JP2020047630A - 熱電素子、発電装置、電子機器、及び熱電素子の製造方法 - Google Patents
熱電素子、発電装置、電子機器、及び熱電素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020047630A JP2020047630A JP2018172468A JP2018172468A JP2020047630A JP 2020047630 A JP2020047630 A JP 2020047630A JP 2018172468 A JP2018172468 A JP 2018172468A JP 2018172468 A JP2018172468 A JP 2018172468A JP 2020047630 A JP2020047630 A JP 2020047630A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- main surface
- electrode
- thermoelectric element
- electrode portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000010248 power generation Methods 0.000 title abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 119
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 51
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 21
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 7
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 74
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 19
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 13
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 8
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000003306 harvesting Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N tetradecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002102 nanobead Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】電極部と接続される配線の劣化を抑制することができる熱電素子、発電装置、電子機器、及び熱電素子の製造方法を提供する。【解決手段】第１主面１１ａｆを有する第１基板１１ａと、第１主面１１ａｆと対向する第２主面１１ｂｆを有する第２基板１１ｂと、第２基板１１ｂと離間する第１電極部１２ａと第１電極部１２ａとは異なる仕事関数を有する第２電極部１２ｂと、第１主面１１ａｆ及び第２主面１１ｂｆと接する支持部１３と、第１電極部１２ａと、第２電極部１２ｂとの間に設けられ、ナノ粒子を含む中間部１４と、第１基板１１ａを第１方向Ｚに貫通する第１貫通孔１５ａと、第１基板１１ａにおける第１主面１１ａｆに対向する面上に設けられた第１配線層１６ａと、第１貫通孔１５ａを介して、第１電極部１２ａ及び第１配線層１６ａと電気的に接続される第１接続配線１７ａと、を備えることを特徴とする。【選択図】図１
Description
この発明は、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電素子、発電装置、電子機器、及び熱電素子の製造方法に関する。
近年、熱エネルギーを利用して電気エネルギーを生成する熱電素子の開発が盛んに行われている。特許文献１には、仕事関数差を有する電極間に発生する、絶対温度による電子放出現象を利用した熱電素子が開示されている。このような熱電素子は、電極間の温度差（ゼーベック効果）を利用した熱電素子に比較して、電極間の温度差が小さい場合であっても発電可能である。このため、より様々な用途への利用が期待されている。
特許文献１には、エミッタ電極層と、コレクタ電極層と、エミッタ電極層及びコレクタ電極層の表面に分散して配置され、エミッタ電極層とコレクタ電極層とをサブミクロン間隔で離間する電気絶縁性の球状ナノビーズとを備え、エミッタ電極層の仕事関数はコレクタ電極層の仕事関数よりも小さく、球状ナノビーズの粒子径は１００ｎｍ以下である熱電素子が開示されている。
ここで、異なる仕事関数を有する一対の電極部を用いた熱電素子において、電極部と接続する配線の劣化が課題として挙げられている。特に、電極部と配線とを熱電素子の表面（外部側）で接続させる場合、外部環境の影響により接続箇所が破断する場合がある。この点、特許文献１の開示技術では、熱電素子の側面に各電極層をつなぐ端子電極が設けられる構成等を前提としており、上述した配線の劣化を抑制することが難しい。
そこで本発明は、上述した問題に鑑みて案出されたものであり、その目的とするところは、電極部と接続される配線の劣化を抑制することができる熱電素子、発電装置、電子機器、及び熱電素子の製造方法を提供することにある。
第１発明に係る熱電素子は、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電素子であって、第１主面を有する第１基板と、前記第１主面と第１方向に離間して設けられ、前記第１主面と対向する第２主面を有する第２基板と、前記第１主面上に設けられ、前記第２基板と離間する第１電極部と、前記第２主面上に設けられ、前記第１基板及び前記第１電極部と離間し、前記第１電極部とは異なる仕事関数を有する第２電極部と、前記第１基板と、前記第２基板との間に設けられ、前記第１主面及び前記第２主面と接する支持部と、前記第１電極部と、前記第２電極部との間に設けられ、ナノ粒子を含む中間部と、前記第１基板を前記第１方向に貫通する第１貫通孔と、前記第１基板における前記第１主面に対向する面上に設けられた第１配線層と、前記第１貫通孔を介して、前記第１電極部及び前記第１配線層と電気的に接続される第１接続配線と、を備えることを特徴とする。
第２発明に係る熱電素子は、第１発明において、前記第２基板を前記第１方向に貫通する第２貫通孔と、前記第２基板における前記第２主面に対向する面上に設けられた第２配線層と、前記第２貫通孔を介して、前記第２電極部及び前記第２配線層と電気的に接続される第２接続配線と、をさらに備えることを特徴とする。
第３発明に係る熱電素子は、第１発明又は第２発明において、前記支持部は、金属を含み、前記第１電極部及び前記第２電極部は、前記支持部と離間することを特徴とする。
第４発明に係る熱電素子は、第１発明〜第３発明の何れかにおいて、前記第１電極部と、前記第２電極部との間の電極間ギャップは、１０μｍ以下であり、前記ナノ粒子の直径は、前記電極間ギャップの１／１０以下であることを特徴とする。
第５発明に係る熱電素子は、第１発明〜第４発明の何れかにおいて、前記ナノ粒子は、表面に設けられた絶縁膜を有し、前記絶縁膜の厚さは、２０ｎｍ以下であることを特徴とする。
第６発明に係る熱電素子は、第１発明〜第５発明の何れかにおいて、前記中間部は、６０℃以上の沸点を有する溶媒を含むことを特徴とする。
第７発明に係る熱電素子は、第１発明〜第５発明の何れかにおいて、前記中間部は、前記ナノ粒子のみが充填された状態を示すことを特徴とする。
第８発明に係る発電装置は、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電素子を備えた発電装置であって、前記熱電素子は、第１主面を有する第１基板と、前記第１主面と第１方向に離間して設けられ、前記第１主面と対向する第２主面を有する第２基板と、前記第１主面上に設けられ、前記第２基板と離間する第１電極部と、前記第２主面上に設けられ、前記第１基板及び前記第１電極部と離間し、前記第１電極部とは異なる仕事関数を有する第２電極部と、前記第１基板と、前記第２基板との間に設けられ、前記第１主面及び前記第２主面と接する支持部と、前記第１電極部と、前記第２電極部との間に設けられ、ナノ粒子を含む中間部と、前記第１基板を前記第１方向に貫通する第１貫通孔と、前記第１基板における前記第１主面に対向する面上に設けられた第１配線層と、前記第１貫通孔を介して、前記第１電極部及び前記第１配線層と電気的に接続される第１接続配線と、を備えることを特徴とする。
第９発明に係る電子機器は、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電素子と、前記熱電素子を電源に用いて駆動されることが可能な電子部品と、を含む電子機器であって、前記熱電素子は、第１主面を有する第１基板と、前記第１主面と第１方向に離間して設けられ、前記第１主面と対向する第２主面を有する第２基板と、前記第１主面上に設けられ、前記第２基板と離間する第１電極部と、前記第２主面上に設けられ、前記第１基板及び前記第１電極部と離間し、前記第１電極部とは異なる仕事関数を有する第２電極部と、前記第１基板と、前記第２基板との間に設けられ、前記第１主面及び前記第２主面と接する支持部と、前記第１電極部と、前記第２電極部との間に設けられ、ナノ粒子を含む中間部と、前記第１基板を前記第１方向に貫通する第１貫通孔と、前記第１基板における前記第１主面に対向する面上に設けられた第１配線層と、前記第１貫通孔を介して、前記第１電極部及び前記第１配線層と電気的に接続される第１接続配線と、を備えることを特徴とする。
第１０発明に係る熱電素子の製造方法は、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電素子の製造方法であって、第１基板の第１主面上に第１支持部を形成し、第２基板の第２主面上に第２支持部を形成する支持部形成工程と、前記第１主面上に第１電極部を形成し、前記第２主面上に前記第１電極部とは異なる仕事関数を有する第２電極部を形成する電極部形成工程と、前記第１基板における前記第１主面に対向する面上に第１配線層を形成する配線層形成工程と、前記第１基板を第１方向に貫通する第１貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記第１貫通孔を介して、前記第１電極部及び前記第１配線層と電気的に接続される第１接続配線を形成する接続配線形成工程と、前記第１電極部と、前記第２電極部とを前記第１方向に離間して対向するように、前記第１支持部と、前記第２支持部とを接合する接合工程と、前記第１貫通孔を介して、前記第１電極部と、前記第２電極部との間に、ナノ粒子を含む中間部を形成する中間部形成工程と、を備えることを特徴とする。
