JP6864481B2 - パターン形成方法および物品製造方法 - Google Patents
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図1には、本発明の第1実施形態が適用されうるインプリント装置1の構成が示されている。インプリント装置1は、半導体デバイスやMEMSなどの物品の製造のために使用されうる。インプリント装置1は、基板10の上に未硬化樹脂14を配置し、未硬化樹脂14を型8によって成形し、該成形された未硬化樹脂14を硬化させることによって樹脂のパターンを形成する。未硬化樹脂および硬化によって形成された樹脂は、インプリント材と呼ばれうる。
弓形:dx=K11(ppm/mm2)・Y2 −(式2)
糸巻形:dx=K17(ppm/mm3)・X・Y2 −(式3)
樽形:dx=-K17(ppm/mm3)・X・Y2 −(式4)
第2実施形態は、第1実施形態を変形したものである。第2実施形態として言及しない事項は、第1実施形態に従う。第2実施形態では、基準基板25の上に投影露光装置EXを用いて検査パターン群を形成し、基準基板25の第2マーク330(インプリント装置1によって形成されたマーク)と検査パターン群との重ね合わせ誤差を計測することによって共通成分を決定する。
Claims (14)
- 投影露光装置を用いて第1領域を規定するように第1パターン群が形成された複数の基板のうち互いに異なる基板の前記第1領域の上に複数のインプリント装置をそれぞれ用いて第2領域を規定するように第2パターン群を形成するパターン形成方法であって、
前記複数のインプリント装置によりそれぞれ規定される複数の前記第2領域の形状における共通の変形成分である共通成分を決定する決定工程と、
前記投影露光装置を用いて複数の基板のそれぞれの上に、前記決定工程で決定された前記共通成分に応じて変形させた前記第1領域を規定するように前記第1パターン群を形成する第1工程と、
前記複数のインプリント装置のそれぞれを用いて、前記第1工程で前記第1パターン群が形成された前記複数の基板のうちの互いに異なる基板の前記第1領域の上に前記第2領域を規定するように前記第2パターン群を形成する第2工程と、を含む、
ことを特徴とするパターン形成方法。 - 前記複数のインプリント装置は、基板の上に供給されたインプリント材に型を押し付けた状態で該インプリント材を硬化させることによって前記第2パターン群を形成し、
前記決定工程では、基板の上に供給されたインプリント材に型を押し付けたことによって該型が変形することに起因する前記第2領域における変形に基づいて前記共通成分を決定する、
ことを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。 - 前記共通成分は、前記複数の基板の上に規定された前記第2領域の形状を示す複数の変形成分のうち2次以上の多項式で表される各変形成分を変形成分ごとに平均した値であることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン形成方法。
- 前記共通成分は、前記複数の基板の同じ位置に規定された前記第2領域の形状を示す複数の変形成分のうち2次以上の多項式で表される各変形成分を変形成分ごとに平均した値であることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン形成方法。
- 前記決定工程は、
前記投影露光装置を用いて複数のテスト基板に第1マークを形成する第3工程と、
前記複数のインプリント装置のそれぞれを用いて前記複数のテスト基板のうち互いに異なるテスト基板に、前記第1マークを基準として複数の第2マークを形成する第4工程と、
前記複数のインプリント装置を用いてそれぞれ形成された前記複数の第2マークに基づいて前記共通成分を決定する第5工程と、を含む、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。 - 前記決定工程は、
前記投影露光装置を用いて複数のテスト基板に第1マークを形成する第3工程と、
前記複数のインプリント装置のそれぞれを用いて前記複数のテスト基板のうち互いに異なるテスト基板に、前記第1マークを基準として複数の第2マークを形成する第4工程と、
前記複数のインプリント装置を用いてそれぞれ形成された前記複数の第2マークに基づいて前記共通成分を決定する第5工程と、
前記第3工程および前記第4工程を経た前記複数のテスト基板のうち前記第2マークによって規定される領域の形状が前記共通成分に近いテスト基板を基準基板として決定する第6工程と、
前記投影露光装置により前記基準基板における前記複数の第2マークに基づいて前記共通成分を決定する第7工程と、を含む、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。 - 前記第2工程では、基板の上の隣接した複数の前記第1領域の上に一度に前記第2パターン群を形成することによって前記第2領域を規定する、
ことを特徴とする請求項6に記載のパターン形成方法。 - 前記第5工程では、前記第2工程で一度に前記第2パターン群を形成した前記第2領域ごとに前記共通成分を決定する、
ことを特徴とする請求項7に記載のパターン形成方法。 - 前記第2工程では、前記複数のインプリント装置の各々に起因する前記第2領域の形状の個別成分を前記複数のインプリント装置により個別に補正する、
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載のパターン形成方法。 - 前記複数のインプリント装置の各々は、型の形状を補正する形状補正機構を備え、前記第2工程では、前記形状補正機構によって前記個別成分を補正する、
ことを特徴とする請求項9に記載のパターン形成方法。 - 前記第1パターン群は、アライメントマークを含み、前記第2工程では、前記第1工程で形成された前記アライメントマークを用いて、前記形状補正機構による型の変形を制御する、
ことを特徴とする請求項10に記載のパターン形成方法。 - 前記投影露光装置は、レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系を備え、
前記第1工程では、前記共通成分に応じて前記第1領域を変形させるために、該レチクルと該基板との相対的な位置および姿勢、ならびに、前記投影光学系の光学素子の位置および姿勢、の少なくとも1つを制御する、
ことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載のパターン形成方法。 - 前記第1工程では、前記共通成分によって規定される前記第2領域の形状に前記第1領域の形状が近づくように前記第1領域を変形させる、
ことを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載のパターン形成方法。 - 請求項1乃至13のいずれか1項に記載のパターン形成方法に従って基板の上に前記第1パターン群および前記第2パターン群を形成する工程と、
前記第2パターン群が形成された前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする物品製造方法。
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