JP2020031222A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
[先行技術文献]
[特許文献]
[特許文献1] 特開2014−130909号公報
[特許文献2] 特開2013−102111号公報
[特許文献3] 特開2012−142537号公報
図1は、半導体装置200を半導体基板100の表面から見た平面図である。半導体装置200は、半導体基板100を備える。半導体基板100には、SJ‐MOSFET部10およびIGBT部20が設けられる。半導体基板100には、SJ‐MOSFET部10およびIGBT部20をx‐y平面において囲むように耐圧構造部30が設けられる。
図5は、半導体装置300を半導体基板100の表面から見た平面図である。半導体装置300は、SJ‐MOSFET部10がIGBT部20を囲むように設けられる点で第1実施形態と異なる。つまり、IGBT領域24は、超接合型トランジスタ領域14が囲む領域に設けられている。なお、本明細書において、SJ‐MOSFET部10がIGBT部20を囲むとは、SJ‐MOSFET部10がx‐y平面におけるIGBT部20の四方全てまたは全ての周囲を囲むことを意味する。その他の点は、第1実施形態と同じである。
図6は、半導体装置400を半導体基板100の表面から見た平面図である。半導体装置400は、SJ‐MOSFET部10が複数のIGBT部20を囲むように設けられる点で第1および第2実施形態と異なる。その他の点は、第1および第2実施形態と同じである。
図7は、SJ‐MOSFET部10とIGBT部20との境界部12の第1変形例である。本例の境界部12の構成は、第1から第3実施形態に適用することができる。本例において、IGBT領域24と超接合型トランジスタ領域14との境界部12には、ドリフト領域としてのn型ドリフト層40の表面側から裏面側まで第2導電型カラムが設けられる。当該第2導電型カラムは、SJ‐MOSFET部10のp型カラム56と同じであってよい。また、コレクタ層80は、境界部12のp型カラム56の裏面側にも設けられる。
図8は、SJ‐MOSFET部10とIGBT部20との境界部12の第2変形例である。本例の境界部12の構成も、第1から第3実施形態に適用することができる。本例において、IGBT領域24と超接合型トランジスタ領域14との境界部12におけるドリフト領域としてのn型ドリフト層40の半導体基板100の表面側に、ダミーのゲート電極51が設けられる。また、コレクタ層80とドレイン層82との境界が、境界部12におけるダミーのゲート電極51の裏面側に設けられる。
図9は、SJ‐MOSFET部10とIGBT部20との境界部12の第3変形例である。本例の境界部12の構成は、第1から第3実施形態に適用することができる。本例において、IGBT領域24と超接合型トランジスタ領域14との境界部12には、半導体基板100の表面と平行な方向に拡張された第2導電型ウエルとしての拡張p型ウエル104が設けられる。
図10は、SJ‐MOSFET部10とIGBT部20との境界部12の第4変形例である。本例の境界部12の構成は、第1から第3実施形態に適用することができる。本例において、IGBT領域24と超接合型トランジスタ領域14との境界部12には、超接合型トランジスタ領域14の第2導電型カラムの端部の深さよりも浅い端部深さの第2導電型カラムを有する。なお、本例の境界部12は、図2および図3の例で記載したn型領域48およびp型領域49を有する。本例では、コレクタ層80とドレイン層82との境界が、境界部12とIGBT部20との境界の裏面側に設けられる。
図11は、SJ‐MOSFET部10とIGBT部20との境界部12の第5変形例である。本例の境界部12の構成は、第1から第3実施形態に適用することができる。本例において、IGBT領域24と超接合型トランジスタ領域14との境界部12には、超接合型トランジスタ領域14の第2導電型カラムであるp型カラム56の端部の深さよりも1/2程度浅い端部深さを有する第2導電型領域としてのp型領域59を設ける。なお、境界部12の隣り合うゲート電極50の間には、表面側にコンタクト領域44を設けて、裏面側に第1導電型領域としてのn型領域48を設ける。p型領域59は、n型領域48の裏面側においてn型領域48に接して設けられてよい。コンタクト領域44と隣り合う2つのゲート電極50との間の表面側には、ソース領域45を設ける。ただし、境界部12とIGBT部20との境界、および、境界部12とSJ‐MOSFET部10との境界には、ソース領域45またはエミッタ領域46は設けない。また、コレクタ層80とドレイン層82との境界が、境界部12とIGBT部20との境界に設けられても、境界部12とSJ‐MOSFET部10との境界に設けられてもよい。
Claims (25)
- 半導体基板と、
前記半導体基板に設けられた2以上の超接合型トランジスタ領域と、
前記半導体基板に垂直な面で切断した断面において、2以上の前記超接合型トランジスタ領域が挟む領域に設けられた1以上のIGBT領域と
を備える半導体装置。 - 前記IGBT領域は、前記超接合型トランジスタ領域が囲む領域に設けられている
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記超接合型トランジスタ領域のうち、最も外側の前記超接合型トランジスタ領域の外側に設けた耐圧構造部を更に備える
請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記超接合型トランジスタ領域は、第1導電型カラムおよび第2導電型カラムを有し、
前記耐圧構造部は、内周部に設けられる第1耐圧部と外周部に設けられる第2耐圧部とを有し、
前記耐圧構造部の前記第2耐圧部は、第1導電型領域および第2導電型カラムを有し、
前記耐圧構造部の前記第2耐圧部における第2導電型カラムの端部の深さは、前記超接合型トランジスタ領域の前記第2導電型カラムの端部の深さよりも浅い
