JPH09270416A

JPH09270416A - ドライエッチング装置およびドライエッチング方法

Info

Publication number: JPH09270416A
Application number: JP7710296A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Tatsumi; 哲也辰巳
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1996-03-29
Filing date: 1996-03-29
Publication date: 1997-10-14

Abstract

(57)【要約】【課題】高密度プラズマを発生するドライエッチング
装置のチャンバに設けた電界供給用の石英窓がスパッタ
リングされて発生する酸化シリコン系の生成物のウエハ
面内における堆積分布は特定の分布を持っていた。【解決手段】チャンバ11の外部に設けた電界供給源16
からチャンバ11の石英窓15を介して供給される電界によ
りチャンバ11内にプラズマを生成してウエハ41をエッチ
ングするドライエッチング装置1 であって、少なくとも
一部がチャンバ11内に表出された酸化シリコン系材料の
生成物供給源18を石英窓15とは別体に設け、生成物供給
源18を介してチャンバ11内に電界を供給するもので生成
物供給源18を挟んでチャンバ内11に生成されるプラズマ
とは反対側に補助電界供給源19を設けて、この補助電界
供給源19に電力を供給する補助電源20を設けた構成とす
ることで、ウエハ上に酸化シリコン系の生成物を均一に
堆積分布させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ドライエッチング
装置およびドライエッチング方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＵＬＳＩの高集積化が進むなか、微細加
工技術への要求はますます厳しくなってきている。ドラ
イエッチング工程においても、その要求は例外ではな
く、高精度の加工を目指して各種の開発が進められてい
る。特にゲート電極の加工工程においては高選択比とと
もに非常に厳しい線幅の制御が求められている。

【０００３】このゲート加工においては、近年、塩素
（Ｃｌ）もしくは臭素（Ｂｒ）を主ラジカルとして使用
するプロセスが一般に用いられている。例えば、低いイ
オンエネルギーのもとで塩素と酸素との混合ガス等のプ
ラズマから発生する活性種を基板上に入射させることで
高選択比かつ異方性の加工が達成されている。また特に
大口径（３００ｍｍ径以上）のウエハ処理を円滑に行う
ため、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）のような
高密度プラズマを使用したドライエッチング装置を用い
ることが一般的となってきている。この装置は、低圧力
下でＲＦ電力を誘導的にプラズマ中に結合させること
で、１０¹¹個／ｃｍ³以上のプラズマ密度を達成して、
高選択比かつ高エッチングレートの加工を行うものであ
る。またトランジスタのゲート電極加工においては、高
密度プラズマ中で塩素（Ｃｌ）もしくは臭素（Ｂｒ）を
主ラジカルとして使用し、高選択比を実現している。

【０００４】従来のドライエッチング装置の一例を、例
えばＩＣＰエッチング装置を一例にして、図１０によっ
て説明する。このＩＣＰエッチング装置１０１には、被
エッチング体であるウエハ１４１をエッチングする雰囲
気を形成するチャンバ１１１が備えられている。このチ
ャンバ１１１の側壁部には石英窓１１２が設けられ、こ
の石英窓１１２の外側方には例えばコイル（アンテナ）
からなる電界発生源１１３が設置されている。この電界
発生源１１３には１３．５６ＭＨｚの高周波電源１１４
が接続されている。さらに被エッチング体１４１はＲＦ
バイアスが印加される下部電極１１５上に設けられてい
て、その上方にはアース電極１１６が設置されている。
そして下部電極１１５にはＲＦバイアス電源１１７が接
続されている。

【０００５】このようなＩＣＰエッチング装置１０１で
ウエハ１４１をエッチングした場合には、ウエハ１４１
から生成される反応生成物と、石英窓１１２がスパッタ
リングされて発生するスパッタ物とが、ウエハ１４１に
堆積される。例えば、ウエハ１４１のポリシリコン膜を
エッチングしてポリシリコンパターンを形成する場合に
は、そのポリシリコンパターンの側壁に上記反応生成物
とスパッタ物とが付着して、いわゆる側壁保護膜が形成
される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】０．１８μｍ世代以降
のゲート加工においては、寸法変換差の制御が非常に重
要である。寸法変換差は、側壁に堆積する酸化シリコ
ン系の塩化物（ＳｉＯ_xＣｌ_y）または酸化シリコン系
の臭化物（ＳｉＯ_xＢｒ_y）のような生成物によりパタ
ーンが太くなること、もしくは、何らかの理由によっ
て過剰なる酸素ラジカルが発生し、その酸素ラジカルが
タングステンシリサイドのサイドエッチングを誘発して
パターンが細くなることで発生することが明らかになっ
ている。

【０００７】上記寸法変換差の発生要因は、エッチング
中に基板から発生する塩化シリコン等の堆積物やエッチ
ングガスとして供給される塩素および酸素、または臭素
および酸素以外にもある。特にエッチング室内の石英材
料からの生成物（塩素系のエッチングガスを用いた場合
にはＳｉＯ_xＣｌ_y，Ｏ、臭素系のエッチングガスを用
いた場合にはＳｉＯ_xＢｒ_y，Ｏ等）が大きく影響する
ことを確認している。これはチャンバの外部から電界を
供給するために設けられた石英窓を介してプラズマ中に
容量的に電界を供給させる放電方式に起因するものであ
る。すなわち、石英窓の表面に形成されるシース電界に
よりイオンが加速されて石英窓の表面に衝突すること
で、シリコン酸化物（ＳｉＯ_x）およびこの塩化物もし
くは臭化物または酸素ラジカルの発生が促進される。

【０００８】このため、プラズマは５％以内の非常に均
一なイオン電流密度を達成しても、この様な石英からの
スパッタ物量が分布を持つことにより、エッチングレー
ト、選択比および寸法変換差がウエハ面内でばらつくと
いう課題が存在していた。一例をあげると、前記図１０
に示したようなＩＣＰエッチング装置では、発生される
プラズマの密度が均一になっているにもかかわらず、図
１１に示すように、電源供給源の近傍の石英窓から発生
する石英系の堆積物によりウエハ中心部よりもウエハ周
辺部で酸化シリコン系の生成物の堆積量が多くなる。な
お、図１１では、縦軸に酸化シリコン系の生成物の堆積
速度を示し、横軸にウエハの位置を示した。

【０００９】したがって、図１２の（１）に示すよう
に、ウエハ周辺部ではパターン１５１の寸法が太くな
る。一方、図１２の（２）に示すように、上記の様な堆
積物が到達し難いウエハ中心部付近では、石英から放出
されるもので拡散し易く活性な酸素ラジカルの影響を受
けてパターン１５１の寸法が細くなるという現象が観察
されている。ここで、上記パターン１５１は、シリコン
基板１６１の表面に形成された酸化シリコン膜１６２上
に多結晶シリコン膜１６３とタングステンシリサイド膜
１６４とを形成し、さらにその上面にレジストパターン
１６５を形成して、そのレジストパターン１６５をマス
クにしてエッチングを行って得た多結晶シリコン膜１６
３とタングステンシリサイド膜１６４とからなるもので
ある。

