JP2020031190A - エッチングする方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 121
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 201
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract description 23
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 23
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 19
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 43
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 18
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 174
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 58
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 4
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000005596 ionic collisions Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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Abstract
Description
<工程ST2の条件>
・チャンバ10内の圧力:10mTorr(1.333)Pa
・チャンバ10内に供給したガス:CH4ガス(25sccm)及びArガス(250sccm
・第1の高周波電力:60MHz、300W
・第2の高周波電力:0W
(Max−Min)/(Average×2)×100
ここで、Maxは、57箇所の堆積速度のうち最大値、Minは、57箇所の堆積速度のうち最小値、Averageは、57箇所の堆積速度の平均値である。実験の結果、57箇所の堆積速度の平均値とバラツキはそれぞれ、21.2nm、2.0%であった。
Claims (13)
- 基板の第1領域を該第1領域の材料とは異なる材料から形成された該基板の第2領域に対して選択的にエッチングする方法であって、
前記第1領域が前記第2領域よりも前記基板内のより深い位置でその上面を提供するよう、プラズマエッチングによって前記第1領域をエッチングする工程と、
前記第1領域をエッチングする前記工程の実行後に、前記基板がその中に配置されたプラズマ処理装置のチャンバ内で炭化水素ガスのプラズマを生成することにより、前記基板上に炭素を含む堆積物を形成する工程と、
炭化水素ガスのプラズマを生成する前記工程の実行後に、プラズマエッチングによって、前記第1領域を更にエッチングする工程と、
を含み、
堆積物を形成する前記工程では、電磁石により、前記基板の中心の上での水平成分よりも大きい水平成分を前記基板のエッジ側の上で有する磁場の分布が形成される、
方法。 - 前記第1領域は、シリコン含有材料から形成されている、請求項1に記載の方法。
- 前記第2領域は、金属含有材料から形成されている、請求項2に記載の方法。
- 前記第1領域は、酸化シリコンから形成されており、前記第2領域は、窒化シリコンから形成されている、請求項2に記載の方法。
- 前記第1領域をエッチングする前記工程では、前記基板がその中に配置された前記チャンバ内で、フルオロカーボンガスを含む処理ガスのプラズマが生成される、請求項2〜4の何れか一項に記載の方法。
- 前記第1領域を更にエッチングする前記工程では、前記基板がその中に配置された前記チャンバ内で、フルオロカーボンガスを含む処理ガスのプラズマが生成される、請求項5に記載の方法。
- 前記第1領域をエッチングする前記工程及び前記第1領域を更にエッチングする前記工程の少なくとも一方は、
前記基板上にフルオロカーボンを含む堆積物を形成するために、前記基板がその中に配置された前記チャンバ内で、フルオロカーボンガスを含む処理ガスのプラズマを生成する工程と、
前記基板に希ガスイオンを供給することにより前記基板上に形成された前記堆積物中のフルオロカーボンと前記シリコン含有材料を反応させて前記第1領域をエッチングするために、前記チャンバ内で希ガスのプラズマを生成する工程と、
を含む、請求項2〜4の何れか一項に記載の方法。 - 堆積物を形成する前記工程と前記第1領域を更にエッチングする前記工程とが交互に繰り返される、請求項1〜7の何れか一項に記載の方法。
- 基板の第1領域を該第1領域の材料とは異なる材料から形成された該基板の第2領域に対して選択的にエッチングするためのプラズマ処理装置であって、
チャンバと、
下部電極を有し、前記チャンバ内に設けられた基板支持台と、
前記チャンバ内にガスを供給するように構成されたガス供給部と、
前記チャンバ内のガスを励起させるために高周波電力を発生するように構成された高周波電源と、
前記チャンバの内部空間の中で磁場を形成するよう構成された電磁石と、
前記電磁石に電流を供給するように構成された駆動電源と、
前記ガス供給部、前記高周波電源、及び前記駆動電源を制御するように構成された制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記第1領域が前記第2領域よりも前記基板内のより深い位置でその上面を提供するよう、プラズマエッチングによって前記第1領域をエッチングするために、前記ガス供給部及び前記高周波電源を制御することを含む第1の制御を実行し、
