JP2020043263A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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- H01L2224/08121—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the connected bonding areas being not aligned with respect to each other
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Abstract
【課題】複数の半導体基板上の材料層を良好に貼り合わせることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、第1装置D1と、第2装置D2とを備える。絶縁膜21は、第1装置の第1面に設けられている。バリアメタル51は、絶縁膜21に設けられた第1溝の内面を被覆する。電極部61は、バリアメタル51上に設けられ第1溝内に埋め込まれている。第2装置は、第1装置の第1面に対向する第2面を有する。絶縁膜22は、第2装置の第2面に設けられ、絶縁膜21と貼り合わされている。電極部62は、絶縁膜22に設けられた第2溝内に埋め込まれ、電極部61と接続する。バリアメタル51の端部E51は、絶縁膜21の表面F21よりも第1装置へ窪んでいる。【選択図】図2
Description
本実施形態は、半導体装置およびその製造方法に関する。
複数の半導体基板を貼り合わせて、該複数の半導体基板のそれぞれに形成された電極等を互いに接続させる技術が開発されている。しかし、半導体基板上の材料層を平坦化したときに、その一部が突出する場合がある。この場合、半導体基板を貼り合わせたときに、半導体基板間の界面に隙間を形成し、電極間の接続不良、あるいは、半導体基板間の貼合不良を引き起こすおそれがあった。
複数の半導体基板上の材料層を良好に貼り合わせることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
本実施形態による半導体装置は、第1半導体基板と、第2半導体基板とを備える。第1絶縁膜は、第1半導体基板の第1面に設けられている。第1金属層は、第1絶縁膜に設けられた第1溝の内面を被覆する。第1電極部は、第1金属層上に設けられ第1溝内に埋め込まれている。第2半導体基板は、第1半導体基板の第1面に対向する第2面を有する。第2絶縁膜は、第2半導体基板の第2面に設けられ、第1絶縁膜と貼り合わされている。第2電極部は、第2絶縁膜に設けられた第2溝内に埋め込まれ、第1電極部と接続する。第1金属層の端部は、第1絶縁膜の表面よりも第1半導体基板側へ窪んでいる。
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。以下の実施形態において、半導体基板の上下方向は、半導体素子が設けられる表面またはその反対側の裏面を上とした場合の相対方向を示し、重力加速度に従った上下方向と異なる場合がある。図面は模式的または概念的なものであり、各部分の比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。明細書と図面において、既出の図面に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、本実施形態による半導体装置の配線部分の一例を示す断面図である。半導体装置1は、基板11に設けられた第1装置D1と、基板12に設けられた第2装置D2とを含む。第1および第2装置D1、D2は、特に限定しないが、例えば、半導体メモリおよびそのコントローラであってもよい。
(第1装置D1の構成)
第1装置D1は、基板11と、絶縁膜21と、配線31と、コンタクトプラグ41と、バリアメタル51と、電極部61とを備えている。
第1装置D1は、基板11と、絶縁膜21と、配線31と、コンタクトプラグ41と、バリアメタル51と、電極部61とを備えている。
第1半導体基板としての基板11は、例えば、シリコン基板であり、その表面(第1面)F11には半導体素子(図示せず)が設けられている。半導体素子は、例えば、トランジスタ、メモリセルアレイ、抵抗素子、キャパシタ等である。
