JPH1053464A - 化学気相蒸着炭化珪素材の製造方法 - Google Patents
化学気相蒸着炭化珪素材の製造方法Info
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- JPH1053464A JPH1053464A JP8224413A JP22441396A JPH1053464A JP H1053464 A JPH1053464 A JP H1053464A JP 8224413 A JP8224413 A JP 8224413A JP 22441396 A JP22441396 A JP 22441396A JP H1053464 A JPH1053464 A JP H1053464A
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- Japan
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- sic
- cvd
- silicon carbide
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- chemical vapor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反りのないＣＶＤ−ＳｉＣ材を非常に高い歩
留りで得ることを可能とし、この結果、従来、反りを矯
正するために必要とされていた余分な作業工程を全く不
要とし、生産性を著しく向上させてより安価なＣＶＤ−
ＳｉＣ材を製造する方法を提供する。 【解決手段】 基材の表面に化学気相蒸着により炭化珪
素の被覆層を形成した後、中央を水平方向にスライスし
て得られた半割り品のうち基材部分を除去して炭化珪素
被覆層だけを残すようにした化学気相蒸着炭化珪素材の
製造方法であって、前記基材として、黒鉛部材を予め化
学気相反応により炭化珪素化したものを使用するように
した。
留りで得ることを可能とし、この結果、従来、反りを矯
正するために必要とされていた余分な作業工程を全く不
要とし、生産性を著しく向上させてより安価なＣＶＤ−
ＳｉＣ材を製造する方法を提供する。 【解決手段】 基材の表面に化学気相蒸着により炭化珪
素の被覆層を形成した後、中央を水平方向にスライスし
て得られた半割り品のうち基材部分を除去して炭化珪素
被覆層だけを残すようにした化学気相蒸着炭化珪素材の
製造方法であって、前記基材として、黒鉛部材を予め化
学気相反応により炭化珪素化したものを使用するように
した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体プロセス等
の用途に好適な化学気相蒸着炭化珪素材の製造方法の改
良に関するものである。
の用途に好適な化学気相蒸着炭化珪素材の製造方法の改
良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の化学気相蒸着炭化珪素材（以下
「ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)−ＳｉＣ材」と
いう。）の製造は、従来、図４に示す方法で行なわれて
いる。即ち、黒鉛基材１の外表面全体をＣＶＤ法により
ＳｉＣ層で被覆してＣＶＤ−ＳｉＣコート層２を形成し
た後、中央を一点鎖線のようにスライス加工して半割り
品３とし、次いで各半割り品３の黒鉛基材１を燃焼除去
（灰化処理）したり機械加工で除去してＣＶＤ−ＳｉＣ
コート層２のみからなる部材（以下「ＣＶＤ−ＳｉＣバ
