JP2020074458A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、第1実施形態による半導体装置1の構成例を示す断面図である。半導体装置1は、半導体チップ10と、金属層20と、樹脂層30と、パッド31、32と、パッケージ配線41、42と、ビアコンタクト51〜53と、ソルダレジスト61、62と、端子71、72とを備えている。
図12は、第2実施形態による半導体装置2の構成例を示す断面図である。第2実施形態では、端子71〜73が樹脂層30の第6面F6側に設けられている点で第1実施形態と異なる。
図13は、第3実施形態による半導体装置3の構成例を示す断面図である。半導体装置3は、複数の半導体チップ10、310を1つの半導体パッケージ内に組み込んだ半導体モジュールである。
第1実施形態による製造方法は、所謂、フェイス・アップ型実装方式で半導体装置1を製造している。これに対し、第4実施形態による製造方法は、所謂、フェイス・ダウン型実装方式で半導体装置1を製造している。
Claims (16)
- 第1面と、該第1面と反対側にある第2面とを有する第1金属層と、
前記第1金属層の前記第1面上に設けられた第1半導体チップと、
前記第1金属層の前記第1面上に設けられた第1ビアコンタクトと、
前記第1半導体チップ上に設けられた第2ビアコンタクトと、
前記第1金属層、前記第1半導体チップ、前記第1ビアコンタクトおよび前記第2ビアコンタクトを封止する樹脂層であって、第3面を有し、前記第1ビアコンタクトの第1端部および前記第2ビアコンタクトの第2端部を前記第3面において露出する樹脂層と、
前記樹脂層の前記第3面上に設けられ前記第1ビアコンタクトの第1端部および前記第2ビアコンタクトの第2端部を電気的に接続する第1配線と、
前記樹脂層の第3面上に設けられた第2配線とを備えた、半導体装置。 - 前記第1金属層の前記第1面は、前記第1半導体チップのチップ面積よりも大きい、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1金属層は、前記第1半導体チップの外周よりも大きい外周を有する、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1金属層は、前記第1半導体チップの外縁よりも外側に出ている外縁を有する、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1金属層の前記第2面は、前記樹脂層から露出している、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1金属層から離間した第2金属層と、
前記第2金属層上に設けられた第3ビアコンタクトとをさらに備え、
前記第3ビアコンタクトの第3端部は、前記第3面で前記樹脂層から露出されている、請求項1に記載の半導体装置。 - 第2金属層と、
前記第2金属層上に設けられた第2半導体チップと、
前記第2半導体チップ上に設けられた第3ビアコンタクトとをさらに備え、
前記樹脂層は、前記第2金属層、前記第2半導体チップおよび前記第3ビアコンタクトを取り囲み、前記第3面において前記第3ビアコンタクトの第3端を露出している、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第2金属層の厚さは、前記第1金属層の厚さと異なり、
前記第1半導体チップの厚さと前記第1金属層の厚さとの和は、前記第2半導体チップの厚さと前記第2金属層の厚さとの合計に実質的に等しい、請求項7に記載の半導体装置。 - 前記第1配線、前記第2配線、または前記第1金属層に接続された端子をさらに備える、請求項1に記載の半導体装置。
- 第1面と、該第1面と反対側にある第2面とを有する第1金属層と、
前記第1金属層の前記第1面上に設けられた第1半導体チップであって、該第1半導体層チップのチップ面積は、前記第1金属層の前記第1面よりも小さい第1半導体チップと、
前記第1金属層の前記第1面上に設けられた第1ビアコンタクトと、
前記第1半導体チップ上に設けられた第2ビアコンタクトと、
前記第1金属層、前記第1半導体チップ、前記第1ビアコンタクトおよび前記第2ビアコンタクトを封止し、第3面を有する樹脂層であって、前記第1ビアコンタクトの第1端部および前記第2ビアコンタクトの第2端部を前記第3面において露出する樹脂層と、
前記樹脂層の前記第3面上に設けられ、前記第1ビアコンタクトの第1端部および前記第2ビアコンタクトの第2端部を電気的に接続する第1配線と、
前記樹脂層の第3面上に設けられ、前記第2ビアコンタクトに電気的に接続される第2配線とを備える、半導体装置。 - 前記第1金属層は、前記第1半導体チップの外縁よりも外側に出ている外縁を有する、請求項10に記載の半導体装置。
- 前記第1金属層の前記第2面は、前記樹脂層から露出している、請求項10に記載の半導体装置。
- 前記第1金属層から離間した第2金属層と、
前記第2金属層上に設けられ、前記樹脂層の前記第3面まで延びている第3ビアコンタクトとをさらに備えた、請求項10に記載の半導体装置。 - 第2金属層と、
前記第2金属層上に設けられた第2半導体チップと、
前記第2半導体チップ上に設けられた第3ビアコンタクトとを備え、
前記樹脂層は、前記第2金属層、前記第2半導体チップおよび前記第3ビアコンタクトを取り囲み、前記第3面において前記第3ビアコンタクトの第3端を露出している、請求項10に記載の半導体装置。 - 前記第2金属層の厚さは、前記第1金属層の厚さと異なり、
前記第1半導体チップの厚さと前記第1金属層の厚さとの和は、前記第2半導体チップの厚さと前記第2金属層の厚さとの合計に実質的に等しい、請求項14に記載の半導体装置。 - 前記第1配線、前記第2配線、または前記第1金属層に接続された端子をさらに備える、請求項10に記載の半導体装置。
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