基板11の表面F11の上方には、第1絶縁膜としての絶縁膜21が半導体素子を被覆するように設けられている。絶縁膜21には、例えば、シリコン酸化膜等の絶縁膜が用いられている。絶縁膜21と配線31との間には、ストッパ膜ST1が設けられている。ストッパ膜ST1は、コンタクトプラグ41を形成する際のエッチングストッパとして機能する。ストッパ膜ST1には、例えば、シリコン窒化膜等が用いられる。
絶縁膜21内には、配線31が設けられている。配線31は、コンタクトや他の配線を介して基板11に設けられた半導体素子に電気的に接続されている。また、絶縁膜21内には、コンタクトプラグ41が設けられている。コンタクトプラグ41は、配線31とバリアメタル51または電極部61との間に設けられ、それらを電気的に接続している。配線31およびコンタクトプラグ41には、例えば、銅、アルミニウム、タングステン等の低抵抗金属が用いられる。
さらに、絶縁膜21内にはバリアメタル51および電極部61が埋設されている。第1電極部としての電極部61は、絶縁膜21に設けられた第1溝T1内に埋め込まれており、第1溝T1内のバリアメタル51上に設けられている。電極部61は、絶縁膜21の表面F21に露出した表面(第1電極面)F61を有する。表面F61は、絶縁膜21の表面F21とほぼ面一となっている。電極部61には、例えば、銅等の導電性金属が用いられる。
第1金属層としてのバリアメタル51は、絶縁膜21と電極部61との間に設けられており、電極部61の材料が絶縁膜21へ拡散することを抑制する。バリアメタル51は、絶縁膜21に設けられた第1溝T1の内面をほぼ被覆しており、かつ、電極部61の表面F61以外の側面および底面をほぼ被覆している。バリアメタル51の端部の表面F51は、絶縁膜21の表面F21よりも基板11側へ窪んでいる。バリアメタル51には、例えば、チタン等の導電性金属が用いられる。バリアメタル51の端部近傍の構成については、図2を参照して後で説明する。
(第2装置D2の構成)
第2装置D2は、基板12と、絶縁膜22と、配線32と、コンタクトプラグ42と、バリアメタル52と、電極部62とを備えている。第2装置D2は、第1装置D1と類似する配線構成を有するが、上下関係が第1装置D1に対して反転している。第2装置D2は、絶縁膜22において第1装置D1の絶縁膜21と貼合している。絶縁膜21と絶縁膜22との貼合面はFaと表示されている。
第2装置D2は、基板12と、絶縁膜22と、配線32と、コンタクトプラグ42と、バリアメタル52と、電極部62とを備えている。第2装置D2は、第1装置D1と類似する配線構成を有するが、上下関係が第1装置D1に対して反転している。第2装置D2は、絶縁膜22において第1装置D1の絶縁膜21と貼合している。絶縁膜21と絶縁膜22との貼合面はFaと表示されている。
第2半導体基板としての基板12は、例えば、シリコン基板であり、基板11の表面F11に対向する表面(第2面)F12を有する。基板12の表面F12には、半導体素子(図示せず)が設けられている。
基板12の表面F12の上方には、第2絶縁膜としての絶縁膜22が半導体素子を被覆するように設けられている。絶縁膜22には、例えば、シリコン酸化膜等の絶縁膜が用いられている。絶縁膜22は、貼合面Faにおいて、第1装置D1の絶縁膜21に貼り合わされている。絶縁膜22と配線32との間には、ストッパ膜ST2が設けられている。ストッパ膜ST2は、コンタクトプラグ42を形成する際のエッチングストッパとして機能する。ストッパ膜ST2には、例えば、シリコン窒化膜等が用いられる。
絶縁膜22内には、配線32が設けられている。配線32は、コンタクトや他の配線を介して基板12に設けられた半導体素子に電気的に接続されている。また、絶縁膜22内には、コンタクトプラグ42が設けられている。コンタクトプラグ42は、配線32とバリアメタル52または電極部62との間に設けられ、それらを電気的に接続している。配線32およびコンタクトプラグ42には、例えば、銅、アルミニウム、タングステン等の低抵抗金属が用いられる。
さらに、絶縁膜22内にはバリアメタル52および電極部62が埋設されている。第2電極部としての電極部62は、絶縁膜22に設けられた第2溝T2内に埋め込まれており、第2溝T2内のバリアメタル52上に設けられている。電極部62は、絶縁膜22の表面F22に露出した表面(第2電極面)F62を有する。表面F62は、絶縁膜22の表面F22とほぼ面一となっている。電極部62は、貼合面Faにおいて、第1装置D1の電極部61と接続している。電極部62には、例えば、銅等の導電性金属が用いられる。