ルク材」という。）４を取り出すことによって製造して
いる。
「ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)−ＳｉＣ材」と
いう。）の製造は、従来、図４に示す方法で行なわれて
いる。即ち、黒鉛基材１の外表面全体をＣＶＤ法により
ＳｉＣ層で被覆してＣＶＤ−ＳｉＣコート層２を形成し
た後、中央を一点鎖線のようにスライス加工して半割り
品３とし、次いで各半割り品３の黒鉛基材１を燃焼除去
（灰化処理）したり機械加工で除去してＣＶＤ−ＳｉＣ
コート層２のみからなる部材（以下「ＣＶＤ−ＳｉＣバ
ルク材」という。）４を取り出すことによって製造して
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、黒鉛とＳｉＣ
の熱膨張係数（以下「ＣＴＥ」と略記する）は一般に相
違するため、通常は真っ直ぐ（フラット）なＣＶＤ−Ｓ
ｉＣバルク材４は出来にくく、内側又は外側に大きく反
り返った部材５・６となる。即ち、ＳｉＣのＣＴＥは常
温〜４００°Ｃ付近の範囲で３．５×１０-6／Ｋを示す
ので、黒鉛も同じＣＴＥを示すものを使用すれば、反り
の問題は起こらないと言える。ところが、実際には、こ
の条件を確実に且つ安定して満足させることが極めて困
難という事情がある。即ち、同じ製造条件下でもＣＴＥ
が同一の黒鉛を得ることは容易ではないという事情があ
る。
の熱膨張係数（以下「ＣＴＥ」と略記する）は一般に相
違するため、通常は真っ直ぐ（フラット）なＣＶＤ−Ｓ
ｉＣバルク材４は出来にくく、内側又は外側に大きく反
り返った部材５・６となる。即ち、ＳｉＣのＣＴＥは常
温〜４００°Ｃ付近の範囲で３．５×１０-6／Ｋを示す
ので、黒鉛も同じＣＴＥを示すものを使用すれば、反り
の問題は起こらないと言える。ところが、実際には、こ
の条件を確実に且つ安定して満足させることが極めて困
難という事情がある。即ち、同じ製造条件下でもＣＴＥ
が同一の黒鉛を得ることは容易ではないという事情があ
る。
【０００４】例えば、ＣＴＥが３．５×１０-6／Ｋの黒
鉛が最も多く製造される条件下でも、製造ロットのばら
つきにより、得られた黒鉛のＣＴＥは図３のように分布
しており、ＣＴＥが３．５×１０-6／Ｋに近いものは約
２５％しかないことが分かる。これは、黒鉛製造の場合
は、成型圧のバラツキや黒鉛化温度のバラツキがあるた
めである。従って、黒鉛基材１のＣＴＥがＳｉＣと同様
に３．５×１０-6／Ｋであれば、フラットなＣＶＤ−Ｓ
ｉＣバルク材４となるが、ＣＴＥが３．５×１０-6／Ｋ
よりも大きいと、外側に大きく反り返ったバルク材５と
なり、ＣＴＥが３．５×１０-6／Ｋよりも小さいと、内
側に大きく反り返ったバルク材６となる。
鉛が最も多く製造される条件下でも、製造ロットのばら
つきにより、得られた黒鉛のＣＴＥは図３のように分布
しており、ＣＴＥが３．５×１０-6／Ｋに近いものは約
２５％しかないことが分かる。これは、黒鉛製造の場合
は、成型圧のバラツキや黒鉛化温度のバラツキがあるた
めである。従って、黒鉛基材１のＣＴＥがＳｉＣと同様
に３．５×１０-6／Ｋであれば、フラットなＣＶＤ−Ｓ
ｉＣバルク材４となるが、ＣＴＥが３．５×１０-6／Ｋ
よりも大きいと、外側に大きく反り返ったバルク材５と
なり、ＣＴＥが３．５×１０-6／Ｋよりも小さいと、内
側に大きく反り返ったバルク材６となる。
【０００５】このような反りのあるＣＶＤ−ＳｉＣバル
ク材５・６は、半導体プロセスにおけるＳｉＣダミーウ
ェハ等としてそのライン（例えば厳格に寸法設定された
ダミーウェハ固定用ボート支持溝）に自動搬送すること
