JP2020054973A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置および基板処理方法 Download PDF

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Abstract

【課題】塗布膜を均一に形成する技術を提供する。【解決手段】実施形態に係る基板処理装置は、保持部と、搬送部と、調整部と、塗布部と、制御部とを備える。保持部は、基板の下面を吸着する複数の吸着パッドを有し、基板を保持する。搬送部は、保持部を搬送方向に沿って搬送する。調整部は、保持部の傾きを調整する。塗布部は、基板に処理液を塗布する。制御部は、塗布部の直下における保持部の傾きを調整部によって制御する。【選択図】図１

Description

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
特許文献１には、気体の圧力で基板を浮かせて搬送しながら、基板に塗布膜を形成することが開示されている。
特許第５５７０４６４号公報
本開示は、塗布膜を均一に形成する技術を提供する。
本開示の一態様による基板処理装置は、保持部と、搬送部と、調整部と、塗布部と、制御部とを備える。保持部は、基板の下面を吸着する複数の吸着パッドを有し、基板を保持する。搬送部は、保持部を搬送方向に沿って搬送する。調整部は、保持部の傾きを調整する。塗布部は、基板に処理液を塗布する。制御部は、塗布部の直下における保持部の傾きを調整部によって制御する。
本開示によれば、塗布膜を均一に形成することができる。
図１は、実施形態に係る基板処理装置の一部を示す概略平面図である。 図２は、実施形態に係る基板処理装置の搬送部を示す概略側面図である。 図３は、図１のIII-III断面における概略図である。 図４は、実施形態に係る制御装置の構成を示すブロック図である。 図５は、実施形態に係る高さ調整処理を説明するフローチャートである。 図６は、実施形態に係る第２塗布部における基板処理を説明するフローチャートである。 図７は、実施形態、および比較例に係る第２塗布部の直下における基板の高さの一例を示す図である。 図８は、変形例に係る基板処理装置の一部を示す平面図である。
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により開示される基板処理装置および基板処理方法が限定されるものではない。
以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す。
また、ここでは、Ｙ軸正方向を前方とし、Ｙ軸負方向を後方とする前後方向を規定し、Ｘ軸負方向を右方とし、Ｘ軸正方向を左方とする左右方向を規定する。また、Ｚ軸正方向を上方とし、Ｚ軸負方向を下方とする上下方向を規定する。基板処理装置は、基板を後方から前方に向けて前後方向に沿って搬送しながら、処理を行う。すなわち、基板処理装置は、後方から前方への方向である搬送方向に沿って基板を搬送しながら、処理を行う。
＜全体構成＞
実施形態に係る基板処理装置１について図１〜図３を参照し説明する。図１は、実施形態に係る基板処理装置１の一部を示す概略平面図である。図２は、実施形態に係る基板処理装置１の搬送部５を示す概略側面図である。図３は、図１のIII-III断面における概略図である。
基板処理装置１は、複数の塗布部２と、浮上ステージ３と、一対の保持部４と、一対の搬送部５と、一対の調整部６と、複数のパッド高さ調整部７と、一対の検出センサ８と、制御装置９とを備える。基板処理装置１は、例えば、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）用のガラス基板Ｓ（以下、「基板Ｓ」と称する。）に処理液としてレジスト液を塗布する。
ここでは、複数の塗布部２として、第１塗布部２Ａ、および第２塗布部２Ｂの２つの塗布部２を備える一例について説明するが、塗布部２の数は、これに限られることはなく、３つ以上であってもよい。
第１塗布部２Ａ、および第２塗布部２Ｂは、基板Ｓの搬送方向に沿って、すなわち、後方から前方に向けて、第１塗布部２Ａ、第２塗布部２Ｂの順に配置される。