第2金属層としてのバリアメタル52は、絶縁膜22と電極部62との間に設けられており、電極部62の材料が絶縁膜22へ拡散することを抑制する。バリアメタル52は、絶縁膜22に設けられた第2溝T2の内面をほぼ被覆しており、かつ、電極部62の表面F62以外の側面および底面をほぼ被覆している。バリアメタル52の端部の表面F52は、絶縁膜22の表面F22よりも基板12側へ窪んでいる。バリアメタル52には、例えば、チタン等の導電性金属が用いられる。バリアメタル52の端部近傍の構成については、図2を参照して説明する。
図2は、図1の破線枠B内の構成例を示す断面図である。第1装置D1の絶縁膜21と第2装置D2の絶縁膜22とは、貼合面Faで貼り合わされている。電極部61と電極部62も貼合面Faで貼り合わされている。この場合、絶縁膜21の表面F21および絶縁膜22の表面F22は、貼合面Faにほぼ一致する。電極部61の表面F61および電極部62の表面F62も、貼合面Faにほぼ一致する。尚、電極部61および電極部62は、互いに接続されていればよく、表面F61、F62の界面は、貼合面Faから上下方向に多少ずれていてもよい。
一方、バリアメタル51の端部E51の表面F51は、絶縁膜21の表面F21よりも基板11側へ窪んでいる。尚且つ、表面F51は、電極部61の表面F61よりも基板11側へ窪んでいる。従って、バリアメタル51は、絶縁膜21の表面F21および電極部61の表面F61(即ち、貼合面Fa)から窪んでいる。バリアメタル51の窪み(表面F51と貼合面Faとの間)には、電極部61または62の材料(例えば、銅)が入り込んでいる。
バリアメタル52の端部E52の表面F52は、絶縁膜22の表面F22よりも基板12側へ窪んでいる。さらに、バリアメタル52の端部E52の表面F52は、電極部62の表面F62よりも基板12側へ窪んでいる。従って、バリアメタル52は、絶縁膜22の表面F22および電極部62の表面F62(即ち、貼合面Fa)から窪んでいる。バリアメタル52の窪み(表面F52と貼合面Faとの間)には、電極部61または62の材料(例えば、銅)が入り込んでいる。このように、バリアメタル51の端部E51とバリアメタル52の端部E52との間の隙間には、電極部61、62の材料が設けられる。
後述するように、基板11、12の貼合直後、バリアメタル51の端部E51とバリアメタル52の端部E52との間には、隙間がある。その後の熱処理によって、電極部61、62の材料(例えば、銅)が膨張し、バリアメタル51の端部E51とバリアメタル52の端部E52との間に電極部61、62の材料が入り込む。従って、結果的に、バリアメタル51の端部E51とバリアメタル52の端部E52との間には、電極部61、62の材料が設けられる。
尚、図10を参照して後で説明するが、バリアメタル51の端部E51の表面F51とバリアメタル52の端部E52の表面F52とは、必ずしも互いに対向しているとは限らない。バリアメタル51、52の位置が貼合面Fa内においてずれている場合、バリアメタル51の端部E51は、絶縁膜22または電極部62と対向する場合もある。バリアメタル52の端部E52は、絶縁膜21または電極部61と対向する場合もある。この場合、バリアメタル51の端部E51と絶縁膜22または電極部62との間に、電極部61、62の材料(例えば、銅)が入り込む。バリアメタル52の端部E52と絶縁膜21または電極部61との間に、電極部61、62の材料(例えば、銅)が入り込む。
このように、バリアメタル51の端部E51が絶縁膜21の表面F21よりも基板11側へ窪んでいることによって、基板11、12を互いに貼り合わせたときに、バリアメタル51が絶縁膜22、バリアメタル52または電極部62に突き当たることなく、絶縁膜21と絶縁膜22との間の貼合を邪魔しない。同様に、バリアメタル52の端部E52が絶縁膜22の表面F22よりも基板12側へ窪んでいることによって、基板11、12を互いに貼り合わせたときに、バリアメタル52が絶縁膜21、バリアメタル51または電極部61に突き当たることなく、絶縁膜21と絶縁膜22との間の貼合を邪魔しない。これにより、電極部61、62間の接続不良、あるいは、基板11、12の貼合不良を抑制することができる。
一方、バリアメタル51、52の端部E51、E52の窪みは、絶縁膜21、22の表面F21、F22間に隙間を生じさせる。しかし、熱処理において、この隙間には、電極部61、62の材料が入り込む。よって、結果的に、表面F21、F22間の隙間は、電極部61、62の材料で埋め込まれる。また、電極部61と電極部62との間に隙間があっても、熱処理における電極部61、62の材料が膨張してその隙間を埋める。
