JP2020088336A - インプリント装置、インプリント方法、および、物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 オーバーレイ誤差低減の点で有利なインプリント装置を提供すること。【解決手段】 型を用いて、基板にインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記型の姿勢を変更可能に保持し、インプリント処理を行うインプリントヘッドを有し、前記型の倍率を変更可能にする機構を有し、前記型と前記基板にそれぞれ形成されたマークを検出する検出部と、前記基板を保持し、移動させるステージと、前記インプリント処理と前記ステージを制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記型と前記基板に形成されたマークとの位置ズレが小さくなるように、押印やチルトに起因するマスク変形を関数近似した項を含む複数の補正項の係数を決定し、決定された補正項に基づいてアライメントを行い、インプリントすることを特徴とするインプリント装置。【選択図】 図1
Description
本発明は、インプリント装置、インプリント方法、および、物品の製造方法に関する。
インプリントリソグラフィは、ナノスケ−ルの微細パタ−ンの転写を可能にする技術であり、磁気記憶媒体や半導体デバイスの量産向けナノリソグラフィ技術の1つとして実用化されつつある。インプリント技術では、微細パタ−ンが形成されたマスクを原版としてシリコンウエハやガラスプレ−ト等のウエハ上に微細パタ−ンが形成される。この微細パタ−ンは、ウエハ上にディスペンサで樹脂を塗布し、その樹脂を介してウエハにマスクのパタ−ンを押し付けた状態でその樹脂を硬化させることによって形成される。
インプリントリソグラフィにおけるアライメント誤差は、マスクのアライメントマークとウエハのアライメントマークとの間のミスアライメントであると理解される。アライメント誤差はアライメントスコープにより観察され、リアルタイムにフィードバックされ、補正される。一方、インプリントリソグラフィにおけるオーバーレイ誤差は、マスクによって形成された樹脂層のオーバーレイマークとウエハのオーバーレイマークとの間のミスアライメントとして理解される。オーバーレイ誤差はインプリントされた後の基板で検出される。
インプリントリソグラフィでは、インプリント時の押印力やインプリントヘッドの姿勢によりマスクが変形することが知られている。この変形は一般には線形ではなく高次の成分を含むため、高々数か所のアライメントマークの検出結果から線形補正する従来の方法では補正しづらい懸念があった。このため、押印や姿勢によるマスク変形に起因するオーバーレイ誤差が残る懸念があった。
そこで本発明は高々数か所のアライメントマークを用いて、押印やチルトに起因するオーバーレイ誤差を低減するインプリント装置を提供することを目的とする。
その目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、型を用いて、基板にインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記型の姿勢を変更可能に保持し、インプリント処理を行うインプリントヘッドを有し、前記型の倍率を変更可能にする機構を有し、前記型と前記基板にそれぞれ形成されたマークを検出する検出部と、
前記基板を保持し、移動させるステージと、前記インプリント処理と前記ステージを制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記型と前記基板に形成されたマークとの位置ズレが小さくなるように、押印やチルトに起因するマスク変形を関数近似した項を含む複数の補正項の係数を決定し、決定された補正項に基づいてアライメントを行い、インプリントすることを特徴とする。
前記基板を保持し、移動させるステージと、前記インプリント処理と前記ステージを制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記型と前記基板に形成されたマークとの位置ズレが小さくなるように、押印やチルトに起因するマスク変形を関数近似した項を含む複数の補正項の係数を決定し、決定された補正項に基づいてアライメントを行い、インプリントすることを特徴とする。
本発明によれば、高々数か所のアライメントマークを用いて、押印やチルトに起因するオーバーレイ誤差を低減するインプリント装置を提供することができる。
以下に、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