第１塗布部２Ａは、左右方向に沿って延びる。第１塗布部２Ａは、門型の支持部材１２Ａに取り付けられる。第１塗布部２Ａは、基板Ｓにレジスト液（処理液の一例）を塗布し、基板Ｓに塗布膜であるレジスト膜を形成する。なお、第１塗布部２Ａは、前後方向に沿って移動可能なプライミング部（不図示）によって、第１塗布部２Ａの吐出口におけるレジスト液の付着状態が整えられる。これにより、第１塗布部２Ａは、レジスト液の吐出状態が安定化される。
第２塗布部２Ｂは、左右方向に沿って延びる。第２塗布部２Ｂは、門型の支持部材１２Ｂに取り付けられる。第２塗布部２Ｂは、基板Ｓにレジスト液（処理液の一例）を塗布し、基板Ｓにレジスト膜を形成する。なお、第２塗布部２Ｂは、第１塗布部２Ａと同様にプライミング部（不図示）によってレジスト液の吐出状態が安定化される。
基板処理装置１は、例えば、第１塗布部２Ａ、および第２塗布部２Ｂによって交互に基板Ｓにレジスト液を塗布することができる。これにより、基板処理装置１は、一方の塗布部２に対してプライミング部によってレジスト液の吐出状態を安定化させている間に、他方の塗布部２によって基板Ｓにレジスト液を塗布することができる。
浮上ステージ３は、第１浮上ステージ３Ａと、第２浮上ステージ３Ｂと、第３浮上ステージ３Ｃと、第４浮上ステージ３Ｄと、第５浮上ステージ３Ｅとを備える。
各浮上ステージ３Ａ〜３Ｅは、基板Ｓの搬送方向に沿って、すなわち、後方から前方に向けて、第１浮上ステージ３Ａ、第２浮上ステージ３Ｂ、第３浮上ステージ３Ｃ、第４浮上ステージ３Ｄ、第５浮上ステージ３Ｅの順に配置される。各浮上ステージ３Ａ〜３Ｅは、架台１３上に配置される。
第１浮上ステージ３Ａは、多数の噴出口（不図示）を有する。第１浮上ステージ３Ａは、圧縮された空気を噴出口から基板Ｓの下面に向けて吹き付け、基板Ｓに対して上方へ作用する力（以下、浮上力と称する。）を与える。第１浮上ステージ３Ａは、浮上力を与えることで、保持部４に保持された基板Ｓの浮上高を調整する。具体的には、第１浮上ステージ３Ａは、基板Ｓの浮上高を２００〜２０００μｍの範囲内で安定するよう調整する。
第２浮上ステージ３Ｂは、第１塗布部２Ａの下方に配置される。第２浮上ステージ３Ｂは、多数の噴出口（不図示）、および多数の吸引口（不図示）を有する。第２浮上ステージ３Ｂは、圧縮された空気を噴出口から基板Ｓの下面に向けて吹き付け、基板Ｓに浮上力を与える。また、第２浮上ステージ３Ｂは、吸引口から、基板Ｓとの間に存在する空気を吸引する。これにより、第２浮上ステージ３Ｂは、基板Ｓの浮上高を高精度に調整することができる。具体的には、第２浮上ステージ３Ｂは、基板Ｓの浮上高を３０〜６０μｍの範囲内で安定するよう高精度に調整する。
第３浮上ステージ３Ｃ、および第５浮上ステージ３Ｅの構成は、第１浮上ステージ３Ａと同じであり、詳しい説明は省略する。また、第４浮上ステージ３Ｄは、第２塗布部２Ｂの下方に配置される。第４浮上ステージ３Ｄの構成は、第２浮上ステージ３Ｂと同じであり、詳しい説明は省略する。
保持部４は、左右方向に並んで一対設けられる。保持部４は、左右方向において、浮上ステージ３を挟むように設けられる。保持部４は、パッド支持部材４０と、複数の吸着パッド４１と、複数のダミーパッド４２とを備える。
パッド支持部材４０は、前後方向に沿って延びる板状、または棒状の部材であり、上下方向に変形可能に形成される。パッド支持部材４０には、浮上ステージ３側の側面に吸着パッド４１が取り付けられる。また、パッド支持部材４０には、浮上ステージ３側とは反対側の側面にダミーパッド４２が取り付けられる。
パッド支持部材４０は、略Ｌ字状のジョイント部材１４、パッド高さ調整部７、および調整部６の昇降支持部材６０を介して搬送部５のガイド部材５１に接続される。パッド支持部材４０の下端には、前後方向に沿って複数のジョイント部材１４が並んで接続される。
パッド支持部材４０は、調整部６によって上下方向の高さを変更可能である。また、パッド支持部材４０は、調整部６によって前後方向の傾きを変更可能である。さらに、パッド支持部材４０は、各パッド高さ調整部７によって各パッド高さ調整部７付近の高さを変更可能である。