一方、バリアメタル51、52の端部E51、E52の窪みは、絶縁膜21、22の表面F21、F22間に隙間を生じさせる。しかし、熱処理において、この隙間には、電極部61、62の材料が入り込む。よって、結果的に、表面F21、F22間の隙間は、電極部61、62の材料で埋め込まれる。また、電極部61と電極部62との間に隙間があっても、熱処理における電極部61、62の材料が膨張してその隙間を埋める。
尚、図2に示すように、バリアメタル51、52の両方が窪んでいてもよいが、バリアメタル51、52のいずれか一方のみが窪んでいてもよい。バリアメタル51、52のいずれか一方が窪んでいるだけでも、第1装置D1と第2装置D2との間の隙間を或る程度抑制することができるからである。
次に、第1および第2装置D1、D2の製造方法について説明する。
図3(A)〜図6(B)は、第1装置D1の製造方法の一例を示す断面図である。尚、第2装置D2は、第1装置D1と平面レイアウトにおいて相違することもあるが、基本的に同様の製造方法で形成すればよい。従って、第1装置D1の製造方法について説明し、第2装置D2の製造方法の説明は適宜省略する。図3(A)〜図7(B)の括弧内の参照番号は、第2装置D2の構成要素に対応する。
まず、基板11の表面(第1面)F11上にトランジスタ等の半導体素子(図示せず)を形成する。次に、図3(A)に示すように、基板11の表面F11の上方に、半導体素子を被覆する層間絶縁膜ILD1を形成し、層間絶縁膜ILD1内に配線31を形成する。さらに、層間絶縁膜ILD1および配線31上に、ストッパ膜ST1および絶縁膜(第1絶縁膜)21を形成する。ストッパ膜ST1は、例えば、シリコン窒化膜であり、絶縁膜21は、例えば、シリコン酸化膜である。
次に、絶縁膜21上にマスク材70を堆積し、リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてマスク材70を加工し、ビアホールVH1のパターンを形成する。マスク材70には、例えば、シリコン酸化膜等の絶縁膜が用いられる。
次に、図3(B)に示すように、マスク材70をマスクとして用いて、絶縁膜21をRIE(Reactive Ion Etching)法で加工する。これにより、絶縁膜21にビアホールVH1が形成される。このとき、ストッパ膜ST1がエッチングストッパとして機能し、ビアホールVH1はストッパ膜ST1の表面まで形成される。
マスク材70の除去後、図4(A)に示すように、マスク材80をビアホールVH1内および絶縁膜21上に堆積する。マスク材80には、例えば、シリコン酸化膜等の絶縁膜が用いられる。次に、リソグラフィ技術を用いて、マスク材80上にレジスト82を形成し、電極部61の形成領域のレジスト82を除去する。
次に、図4(B)に示すように、レジスト82をマスクとして用いて、マスク材80をエッチングする。これにより、電極部61の形成領域におけるマスク材80を除去する。尚、ビアホールVH1内のマスク材80の一部は残っている。
次に、図5(A)に示すように、マスク材80をマスクとして用いて、絶縁膜21をRIE法でエッチングする。これにより、電極部61の形成領域における絶縁膜21が除去され、第1溝としてのトレンチTR1が形成される。このとき、電極部61の形成領域における絶縁膜21の一部は残置され、ビアホールVH1が絶縁膜21の下部に残る。尚、このエッチングにより、ビアホールVH1内のマスク材80は除去される。
次に、ビアホールVH1の底部にあるストッパ膜ST1をエッチングすることによって、図5(A)に示すように、ビアホールVH1の底部に配線31を露出させる。
マスク材80を除去した後、ビアホールVH1の内面およびトレンチTR1の内面に第1金属層としてのバリアメタル51を被覆する。さらに、バリアメタル51上に電極部61の材料を堆積し、第1電極部としての電極部61の材料をトレンチTR1内に充填する。バリアメタル51には、例えば、チタンが用いられる。電極部61の材料には、例えば、銅が用いられる。
次に、図6(A)に示すように、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法を用いて、絶縁膜21が露出されるまで、電極部61およびバリアメタル51の材料を研磨する。これにより、トレンチTR1およびビアホールVH1内に埋め込まれた電極部61およびバリアメタル51が形成される。