【００１０】この様な堆積性の付着物の絶対量に関して
は、基板温度の制御や入力電力の低減等で変化させるこ
とが可能である。しかしながら、従来の装置では堆積性
の付着物の分布を制御することは不可能であった。これ
に対して、石英から発生する酸素ラジカルは、比較的拡
散し易いためにウエハ面内でほぼ均一に分布する。一
方、ウエハ面内における堆積性付着物の分布のばらつき
は、ウエハの大口径化が進行するにしたがい、ますます
増大する傾向にある。したがって、上記課題を解決する
には、石英材料から発生する堆積性の生成物のウエハ面
内分布を制御することが必要になる。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされたドライエッチング装置およびドラ
イエッチング方法である。

【００１２】第１のドライエッチング装置は、チャンバ
の外部に設けた電界供給源からこのチャンバに設けた酸
化シリコン系材料からなる窓を介して供給される電界に
よりチャンバの内部にプラズマを生成してチャンバ内の
被エッチング体をエッチングする装置であり、酸化シリ
コン系材料からなる生成物供給源が上記窓とは別体にか
つ少なくともその一部がチャンバ内に存在するように設
けられている。また上記生成物供給源を介してチャンバ
内に電界を制御して供給するための補助電界供給源がこ
の生成物供給源を挟んでチャンバ内に生成されるプラズ
マとは反対側に設けられている。さらに、上記補助電界
供給源に電力を供給するための電源が備えられている。

【００１３】上記第１のドライエッチング装置では、酸
化シリコン系材料からなる生成物供給源が上記窓とは別
体にかつその一部がチャンバ内に存在するように設けら
ているとともに、生成物供給源を介してチャンバ内に電
界を供給する補助電界供給源が設けられ、さらに補助電
界供給源に電力を供給する電源が設けられている。その
ことから、窓から発生する酸化シリコン系の生成物とは
別に生成物供給源からも酸化シリコン系の生成物が発生
される。また電源から供給される電力を変えることによ
って補助電界供給源から供給される電界を制御すること
ができるので、生成物供給源から発生する酸化シリコン
系の生成物の量を制御することが可能になる。したがっ
て、窓から発生する酸化シリコン系の生成物の分布を踏
まえてチャンバ内で発生する酸化シリコン系の生成物の
分布を制御することが可能になる。

【００１４】第２のドライエッチング装置は、チャンバ
の外部に設けた電界供給源からこのチャンバに設けた酸
化シリコン系材料からなる窓を介して供給される電界に
よりチャンバの内部にプラズマを生成してチャンバ内の
被エッチング体をエッチングする装置であり、窓の一部
分を介してチャンバ内に電界を供給する補助電界供給源
をチャンバの外部にかつ窓の一部分に設け、さらに補助
電界供給源に電力を供給する電源を備えたものである。

【００１５】上記第２のドライエッチング装置では、窓
の一部分を介してチャンバ内に電界を供給する補助電界
供給源が設けらているとともに、補助電界供給源に電力
を供給する電源が設けられている。そのことから、電界
供給源によって生成されたプラズマによるスパッタリン
グで窓から発生する酸化シリコン系の生成物とは別に補
助電界供給源によって生成されたプラズマによるスパッ
タリングでも窓から酸化シリコン系の生成物が発生され
る。また電源から供給される電力を変えることによって
補助電界供給源から供給される電界を制御することがで
きるので、生成物供給源から発生する酸化シリコン系の
生成物の量を制御することが可能になる。したがって、
窓から発生する酸化シリコン系の生成物の分布を踏まえ
てチャンバ内で発生する酸化シリコン系の生成物の分布
を制御することが可能になる。

【００１６】第１のドライエッチング方法は、チャンバ
の外部に設けた電界供給源から該チャンバに設けた酸化
シリコン系材料からなる窓を介して電界を供給すること
で、該チャンバの内部にプラズマを生成して該チャンバ
内の被エッチング体をエッチングするドライエッチング
方法において、上記窓とは別体の酸化シリコン系材料か
らなる生成物供給源をスパッタリングしてこのチャンバ
内に生成物を供給するドライエッチング方法である。

【００１７】上記第１のドライエッチング方法では、窓
とは別体の酸化シリコン系材料からなる生成物供給源を
スパッタリングすることから、窓から発生する酸化シリ
コン系の生成物とは別の酸化シリコン系の生成物が発生
される。そして、このスパッタリングによって得られた
生成物がチャンバ内に供給されることから、生成物供給
源から発生する酸化シリコン系の生成物の量を制御する
ことにより、窓から発生する酸化シリコン系の生成物の
分布を踏まえてチャンバ内で発生する酸化シリコン系の
生成物の分布を制御することが可能になる。

【００１８】第２のドライエッチング方法は、チャンバ
の外部に設けた電界供給源から該チャンバに設けた酸化
シリコン系材料からなる窓を介して電界を供給すること
で、該チャンバの内部にプラズマを生成して該チャンバ
内の被エッチング体をエッチングするドライエッチング
方法において、上記電界供給源とは別に上記窓の一部分
を介してチャンバ内に電界を供給することにより、この
窓の一部分をスパッタリングしてチャンバ内に生成物を
供給するドライエッチング方法である。

【００１９】上記第２のドライエッチング方法では、上
記電界供給源とは別に上記窓の一部分を介してチャンバ
内に電界を供給することから、電界供給源によって生成
されたプラズマによるスパッタリングで窓から発生する
酸化シリコン系の生成物とは別に、窓の一部分を介して
チャンバ内に電界を供給することによって生成されたプ
ラズマによるスパッタリングでも窓から酸化シリコン系
の生成物が発生される。そして、このスパッタリングに
よって得られた生成物がチャンバ内に供給されることか
ら、生成物供給源から発生する酸化シリコン系の生成物
の量を制御することにより、窓から発生する酸化シリコ
ン系の生成物の分布を踏まえてチャンバ内で発生する酸
化シリコン系の生成物の分布を制御することが可能にな
る。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明のドライエッチング装置に
係わる第１実施形態の一例を、図１の概略構成図によっ
て説明する。図では一例として、ＩＣＰエッチング装置
を示す。

【００２１】図１に示すように、ドライエッチング装置
１には、高密度プラズマを生成してエッチング雰囲気を
形成するチャンバ１１が備えられている。このチャンバ
１１の内部には、被エッチング体（以下、ウエハとい
う）４１を載置するためのステージ１２が設けられてい
る。このステージ１２は下部電極となり、ＲＦバイアス
電源１３が接続されている。このＲＦバイアス電源１３
は、例えば４００ｋＨｚの高周波電源からなる。またウ
エハ４１の上方でかつチャンバ１１内の上部にはアース
電極１４が設けられていて、接地されている。

