波共振器。
- 前記フレーム構造物は、
第1隆起フレーム層と、
前記第1電極と前記圧電層との間に配置された第2隆起フレーム層と
を含む、請求項21のバルク弾性波共振器。 - 弾性波フィルタであって、
バルク弾性波共振器と、
複数の弾性波共振器と
を含み、
前記バルク弾性波共振器は、
セラミック基板上に配置された圧電層と、
前記圧電層の対向側に配置された第1電極及び第2電極と、
前記セラミック基板と前記第1電極との間に配置された第1パッシベーション層と、
第2パッシベーション層と、
前記バルク弾性波共振器のアクティブ領域のエッジに沿ったフレーム構造物と
を含み、
前記第2電極が、前記圧電層と前記第2パッシベーション層との間に配置されるように配置され、
前記バルク弾性波共振器と前記複数の弾性波共振器とは、無線周波数信号をフィルタリングするべく一緒に配列される、弾性波フィルタ。 - 前記セラミック基板はスピネル基板である、請求項34の弾性波フィルタ。
- 前記無線周波数信号は、5ギガヘルツから10ギガヘルツの範囲にある周波数を有する、請求項34の弾性波フィルタ。
- パッケージ状モジュールであって、
パッケージ基板と、
前記パッケージ基板上にあり無線周波数信号をフィルタリングするべく構成された弾性波フィルタと、
前記パッケージ基板上の無線周波数コンポーネントと
を含み、
前記弾性波フィルタはバルク弾性波共振器を含み、
前記バルク弾性波共振器は、
セラミック基板と、
前記バルク弾性波共振器のアクティブ領域の中間エリアの外側にあるフレーム構造物と
を含み、
前記弾性波フィルタ及び前記無線周波数コンポーネントは共通パッケージ内に封入される、パッケージ状モジュール。 - 前記セラミック基板はスピネル基板である、請求項37のパッケージ状モジュール。
- 前記無線周波数コンポーネントは無線周波数スイッチを含む、請求項37のパッケージ状モジュール。
- 前記セラミック基板上の弾性表面波共振器をさらに含む、請求項37のパッケージ状モジュール。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862785906P | 2018-12-28 | 2018-12-28 | |
US201862785958P | 2018-12-28 | 2018-12-28 | |
US62/785,958 | 2018-12-28 | ||
US62/785,906 | 2018-12-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020109958A true JP2020109958A (ja) | 2020-07-16 |
Family
ID=71121868
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019233705A Pending JP2020109958A (ja) | 2018-12-28 | 2019-12-25 | セラミック基板を有するバルク弾性波共振器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US11387808B2 (ja) |
JP (1) | JP2020109958A (ja) |
SG (1) | SG10201913577PA (ja) |
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2019
- 2019-12-23 US US16/726,072 patent/US11387808B2/en active Active
- 2019-12-23 US US16/726,107 patent/US11424732B2/en active Active
- 2019-12-23 US US16/726,058 patent/US11349454B2/en active Active
- 2019-12-25 JP JP2019233705A patent/JP2020109958A/ja active Pending
- 2019-12-27 SG SG10201913577PA patent/SG10201913577PA/en unknown
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- 2022-07-29 US US17/877,075 patent/US20220368311A1/en active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220368311A1 (en) | 2022-11-17 |
US20200212882A1 (en) | 2020-07-02 |
US11424732B2 (en) | 2022-08-23 |
US20200212884A1 (en) | 2020-07-02 |
SG10201913577PA (en) | 2020-07-29 |
US20200212878A1 (en) | 2020-07-02 |
US11349454B2 (en) | 2022-05-31 |
US11387808B2 (en) | 2022-07-12 |
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