ここで、CMP法で平坦化しても、バリアメタル51は、絶縁膜21または電極部61から幾分突出する場合がある。例えば、図7(A)は、図6(A)に示す破線枠Bの拡大断面図である。図7(A)には、CMP法で平坦化直後のバリアメタル51の端部E51およびその周辺が示されている。絶縁膜21と電極部61とはほぼ同じ高さに平坦化されているが、バリアメタル51の端部E51の表面F51は、絶縁膜21の表面F21および電極部61の表面F61よりも基板11から離れる方向DR1へ突出している。例えば、絶縁膜21の表面F21に対するバリアメタル51の表面F51の高さ(突出の高さ)は、約8nmである。このようにバリアメタル51の端部E51が突出すると、上記の通り、基板11と基板12とを貼合させたときに、絶縁膜21と絶縁膜22との間に隙間ができてしまう。
そこで、本実施形態では、図6(B)に示すように、バリアメタル51および電極部61の研磨後、バリアメタル51を選択的にエッチングして、その端部E51を電極部61の表面F61および/または絶縁膜21の表面F21よりも基板11側へ窪ませる。例えば、図7(B)は、図6(B)に示す破線枠Bの拡大断面図である。図7(B)には、CMP法で平坦化し、バリアメタル51をエッチングした後のバリアメタル51の端部E51およびその周辺が示されている。バリアメタル52の端部E51の表面F51は、バリアメタル51のエッチングによって、絶縁膜21の表面F21および/または電極部61の表面F61よりも基板11の方向(DR1と逆方向)へ窪んでいる。このようにバリアメタル51の端部E51を窪ませることによって、基板11と基板12とを貼合させたときに、絶縁膜21と絶縁膜22との間に隙間ができることを抑制できる。これは、電極部61、62間の接続不良、あるいは、絶縁膜21、22間の貼合不良を抑制することができる。
バリアメタル51に、例えば、チタンが用いられ、電極部61に、例えば、銅が用いられている場合、バリアメタル51のエッチングには、過酸化水素水を用いたウェットエッチング法が用いられる。これにより、バリアメタル51を選択的にエッチングし、窪ませることができる。
このように、第1装置D1が形成される。図3(A)〜図7(B)の括弧内の参照符号で示すように、第2装置D2も第1装置D1と同様に形成され得る。
例えば、基板11の表面(第2面)F12上に半導体素子(図示せず)を形成し、基板11の表面F11の上方に、層間絶縁膜ILD2、配線32、ストッパ膜ST2および絶縁膜(第2絶縁膜)22を形成する(図3(A))。
次に、ストッパ膜ST2をエッチングストッパとして用いて絶縁膜22にビアホールVH2を形成した後に、電極部62の形成領域における絶縁膜22が除去され、第2溝としてのトレンチTR2が形成される(図3(B)〜図5(A))。
次に、ストッパ膜ST2を除去して配線32を露出させた後、バリアメタル52および電極部62の材料を堆積し、第2電極部としての電極部62の材料をトレンチTR2内に充填する(図5(B))。
次に、絶縁膜22が露出されるまで、電極部62およびバリアメタル52の材料を研磨する(図6(A))。このとき、端部E52の表面F52は、絶縁膜22の表面F22および電極部62の表面F62よりも基板12から離れる方向へ突出する。
次に、バリアメタル52を選択的にエッチングして、その端部E52を電極部62の表面F62および/または絶縁膜22の表面F22よりも基板12側へ窪ませる(図6(B)〜図7(B))。このようにして、第2装置D2が形成される。
次に、表面F11と表面F12とを対向させるように基板11と基板12とを貼合する。
図8(A)〜図9(C)を参照して、基板11と基板12との貼合プロセスを説明する。図8(A)〜図8(C)の括弧内の参照番号は、基板12の構成要素に対応する。
まず、図8(A)に示すように、ノズル100からオゾン水を第1基板11の表面F11上に供給する。これにより、第1基板11の表面F11上の絶縁膜21、バリアメタル51、電極部61の表面F21,F51、F61をオゾン水で洗浄する。
次に、図8(B)に示すように、プラズマ発生装置110を用いて、N2プラズマPで絶縁膜21の表面F21を活性化する。これにより、絶縁膜21の表面F21に、例えば、シリコン酸化膜のダングリングボンドが形成される。
次に、図8(C)に示すように、ノズル105から洗浄液(例えば、純水)およびキャリアガス(例えば、窒素)を供給して、第1基板11の表面F11を二流体洗浄する。これにより、基板11の表面F11上の絶縁膜21、バリアメタル51、電極部61の表面F21,F51、F61を二流体洗浄する。それとともに、絶縁膜21の表面F21に形成されたダングリングボンドに水分を供給してOH基を結合させる。これにより、絶縁膜21の表面F21が親水化される。