【００２２】さらに上記ウエハ４１の側方でかつチャン
バ１１の側壁には酸化シリコン系材料の一種である石英
からなる石英窓１５が設けられている。このチャンバ１
１の外側には石英窓１５を介して電界供給源１６が設け
られている。この電界供給源１６は、例えばコイル状の
アンテナまたは板状のアンテナからなり、これによって
結合される例えば１３．５６ＭＨｚのＲＦ電界をチャン
バ１１の内部に供給するものである。また、この電界供
給源１６にはソース電源１７が接続されている。このソ
ース電源１７は、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電源
からなる。

【００２３】そして上記ウエハ４１の上方でかつ上記ア
ース電極１４のウエハ４１側には生成物供給源１８が設
置されている。この生成物供給源１８は、酸化シリコン
系材料からなり、例えば石英からなる。上記生成物供給
源１８は、石英に限定されることはなく、酸化シリコン
系材料の絶縁材料であればいかなる材料であってもよ
い。また上記生成物供給源１８を介して上記ウエハ４１
とは反対側の上記アース電極１４には補助電界供給源１
９となる補助電極が設置されている。この補助電界供給
源１９は、例えばコイル状のアンテナまたは板状のアン
テナからなり、これによって結合される例えば８００ｋ
ＨｚのＲＦ電界によって生成物供給源１８の表面にイオ
ン加速用の電界を誘起するものである。さらに上記補助
電界供給源１９には電力を供給するための電源となる補
助電源２０が接続されている。この補助電源２０は、例
えば８００ｋＨｚの高周波電源からなる。

【００２４】なお、チャンバ１１には、その内部にエッ
チングガスを供給するためのガス供給系、およびチャン
バ１１の内部圧力を一定に保つためのガス排出系が備え
られているが、ここでの図示は省略した。

【００２５】上記ドライエッチング装置１では、チャン
バ１１の側壁部に設けた石英窓１５を介して設置された
電界供給源１６に印加した１３．５６ＭＨｚのＲＦ電界
によってプラズマが生成される。また、ウエハ４１に対
抗する補助電界供給源１９の下部に石英製の生成物供給
源１８が設けられ、補助電界供給源１９に印加される８
００ｋＨｚのＲＦ電界によって、生成物供給源１８から
の酸化シリコン系の生成物量を制御することが可能にな
る。

【００２６】したがって、上記ドライエッチング装置１
を用いてエッチングを行うことによって、例えば、ウエ
ハ４１の全エッチング表面にわたり酸化シリコン系の生
成物の堆積量を平均化することが可能になる。よって、
均一なエッチングパターン形状を実現することが可能に
なり、ウエハ４１上のパターン形成におけるウエハ４１
面内の寸法ばらつきを低減することが可能になる。特に
３００ｍｍ以上の大口径ウエハのパターン形成での寸法
ばらつきの低減に大きな効果を奏する。

【００２７】ここで、酸化シリコン系の生成物のウエハ
上への堆積速度とウエハ上の位置との関係を、図２によ
って説明する。図２では、縦軸に酸化シリコン系の生成
物のウエハ上への堆積速度を示し、横軸にウエハ上の位
置を示す。また実線は総堆積速度分布を示し、破線は石
英窓からの生成物による堆積速度分布を示し、２点鎖線
は生成物供給源からの生成物の堆積速度分布を示す。

【００２８】図２に示すように、破線Ａで示す石英窓か
らの生成物による堆積速度分布は、ウエハの中央部から
側周部方向になるにしたがって堆積速度が速くなる。す
なわち、ＩＣＰソースの場合には電界供給源となるコイ
ルに近いウエハ周辺部に酸化シリコン系の生成物の堆積
が多くなり、ウエハの中心部に向かうにしたがってその
酸化シリコン系の生成物の堆積が少なくなる。一方、２
点鎖線Ｂで示す生成物供給源からの生成物の堆積速度分
布は、ウエハの中央部から側周部方向になるにしたがっ
て堆積速度が遅くなる。すなわち、補助電界供給源とな
る補助電極に近いウエハ中央部に酸化シリコン系の生成
物の堆積が多くなり、ウエハの周辺部に向かうにしたが
ってその酸化シリコン系の生成物の堆積が少なくなる。
そのため、生成物供給源からの生成物の発生量を調節す
ることによって、実線Ｃで示すように、総堆積速度分布
はウエハの各位置においてほぼ均一にすることが可能に
なる。

【００２９】したがって、ソース電力もしくはエッチン
グガス種を変化させ、石英窓１５から発生する生成物に
よる堆積物量やその分布が変化した場合において、堆積
分布を一定に保つことが可能になる。なお、上記生成物
供給源１８と補助電界供給源１９とは、プラズマの着
火、維持等にも用いることが可能である。

【００３０】次に本発明のドライエッチング方法にかか
わる第１実施形態を以下に説明する。このドライエッチ
ング方法は、被エッチング体（以下、ウエハという）を
エッチングするためのエッチング雰囲気を生成するチャ
ンバの外部に設けた電界供給源からこのチャンバに設け
た酸化シリコン系材料からなる石英窓を介して電界を供
給することで、このチャンバの内部にプラズマを生成し
て上記ウエハをエッチングする方法である。しかも、石
英窓とは別体の酸化シリコン系材料からなる生成物供給
源をスパッタリングしてチャンバの内部に生成物を供給
する。

【００３１】上記石英窓から供給される生成物量は、こ
の生成物供給源を介してチャンバ内に誘起される電界を
制御して、この生成物供給源のスパッタリング量を制御
することにより調整される。そのため、電界供給源から
チャンバ内に電界を供給することにより石英窓をスパッ
タリングして発生する生成物の分布の少ない領域に、上
記電界供給源とは別に生成物供給源を介してチャンバ内
に電界を供給することにより生成物供給源をスパッタリ
ングして発生させた生成物を供給することで、ウエハ表
面の全域にわたって酸化シリコン系の生成物の堆積速度
はほぼ均一に保たれる。その結果、ウエハ上の全域にわ
たって、ほぼ均一な厚さに酸化シリコン系の生成物が堆
積される。

【００３２】また上記ドライエッチングに用いるエッチ
ングガスは少なくとも塩素および臭素のうちのいずれか
一方を含むものを用いる。それによって、酸化シリコン
系の塩化物（ＳｉＯ_xＣｌ_y）もしくは酸化シリコン系
の臭化物（ＳｉＯ_xＢｒ_y）が生成され、それが生成物
となってウエハ上に堆積される。このような生成物は、
エッチングによって形成されるパターンのいわゆる側壁
保護膜ともなる。