<第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態のインプリント装置1の構成を模式的に示す側面図である。インプリント装置1は、基板Sの上に配置されたインプリント材IMに型Mのパターン領域PRを接触させ、インプリント材IMを硬化させる。これによって、基板Sの上にパターンが形成される。
図1は、本発明の第1実施形態のインプリント装置1の構成を模式的に示す側面図である。インプリント装置1は、基板Sの上に配置されたインプリント材IMに型Mのパターン領域PRを接触させ、インプリント材IMを硬化させる。これによって、基板Sの上にパターンが形成される。
本明細書および添付図面では、基板Sの表面に平行な方向をXY平面とするXYZ座標系において方向を示す。XYZ座標系におけるX軸、Y軸、Z軸にそれぞれ平行な方向をX方向、Y方向、Z方向とし、X軸周りの回転、Y軸周りの回転、Z軸周りの回転をそれぞれθX、θY、θZとする。X軸、Y軸、Z軸に関する制御または駆動は、それぞれX軸に平行な方向、Y軸に平行な方向、Z軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。また、θX軸、θY軸、θZ軸に関する制御または駆動は、それぞれX軸に平行な軸の周りの回転、Y軸に平行な軸の周りの回転、Z軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または駆動を意味する。また、位置は、X軸、Y軸、Z軸の座標に基づいて特定されうる情報であり、姿勢は、θX軸、θY軸、θZ軸の値で特定されうる情報である。位置決めは、位置および/または姿勢を制御することを意味する。位置合わせは、基板および型の少なくとも一方の位置および/または姿勢の制御を含みうる。
インプリント装置1は、基板Sを保持し位置決めする基板位置決め機構SA、型Mを保持し位置決めする型位置決め機構MA、型駆動機構MAを支持する支持構造体50を備えうる。型位置決め機構MAおよび支持構造体50により、型の姿勢を変更可能に保持し、インプリント処理を行うインプリントヘッドとして構成されうる。基板位置決め機構SAおよび型位置決め機構MAは、基板Sと型Mとの相対位置が調整されるように基板Sおよび型Mの少なくとも一方を駆動する駆動機構DMを構成する。駆動機構DMはコンピュータ等の不図示の制御部によって制御される。駆動機構DMによる相対位置の調整は、基板Sの上のインプリント材IMに対する型Mの接触、および、硬化したインプリント材(硬化物のパターン)からの型Mの分離のための駆動を含む。また、駆動機構DMによる相対位置の調整は、基板Sのショット領域と型Mとの位置合わせのための駆動を含む。
基板位置決め機構SAは、基板Sを保持する基板ステージSSと、基板ステージSSを駆動することによって基板Sを駆動する基板駆動機構24とを含む。基板ステージSSは、基板Sを保持する基板チャック21と、基板チャック21を支持するテーブル22とを含みうる。また、基板ステージSSは、基板Sの周囲を取り囲む同面板23を含みうる。同面板23の表面は、基板Sの表面とほぼ同一の高さを有しうる。型位置決め機構MAは、型Mを保持する型チャック41と、型チャック41を駆動することによって型Mを駆動する型駆動機構42とを含みうる。
基板位置決め機構SA(基板駆動機構24)は、基板Sを複数の軸(例えば、X軸、Y軸、θZ軸の3軸、好ましくは、X軸、Y軸、Z軸、θX軸、θY軸、θZ軸の6軸)について駆動するように構成されうる。型位置決め機構MA(型駆動機構42は、型Mを複数の軸(例えば、Z軸、θX軸、θY軸の3軸、好ましくは、X軸、Y軸、Z軸、θX軸、θY軸、θZ軸の6軸)について駆動するように構成されうる。
インプリント装置1は、基板Sのショット領域と型Mのパターン領域PRとの位置合わせのための計測を行うアライメントスコープASを検出部として備える。アライメントスコープASは、例えば、基板Sのショット領域のマークと型Mのマークとの相対位置を計測するように構成される。
またインプリント装置1は、硬化部90およびディスペンサ32を備える。硬化部90は、基板Sのショット領域の上のインプリント材IMと型Mのパターン領域PRとが接触し、パターン領域PRのパターンを構成する凹部にインプリント材が充填された状態でインプリント材に硬化用のエネルギーEを照射する。ディスペンサ32は、基板Sの上にインプリント材IMを供給する。ディスペンサ32は、例えば、基板位置決め機構SAによって基板Sが移動されている状態でインプリント材IMを吐出することによって、基板Sの上の目標位置にインプリント材IMを配置する。