吸着パッド４１は、前後方向に並んで配置される。ここでは、６つの吸着パッド４１が前後方向に並んで配置される一例を示すが、吸着パッド４１の数はこれに限られることはない。各吸着パッド４１は、同一の高さとなるように、パッド支持部材４０に取り付けられる。吸着パッド４１には、上面側に複数の吸着口が形成される。吸着パッド４１は、吸着口によって基板Ｓの下面を吸着する。
ダミーパッド４２は、前後方向に並んで配置される。ここでは、６つのダミーパッド４２が前後方向に並んで配置される一例を示すが、ダミーパッド４２の数はこれに限られることはない。例えば、ダミーパッド４２は、前後方向における位置、および高さが吸着パッド４１と同じになるようにパッド支持部材４０に取り付けられる。
このように、保持部４は、基板Ｓの下面を吸着する複数の吸着パッド４１を有し、基板Ｓを保持する。保持部４は、調整部６によって上下方向に沿って移動し、高さを変更可能である。また、保持部４は、調整部６によって前後方向に対し傾動可能であり、基板Ｓの傾きを変更することで、基板Ｓの高さを変更可能である。さらに、保持部４は、各パッド高さ調整部７によって、各ジョイント部材１４付近の高さを個別に調整可能である。
搬送部５は、左右方向に並んで一対設けられる。搬送部５は、左右方向において、浮上ステージ３を挟むように設けられる。搬送部５は、前後方向に沿って設けられたレール１５上を移動し、保持部４を搬送方向に沿って搬送する。レール１５は、架台１３上に設けられる。搬送部５は、例えば、モータなどの駆動機構（不図示）によってレール１５に沿って前後方向に移動する。
搬送部５は、スライダ５０と、複数のガイド部材５１とを備える。スライダ５０は、例えば、門型に形成され、レール１５に対し摺動する。
ガイド部材５１は、スライダ５０の上端に取り付けられ、上下方向に沿って延びる。ガイド部材５１は、例えば、前後方向に２つ設けられる。なお、ガイド部材５１は、前後方向に延びる１つの板状部材であってもよく、３つ以上設けられてもよい。ガイド部材５１は、調整部６の昇降支持部材６０を上下方向に移動可能に支持する。また、ガイド部材５１は、昇降支持部材６０を傾動可能に支持する。
調整部６は、左右方向に並んで一対設けられる。調整部６は、左右方向において、浮上ステージ３を挟むように設けられる。調整部６は、上下方向における保持部４の高さを調整する。調整部６は、搬送装置（不図示）との間で基板Ｓの受け渡しを行う場合に、保持部４を上昇させる。また、調整部６は、前後方向に対する保持部４の傾きを調整する。調整部６は、保持部４の傾きを調整することで、例えば、第２塗布部２Ｂの直下における基板Ｓの高さを調整することができる。
調整部６は、昇降支持部材６０と、２つの昇降アクチュエータ６１とを備える。昇降支持部材６０は、前後方向に沿って延びる板状の部材である。昇降支持部材６０は、搬送部５のガイド部材５１に昇降可能、および傾動可能に支持される。
昇降アクチュエータ６１は、前後方向に並んで２つ設けられる。昇降アクチュエータ６１は、例えば、ボールネジ機構やモータなどによって構成される。昇降アクチュエータ６１は、搬送部５のガイド部材５１に対する昇降支持部材６０の高さを調整する。
各昇降アクチュエータ６１は、ガイド部材５１に対する昇降支持部材６０の高さをそれぞれ調整することができる。そのため、調整部６は、前後方向に対する保持部４の傾きを調整することができる。なお、昇降アクチュエータ６１は、後述するパッド高さ調整部７よりも低い精度、例えば、数ｍ程度の精度で変更可能であってもよい。
パッド高さ調整部７は、前後方向に並んで配置される。図１および図２では４つのパッド高さ調整部７が前後方向に並んで配置される一例を示すが、パッド高さ調整部７の数はこれに限られることはない。
パッド高さ調整部７は、例えば、垂直精密ステージによって構成される。パッド高さ調整部７は、回転式の手動つまみを工具などによって回転させることで、昇降支持部材６０に対するジョイント部材１４の高さを変更する。
各パッド高さ調整部７は、ジョイント部材１４を介して、各パッド高さ調整部７付近のパッド支持部材４０、すなわち、吸着パッド４１、ダミーパッド４２、および基板Ｓの高さをそれぞれ調整可能である。パッド高さ調整部７は、吸着パッド４１などの高さを数μｍ以下の精度で変更可能である。
