JP2020090423A - 多結晶炭化珪素基板の製造方法と平板状被成膜基板 - Google Patents
多結晶炭化珪素基板の製造方法と平板状被成膜基板 Download PDFInfo
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Abstract
Description
保持手段で固定された平板状被成膜基板の表裏面と外周端面に気相成膜法により多結晶炭化珪素膜を形成する成膜工程と、
上記保持手段から分離された平板状被成膜基板の外周端面に形成された多結晶炭化珪素膜を除去して平板状被成膜基板の外周端面を露出させる端面露出工程と、
外周端面が露出した平板状被成膜基板を除去して該平板状被成膜基板の表裏面に形成された多結晶炭化珪素膜から成る2枚の多結晶炭化珪素基板を得る除去工程、
を具備する多結晶炭化珪素基板の製造方法において、
上記平板状被成膜基板を、分離可能に一体化された上側平板状基板と下側平板状基板とで構成し、上記端面露出工程後に、上側平板状基板と下側平板状基板を分離させて両基板を除去することを特徴とする。
第1の発明に記載の多結晶炭化珪素基板の製造方法において、
上側平板状基板と下側平板状基板を分離させた後、燃焼法により両基板を除去して2枚の多結晶炭化珪素基板を得ることを特徴とし、
第3の発明は、
第1の発明に記載の多結晶炭化珪素基板の製造方法において、
上側平板状基板と下側平板状基板を分離させた後、平面研削により両基板を除去して2枚の多結晶炭化珪素基板を得ることを特徴とし、
第4の発明は、
第1の発明〜第3の発明のいずれかに記載の多結晶炭化珪素基板の製造方法において、
平板状被成膜基板が固定される上記保持手段を、下側平板状基板の外周端面に形成された挿入孔と、該挿入孔に嵌入されて下側平板状基板を固定保持する挿入治具とで構成することを特徴とする。
第1の発明〜第4の発明のいずれかに記載の多結晶炭化珪素基板の製造方法に用いられる平板状被成膜基板において、
凸形状の嵌入部を有する上側平板状基板と該嵌入部が嵌め込まれる凹形状の嵌合部を有する下側平板状基板とで構成され、かつ、上記下側平板状基板の外周端面に断面矩形状の挿入孔が設けられていることを特徴とするものである。
表裏面に多結晶炭化珪素膜が形成される平板状被成膜基板を、分離可能に一体化された上側平板状基板と下側平板状基板とで構成し、かつ、平板状被成膜基板の端面を露出させた後、上側平板状基板と下側平板状基板を分離させ、上側平板状基板と下側平板状基板の嵌合面が露出した状態で両基板を除去(消失)するため、板状被成膜基板における除去(消失)時間の短縮が図れると共に、多結晶炭化珪素膜や平板状被成膜基板等の破損をも防止することが可能となる。
上記平板状被成膜基板(母材基板)1の一部がスペーサで挟持される保持手段は、図1〜図2に示すように、三角ネジ加工を施したロッド2と、母材基板1を挟み込むスペーサ3と、該スペーサ3を固定する六角ナット4とで構成されており、各々の材質は全てカーボン材料が用いられている。そして、1本のロッド2に、上記スペーサ3と六角ナット4を等間隔で配置することにより、複数枚の平板状被成膜基板(母材基板)1を同時に成膜処理することが可能となる。
この保持手段で保持される平板状被成膜基板(母材基板)は、図5(A)に示すように凸形状の嵌入部70を有する上側平板状基板7と、該嵌入部70が嵌め込まれる凹形状の嵌合部80を有する下側平板状基板8とで構成され、上記下側平板状基板8の外周端面に断面矩形状の挿入孔10が設けられていると共に、図5(B)に示すように上側平板状基板7と下側平板状基板8が一体化されて多結晶炭化珪素基板の製造に使用される。
図5(A)に示す下側平板状基板8の外周端面に形成される挿入孔10については母材基板1の中心方向に向かって30mm以上の深さを有し、かつ、挿入孔10の断面形状についてはロッド2に対し母材基板1の垂直性を保つため矩形状であることが望ましい。
図5(A)に示す凸形状の円形嵌入部70を有する円形上側平板状基板7と、該嵌入部70が嵌め込まれる凹形状の円形嵌合部80を有する円形下側平板状基板8とで構成されるカーボン製の円形母材基板1を作製した。
実施例1の結果から、表裏面に多結晶炭化珪素が成膜された円形母材基板(一体化された円形上側平板状基板7と円形下側平板状基板8から成る)1の重量に対する挿入治具(保持板)9の強度(剛性)が不足していることが判明したため、円形下側平板状基板8の外周端面に設ける挿入孔10の孔サイズと上記挿入孔10に嵌入され挿入治具(保持板)9のサイズを以下のように変更した。