第１１発明に係る熱電素子の製造方法は、第１０発明において、前記配線層形成工程は、前記第１配線層を形成すると同時に、前記第２基板における前記第２主面に対向する面上に第２配線層を形成し、前記貫通孔形成工程は、前記第１貫通孔を形成すると同時に、前記第２基板を前記第１方向に貫通する第２貫通孔を形成し、前記接続配線形成工程は、前記第１接続配線を形成すると同時に、前記第２貫通孔を介して、前記第２電極部及び前記第２配線層と電気的に接続される第２接続配線を形成することを特徴とする。
第１２発明に係る熱電素子の製造方法は、第１０発明又は第１１発明において、前記配線層形成工程の後、前記第１電極部及び前記第２電極部を覆う保護膜を形成する保護膜形成工程をさらに備えることを特徴とする。
第１発明〜第９発明によれば、第１接続配線は、第１貫通孔を介して、第１電極部及び第１配線層と電気的に接続される。このため、第１接続配線は、熱電素子の内部側で第１電極部と接続させることができる。これにより、第１電極部と接続される第１接続配線の劣化を抑制することが可能となる。
また、第１発明〜第９発明によれば、第１貫通孔は、第１基板を第１方向に貫通する。このため、第１貫通孔を介して中間部の充填が容易に実施できる。これにより、製造工程の簡易化を図ることが可能となる。また、熱電素子の使用に伴い中間部を交換する必要が発生した場合、容易に中間部の交換を実施することが可能となる。
特に、第２発明によれば、第２接続配線は、第２貫通孔を介して、第２電極部及び第２配線層と電気的に接続される。このため、第２接続配線は、熱電素子の内部側で第２電極部と接続させることができる。これにより、各電極部と接続される各接続配線の劣化を抑制することが可能となる。また、第２接続配線は、第１接続配線と同様の構造で形成することができるため、製造工程の簡略化が可能となる。
特に、第３発明によれば、支持部は、金属を含む。このため、第１方向に沿った支持部の高さバラつきを抑制することができる。これにより、電極間ギャップを高精度に形成することができ、電気エネルギーの発生量の安定化を実現することが可能となる。また、支持部は、第１電極部及び第２電極部と離間して設けられる。このため、支持部の形成に伴う各電極部の対向する面積の減少を防ぐことができる。これにより、支持部の形状に関わらず、電気エネルギーの発生量の向上を図ることが可能となる。
特に、第４発明によれば、ナノ粒子の直径は、電極間ギャップの１／１０以下である。このため、第１電極部と、第２電極部との間に、ナノ粒子を含む中間部を容易に形成することができる。これにより、熱電素子を製造するとき、作業性の向上を図ることが可能となる。
特に、第５発明によれば、ナノ粒子は、表面に設けられた絶縁膜を有する。このため、第１電極部から生成した電子は、例えばトンネル効果等によりナノ粒子間を容易に移動することができる。これにより、電気エネルギーの発生量を増加させることが可能となる。
特に、第６発明によれば、中間部は、６０℃以上の沸点を有する溶媒を含む。このため、室温以上の環境下に熱電素子が用いられた場合においても、溶媒の気化を抑制することができる。これにより、溶媒の気化に伴う熱電素子の劣化を抑制することが可能となる。
特に、第７発明によれば、中間部は、ナノ粒子のみが充填された状態を示す。このため、高温の環境下に熱電素子が用いられた場合においても、溶媒等の気化を考慮する必要が無い。これにより、高温の環境下における熱電素子の劣化を抑制することが可能となる。
第１０発明〜第１２発明によれば、接続配線形成工程は、第１貫通孔を介して、第１電極部及び第１配線層と電気的に接続される第１接続配線を形成する。このため、第１接続配線は、熱電素子の内部側で第１電極部と接続させることができる。これにより、第１電極部と接続される第１接続配線の劣化を抑制することが可能となる。
また、第１０発明〜第１２発明によれば、貫通孔形成工程は、第１基板を第１方向に貫通する第１貫通孔を形成する。このため、第１貫通孔を介して中間部の充填が容易に実施できる。これにより、製造工程の簡易化を図ることが可能となる。また、熱電素子の使用に伴い中間部を交換する必要が発生した場合、容易に中間部の交換を実施することが可能となる。
特に、第１１発明によれば、接続配線形成工程は、第２貫通孔を介して、第２電極部及び第２配線層と電気的に接続される第２接続配線を形成する。このため、第２接続配線は、熱電素子の内部側で第２電極部と接続させることができる。これにより、各電極部と接続される各接続配線の劣化を抑制することが可能となる。また、第２接続配線は、第１接続配線と同様の構造で形成することができるため、製造工程の簡略化が可能となる。
特に、第１２発明によれば、保護膜形成工程は、第１電極部及び第２電極部を覆う保護膜を形成する。このため、後の工程において各電極部の表面を保護することができる。これにより、各電極部の仕事関数の変化を防ぐことができ、電気エネルギーの発生量のバラつきを抑制することが可能となる。
以下、本発明の実施形態における熱電素子、発電装置、電子機器、及び熱電素子の製造方法それぞれの一例について、図面を参照しながら説明する。なお、各図において、各電極部が積層される高さ方向を第１方向Ｚとし、第１方向Ｚと交差、例えば直交する１つの平面方向を第２方向Ｘとし、第１方向Ｚ及び第２方向Ｘのそれぞれと交差、例えば直交する別の平面方向を第３方向Ｙとする。
（第１実施形態）
＜発電装置１００＞
図１は、第１実施形態に係る発電装置１００及び熱電素子１の一例を示す模式図である。図１（ａ）は、第１実施形態に係る発電装置１００及び熱電素子１の一例を示す模式断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）における１Ｂ−１Ｂ線に沿った模式平面図である。
＜発電装置１００＞
図１は、第１実施形態に係る発電装置１００及び熱電素子１の一例を示す模式図である。図１（ａ）は、第１実施形態に係る発電装置１００及び熱電素子１の一例を示す模式断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）における１Ｂ−１Ｂ線に沿った模式平面図である。
図１に示すように、発電装置１００は、熱電素子１と、第１配線１０１と、第２配線１０２とを含む。熱電素子１は、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する。このような熱電素子１を備えた発電装置１００は、例えば、図示せぬ熱源に搭載又は設置され、熱源の熱エネルギーを元として、熱電素子１が発生させた電気エネルギーを、第１配線１０１及び第２配線１０２を介して負荷Ｒへ出力する。負荷Ｒの一端は第１配線１０１と電気的に接続され、他端は第２配線１０２と電気的に接続される。負荷Ｒは、例えば電気的な機器を示している。負荷Ｒは、発電装置１００を主電源又は補助電源に用いて駆動される。
熱電素子１の熱源としては、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等の電子デバイス又は電子部品、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等の発光素子、自動車等のエンジン、及び工場の生産設備、人体、太陽光、及び環境温度等を利用することができる。例えば、電子デバイス、電子部品、発光素子、エンジン、及び生産設備等は人工熱源である。人体、太陽光、及び環境温度等は自然熱源である。熱電素子１を備えた発電装置１００は、例えばＩｏＴ（Internet of Things）デバイス及びウェアラブル機器等のモバイル機器や自立型センサ端末の内部に設けることができ、電池の代替又は補助として用いることができる。さらに、発電装置１００は、太陽光発電等のような、より大型の発電装置への応用も可能である。
＜熱電素子１＞
熱電素子１は、例えば、上記人工熱源が発した熱エネルギー、又は上記自然熱源が持つ熱エネルギーを電気エネルギーに変換し、電流を生成する。熱電素子１は、発電装置１００内に設けるだけでなく、熱電素子１自体を、上記モバイル機器や上記自立型センサ端末等の内部に設けることもできる。この場合、熱電素子１自体が、上記モバイル機器又は上記自立型センサ端末等の、電池の代替部品又は補助部品となる。
熱電素子１は、例えば、上記人工熱源が発した熱エネルギー、又は上記自然熱源が持つ熱エネルギーを電気エネルギーに変換し、電流を生成する。熱電素子１は、発電装置１００内に設けるだけでなく、熱電素子１自体を、上記モバイル機器や上記自立型センサ端末等の内部に設けることもできる。この場合、熱電素子１自体が、上記モバイル機器又は上記自立型センサ端末等の、電池の代替部品又は補助部品となる。
熱電素子１は、基板１１と、第１電極部１２ａと、第２電極部１２ｂと、支持部１３と、中間部１４と、貫通孔１５と、配線層１６と、接続配線１７とを備え、例えば封止部１８を備えてもよい。
基板１１は、第１基板１１ａと、第２基板１１ｂとを有する。第１基板１１ａは、第１方向Ｚと交わる第１主面１１ａｆを有する。第２基板１１ｂは、第１主面１１ａｆと第１方向Ｚに離間して設けられる。第２基板１１ｂは、第１主面１１ａｆと対向し、第１方向Ｚと交わる第２主面１１ｂｆを有する。
第１電極部１２ａは、第１主面１１ａｆ上に接して設けられる。第１電極部１２ａは、第２基板１１ｂと離間する。第２電極部１２ｂは、第２主面１１ｂｆ上に接して設けられる。第２電極部１２ｂは、第１基板１１ａ及び第１電極部１２ａと離間して対向する。第２電極部１２ｂは、第１電極部１２ａとは異なる仕事関数を有する。
支持部１３は、第１基板１１ａと、第２基板１１ｂとの間に設けられる。支持部１３は、第１主面１１ａｆ及び第２主面１１ｂｆと連接する。
中間部１４は、第１電極部１２ａと第２電極部１２ｂとの間に設けられる。中間部１４は、ナノ粒子を含み、例えばナノ粒子が分散された溶媒を含んでもよい。
貫通孔１５は、基板１１を第１方向Ｚに貫通する。貫通孔１５は、例えば第１電極部１２ａ及び第２電極部１２ｂの少なくとも何れかを、第１方向Ｚに貫通してもよい。
配線層１６は、熱電素子１の外部側（表面）に設けられる。配線層１６は、基板１１における各電極部１２ａ、１２ｂが設けられる主面に対向する主面上に設けられる。
接続配線１７は、貫通孔１５を介して、各電極部１２ａ、１２ｂ及び配線層１６と電気的に接続される。接続配線１７は、例えば貫通孔１５の側面に設けられ、中間部１４と接する。
封止部１８は、貫通孔１５の外部側を覆い、貫通された基板１１上に設けられる。封止部１８は、例えば少なくとも一部を貫通孔１５内に設けられてもよい。
熱電素子１は、ギャップ部１４ａを含む。ギャップ部１４ａは、例えば外界から隔離された空間を含む。ギャップ部１４ａは、例えば第１電極部１２ａ、第２電極部１２ｂ、及び支持部１３のそれぞれによって区画されている。中間部１４は、ギャップ部１４ａ内に設けられる。中間部１４は、ギャップ部１４ａ内において、例えば第１電極部１２ａ、第２電極部１２ｂ、及び支持部１３のそれぞれと接し、例えば貫通孔１５を介して接続配線１７及び封止部１８と接する。なお、熱電素子１の内部側とは、ギャップ部１４ａを含む部分を示し、熱電素子１の外部側とは、ギャップ部１４ａから離間した部分を示す。
以下、第１実施形態に係る熱電素子１及び発電装置１００の構成を、さらに詳細に説明する。
＜＜第１基板１１ａ、第２基板１１ｂ＞＞
第１基板１１ａ及び第２基板１１ｂのそれぞれの第１方向Ｚに沿った厚さは、例えば１０μｍ以上２ｍｍ以下である。第１基板１１ａ及び第２基板１１ｂのそれぞれの材料としては、絶縁性を有する板状の材料を選ぶことができる。絶縁性の材料の例としては、シリコン、石英、パイレックス（登録商標）等のガラス、及び絶縁性樹脂等を挙げることができる。