ができない。そこで、真っ直ぐなＣＶＤ−ＳｉＣバルク
材４を製造しなければならないが、そのためには、その
前段階でかなりの厚みのあるＣＶＤ−ＳｉＣバルク材７
を製造しておかなければならない。この製造は、時間を
かけてＳｉＣコーティングを行い、コート層を厚くする
作業となるため、生産性の低下につながり、最終的には
製品のコストアップにつながる。
ク材５・６は、半導体プロセスにおけるＳｉＣダミーウ
ェハ等としてそのライン（例えば厳格に寸法設定された
ダミーウェハ固定用ボート支持溝）に自動搬送すること
ができない。そこで、真っ直ぐなＣＶＤ−ＳｉＣバルク
材４を製造しなければならないが、そのためには、その
前段階でかなりの厚みのあるＣＶＤ−ＳｉＣバルク材７
を製造しておかなければならない。この製造は、時間を
かけてＳｉＣコーティングを行い、コート層を厚くする
作業となるため、生産性の低下につながり、最終的には
製品のコストアップにつながる。
【０００６】また、ＣＶＤ−ＳｉＣバルク材７から真っ
直ぐな同バルク材４を得るためには、切削加工しなけれ
ばならないが、その加工は部材７の外周全体にわたるた
め、しかも部材７はＣＶＤ法という特有の製法に起因し
て緻密質で硬いという特質を有するため、切削加工に時
間がかかり、加工費の増大によりやはり製品のコストア
ップにつながる。
直ぐな同バルク材４を得るためには、切削加工しなけれ
ばならないが、その加工は部材７の外周全体にわたるた
め、しかも部材７はＣＶＤ法という特有の製法に起因し
て緻密質で硬いという特質を有するため、切削加工に時
間がかかり、加工費の増大によりやはり製品のコストア
ップにつながる。
【０００７】そればかりか、余分に厚みをもたせたＣＶ
Ｄ−ＳｉＣバルク材７を押さえた状態で機械加工した後
の同バルク材４自体にも、内部の残留応力の影響が現れ
やすく、程度の差はあれ、依然として反りのあるＣＶＤ
−ＳｉＣバルク材５・６となりやすい。結局、いかに慎
重に切削加工を行っても、製品としてのＣＶＤ−ＳｉＣ
材の歩留りは５０％程度にすぎなかった。
Ｄ−ＳｉＣバルク材７を押さえた状態で機械加工した後
の同バルク材４自体にも、内部の残留応力の影響が現れ
やすく、程度の差はあれ、依然として反りのあるＣＶＤ
−ＳｉＣバルク材５・６となりやすい。結局、いかに慎
重に切削加工を行っても、製品としてのＣＶＤ−ＳｉＣ
材の歩留りは５０％程度にすぎなかった。
【０００８】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、反りのないＣＶＤ
−ＳｉＣ材を非常に高い歩留りで得ることを可能とし、
この結果、従来、反りを矯正するために必要とされてい
た余分な作業工程を全く不要とし、生産性を著しく向上
させてより安価なＣＶＤ−ＳｉＣ材を製造する方法を提
供することにある。
のであり、その目的とするところは、反りのないＣＶＤ
−ＳｉＣ材を非常に高い歩留りで得ることを可能とし、
この結果、従来、反りを矯正するために必要とされてい
た余分な作業工程を全く不要とし、生産性を著しく向上
させてより安価なＣＶＤ−ＳｉＣ材を製造する方法を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的達成し得た本発
明のＣＶＤ−ＳｉＣ材の製造方法とは、基材の表面にＣ
ＶＤ法によりＳｉＣの被覆層を形成した後、中央を水平
方向にスライスして得られた半割り品のうち基材部分を
除去してＳｉＣ被覆層だけを残すようにしたＣＶＤ−Ｓ
ｉＣ材の製造方法であって、前記基材が、黒鉛部材を化
学気相反応法（以下「ＣＶＲ（Chemical Vapor Reactio