検出センサ８は、左右方向に並んで一対設けられる。検出センサ８は、左右方向において、第２塗布部２Ｂを挟むように設けられる。検出センサ８は、第２塗布部２Ｂが取り付けられた支持部材１２Ｂに取り付けられる。
検出センサ８は、例えば、光学式距離センサであり、検出センサ８は、バッド支持部材に取り付けられたダミーパッド４２の高さを検出する。検出センサ８によってダミーパッド４２の高さを検出することで、左右方向においてダミーパッド４２に対応する吸着パッド４１の高さ、すなわち基板Ｓの高さを検出することができる。すなわち、検出センサ８は、第２塗布部２Ｂ（塗布部の一例）の直下における基板Ｓの高さを検出する。
実施形態に係る基板処理装置１では、複数のパッド高さ調整部７によって、第１塗布部２Ａ（所定塗布部の一例）の直下における基板Ｓの高さが所定範囲内となるように複数の吸着パッド４１の高さをそれぞれ調整される。所定範囲は、予め設定された下限高さ以上、かつ上限高さ以下となる範囲である。
基板処理装置１は、吸着パッド４１の高さが調整された保持部４によって保持された基板Ｓの高さが、第２塗布部２Ｂの直下においても所定範囲内となるように、制御装置９によって昇降アクチュエータ６１を制御する。具体的には、基板処理装置１は、第２塗布部２Ｂの直下における保持部４の傾きを制御する。
制御装置９は、基板処理装置１における各機能を発揮させるために、搬送部５や、第１塗布部２Ａなどを制御する。
なお、ここでは、第２塗布部２Ｂの直下において基板Ｓの高さを調整するための処理を行う制御装置９の機能について説明し、他の処理を行う機能についての説明は省略する。
実施形態に係る制御装置９について図４を参照し説明する。図４は、実施形態に係る制御装置９の構成を示すブロック図である。
制御装置９は、入力部９０と、出力部９１と、制御部９２と、記憶部９３とを備える。入力部９０は、検出センサ８からダミーパッド４２の高さに関する信号が入力される。出力部９１は、各昇降アクチュエータ６１を制御するための信号を出力する。
制御部９２は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。
制御部９２は、ＣＰＵがＲＯＭに記憶されたプログラムを、ＲＡＭを作業領域として使用して実行することにより機能する複数の処理部を備える。具体的には、制御部９２は、調整量算出部９５と、制御信号生成部９６とを備える。
なお、上記プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、記録媒体から制御装置９の記憶部９３にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、例えばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。また、制御部９２が備える各処理部は、それぞれ一部または全部がＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）やＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等のハードウェアで構成されてもよい。
調整量算出部９５は、第２塗布部２Ｂの直下において、基板Ｓの高さを所定範囲内とするための昇降アクチュエータ６１の調整量を算出する。
具体的には、調整量算出部９５は、第２塗布部２Ｂの直下に基板Ｓが到達すると、基板Ｓの位置と、第２塗布部２Ｂの直下における基板Ｓの高さとを紐付けたデータを生成する。なお、基板Ｓの高さは、検出センサ８によって検出されたダミーパッド４２の高さに基づいて算出される。
調整量算出部９５は、生成したデータに対して、第２塗布部２Ｂの直下で基板Ｓの高さが所定範囲内となる保持部４の傾き、すなわち傾動角を算出し、傾動角を実現する各昇降アクチュエータ６１の調整量を算出する。調整量算出部９５は、基板Ｓの位置に対し、各昇降アクチュエータ６１の調整量を算出する。
なお、基板処理装置１では、保持部４を傾動させて、第２塗布部２Ｂの直下における基板Ｓの高さを調整している。これは、昇降アクチュエータ６１の調整量、すなわち昇降アクチュエータ６１による保持部４の上下方向の変化量に対する基板Ｓの高さの変化量を小さくし、基板Ｓの高さを精度良く調整するためである。基板処理装置１は、パッド高さ調整部７よりも精度が低い昇降アクチュエータ６１を用いて、パッド高さ調整部７と同様に高い精度で基板Ｓの高さを調整することができる。