前記第1領域をエッチングした後に、前記第2領域上に炭素を含む堆積物を形成するために、炭化水素ガスのプラズマを生成するよう、前記ガス供給部及び前記高周波電源を制御することを含む第2の制御を実行し、
前記第2領域上に前記堆積物を形成した後に、プラズマエッチングによって、前記第1領域を更にエッチングするために、前記ガス供給部及び前記高周波電源を制御することを含む第3の制御を実行し、
よう構成されており、
前記第2の制御は、前記炭化水素ガスの前記プラズマの生成中に、前記電磁石により、前記基板の中心の上での水平成分よりも大きい水平成分を前記基板のエッジ側の上で有する磁場の分布を形成するよう前記駆動電源を制御することを含む、
プラズマ処理装置。 - 前記第1領域はシリコン含有材料から形成されており、
前記第1の制御は、前記チャンバ内でフルオロカーボンガスを含む処理ガスのプラズマを生成するよう、前記ガス供給部及び前記高周波電源を制御することを含む、
請求項9に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第3の制御は、前記チャンバ内でフルオロカーボンガスを含む処理ガスのプラズマを生成するよう、前記ガス供給部及び前記高周波電源を制御することを含む、
請求項10に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1領域はシリコン含有材料から形成されており、
前記第1の制御及び前記第3の制御のうち少なくとも一方は、
前記基板上にフルオロカーボンを含む堆積物を形成するために、前記チャンバ内で、フルオロカーボンガスを含む処理ガスのプラズマを生成するよう、前記ガス供給部及び前記高周波電源を制御すること、及び、
前記基板に希ガスイオンを供給することにより前記基板上に形成された前記堆積物中のフルオロカーボンと前記シリコン含有材料を反応させて前記第1領域をエッチングするために、前記チャンバ内で希ガスのプラズマを生成するよう、前記ガス供給部及び前記高周波電源を制御すること、
を含む、
請求項9に記載のプラズマ処理装置。 - 前記制御部は、前記第2の制御と前記第3の制御とを交互に繰り返す、請求項9〜12の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018157570A JP7110034B2 (ja) | 2018-08-24 | 2018-08-24 | エッチングする方法及びプラズマ処理装置 |
US17/270,499 US11710643B2 (en) | 2018-08-24 | 2019-08-13 | Method of etching and plasma processing apparatus |
PCT/JP2019/031859 WO2020040005A1 (ja) | 2018-08-24 | 2019-08-13 | エッチングする方法及びプラズマ処理装置 |
CN201980053944.6A CN112567502A (zh) | 2018-08-24 | 2019-08-13 | 蚀刻的方法和等离子体处理装置 |
KR1020217007621A KR20210041072A (ko) | 2018-08-24 | 2019-08-13 | 에칭하는 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
TW108129968A TWI811432B (zh) | 2018-08-24 | 2019-08-22 | 蝕刻方法及電漿處理裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018157570A JP7110034B2 (ja) | 2018-08-24 | 2018-08-24 | エッチングする方法及びプラズマ処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020031190A true JP2020031190A (ja) | 2020-02-27 |
JP2020031190A5 JP2020031190A5 (ja) | 2021-07-26 |
JP7110034B2 JP7110034B2 (ja) | 2022-08-01 |
Family
ID=69592629
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018157570A Active JP7110034B2 (ja) | 2018-08-24 | 2018-08-24 | エッチングする方法及びプラズマ処理装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11710643B2 (ja) |
JP (1) | JP7110034B2 (ja) |
KR (1) | KR20210041072A (ja) |
CN (1) | CN112567502A (ja) |
TW (1) | TWI811432B (ja) |
WO (1) | WO2020040005A1 (ja) |
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TW202027161A (zh) | 2020-07-16 |
KR20210041072A (ko) | 2021-04-14 |
JP7110034B2 (ja) | 2022-08-01 |
US11710643B2 (en) | 2023-07-25 |
TWI811432B (zh) | 2023-08-11 |
WO2020040005A1 (ja) | 2020-02-27 |
US20210335623A1 (en) | 2021-10-28 |
CN112567502A (zh) | 2021-03-26 |
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