第１基板１１ａ及び第２基板１１ｂのそれぞれの第１方向Ｚに沿った厚さは、例えば１０μｍ以上２ｍｍ以下である。第１基板１１ａ及び第２基板１１ｂのそれぞれの材料としては、絶縁性を有する板状の材料を選ぶことができる。絶縁性の材料の例としては、シリコン、石英、パイレックス（登録商標）等のガラス、及び絶縁性樹脂等を挙げることができる。
第１基板１１ａ及び第２基板１１ｂは、薄板状であるほか、例えばフレキシブルなフィルム状でもよい。例えば、第１基板１１ａ又は第２基板１１ｂを、フレキシブルなフィルム状とする場合には、例えばＰＥＴ（polyethylene terephthalate）、ＰＣ（polycarbonate）、及びポリイミド等を用いることができる。
第１基板１１ａと第２基板１１ｂとの間（熱電素子１の内部側）には、第１電極部１２ａ、第２電極部１２ｂ、支持部１３、及び中間部１４が挟まれる。このため、第１基板１１ａ及び第２基板１１ｂを備えることで、第１電極部１２ａ、第２電極部１２ｂ、支持部１３、及び中間部１４のそれぞれの、外力や環境変化に伴った劣化や変形を抑制することもできる。したがって、熱電素子１の耐久性を高めることが可能である。
＜＜第１電極部１２ａ、第２電極部１２ｂ＞＞
第１電極部１２ａ及び第２電極部１２ｂは、例えば図１（ｂ）に示すように、第１方向Ｚから見て、貫通孔１５の形成位置を除いた四角形に形成される。第１電極部１２ａは、例えば第１端子１１１等を介して第１配線１０１と電気的に接続される。第２電極部１２ｂは、例えば第２端子１１２等を介して第２配線１０２と電気的に接続される。なお、第１端子１１１及び第２端子１１２は、省略してもよい。
第１電極部１２ａ及び第２電極部１２ｂは、例えば図１（ｂ）に示すように、第１方向Ｚから見て、貫通孔１５の形成位置を除いた四角形に形成される。第１電極部１２ａは、例えば第１端子１１１等を介して第１配線１０１と電気的に接続される。第２電極部１２ｂは、例えば第２端子１１２等を介して第２配線１０２と電気的に接続される。なお、第１端子１１１及び第２端子１１２は、省略してもよい。
第１電極部１２ａは、例えば白金（仕事関数：約５．６５ｅＶ）を含み、第２電極部１２ｂは、例えばタングステン（仕事関数：約４．５５ｅＶ）を含む。仕事関数が大きい電極部はアノード（コレクタ電極）として機能し、仕事関数が小さい電極部はカソード（エミッタ電極）として機能する。本実施形態に係る熱電素子１では、第１電極部１２ａがアノードであり、第２電極部１２ｂがカソードとして説明する。なお、第１電極部１２ａをカソードとし、第２電極部１２ｂをアノードとしてもよい。
熱電素子１では、仕事関数差を有する第１電極部１２ａと第２電極部１２ｂとの間に発生する、絶対温度による電子放出現象が利用できる。このため、熱電素子１は、第１電極部１２ａと第２電極部１２ｂとの温度差が小さい場合であっても、熱エネルギーを電気エネルギーに変換できる。さらに、熱電素子１は、第１電極部１２ａと第２電極部１２ｂとの間に温度差がない場合、又は単一の熱源を用いる場合であっても、熱エネルギーを電気エネルギーに変換することができる。
第１電極部１２ａ及び第２電極部１２ｂそれぞれの第１方向Ｚに沿った厚さは、例えば１ｎｍ以上１ｍｍ以下でもよく、好ましくは１ｎｍ以上１μｍ以下、より好ましくは、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。第１電極部１２ａと第２電極部１２ｂとの間の第１方向Ｚに沿った距離（電極間ギャップ）は、例えば、１０μｍ以下の有限値である。より好ましくは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。電極間ギャップは、第１方向Ｚにおける支持部１３の厚さに依存する。
第１電極部１２ａ及び第２電極部１２ｂそれぞれの第１方向Ｚに沿った厚さ、並びに電極間ギャップのそれぞれを、上記範囲内に設定することにより、例えば、熱電素子１の第１方向Ｚに沿った厚さを薄くできる。これは、例えば、複数の熱電素子１を、第１方向Ｚに沿ってスタックさせる場合に有効である。また、各電極部１２ａ、１２ｂの平面バラつきを抑えることができ、電気エネルギーの発生量の安定性を向上させることができる。上記に加え、電極間ギャップを、上記範囲内に設定することにより、電子を効率良く放出させることが可能になるとともに、電子を第２電極部１２ｂ（カソード）から第１電極部１２ａ（アノード）へ、効率よく移動させることも可能となる。
第１電極部１２ａの材料、及び第２電極部１２ｂの材料は、例えば、以下に示す金属から選ぶことができる。
白金（Ｐｔ）
タングステン（Ｗ）
アルミニウム（Ａｌ）
チタン（Ｔｉ）
ニオブ（Ｎｂ）
モリブデン（Ｍｏ）
タンタル（Ｔａ）
レニウム（Ｒｅ）
熱電素子１では、第１電極部１２ａと第２電極部１２ｂとの間に仕事関数差が生じればよい。したがって、第１電極部１２ａ及び第２電極部１２ｂの材料には、上記以外の金属を選ぶことが可能である。第１電極部１２ａ及び第２電極部１２ｂの材料として、金属のほか、合金、金属間化合物、及び金属化合物を選ぶことも可能である。金属化合物は、金属元素と非金属元素とが化合したものである。このような金属化合物の例としては、例えば六ホウ化ランタン（ＬａＢ6）を挙げることができる。
白金（Ｐｔ）
タングステン（Ｗ）
アルミニウム（Ａｌ）
チタン（Ｔｉ）
ニオブ（Ｎｂ）
モリブデン（Ｍｏ）
タンタル（Ｔａ）
レニウム（Ｒｅ）
熱電素子１では、第１電極部１２ａと第２電極部１２ｂとの間に仕事関数差が生じればよい。したがって、第１電極部１２ａ及び第２電極部１２ｂの材料には、上記以外の金属を選ぶことが可能である。第１電極部１２ａ及び第２電極部１２ｂの材料として、金属のほか、合金、金属間化合物、及び金属化合物を選ぶことも可能である。金属化合物は、金属元素と非金属元素とが化合したものである。このような金属化合物の例としては、例えば六ホウ化ランタン（ＬａＢ6）を挙げることができる。
第１電極部１２ａ及び第２電極部１２ｂの材料として、非金属導電物を選ぶことも可能である。非金属導電物の例としては、シリコン（Ｓｉ：例えばｐ型Ｓｉ、あるいはｎ型Ｓｉ）、及びグラフェン等のカーボン系材料等を挙げることができる。
第１電極部１２ａ又は第２電極部１２ｂの材料として、高融点金属（refractory metal）以外の材料を選ぶと、以下に説明される利点を、さらに得ることができる。本明細書において、高融点金属は、例えば、Ｗ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、及びＲｅとする。第１電極部１２ａ（アノード）に、例えばＰｔを用いた場合、第２電極部１２ｂ（カソード）には、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及びＬａＢ6の少なくとも１つを用いることが好ましい。
Ａｌ及びＴｉの融点は、上記高融点金属の融点より低い。したがって、Ａｌ及びＴｉからは、上記高融点金属に比較して、加工しやすい、という利点を得ることができる。
Ｓｉは、上記高融点金属に比較して、その形成が、さらに容易である。したがって、Ｓｉからは、上記加工のしやすさに加え、熱電素子１の生産性がより向上する、という利点を、さらに得ることができる。
ＬａＢ6の融点は、Ｎｂの融点より高い。しかし、ＬａＢ6の融点は、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、及びＲｅの融点より低い。ＬａＢ6は、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、及びＲｅに比較して加工しやすい。しかも、ＬａＢ6の仕事関数は、約２．５〜２．７ｅＶである。ＬａＢ6は、上記高融点金属に比較して電子を放出させやすい。したがって、ＬａＢ6からは、熱電素子１の発電効率の更なる向上が可能、という利点を、さらに得ることができる。
なお、第１電極部１２ａ及び第２電極部１２ｂのそれぞれの構造は、上記材料を含む単層構造の他、上記材料を含む積層構造とされてもよい。
＜＜支持部１３＞＞
支持部１３は、第１支持部１３ａと、第２支持部１３ｂとを有する。第１支持部１３ａ及び第２支持部１３ｂは、例えば図１（ｂ）に示すように、第１方向Ｚから見て、中空の四角形状に形成され、各電極部１２ａ、１２ｂ及び中間部１４を囲む。第１支持部１３ａ及び第２支持部１３ｂは、互いに接して設けられる。第１支持部１３ａは、第１主面１１ａｆと接し、第２主面１１ｂｆと離間する。第２支持部１３ｂは、第２主面１１ｂｆと接し、第１主面１１ａｆと離間する。
支持部１３は、第１支持部１３ａと、第２支持部１３ｂとを有する。第１支持部１３ａ及び第２支持部１３ｂは、例えば図１（ｂ）に示すように、第１方向Ｚから見て、中空の四角形状に形成され、各電極部１２ａ、１２ｂ及び中間部１４を囲む。第１支持部１３ａ及び第２支持部１３ｂは、互いに接して設けられる。第１支持部１３ａは、第１主面１１ａｆと接し、第２主面１１ｂｆと離間する。第２支持部１３ｂは、第２主面１１ｂｆと接し、第１主面１１ａｆと離間する。
第１支持部１３ａは、第２支持部１３ｂと等しい形状を有するほか、例えば第２支持部１３ｂとは異なる形状を有してもよい。ここで、「異なる形状」とは、第１方向Ｚにおける厚さ、第２方向Ｘにおける幅、及び第３方向Ｙにおける長さの少なくとも何れかが異なることを示す。第１支持部１３ａは、第２方向Ｘと交わる側面、又は第３方向Ｙと交わる端面において、第２支持部１３ｂの側面又は端面と同一平面上に設けられるほか、例えば同一平面上に設けられなくてもよい。このため、各支持部１３ａ、１３ｂの形状を任意に設定することができ、電極間ギャップの設計等における自由度を高めることが可能となる。
第１実施形態に係る第１支持部１３ａ及び第２支持部１３ｂは、絶縁性を有する。第１支持部１３ａ及び第２支持部１３ｂとして、例えばシリコン酸化膜のほか、ポリイミド、ＰＭＭＡ（Polymethyl methacrylate）、又はポリスチレン等のポリマーが用いられる。このため、各支持部１３ａ、１３ｂは、例えば各電極部１２ａ、１２ｂと接して設けられてもよい。
＜＜中間部１４＞＞
中間部１４は、例えば図２に示すように、第２電極部１２ｂ（カソード）から放出された電子を、第１電極部１２ａ（アノード）へと移動させる部分である。図２（ａ）は、中間部１４の一例を示す模式断面図である。図２（ａ）に示すように、中間部１４は、例えば複数のナノ粒子１４１と、溶媒１４２とを含む。複数のナノ粒子１４１は、溶媒１４２内に分散される。中間部１４は、例えば、ナノ粒子１４１が分散された溶媒１４２を、ギャップ部１４ａ内に充填することで得られる。
中間部１４は、例えば図２に示すように、第２電極部１２ｂ（カソード）から放出された電子を、第１電極部１２ａ（アノード）へと移動させる部分である。図２（ａ）は、中間部１４の一例を示す模式断面図である。図２（ａ）に示すように、中間部１４は、例えば複数のナノ粒子１４１と、溶媒１４２とを含む。複数のナノ粒子１４１は、溶媒１４２内に分散される。中間部１４は、例えば、ナノ粒子１４１が分散された溶媒１４２を、ギャップ部１４ａ内に充填することで得られる。