調整量算出部９５は、算出した各昇降アクチュエータ６１の調整量を記憶部９３に記憶させる。なお、各昇降アクチュエータ６１の調整量は、パッド高さ調整部７によって第１塗布部２Ａの直下における基板Ｓの高さが調整された所定のタイミングで算出され、記憶部９３に記憶される。所定のタイミングは、例えば、基板処理装置１において、基板Ｓにレジスト膜の塗布を開始する場合や、メンテナンスが行われた場合である。
制御信号生成部９６は、第２塗布部２Ｂによって基板Ｓにレジスト膜を塗布する場合に、基板Ｓの位置に対する各昇降アクチュエータ６１の調整量を記憶部９３から読み出し、各昇降アクチュエータ６１を制御する信号を生成する。生成された信号は、出力部９１から調整部６の各昇降アクチュエータ６１に送信され、各昇降アクチュエータ６１により保持部４の傾きが調整される。
このように、制御部９２は、第２塗布部２Ｂ（塗布部の一例）の直下における保持部４の傾きを調整部６によって制御する。具体的には、制御部９２は、複数のパッド高さ調整部７によって複数の吸着パッド４１の高さが調整された状態で、第２塗布部２Ｂ（所定塗布部とは異なる塗布部の一例）の直下における保持部４の傾きを調整部６によって制御する。また、制御部９２は、検出センサ８によって検出され、記憶部９３に記憶された基板Ｓの高さに基づいて、保持部４の傾きを調整部６によって制御する。
記憶部９３は、例えば、ＲＡＭ、フラッシュメモリ（Flash Memory）等の半導体メモリ素子、またはハードディスク、光ディスク等の記憶装置によって実現される。
＜高さ調整処理＞
次に、基板処理装置１における高さ調整処理について図５を参照し説明する。図５は、実施形態に係る高さ調整処理を説明するフローチャートである。
基板処理装置１では、第１塗布部２Ａの直下で基板Ｓの高さが所定範囲内となるように各パッド高さ調整部７が調整される（Ｓ１０）。
基板処理装置１は、各パッド高さ調整部７による調整が行われた状態で基板Ｓを第２塗布部２Ｂの直下に搬送し、第２塗布部２Ｂの直下における基板Ｓの高さを検出する（Ｓ１１）。
基板処理装置１は、基板Ｓの位置と、第２塗布部２Ｂの直下における基板Ｓの高さとを紐付けたデータを生成する（Ｓ１２）。
基板処理装置１は、第２塗布部２Ｂの直下で基板Ｓの高さが所定範囲内となる保持部４の傾動角を算出し（Ｓ１３）、傾動角を実現する各昇降アクチュエータ６１の調整量を算出する（Ｓ１４）。
基板処理装置１は、基板Ｓの位置に対する各昇降アクチュエータ６１の調整量を記憶する（Ｓ１５）。
＜基板処理＞
次に、基板処理装置１の第２塗布部２Ｂにおいて基板Ｓにレジスト液を塗布する基板処理について図６を参照し説明する。図６は、実施形態に係る第２塗布部２Ｂにおける基板処理を説明するフローチャートである。
基板処理装置１は、第２塗布部２Ｂによって基板Ｓにレジスト液を塗布する場合には、各昇降アクチュエータ６１の調整量を記憶部９３から読み出す（Ｓ２０）。
基板処理装置１は、読み出した各昇降アクチュエータ６１の調整量に基づいて昇降アクチュエータ６１の高さをそれぞれ調整し、保持部４の傾きを調整する（Ｓ２１）。具体的には、基板処理装置１は、基板Ｓの位置に応じて、基板Ｓの高さが所定範囲内となるように、昇降アクチュエータ６１の高さを調整し、保持部４の傾きを調整する。
このように、基板処理装置１は、第２塗布部２Ｂによって基板Ｓにレジスト液を塗布する場合に、記憶した各昇降アクチュエータ６１の調整量に基づいて、第２塗布部２Ｂの直下での保持部４の傾きを調整する。
第１塗布部２Ａの直下において、基板Ｓの高さが所定範囲内となるようにパッド高さ調整部７によって基板Ｓの高さを調整した場合であっても、第２塗布部２Ｂの直下においては、基板Ｓの高さが所定範囲内とはならないことがある。
本実施形態を適用しない比較例における第２塗布部２Ｂの直下での基板Ｓの高さの一例を図７において破線で示す。これに対し、本実施形態に係る基板処理装置１は、昇降アクチュエータ６１によって保持部４を傾かせることで、図７において実線で示すように基板Ｓの高さを所定範囲内とすることができる。図７は、実施形態、および比較例に係る第２塗布部２Ｂの直下における基板Ｓの高さの一例を示す図である。