n)法」という。) によりＳｉＣ化したものであることを
特徴とする。
明のＣＶＤ−ＳｉＣ材の製造方法とは、基材の表面にＣ
ＶＤ法によりＳｉＣの被覆層を形成した後、中央を水平
方向にスライスして得られた半割り品のうち基材部分を
除去してＳｉＣ被覆層だけを残すようにしたＣＶＤ−Ｓ
ｉＣ材の製造方法であって、前記基材が、黒鉛部材を化
学気相反応法（以下「ＣＶＲ（Chemical Vapor Reactio
n)法」という。) によりＳｉＣ化したものであることを
特徴とする。
【００１０】このような製造方法であれば、出発時点の
基材として、ＣＴＥがすべて３．５×１０-6／ＫのＣＶ
Ｒ−ＳｉＣ基材が得られる。従って、ＣＶＲ−ＳｉＣ基
材とその外表面全体を覆うＣＶＤ−ＳｉＣコート層が共
に同材質（ＳｉＣ）となり熱膨張係数が一致するため、
反りの発生を回避してすべてフラットなＣＶＤ−ＳｉＣ
バルク材を得ることができる。また、ＣＶＲ法を実施す
る対象としての黒鉛部材のＣＴＥは３．５×１０-6／Ｋ
に限定されないので、経済的で且つ汎用性のある製造方
法とすることができる。
基材として、ＣＴＥがすべて３．５×１０-6／ＫのＣＶ
Ｒ−ＳｉＣ基材が得られる。従って、ＣＶＲ−ＳｉＣ基
材とその外表面全体を覆うＣＶＤ−ＳｉＣコート層が共
に同材質（ＳｉＣ）となり熱膨張係数が一致するため、
反りの発生を回避してすべてフラットなＣＶＤ−ＳｉＣ
バルク材を得ることができる。また、ＣＶＲ法を実施す
る対象としての黒鉛部材のＣＴＥは３．５×１０-6／Ｋ
に限定されないので、経済的で且つ汎用性のある製造方
法とすることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しつつ説明する。図１は、本発明に係るＣＶＤ−
ＳｉＣ材の製造方法を示す概略系統図である。
を参照しつつ説明する。図１は、本発明に係るＣＶＤ−
ＳｉＣ材の製造方法を示す概略系統図である。
【００１２】図１において、黒鉛基材１を、本発明の製
造方法に従い、まずＣＶＲ処理を行って１００％ＳｉＣ
化した多孔質のＣＶＲ−ＳｉＣ基体１１を得る。このＣ
ＶＲ−ＳｉＣ基体１１そのものは、本発明者が先に開発
した方法（特開平１−２６４９６９号公報）の実施によ
り、即ち、黒鉛基材１に、珪酸、又はこれにさらに炭
素、珪素及び炭化珪素の少なくとも１種を共存させて加
熱してＳｉＯガスを発生せしめ、このＳｉＯガスと上記
黒鉛基材１とを反応せしめることにより、得ることがで
きる。
造方法に従い、まずＣＶＲ処理を行って１００％ＳｉＣ
化した多孔質のＣＶＲ−ＳｉＣ基体１１を得る。このＣ
ＶＲ−ＳｉＣ基体１１そのものは、本発明者が先に開発
した方法（特開平１−２６４９６９号公報）の実施によ
り、即ち、黒鉛基材１に、珪酸、又はこれにさらに炭
素、珪素及び炭化珪素の少なくとも１種を共存させて加
熱してＳｉＯガスを発生せしめ、このＳｉＯガスと上記
黒鉛基材１とを反応せしめることにより、得ることがで
きる。
【００１３】次に、こうして得たＣＶＲ−ＳｉＣ基体１
１に対してＣＶＤ処理を行い、ＣＶＲ−ＳｉＣ基体１１
の外表面全体に緻密質のＣＶＤ−ＳｉＣコート層１２を
形成する。言い換えれば、ＣＶＲ−ＳｉＣ基体１１をＣ
ＶＤ処理した部材１３は、ポーラスなＣＶＲ−ＳｉＣ基
体１１の表面をＣＶＤ−ＳｉＣコート層１２で覆って緻
密化処理したものであり、基体１１とその表面のコート
層１２とは共に同材質（ＳｉＣ）の構造を有する部材で
ある。ＣＶＤ−ＳｉＣコート層１２は、通常のＣＶＤ法
により実施して形成すればよい。
１に対してＣＶＤ処理を行い、ＣＶＲ−ＳｉＣ基体１１