基板12についても、図8(A)〜図8(C)に示す工程を経て、絶縁膜22の表面F22にダングリングボンドを形成し、そのダングリングボンドにOH基を結合させる。これにより、絶縁膜22の表面F22も親水化される。
次に、図9(A)に示すように、基板11の絶縁膜21と基板12の絶縁膜22とを対向させて位置合わせして貼り合わせる。このとき、加圧機構120が基板11または基板12のほぼ中心を貼合方向に加圧することによって、絶縁膜21の表面F21と絶縁膜22の表面F22とが直接接触する。これにより、絶縁膜21の表面F21のOH基と絶縁膜22の表面F22のOH基とが水素結合し、基板11と基板12とが貼合される。
ここで、図7(B)を参照して説明したように、バリアメタル51の端部E51の表面F51は、絶縁膜21の表面F21および/または電極部61の表面F61よりも基板11の方向へ窪んでいる。また、バリアメタル52の端部E52の表面F52も、絶縁膜22の表面F22および/または電極部62の表面F62よりも基板12の方向へ窪んでいる。従って、基板11と基板12とを貼合したときに、バリアメタル51とバリアメタル52との間には隙間が生じ、絶縁膜21と絶縁膜22とは隙間無く結合する。一方、電極部61と電極部62との間には隙間があってもよい。後述の熱処理工程において、電極部61、62の材料は膨張し隙間に入り込むからである。
次に、図9(B)に示すように、センサ130を用いて、基板11と基板12との相対的な位置ずれを検出する。基板11と基板12との相対位置が許容値以上にずれている場合、基板11、12は、廃棄される。
次に、図9(C)に示すように、LED照明140から赤外光を照射して反射光をラインカメラ150で撮像する。これにより、絶縁膜21と絶縁膜22との間に間隙(ボイド)が無いか確認する。許容値以上に大きな間隙が発見された場合、基板11、12は、廃棄される。
次に、貼合された基板11、12を熱処理する。例えば、基板11、12は、約300℃の雰囲気中で約2時間、アニールされる。これにより、絶縁膜21と絶縁膜22との間の界面から水分が解離して、シリコンと酸素との結合(Si−O結合)になる。これにより、絶縁膜21と絶縁膜22とがより強固に結合される。また、この熱処理工程により、電極部61、62の金属材料(例えば、銅)が膨張する。これにより、電極部61と電極部62との間に隙間があっても、電極部61と電極部62とは金属結合により接続することができる。また、バリアメタル51、52は、絶縁膜21、22の表面F21、F22から窪んでいるので、基板11,12を貼合しても、バリアメタル51とバリアメタル52との間に隙間が生じる。しかし、熱処理により、電極部61または62の材料がバリアメタル51とバリアメタル52との間の隙間に入り込む。これにより、図2に示すように、バリアメタル51とバリアメタル52との間には、電極部61または62の材料が導入される。その結果、バリアメタル51とバリアメタル52との間の隙間は、電極部61または62の材料で充填される。
その後、基板11、12は、さらに研磨されたり、加工される。例えば、リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、基板12を加工し、配線32の一部をボンディングパッドとして露出させてもよい。さらに、基板11,12は、ダイシングにより半導体チップに個片化される。
このように、本実施形態によれば、バリアメタル51の端部E51を窪ませることによって、第1装置D1と第2装置D2とを貼合させたときに、絶縁膜21と絶縁膜22との間に隙間ができることを抑制できる。これは、絶縁膜21、22間の貼合不良を抑制することができる。また、貼合当初、電極部61と電極部62との間およびバリアメタル51とバリアメタル52との間に或る程度隙間があっても、貼合後の熱処理により、電極部61、62の材料が膨張することによって、電極部61と電極部62とは接続し、かつ、バリアメタル51とバリアメタル52との間の隙間には電極部61または62の材料が導入される。これにより、電極部61、62間の接続不良も抑制される。
また、バリアメタル51とバリアメタル52との間の隙間が電極部61または62の材料を受け入れることにより、絶縁膜21と絶縁膜22との界面(貼合面)Faに電極部61または62の材料が拡散することを抑制することができる。これにより、第1および第2装置D1、D2の歩留まりをさらに向上させることができる。