＜効果＞
基板処理装置１は、基板Ｓの下面を吸着する複数の吸着パッド４１を有し、基板Ｓを保持する保持部４と、保持部４を搬送方向に沿って搬送する搬送部５と、保持部４の傾きを調整する調整部６と、基板Ｓにレジスト液（処理液の一例）を塗布する第２塗布部２Ｂ（塗布部の一例）と、第２塗布部２Ｂの直下における保持部４の傾きを調整部６によって制御する制御部９２とを備える。
換言すると、基板処理装置１は、基板処理方法として、基板Ｓの下面に吸着する複数の吸着パッド４１を有する保持部４によって基板Ｓを保持する工程と、保持部４を搬送方向に沿って搬送する工程と、第２塗布部２Ｂ（塗布部の一例）によって基板Ｓにレジスト液（処理液の一例）を塗布する工程と、第２塗布部２Ｂの直下における保持部４の傾きを調整する工程とを有する。
これにより、基板処理装置１は、第２塗布部２Ｂの直下における保持部４の傾き、すなわち基板Ｓの傾きを調整し、例えば、基板Ｓの高さを所定範囲内とすることができる。そのため、基板処理装置１は、塗布膜であるレジスト膜を均一に形成することができる。
また、基板処理装置１は、保持部４の傾きを調整することで、昇降アクチュエータ６１の調整量に対し、基板Ｓの高さの変化量を小さくすることができる。そのため、基板処理装置１は、昇降アクチュエータ６１を用いて基板Ｓの高さを精度良く調整することができる。すなわち、基板処理装置１は、搬送装置（不図示）との間で、基板Ｓの受け渡しを行う場合に基板Ｓを昇降させる昇降アクチュエータ６１を用いて基板Ｓの高さを精度良く調整することができる。
また、基板処理装置１は、第１塗布部２Ａ（所定塗布部の一例）の直下における基板Ｓの高さが所定範囲内となるように複数の吸着パッド４１の高さをそれぞれ調整可能な複数のパッド高さ調整部７を備える。制御部９２は、複数のパッド高さ調整部７によって複数の吸着パッド４１の高さが調整された状態で、第２塗布部２Ｂ（所定塗布部とは異なる他の塗布部）の直下における保持部４の傾きを調整部６によって制御する。
これにより、基板処理装置１は、複数の塗布部２として、第１塗布部２Ａ、および第２塗布部２Ｂを有する場合に、各塗布部２Ａ、２Ｂの直下において基板Ｓの高さを、所定範囲内とすることができる。そのため、基板処理装置１は、第１塗布部２Ａ、または第２塗布部２Ｂによって基板Ｓにレジスト液を塗布する場合に、レジスト膜を均一に形成することができる。
また、基板処理装置１は、第２塗布部２Ｂ（塗布部の一例）の直下における基板Ｓの高さを検出する検出センサ８を備える。制御部９２は、検出センサ８によって検出され、記憶部９３に記憶された基板Ｓの高さに基づいて、保持部４の傾きを調整部６によって制御する。
これにより、基板処理装置１は、予め記憶された基板Ｓの高さに基づいて保持部４の傾きを調整することで、第２塗布部２Ｂの直下において基板Ｓの高さを素早く調整することができる。また、基板処理装置１は、第２塗布部２Ｂの直下において基板Ｓの高さを精度良く調整することができる。
＜変形例＞
次に、本実施形態の変形例について説明する。
変形例に係る基板処理装置１は、第２塗布部２Ｂの直下における基板Ｓの高さを第２塗布部２Ｂによってレジスト液を基板Ｓに塗布する度に検出し、検出した基板Ｓの高さに基づいて昇降アクチュエータ６１を制御し、保持部４の傾きを調整する。変形例に係る基板処理装置１は、検出した基板Ｓの高さに基づいて、基板Ｓの高さが所定範囲内となるように、昇降アクチュエータ６１に対し、例えば、フィードバック制御を行う。すなわち、変形例に係る基板処理装置１は、検出センサ８によって基板Ｓの高さを検出しつつ、検出された基板Ｓの高さに基づいて、保持部４の傾きを調整部６によって制御する。
これにより、変形例に係る基板処理装置１は、例えば、経年劣化により、第２塗布部２Ｂの直下における基板Ｓの高さが変わった場合でも、第２塗布部２Ｂの直下における基板Ｓの高さを所定範囲内とすることができる。そのため、変形例に係る基板処理装置１は、レジスト膜を均一に形成することができる。
また、変形例に係る基板処理装置１は、図８に示すように第１塗布部２Ａの直下において基板Ｓの高さを検出する検出センサ８０を備える。図８は、変形例に係る基板処理装置１の一部を示す平面図である。
