JP2020022091A - 光電センサ - Google Patents
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Abstract
Description
図1から図3を参照しつつ、本実施形態に係る光電センサ10の構成の一例について説明する。図1は、本実施形態に係る光電センサ10を含む検出システム1の概要を示す図である。検出システム1は、光電センサ10と、コントローラ20と、コンピュータ30と、ロボット40と、搬送装置50とを備える。
投光部11は、対象物100が到来する検出範囲10aに向けて光を出射する。投光部11は、投光素子11a及び駆動回路11bを含んでよい。投光素子11aは、LED(Light Emitting Diode)やレーザダイオードで構成されてよく、駆動回路11bは、投光素子11aを発光させるための電流を制御する。駆動回路11bは、投光素子11aを間欠的に、例えば0.1ms周期でパルス発光させてよい。投光素子11aから出射した光は、図示しないレンズ又は光ファイバを介して、検出範囲10aに照射されてよい。
受光部12は、光の受光に基づく時系列の信号値を取得する。受光部12は、受光素子12a、増幅器12b、サンプル/ホールド回路12c及びA/D変換器12dを含んでよい。受光素子12aは、フォトダイオードによって構成されてよく、受光量を電気的な出力信号に変換する。受光部12は、検出範囲10aにおいて反射又は透過した光を、図示しないレンズ又は光ファイバを介して受光素子12aに入射させてよい。増幅器12bは、受光素子12aの出力信号を増幅する。サンプル/ホールド回路12cは、投光部11によるパルス発光のタイミングに同期して、増幅器12bにより増幅された受光素子12aの出力信号を保持する。これにより外乱光の影響が低減される。A/D変換器12dは、サンプル/ホールド回路12cにより保持されたアナログの信号値をデジタル値である受光量の値に変換する。
処理部13は、動作制御部13a、FIFO(First In First Out)メモリ13b、モデル記憶部13c及び判定部13dを含む。処理部13は、例えば、マイクロプロセッサ、メモリ及びメモリに格納されたプログラム等から構成されるコンピュータとして構成されてよい。
操作部14は、光電センサ10の操作を行うためのものであり、操作スイッチ、表示器などを含んでよい。光電センサ10の操作者は、操作部14を用いて、光電センサ10の動作モードの設定等の指示の入力や動作状態の確認を行うことができる。なお、本実施形態に係る光電センサ10は、動作モードとして、判定モデルを生成するための学習モードと、生成された判定モデルを用いて対象物100の状態を判定するための判定モードを備えてよい。
出力部15は、判定部13dによる判定結果を含む様々なデータの出力を行う。出力部15は、最も簡単には判定部13dによる判定結果の2値出力を行ってよい。なお、光電センサ10は、出力部15に代えて通信部を備え、大量のデータの入出力を行えるようにしてもよい。
対象物(100)が到来する検出範囲(10a)に向けて光を出射する投光部(11)と、
前記光の受光に基づく時系列の信号値を取得する受光部(12)と、
取得された順に順序付けて所定数の前記信号値を記憶し、周期的に、新たに取得された前記信号値により所定数の前記信号値を更新するFIFOメモリ(13b)と、
前記FIFOメモリ(13b)に記憶された所定数の前記信号値により構成される波形と、前記対象物(100)の特定の状態に対応する基準波形との一致度のランクを判定する判定モデルを記憶するモデル記憶部(13c)と、
前記FIFOメモリ(13b)の更新を1回又は複数回行う毎に一度の頻度で、前記判定モデルによる判定を実行し、前記一致度のランクに基づいて、前記対象物(100)の状態を判定する判定部(13d)と、
を備える光電センサ(10)。
Claims (10)
- 対象物が到来する検出範囲に向けて光を出射する投光部と、
前記光の受光に基づく時系列の信号値を取得する受光部と、
取得された順に順序付けて所定数の前記信号値を記憶し、周期的に、新たに取得された前記信号値により所定数の前記信号値を更新するFIFOメモリと、
前記FIFOメモリに記憶された所定数の前記信号値により構成される波形と、前記対象物の特定の状態に対応する基準波形との一致度のランクを判定する判定モデルを記憶するモデル記憶部と、
前記FIFOメモリの更新を1回又は複数回行う毎に一度の頻度で、前記判定モデルによる判定を実行し、前記一致度のランクに基づいて、前記対象物の状態を判定する判定部と、
を備える光電センサ。 - 前記判定モデルは、機械学習によって生成された学習済みモデルである、
請求項1に記載の光電センサ。 - 前記判定モデルは、前記FIFOメモリに記憶された前記所定数の信号値と、前記所定数の信号値にそれぞれ対応する、前記基準波形を表す参照値との差異から前記一致度を算出することを含むモデルである、
請求項1に記載の光電センサ。 - 前記判定モデルは、前記一致度が所定値よりも高い場合に一致度が高ランクであると判定するモデルであり、
前記判定部は、前記高ランクの判定結果が得られた場合に、前記対象物の状態は前記特定の状態であると判定する、
請求項1から3のいずれか一項に記載の光電センサ。 - 前記判定モデルは、さらに、前記一致度が前記所定値よりも高くないが前記所定値より小さい第2所定値よりも高い場合に一致度が中ランクであると判定するモデルであり、
前記判定部は、前記対象物が前記検出範囲を通過するのに要する時間の範囲内で、前記高ランクの場合がなく前記中ランクの場合があるときに、前記特定の状態ではない前記対象物が到来したと判定する、
請求項4に記載の光電センサ。 - 前記信号値に基づいて前記判定モデルを生成し、生成した前記判定モデルを前記モデル記憶部に記憶させる動作制御部をさらに備える、
請求項1から5のいずれか一項に記載の光電センサ。 - 前記動作制御部は、時系列の前記信号値の変動が比較的小さい安定期に続いて、時系列の前記信号値の変動が比較的大きい変動期が現れた場合に、前記変動期に属する前記信号値に基づいて前記判定モデルを生成する、
請求項6に記載の光電センサ。 - 前記動作制御部は、前記判定モデルを外部に出力可能である、
請求項6又は7に記載の光電センサ。 - 前記動作制御部は、時系列の前記信号値を外部に出力可能である、
請求項6又は7に記載の光電センサ。 - 前記判定モデルを外部から取得し、前記モデル記憶部に記憶させる動作制御部をさらに備える、
請求項1から5のいずれか一項に記載の光電センサ。
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