基板Sの上に配置されたインプリント材IMは型Mの下に基板位置決め機構SAによって移動される。型Mは型位置決め機構MAによってインプリント材IMに押し付けられる。アライメントスコープASにより、基板Sのショット領域のマークと型Mのパターン領域のマークとの相対位置を計測し、基板位置決め機構SAによって基板Sと型Mの位置合わせを行う。位置合わせが行われた状態で硬化部90から硬化用のエネルギーEが供給される。インプリント材を硬化するために十分なエネルギーEが供給された後で離型する。これにより基板Sの上に硬化したインプリント材IMによる樹脂層が形成される。この樹脂層はパターンに加えて、オーバーレイマーク他のマークを形成する。
一般に、基板のショット領域と型のパターン領域との位置合わせの誤差であるオーバーレイ誤差は樹脂層に形成されたオーバーレイマークと基板にあらかじめ形成されているオーバーレイマークとの相対ずれとして理解される。通常、オーバーレイマークはショット領域全面に偏りなく十数か所から数百か所程度配置される。このように配置することにより、オーバーレイマークの相対ずれをショット全面の相対ずれと見なしてオーバーレイ誤差が評価される。
通常、インプリント処理を行う場合、ショット内の任意の場所に高々数点だけ配置された基板Sのショット領域とのマークと型Mのマークとの相対位置のずれをアライメントスコープASにより計測し、このマークのずれが小さくなるように補正が行われる。
図2を参照して、アライメントマークにおける補正量の算出量について説明する。複数あるアライメントマークのうち、i番目のアライメントマークの計算補正前のXY座標をBXi、BYi、計算補正後のXY座標をAXi、AYiとする。図2ではアライメントマークが4つあるとして、ウエハ側のマークを丸印、マスク側のマークを+印で示した。また丸印は計算補正前が実線、計算補正後が破線である。例えば、基板位置決め機構SAによるX、Y方向へのシフトとθz軸まわりの回転までを補正項として考慮する場合には、それぞれの補正項をShift X、Shift Y、Rot ZとするとAXiはBXiから式(1)を用いて計算することができる。i=1〜4として、
これらを用いて、i番目のアライメントマークのX方向、Y方向の計算補正量をCXi、CYiとすると、これらはCXi=AXi−BXi、CYi=AYi−BYiと表される。図2ではこれを実線の丸印から破線の丸印までの距離で示してある。一方、i番目のアライメントマークの観測されたX方向、Y方向の相対位置のズレ量をOXi、OYiとする。図2ではこれを実線の丸印から太い+印までの距離で示してある。i番目のアライメントマークの相対ズレの観測値と計算補正量のX、Y方向の差をDXi、DYiとする。ここでDXi=OXi−CXi、DYi=OXi−CXiである。図2では破線の丸印と太い+印の距離に相当する。このとき評価値J=Σ(DXi^2+DYi^2)が最小になるように各補正項の計算補正量ShiftX、ShiftY、RotZを算出する。この算出された補正量に基づいて基板位置決め機構SAを動作させる。
上記の例では基板位置決め機構SAによりShiftX、ShiftY、RotZのみを補正する場合について記載した。インプリント装置1が不図示の型Mの倍率を変更可能にする機構(倍率補正機構)を持つ場合には、型MのX、Y方向の倍率MagX、MagYまで含めて補正しても良い。あるいは倍率補正機構が型に加える力に分布を持たせることにより、型の直交成分や台形成分まで含めて補正しても良い。このような場合には式(1)に相当する式が倍率や直交成分や台形成分を含んだ形で記述し直され、これに基づいて各補正量が算出される。この算出された補正量に基づいて不図示の倍率補正機構を動作させる。
このようにアライメントマークの相対ずれを低減するように補正を行うことで、ショット全域のおける型と基板の相対ずれとして評価されるオーバーレイ誤差がアライメントマークの相対ずれに現れている場合には良好に補正できることが期待される。
しかしながら、インプリント装置では押印力やインプリントヘッドがチルトした状態で押印することに起因して、型Mのパターン領域に複雑な変形が引き起こされる。このような場合、アライメントマークの相対位置ずれが小さくなるように求めた補正量で、ショット全域を補正した場合、アライメントマーク近傍以外では正しく補正されず、オーバーレイ誤差が大きくなる懸念がある。
例として、図3(a)に型Mと基板Sが相対的に傾斜した状態でインプリントされたときのショット領域における型と基板の相対位置ずれを模式的に示した。ショット領域に35点配置されたオーバーレイマークにおける相対位置ずれを矢印で示してある。また、アライメントマークが4点配置されているとして、その位置を丸印で示した。説明の都合上、アライメントマークの位置は直近のオーバーレイマークの位置と同じとした。図3(b)にアライメントマークで検出した型Mと基板Sの相対位置ずれを最小化するように、シフト、回転、倍率を用いて補正したときのオーバーレイマークの相対ずれを示した。また、これらの差分を図3(c)に示した。図3(c)に示すとおり、ショット全域でオーバーレイ誤差が発生していることがわかる。傾斜による位置ズレがシフト、倍率、回転までを補正しただけでは取りきれないことがわかる。