変形例に係る基板処理装置１は、第１塗布部２Ａの直下における基板Ｓの高さを検出する。そして、変形例に係る基板処理装置１は、第１塗布部２Ａの直下における基板Ｓの高さが所定範囲内となるように、昇降アクチュエータ６１に対し、例えば、フィードバック制御を行い、保持部４の傾きを調整する。すなわち、変形例に係る基板処理装置１は、第１塗布部２Ａ（所定塗布部）の直下における保持部４の傾きを調整部６によって制御する。
これにより、変形例に係る基板処理装置１は、例えば、経年劣化により、第１塗布部２Ａの直下における基板Ｓの高さが変わった場合でも、第１塗布部２Ａの直下における基板Ｓの高さを所定範囲内とすることができる。そのため、変形例に係る基板処理装置１は、レジスト膜を均一にすることができる。
変形例に係る基板処理装置１は、第１塗布部２Ａ、および第２塗布部２Ｂにおいて異なる処理液を塗布してもよい。
また、変形例に係る基板処理装置１は、第２塗布部２Ｂの直下において基板Ｓの高さが所定範囲内となるようにパッド高さ調整部７によって高さを調整してもよい。この場合、変形例に係る基盤処理装置は、第１塗布部２Ａの直下において、上記実施形態と同様に各昇降アクチュエータ６１の高さを調整し、保持部４の傾きを調整する。
なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
１ 基板処理装置
２ 塗布部
２Ａ 第１塗布部（所定塗布部）
２Ｂ 第２塗布部（他の塗布部）
４ 保持部
５ 搬送部
６ 調整部
７ パッド高さ調整部
８ 検出センサ
９ 制御装置
４１ 吸着パッド
６１ 昇降アクチュエータ
９２ 制御部
９３ 記憶部

Claims (6)

  1. 基板の下面を吸着する複数の吸着パッドを有し、前記基板を保持する保持部と、
    前記保持部を搬送方向に沿って搬送する搬送部と、
    前記保持部の傾きを調整する調整部と、
    前記基板に処理液を塗布する塗布部と、
    前記塗布部の直下における前記保持部の傾きを前記調整部によって制御する制御部と
    を備える基板処理装置。
  2. 所定塗布部の直下における前記基板の高さが所定範囲内となるように前記複数の吸着パッドの高さをそれぞれ調整可能な複数のパッド高さ調整部
    を備え、
    前記制御部は、
    前記複数のパッド高さ調整部によって前記複数の吸着パッドの高さが調整された状態で、前記所定塗布部とは異なる他の塗布部の直下における前記保持部の傾きを前記調整部によって制御する
    請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記制御部は、
    前記所定塗布部の直下における前記保持部の傾きを前記調整部によって制御する
    請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記塗布部の直下における前記基板の高さを検出する検出センサ
    を備え、
    前記制御部は、
    前記検出センサによって検出され、記憶部に記憶された前記基板の高さに基づいて、前記保持部の傾きを前記調整部によって制御する
    請求項１〜３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  5. 前記塗布部の直下における前記基板の高さを検出する検出センサ
    を備え、
    前記制御部は、
    前記検出センサによって前記基板の高さを検出しつつ、検出された前記基板の高さに基づいて、前記保持部の傾きを前記調整部によって制御する
    請求項１〜３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  6. 基板の下面を吸着する複数の吸着パッドを有する保持部によって前記基板を保持する工程と、
    前記保持部を搬送方向に沿って搬送する工程と、
    塗布部によって前記基板に処理液を塗布する工程と、
    前記塗布部の直下における前記保持部の傾きを調整する工程と
    を有する基板処理方法。
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