JP2020098871A5 - - Google Patents

Description

課題を解決するため、本発明においては、基板の第１辺に沿って基板を支持する、上下動可能な第１基板支持部と、前記第１辺と対向する第２辺に沿って前記基板を支持する、前記第１基板支持部とは独立して上下動可能な第２基板支持部と、前記基板を前記第１基板支持部に向けて押圧可能な第１押圧部と、前記基板を前記第２基板支持部に向けて押圧可能な第２押圧部と、を用いて前記基板を移動させ、前記基板をマスクの上に載置する基板載置方法であって、前記第１基板支持部と前記第２基板支持部とで支持された前記基板を前記第１押圧部と前記第２押圧部でそれぞれ押圧した状態で、前記基板を前記マスクの上方において、前記基板の姿勢を、前記第１基板支持部と前記第２基板支持部とを同じ高さに位置させた第１の姿勢から、前記第１基板支持部よりも前記第２基板支持部が高い第２の姿勢に移行させる基板傾斜工程と、前記基板の前記第１基板支持部の側に設けられた基板のアライメントマークと、前記マスクの前記第１基板支持部の側に設けられたマスクのアライメントマークとが共に撮像装置の被写界深度に含まれる状態を形成するように、前記第２の姿勢を保った状態で、前記第１基板支持部と前記第２基板支持部とを下降させる基板下降工程と、前記基板のアライメントマークと前記マスクのアライメントマークとを前記撮像装置により撮像して前記基板と前記マスクの相対位置情報を取得し、前記基板と前記マスクの位置ずれ量を計測する計測工程と、前記計測工程で計測した前記位置ずれ量が所定のしきい値を超える場合、前記計測工程で取得した相対位置情報に基づき、前記基板と前記マスクの位置ずれ量が減少するように前記基板を移動させるアライメント工程と、前記計測工程で計測した前記位置ずれ量が所定のしきい値以下の場合、前記第２押圧部の押圧力を前記第１押圧部の押圧力よりも小さい押圧力に変更し、前記第２の姿勢を保った状態で前記第１基板支持部と前記第２基板支持部とを下降させ、前記第１基板支持部の側で前記基板と前記マスクとが接触した後、前記第２基板支持部を下降させ、前記基板を前記マスクに載置する載置工程と、を備えた構成を採用した。

Claims (16)