【００３３】次に前記図１によって説明したドライエッ
チング装置１を用い、上記ドライエッチング方法を適用
して、タングステンポリサイドゲートの加工を行った。
ここでは、一例として塩素を含むエッチングガスを用い
たが、臭素を含むエッチングガスでも同様のエッチング
が実現できることは確認している。上記加工を図３によ
って説明する。図の（１）はエッチング前のウエハ中央
部の断面を示し、図の（２）はエッチング前のウエハ側
周部の断面を示し、図の（３）はエッチング後のウエハ
中央部の断面を示し、図の（４）はエッチング後のウエ
ハ側周部の断面を示す。

【００３４】図３の（１）〜（４）に示すように、シリ
コン基板５１上には、ゲート酸化膜（ＳｉＯ₂膜）５
２、ポリシリコン膜５３、タングステンシリサイド（Ｗ
Ｓｉ₂）膜５４がそれぞれ１００ｎｍの厚さに順に積層
されている。それらの成膜は、例えば化学的気相成長
（以下、ＣＶＤという、ＣＶＤはChemical Vapour Depo
sitionの略）法によって行った。その後、レジスト塗布
技術およびリソグラフィック技術によって、レジストマ
スク５５を形成して、ウエハ４１とした。そして図３の
（１），（２）に示すウエハ４１を、上記レジストマス
ク５５をエッチングマスクにして、以下の条件に設定し
たエッチングによって加工した。以下の説明では、図１
によって示した構成部品にはその符号も併記する。

【００３５】上記エッチング条件を、一例として、エッチングガス：塩素（Ｃｌ₂）；１００ｓｃｃｍ〔以
下、ｓｃｃｍは標準状態における体積流量（ｃｍ³／
分）を表す〕と酸素（Ｏ₂）；１０ｓｃｃｍ、エッチング雰囲気の圧力：０．５Ｐａ、ソースパワー：３００Ｗ、ＲＦバイアス：１００Ｗ、基板温度：２０℃、上部電極パワー：１００Ｗ、に設定した。

【００３６】上記条件によるエッチングによって、ソー
ス電源１７の電力が電界供給源１６に印加されることに
よって生じる酸化シリコン系の生成物からなる堆積物
と、補助電源２０の電力が補助電界供給源１９に印加さ
れることによって生じる酸化シリコン系の生成物からな
る堆積物との双方により、ウエハ４１上には均一な堆積
を生じつつ、エッチングを進行することが可能になる。
したがって、図３の（３），（４）に示すように、上記
エッチングによって、ウエハ４１の周辺部およびウエハ
４１の中心部ともに、ポリシリコン膜５３とタングステ
ンシリサイド膜５４からなるものでサイドエッチングを
生じない良好なるエッチング形状を有するパターン４２
を形成することが可能になった。

【００３７】次に本発明のドライエッチング装置に係わ
る第２実施形態の一例を、図４の概略構成図によって説
明する。図では。ドライエッチング装置２の一例とし
て、トライオード型マグネトロンドライエッチング装置
を示す。なお、前記図１によって説明した構成部品と同
様のものには同一符号を付す。

【００３８】図４に示すように、ドライエッチング装置
２には、高密度プラズマを生成してエッチング雰囲気を
形成するチャンバ１１が備えられている。このチャンバ
１１の内部には、被エッチング体（以下、ウエハとい
う）４１を載置するためのステージ１２が設けられてい
る。このステージ１２は下部電極となり、ＲＦバイアス
電源１３が接続されている。このＲＦバイアス電源１３
は、例えば４００ｋＨｚの高周波電源からなる。またウ
エハ４１の上方でかつチャンバ１１内の上部にはアース
電極１４が設けられていて、接地されている。

【００３９】さらに上記ウエハ４１の側方でかつチャン
バ１１の側壁には酸化シリコン系材料の一種である石英
からなる石英窓１５が設けられている。このチャンバ１
１の外側には石英窓１５を介して電界供給源１６が設け
られている。この電界供給源１６は環状電極からなり、
さらにその外周には磁場を形成する磁場発生器２１が設
置されている。この磁場発生器２１は、例えば永久磁石
で形成されている。なお、磁場発生器２１は、磁場を発
生するものであればよく、例えば電磁石で形成されてい
てもよい。また、上記電界供給源１６にはソース電源１
７が接続されている。このソース電源１７は、例えば１
３．５６ＭＨｚの高周波電源からなる。

【００４０】そして上記ウエハ４１の上方でかつ上記ア
ース電極１４のウエハ４１側には生成物供給源１８が設
置されている。この生成物供給源１８は、酸化シリコン
系材料からなり、例えば石英からなる。上記生成物供給
源１８は、石英に限定されることはなく、酸化シリコン
系材料の絶縁材料であればいかなる材料であってもよ
い。また上記生成物供給源１８を介して上記ウエハ４１
とは反対側の上記アース電極１４には補助電界供給源１
９となる補助電極が設置されている。この補助電界供給
源１９は、例えばコイル状のアンテナまたは板状のアン
テナからなり、これによって結合される例えば８００ｋ
ＨｚのＲＦ電界によって生成物供給源１８の表面にイオ
ン加速用の電界を誘起するものである。さらに上記補助
電界供給源１９には電力を供給するための電源となる補
助電源２０が接続されている。この補助電源２０は、例
えば８００ｋＨｚの高周波電源からなる。

【００４１】なお、チャンバ１１には、その内部にエッ
チングガスを供給するためのガス供給系、およびチャン
バ１１の内部圧力を一定に保つためのガス排出系が備え
られているが、ここでの図示は省略した。

【００４２】上記ドライエッチング装置２では、ソース
電源１７によって上記電界供給源１６に１３．５６ＭＨ
ｚの高周波を印加し、上記磁場発生器２１による磁場と
電界の相互作用によって電子を加速して、チャンバ１１
の内部にプラズマを発生させる。また、ウエハ４１に対
抗する補助電界供給源１９の下部に石英製の生成物供給
源１８が設けられ、補助電界供給源１９にに印加される
８００ｋＨｚのＲＦ電界によって、生成物供給源１８か
らの酸化シリコン系の生成物量を制御することが可能に
なる。

【００４３】したがって、上記ドライエッチング装置２
を用いてエッチングを行うことによって、例えば、ウエ
ハ４１の全エッチング表面にわたり酸化シリコン系の生
成物の堆積量を平均化することが可能になる。よって、
均一なエッチングパターン形状を実現することが可能に
なり、ウエハ４１上のパターン形成におけるウエハ４１
面内の寸法ばらつきを低減することが可能になる。特に
３００ｍｍ以上の大口径ウエハのパターン形成での寸法
ばらつきの低減に大きな効果を奏する。