尚、図2に示すように、基板11,12が正確に位置合わせされ、バリアメタル51、52の端部E51、E52同士が対向することが好ましい。しかし、バリアメタル51、52の端部E51、E52は必ずしも対向するとは限らない。例えば、図10は、貼合面Faにおいて絶縁膜21と絶縁膜22とがずれている様子を示す断面図である。図10では、絶縁膜21と絶縁膜22とは、貼合面Faと平行方向にずれている。この場合、バリアメタル51の端部E51の表面F51は、電極部62の表面F62と対向する。バリアメタル52の端部E52の表面F52は、絶縁膜21の表面F21と対向する。このように、バリアメタル51、52の位置が幾分ずれていても、電極部61または62の材料は、バリアメタル51、52の間の隙間に入り込むことができるので問題は無い。従って、バリアメタル51、52の位置が幾分ずれていても、本実施形態の効果を得ることができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
D1 第1装置、11 基板、21 絶縁膜、31 配線、41 コンタクトプラグ、51 バリアメタル、61 電極部、D2 第2装置、12 基板、22 絶縁膜、32 配線、42 コンタクト、52 バリアメタル、62 電極部
Claims (8)
- 第1半導体基板と、
前記第1半導体基板の第1面に設けられた第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜に設けられた第1溝の内面を被覆する第1金属層と、
前記第1金属層上に設けられ前記第1溝内に埋め込まれた第1電極部と、
前記第1半導体基板の前記第1面に対向する第2面を有する第2半導体基板と、
前記第2半導体基板の前記第2面に設けられ、前記第1絶縁膜と貼り合わされた第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜に設けられた第2溝内に埋め込まれ、前記第1電極部と接続する第2電極部とを備え、
前記第1金属層の端部は、前記第1絶縁膜の表面よりも前記第1半導体基板側へ窪んでいる、半導体装置。 - 前記第1金属層の端部は、前記第1電極部の表面よりも前記第1半導体基板側へ窪んでいる、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1金属層の端部と前記第2絶縁膜または前記第2電極部との間には、前記第1または第2電極部の材料が設けられている、請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第2絶縁膜と前記第2電極部との間に設けられた第2金属層をさらに備え、
前記第2金属層の端部は、前記第2絶縁膜の表面よりも前記第2半導体基板側へ窪んでいる、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第2金属層の端部は、前記第2電極部の表面よりも前記第2半導体基板側へ窪んでいる、請求項4に記載の半導体装置。
- 前記第2金属層の端部と前記第1絶縁膜、前記第1電極部または前記第1金属層との間には、前記第1または第2電極部の材料が設けられている、請求項4または請求項5に記載の半導体装置。
- 第1半導体基板の第1面に第1絶縁膜を形成し、
前記第1絶縁膜に第1溝を形成し、
前記第1溝の内面に第1金属層を形成し、
前記第1溝内に第1電極部の材料を充填し、
前記第1絶縁膜が露出されるまで前記第1金属層および前記第1電極部を研磨し、
前記第1金属層を選択的にエッチングして、前記第1金属層の端部を前記第1絶縁膜の表面よりも前記第1半導体基板側へ窪ませ、
第2半導体基板の第2面に第2絶縁膜を形成し、
前記第2絶縁膜に第2溝を形成し、
前記第2溝内に第2電極部の材料を充填し、
前記第2絶縁膜が露出されるまで前記第2電極部を研磨し、
前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜とを対向させるように前記第1半導体基板と前記第2半導体基板とを貼り合わせることによって、前記第1電極部と前記第2電極部とを接続することを具備する半導体装置の製造方法。 - 前記第2溝の形成後、前記第2電極部の材料の充填前に、
前記第2溝の内面に第2金属層を形成し、
前記第2電極部の材料の充填後、
前記第2絶縁膜が露出されるまで前記第2金属層および前記第2電極部を研磨し、
前記第2金属層を選択的にエッチングして、前記第2金属層の端部を前記第2絶縁膜よりも前記第2半導体基板側へ窪ませることをさらに具備する請求項7に記載の方法。
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