請求項3に記載の半導体装置。 - 前記IGBT領域の耐圧が、前記超接合型トランジスタ領域の耐圧より高い
請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記超接合型トランジスタ領域が挟む領域に、2以上の前記IGBT領域を有するIGBT部を設けた
請求項1から5のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記IGBT部の両側に、2以上の前記超接合型トランジスタ領域を含むSJ‐MOSFET部をそれぞれ設けた
請求項6に記載の半導体装置。 - 前記IGBT領域と前記超接合型トランジスタ領域との境界部におけるドリフト領域に、ライフタイムキラーが注入されている
請求項1から7のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記IGBT領域は第1導電型のドリフト領域を有し、
前記IGBT領域と前記超接合型トランジスタ領域との境界部には、前記ドリフト領域の表面側から裏面側まで第2導電型カラムが設けられる
請求項1から7のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記IGBT領域と前記超接合型トランジスタ領域との境界部におけるドリフト領域の前記半導体基板の表面側に、ダミーのゲート電極を有する
請求項1から7のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記IGBT領域と前記超接合型トランジスタ領域との境界部には、前記半導体基板の表面と平行な方向に拡張された第2導電型ウエルが設けられる
請求項1から7のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記超接合型トランジスタ領域は、第1導電型カラムおよび第2導電型カラムを有し、
前記IGBT領域と前記超接合型トランジスタ領域との境界部において、前記超接合型トランジスタ領域の前記第2導電型カラムの端部の深さよりも浅い端部深さの第2導電型カラムを有する
請求項1から7のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記IGBT領域と前記超接合型トランジスタ領域との境界部には、
2つのゲート電極と、
2つの前記ゲート電極の間に設けられた第1導電型領域と、
前記第1導電型領域に接して前記第1導電型領域の裏面側に、前記超接合型トランジスタ領域の第2導電型カラムの深さの1/2である第2導電型領域と
を有する
請求項1から7のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 2以上の前記IGBT領域を有するIGBT部と2以上の前記超接合型トランジスタ領域を含むSJ‐MOSFET部との境界部は、還流ダイオード部を有する
請求項1から7のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記SJ‐MOSFET部に、ライフタイムキラーが注入されている
請求項14に記載の半導体装置。 - 前記SJ‐MOSFET部は、第1導電型カラムおよび第2導電型カラムを有し、
前記SJ‐MOSFET部における前記第1導電型カラムおよび前記第2導電型カラムの表面側と、前記SJ‐MOSFET部におけるフィールドストップ層との少なくともいずれかには、ライフタイムキラーが注入されている
請求項15に記載の半導体装置。 - 前記SJ‐MOSFET部における前記第1導電型カラムおよび前記第2導電型カラムの前記表面側から、前記SJ‐MOSFET部におけるフィールドストップ層までの全体に渡って、ライフタイムキラーが注入されている
請求項16に記載の半導体装置。 - 前記還流ダイオード部と前記SJ‐MOSFET部との境界には、ライフタイムキラーが注入されている
請求項14から17のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記還流ダイオード部に、ライフタイムキラーが注入されている
請求項14から18のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記還流ダイオード部のドリフト領域におけるアノード側とフィールドストップ層との少なくともいずれかには、ライフタイムキラーが注入されている
請求項19に記載の半導体装置。 - 前記還流ダイオード部と前記SJ‐MOSFET部とを周期的に設けた繰り返し構造部をさらに備え、
前記繰り返し構造部が、前記IGBT部を挟んで設けられる
請求項14から20のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記IGBT部と前記繰り返し構造部との間と、前記IGBT部におけるフィールドストップ層との少なくともいずれにはライフタイムキラーが注入されている
請求項21に記載の半導体装置。 - 前記IGBT部は、前記IGBT領域が超接合型トランジスタで構成されたSJ‐IGBT部である
請求項14から22のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記SJ‐IGBT部は、それぞれ1E15cm−3以上1E16cm−3以下の不純物濃度を有する第1導電型カラムおよび第2導電型カラムを有する
請求項23に記載の半導体装置。 - 前記SJ‐IGBT部の裏面側に設けられた第2導電型の半導体層と前記還流ダイオード部および前記SJ‐MOSFET部の裏面側に設けられた第1導電型の半導体層とのピッチは、前記SJ‐IGBT部における、前記第1導電型カラムと前記第2導電型カラムとのピッチの5倍から1000倍である
請求項24に記載の半導体装置。
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