従前のカーボン製円形母材基板(厚み方向へ2分割されない単一の平板状被成膜基板)を適用し、かつ、母材基板の一部をスペーサで挟持する保持手段を採用して熱CVDによる多結晶炭化珪素の成膜試験を行った。
(1)実施例1〜2においては、厚み方向へ分離される一体化された上側平板状基板7と下側平板状基板8とで構成される円形母材基板1が適用されていることから、当該円形母材基板1の端面を端面加工により露出させた後、上側平板状基板7と下側平板状基板8を分離させ、上側平板状基板7と下側平板状基板8の嵌合面が露出した状態で両基板(すなわち、上側平板状基板7と下側平板状基板8)を電気炉で除去(消失)するため、円形母材基板1における除去(消失)時間の短縮(比較例1の焼成時間が110時間であるのに対し、実施例1〜2の焼成時間は12時間)が図れることが確認される。
2 ロッド
3 スペーサ
4 六角ナット
5 多結晶炭化珪素
6 基板欠損部
7 上側平板状基板
8 下側平板状基板
9 挿入治具(保持板)
10 挿入孔
70 凸形状の嵌入部
80 凹形状の嵌合部
Claims (5)
- 保持手段で固定された平板状被成膜基板の表裏面と外周端面に気相成膜法により多結晶炭化珪素膜を形成する成膜工程と、
上記保持手段から分離された平板状被成膜基板の外周端面に形成された多結晶炭化珪素膜を除去して平板状被成膜基板の外周端面を露出させる端面露出工程と、
外周端面が露出した平板状被成膜基板を除去して該平板状被成膜基板の表裏面に形成された多結晶炭化珪素膜から成る2枚の多結晶炭化珪素基板を得る除去工程、
を具備する多結晶炭化珪素基板の製造方法において、
上記平板状被成膜基板を、分離可能に一体化された上側平板状基板と下側平板状基板とで構成し、上記端面露出工程後に、上側平板状基板と下側平板状基板を分離させて両基板を除去することを特徴とする多結晶炭化珪素基板の製造方法。 - 上側平板状基板と下側平板状基板を分離させた後、燃焼法により両基板を除去して2枚の多結晶炭化珪素基板を得ることを特徴とする請求項1に記載の多結晶炭化珪素基板の製造方法。
- 上側平板状基板と下側平板状基板を分離させた後、平面研削により両基板を除去して2枚の多結晶炭化珪素基板を得ることを特徴とする請求項1に記載の多結晶炭化珪素基板の製造方法。
- 平板状被成膜基板が固定される上記保持手段を、下側平板状基板の外周端面に形成された挿入孔と、該挿入孔に嵌入されて下側平板状基板を固定保持する挿入治具とで構成することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の多結晶炭化珪素基板の製造方法。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の多結晶炭化珪素基板の製造方法に用いられる平板状被成膜基板において、
凸形状の嵌入部を有する上側平板状基板と該嵌入部が嵌め込まれる凹形状の嵌合部を有する下側平板状基板とで構成され、かつ、上記下側平板状基板の外周端面に断面矩形状の挿入孔が設けられていることを特徴とする平板状被成膜基板。
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JPH09312245A (ja) * | 1996-05-21 | 1997-12-02 | Hoya Corp | 薄膜堆積基板および薄膜堆積基板の作製方法 |
JPH1053464A (ja) * | 1996-08-06 | 1998-02-24 | Toyo Tanso Kk | 化学気相蒸着炭化珪素材の製造方法 |
JPH10251062A (ja) * | 1997-03-11 | 1998-09-22 | Tokai Carbon Co Ltd | 炭化珪素成形体の製造方法 |
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2018
- 2018-12-07 JP JP2018229749A patent/JP7206871B2/ja active Active
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