JP2020035912A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
24 :ソース領域
26 :ボディコンタクト領域
27 :ボディ領域
28 :ドリフト領域
30 :ドレイン領域
34 :トレンチ
34a :幅広トレンチ
34b :幅狭トレンチ
36 :層間絶縁膜
38 :ゲート絶縁膜
40 :ゲート電極
50a :間隔部
50b :間隔部
80 :ソース電極
84 :ドレイン電極
Claims (2)
- 半導体装置であって、
半導体基板と、
前記半導体基板の上面に設けられた複数のトレンチと、
前記各トレンチの内面を覆うゲート絶縁膜と、
前記各トレンチ内に配置されており、前記ゲート絶縁膜によって前記半導体基板から絶縁されたゲート電極、
を有しており、
前記半導体基板が、
前記半導体基板の前記上面に露出しており、前記ゲート絶縁膜に接するn型のソース領域と、
前記ソース領域の隣で前記半導体基板の前記上面に露出しているp型のボディコンタクト領域と、
前記ソース領域と前記ボディコンタクト領域の下側に配置されており、前記ソース領域の下側で前記ゲート絶縁膜に接するp型のボディ領域と、
前記ボディ領域の下側で前記ゲート絶縁膜に接するn型のドリフト領域、
を有しており、
前記ソース領域の深さにおける前記各トレンチの幅が、前記ソース領域よりも下側の深さにおける前記各トレンチの幅よりも狭い、
半導体装置。 - 半導体装置の製造方法であって、
n型のドリフト領域上にp型のボディ領域が設けられた半導体ウエハの上面に、前記ボディ領域を貫通して前記ドリフト領域に達する複数の幅広トレンチを形成する工程と、
前記各幅広トレンチ内に、前記各幅広トレンチの内面を覆う第1ゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記各幅広トレンチ内に、前記第1ゲート絶縁膜によって前記半導体ウエハから絶縁された第1ゲート電極を形成する工程と、
前記半導体ウエハ及び前記第1ゲート電極の上部に半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、
前記半導体層の上面に、前記半導体層を貫通して前記第1ゲート電極に達し、前記幅広トレンチよりも幅が狭い複数の幅狭トレンチを形成する工程と、
前記各幅狭トレンチ内に、前記各幅狭トレンチの内面を覆う第2ゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記各幅狭トレンチ内に、前記第2ゲート絶縁膜によって前記半導体ウエハ及び前記半導体層から絶縁されており、前記第1ゲート電極に接続されている第2ゲート電極を形成する工程と、
前記各幅狭トレンチの間の前記半導体層に、ソース領域とボディコンタクト領域を形成する工程、
を有し、
前記ソース領域が、前記半導体層の前記上面に露出し、前記第2ゲート絶縁膜に接し、前記ボディ領域の上面に接するn型領域であり、
前記ボディコンタクト領域が、前記ソース領域の隣で前記半導体層の前記上面に露出し、前記ボディ領域の前記上面に接するp型領域である、
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2018161665A JP7099191B2 (ja) | 2018-08-30 | 2018-08-30 | 半導体装置の製造方法 |
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JP2018161665A Active JP7099191B2 (ja) | 2018-08-30 | 2018-08-30 | 半導体装置の製造方法 |
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---|---|
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112484270A (zh) * | 2020-12-02 | 2021-03-12 | 珠海格力电器股份有限公司 | 空调器及其控制方法、控制装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006324488A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Nec Electronics Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2008060138A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置およびその製造方法 |
JP2012080074A (ja) * | 2010-09-08 | 2012-04-19 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2013214696A (ja) * | 2012-03-05 | 2013-10-17 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2018
- 2018-08-30 JP JP2018161665A patent/JP7099191B2/ja active Active
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