の外表面全体に緻密質のＣＶＤ−ＳｉＣコート層１２を
形成する。言い換えれば、ＣＶＲ−ＳｉＣ基体１１をＣ
ＶＤ処理した部材１３は、ポーラスなＣＶＲ−ＳｉＣ基
体１１の表面をＣＶＤ−ＳｉＣコート層１２で覆って緻
密化処理したものであり、基体１１とその表面のコート
層１２とは共に同材質（ＳｉＣ）の構造を有する部材で
ある。ＣＶＤ−ＳｉＣコート層１２は、通常のＣＶＤ法
により実施して形成すればよい。
【００１４】この後、ＣＶＲ−ＳｉＣ基体１１をＣＶＤ
処理した部材１３の厚み方向の中央を水平にスライス加
工して２枚の半割り品１４，１４とし、それぞれＣＶＲ
−ＳｉＣ基体１１の部分を機械加工にて除去することに
より２枚のフラットなＣＶＤ−ＳｉＣバルク材を得るこ
とができる。
処理した部材１３の厚み方向の中央を水平にスライス加
工して２枚の半割り品１４，１４とし、それぞれＣＶＲ
−ＳｉＣ基体１１の部分を機械加工にて除去することに
より２枚のフラットなＣＶＤ−ＳｉＣバルク材を得るこ
とができる。
【００１５】このような製造方法であれば、出発時点の
基材として、ＣＴＥがすべて３．５×１０-6／ＫのＣＶ
Ｒ−ＳｉＣ基材１１が得られる。従って、ＣＶＲ−Ｓｉ
Ｃ基材１１とその外表面全体を覆うＣＶＤ−ＳｉＣコー
ト層１２が共に同材質（ＳｉＣ）となり熱膨張係数が一
致するため、反りの発生を回避してすべてフラットなＣ
ＶＤ−ＳｉＣバルク材１４を得ることができる。また、
ＣＶＲ法を実施する対象としての黒鉛部材１のＣＴＥは
３．５×１０-6／Ｋに限定されないので、経済的で且つ
汎用性のある製造方法とすることができる。
基材として、ＣＴＥがすべて３．５×１０-6／ＫのＣＶ
Ｒ−ＳｉＣ基材１１が得られる。従って、ＣＶＲ−Ｓｉ
Ｃ基材１１とその外表面全体を覆うＣＶＤ−ＳｉＣコー
ト層１２が共に同材質（ＳｉＣ）となり熱膨張係数が一
致するため、反りの発生を回避してすべてフラットなＣ
ＶＤ−ＳｉＣバルク材１４を得ることができる。また、
ＣＶＲ法を実施する対象としての黒鉛部材１のＣＴＥは
３．５×１０-6／Ｋに限定されないので、経済的で且つ
汎用性のある製造方法とすることができる。
【００１６】
【発明の効果】本発明に係るＣＶＤ−ＳｉＣ材の製造方
法は以上の様に構成したので、反りのないＣＶＤ−Ｓｉ
Ｃ材を非常に高い歩留りで得ることを可能とし、この結
果、従来、反りを矯正するために必要とされていた余分
な作業工程を全く不要とし、生産性を著しく向上させて
より安価なＣＶＤ−ＳｉＣ材を提供することができる。
法は以上の様に構成したので、反りのないＣＶＤ−Ｓｉ
Ｃ材を非常に高い歩留りで得ることを可能とし、この結
果、従来、反りを矯正するために必要とされていた余分
な作業工程を全く不要とし、生産性を著しく向上させて
より安価なＣＶＤ−ＳｉＣ材を提供することができる。
【００１７】
（実施例１）φ２００ｍｍ×ｔ５ｍｍの形状寸法で嵩密
度ｄが１．８ｇ／ｃｍ3 、ＣＴＥが４．０×１０-6／Ｋ
（室温〜４００°Ｃ）の黒鉛基材を、本発明の製造方法
に従い、まずＣＶＲ処理を行って１００％ＳｉＣ化した
多孔質のＣＶＲ−ＳｉＣ基体を得た。次いで、このＣＶ
Ｒ−ＳｉＣ基体に対し、ＣＶＤ処理を行ってその基体の
表面に緻密質のＣＶＤ−ＳｉＣ層（厚み１０００μｍ）
を形成した。この後、厚み方向の中央を水平にスライス
加工して半割り品とし、ＣＶＲ−ＳｉＣ基体の部分を機
械加工で除去して２枚のＣＶＤ−ＳｉＣバルク材（厚み
０．６ｍｍ）を得た。
度ｄが１．８ｇ／ｃｍ3 、ＣＴＥが４．０×１０-6／Ｋ
（室温〜４００°Ｃ）の黒鉛基材を、本発明の製造方法
に従い、まずＣＶＲ処理を行って１００％ＳｉＣ化した