【００４４】ここで、酸化シリコン系の生成物のウエハ
上への堆積速度とウエハ上の位置との関係は、前記図２
によって説明したのとほぼ同様の分布になる。すなわ
ち、石英窓１５からの生成物による堆積速度分布は、ウ
エハ４１の中央部から側周部方向になるにしたがって堆
積速度が速くなる。すなわち、電界供給源１６および磁
場発生器２１に近いウエハ４１の周辺部に酸化シリコン
系の生成物の堆積が多くなり、ウエハ４１の中心部に向
かうにしたがってその酸化シリコン系の生成物の堆積が
少なくなる。

【００４５】一方、生成物供給源１８からの生成物の堆
積速度分布は、ウエハ４１の中央部から側周部方向にな
るにしたがって堆積速度が遅くなる。すなわち、補助電
界供給源１９となる補助電極に近いウエハ４１の中央部
に酸化シリコン系の生成物の堆積が多くなり、ウエハ４
１の周辺部に向かうにしたがってその酸化シリコン系の
生成物の堆積が少なくなる。そのため、生成物供給源１
８からの生成物の発生量を調節することによって、ウエ
ハ４１上における総堆積速度分布はウエハ４１の各位置
においてほぼ均一にすることが可能になる。

【００４６】したがって、ソース電力もしくはエッチン
グガス種を変化させ、石英窓１５から発生する生成物に
よる堆積物量やその分布が変化した場合において、堆積
分布を一定に保つことが可能になる。なお、上記生成物
供給源１８と補助電界供給源１９とは、プラズマの着
火、維持等にも用いることが可能である。

【００４７】次に上記ドライエッチング装置２を用いて
前記図３によって説明したウエハ４１の加工を行った。
この加工におけるエッチング条件を、一例として、エッチングガス：塩素（Ｃｌ₂）；１００ｓｃｃｍ、エッチング雰囲気の圧力：０．５Ｐａ、ソースパワー：１．０ｋＷ、ＲＦバイアス：４０Ｗ、基板温度：６０℃、補助電極パワー：２００Ｗ、に設定した。

【００４８】その結果、ソース電源１７の電力が電界供
給源１６に印加されることによって生じる酸化シリコン
系の生成物からなる堆積物と、補助電源２０の電力が補
助電界供給源１９に印加されることによって生じる酸化
シリコン系の生成物からなる堆積物との双方により、ウ
エハ４１上には均一な堆積を生じつつ、エッチングを進
行することが可能になる。上記エッチングによって、ウ
エハ４１の周辺およびウエハ４１の中心部ともにサイド
エッチングを生じない良好なるエッチング形状を達成す
ることが可能になった。

【００４９】上記第１，第２実施形態において、上記生
成物供給源１８と上記補助電界供給源１９とは、平面視
的に見て円形状に形成したが、例えば、環状に形成して
もよい。ここで前記図４で説明したドライエッチング装
置２の上記生成物供給源１８と上記補助電界供給源１９
とを環状に形成した例を、図５に示す。この図５では、
（１）にドライエッチング装置の概略構成を示し、
（２）に補助電界供給源１９の設置状態を示す。

【００５０】図５の（１）および（２）に示すように、
この構成では、上記生成物供給源１８と上記補助電界供
給源１９の形状以外の構成は、前記図４によって説明し
た構成と同様である。そして環状の生成物供給源１８と
環状の補助電界供給源１９とは、積層される状態でソー
ス電極１４の内部に組み込まれている。すなわち、ウエ
ハ４１側に生成物供給源１８が設置され、それとは反対
側に補助電界供給源１９が生成物供給源１８に隣接して
設置されている。なお、チャンバ１１、ステージ１２、
ＲＦバイアス電源１３、石英窓１５、電界供給源１６、
ソース電源１７、補助電源２０、磁場発生器２１は、前
記図４によって説明した構成と同様である。

【００５１】ここで、酸化シリコン系の生成物のウエハ
上への堆積速度とウエハ上の位置との関係を、図６によ
って説明する。図６では、前記図２と同様に、縦軸に酸
化シリコン系の生成物のウエハ上への堆積速度を示し、
横軸にウエハ上の位置を示す。また実線は総堆積速度分
布を示し、破線は石英窓からの生成物による堆積速度分
布を示し、２点鎖線は生成物供給源からの生成物の堆積
速度分布を示す。

【００５２】図６に示すように、破線Ａで示す石英窓か
らの生成物による堆積速度分布は、ウエハの中央部から
側周部方向になるにしたがって堆積速度が速くなる。す
なわち、電界供給源に近いウエハ周辺部に酸化シリコン
系の生成物の堆積が多くなり、ウエハの中心部に向かう
にしたがってその酸化シリコン系の生成物の堆積が少な
くなる。

【００５３】一方、２点鎖線Ｂで示す生成物供給源から
の生成物の堆積速度分布は、ウエハの中央部がやや遅
く、その中央部より側周部方向になるにしたがって堆積
速度が速くなり、生成物供給源の直下で最大となる。そ
してさらにウエハの周辺部に向かうにしたがい、堆積速
度は遅くなる。すなわち、補助電界供給源となる補助電
極に近いウエハ中央部よりやや側周側（生成物供給源の
直下）で酸化シリコン系の生成物の堆積が多くなり、そ
れよりもウエハの周辺部に向かうにしたがい酸化シリコ
ン系の生成物の堆積は少なくなり、またウエハの中央部
に向かうにしたがい酸化シリコン系の生成物の堆積はや
や少なくなる。そのため、生成物供給源からの生成物の
発生量を調節することによって、実線Ｃで示すように、
総堆積速度分布はウエハの各位置においてほぼ均一にす
ることが可能になる。

【００５４】または環状に形成した生成物供給源１８と
環状の補助電界供給源１９とを同心円状に配置してもよ
い。その配置状態によって、ウエハ表面の全面にわたっ
て生成物の総堆積速度を細かく制御することが可能にな
る。

【００５５】なお、上記第１，第２実施形態では、ドラ
イエッチング装置１としてＩＣＰエッチング装置を示
し、ドライエッチング装置２としてマグネトロン型エッ
チング装置を示したが、石英窓を介してチャンバ内に電
界を入力して、このチャンバ内にプラズマを発生させる
ようないかなるドライエッチング装置に対しても、上記
生成物供給源と上記補助電界供給源とを設ける構成は設
置可能である。そしてソース電力入力部付近（石英窓）
からの堆積物（ＳｉＯ_xＣｌ_y）が相対的に少なくなる
部分に近接して、上記生成物供給源と上記補助電界供給
源とを設けることで上記説明したのと同様の効果が得ら
れる。

【００５６】次に本発明のドライエッチング装置に係わ
る第３実施形態の一例を、図７によって説明する。図で
はドライエッチング装置３の一例として、マイクロ波ド
ライエッチング装置を示す。図では、（１）に概略構成
図を示し、（２）に本発明の主旨となる補助電界供給源
の設置状態を示す。また前記図１で説明したのと同様の
構成部品には同一符号を付す。