そこで本発明では、シフト、倍率、回転に加えて、チルト形状を近似した成分を補正項として含んで分解する。チルトを含んだ場合の式(2)に示す。ここでチルトの補正量はKtiltX、KtiltYである。i=1〜4として、
ここでTXi,TYiはi番目のアライメントマークのチルト形状に起因した成分である。これは具体的にはマスクとウエハを相対的に傾斜させたときの押印時のマスクとウエハの変形をシミュレーションした結果からウエハとマスクの相対ずれを求め、それを関数近似して求めれば良い。あるいは傾斜を振ったインプリント実験結果のオーバーレイ誤差の差分から求め、それを関数近似して求めても良い。
例えばTXi,TYiをシフト、倍率Mag、回転Rot、台形成分Trapまで含んだ成分で近似すると、式(3)のようになる。なお、ここでは台形成分までで近似するとしたが、チルト時形状を近似する関数はより高次の成分を含んでいても良い。i=1〜4として、
図4(a)にアライメントマークで検出した型Mと基板Sの相対位置ずれを最小化するように、シフト、回転、倍率に加えてチルトを関数近似した成分を用いた式(2)、(3)を使って各補正項の補正量を算出し、補正したときのオーバーレイマークの相対ずれを模式的に示した。また、これらの差分を図4(b)に示した。図4(b)に示すとおり、図3(c)に比べてショット全域でオーバーレイ誤差が低減していることがわかる。従来例である式(1)では取り切れていなかったチルトによる位置ズレが低減できることがわかる。このようにすることでアライメントマークが高々4つしかない場合でもオーバーレイ誤差を効果的に低減することができる。
実際のインプリント装置では式(3)に基づいて算出されたチルト量に基づいて、インプリントヘッドのチルト量を補正することにより、図4(b)に示したように良好にオーバーレイ誤差を補正することができる。
あるいは、式(3)のようにチルトを台形成分までで近似した場合であれば、インプリントヘッドのチルト量を補正しなくても良く、基板位置決め機構SAを用いて、シフト、回転を補正し、倍率補正機構を用いて倍率や台形成分を補正しても良い。このようにすることでインプリントヘッドの姿勢をリアルタイムに制御する機能を持たない場合でも、チルトに起因するオーバーレイ誤差を低減することができる。
また、インプリント装置が基板位置決め機構、倍率補正機構に加えて、高次のオーバーレイ誤差を補正することが可能な例えば熱補正機構を持つ場合には、チルト形状を近似する式(3)をより高次の成分まで含んだ形で近似しても良い。これにより、より高次の成分まで含んだ式で近似したチルト項を用いて式(2)を最小化することができる。最小化された際のチルトを近似した成分に基づいて、高次の補正を行うことができる。これによりチルトに起因するオーバーレイ誤差をさらに低減することができる。
以上の例ではインプリントヘッドがθX軸周りに傾いた場合について示したが、θY軸回りの回転で合っても同様の式によれば良い。またインプリント装置では、押印力によってもマスク変形に起因するオーバーレイ誤差も起こりうる。これを補正するためには押印に起因するオーバーレイ誤差を近似する項を用いればよい。
<第2実施形態>
図5を参照しながら、本発明の第二の実施形態について説明する。
図5を参照しながら、本発明の第二の実施形態について説明する。
実際のインプリント処理でアライメントを行う場合、先述の押印力やθX、θY軸周りのチルト成分のうち、オーバーレイ誤差への寄与が大きいのはどの成分かは事前にはわからないのが通常である。
例えば4個のアライメントマークを使った場合、これらのX、Y方向の位置ズレから決定できるのは4×2=8パラメータまでである。仮にシフトX、Y、倍率X、Y、回転X、Yの6パラメータに加えて、押印力とチルトX、チルトYを補正しようとすると全部で9パラメータとなり、すべてのパラメータを4個のアライメントマークの計測結果から決めることはできない。
このような場合は同一Lotのウエハでインプリントしたオーバーレイ計測結果のオーバーレイ誤差を用いて寄与の大きい補正項を選択すれば良い。オーバーレイマークはショット内に通常10数個〜百数十個程度配置されているため、9パラメータを決定するのは容易である。このようにして寄与が小さいパラメータを決定し、予め複数記憶された補正項をそれぞれ含んだ複数の式の中から寄与の小さい補正項が存在しない式を選択する、あるいは複数の補正項を含む一つの式から寄与の小さい補正項を除くことで、用いる補正項を選択することが望ましい。これにより、比較的良好にオーバーレイ誤差を低減することができる。