ナノ粒子１４１は、例えば導電物を含む。ナノ粒子１４１の仕事関数の値は、例えば、第１電極部１２ａの仕事関数の値と、第２電極部１２ｂの仕事関数の値との間にある。例えば、複数のナノ粒子１４１は、３．０ｅＶ以上５．５ｅＶ以下の範囲内の仕事関数を含む。これにより、第１電極部１２ａと第２電極部１２ｂとの間に放出された電子ｅを、ナノ粒子１４１を介して、例えば、第２電極部１２ｂ（カソード）から第１電極部１２ａ（アノード）へと移動させることができる。これにより、中間部１４内にナノ粒子１４１がない場合に比較して、電気エネルギーの発生量を増加させることが可能となる。
ナノ粒子１４１の材料の例としては、金及び銀の少なくとも１つを選ぶことができる。なお、中間部１４は、第１電極部１２ａの仕事関数と、第２電極部１２ｂの仕事関数との間の仕事関数を有するナノ粒子１４１を少なくとも一部含んでいればよい。したがって、ナノ粒子１４１の材料には、金及び銀以外の導電性材料を選ぶことも可能である。
ナノ粒子１４１の粒子径は、例えば、電極間ギャップの１／１０以下の有限値とされる。具体的には、ナノ粒子１４１の粒子径は、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。また、ナノ粒子１４１は、例えば、平均粒径（例えばＤ５０）３ｎｍ以上８ｎｍ以下の粒子径を有してもよい。平均粒径は、例えば粒度分布計測器を用いることで、測定することができる。粒度分布計測器としては、例えば、レーザー回折散乱法を用いた粒度分布計測器（例えばMicrotracBEL製Nanotrac WaveII-EX150等）を用いればよい。ナノ粒子１４１の粒子径を、例えば、電極間ギャップの１／１０以下とすると、ギャップ部１４ａ内にナノ粒子１４１を含む中間部１４を形成し易くなる。これにより、熱電素子１の製造工程において、作業性を向上させることもできる。
ナノ粒子１４１は、その表面に、例えば絶縁膜１４１ａを有する。絶縁膜１４１ａの材料の例としては、絶縁性金属化合物及び絶縁性有機化合物の少なくとも１つを選ぶことができる。絶縁性金属化合物の例としては、例えば、シリコン酸化物及びアルミナ等を挙げることができる。絶縁性有機化合物の例としては、アルカンチオール（例えばドデカンチオール）等を挙げることができる。絶縁膜１４１ａの厚さは、例えば２０ｎｍ以下の有限値である。このような絶縁膜１４１ａをナノ粒子１４１の表面に設けておくと、電子ｅは、例えば、第２電極部１２ｂ（カソード）とナノ粒子１４１との間、及びナノ粒子１４１と第１電極部１２ａ（アノード）との間を、トンネル効果を利用して移動できる。このため、例えば、熱電素子１の発電効率の向上が期待できる。
溶媒１４２には、例えば、沸点が６０℃以上の液体を用いることができる。このため、室温（例えば１５℃〜３５℃）以上の環境下において、熱電素子１を用いた場合であっても、溶媒１４２の気化を抑制することができる。これにより、溶媒１４２の気化に伴う熱電素子１の劣化を抑制することができる。液体の例としては、有機溶媒及び水の少なくとも１つを選ぶことができる。有機溶媒の例としては、メタノール、エタノール、トルエン、キシレン、テトラデカン、及びアルカンチオール等を挙げることができる。溶媒１４２は、電気的抵抗値が高く、絶縁性である液体がよい。
図２（ｂ）は、中間部１４の他の例を示す模式断面図である。図２（ｂ）に示すように、中間部１４は、溶媒１４２を含まず、ナノ粒子１４１のみを含むようにしてもよい。
中間部１４が、ナノ粒子１４１のみを含むことで、例えば、熱電素子１を、高温の環境下に用いる場合であっても、溶媒１４２の気化を考慮する必要が無い。これにより、高温の環境下における熱電素子１の劣化を抑制することが可能となる。
＜＜貫通孔１５＞＞
貫通孔１５は、例えば第１貫通孔１５ａ及び第２貫通孔１５ｂの少なくとも何れかを有し、１つ以上設けられる。第１貫通孔１５ａは、第１基板１１ａを第１方向Ｚに貫通し、例えば第１電極部１２ａを貫通する。第２貫通孔１５ｂは、第２基板１１ｂを第１方向Ｚに貫通し、例えば第２電極部１２ｂを貫通する。
貫通孔１５は、例えば第１貫通孔１５ａ及び第２貫通孔１５ｂの少なくとも何れかを有し、１つ以上設けられる。第１貫通孔１５ａは、第１基板１１ａを第１方向Ｚに貫通し、例えば第１電極部１２ａを貫通する。第２貫通孔１５ｂは、第２基板１１ｂを第１方向Ｚに貫通し、例えば第２電極部１２ｂを貫通する。
貫通孔１５は、例えば図１（ｂ）に示すように、第１方向Ｚから見て、円状に形成されるほか、例えば楕円状又は溝状に形成されてもよい。貫通孔１５は、熱電素子１の外部側から内部側に向かって狭まるテーパ状に形成されるほか、例えば逆テーパ状、ボーイング状、又はストレート状に形成されてもよい。
＜＜配線層１６＞＞
配線層１６は、例えば第１配線層１６ａ及び第２配線層１６ｂの少なくとも何れかを有する。第１配線層１６ａは、第１基板１１ａにおける第１主面１１ａｆに対向する面上に設けられる。すなわち、第１基板１１ａは、第１配線層１６ａと第１電極部１２ａとの間に挟まれる。第２配線層１６ｂは、第２基板１１ｂにおける第２主面１１ｂｆに対向する面上に設けられる。すなわち、第２基板１１ｂは、第２配線層１６ｂと第２電極部１２ｂとの間に挟まれる。
配線層１６は、例えば第１配線層１６ａ及び第２配線層１６ｂの少なくとも何れかを有する。第１配線層１６ａは、第１基板１１ａにおける第１主面１１ａｆに対向する面上に設けられる。すなわち、第１基板１１ａは、第１配線層１６ａと第１電極部１２ａとの間に挟まれる。第２配線層１６ｂは、第２基板１１ｂにおける第２主面１１ｂｆに対向する面上に設けられる。すなわち、第２基板１１ｂは、第２配線層１６ｂと第２電極部１２ｂとの間に挟まれる。
配線層１６の第１方向Ｚに沿った厚さは、例えば１００ｎｍ以上１０μｍ以下である。配線層１６の材料として、導電性材料が用いられ、例えば金が用いられるほか、金及びクロムの積層体、又は金及びニッケルの積層体が用いられる。
＜＜接続配線１７＞＞
接続配線１７は、例えば第１接続配線１７ａ及び第２接続配線１７ｂの少なくとも何れかを有する。第１接続配線１７ａは、第１貫通孔１５ａを介して、第１電極部１２ａ及び第１配線層１６ａと電気的に接続される。このため、第１接続配線１７ａと第１電極部１２ａとの接続箇所は、熱電素子１の内部側に設けられる。第２接続配線１７ｂは、第２貫通孔１５ｂを介して、第２電極部１２ｂ及び第２配線層１６ｂと電気的に接続される。このため、第２接続配線１７ｂと第２電極部１２ｂとの接続箇所は、熱電素子１の内部側に設けられる。上記接続箇所は、各接続配線１７ａ、１７ｂのうち特に劣化し易い部分であり、接続箇所を熱電素子１の内部側に設けることで、熱電素子１の耐久性を高めることが可能となる。
接続配線１７は、例えば第１接続配線１７ａ及び第２接続配線１７ｂの少なくとも何れかを有する。第１接続配線１７ａは、第１貫通孔１５ａを介して、第１電極部１２ａ及び第１配線層１６ａと電気的に接続される。このため、第１接続配線１７ａと第１電極部１２ａとの接続箇所は、熱電素子１の内部側に設けられる。第２接続配線１７ｂは、第２貫通孔１５ｂを介して、第２電極部１２ｂ及び第２配線層１６ｂと電気的に接続される。このため、第２接続配線１７ｂと第２電極部１２ｂとの接続箇所は、熱電素子１の内部側に設けられる。上記接続箇所は、各接続配線１７ａ、１７ｂのうち特に劣化し易い部分であり、接続箇所を熱電素子１の内部側に設けることで、熱電素子１の耐久性を高めることが可能となる。
接続配線１７は、例えば貫通孔１５の側面に、１００ｎｍ以上１０μｍ以下の厚さで形成される。接続配線１７の材料として、導電性材料が用いられ、例えば金が用いられる。
＜＜封止部１８＞＞
封止部１８は、第１封止部１８ａ及び第２封止部１８ｂの少なくとも何れかを有する。第１封止部１８ａは、第１貫通孔１５ａ、第１接続配線１７ａ、及び第１配線層１６ａの少なくとも一部を覆う。このため、第１配線層１６ａと、第１接続配線１７ａとの接続箇所を、第１封止部１８ａにより覆うことができる。第２封止部１８ｂは、第２貫通孔１５ｂ、第２接続配線１７ｂ、及び第２配線層１６ｂの少なくとも一部を覆う。このため、第２配線層１６ｂと、第２接続配線１７ｂとの接続箇所を、第２封止部１８ｂにより覆うことができる。上記接続箇所は、各接続配線１７ａ、１７ｂのうち特に劣化し易い部分であり、且つ、熱電素子１の外部側に設けられるため、接続箇所を各封止部１８ａ、１８ｂにより覆うことで、熱電素子１の耐久性を高めることが可能となる。
封止部１８は、第１封止部１８ａ及び第２封止部１８ｂの少なくとも何れかを有する。第１封止部１８ａは、第１貫通孔１５ａ、第１接続配線１７ａ、及び第１配線層１６ａの少なくとも一部を覆う。このため、第１配線層１６ａと、第１接続配線１７ａとの接続箇所を、第１封止部１８ａにより覆うことができる。第２封止部１８ｂは、第２貫通孔１５ｂ、第２接続配線１７ｂ、及び第２配線層１６ｂの少なくとも一部を覆う。このため、第２配線層１６ｂと、第２接続配線１７ｂとの接続箇所を、第２封止部１８ｂにより覆うことができる。上記接続箇所は、各接続配線１７ａ、１７ｂのうち特に劣化し易い部分であり、且つ、熱電素子１の外部側に設けられるため、接続箇所を各封止部１８ａ、１８ｂにより覆うことで、熱電素子１の耐久性を高めることが可能となる。
封止部１８の材料として、例えば絶縁性樹脂が用いられ、絶縁性樹脂の例としては、フッ素系絶縁性樹脂を挙げることができる。
＜＜第１配線１０１及び第２配線１０２＞＞
第１配線１０１は、端子１１１、第１配線層１６ａ、及び第１接続配線１７ａを介して第１電極部１２ａと電気的に接続される。第２配線１０２は、端子１１２、第２配線層１６ｂ、及び第２接続配線１７ｂを介して第２電極部１２ｂと電気的に接続される。
第１配線１０１は、端子１１１、第１配線層１６ａ、及び第１接続配線１７ａを介して第１電極部１２ａと電気的に接続される。第２配線１０２は、端子１１２、第２配線層１６ｂ、及び第２接続配線１７ｂを介して第２電極部１２ｂと電気的に接続される。
第１配線１０１及び第２配線１０２のそれぞれには、導電性を有する材料が用いられる。第１配線１０１及び第２配線１０２のそれぞれの材料の例としては、ニッケル、銅、銀、金、タングステン、及びチタンを挙げることができる。第１配線１０１及び第２配線１０２のそれぞれの構造は、熱電素子１において生成された電流を負荷Ｒへ供給できる構造であれば、任意に設計することができる。
＜熱電素子１の動作＞
熱エネルギーが熱電素子１に与えられると、例えば、第２電極部１２ｂ（カソード）から中間部１４に向けて電子ｅが放出される。放出された電子ｅは、中間部１４から第１電極部１２ａ（アノード）へと移動する（図２参照）。この場合電流は、第１電極部１２ａから第２電極部１２ｂに向かって流れる。このようにして、熱エネルギーが電気エネルギーに変換される。
熱エネルギーが熱電素子１に与えられると、例えば、第２電極部１２ｂ（カソード）から中間部１４に向けて電子ｅが放出される。放出された電子ｅは、中間部１４から第１電極部１２ａ（アノード）へと移動する（図２参照）。この場合電流は、第１電極部１２ａから第２電極部１２ｂに向かって流れる。このようにして、熱エネルギーが電気エネルギーに変換される。
放出される電子ｅの量は、熱エネルギーに依存するほか、第１電極部１２ａ（アノード）の仕事関数と、第２電極部１２ｂ（カソード）の仕事関数との差に依存する。また、放出される電子ｅの量は、第２電極部１２ｂの仕事関数が小さい材料ほど、増加する傾向がある。
移動する電子ｅの量は、例えば、第１電極部１２ａと第２電極部１２ｂとの仕事関数差を大きくすること、又は電極間ギャップを小さくすることで増やすことができる。例えば、熱電素子１が発生させる電気エネルギーの量は、上記仕事関数差を大きくすること、及び上記電極間ギャップを小さくすること、の少なくとも何れか１つを考慮することで増加させることができる。