【００５７】図７の（１）および（２）に示すように、
ドライエッチング装置３には、高密度プラズマを生成し
てエッチング雰囲気を形成するチャンバ１１が備えられ
ている。このチャンバ１１の内部には、被エッチング体
（以下、ウエハという）４１を載置するためのステージ
１２が設けられている。このステージ１２は下部電極と
なり、ＲＦバイアス電源１３が接続されている。このＲ
Ｆバイアス電源１３は、例えば２ＭＨｚの高周波電源か
らなる。またウエハ４１の上方でかつチャンバ１１の上
部には酸化シリコン系材料の一種である石英からなる石
英窓１５が設けられている。このチャンバ１１の外側に
は石英窓１５を介して電界供給源６１が設けられてい
る。この電界供給源６１は、導波管６２とそれに接続さ
れたマグネトロン６３からなり、例えば２．４５ＧＨｚ
のマイクロ波をチャンバ１１の内部に供給するものであ
る。さらにチャンバ１１および導波管６２のチャンバ１
１側の各外側周部にはソレノイド６４が設置されてい
る。

【００５８】そしてウエハ４１の側周部上方で上記電界
供給源６１側の上記窓１５上には補助電界供給源１９と
なる補助電極が設置されている。この補助電界供給源１
９は、環状の電極からなり、これによって結合される例
えば８００ｋＨｚのＲＦ電界によって石英窓１５の側周
部におけるチャンバ１１側表面にイオン加速用の電界を
誘起するものである。さらに上記補助電界供給源１９に
は電力を供給するための電源となる補助電源２０が接続
されている。この補助電源２０は、例えば８００ｋＨｚ
の高周波電源からなる。

【００５９】なお、チャンバ１１には、その内部にエッ
チングガスを供給するためのガス供給系、およびチャン
バ１１の内部圧力を一定に保つためのガス排出系が備え
られているが、ここでの図示は省略した。

【００６０】上記ドライエッチング装置３では、チャン
バ１１の上部に設けた石英窓１５を介して設置された電
界供給源６１から発生した２．４５ＭＨｚのＲＦ電界に
よってチャンバ１１の内部にプラズマが生成される。ま
た、補助電界供給源１９に印加される８００ｋＨｚのＲ
Ｆ電界によって、ウエハ４１の側周部上方に位置する補
助電界供給源１９の下部に石英窓１５からの酸化シリコ
ン系の生成物量を制御することが可能になる。

【００６１】したがって、上記ドライエッチング装置３
を用いてエッチングを行うことによって、例えば、ウエ
ハ４１の全エッチング表面にわたり酸化シリコン系の生
成物の堆積量を平均化することが可能になる。よって、
均一なエッチングパターン形状を実現することが可能に
なり、ウエハ４１上のパターン形成におけるウエハ４１
面内の寸法ばらつきを低減することが可能になる。特に
３００ｍｍ以上の大口径ウエハのパターン形成での寸法
ばらつきの低減に大きな効果を奏する。

【００６２】次に本発明のドライエッチング方法にかか
わる第２実施形態を以下に説明する。このドライエッチ
ング方法は、被エッチング体（以下、ウエハという）を
エッチングするためのエッチング雰囲気を生成するチャ
ンバの外部に設けた電界供給源からこのチャンバに設け
た酸化シリコン系材料からなる石英窓を介して電界を供
給することで、このチャンバの内部にプラズマを生成し
て上記ウエハをエッチングする方法である。しかも、電
界供給源とは別に上記石英窓の一部分を介してチャンバ
内に電界を供給することによりこの石英窓の一部分をス
パッタリングしてチャンバ内に生成物を供給する。

【００６３】上記電界供給源によって誘起されたイオン
加速用の電界によって石英窓から供給された酸化シリコ
ン系の生成物量は、上記電界供給源とは別に上記石英窓
の一部分を介してチャンバ内に電界を供給することによ
りこの石英窓の一部分に誘起されたイオン加速用の電界
を制御して、石英窓のスパッタリング量を制御すること
により調整される。そのため、電界供給源からチャンバ
内に電界を供給することにより石英窓をスパッタリング
して発生する生成物の分布の少ない領域に、上記電界供
給源とは別に上記石英窓の一部分を介してチャンバ内に
電界を供給することによりこの部分の石英窓をスパッタ
リングして発生させた生成物を供給することで、ウエハ
表面の全域にわたって酸化シリコン系の生成物の堆積速
度はほぼ均一に保たれる。その結果、ウエハ上の全域に
わたって、ほぼ均一な厚さに酸化シリコン系の生成物が
堆積される。

【００６４】また上記ドライエッチングに用いるエッチ
ングガスは少なくとも塩素および臭素のうちのいずれか
一方を含むものを用いる。それによって、酸化シリコン
系の塩化物（ＳｉＯ_xＣｌ_y）もしくは酸化シリコン系
の臭化物（ＳｉＯ_xＢｒ_y）が生成され、それが生成物
となってウエハ上に堆積される。このような生成物は、
エッチングによって形成されるパターンのいわゆる側壁
保護膜ともなる。

【００６５】次に本発明のドライエッチング装置に係わ
る第４実施形態の一例を、図８の概略構成図によって説
明する。図では。ドライエッチング装置４の一例とし
て、マイクロ波ドライエッチング装置を示す。なお、前
記図１および図７によって説明した構成部品と同様のも
のには同一符号を付す。

【００６６】図８に示すように、ドライエッチング装置
４には、高密度プラズマを生成してエッチング雰囲気を
形成するチャンバ１１が備えられている。このチャンバ
１１の内部には、被エッチング体（以下、ウエハとい
う）４１を載置するためのステージ１２が設けられてい
る。このステージ１２は下部電極となり、ＲＦバイアス
電源１３が接続されている。このＲＦバイアス電源１３
は、例えば２ＭＨｚの高周波電源からなる。またウエハ
４１の上方でかつチャンバ１１の上部には酸化シリコン
系材料の一種である石英からなる石英窓１５が設けられ
ている。このチャンバ１１の外側には石英窓１５を介し
て電界供給源６１が設けられている。この電界供給源６
１は、導波管６２とそれに接続されたマグネトロン６３
からなり、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波をチャン
バ１１の内部に供給するものである。さらにチャンバ１
１の外側周部にはソレノイド６４が設置されている。

【００６７】さらに上記チャンバ１１の上側部でかつ石
英窓１５の下部側には生成物供給源１８が設置されてい
る。この生成物供給源１８は、酸化シリコン系材料から
なり、例えば石英からなる。上記生成物供給源１８は、
石英に限定されることはなく、酸化シリコン系材料の絶
縁材料であればいかなる材料であってもよい。また上記
生成物供給源１８を介して上記チャンバ１１の外部には
補助電界供給源１９となる補助電極が設置されている。
この補助電界供給源１９は、例えばコイル状のアンテナ
または板状のアンテナからなり、これによって結合され
る例えば８００ｋＨｚのＲＦ電界によって生成物供給源
１８の表面にイオン加速用の電界を誘起するものであ
る。さらに上記補助電界供給源１９には電力を供給する
ための電源となる補助電源２０が接続されている。この
補助電源２０は、例えば８００ｋＨｚの高周波電源から
なる。