多孔質のＣＶＲ−ＳｉＣ基体を得た。次いで、このＣＶ
Ｒ−ＳｉＣ基体に対し、ＣＶＤ処理を行ってその基体の
表面に緻密質のＣＶＤ−ＳｉＣ層（厚み１０００μｍ）
を形成した。この後、厚み方向の中央を水平にスライス
加工して半割り品とし、ＣＶＲ−ＳｉＣ基体の部分を機
械加工で除去して２枚のＣＶＤ−ＳｉＣバルク材（厚み
０．６ｍｍ）を得た。
【００１８】得られた２枚のＣＶＤ−ＳｉＣバルク材に
ついて反りの程度を調べた。反りの調査はＣＶＤ−Ｓｉ
Ｃバルク材を水平面に置いて、その水平面からの浮き上
がりの状態を調べることにより行った。即ち、図２（Ｃ
ＶＤ−ＳｉＣバルク材の平面図）に示すように、９か所
（図中×印）での接地面からの距離を測定し、最高値と
最低値の差をもって反り量とした。この結果、反り量は
０．１ｍｍ以下であった。また、歩留りは９０％以上で
あった。
ついて反りの程度を調べた。反りの調査はＣＶＤ−Ｓｉ
Ｃバルク材を水平面に置いて、その水平面からの浮き上
がりの状態を調べることにより行った。即ち、図２（Ｃ
ＶＤ−ＳｉＣバルク材の平面図）に示すように、９か所
（図中×印）での接地面からの距離を測定し、最高値と
最低値の差をもって反り量とした。この結果、反り量は
０．１ｍｍ以下であった。また、歩留りは９０％以上で
あった。
【００１９】（比較例１）実施例１と同一寸法で同一嵩
密度、ＣＴＥが３．１×１０-6／Ｋの黒鉛基材を使用し
て従来方法により実施例１と同一厚みのＣＶＤ−ＳｉＣ
バルク材を得た。得られたＣＶＤ−ＳｉＣバルク材の反
りの程度を実施例１と同様にして調査した。その結果、
反り量は０．８ｍｍであった。即ち、内側に大きく反り
返ったＣＶＤ−ＳｉＣバルク材であった。
密度、ＣＴＥが３．１×１０-6／Ｋの黒鉛基材を使用し
て従来方法により実施例１と同一厚みのＣＶＤ−ＳｉＣ
バルク材を得た。得られたＣＶＤ−ＳｉＣバルク材の反
りの程度を実施例１と同様にして調査した。その結果、
反り量は０．８ｍｍであった。即ち、内側に大きく反り
返ったＣＶＤ−ＳｉＣバルク材であった。
【００２０】（比較例２）実施例１と同一寸法で同一嵩
密度、ＣＴＥが３．９×１０-6／Ｋの黒鉛基材を使用し
て従来方法により実施例１と同一厚みのＣＶＤ−ＳｉＣ
バルク材を得た。得られたＣＶＤ−ＳｉＣバルク材の反
りの程度を実施例１と同様にして調査した。その結果、
反り量は０．８ｍｍであった。即ち、外側に大きく反り
返ったＣＶＤ−ＳｉＣバルク材であった。製品として使
用可能なものの歩留りは２０％であった。
密度、ＣＴＥが３．９×１０-6／Ｋの黒鉛基材を使用し
て従来方法により実施例１と同一厚みのＣＶＤ−ＳｉＣ
バルク材を得た。得られたＣＶＤ−ＳｉＣバルク材の反
りの程度を実施例１と同様にして調査した。その結果、
反り量は０．８ｍｍであった。即ち、外側に大きく反り
返ったＣＶＤ−ＳｉＣバルク材であった。製品として使
用可能なものの歩留りは２０％であった。
【図１】本発明に係るＣＶＤ−ＳｉＣ材の製造方法を示
す概略系統図である。
す概略系統図である。
【図２】ＣＶＤ−ＳｉＣバルク材の平面図である。
【図３】黒鉛の場合の１製造ロットでのＣＴＥの分布を
示す棒グラフである。
示す棒グラフである。
【図４】従来におけるＣＶＤ−ＳｉＣバルク材の製造方
法を示す概略系統図である。
法を示す概略系統図である。
１ 黒鉛部材 ２ ＣＶＤ−ＳｉＣコート層 ３ 半割り品 ４ ＣＶＤ−ＳｉＣバルク材 ５，６，７ 反りのあるＣＶＤ−ＳｉＣバルク材 １１ ＣＶＲ−ＳｉＣ基体 １２ ＣＶＤ−ＳｉＣコート層 １３ ＣＶＤ処理した部材 １４ 半割り品 １５ 本発明のＣＶＤ−ＳｉＣバルク材