＜熱電素子１の製造方法＞
次に、熱電素子１の製造方法の一例を、説明する。図３は、本実施形態に係る熱電素子１の製造方法の一例を示すフローチャートである。図４（ａ）〜図５（ｄ）は、本実施形態に係る熱電素子１の製造方法の一例を示す模式断面図である。
次に、熱電素子１の製造方法の一例を、説明する。図３は、本実施形態に係る熱電素子１の製造方法の一例を示すフローチャートである。図４（ａ）〜図５（ｄ）は、本実施形態に係る熱電素子１の製造方法の一例を示す模式断面図である。
＜＜支持部形成工程Ｓ１１０＞＞
先ず、例えば図４（ａ）に示すように、第１基板１１ａの第１主面１１ａｆ上に第１支持部１３ａを形成し、第２基板１１ｂの第２主面１１ｂｆ上に第２支持部１３ｂを形成する（支持部形成工程Ｓ１１０）。各支持部１３ａ、１３ｂは、例えば第１方向Ｚから見て、中空の四角形状に形成される（図１（ｂ）参照）。
先ず、例えば図４（ａ）に示すように、第１基板１１ａの第１主面１１ａｆ上に第１支持部１３ａを形成し、第２基板１１ｂの第２主面１１ｂｆ上に第２支持部１３ｂを形成する（支持部形成工程Ｓ１１０）。各支持部１３ａ、１３ｂは、例えば第１方向Ｚから見て、中空の四角形状に形成される（図１（ｂ）参照）。
支持部形成工程Ｓ１１０では、例えばサイトップ（登録商標）を各支持部１３ａ、１３ｂの材料として用いる場合、スピンコート法を用いて、各支持部１３ａ、１３ｂの材料を各主面１１ａｆ、１１ｂｆ上に形成する。その後、フォトリソグラフィー法を用いて、形成された材料の一部を除去し、各主面１１ａｆ、１１ｂｆ上に各支持部１３ａ、１３ｂが形成される。
上記のほか、例えばスパッタリング法又は蒸着法等を用いた真空環境下で各支持部１３ａ、１３ｂを形成するほか、例えばスクリーン印刷法、インクジェット法、スプレイ印刷法等を用いた常圧環境下で各支持部１３ａ、１３ｂを形成してもよい。各支持部１３ａ、１３ｂとして、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等が用いられる。
＜＜電極部形成工程Ｓ１２０＞＞
次に、例えば図４（ｂ）に示すように、第１主面１１ａｆ上に第１電極部１２ａを形成し、第２主面１１ｂｆ上に第２電極部１２ｂを形成する（電極部形成工程Ｓ１２０）。各電極部１２ａ、１２ｂは、例えば第１方向Ｚから見て、支持部１３に囲まれて四角形状に形成されるほか、例えば後述する貫通孔１５を形成する部分を除いた形状に形成されてもよい。各電極部１２ａ、１２ｂは、各支持部１３ａ、１３ｂよりも薄く形成される。
次に、例えば図４（ｂ）に示すように、第１主面１１ａｆ上に第１電極部１２ａを形成し、第２主面１１ｂｆ上に第２電極部１２ｂを形成する（電極部形成工程Ｓ１２０）。各電極部１２ａ、１２ｂは、例えば第１方向Ｚから見て、支持部１３に囲まれて四角形状に形成されるほか、例えば後述する貫通孔１５を形成する部分を除いた形状に形成されてもよい。各電極部１２ａ、１２ｂは、各支持部１３ａ、１３ｂよりも薄く形成される。
電極部形成工程Ｓ１２０では、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて、各電極部１２ａ、１２ｂを形成するほか、例えばスクリーン印刷法、インクジェット法、及びスプレイ印刷法等を用いて形成してもよい。例えば、第１電極部１２ａとして白金が用いられ、第２電極部１２ｂとしてアルミニウムが用いられるほか、それぞれ上述した材料が用いられてもよい。
＜＜配線層形成工程Ｓ１３０＞＞
次に、第１基板１１ａにおける第１主面１１ａｆに対向する面に、第１配線層１６ａを形成する（配線層形成工程Ｓ１３０）。配線層形成工程Ｓ１３０では、例えば図４（ｃ）に示すように、第１配線層１６ａを形成すると同時、又は形成前後に、第２主面１１ｂｆに対向する面上に第２配線層１６ｂを形成してもよい。各配線層１６ａ、１６ｂは、例えば第１方向Ｚから見て、四角形状に形成されるほか、例えば後述する貫通孔１５を形成する部分を除いた形状に形成されてもよい。
次に、第１基板１１ａにおける第１主面１１ａｆに対向する面に、第１配線層１６ａを形成する（配線層形成工程Ｓ１３０）。配線層形成工程Ｓ１３０では、例えば図４（ｃ）に示すように、第１配線層１６ａを形成すると同時、又は形成前後に、第２主面１１ｂｆに対向する面上に第２配線層１６ｂを形成してもよい。各配線層１６ａ、１６ｂは、例えば第１方向Ｚから見て、四角形状に形成されるほか、例えば後述する貫通孔１５を形成する部分を除いた形状に形成されてもよい。
配線層形成工程Ｓ１３０では、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて、各配線層１６ａ、１６ｂを形成するほか、例えばスクリーン印刷法、インクジェット法、及びスプレイ印刷法等を用いて形成してもよい。
＜＜保護膜形成工程Ｓ１４０＞＞
次に、例えば図４（ｄ）に示すように、第１電極部１２ａ及び第２電極部１２ｂを覆う保護膜９を形成してもよい（保護膜形成工程Ｓ１４０）。保護膜９は、例えば後述する各電極部１２ａ、１２ｂの対向する面を少なくとも覆い、後述する接続配線１７と接続する箇所を露出した状態で形成されてもよい。なお、保護膜９は、各支持部１３ａ、１３ｂを覆うように形成されてもよい。保護膜９を形成することで、後の工程において各電極部１２ａ、１２ｂの表面を保護することができる。これにより、各電極部１２ａ、１２ｂの仕事関数の変化を防ぐことができる。
次に、例えば図４（ｄ）に示すように、第１電極部１２ａ及び第２電極部１２ｂを覆う保護膜９を形成してもよい（保護膜形成工程Ｓ１４０）。保護膜９は、例えば後述する各電極部１２ａ、１２ｂの対向する面を少なくとも覆い、後述する接続配線１７と接続する箇所を露出した状態で形成されてもよい。なお、保護膜９は、各支持部１３ａ、１３ｂを覆うように形成されてもよい。保護膜９を形成することで、後の工程において各電極部１２ａ、１２ｂの表面を保護することができる。これにより、各電極部１２ａ、１２ｂの仕事関数の変化を防ぐことができる。
保護膜形成工程Ｓ１４０では、例えばフォトリソグラフィー法を用いて、保護膜９をパターン状に形成する。保護膜９として、例えば公知のフォトレジストが用いられる。
＜＜貫通孔形成工程Ｓ１５０＞＞
次に、第１基板１１ａを第１方向Ｚに貫通する第１貫通孔１５ａを形成する（貫通孔形成工程Ｓ１５０）。貫通孔形成工程Ｓ１５０では、例えば図５（ａ）に示すように、第１貫通孔１５ａを形成すると同時、又は形成前後に、第２基板１１ｂを第１方向Ｚに貫通する第２貫通孔１５ｂを形成してもよい。各貫通孔１５ａ、１５ｂは、例えば各基板１１ａ、１１ｂのうち、各電極部１２ａ、１２ｂ及び各配線層１６ａ、１６ｂが形成されていない位置に形成される。なお、貫通孔形成工程Ｓ１５０において、各電極部１２ａ、１２ｂ及び配線層１６ａ、１６ｂの少なくとも何れかの一部を除去し、各貫通孔１５ａ、１５ｂを形成してもよい。
次に、第１基板１１ａを第１方向Ｚに貫通する第１貫通孔１５ａを形成する（貫通孔形成工程Ｓ１５０）。貫通孔形成工程Ｓ１５０では、例えば図５（ａ）に示すように、第１貫通孔１５ａを形成すると同時、又は形成前後に、第２基板１１ｂを第１方向Ｚに貫通する第２貫通孔１５ｂを形成してもよい。各貫通孔１５ａ、１５ｂは、例えば各基板１１ａ、１１ｂのうち、各電極部１２ａ、１２ｂ及び各配線層１６ａ、１６ｂが形成されていない位置に形成される。なお、貫通孔形成工程Ｓ１５０において、各電極部１２ａ、１２ｂ及び配線層１６ａ、１６ｂの少なくとも何れかの一部を除去し、各貫通孔１５ａ、１５ｂを形成してもよい。
貫通孔形成工程Ｓ１５０では、例えばサンドブラスト法を用いて各貫通孔１５ａ、１５ｂを形成するほか、例えば異方性エッチング法等を用いて形成してもよい。なお、各貫通孔１５ａ、１５ｂの形成される位置及び数は、任意である。
＜＜接続配線形成工程Ｓ１６０＞＞
次に、第１貫通孔１５ａを介して、第１電極部１２ａ及び第１配線層１６ａと電気的に接続される第１接続配線１７ａを形成する（接続配線形成工程Ｓ１６０）。接続配線形成工程Ｓ１６０では、例えば第１貫通孔１５ａが複数形成されている場合、少なくとも１つの第１貫通孔１５ａの側面に、第１接続配線１７ａを形成する。接続配線形成工程Ｓ１６０では、例えば図５（ｂ）に示すように、第１接続配線１７ａを形成すると同時、又は形成前後に、第２貫通孔１５ｂを介して、第２電極部１２ｂ及び第２配線層１６ｂと電気的に接続される第２接続配線１７ｂを形成してもよい。
次に、第１貫通孔１５ａを介して、第１電極部１２ａ及び第１配線層１６ａと電気的に接続される第１接続配線１７ａを形成する（接続配線形成工程Ｓ１６０）。接続配線形成工程Ｓ１６０では、例えば第１貫通孔１５ａが複数形成されている場合、少なくとも１つの第１貫通孔１５ａの側面に、第１接続配線１７ａを形成する。接続配線形成工程Ｓ１６０では、例えば図５（ｂ）に示すように、第１接続配線１７ａを形成すると同時、又は形成前後に、第２貫通孔１５ｂを介して、第２電極部１２ｂ及び第２配線層１６ｂと電気的に接続される第２接続配線１７ｂを形成してもよい。
接続配線形成工程Ｓ１６０では、例えばスパッタリング法を用いて各接続配線１７ａ、１７ｂを形成する。各接続配線１７ａ、１７ｂとして、例えば金が用いられる。
なお、保護膜形成工程Ｓ１４０により保護膜９を形成した場合、例えば図５（ｃ）に示すように、接続配線形成工程Ｓ１６０のあとに保護膜９を除去する。また、単一の基板１１を用いて複数の各電極部１２ａ、１２ｂ等を形成した場合、接続配線形成工程Ｓ１６０のあとに適宜分割する。
＜＜接合工程Ｓ１７０＞＞
次に、例えば図５（ｄ）に示すように、第１電極部１２ａと、第２電極部１２ｂとを第１方向Ｚに離間して対向するように、第１支持部１３ａと第２支持部１３ｂとを接合する（接合工程Ｓ１７０）。接合工程Ｓ１７０では、第１支持部１３ａの上面と、第２支持部１３ｂの上面とを接合する。このとき、各支持部１３ａ、１３ｂ、及び各電極部１２ａ、１２ｂは、各基板１１ａ、１１ｂに挟まれ、ギャップ部１４ａが形成される。
次に、例えば図５（ｄ）に示すように、第１電極部１２ａと、第２電極部１２ｂとを第１方向Ｚに離間して対向するように、第１支持部１３ａと第２支持部１３ｂとを接合する（接合工程Ｓ１７０）。接合工程Ｓ１７０では、第１支持部１３ａの上面と、第２支持部１３ｂの上面とを接合する。このとき、各支持部１３ａ、１３ｂ、及び各電極部１２ａ、１２ｂは、各基板１１ａ、１１ｂに挟まれ、ギャップ部１４ａが形成される。
接合工程Ｓ１７０では、例えば各支持部１３ａ、１３ｂの上面同士を当接させて加熱することで、各支持部１３ａ、１３ｂを接合する。この場合、各電極部１２ａ、１２ｂにおける電極間ギャップは、各支持部１３ａ、１３ｂの厚さに依存する。
＜＜中間部形成工程Ｓ１８０＞＞
次に、第１貫通孔１５ａを介して、第１電極部１２ａと、第２電極部１２ｂとの間に、中間部１４を形成する（中間部形成工程Ｓ１８０）。中間部形成工程Ｓ１８０では、貫通孔１５を介してナノ粒子等を充填すればよく、第１貫通孔１５ａの代わりに第２貫通孔１５ｂを介してナノ粒子等を充填してもよい。
次に、第１貫通孔１５ａを介して、第１電極部１２ａと、第２電極部１２ｂとの間に、中間部１４を形成する（中間部形成工程Ｓ１８０）。中間部形成工程Ｓ１８０では、貫通孔１５を介してナノ粒子等を充填すればよく、第１貫通孔１５ａの代わりに第２貫通孔１５ｂを介してナノ粒子等を充填してもよい。