【００６８】なお、チャンバ１１には、その内部にエッ
チングガスを供給するためのガス供給系、およびチャン
バ１１の内部圧力を一定に保つためのガス排出系が備え
られているが、ここでの図示は省略した。

【００６９】上記ドライエッチング装置４では、チャン
バ１１の上部に設けた石英窓１５を介して設置された電
界供給源６１から発生した２．４５ＭＨｚのＲＦ電界に
よってチャンバ１１の内部にプラズマが生成される。ま
た、補助電界供給源１９に印加される８００ｋＨｚのＲ
Ｆ電界によって、ウエハ４１の側周部上方に設けられて
いる生成物供給源１８から発生する酸化シリコン系の生
成物量を制御することが可能になる。

【００７０】したがって、上記ドライエッチング装置４
を用いてエッチングを行うことによって、例えば、ウエ
ハ４１の全エッチング表面にわたり酸化シリコン系の生
成物の堆積量を平均化することが可能になる。よって、
均一なエッチングパターン形状を実現することが可能に
なり、ウエハ４１上のパターン形成におけるウエハ４１
面内の寸法ばらつきを低減することが可能になる。特に
３００ｍｍ以上の大口径ウエハのパターン形成での寸法
ばらつきの低減に大きな効果を奏する。

【００７１】次に、上記ドライエッチング装置４におけ
る酸化シリコン系の生成物のウエハ上への堆積速度とウ
エハ上の位置との関係を、図９によって説明する。図９
では、縦軸に酸化シリコン系の生成物のウエハ上への堆
積速度を示し、横軸にウエハ上の位置を示す。また実線
は総堆積速度分布を示し、破線は石英窓からの生成物に
よる堆積速度分布を示し、２点鎖線は生成物供給源から
の生成物の堆積速度分布を示す。なお、酸化シリコン系
の生成物のウエハ上への堆積速度とウエハ上の位置との
関係は、上記ドライエッチング装置３も図９に示したの
と同様の分布になることを確認している。

【００７２】図９に示すように、破線Ａで示す石英窓か
らの生成物による堆積速度分布は、ウエハの中央部から
側周部方向になるにしたがって堆積速度が遅くなる。す
なわち、マイクロ波ソースの場合には電界供給源となる
導波管の中央部に近いウエハ中央部で酸化シリコン系の
生成物の堆積が多くなり、ウエハの周辺部に向かうにし
たがってその酸化シリコン系の生成物の堆積が少なくな
る。一方、２点鎖線Ｂで示す生成物供給源からの生成物
の堆積速度分布は、生成物供給源がチャンバの側壁上部
に設けられていることから、ウエハの中央部から側周部
方向になるにしたがって堆積速度が速くなる。すなわ
ち、生成物供給源に近いウエハ周辺部に酸化シリコン系
の生成物の堆積が多くなり、ウエハの中央部に向かうに
したがってその酸化シリコン系の生成物の堆積が少なく
なる。そのため、生成物供給源からの生成物の発生量を
調節することによって、実線Ｃで示すように、総堆積速
度分布はウエハの各位置においてほぼ均一にすることが
可能になる。

【００７３】したがって、マイクロ波ソースもしくはエ
ッチングガス種を変化させ、石英窓１５から発生する生
成物による堆積物量やその分布が変化した場合におい
て、堆積分布を一定に保つことが可能になる。なお、上
記生成物供給源１８と補助電界供給源１９とは、プラズ
マの着火、維持等にも用いることが可能である。

【００７４】

【発明の効果】以上、説明したように本発明のドライエ
ッチング装置によれば、チャンバ内の被エッチング体を
加工するためのプラズマを発生させる電界供給源および
その電界供給源からの電界をチャンバ内に引き入れるた
めの石英窓の他に、生成物供給源と補助電界供給源、も
しくは補助電界供給源を設けたことにより、被エッチン
グ体表面における酸化シリコン系の生成物の堆積分布を
制御することが可能になる。

【００７５】また本発明のドライエッチング方法によれ
ば、チャンバ内の被エッチング体を加工するためのプラ
ズマを発生させる電界供給源からの電界とは別に、酸化
シリコン系材料からなる生成物供給源をスパッタリング
してチャンバ内に生成物を供給する、もしくは電界供給
源から電界が供給される窓の一部分を介してチャンバ内
に電界を供給することによりその窓の一部分をスパッタ
リングしてチャンバ内に生成物を供給することにより、
被エッチング体表面における酸化シリコン系の生成物の
堆積分布を制御することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のドライエッチング装置に係わる第１実
施形態の概略構成図である。