Claims (1)
- 【請求項１】 基材の表面に化学気相蒸着により炭化珪
素の被覆層を形成した後、中央を水平方向にスライスし
て得られた半割り品のうち基材部分を除去して炭化珪素
被覆層だけを残すようにした化学気相蒸着炭化珪素材の
製造方法であって、前記基材が、黒鉛部材を化学気相反
応により炭化珪素化したものであることを特徴とするＣ
ＶＤ炭化珪素材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8224413A JPH1053464A (ja) | 1996-08-06 | 1996-08-06 | 化学気相蒸着炭化珪素材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8224413A JPH1053464A (ja) | 1996-08-06 | 1996-08-06 | 化学気相蒸着炭化珪素材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1053464A true JPH1053464A (ja) | 1998-02-24 |
Family
ID=16813390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8224413A Pending JPH1053464A (ja) | 1996-08-06 | 1996-08-06 | 化学気相蒸着炭化珪素材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1053464A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001073139A (ja) * | 1999-09-07 | 2001-03-21 | Asahi Glass Co Ltd | 炭化ケイ素質成形体の製造方法 |
| JP2020083666A (ja) * | 2018-11-15 | 2020-06-04 | 住友金属鉱山株式会社 | 黒鉛基材、炭化珪素の成膜方法および炭化珪素基板の製造方法 |
| JP2020090423A (ja) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | 住友金属鉱山株式会社 | 多結晶炭化珪素基板の製造方法と平板状被成膜基板 |
-
1996
- 1996-08-06 JP JP8224413A patent/JPH1053464A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001073139A (ja) * | 1999-09-07 | 2001-03-21 | Asahi Glass Co Ltd | 炭化ケイ素質成形体の製造方法 |
| JP2020083666A (ja) * | 2018-11-15 | 2020-06-04 | 住友金属鉱山株式会社 | 黒鉛基材、炭化珪素の成膜方法および炭化珪素基板の製造方法 |
| JP2020090423A (ja) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | 住友金属鉱山株式会社 | 多結晶炭化珪素基板の製造方法と平板状被成膜基板 |
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Legal Events
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