その後、例えば図１（ａ）に示した封止部１８等を形成し、本実施形態に係る熱電素子１が形成される。なお、形成された熱電素子１に各端子１１１、１１２、各配線１０１、１０２等を接続することで、本実施形態に係る発電装置１００を形成することができる。なお、例えば支持部形成工程Ｓ１１０を実施する前に、電極部形成工程Ｓ１２０又は配線層形成工程Ｓ１３０を実施してもよい。また、中間部形成工程Ｓ１８０を実施する前に、一部の貫通孔１５を覆う封止部１８を形成してもよい。
本実施形態によれば、第１接続配線１７ａは、第１貫通孔１５ａを介して、第１電極部１２ａ及び第１配線層１６ａと電気的に接続される。このため、第１接続配線１７ａは、熱電素子１の内部側で第１電極部１２ａと接続させることができる。これにより、第１電極部１２ａと接続される第１接続配線１７ａの劣化を抑制することが可能となる。
また、本実施形態によれば、第１貫通孔１５ａは、第１基板１１ａを第１方向Ｚに貫通する。このため、第１貫通孔１５ａを介して中間部１４の充填が容易に実施できる。これにより、製造工程の簡易化を図ることが可能となる。また、熱電素子１の使用に伴い中間部１４を交換する必要が発生した場合、容易に中間部１４の交換を実施することが可能となる。
また、本実施形態によれば、第２接続配線１７ｂは、第２貫通孔１５ｂを介して、第２電極部１２ｂ及び第２配線層１６ｂと電気的に接続される。このため、第２接続配線１７ｂは、熱電素子１の内部側で第２電極部１２ｂと接続させることができる。これにより、各電極部１２ａ、１２ｂと接続される各接続配線１７ａ、１７ｂの劣化を抑制することが可能となる。また、第２接続配線１７ｂは、第１接続配線１７ａと同様の構造で形成することができるため、製造工程の簡略化が可能となる。
また、本実施形態によれば、ナノ粒子１４１の直径は、電極間ギャップの１／１０以下である。このため、第１電極部１２ａと、第２電極部１２ｂとの間に、ナノ粒子１４１を含む中間部１４を容易に形成することができる。これにより、熱電素子１を製造するとき、作業性の向上を図ることが可能となる。
また、本実施形態によれば、ナノ粒子１４１は、表面に設けられた絶縁膜１４１ａを有する。このため、第１電極部１２ａから生成した電子ｅは、例えばトンネル効果等によりナノ粒子１４１間を容易に移動することができる。これにより、電気エネルギーの発生量を増加させることが可能となる。
また、本実施形態によれば、中間部１４は、６０℃以上の沸点を有する溶媒１４２を含む。このため、室温以上の環境下に熱電素子１が用いられた場合においても、溶媒１４２の気化を抑制することができる。これにより、溶媒１４２の気化に伴う熱電素子１の劣化を抑制することが可能となる。
また、本実施形態によれば、中間部１４は、ナノ粒子１４１のみが充填された状態を示す。このため、高温の環境下に熱電素子１が用いられた場合においても、溶媒１４２等の気化を考慮する必要が無い。これにより、高温の環境下における熱電素子１の劣化を抑制することが可能となる。
また、本実施形態によれば、接続配線形成工程Ｓ１６０は、第１貫通孔１５ａを介して、第１電極部１２ａ及び第１配線層１６ａと電気的に接続される第１接続配線１７ａを形成する。このため、第１接続配線１７ａは、熱電素子１の内部側で第１電極部１２ａと接続させることができる。これにより、第１電極部１２ａと接続される第１接続配線１７ａの劣化を抑制することが可能となる。
また、本実施形態によれば、貫通孔形成工程Ｓ１５０は、第１基板１１ａを第１方向Ｚに貫通する第１貫通孔１５ａを形成する。このため、第１貫通孔１５ａを介して中間部１４の充填が容易に実施できる。これにより、製造工程の簡易化を図ることが可能となる。また、熱電素子１の使用に伴い中間部１４を交換する必要が発生した場合、容易に中間部１４の交換を実施することが可能となる。
また、本実施形態によれば、接続配線形成工程Ｓ１６０は、第２貫通孔１５ｂを介して、第２電極部１２ｂ及び第２配線層１６ｂと電気的に接続される第２接続配線１７ｂを形成する。このため、第２接続配線１７ｂは、熱電素子１の内部側で第２電極部１２ｂと接続させることができる。これにより、各電極部１２ａ、１２ｂと接続される各接続配線１７ａ、１７ｂの劣化を抑制することが可能となる。また、第２接続配線１７ｂは、第１接続配線１７ａと同様の構造で形成することができるため、製造工程の簡略化が可能となる。
また、本実施形態によれば、保護膜形成工程Ｓ１４０は、第１電極部１２ａ及び第２電極部１２ｂを覆う保護膜９を形成する。このため、後の工程において各電極部１２ａ、１２ｂの表面を保護することができる。これにより、各電極部１２ａ、１２ｂの仕事関数の変化を防ぐことができ、電気エネルギーの発生量のバラつきを抑制することが可能となる。
（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係る発電装置１００及び熱電素子１について説明する。図６は、第２実施形態に係る発電装置１００及び熱電素子１の一例を示す模式図である。図６（ａ）は、第２実施形態に係る発電装置１００及び熱電素子１の一例を示す模式断面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）における６Ｂ−６Ｂ線に沿った模式平面図である。
次に、第２実施形態に係る発電装置１００及び熱電素子１について説明する。図６は、第２実施形態に係る発電装置１００及び熱電素子１の一例を示す模式図である。図６（ａ）は、第２実施形態に係る発電装置１００及び熱電素子１の一例を示す模式断面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）における６Ｂ−６Ｂ線に沿った模式平面図である。
上述した実施形態と、第２実施形態との違いは、支持部１３に金属が用いられる点である。なお、上述した実施形態と同様の構成については、説明を省略する。
図６に示すように、支持部１３は、各電極部１２ａ、１２ｂと離間して設けられる。例えば第１支持部１３ａと、第１電極部１２ａとの間の距離、及び第２支持部１３ｂと、第２電極部１２ｂとの間の距離は、電極間ギャップよりも大きい。
支持部１３の材料として、金属が用いられ、例えば金、ニッケル、タングステン、タンタル、モリブデン、鉛、白金、銀、又はスズが用いられるほか、金及びクロムの積層体、又は金及びニッケルの積層体が用いられる。各支持部１３ａ、１３ｂが金属を含むことで、例えば上述した支持部形成工程Ｓ１１０において、各支持部１３ａ、１３ｂを形成する際の厚さを容易に制御できるほか、例えば上述した接合工程Ｓ１７０において、各基板１１ａ、１１ｂからの押圧による変形が抑制され、各支持部１３ａ、１３ｂにおける厚さの変動を防ぐことができる。特に、各支持部１３ａ、１３ｂの表面に金を用いる場合、各支持部１３ａ、１３ｂの表面に露出した金同士を、例えば熱圧着接合法を用いて容易に接合することができる。これにより、電極間ギャップを高精度に形成することができる。
本実施形態によれば、上述した実施形態と同様に、第１接続配線１７ａは、第１貫通孔１５ａを介して、第１電極部１２ａ及び第１配線層１６ａと電気的に接続される。このため、第１接続配線１７ａは、熱電素子１の内部側で第１電極部１２ａと接続させることができる。これにより、第１電極部１２ａと接続される第１接続配線１７ａの劣化を抑制することが可能となる。
また、本実施形態によれば、上述した実施形態と同様に、第１貫通孔１５ａは、第１基板１１ａを第１方向Ｚに貫通する。このため、第１貫通孔１５ａを介して中間部１４の充填が容易に実施できる。これにより、製造工程の簡易化を図ることが可能となる。また、熱電素子１の使用に伴い中間部１４を交換する必要が発生した場合、容易に中間部１４の交換を実施することが可能となる。
また、本実施形態によれば、支持部１３は、金属を含む。このため、第１方向Ｚに沿った支持部１３の高さバラつきを抑制することができる。これにより、電極間ギャップを高精度に形成することができ、電気エネルギーの発生量の安定化を実現することが可能となる。また、支持部１３は、第１電極部１２ａ及び第２電極部１２ｂと離間して設けられる。このため、支持部１３の形成に伴う各電極部１２ａ、１２ｂの対向する面積の減少を防ぐことができる。これにより、支持部１３の形状に関わらず、電気エネルギーの発生量の向上を図ることが可能となる。
（第３実施形態）
＜電子機器＞
上述した熱電素子１及び発電装置１００は、例えば電子機器に搭載することが可能である。以下、電子機器の実施形態のいくつかを説明する。
＜電子機器＞
上述した熱電素子１及び発電装置１００は、例えば電子機器に搭載することが可能である。以下、電子機器の実施形態のいくつかを説明する。
図７（ａ）〜図７（ｄ）は、熱電素子１を備えた電子機器５００の例を示す模式ブロック図である。図７（ｅ）〜図７（ｈ）は、熱電素子１を含む発電装置１００を備えた電子機器５００の例を示す模式ブロック図である。
図７（ａ）に示すように、電子機器５００（エレクトリックプロダクト）は、電子部品５０１（エレクトロニックコンポーネント）と、主電源５０２と、補助電源５０３と、を備えている。電子機器５００及び電子部品５０１のそれぞれは、電気的な機器(エレクトリカルデバイス)である。
電子部品５０１は、主電源５０２を電源に用いて駆動される。電子部品５０１の例としては、例えば、ＣＰＵ、モーター、センサ端末、及び照明等を挙げることができる。電子部品５０１が、例えばＣＰＵである場合、電子機器５００には、内蔵されたマスター（ＣＰＵ）によって制御可能な電子機器が含まれる。電子部品５０１が、例えば、モーター、センサ端末、及び照明等の少なくとも１つを含む場合、電子機器５００には、外部にあるマスター、あるいは人によって制御可能な電子機器が含まれる。
主電源５０２は、例えば電池である。電池には、充電可能な電池も含まれる。主電源５０２のプラス端子（＋）は、電子部品５０１のＶｃｃ端子（Ｖｃｃ）と電気的に接続される。主電源５０２のマイナス端子（−）は、電子部品５０１のＧＮＤ端子（ＧＮＤ）と電気的に接続される。
補助電源５０３は、熱電素子である。熱電素子は、実施形態のそれぞれにおいて説明した熱電素子１の少なくとも１つを含む。熱電素子１のアノード（例えば第１電極部１２ａ）は、電子部品５０１のＧＮＤ端子（ＧＮＤ）、又は主電源５０２のマイナス端子（−）、又はＧＮＤ端子（ＧＮＤ）とマイナス端子（−）とを接続する配線と、電気的に接続される。熱電素子１のカソード（例えば第２電極部１２ｂ）は、電子部品５０１のＶｃｃ端子（Ｖｃｃ）、又は主電源５０２のプラス端子（＋）、又はＶｃｃ端子（Ｖｃｃ）とプラス端子（＋）とを接続する配線と、電気的に接続される。電子機器５００において、補助電源５０３は、例えば主電源５０２と併用され、主電源５０２をアシストするための電源や、主電源５０２の容量が切れた場合、主電源５０２をバックアップするための電源として使うことができる。主電源５０２が充電可能な電池である場合には、補助電源５０３は、さらに、電池を充電するための電源としても使うことができる。
図７（ｂ）に示すように、主電源５０２は、熱電素子１とされてもよい。熱電素子１のアノードは、電子部品５０１のＧＮＤ端子（ＧＮＤ）と電気的に接続される。熱電素子１のカソードは、電子部品５０１のＶｃｃ端子（Ｖｃｃ）と電気的に接続される。図７（ｂ）に示す電子機器５００は、主電源５０２として使用される熱電素子１と、熱電素子１を用いて駆動されることが可能な電子部品５０１と、を備えている。熱電素子１は、独立した電源（例えばオフグリッド電源）である。このため、電子機器５００は、例えば自立型（スタンドアローン型）にできる。しかも、熱電素子１は、環境発電型（エナジーハーベスト型）である。図７（ｂ）に示す電子機器５００は、電池の交換が不要である。