なお、ここで除くパラメータは押印力やチルトである必要はない。寄与が少ないのであれば、回転成分を除いても良い。あるいはパラメータ間に束縛条件を設けても良い。例えば、回転Xと回転Yが等しいという制約を設けることでパラメータを一つ減らすことができる。これにより4個のアライメントマークであってもシフトX、Y、倍率X、Y、回転に加えて押印、チルトX、チルトYの8パラメータを補正することができる。
このようなパラメータ数の削減方法はパーシャルフィールドのインプリントなどで使用できるアライメントマークが少ない場合でも使用できる。例えばアライメントマークが2か所しか使えない場合では4パラメータしか決めることができないが、前記のような方法に従えば、シフトX、Y、回転に加えて、チルトX項を補正するといった方法でオーバーレイ誤差を効果的に低減することができる。
<第3実施形態>
次に、前述のインプリント装置を利用した物品(半導体IC素子、液晶表示素子、MEMS等)の製造方法を説明する。物品は、前述のインプリント装置を使用して、感光剤が塗布された基板(ウェハ、ガラス基板等)を露光する工程と、その基板(感光剤)を現像する工程と、現像された基板を他の周知の工程で処理することにより製造される。他の周知の工程には、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等が含まれる。本物品製造方法によれば、従来よりも高品位の物品を製造することができる。
次に、前述のインプリント装置を利用した物品(半導体IC素子、液晶表示素子、MEMS等)の製造方法を説明する。物品は、前述のインプリント装置を使用して、感光剤が塗布された基板(ウェハ、ガラス基板等)を露光する工程と、その基板(感光剤)を現像する工程と、現像された基板を他の周知の工程で処理することにより製造される。他の周知の工程には、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等が含まれる。本物品製造方法によれば、従来よりも高品位の物品を製造することができる。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
1 インプリント装置
S 基板
M 型
PR パターン領域
SA 基板位置決め機構
MA 型位置決め機構
DM 駆動機構
32 ディスペンサ
IM インプリント材
AS アライメントスコープ
S 基板
M 型
PR パターン領域
SA 基板位置決め機構
MA 型位置決め機構
DM 駆動機構
32 ディスペンサ
IM インプリント材
AS アライメントスコープ
Claims (5)
- 型を用いて、基板にインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記型の姿勢を変更可能に保持し、インプリント処理を行うインプリントヘッドを有し、
前記型の倍率を変更可能にする機構を有し、
前記型と前記基板にそれぞれ形成されたマークを検出する検出部と、
前記基板を保持し、移動させるステージと、
前記インプリント処理と前記ステージを制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、
前記型と前記基板に形成されたマークとの位置ズレが小さくなるように、
押印やチルトに起因するマスク変形を関数近似した項を含む複数の補正項の補正量を算出し、算出された補正量に基づいてアライメントを行い、
インプリントすることを特徴とするインプリント装置。 - 前記アライメントがインプリントヘッドの姿勢や押印力の変更であることを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
- 高次の補正機構をさらに有し、前記高次の補正機構で補正することが可能な補正項までを用いて押印やチルトに起因する変形を近似した項を含んで、補正項の補正量を算出し、算出された補正量に基づいて補正する請求項1または2に記載のインプリント装置。
- 前記複数の補正項を含む式を複数記憶し、事前のインプリントのオーバーレイ計測結果から選択することを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
- 請求項1乃至4のいずれか1項に記載のインプリント装置を用いて基板をインプリントする工程と、インプリントされた基板を現像する工程と、現像された基板から物品を製造する工程と、を有する、ことを特徴とする物品の製造方法。
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JP2018225475A JP2020088336A (ja) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | インプリント装置、インプリント方法、および、物品の製造方法 |
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