【図２】第１実施形態のドライエッチング装置における
酸化シリコン系の生成物の堆積速度とウエハ位置との関
係図である。

【図３】第１実施形態のドライエッチング装置によるエ
ッチングパターン形成の説明図である。

【図４】本発明のドライエッチング装置に係わる第２実
施形態の概略構成図である。

【図５】第２実施形態の変形例の説明図である。

【図６】第２実施形態のドライエッチング装置における
酸化シリコン系の生成物の堆積速度とウエハ位置との関
係図である。

【図７】本発明のドライエッチング装置に係わる第３実
施形態の説明図である。

【図８】本発明のドライエッチング装置に係わる第４実
施形態の概略構成図である。

【図９】第４実施形態のドライエッチング装置における
酸化シリコン系の生成物の堆積速度とウエハ位置との関
係図である。

【図１０】従来のＩＣＰエッチング装置の概略構成図で
ある。

【図１１】従来のＩＣＰエッチング装置における酸化シ
リコン系の生成物の堆積速度とウエハ位置との関係図で
ある。

【図１２】従来のＩＣＰエッチング装置によるエッチン
グパターン形成の説明図である。

【符号の説明】

１ドライエッチング装置１１チャンバ１５
石英窓１６電界供給源１８生成物供給源１９補
助電界供給源２０補助電源４１ウエハ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】チャンバの外部に設けた電界供給源から
該チャンバに設けた酸化シリコン系材料からなる窓を介
して供給される電界により前記チャンバの内部にプラズ
マを生成して該チャンバ内の被エッチング体をエッチン
グするドライエッチング装置において、少なくとも一部が前記チャンバ内に表出されかつ前記窓
とは別体に設けられたもので酸化シリコン系材料からな
る生成物供給源と、前記生成物供給源を介して前記チャンバ内に電界を供給
するもので該生成物供給源を挟んで該チャンバ内に生成
される前記プラズマとは反対側に設けた補助電界供給源
と、前記補助電界供給源に電力を供給する電源とを備えたこ
とを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項２】請求項１記載のドライエッチング装置に
おいて、前記生成物供給源から発生する生成物が前記窓から発生
する生成物の分布の少ない領域に供給される位置に該生
成物供給源が設置されていることを特徴とするドライエ
ッチング装置。
【請求項３】請求項２記載のドライエッチング装置に
おいて、前記窓が前記被エッチング体の側方に設置され、前記生成物供給源が前記被エッチング体の上方に設置さ
れていることを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項４】請求項２記載のドライエッチング装置に
おいて、前記窓が前記被エッチング体の上方に設置され、前記生成物供給源が前記窓より前記被エッチング体側で
かつ前記被エッチング体の上方側部に設置されているこ
とを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項５】チャンバの外部に設けた電界供給源から
該チャンバに設けた酸化シリコン系材料からなる窓を介
して供給される電界によりチャンバの内部にプラズマを
生成して該チャンバ内の被エッチング体をエッチングす
るドライエッチング装置において、前記窓の一部分を介して前記チャンバ内に電界を供給す
るもので前記チャンバの外部にかつ該窓の一部分に隣接
して設けた補助電界供給源と、前記補助電界供給源に電力を供給する電源とを備えたこ
とを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項６】請求項５記載のドライエッチング装置に
おいて、前記補助電界供給源により該窓からの生成される生成物
を前記電界供給源により生成されたプラズマによって前
記窓から発生される生成物の分布が少ない領域に供給さ
れる位置に該補助電界供給源が設置されていることを特
徴とするドライエッチング装置。
【請求項７】請求項６記載のドライエッチング装置に
おいて、前記窓が前記被エッチング体の上方に設置され、前記補助電界供給源が前記窓を介して前記被エッチング
体とは反対側でかつ該窓の側部に設置されていることを
特徴とするドライエッチング装置。
【請求項８】チャンバの外部に設けた電界供給源から
該チャンバに設けた酸化シリコン系材料からなる窓を介
して電界を供給することで、該チャンバの内部にプラズ
マを生成して該チャンバ内の被エッチング体をエッチン
グするドライエッチング方法において、前記窓とは別体の酸化シリコン系材料からなる生成物供
給源をスパッタリングして該チャンバ内に生成物を供給
することを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項９】請求項８記載のドライエッチング方法に
おいて、前記電界供給源からの電界とは別に前記生成物供給源を
介して前記チャンバ内に供給する電界を制御して、該生
成物供給源をスパッタリングすることにより発生する生
成物量を調整することを特徴とするドライエッチング方
法。
【請求項１０】請求項８記載のドライエッチング方法
において、前記電界供給源から前記チャンバ内に電界を供給するこ
とにより前記窓をスパッタリングして発生する生成物の
分布の少ない領域に、該電界供給源からの電界とは別に
該生成物供給源を介して前記チャンバ内に電界を供給す
ることにより該生成物供給源をスパッタリングして発生
させた生成物を供給することを特徴とするドライエッチ
ング方法。
【請求項１１】請求項９記載のドライエッチング方法
において、前記電界供給源から前記チャンバ内に電界を供給するこ
とにより前記窓をスパッタリングして発生する生成物の
分布の少ない領域に、該電界供給源からの電界とは別に
該生成物供給源を介して前記チャンバ内に電界を供給す
ることにより該生成物供給源をスパッタリングして発生
させた生成物を供給することを特徴とするドライエッチ
ング方法。
【請求項１２】請求項８記載のドライエッチング方法
において、前記ドライエッチングに用いるエッチングガスは少なく
とも塩素および臭素のうちのいずれか一方を含むことを
特徴とするドライエッチング方法。
【請求項１３】請求項９記載のドライエッチング方法
において、前記ドライエッチングに用いるエッチングガスは少なく
とも塩素および臭素のうちのいずれか一方を含むことを
特徴とするドライエッチング方法。
【請求項１４】請求項１０記載のドライエッチング方
法において、前記ドライエッチングに用いるエッチングガスは少なく
とも塩素および臭素のうちのいずれか一方を含むことを
特徴とするドライエッチング方法。
【請求項１５】請求項１１記載のドライエッチング方
法において、前記ドライエッチングに用いるエッチングガスは少なく
とも塩素および臭素のうちのいずれか一方を含むことを
特徴とするドライエッチング方法。
【請求項１６】チャンバの外部に設けた電界供給源か
ら該チャンバに設けた酸化シリコン系材料からなる窓を
介して電界を供給することで、該チャンバの内部にプラ
ズマを生成して該チャンバ内の被エッチング体をエッチ
ングするドライエッチング方法において、前記電界供給源とは別に前記窓の一部分を介して前記チ
ャンバ内に電界を供給することにより該窓の一部分をス
パッタリングして該チャンバ内に生成物を供給すること
を特徴とするドライエッチング方法。
【請求項１７】請求項１６記載のドライエッチング方
法において、前記電界供給源からの電界とは別に前記窓の一部分を介
して前記チャンバ内に供給される電界を制御して、該窓
の一部分をスパッタリングすることにより発生する生成
物量を調整することを特徴とするドライエッチング方
法。
【請求項１８】請求項１６記載のドライエッチング方
法において、前記電界供給源から前記チャンバ内に電界を供給するこ
とにより前記窓をスパッタリングして発生する生成物の
分布の少ない領域に、該電界供給源からの電界とは別に
該窓の一部分を介して前記チャンバ内に電界を供給する
ことにより該窓の一部分をスパッタリングして発生させ
た生成物を供給することを特徴とするドライエッチング
方法。
【請求項１９】請求項１７記載のドライエッチング方
法において、前記電界供給源から前記チャンバ内に電界を供給するこ
とにより前記窓をスパッタリングして発生する生成物の
分布の少ない領域に、該電界供給源からの電界とは別に
該窓の一部分を介して前記チャンバ内に電界を供給する
ことにより該窓の一部分をスパッタリングして発生させ
た生成物を供給することを特徴とするドライエッチング
方法。
【請求項２０】請求項１６記載のドライエッチング方
法において、前記ドライエッチングに用いるエッチングガスは少なく
とも塩素および臭素のうちのいずれか一方を含むことを
特徴とするドライエッチング方法。
【請求項２１】請求項１７記載のドライエッチング方
法において、前記ドライエッチングに用いるエッチングガスは少なく
とも塩素および臭素のうちのいずれか一方を含むことを
特徴とするドライエッチング方法。
【請求項２２】請求項１８記載のドライエッチング方
法において、前記ドライエッチングに用いるエッチングガスは少なく
とも塩素および臭素のうちのいずれか一方を含むことを
特徴とするドライエッチング方法。
【請求項２３】請求項１９記載のドライエッチング方
法において、前記ドライエッチングに用いるエッチングガスは少なく
とも塩素および臭素のうちのいずれか一方を含むことを
特徴とするドライエッチング方法。