図７（ｃ）に示すように、電子部品５０１が熱電素子１を備えていてもよい。熱電素子１のアノードは、例えば、回路基板（図示は省略する）のＧＮＤ配線と電気的に接続される。熱電素子１のカソードは、例えば、回路基板（図示は省略する）のＶｃｃ配線と電気的に接続される。この場合、熱電素子１は、電子部品５０１の、例えば補助電源５０３として使うことができる。
図７（ｄ）に示すように、電子部品５０１が熱電素子１を備えている場合、熱電素子１は、電子部品５０１の、例えば主電源５０２として使うことができる。
図７（ｅ）〜図７（ｈ）のそれぞれに示すように、電子機器５００は、発電装置１００を備えていてもよい。発電装置１００は、電気エネルギーの源として熱電素子１を含む。
図７（ｄ）に示した実施形態は、電子部品５０１が主電源５０２として使用される熱電素子１を備えている。同様に、図７（ｈ）に示した実施形態は、電子部品５０１が主電源として使用される発電装置１００を備えている。これらの実施形態では、電子部品５０１が、独立した電源を持つ。このため、電子部品５０１を、例えば自立型とすることができる。自立型の電子部品５０１は、例えば、複数の電子部品を含み、かつ、少なくとも１つの電子部品が別の電子部品と離れているような電子機器に有効に用いることができる。そのような電子機器５００の例は、センサである。センサは、センサ端末（スレーブ）と、センサ端末から離れたコントローラ（マスター）と、を備えている。センサ端末及びコントローラのそれぞれは、電子部品５０１である。センサ端末が、熱電素子１又は発電装置１００を備えていれば、自立型のセンサ端末となり、有線での電力供給の必要がない。熱電素子１又は発電装置１００は環境発電型であるので、電池の交換も不要である。センサ端末は、電子機器５００の１つと見なすこともできる。電子機器５００と見なされるセンサ端末には、センサのセンサ端末に加えて、例えば、ＩｏＴワイヤレスタグ等が、さらに含まれる。
図７（ａ）〜図７（ｈ）のそれぞれに示した実施形態において共通することは、電子機器５００は、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電素子１と、熱電素子１を電源に用いて駆動されることが可能な電子部品５０１と、を含むことである。
電子機器５００は、独立した電源を備えた自律型（オートノマス型）であってもよい。自律型の電子機器の例は、例えばロボット等を挙げることができる。さらに、熱電素子１又は発電装置１００を備えた電子部品５０１は、独立した電源を備えた自律型であってもよい。自律型の電子部品の例は、例えば可動センサ端末等を挙げることができる。
以上、この発明の実施形態のいくつかを説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。例えば、これらの実施形態は、適宜組み合わせて実施することが可能である。また、この発明は、上記いくつかの実施形態の他、様々な新規な形態で実施することができる。したがって、上記いくつかの実施形態のそれぞれは、この発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更が可能である。このような新規な形態や変形は、この発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明、及び特許請求の範囲に記載された発明の均等物の範囲に含まれる。
１ ：熱電素子
１１ ：基板
１１ａ ：第１基板
１１ａｆ ：第１主面
１１ｂ ：第２基板
１１ｂｆ ：第２主面
１２ａ ：第１電極部
１２ｂ ：第２電極部
１３ ：支持部
１３ａ ：第１支持部
１３ｂ ：第２支持部
１４ ：中間部
１４ａ ：ギャップ部
１４１ ：ナノ粒子
１４１ａ ：絶縁膜
１４２ ：溶媒
１５ ：貫通孔
１５ａ ：第１貫通孔
１５ｂ ：第２貫通孔
１６ ：配線層
１６ａ ：第１配線層
１６ｂ ：第２配線層
１７ ：接続配線
１７ａ ：第１接続配線
１７ｂ ：第２接続配線
１８ ：封止部
１８ａ ：第１封止部
１８ｂ ：第２封止部
１００ ：発電装置
１０１ ：第１配線
１０２ ：第２配線
１１１ ：第１端子
１１２ ：第２端子
５００ ：電子機器
５０１ ：電子部品
５０２ ：主電源
５０３ ：補助電源
９ ：保護膜
Ｒ ：負荷
Ｓ１１０ ：支持部形成工程
Ｓ１２０ ：電極部形成工程
Ｓ１３０ ：配線層形成工程
Ｓ１４０ ：保護膜形成工程
Ｓ１５０ ：貫通孔形成工程
Ｓ１６０ ：接続配線形成工程
Ｓ１７０ ：接合工程
Ｓ１８０ ：中間部形成工程
Ｚ ：第１方向
Ｘ ：第２方向
Ｙ ：第３方向
ｅ ：電子
１１ ：基板
１１ａ ：第１基板
１１ａｆ ：第１主面
１１ｂ ：第２基板
１１ｂｆ ：第２主面
１２ａ ：第１電極部
１２ｂ ：第２電極部
１３ ：支持部
１３ａ ：第１支持部
１３ｂ ：第２支持部
１４ ：中間部
１４ａ ：ギャップ部
１４１ ：ナノ粒子
１４１ａ ：絶縁膜
１４２ ：溶媒
１５ ：貫通孔
１５ａ ：第１貫通孔
１５ｂ ：第２貫通孔
１６ ：配線層
１６ａ ：第１配線層
１６ｂ ：第２配線層
１７ ：接続配線
１７ａ ：第１接続配線
１７ｂ ：第２接続配線
１８ ：封止部
１８ａ ：第１封止部
１８ｂ ：第２封止部
１００ ：発電装置
１０１ ：第１配線
１０２ ：第２配線
１１１ ：第１端子
１１２ ：第２端子
５００ ：電子機器
５０１ ：電子部品
５０２ ：主電源
５０３ ：補助電源
９ ：保護膜
Ｒ ：負荷
Ｓ１１０ ：支持部形成工程
Ｓ１２０ ：電極部形成工程
Ｓ１３０ ：配線層形成工程
Ｓ１４０ ：保護膜形成工程
Ｓ１５０ ：貫通孔形成工程
Ｓ１６０ ：接続配線形成工程
Ｓ１７０ ：接合工程
Ｓ１８０ ：中間部形成工程
Ｚ ：第１方向
Ｘ ：第２方向
Ｙ ：第３方向
ｅ ：電子
Claims (12)
- 熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電素子であって、
第１主面を有する第１基板と、
前記第１主面と第１方向に離間して設けられ、前記第１主面と対向する第２主面を有する第２基板と、
前記第１主面上に設けられ、前記第２基板と離間する第１電極部と、
前記第２主面上に設けられ、前記第１基板及び前記第１電極部と離間し、前記第１電極部とは異なる仕事関数を有する第２電極部と、
前記第１基板と、前記第２基板との間に設けられ、前記第１主面及び前記第２主面と接する支持部と、
前記第１電極部と、前記第２電極部との間に設けられ、ナノ粒子を含む中間部と、
前記第１基板を前記第１方向に貫通する第１貫通孔と、
前記第１基板における前記第１主面に対向する面上に設けられた第１配線層と、
前記第１貫通孔を介して、前記第１電極部及び前記第１配線層と電気的に接続される第１接続配線と、
を備えること
を特徴とする熱電素子。 - 前記第２基板を前記第１方向に貫通する第２貫通孔と、
前記第２基板における前記第２主面に対向する面上に設けられた第２配線層と、
前記第２貫通孔を介して、前記第２電極部及び前記第２配線層と電気的に接続される第２接続配線と、
をさらに備えること
を特徴とする請求項１記載の熱電素子。 - 前記支持部は、金属を含み、
前記第１電極部及び前記第２電極部は、前記支持部と離間すること
を特徴とする請求項１又は２記載の熱電素子。 - 前記第１電極部と、前記第２電極部との間の電極間ギャップは、１０μｍ以下であり、
前記ナノ粒子の直径は、前記電極間ギャップの１／１０以下であること
を特徴とする請求項１〜３の何れか１項記載の熱電素子。 - 前記ナノ粒子は、表面に設けられた絶縁膜を有し、
前記絶縁膜の厚さは、２０ｎｍ以下であること
を特徴とする請求項１〜４の何れか１項記載の熱電素子。 - 前記中間部は、６０℃以上の沸点を有する溶媒を含むこと
を特徴とする請求項１〜５の何れか１項記載の熱電素子。 - 前記中間部は、前記ナノ粒子のみが充填された状態を示すこと
を特徴とする請求項１〜５の何れか１項記載の熱電素子。 - 熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電素子を備えた発電装置であって、
前記熱電素子は、
第１主面を有する第１基板と、
前記第１主面と第１方向に離間して設けられ、前記第１主面と対向する第２主面を有する第２基板と、
前記第１主面上に設けられ、前記第２基板と離間する第１電極部と、
前記第２主面上に設けられ、前記第１基板及び前記第１電極部と離間し、前記第１電極部とは異なる仕事関数を有する第２電極部と、
前記第１基板と、前記第２基板との間に設けられ、前記第１主面及び前記第２主面と接する支持部と、
前記第１電極部と、前記第２電極部との間に設けられ、ナノ粒子を含む中間部と、
前記第１基板を前記第１方向に貫通する第１貫通孔と、
前記第１基板における前記第１主面に対向する面上に設けられた第１配線層と、
前記第１貫通孔を介して、前記第１電極部及び前記第１配線層と電気的に接続される第１接続配線と、
を備えること
を特徴とする発電装置。 - 熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電素子と、前記熱電素子を電源に用いて駆動されることが可能な電子部品と、を含む電子機器であって、
前記熱電素子は、
第１主面を有する第１基板と、
前記第１主面と第１方向に離間して設けられ、前記第１主面と対向する第２主面を有する第２基板と、
前記第１主面上に設けられ、前記第２基板と離間する第１電極部と、
前記第２主面上に設けられ、前記第１基板及び前記第１電極部と離間し、前記第１電極部とは異なる仕事関数を有する第２電極部と、
前記第１基板と、前記第２基板との間に設けられ、前記第１主面及び前記第２主面と接する支持部と、
前記第１電極部と、前記第２電極部との間に設けられ、ナノ粒子を含む中間部と、
前記第１基板を前記第１方向に貫通する第１貫通孔と、
前記第１基板における前記第１主面に対向する面上に設けられた第１配線層と、
前記第１貫通孔を介して、前記第１電極部及び前記第１配線層と電気的に接続される第１接続配線と、
を備えること
を特徴とする電子機器。 - 熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電素子の製造方法であって、
第１基板の第１主面上に第１支持部を形成し、第２基板の第２主面上に第２支持部を形成する支持部形成工程と、
前記第１主面上に第１電極部を形成し、前記第２主面上に前記第１電極部とは異なる仕事関数を有する第２電極部を形成する電極部形成工程と、
前記第１基板における前記第１主面に対向する面上に第１配線層を形成する配線層形成工程と、
前記第１基板を第１方向に貫通する第１貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記第１貫通孔を介して、前記第１電極部及び前記第１配線層と電気的に接続される第１接続配線を形成する接続配線形成工程と、
前記第１電極部と、前記第２電極部とを前記第１方向に離間して対向するように、前記第１支持部と、前記第２支持部とを接合する接合工程と、
