JP2020080417A5 - - Google Patents
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Claims (10)
- ドーパントとしてシリコンの等電子不純物を含み、該等電子不純物がカーボンのみであり、カーボンが結晶粒内および結晶粒界に分布し、結晶粒内でシリコンと置換して分布するカーボンがドーパントとして機能する多結晶性マグネシウムシリサイド。
- 未反応のマグネシウムおよび未反応のシリコンを含まない請求項１に記載の多結晶性マグネシウムシリサイド。
- カーボンを原子量比で０．１ａｔ％〜２．０ａｔ％含む請求項１または請求項２に記載の多結晶性マグネシウムシリサイド。
- 請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の多結晶性マグネシウムシリサイドから構成される熱電変換材料。
- 請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の多結晶性マグネシウムシリサイドを焼結してなる焼結体。
- カーボンを原子量比で０．５ａｔ％〜１．０ａｔ％含み、３２７Ｋ〜６００Ｋにおける出力因子が２．６×１０−３Ｗｍ−１Ｋ−２〜３．３×１０−３Ｗｍ−１Ｋ−２である請求項５に記載の焼結体。
- 請求項５または請求項６に記載の焼結体から構成される熱電変換材料。
- 請求項４または請求項７に記載の熱電変換材料から構成された熱電変換部と、前記熱電変換部に設けられた第１電極および第２電極とを備える熱電変換素子。
- 請求項８に記載の熱電変換素子を備える熱電変換モジュール。
- 多結晶性マグネシウムシリサイドの製造方法であって、
マグネシウム、シリコンおよびカーボン源を含む組成原料を、還元雰囲気下、１０８５℃以上１４１０℃未満の温度で加熱してインゴット状の加熱溶融合成物を作製する加熱溶融工程を含み、
前記加熱溶融工程において、前記カーボン源の加熱分解により生じるカーボンを前記多結晶性マグネシウムシリサイドの結晶粒内および結晶粒界に分布させる多結晶性マグネシウムシリサイドの製造方法。
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