1. 基板の第１辺に沿って基板を支持する、上下動可能な第１基板支持部と、
   前記第１辺と対向する第２辺に沿って前記基板を支持する、前記第１基板支持部とは独立して上下動可能な第２基板支持部と、
   前記基板を前記第１基板支持部に向けて押圧可能な第１押圧部と、
   前記基板を前記第２基板支持部に向けて押圧可能な第２押圧部と、
   を用いて前記基板を移動させ、前記基板をマスクの上に載置する基板載置方法であって、
   前記第１基板支持部と前記第２基板支持部とで支持された前記基板を前記第１押圧部と前記第２押圧部でそれぞれ押圧した状態で、前記基板を前記マスクの上方において、前記基板の姿勢を、前記第１基板支持部と前記第２基板支持部とを同じ高さに位置させた第１の姿勢から、前記第１基板支持部よりも前記第２基板支持部が高い第２の姿勢に移行させる基板傾斜工程と、
   前記基板の前記第１基板支持部の側に設けられた基板のアライメントマークと、前記マスクの前記第１基板支持部の側に設けられたマスクのアライメントマークとが共に撮像装置の被写界深度に含まれる状態を形成するように、前記第２の姿勢を保った状態で前記第１基板支持部と前記第２基板支持部とを下降させる基板下降工程と、
   前記基板のアライメントマークと前記マスクのアライメントマークとを前記撮像装置により撮像して前記基板と前記マスクの相対位置情報を取得し、前記基板と前記マスクの位置ずれ量を計測する計測工程と、
   前記計測工程で計測した前記位置ずれ量が所定のしきい値を超える場合、前記計測工程で取得した相対位置情報に基づき、前記基板と前記マスクの位置ずれ量が減少するように前記基板を移動させるアライメント工程と、
   前記計測工程で計測した前記位置ずれ量が所定のしきい値以下の場合、前記第２押圧部の押圧力を前記第１押圧部の押圧力よりも小さい押圧力に変更し、前記第２の姿勢を保った状態で前記第１基板支持部と前記第２基板支持部とを下降させ、前記第１基板支持部の側で前記基板と前記マスクとが接触した後、前記第２基板支持部を下降させ、前記基板を前記マスクに載置する載置工程と、
   を備えた基板載置方法。
2. 請求項１に記載の基板載置方法において、前記基板傾斜工程では、前記第１基板支持部と前記第２基板支持部とにより前記第１の姿勢で前記基板を支持した状態で前記基板が撓んで前記基板の中央部が周辺部より下降する高さ以上に、前記第２の姿勢における前記第１基板支持部と前記第２基板支持部との高低差が取られる基板載置方法。
3. 請求項１または２に記載の基板載置方法において、前記撮像装置が、前記第１基板支持部の上方に配置されている基板載置方法。
4. 請求項１から３のいずれか１項に記載の基板載置方法において、前記載置工程の後、前記撮像装置、あるいはさらに前記基板の周辺部の上部に配置された他の撮像装置を用いて、前記基板と前記マスクとを撮像して取得した前記基板と前記マスクの相対位置情報に基づき、前記基板と前記マスクの位置ずれ量を取得し、計測した前記位置ずれ量が所定のしきい値を超える場合、前記第１押圧部および前記第２押圧部で前記基板を押圧し、前記第２基板支持部を上昇させて前記基板の姿勢を前記第２の姿勢に変更し、前記計測工程、前記アライメント工程、および前記載置工程を実行する基板載置方法。
5. 請求項１から４のいずれか１項に記載の基板載置方法において、前記第１基板支持部および／または前記第２基板支持部の、前記基板を支持する支持面が、前記第２の姿勢における前記基板の傾斜に沿う勾配を有する基板載置方法。
6. 請求項５に記載の基板載置方法において、前記第１基板支持部および／または前記第２基板支持部の、前記基板を支持する支持面の勾配が１／１００以上１／１０以下の範囲に取られている基板載置方法。
7. 請求項５または６に記載の基板載置方法において、前記第１基板支持部および／または前記第２基板支持部に対向する前記第１押圧部および／または前記第２押圧部の前記基板を押圧する押圧面が、前記第１基板支持部および／または前記第２基板支持部に沿う勾配を有する基板載置方法。
8. 請求項１から７のいずれか１項に記載の基板載置方法により前記基板を前記マスクに載置した後、前記基板に成膜材料を付着させる成膜工程を含む成膜方法。
9. 基板の第１辺に沿って基板を支持する、上下動可能な第１基板支持部と、前記第１辺と対向する第２辺に沿って前記基板を支持する、前記第１基板支持部とは独立して上下動可能な第２基板支持部と、前記基板を前記第１基板支持部に向けて押圧可能な第１押圧部と、前記基板を前記第２基板支持部に向けて押圧可能な第２押圧部と、マスクと、撮像装置と、成膜源と、制御部と、を備え、
   前記制御部は、
   前記第１基板支持部と前記第２基板支持部とで支持された前記基板を前記第１押圧部と前記第２押圧部でそれぞれ押圧した状態で、前記基板を前記マスクの上方において、前記基板の姿勢を、前記第１基板支持部と前記第２基板支持部とを同じ高さに位置させた第１の姿勢から、前記第１基板支持部よりも前記第２基板支持部が高い第２の姿勢に移行させる基板傾斜工程と、
   前記基板の前記第１基板支持部の側に設けられた基板のアライメントマークと、前記マスクの前記第１基板支持部の側に設けられたマスクのアライメントマークとが共に撮像装置の被写界深度に含まれる状態を形成するように、前記第２の姿勢を保った状態で前記第１基板支持部と前記第２基板支持部とを下降させる基板下降工程と、
   前記基板のアライメントマークと前記マスクのアライメントマークとを前記撮像装置により撮像して前記基板と前記マスクの相対位置情報を取得し、前記基板と前記マスクの位置ずれ量を計測する計測工程と、
   前記計測工程で計測した前記位置ずれ量が所定のしきい値を超える場合、前記計測工程で取得した相対位置情報に基づき、前記基板と前記マスクの位置ずれ量が減少するように前記基板を移動させるアライメント工程と、
   前記計測工程で計測した前記位置ずれ量が所定のしきい値以下の場合、前記第２押圧部の押圧力を前記第１押圧部の押圧力よりも小さい押圧力に変更し、前記第２の姿勢を保った状態で前記第１基板支持部と前記第２基板支持部とを下降させ、前記第１基板支持部の側で前記基板と前記マスクとが接触した後、前記第２基板支持部を下降させ、前記基板を前記マスクに載置する載置工程と、
   前記載置工程の後、前記成膜源から前記基板に成膜材料を付着させて成膜する成膜処理と、を実行する成膜装置。
10. 請求項９に記載の成膜装置において、前記基板傾斜工程では、前記第１基板支持部と前記第２基板支持部とにより前記第１の姿勢で前記基板を支持した状態で前記基板が撓んで前記基板の中央部が周辺部より下降する高さ以上に、前記第２の姿勢における前記第１基板支持部と前記第２基板支持部との高低差が取られる成膜装置。
11. 請求項９または１０に記載の成膜装置において、前記撮像装置が、前記第１基板支持部の上方に配置されている成膜装置。
12. 請求項９から１１のいずれか１項に記載の成膜装置において、前記載置工程の後、前記制御部は、前記撮像装置、あるいはさらに前記基板の周辺部の上部に配置された他の撮像装置を用いて、前記基板と前記マスクとを撮像して取得した前記基板と前記マスクの相対位置情報に基づき、前記基板と前記マスクの位置ずれ量を取得し、計測した前記位置ずれ量が所定のしきい値を超える場合、前記第１押圧部および前記第２押圧部で前記基板を押圧し、前記第２基板支持部を上昇させて前記基板の姿勢を前記第２の姿勢に変更し、前記計測工程、前記アライメント工程、および前記載置工程を実行する成膜装置。
13. 請求項９から１２のいずれか１項に記載の成膜装置において、前記第１基板支持部および／または前記第２基板支持部の、前記基板を支持する支持面が、前記第２の姿勢における前記基板の傾斜に沿う勾配を有する成膜装置。
14. 請求項１３に記載の成膜装置において、前記第１基板支持部および／または前記第２基板支持部の、前記基板を支持する支持面の勾配が１／１００以上１／１０以下の範囲に取られている成膜装置。
15. 請求項１３または１４に記載の成膜装置において、前記第１基板支持部および／または前記第２基板支持部に対向する前記第１押圧部および／または前記第２押圧部の前記基板を押圧する押圧面が、前記第１基板支持部および／または前記第２基板支持部に沿う勾配を有する成膜装置。
16. 請求項９から１５のいずれか１項に記載の成膜装置を複数、備え、少なくとも１つの前記成膜装置が前記成膜処理において前記成膜源から前記基板に有機材料を蒸着する有機ＥＬパネルの製造システム。