前記第１貫通孔を介して、前記第１電極部と、前記第２電極部との間に、ナノ粒子を含む中間部を形成する中間部形成工程と、
を備えることを特徴とする熱電素子の製造方法。 - 前記配線層形成工程は、前記第１配線層を形成すると同時に、前記第２基板における前記第２主面に対向する面上に第２配線層を形成し、
前記貫通孔形成工程は、前記第１貫通孔を形成すると同時に、前記第２基板を前記第１方向に貫通する第２貫通孔を形成し、
前記接続配線形成工程は、前記第１接続配線を形成すると同時に、前記第２貫通孔を介して、前記第２電極部及び前記第２配線層と電気的に接続される第２接続配線を形成すること
を特徴とする請求項１０記載の熱電素子の製造方法。 - 前記配線層形成工程の後、前記第１電極部及び前記第２電極部を覆う保護膜を形成する保護膜形成工程をさらに備えること
を特徴とする請求項１０又は１１記載の熱電素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018172468A JP7197855B2 (ja) | 2018-09-14 | 2018-09-14 | 熱電素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018172468A JP7197855B2 (ja) | 2018-09-14 | 2018-09-14 | 熱電素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020047630A true JP2020047630A (ja) | 2020-03-26 |
| JP7197855B2 JP7197855B2 (ja) | 2022-12-28 |
Family
ID=69899954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018172468A Active JP7197855B2 (ja) | 2018-09-14 | 2018-09-14 | 熱電素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7197855B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023286363A1 (ja) * | 2021-07-12 | 2023-01-19 | 株式会社Ｇｃｅインスティチュート | 発電素子、発電装置、電子機器、及び発電素子の製造方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003273413A (ja) * | 2002-03-19 | 2003-09-26 | Citizen Watch Co Ltd | 熱電素子およびその製造方法 |
| JP2010182868A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Nec Computertechno Ltd | 電力回生装置 |
| JP2013229971A (ja) * | 2012-04-24 | 2013-11-07 | Denso Corp | 熱電子発電素子 |
| JP2014236058A (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 株式会社デンソー | 熱電子発電素子 |
| US20150229013A1 (en) * | 2014-02-13 | 2015-08-13 | Joseph G. Birmingham | Nanofluid contact potential difference battery |
| JP2017143198A (ja) * | 2016-02-11 | 2017-08-17 | 株式会社デンソー | 熱電子発電素子 |
| JP2017143011A (ja) * | 2016-02-11 | 2017-08-17 | 株式会社デンソー | 電子放出素子 |
| WO2017208950A1 (ja) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 熱電変換基板、熱電変換モジュール、熱電変換基板の製造方法 |
| JP2018019042A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 株式会社Ｇｃｅインスティチュート | 熱電素子及び熱電素子の製造方法 |
-
2018
- 2018-09-14 JP JP2018172468A patent/JP7197855B2/ja active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003273413A (ja) * | 2002-03-19 | 2003-09-26 | Citizen Watch Co Ltd | 熱電素子およびその製造方法 |
| JP2010182868A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Nec Computertechno Ltd | 電力回生装置 |
| JP2013229971A (ja) * | 2012-04-24 | 2013-11-07 | Denso Corp | 熱電子発電素子 |
| JP2014236058A (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 株式会社デンソー | 熱電子発電素子 |
| US20150229013A1 (en) * | 2014-02-13 | 2015-08-13 | Joseph G. Birmingham | Nanofluid contact potential difference battery |
| JP2017143198A (ja) * | 2016-02-11 | 2017-08-17 | 株式会社デンソー | 熱電子発電素子 |
| JP2017143011A (ja) * | 2016-02-11 | 2017-08-17 | 株式会社デンソー | 電子放出素子 |
| WO2017208950A1 (ja) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 熱電変換基板、熱電変換モジュール、熱電変換基板の製造方法 |
| JP2018019042A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 株式会社Ｇｃｅインスティチュート | 熱電素子及び熱電素子の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023286363A1 (ja) * | 2021-07-12 | 2023-01-19 | 株式会社Ｇｃｅインスティチュート | 発電素子、発電装置、電子機器、及び発電素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7197855B2 (ja) | 2022-12-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20220190748A1 (en) | Power generation element, power generation device, electronic apparatus, and method for manufacturing power generation element | |
| JP6521401B1 (ja) | 熱電素子、発電装置、及び熱電素子の製造方法 | |
| JP2019083287A (ja) | 熱電素子、発電装置、及び熱電素子の製造方法 | |
| JP7473222B2 (ja) | 発電素子、発電装置、電子機器、及び発電素子の製造方法 | |
| JP7197857B2 (ja) | 熱電素子、発電装置、電子機器、及び熱電素子の製造方法 | |
| JP7197855B2 (ja) | 熱電素子の製造方法 | |
| WO2021182028A1 (ja) | 発電素子、発電装置、電子機器、及び発電素子の製造方法 | |
| JP2020145303A (ja) | 熱電素子、発電機能付半導体集積回路装置、電子機器、及び熱電素子の製造方法 | |
| JP7197856B2 (ja) | 熱電素子の製造方法 | |
| JP7244819B2 (ja) | 熱電素子、発電装置、電子機器、及び熱電素子の製造方法 | |
| JP2020064947A (ja) | 熱電素子、発電装置、電子機器、及び熱電素子の製造方法 | |
| JP7244043B2 (ja) | 熱電素子、発電装置、電子機器、及び熱電素子の製造方法 | |
| JP2020068238A (ja) | 熱電素子、発電装置、電子機器、及び熱電素子の製造方法 | |
| JP2020145302A (ja) | 熱電素子の製造方法、熱電素子、発電装置、及び電子機器 | |
| JP7477075B2 (ja) | 発電素子、発電装置、電子機器、及び発電素子の製造方法 | |
| JP6779555B1 (ja) | 発電素子、発電装置、電子機器、及び発電素子の製造方法 | |
| WO2023286363A1 (ja) | 発電素子、発電装置、電子機器、及び発電素子の製造方法 | |
| JP7244042B2 (ja) | 熱電素子、発電装置、電子機器、及び熱電素子の製造方法 | |
| JP6942394B1 (ja) | 発電素子、制御システム、発電装置、電子機器及び発電方法 | |
| JP2022052523A (ja) | 発電素子、発電装置、電子機器、及び発電素子の製造方法 | |
| JP7105438B2 (ja) | 熱電素子の製造方法 | |
| JP2020064946A (ja) | 熱電素子、発電装置、電子機器、及び熱電素子の製造方法 | |
| JP2022060936A (ja) | 発電素子の製造方法、発電素子用部材、発電装置及び電子機器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210702 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220627 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220705 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220901 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221017 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221206 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221208 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7197855 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |