JP2020021879A - 面発光レーザ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】活性層のダーク欠陥を抑制できる面発光レーザ装置を提供する。【解決手段】面発光レーザ装置１は、頂部４５、基部４６および側壁４７を含むメサ構造４１と、メサ構造４１の基部４６を形成するｎ型半導体層２４と、メサ構造４１の頂部４５を形成するｐ型半導体層２６と、メサ構造４１の頂部４５側に位置する第１平坦領域６３、および、第１平坦領域６３に対してメサ構造４１の基部４６側にずれて形成された第２平坦領域６４を含み、メサ構造４１においてｎ型半導体層２４およびｐ型半導体層２６の間に介在する活性層２５と、を含む。【選択図】図５

Description

本発明は、面発光レーザ装置に関する。

特許文献１は、面発光レーザ装置の一例としての面発光レーザアレイを開示している。この面発光レーザアレイは、凸状に形成されたメサ構造を含む。メサ構造は、一対の分布ブラッグ反射器と、一対の分布ブラッグ反射器の間に介在する活性層と、を含む。

特開２００７−７３５８５号公報

面発光レーザ装置では、メサ構造に生じる転位欠陥（結晶欠陥）の問題が知られている。転位欠陥は、メサ構造に生じた応力に起因して発生し、メサ構造を形成する半導体層の結晶面に沿って拡張する。転位欠陥は、メサ構造の側壁側の領域で発生し、内方領域に向けて拡張する傾向がある。
活性層に転位欠陥が生じた場合には、転位欠陥に起因してダーク欠陥（Dark Defect）と称される非発光領域が形成される。ダークライン欠陥（Dark Line Defect）、ダークスポット欠陥（Dark Spot Defect）、ダーク領域（Dark region）等が、ダーク欠陥の形態として例示される。

ダークライン欠陥は、ライン状に拡張した転移欠陥によって形成される。ダークスポット欠陥は、点状に拡張した転移欠陥によって形成される。ダーク領域は、面状に拡張した転移欠陥によって形成される。活性層では、これらダーク欠陥のうちのダークライン欠陥が顕著に観られる。
本発明の一実施形態は、活性層のダーク欠陥を抑制できる面発光レーザ装置を提供する。

本発明の一実施形態は、頂部、基部、ならびに、前記頂部および前記基部を接続する側壁を含むメサ構造と、前記メサ構造の前記基部を形成する第１導電型の第１半導体層と、前記メサ構造の前記頂部を形成する第２導電型の第２半導体層と、前記メサ構造の前記頂部側に位置する頂部側領域、および、前記頂部側領域に対して前記メサ構造の前記基部側にずれて形成された基部側領域を含み、前記メサ構造において前記第１半導体層および前記第２半導体層の間に介在する活性層と、を含む、面発光レーザ装置を提供する。

この面発光レーザ装置によれば、活性層の頂部側領域および基部側領域の間において転移欠陥の拡張を抑制できる。よって、活性層のダーク欠陥の発生を抑制できる。

図１は、本発明の第１実施形態に係る面発光レーザ装置を示す平面図である。 図２は、図１に示す領域IIの拡大図である。 図３は、図１に示すIII-III線に沿う断面図である。 図４は、図１に示すIV-IV線に沿う断面図である。 図５は、図３に示す領域Vの拡大図である。 図６は、図５に示す領域VIの拡大図である。 図７は、図５に示す領域VIIの拡大図である。 図８Ａは、図５に対応する領域の拡大図であって、図１に示す面発光レーザ装置の製造方法の一例を説明するための図である。 図８Ｂは、図８Ａの後の工程を示す図である。 図８Ｃは、図８Ｂの後の工程を示す図である。 図８Ｄは、図８Ｃの後の工程を示す図である。 図８Ｅは、図８Ｄの後の工程を示す図である。 図８Ｆは、図８Ｅの後の工程を示す図である。 図８Ｇは、図８Ｆの後の工程を示す図である。 図８Ｈは、図８Ｇの後の工程を示す図である。 図８Ｉは、図８Ｈの後の工程を示す図である。 図８Ｊは、図８Ｉの後の工程を示す図である。 図９は、図３に対応する領域の断面図であって、本発明の第２実施形態に係る面発光レーザ装置を示す図である。 図１０は、図９に示す領域Xの拡大図である。 図１１は、図１０に示す領域XIの拡大図である。 図１２Ａは、図１０に対応する領域の拡大図であって、図９に示す面発光レーザ装置の製造方法の一例を説明するための図である。 図１２Ｂは、図１２Ａの後の工程を示す図である。 図１２Ｃは、図１２Ｂの後の工程を示す図である。 図１２Ｄは、図１２Ｃの後の工程を示す図である。 図１２Ｅは、図１２Ｄの後の工程を示す図である。 図１２Ｆは、図１２Ｅの後の工程を示す図である。 図１２Ｇは、図１２Ｆの後の工程を示す図である。 図１２Ｈは、図１２Ｇの後の工程を示す図である。 図１２Ｉは、図１２Ｈの後の工程を示す図である。 図１２Ｊは、図１２Ｉの後の工程を示す図である。 図１３は、図５に対応する領域の拡大図であって、本発明の第３実施形態に係る面発光レーザ装置の構造を説明するための図である。 図１４は、図１３に示す領域XIVの拡大図である。 図１５は、図５に対応する領域の拡大図であって、本発明の第４実施形態に係る面発光レーザ装置の構造を説明するための図である。 図１６は、図１５に示す領域XVIの拡大図である。 図１７は、図３に対応する領域の断面図であって、本発明の第５実施形態に係る面発光レーザ装置の構造を説明するための図である。 図１８は、図１７に示す領域XVIIIの拡大図である。 図１９は、図３に対応する領域の断面図であって、本発明の第６実施形態に係る面発光レーザ装置の構造を説明するための図である。 図２０は、図１９に示す領域XXの拡大図である。 図２１は、トレンチの第１変形例を示す断面図である。 図２２は、トレンチの第２変形例を示す平面図である。

以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る面発光レーザ装置１を示す平面図である。図２は、図１に示す領域IIの拡大図である。
面発光レーザ装置１は、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）と称される半導体レーザ装置である。図１を参照して、面発光レーザ装置１は、直方体形状のチップ本体２を含む。

チップ本体２は、一方側の第１主面３、他方側の第２主面４、ならびに、第１主面３および第２主面４を接続する側面５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄを含む。第１主面３および第２主面４は、それらの法線方向Ｙから見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において四角形状（この形態では長方形状）に形成されている。
側面５Ａ〜５Ｄは、法線方向Ｙに沿って平面的に延びている。側面５Ａ，５Ｃは、チップ本体２の長辺を形成し、短手方向に互いに対向している。側面５Ｂ，５Ｄは、チップ本体２の短辺を形成し、長手方向に互いに対向している。

平面視において側面５Ａ，５Ｃの幅Ｗ１は、２００μｍ以上２０００μｍ以下であってもよい。幅Ｗ１は、２００μｍ以上４００μｍ以下、４００μｍ以上６００μｍ以下、６００μｍ以上８００μｍ以下、８００μｍ以上１０００μｍ以下、１０００μｍ以上１２００μｍ以下、１２００μｍ以上１４００μｍ以下、１４００μｍ以上１６００μｍ以下、１６００μｍ以上１８００μｍ以下、または、１８００μｍ以上２０００μｍ以下であってもよい。幅Ｗ１は、５００μｍ±５μｍであってもよい。

平面視において側面５Ｂ，５Ｄの幅Ｗ２は、２００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。幅Ｗ２は、２００μｍ以上３００μｍ以下、３００μｍ以上４００μｍ以下、４００μｍ以上５００μｍ以下、５００μｍ以上６００μｍ以下、６００μｍ以上７００μｍ以下、７００μｍ以上８００μｍ以下、８００μｍ以上９００μｍ以下、または、９００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。幅Ｗ２は、３４０μｍ±５μｍであってもよい。

チップ本体２の第１主面３には、法線方向Ｙに向けてレーザ光を放出する発光部６（半導体発光層）が形成されている。この形態では、複数の発光部６が、平面視においてチップ本体２の長手方向および短手方向に間隔を空けて形成されている。
複数の発光部６は、この形態では、平面視において互いに間隔を空けて千鳥状に配列されている。つまり、複数の発光部６は、平面視において三角形（この形態では正三角形）の３つの頂点に１つの発光部６がそれぞれ位置する態様で配列されている。複数の発光部６は、より具体的に、平面視において六角形（この形態では正六角形）の６つの頂点に１つの発光部６がそれぞれ位置する態様で配列されている。

複数の発光部６は、さらに具体的には、平面視において六角形（この形態では正六角形）の６つの頂点に１つの発光部６がそれぞれ位置し、かつ、六角形の中央部に１つの発光部６が位置する態様で配列されている。複数の発光部６は、千鳥状の配列に代えて、平面視において行列状または放射状（同心円状）に配列されていてもよい。
複数の発光部６は、この形態では、平面視において円形状にそれぞれ形成されている。発光部６の平面形状は任意である。発光部６は、円形状に代えて、平面視において三角形状、四角形状または六角形状等の多角形状、もしくは、楕円形状に形成されていてもよい。

複数の発光部６は、トレンチ７（溝）によってそれぞれ区画されている。トレンチ７は、チップ本体２の第１主面３を第２主面４側に向かって掘り下げることにより形成されている。トレンチ７は、平面視において発光部６を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。発光部６およびトレンチ７の具体的な構造については、後述する。
複数の発光部６の最近接間距離Ｌ１は、１０μｍ以上１５０μｍ以下であってもよい。最近接間距離Ｌ１は、最近接する２つの発光部６の間の距離である。最近接間距離Ｌ１は、１０μｍ以上２５μｍ以下、２５μｍ以上５０μｍ以下、５０μｍ以上７５μｍ以下、７５μｍ以上１００μｍ以下、１００μｍ以上１２５μｍ以下、または、１２５μｍ以上１５０μｍ以下であってもよい。

複数の発光部６の第１最遠距離Ｌ２は、側面５Ａ，５Ｃの幅Ｗ１に応じて設定される。第１最遠距離Ｌ２は、チップ本体２の長手方向の両端部に位置する最も離れた２つの発光部６の間の距離である。
第１最遠距離Ｌ２は、２００μｍ以上２０００μｍ以下であってもよい。第１最遠距離Ｌ２は、２００μｍ以上４００μｍ以下、４００μｍ以上６００μｍ以下、６００μｍ以上８００μｍ以下、８００μｍ以上１０００μｍ以下、１０００μｍ以上１２００μｍ以下、１２００μｍ以上１４００μｍ以下、１４００μｍ以上１６００μｍ以下、１６００μｍ以上１８００μｍ以下、または、１８００μｍ以上２０００μｍ以下であってもよい。

複数の発光部６の第２最遠距離Ｌ３は、側面５Ｂ，５Ｄの幅Ｗ２に応じて設定される。第２最遠距離Ｌ３は、チップ本体２の短手方向の両端部に位置する最も離れた２つの発光部６の間の距離である。
第２最遠距離Ｌ３は、２００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。第２最遠距離Ｌ３は、２００μｍ以上３００μｍ以下、３００μｍ以上４００μｍ以下、４００μｍ以上５００μｍ以下、５００μｍ以上６００μｍ以下、６００μｍ以上７００μｍ以下、７００μｍ以上８００μｍ以下、８００μｍ以上９００μｍ以下、または、９００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。

チップ本体２の第１主面３の上には、絶縁層８が形成されている。絶縁層８は、複数の発光部６を一括して被覆している。絶縁層８は、チップ本体２の第１主面３の上から各トレンチ７に入り込んでいる。絶縁層８は、各トレンチ７内において発光部６を被覆している。
絶縁層８は、第１主面３の上において側面５Ａ〜５Ｄから内方領域に間隔を空けて形成されている。絶縁層８は、第１主面３の周縁部を露出させている。絶縁層８の周縁は、チップ本体２の側面５Ａ〜５Ｄとの間においてダイシングストリート１０を区画している。

ダイシングストリート１０は、チップ本体２の周縁部に沿って帯状に延びている。ダイシングストリート１０は、平面視において絶縁層８を取り囲む環状（この形態では四角環状）に形成されている。
ダイシングストリート１０の幅ＷＤは、１μｍ以上２５μｍ以下であってもよい。幅ＷＤは、１μｍ以上５μｍ以下、５μｍ以上１０μｍ以下、１０μｍ以上１５μｍ以下、１５μｍ以上２０μｍ以下、または、２０μｍ以上２５μｍ以下であってもよい。幅ＷＤは、平面視においてダイシングストリート１０が延びる方向に直交する方向の幅である。

このような構造によれば、ダイシングブレード等によって絶縁層８を物理的に切断しなくて済む。これにより、切断時間を短縮できると同時に、ダイシングブレード等の摩耗を抑制できる。
チップ本体２の第１主面３の上には、第１主面電極層９が形成されている。第１主面電極層９は、より具体的には、絶縁層８の上に形成されている。第１主面電極層９は、発光部６に電気的に接続されている。

第１主面電極層９は、複数の発光部６を一括して被覆している。第１主面電極層９は、絶縁層８の上から各トレンチ７に入り込んでいる。第１主面電極層９は、各トレンチ７内において各発光部６に電気的に接続されている。
第１主面電極層９は、絶縁層８の上において側面５Ａ〜５Ｄから内方領域に間隔を空けて形成されている。第１主面電極層９の周縁は、第１主面３の周縁部を露出させている。第１主面電極層９は、より具体的には、絶縁層８の周縁から内方領域に間隔を空けて形成されている。第１主面電極層９の周縁は、絶縁層８の周縁を露出させている。

このような構造によれば、ダイシングブレード等によって第１主面電極層９を物理的に切断しなくて済む。これにより、切断時間を短縮できると同時に、ダイシングブレード等の摩耗を抑制できる。
第１主面電極層９の上には、外部接続される外部端子１１が形成されている。図１では、明瞭化のため、外部端子１１がハッチングによって示されている。外部端子１１は、第１主面電極層９の周縁部に配置されている。外部端子１１は、この形態では、第１主面電極層９の周縁部において側面５Ａに沿う領域に配置されている。

外部端子１１には、導線が接続される。導線は、ボンディングワイヤ等であってもよい。外部端子１１を第１主面電極層９の周縁部に配置することによって、導線が発光部６の上を横切ることを防止できる。よって、チップ本体２の第１主面３から光を適切に取り出すことができる。
図３は、図１に示すIII-III線に沿う断面図である。図４は、図１に示すIV-IV線に沿う断面図である。図５は、図３に示す領域Vの拡大図である。図６は、図５に示す領域VIの拡大図である。図７は、図５に示す領域VIIの拡大図である。

図３および図４を参照して、チップ本体２は、基板２０、および、基板２０の上に積層された半導体積層構造２１（半導体層）を含む。半導体積層構造２１は、複数の半導体層が積層された積層構造を有している。
チップ本体２の第１主面３は、半導体積層構造２１によって形成されている。チップ本体２の第２主面４は、基板２０によって形成されている。チップ本体２の側面５Ａ〜５Ｄは、基板２０および半導体積層構造２１によって形成されている。

基板２０は、化合物半導体材料からなる単結晶によって形成されている。基板２０は、より具体的には、正方晶を形成する化合物半導体材料からなる単結晶によって形成されている。化合物半導体材料は、III-V族半導体材料であってもよい。基板２０は、この形態では、正方晶からなるＧａＡｓ単結晶によって形成されている。
基板２０は、一方側の第１基板主面２２および他方側の第２基板主面２３を含む。基板２０の第２基板主面２３は、チップ本体２の第２主面４を形成している。第１基板主面２２は、ＧａＡｓ単結晶の（１００）面に面している。

第１基板主面２２は、この形態では、ＧａＡｓ単結晶の（１００）面に対して０°を超えて５°以下の角度で傾斜したオフ角を有している。オフ角は、典型的には２°、より具体的には、２°±０．２°の範囲に設定される。オフ角は０°であってもよい。つまり、第１基板主面２２は、ＧａＡｓ単結晶の（１００）面であってもよい。
基板２０は、ｎ型不純物を含むｎ型のＧａＡｓ単結晶によって形成されていてもよい。基板２０のｎ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^−３以上５×１０^１８ｃｍ^−３以下であってもよい。基板２０のｎ型不純物は、Ｓｉ（シリコン）であってもよい。

基板２０の厚さＴＳは、５０μｍ以上３００μｍ以下であってもよい。厚さＴＳは、５０μｍ以上１００μｍ以下、１００μｍ以上１５０μｍ以下、１５０μｍ以上２００μｍ以下、２００μｍ以上２５０μｍ以下、または、２５０μｍ以上３００μｍ以下であってもよい。
半導体積層構造２１は、基板２０の第１基板主面２２から化合物半導体（より具体的には、III-V族半導体）を結晶成長させることにより形成されている。半導体積層構造２１は、基板２０の第１基板主面２２と同じ結晶面を有する複数の化合物半導体層を含む。

半導体積層構造２１は、より具体的には、基板２０の第１基板主面２２の上からこの順に積層されたｎ型半導体層２４、活性層２５およびｐ型半導体層２６を含む。ｎ型半導体層２４およびｐ型半導体層２６は、活性層２５を挟み込んでいる。ｎ型半導体層２４、活性層２５およびｐ型半導体層２６によって、ダブルヘテロ構造が形成されている。
ｎ型半導体層２４は、活性層２５に電子を供給する。ｐ型半導体層２６は、活性層２５に正孔を供給する。ｎ型半導体層２４からの電子およびｐ型半導体層２６からの正孔は、活性層２５において結合する。これにより、活性層２５において光が生成される。

活性層２５において赤外光が生成されてもよい。活性層２５において生成される光の波長は、８００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であってもよい。活性層２５において生成される光の波長は、９３０ｎｍ以上９５０ｎｍ以下であってもよい。
図３〜図５を参照して、ｎ型半導体層２４は、基板２０の第１基板主面２２の上からこの順に積層されたｎ型バッファ層２７、ｎ型光反射層２８およびｎ型クラッド層２９を含む。

ｎ型バッファ層２７は、この形態では、ｎ型のＧａＡｓを含む。ｎ型バッファ層２７のｎ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^−３以上５×１０^１８ｃｍ^−３であってもよい。ｎ型バッファ層２７のｎ型不純物は、Ｓｉ（シリコン）であってもよい。
ｎ型バッファ層２７の厚さは、０．０５μｍ以上０．２μｍ以下であってもよい。ｎ型バッファ層２７の厚さは、０．０５μｍ以上０．１μｍ以下、０．１μｍ以上０．１５μｍ以下、または、０．１５μｍ以上０．２μｍ以下であってもよい。

ｎ型光反射層２８は、この形態では、ｎ型ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector：分布ブラッグ反射）層を含む。ｎ型ＤＢＲ層は、法線方向Ｙに周期的に変化する屈折率を有し、特定の波長成分を共振反射させる。
特定の波長成分は、活性層２５で生成された光の波長成分である。ｎ型光反射層２８は、より具体的には、Ａｌ（アルミニウム）組成をそれぞれ含み、互いに異なる屈折率をそれぞれ有する複数のＡｌ組成層が積層された積層構造を有している。

ｎ型光反射層２８は、この形態では、Ａｌ組成αを有するｎ型高Ａｌ組成層３０、および、ｎ型高Ａｌ組成層３０のＡｌ組成α未満のＡｌ組成β（β＜α）を有するｎ型低Ａｌ組成層３１が任意の周期で交互に積層された積層構造を有している。ｎ型低Ａｌ組成層３１の屈折率は、ｎ型高Ａｌ組成層３０の屈折率よりも大きい。
ｎ型高Ａｌ組成層３０およびｎ型低Ａｌ組成層３１は、１以上６０以下の周期で交互に積層されていてもよい。ｎ型高Ａｌ組成層３０およびｎ型低Ａｌ組成層３１の積層周期は、１以上１０以下、１０以上２０以下、２０以上３０以下、３０以上４０以下、４０以上５０以下、または、５０以上６０以下であってもよい。

ｎ型高Ａｌ組成層３０は、ｎ型のＡｌ_αＧａ_{（１−α）}Ａｓを含んでいてもよい。ｎ型高Ａｌ組成層３０のＡｌ組成αは、０．５以上０．９５以下であってもよい。Ａｌ組成αは、０．５以上０．５５以下、０．５５以上０．６以下、０．６以上０．６５以下、０．６５以上０．７以下、０．７以上０．７５以下、０．７５以上０．８以下、０．８以上０．８５以下、０．８５以上０．９以下、または、０．９以上０．９５以下であってもよい。

ｎ型高Ａｌ組成層３０のｎ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^−３以上５×１０^１８ｃｍ^−３以下であってもよい。ｎ型高Ａｌ組成層３０のｎ型不純物は、Ｓｉ（シリコン）であってもよい。
ｎ型低Ａｌ組成層３１は、ｎ型のＡｌ_βＧａ_{（１−β）}Ａｓを含んでいてもよい。ｎ型低Ａｌ組成層３１のＡｌ組成βは、０．０５以上０．２５以下であってもよい。Ａｌ組成βは、０．０５以上０．１以下、０．１以上０．１５以下、０．１５以上０．２以下、または、０．２以上０．２５以下であってもよい。

ｎ型低Ａｌ組成層３１のｎ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^−３以上５×１０^１８ｃｍ^−３以下であってもよい。ｎ型低Ａｌ組成層３１のｎ型不純物は、Ｓｉ（シリコン）であってもよい。
ｎ型高Ａｌ組成層３０の厚さは、λ／（４×ｎ１）Åであってもよい。ｎ型低Ａｌ組成層３１の厚さは、λ／（４×ｎ２）Åであってもよい。λは、活性層２５で生成される光の波長である。ｎ１は、ｎ型高Ａｌ組成層３０の屈折率である。ｎ２は、ｎ型低Ａｌ組成層３１の屈折率である。

ｎ型低Ａｌ組成層３１の厚さは、ｎ型高Ａｌ組成層３０の厚さ以下であってもよい。ｎ型低Ａｌ組成層３１の厚さは、ｎ型高Ａｌ組成層３０の厚さ未満であってもよい。
ｎ型高Ａｌ組成層３０の厚さは、５００Å以上９００Å以下であってもよい。ｎ型高Ａｌ組成層３０の厚さは、５００Å以上６００Å以下、６００Å以上７００Å以下、７００Å以上８００Å以下、または、８００Å以上９００Å以下であってもよい。

ｎ型低Ａｌ組成層３１の厚さは、４００Å以上８００Å以下であってもよい。ｎ型低Ａｌ組成層３１の厚さは、４００Å以上５００Å以下、５００Å以上６００Å以下、６００Å以上７００Å以下、または、７００Å以上８００Å以下であってもよい。
ｎ型クラッド層２９は、この形態では、ｎ型のＡｌ_γＧａ_{（１−γ）}Ａｓを含む。ｎ型クラッド層２９のＡｌ組成γは、ｎ型低Ａｌ組成層３１のＡｌ組成βを超えて、ｎ型高Ａｌ組成層３０のＡｌ組成α未満（β＜γ＜α）であってもよい。

ｎ型クラッド層２９のＡｌ組成γは、０．２以上０．７以下であってもよい。Ａｌ組成γは、０．２以上０．２５以下、０．２５以上０．３以下、０．３以上０．３５以下、０．３５以上０．４以下、０．４以上０．４５以下、０．４５以上０．５以下、０．５以上０．５５以下、０．５５以上０．６以下、０．６以上０．６５以下、または、０．６５以上０．７以下であってもよい。

ｎ型クラッド層２９のｎ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^−３以上５×１０^１８ｃｍ^−３以下であってもよい。ｎ型クラッド層２９のｎ型不純物は、Ｓｉ（シリコン）であってもよい。ｎ型クラッド層２９は、不純物無添加（アンドープ）であってもよい。
ｎ型クラッド層２９の厚さは、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。ｎ型クラッド層２９の厚さは、０．０５μｍ以上０．１μｍ以下、０．１μｍ以上０．２μｍ以下、０．２μｍ以上０．３μｍ以下、０．３μｍ以上０．４μｍ以下、または、０．４μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。

活性層２５は、量子井戸層および障壁層を含むＱＷ（Quantum Well：量子井戸構造）を有していてもよい。活性層２５は、この形態では、量子井戸層および障壁層が任意の周期で交互に積層されたＭＱＷ（Multi Quantum Well：多重量子井戸）構造を有している。
量子井戸層および障壁層は、１以上５０以下の周期で交互に積層されていてもよい。量子井戸層および障壁層の積層周期は、１以上１０以下、１０以上２０以下、２０以上３０以下、３０以上４０以下、または、４０以上５０以下であってもよい。

量子井戸層は、ＧａＡｓを含んでいてもよい。量子井戸層は、不純物無添加であってもよい。量子井戸層の厚さは、１０Å以上２００Å以下であってもよい。量子井戸層の厚さは、１０Å以上５０Å以下、５０Å以上１００Å以下、１００Å以上１５０Å以下、または、１５０Å以上２００Å以下であってもよい。
障壁層は、量子井戸層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有している。障壁層は、Ａｌ_δＧａ_{（１−δ）}Ａｓを含んでいてもよい。障壁層のＡｌ組成δは、０．１５以上０．５以下であってもよい。

Ａｌ組成δは、０．１５以上０．２以下、０．２以上０．２５以下、０．２５以上０．３以下、０．３以上０．３５以下、０．３５以上０．４以下、０．４以上０．４５以下、または、０．４５以上０．５以下であってもよい。
障壁層の厚さは、１０Å以上２００Å以下であってもよい。障壁層の厚さは、１０Å以上５０Å以下、５０Å以上１００Å以下、１００Å以上１５０Å以下、または、１５０Å以上２００Å以下であってもよい。

活性層２５の総厚さＴＡは２００Å以上１６００Å以下であってもよい。総厚さＴＡは、２００Å以上４００Å以下、４００Å以上６００Å以下、６００Å以上８００Å以下、８００Å以上１０００Å以下、１０００Å以上１２００Å以下、１２００Å以上１４００Å以下、または、１４００Å以上１６００Å以下であってもよい。
ＭＱＷ構造の最下層および最上層は、それぞれ障壁層によって形成されていてもよい。多重量子井戸構造において最下層および最上層を形成する２つ障壁層の厚さは、ＭＱＷ構造において中間層を形成する１つまたは複数の障壁層の厚さよりも大きくてもよい。

ｐ型半導体層２６は、活性層２５の上からこの順に積層されたｐ型クラッド層３２、ｐ型光反射層３３およびｐ型コンタクト層３４を含む。
ｐ型クラッド層３２は、この形態では、ｐ型のＡｌ_εＧａ_{（１−ε）}Ａｓを含む。ｐ型クラッド層３２のＡｌ組成εは、０．２以上０．７以下であってもよい。Ａｌ組成εは、０．２以上０．２５以下、０．２５以上０．３以下、０．３以上０．３５以下、０．３５以上０．４以下、０．４以上０．４５以下、０．５以上０．５５以下、０．５５以上０．６以下、０．６以上０．６５以下、または、０．６５以上０．７以下であってもよい。

ｐ型クラッド層３２のｐ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^−３以上５×１０^１８ｃｍ^−３以下であってもよい。ｐ型クラッド層３２のｐ型不純物は、Ｃ（炭素）であってもよい。ｐ型クラッド層３２の厚さは、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。
ｐ型クラッド層３２の厚さは、０．０５μｍ以上０．１μｍ以下、０．１μｍ以上０．２μｍ以下、０．２μｍ以上０．３μｍ以下、０．３μｍ以上０．４μｍ以下、または、０．４μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。

ｐ型光反射層３３は、この形態では、ｐ型ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector：分布ブラッグ反射）層を含む。ｐ型ＤＢＲ層は、法線方向Ｙに周期的に変化する屈折率を有し、特定の波長成分を共振反射させる。
特定の波長成分は、活性層２５で生成された光の波長成分である。ｐ型光反射層３３は、より具体的には、Ａｌ（アルミニウム）組成をそれぞれ含み、互いに異なる屈折率をそれぞれ有する複数のＡｌ組成層が積層された積層構造を有している。

ｐ型光反射層３３は、この形態では、Ａｌ組成ζを有するｐ型高Ａｌ組成層３５、および、ｐ型高Ａｌ組成層３５のＡｌ組成ζ未満のＡｌ組成η（η＜ζ）を有するｐ型低Ａｌ組成層３６が任意の周期で交互に積層された積層構造を有している。ｐ型低Ａｌ組成層３６の屈折率は、ｐ型高Ａｌ組成層３５の屈折率よりも大きい。
ｐ型高Ａｌ組成層３５およびｐ型低Ａｌ組成層３６は、１以上６０以下の周期で交互に積層されていてもよい。ｐ型高Ａｌ組成層３５およびｐ型低Ａｌ組成層３６の積層周期は、１以上１０以下、１０以上２０以下、２０以上３０以下、３０以上４０以下、４０以上５０以下、または、５０以上６０以下であってもよい。

ｐ型高Ａｌ組成層３５は、ｐ型のＡｌ_ζＧａ_{（１−ζ）}Ａｓを含んでいてもよい。ｐ型高Ａｌ組成層３５のＡｌ組成ζは、ｐ型クラッド層３２のＡｌ組成εを超えていてもよい（ζ＞ε）。Ａｌ組成ζは、０．５以上０．９５以下であってもよい。
Ａｌ組成ζは、０．５以上０．５５以下、０．５５以上０．６以下、０．６以上０．６５以下、０．６５以上０．７以下、０．７以上０．７５以下、０．７５以上０．８以下、０．８以上０．８５以下、０．８５以上０．９以下、または、０．９以上０．９５以下であってもよい。ｐ型高Ａｌ組成層３５のｐ型不純物濃度は、１×１０^１８ｃｍ^−３以上１×１０^１９ｃｍ^−３以下であってもよい。ｐ型高Ａｌ組成層３５のｐ型不純物は、Ｃ（炭素）であってもよい。

ｐ型低Ａｌ組成層３６は、ｐ型のＡｌ_ηＧａ_{（１−η）}Ａｓを含んでいてもよい。ｐ型低Ａｌ組成層３６のＡｌ組成ηは、ｐ型クラッド層３２のＡｌ組成ε未満（η＜ε＜ζ）であってもよい。Ａｌ組成ηは、０．０５以上０．２５以下であってもよい。
Ａｌ組成ηは、０．０５以上０．１以下、０．１以上０．１５以下、０．１５以上０．２以下、または、０．２以上０．２５以下であってもよい。ｐ型低Ａｌ組成層３６のｐ型不純物濃度は、１×１０^１８ｃｍ^−３以上１×１０^１９ｃｍ^−３以下であってもよい。ｐ型低Ａｌ組成層３６のｐ型不純物は、Ｃ（炭素）であってもよい。

ｐ型高Ａｌ組成層３５の厚さは、λ／（４×ｎ３）Åであってもよい。ｐ型低Ａｌ組成層３６の厚さは、λ／（４×ｎ４）Åであってもよい。λは、活性層２５で生成される光の波長である。ｎ３は、ｐ型高Ａｌ組成層３５の屈折率である。ｎ４は、ｐ型低Ａｌ組成層３６の屈折率である。
ｐ型低Ａｌ組成層３６の厚さは、ｐ型高Ａｌ組成層３５の厚さ以下であってもよい。ｐ型低Ａｌ組成層３６の厚さは、ｐ型高Ａｌ組成層３５の厚さ未満であってもよい。

ｐ型高Ａｌ組成層３５の厚さは、５００Å以上９００Å以下であってもよい。ｐ型高Ａｌ組成層３５の厚さは、５００Å以上６００Å以下、６００Å以上７００Å以下、７００Å以上８００Å以下、または、８００Å以上９００Å以下であってもよい。
ｐ型低Ａｌ組成層３６の厚さは、４００Å以上８００Å以下であってもよい。ｐ型低Ａｌ組成層３６の厚さは、４００Å以上５００Å以下、５００Å以上６００Å以下、６００Å以上７００Å以下、または、７００Å以上８００Å以下であってもよい。

ｐ型コンタクト層３４は、チップ本体２の第１主面３を形成している。ｐ型コンタクト層３４は、この形態では、ｐ型のＧａＡｓを含む。ｐ型コンタクト層３４のｐ型不純物濃度は、ｐ型光反射層３３のｐ型不純物濃度よりも高いことが好ましい。ｐ型コンタクト層３４のｐ型不純物濃度は、１×１０^１９ｃｍ^−３以上１×１０^２０ｃｍ^−３以下であってもよい。ｐ型コンタクト層３４のｐ型不純物は、Ｃ（炭素）であってもよい。

ｐ型コンタクト層３４の厚さは、０．０２μｍ以上０．２μｍ以下であってもよい。ｐ型コンタクト層３４の厚さは、０．０２μｍ以上０．０５μｍ以下、０．０５μｍ以上０．１μｍ以下、０．１μｍ以上０．１５μｍ以下、または、０．１５μｍ以上０．２μｍ以下であってもよい。
図３および図４を参照して、チップ本体２の第１主面３には、前述の複数の発光部６が形成されている（図１および図２も併せて参照）。複数の発光部６は、より具体的には、半導体積層構造２１に形成されている。各発光部６は、台地状のメサ構造４１を有している。

複数のメサ構造４１は、半導体積層構造２１の主面（チップ本体２の第１主面３）に形成されたトレンチ７によってそれぞれ区画されている。トレンチ７は、ｐ型コンタクト層３４、ｐ型光反射層３３および活性層２５を貫通し、ｎ型半導体層２４を露出させている。トレンチ７は、ｎ型半導体層２４においてｎ型クラッド層２９を貫通し、ｎ型光反射層２８を露出させている。

トレンチ７は、平面視において発光部６を取り囲む環状に形成されている。トレンチ７は、この形態では、断面視において第１主面３側の開口面積が底壁側の開口面積よりも大きい先細り形状（テーパ形状）に形成されている。
トレンチ７は、より具体的には、内周壁４２、外周壁４３、ならびに、内周壁４２および外周壁４３を接続する底壁４４を有している。トレンチ７の内周壁４２および外周壁４３からは、ｎ型半導体層２４の一部およびｐ型半導体層２６が露出している。ｎ型半導体層２４の一部は、ｎ型光反射層２８の一部およびｎ型クラッド層２９である。トレンチ７の底壁４４からは、ｎ型光反射層２８が露出している。

トレンチ７の内周壁４２は、メサ構造４１（発光部６）を区画している。つまり、トレンチ７の内周壁４２は、この形態では、平面視において円形状に形成されている（図１および図２も併せて参照）。
トレンチ７の内周壁４２の平面形状は任意であり、メサ構造４１（発光部６）の平面形状に応じて調整される。トレンチ７の内周壁４２は、円形状に代えて、平面視において三角形状、四角形状または六角形状等の多角形状、もしくは、楕円形状に形成されていてもよい。

トレンチ７の外周壁４３は、内周壁４２から間隔を空けて内周壁４２を取り囲んでいる。つまり、トレンチ７の外周壁４３は、メサ構造４１（発光部６）を取り囲んでいる。トレンチ７の外周壁４３は、この形態では、平面視において円形状に形成されている（図１および図２も併せて参照）。
トレンチ７の外周壁４３の平面形状は任意である。トレンチ７の外周壁４３は、円形状に代えて、平面視において三角形状、四角形状または六角形状等の多角形状、もしくは、楕円形状に形成されていてもよい。

トレンチ７の底壁４４は、チップ本体２の第１主面３に対して平行に形成されていてもよい。トレンチ７の底壁４４は、平面視において発光部６（メサ構造４１）を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。
トレンチ７の底壁４４の平面形状は、内周壁４２の平面形状および外周壁４３の平面形状に応じて、三角環状、四角環状または六角環状等の多角環状、もしくは、楕円環状に形成されていてもよい。

各メサ構造４１は、頂部４５、基部４６、ならびに、頂部４５および基部４６を接続する側壁４７を含む。
各メサ構造４１の頂部４５は、チップ本体２の第１主面３に対して平行な方向に沿って延びている。各メサ構造４１の頂部４５は、この形態では、チップ本体２の第１主面３の一部を形成している。各メサ構造４１の頂部４５は、ｐ型半導体層２６によって形成されている。各メサ構造４１の頂部４５は、より具体的には、ｐ型コンタクト層３４によって形成されている。

各メサ構造４１の頂部４５は、トレンチ７の内周壁４２によって区画されている。各メサ構造４１の頂部４５は、平面視において円形状に形成されている（図１および図２も併せて参照）。
各メサ構造４１の頂部４５の平面形状は任意である。各メサ構造４１の頂部４５は、トレンチ７の内周壁４２の平面形状に応じて、平面視において三角形状、四角形状または六角形状等の多角形状、もしくは、楕円形状に形成されていてもよい。

各メサ構造４１の頂部４５の幅ＷＭは、１０μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。幅ＷＭは、１０μｍ以上１５μｍ以下、１５μｍ以上２０μｍ以下、２０μｍ以上２５μｍ以下、２５μｍ以上３０μｍ以下、３０μｍ以上３５μｍ以下、または、３５μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。
各メサ構造４１の基部４６は、ｎ型半導体層２４によって形成されている。各メサ構造４１の基部４６は、ｎ型光反射層２８によって形成されている。各メサ構造４１の基部４６は、トレンチ７の内周壁４２によって区画されている。各メサ構造４１の基部４６は、側壁４７およびトレンチ７の底壁４４の接続部でもある。

各メサ構造４１の基部４６は、平面視において円形状に形成されている（図１および図２も併せて参照）。各メサ構造４１の基部４６の平面形状は任意である。各メサ構造４１の基部４６は、頂部４５の平面形状に応じて、平面視において三角形状、四角形状または六角形状等の多角形状、もしくは、楕円形状に形成されていてもよい。基部４６の平面面積は、頂部４５の平面面積を超えている。

各メサ構造４１の側壁４７は、トレンチ７の内周壁４２によって形成されている。各メサ構造４１の側壁４７は、頂部４５から基部４６に向けて下り傾斜している。これにより、各メサ構造４１は、錐台形状に形成されている。
各メサ構造４１は、この形態では、円錐台形状に形成されている。各メサ構造４１は、頂部４５および基部４６の平面形状に応じて、三角錐台形状、四角錐台形状または六角錐台形状等の多角錐台形状、もしくは、楕円錐台形状に形成されていてもよい。

各メサ構造４１内において側壁４７が頂部４５との間で成す角度θＭの絶対値は、９０°以上１７０°以下であってもよい。角度θＭは、より具体的には、断面視において頂部４５の周縁点および基部４６の周縁点を結ぶラインが、メサ構造４１内において頂部４５との間で成す角度である。
角度θＭの絶対値は、９０°以上１００°以下、１００°以上１１０°以下、１１０°以上１２０°以下、１２０°以上１３０°以下、１３０°以上１４０°以下、１４０°以上１５０°以下、１５０°以上１６０°以下、または、１６０°以上１７０°以下であってもよい。

各メサ構造４１の厚さＴＭは、１μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。厚さＴＭは、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上４μｍ以下、４μｍ以上６μｍ以下、６μｍ以上８μｍ以下、または、８μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。厚さＴＭは、頂部４５および基部４６の間の法線方向Ｙに沿う距離である。
図３〜図５を参照して、各メサ構造４１においてｐ型半導体層２６は、メサ構造４１の頂部４５および活性層２５の間の任意の領域に介在された電流狭窄層５１を含む。電流狭窄層５１は、活性層２５に供給される電流を狭窄する。

電流狭窄層５１は、活性層２５およびｐ型光反射層３３の間の領域に介在されている。電流狭窄層５１は、この形態では、ｐ型クラッド層３２およびｐ型光反射層３３の間の領域に介在されている。電流狭窄層５１は、メサ構造４１の側壁４７から露出している。
電流狭窄層５１は、ｐ型クラッド層３２の内部に介在されていてもよい。この場合、電流狭窄層５１は、２つのｐ型クラッド層３２の間の領域に介在されていてもよい。つまり、電流狭窄層５１およびｐ型光反射層３３の間の領域に別のｐ型クラッド層３２が形成されていてもよい。別のｐ型クラッド層３２の構造は、活性層２５および電流狭窄層５１の間の領域に形成されたｐ型クラッド層３２と同様であるので、具体的に説明は省略する。

電流狭窄層５１の厚さＴＣは、０．０１μｍ以上０．１μｍ以下であってもよい。厚さＴＣは、０．０１μｍ以上０．０２μｍ以下、０．０２μｍ以上０．０４μｍ以下、０．０４μｍ以上０．０６μｍ以下、０．０６μｍ以上０．０８μｍ以下、または、０．０８μｍ以上０．１μｍ以下であってもよい。
電流狭窄層５１は、ｐ型電流通過層５２および電流狭窄絶縁層５３を含む。ｐ型電流通過層５２は、メサ構造４１の内方領域に形成されている。ｐ型電流通過層５２は、より具体的には、平面視においてメサ構造４１の中央部に形成されている。ｐ型電流通過層５２は、この形態では、ｐ型のＡｌ_σＧａ_{（１−σ）}Ａｓを含む。

ｐ型電流通過層５２のＡｌ組成σは、ｐ型クラッド層３２のＡｌ組成εよりも高い（σ＞ε）。ｐ型電流通過層５２のＡｌ組成σは、ｐ型光反射層３３のｐ型高Ａｌ組成層３５のＡｌ組成ζよりも高い（σ＞ζ）。
ｐ型電流通過層５２のＡｌ組成σは、０．９以上１．０以下であってもよい。Ａｌ組成σは、０．９以上０．９５以下、または、０．９５以上１．０以下であってもよい。Ａｌ組成σは、１．０未満であってもよい。ｐ型電流通過層５２のｐ型不純物濃度は、１×１０^１８ｃｍ^−３以上１×１０^２０ｃｍ^−３以下であってもよい。ｐ型電流通過層５２のｐ型不純物は、Ｃ（炭素）であってもよい。

平面視におけるｐ型電流通過層５２の最大幅ＴＰは、１μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。最大幅ＴＰは、１μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上５μｍ以下、５μｍ以上７μｍ以下、７μｍ以上９μｍ以下、９μｍ以上１１μｍ以下、１１μｍ以上１３μｍ以下、または、１３μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。
電流狭窄絶縁層５３は、ｐ型電流通過層５２に対してメサ構造４１の側壁４７側に形成されている。電流狭窄絶縁層５３は、平面視においてｐ型電流通過層５２を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

電流狭窄絶縁層５３は、Ａｌ（アルミニウム）を含むＡｌ酸化物層によって形成されている。電流狭窄絶縁層５３は、より具体的には、ｐ型電流通過層５２の一部をメサ構造４１の側壁４７側から酸化させることによって形成されている。つまり、電流狭窄絶縁層５３は、Ａｌ酸化物中にＧａ（ガリウム）およびＡｓ（砒素）を含む。
各メサ構造４１の内部を流れる電流は、電流狭窄絶縁層５３を迂回してｐ型電流通過層５２に流れ込む。これにより、ｐ型電流通過層５２を介して活性層２５に供給される電流の密度が高められる。活性層２５において法線方向Ｙにｐ型電流通過層５２に対向する領域が、発光領域５４となる。

各メサ構造４１は、外部端子１１から半導体積層構造２１に供給される電流を狭窄する。したがって、メサ構造４１の内部においてｎ型半導体層２４、活性層２５およびｐ型半導体層２６には比較的高い電流密度を有する電流が流れる。これにより、活性層２５において生成される光の発光効率が高められている。
メサ構造４１の電流密度は、メサ構造４１のサイズに反比例する。つまり、メサ構造４１のサイズが小さい程、電流狭窄効果が高まるので、メサ構造４１の電流密度は増加する。一方、メサ構造４１のサイズが大きい程、電流狭窄効果が低減するので、メサ構造４１の電流密度は減少する。

各活性層２５において生成された光は、メサ構造４１内においてｎ型光反射層２８およびｐ型光反射層３３の間を法線方向Ｙに沿って往復しながら、共振によって増幅される。そして、増幅された光は、各メサ構造４１の頂部４５からレーザ光として取り出される。
トレンチ７の外周壁４３から露出するメサ構造４１外の半導体積層構造２１にも電流狭窄層５１に対応した層が形成されている。メサ構造４１外の電流狭窄層５１に対応した層は、電流狭窄の機能を生じさせない点を除いて、メサ構造４１内の電流狭窄層５１と略同様の構造を有している。

メサ構造４１外の電流狭窄層５１に対応した層については、電流狭窄の機能を生じさせない点を除いて、電流狭窄層５１の説明が準用される。メサ構造４１外の電流狭窄層５１に対応した層については、電流狭窄層５１と同一符号を付して説明を省略する。
図５および図６を参照して、活性層２５は、ｎ型半導体層２４に対向する第１面２５ａおよびｐ型半導体層２６に対向する第２面２５ｂを有している。活性層２５は、各メサ構造４１において平坦領域６１および傾斜領域６２を含む。

活性層２５の平坦領域６１は、第１面２５ａおよび第２面２５ｂがメサ構造４１の頂部４５の接線方向Ｘ（以下、単に「接線方向Ｘ」という。）に沿って延びる膜状の領域である。接線方向Ｘは、法線方向Ｙに直交する方向である。接線方向Ｘは、この形態では、チップ本体２の第１主面３に対して平行な方向でもある。活性層２５の平坦領域６１は、メサ構造４１の側壁４７から露出している。

活性層２５の傾斜領域６２は、平坦領域６１の途中部に形成されている。活性層２５の傾斜領域６２は、第１面２５ａおよび第２面２５ｂが平坦領域６１から法線方向Ｙに向けて傾斜した膜状の領域である。活性層２５の傾斜領域６２は、平面視において活性層２５の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。
法線方向Ｙに対する傾斜領域６２の傾斜角θ１の絶対値は、１０°以上８０°以下であってもよい。傾斜角θ１の絶対値は、１０°以上２０°以下、２０°以上３０°以下、３０°以上４０°以下、４０°以上５０°以下、５０°以上６０°以下、６０°以上７０°以下、または、７０°以上８０°以下であってもよい。平坦領域６１に対する傾斜領域６２の傾斜角の絶対値は、傾斜角θ１に９０°を加えた値となる。

平坦領域６１は、より具体的には、メサ構造４１の厚さ方向（法線方向Ｙ）に互いにずれて形成された第１平坦領域６３および第２平坦領域６４を含む。
第１平坦領域６３は、メサ構造４１の内方領域に形成されている。第１平坦領域６３は、より具体的には、平面視においてメサ構造４１の中央部に形成されている。第１平坦領域６３は、この形態では、メサ構造４１の頂部４５側に形成された第１面２５ａおよび第２面２５ｂを有している。第１平坦領域６３は、平面視において円形状に形成されている。

第１平坦領域６３の平面形状は任意である。第１平坦領域６３は、円形状に代えて、平面視において三角形状、四角形状または六角形状等の多角形状、もしくは、楕円形状に形成されていてもよい。
第２平坦領域６４は、第１平坦領域６３に対してメサ構造４１の側壁４７側の領域に形成されている。第２平坦領域６４は、メサ構造４１の側壁４７から露出している。第２平坦領域６４は、第１平坦領域６３の第２面２５ｂに対してメサ構造４１の基部４６側に形成された第１面２５ａおよび第２面２５ｂを有している。

第２平坦領域６４の第１面２５ａおよび第２面２５ｂは、より具体的には、第１平坦領域６３の第１面２５ａに対してメサ構造４１の基部４６側に形成されている。第２平坦領域６４は、平面視において第１平坦領域６３を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。
法線方向Ｙに関して、第１平坦領域６３の第１面２５ａおよび第２平坦領域６４の第１面２５ａの間の距離Ｄ１は、第２平坦領域６４の厚さＴＳ以上（ＴＳ≦Ｄ１）であることが好ましい。距離Ｄ１は、厚さＴＳを超えている（ＴＳ＜Ｄ１）ことが好ましい。第２平坦領域６４の厚さＴＳは、活性層２５において第２平坦領域６４を形成する部分の総厚さＴＡでもある。

このような構造によれば、第２平坦領域６４の結晶面が、第１平坦領域６３の結晶面に対して接線方向Ｘに連続的に連なることを適切に抑制できる。つまり、接線方向Ｘに関して、第２平坦領域６４の結晶面は、第１平坦領域６３の結晶面に対して不連続となる。
距離Ｄ１は、第１平坦領域６３の厚さＴＦ以上（ＴＦ≦Ｄ１）であることが好ましい。距離Ｄ１は、厚さＴＦを超えている（ＴＦ＜Ｄ１）ことが好ましい。第１平坦領域６３の厚さＴＦは、活性層２５において第１平坦領域６３を形成する部分の総厚さＴＡでもある。距離Ｄ１は、活性層２５の総厚さＴＡ以上（ＴＡ≦Ｄ１）であることが好ましい。また、距離Ｄ１は、総厚さＴＡを超えている（ＴＡ＜Ｄ１）ことが好ましい。

傾斜領域６２は、傾斜角θ１（｜θ１｜）を有し、第１平坦領域６３および第２平坦領域６４を接続している。傾斜領域６２は、この形態では、第１平坦領域６３から第２平坦領域６４に向けて下り傾斜している。傾斜領域６２は、より具体的には、メサ構造４１の頂部４５側に位置する第１端部６２ａ、および、メサ構造４１の基部４６側に位置する第２端部６２ｂを含む。

傾斜領域６２の第１端部６２ａは、第１平坦領域６３に接続されている。傾斜領域６２の第２端部６２ｂは、第２平坦領域６４に接続されている。傾斜領域６２は、平面視において第１平坦領域６３を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。
傾斜領域６２の第１端部６２ａおよび第２端部６２ｂの間の長さＬＩ１は、第２平坦領域６４の厚さＴＳ以上（ＴＳ≦ＬＩ１）であることが好ましい。長さＬＩ１は、厚さＴＳを超えている（ＴＳ＜ＬＩ１）ことが好ましい。

長さＬＩ１は、第１平坦領域６３の厚さＴＦ以上（ＴＦ≦ＬＩ１）であることが好ましい。長さＬＩ１は、厚さＴＦを超えている（ＴＦ＜ＬＩ１）ことが好ましい。長さＬＩ１は、活性層２５の総厚さＴＡ以上であることが好ましい。長さＬＩ１は、総厚さＴＡを超えていることが好ましい。
図５および図６を参照して、ｎ型半導体層２４においてメサ構造４１と重なる領域には、突出領域６５および外側領域６６が形成されている。突出領域６５は、メサ構造４１の頂部４５に向けて突出している。

外側領域６６は、突出領域６５に対してチップ本体２の第２主面４側（この形態ではメサ構造４１の基部４６側）に位置している。外側領域６６は、接線方向Ｘに沿って延びている。
突出領域６５および外側領域６６は、この形態では、ｎ型半導体層２４においてメサ構造４１内に位置する領域に形成されている。突出領域６５は、ｎ型半導体層２４の一部を切り欠いて形成されている。

突出領域６５は、より具体的には、ｎ型光反射層２８の一部を切り欠いて形成されている。つまり、突出領域６５および外側領域６６は、ｎ型光反射層２８の一部を利用して形成されている。
突出領域６５は、さらに具体的には、ｎ型光反射層２８の上層部を切り欠いて形成されている。突出領域６５および外側領域６６は、ｎ型高Ａｌ組成層３０またはｎ型低Ａｌ組成層３１を含む単層膜、もしくは、ｎ型高Ａｌ組成層３０およびｎ型低Ａｌ組成層３１を含む積層膜によって被覆されていてもよい。積層膜は、１つまたは複数のｎ型高Ａｌ組成層３０および１つまたは複数のｎ型低Ａｌ組成層３１を含んでいてもよい。

突出領域６５は、この形態では、１つのｎ型高Ａｌ組成層３０および２つのｎ型低Ａｌ組成層３１を含む積層膜を切り欠いて形成されている。突出領域６５および外側領域６６は、この形態では、１つのｎ型高Ａｌ組成層３０によって被覆されている。
突出領域６５の最表面がｎ型低Ａｌ組成層３１によって形成されている場合、突出領域６５および外側領域６６は、ｎ型高Ａｌ組成層３０によって被覆されてもよい。突出領域６５の最表面がｎ型高Ａｌ組成層３０によって形成されている場合、突出領域６５および外側領域６６は、ｎ型低Ａｌ組成層３１によって被覆されてもよい。

突出領域６５および外側領域６６は、ｎ型光反射層２８におけるｎ型クラッド層２９および基板２０の第１基板主面２２の間の任意の領域に形成されていてもよい。突出領域６５および外側領域６６は、ｎ型半導体層２４においてメサ構造４１の基部４６に対してチップ本体２の第２主面４側の任意の領域に形成されていてもよい。
これらの場合、突出領域６５および外側領域６６は、ｎ型高Ａｌ組成層３０またはｎ型低Ａｌ組成層３１を含む単層膜、もしくは、ｎ型高Ａｌ組成層３０およびｎ型低Ａｌ組成層３１を含む積層膜によって被覆されていてもよい。積層膜は、１つまたは複数のｎ型高Ａｌ組成層３０および１つまたは複数のｎ型低Ａｌ組成層３１を含んでいてもよい。

むろん、突出領域６５および外側領域６６は、ｎ型光反射層２８の最上層を形成していてもよい。この場合、突出領域６５および外側領域６６は、ｎ型クラッド層２９によって被覆される。
突出領域６５は、メサ構造４１の内方領域に形成されている。突出領域６５は、より具体的には、平面視においてメサ構造４１の中央部に形成されている。突出領域６５は、頂部６７、基部６８、ならびに、頂部６７および基部６８を接続する側壁６９を含む。

突出領域６５の頂部６７は、この形態では、ｎ型低Ａｌ組成層３１によって形成されている。突出領域６５の頂部６７は、接線方向Ｘに沿って延びている。突出領域６５の頂部６７は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。
突出領域６５の頂部６７の平面形状は任意である。突出領域６５の頂部６７は、円形状に代えて、平面視において三角形状、四角形状または六角形状等の多角形状、もしくは、楕円形状に形成されていてもよい。

突出領域６５の基部６８は、この形態では、ｎ型低Ａｌ組成層３１によって形成されている。突出領域６５の基部６８は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。
突出領域６５の基部６８の平面形状は任意である。突出領域６５の基部６８は、頂部６７の平面形状に応じて、平面視において三角形状、四角形状または六角形状等の多角形状、もしくは、楕円形状に形成されていてもよい。突出領域６５の基部６８の平面面積は、突出領域６５の頂部６７の平面面積を超えている。

突出領域６５の側壁６９は、この形態では、１つのｎ型高Ａｌ組成層３０および２つのｎ型低Ａｌ組成層３１によって形成されている。突出領域６５の側壁６９は、頂部６７から基部６８に向けて下り傾斜している。これにより、突出領域６５は、錐台形状に形成されている。
突出領域６５は、この形態では、円錐台形状に形成されている。突出領域６５は、頂部６７および基部６８の平面形状に応じて、三角錐台形状、四角錐台形状または六角錐台形状等の多角錐台形状、もしくは、楕円錐台形状に形成されていてもよい。

突出領域６５内において側壁６９が頂部６７との間で成す角度θＰの絶対値は、１００°以上１７０°以下であってもよい。角度θＰの絶対値は、１００°以上１１０°以下、１１０°以上１２０°以下、１２０°以上１３０°以下、１３０°以上１４０°以下、１４０°以上１５０°以下、１５０°以上１６０°以下、または、１６０°以上１７０°以下であってもよい。

突出領域６５は、活性層２５に形成される凹凸形状を画定する。突出領域６５は、より具体的には、活性層２５における第１平坦領域６３の第１面２５ａおよび第２平坦領域６４の第１面２５ａの間の距離Ｄ１を画定する。
法線方向Ｙに関して、突出領域６５の厚さＴＰＲは、第２平坦領域６４の厚さＴＳ以上（ＴＳ≦ＴＰＲ）であることが好ましい。厚さＴＰＲは、厚さＴＳを超えている（ＴＳ＜ＴＰＲ）ことが好ましい。

厚さＴＰＲは、第１平坦領域６３の厚さＴＦ以上（ＴＳ≦ＴＰＲ）であることが好ましい。厚さＴＰＲは、厚さＴＦを超えている（ＴＦ＜ＴＰＲ）ことが好ましい。厚さＴＰＲは、活性層２５の総厚さＴＡ以上（ＴＡ≦ＴＰＲ）であることが好ましい。厚さＴＰＲは、総厚さＴＡを超えている（ＴＡ＜ＴＰＲ）ことが好ましい。
外側領域６６は、接線方向Ｘに延びる平坦面を有し、突出領域６５の基部６８に連なっている。外側領域６６の内周縁は、突出領域６５の側壁６９によって区画されている。外側領域６６の外周縁は、この形態では、メサ構造４１の側壁４７によって区画されている。外側領域６６は、平面視において突出領域６５を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

突出領域６５および外側領域６６がメサ構造４１の基部４６に対してチップ本体２の第２主面４側の領域に形成されている場合、外側領域６６の外周縁は、平面視においてチップ本体２の第１主面３（第２主面４）に整合する四角形状（長方形状）に形成される。
ｎ型クラッド層２９、活性層２５およびｐ型半導体層２６は、ｎ型光反射層２８の突出領域６５および外側領域６６に倣ってｎ型光反射層２８の上に形成される。これにより、突出領域６５および外側領域６６に対応した凹凸が、ｎ型クラッド層２９、活性層２５およびｐ型半導体層２６に形成される。

活性層２５の平坦領域６１は、より具体的には、突出領域６５の頂部６７および外側領域６６に沿って形成される。さらに具体的には、活性層２５の第１平坦領域６３は、突出領域６５の頂部６７に沿って形成される。活性層２５の第２平坦領域６４は、外側領域６６に沿って形成される。活性層２５の傾斜領域６２は、突出領域６５の側壁６９に沿って形成される。

図５および図６を参照して、電流狭窄絶縁層５３は、平面視において活性層２５の第１平坦領域６３を露出させる環状（この形態では円環状）に形成されている。電流狭窄絶縁層５３は、より具体的には、平面視において活性層２５の第１平坦領域６３の周縁部、第２平坦領域６４および傾斜領域６２を被覆し、活性層２５の第１平坦領域６３の中央部を露出させている。電流狭窄絶縁層５３は、活性層２５の第２平坦領域６４の全域および傾斜領域６２の全域を被覆している。

電流狭窄絶縁層５３は、ｎ型半導体層２４に対向する第１面５３ａおよびメサ構造４１の頂部４５に対向する第２面５３ｂを有している。電流狭窄絶縁層５３は、平坦領域７１および傾斜領域７２を含む。
電流狭窄絶縁層５３の平坦領域７１は、第１面５３ａおよび第２面５３ｂが接線方向Ｘに沿って延びる膜状の領域である。平坦領域７１は、メサ構造４１の側壁４７から露出している。

電流狭窄絶縁層５３の傾斜領域７２は、平坦領域７１の途中部に形成されている。電流狭窄絶縁層５３の傾斜領域７２は、第１面５３ａおよび第２面５３ｂが平坦領域７１から法線方向Ｙに向けて傾斜した膜状の領域である。傾斜領域７２は、平面視においてメサ構造４１の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。
法線方向Ｙに対する傾斜領域７２の傾斜角θ２の絶対値は、１０°以上８０°以下であってもよい。傾斜角θ２の絶対値は、１０°以上２０°以下、２０°以上３０°以下、３０°以上４０°以下、４０°以上５０°以下、５０°以上６０°以下、６０°以上７０°以下、または、７０°以上８０°以下であってもよい。平坦領域７１に対する傾斜領域７２の傾斜角の絶対値は、傾斜角θ２に９０°を加えた値となる。

平坦領域７１は、より具体的には、メサ構造４１の厚さ方向（法線方向Ｙ）に互いにずれて形成された第１平坦領域７３および第２平坦領域７４を含む。
第１平坦領域７３は、メサ構造４１の内方領域に形成されている。第１平坦領域７３は、より具体的には、平面視においてメサ構造４１の中央部に形成されている。第１平坦領域７３は、この形態では、メサ構造４１の頂部４５側に形成された第１面５３ａおよび第２面５３ｂを有している。

第１平坦領域７３は、平面視において活性層２５の第１平坦領域６３の周縁部を被覆し、活性層２５の第１平坦領域６３の中央部を露出させている。第１平坦領域７３は、平面視において環状（この形態では円環状）に形成されている。
第２平坦領域７４は、第１平坦領域７３に対してメサ構造４１の側壁４７側の領域に形成されている。第２平坦領域７４は、メサ構造４１の側壁４７から露出している。第２平坦領域７４は、第１平坦領域７３の第２面５３ｂに対してメサ構造４１の基部４６側に形成された第１面５３ａおよび第２面５３ｂを有している。

第２平坦領域７４の第１面５３ａおよび第２面５３ｂは、より具体的には、第１平坦領域７３の第１面５３ａに対してメサ構造４１の基部４６側に形成されている。第２平坦領域７４は、平面視において活性層２５の第２平坦領域６４を被覆している。第２平坦領域７４は、平面視において第１平坦領域７３を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

法線方向Ｙに関して、第１平坦領域７３の第１面５３ａおよび第２平坦領域７４の第１面５３ａの間の距離Ｄ２は、第２平坦領域７４の厚さＴＩＳ以上（ＴＩＳ≦Ｄ２）であってもよい。距離Ｄ２は、厚さＴＩＳを超えていてもよい（ＴＩＳ＜Ｄ２）。第２平坦領域７４の厚さＴＩＳは、電流狭窄層５１において電流狭窄絶縁層５３の第２平坦領域７４を形成する部分の厚さでもある。

距離Ｄ２は、第１平坦領域７３の厚さＴＩＦ以上（ＴＩＦ≦Ｄ２）であってもよい。距離Ｄ２は、厚さＴＩＦを超えていてもよい（ＴＩＦ＜Ｄ２）。第１平坦領域７３の厚さＴＩＦは、電流狭窄層５１において電流狭窄絶縁層５３の第１平坦領域７３を形成する部分の厚さでもある。
距離Ｄ２は、電流狭窄層５１の厚さＴＣ以上（ＴＣ≦Ｄ２）であってもよい。距離Ｄ２は、電流狭窄層５１の厚さＴＣを超えていてもよい（ＴＣ＜Ｄ２）。

傾斜領域７２は、傾斜角θ２（｜θ２｜）を有し、第１平坦領域７３および第２平坦領域７４を接続している。傾斜領域７２は、この形態では、第１平坦領域７３から第２平坦領域７４に向けて下り傾斜している。傾斜領域７２は、より具体的には、メサ構造４１の頂部４５側に位置する第１端部７２ａ、および、メサ構造４１の基部４６側に位置する第２端部７２ｂを含む。

傾斜領域７２の第１端部７２ａは、第１平坦領域７３に接続されている。傾斜領域７２の第２端部７２ｂは、第２平坦領域７４に接続されている。傾斜領域７２は、平面視において活性層２５の傾斜領域６２を被覆している。傾斜領域７２は、平面視において第１平坦領域７３を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。
傾斜領域７２の第１端部７２ａおよび第２端部７２ｂの間の長さＬＩ２は、第２平坦領域７４の厚さＴＩＳ以上（ＴＩＳ≦ＬＩ２）であってもよい。長さＬＩ２は、厚さＴＩＳを超えていてもよい（ＴＩＳ＜ＬＩ２）。

長さＬＩ２は、第１平坦領域７３の厚さＴＩＦ以上（ＴＩＦ≦ＬＩ２）であってもよい。長さＬＩ２は、厚さＴＩＦを超えていてもよい（ＴＩＦ＜ＬＩ２）。長さＬＩ２は、電流狭窄層５１の厚さＴＣ以上（ＴＣ≦ＬＩ２）であってもよい。長さＬＩ２は、厚さＴＣを超えていてもよい（ＴＣ＜ＬＩ２）。
ｐ型電流通過層５２は、電流狭窄絶縁層５３によって取り囲まれた領域において平坦に延びている。ｐ型電流通過層５２は、より具体的には、電流狭窄絶縁層５３の第１平坦領域７３によって取り囲まれている。

ｐ型電流通過層５２は、平面視において活性層２５の第１平坦領域６３に対向している。ｐ型電流通過層５２は、平面視において活性層２５の傾斜領域６２によって取り囲まれている。
活性層２５の傾斜領域６２は、平面視において電流狭窄絶縁層５３の内周縁および電流狭窄絶縁層５３の外周縁の間の領域に位置している。このようにして、活性層２５の第１平坦領域６３が、発光領域５４として形成されている。活性層２５の発光領域５４は、活性層２５の傾斜領域６２によって取り囲まれている。

図５を参照して、各メサ構造４１の側壁４７の表層部には側壁絶縁層８０が形成されている。側壁絶縁層８０は、メサ構造４１の頂部４５および基部４６の間の領域を側壁４７に沿って延びている。
側壁絶縁層８０は、平面視において電流狭窄絶縁層５３に対向している。側壁絶縁層８０は、より具体的には、接線方向Ｘに関して、電流狭窄絶縁層５３の一端部および他端部の間の領域に対向している。側壁絶縁層８０は、平面視においてｐ型電流通過層５２を露出させている。

側壁絶縁層８０は、平面視において活性層２５の第２平坦領域６４に対向している。側壁絶縁層８０は、平面視において活性層２５の第１平坦領域６３の全域を露出せている。側壁絶縁層８０は、活性層２５の傾斜領域６２に対してメサ構造４１の側壁４７側の領域に形成されている。側壁絶縁層８０は、メサ構造４１の側壁４７から露出している。つまり、各メサ構造４１の側壁４７は、側壁絶縁層８０によって形成された部分を含む。

側壁絶縁層８０は、断面視において接線方向Ｘに沿う長さが互いに異なる第１部分８１および第２部分８２を含む。側壁絶縁層８０の第１部分８１は、メサ構造４１の側壁４７から接線方向Ｘに沿って内方領域に向かって延びている。第１部分８１は、メサ構造４１の側壁４７から露出する外端部、および、メサ構造４１内に位置する内端部を有している。

側壁絶縁層８０の第２部分８２は、メサ構造４１の側壁４７から接線方向Ｘに沿って内方領域に向かって延びている。第２部分８２は、メサ構造４１の側壁４７から露出する外端部、および、メサ構造４１内に位置する内端部を有している。第２部分８２の内端部は、第１部分８１の内端部よりもメサ構造４１の側壁４７側に位置している。
第１部分８１は、接線方向Ｘに関して、第１長さＬＰ１を有している。第２部分８２は、接線方向Ｘに関して、第２長さＬＰ２を有している。第２部分８２の第２長さＬＰ２は、第１部分８１の第１長さＬＰ１未満（ＬＰ２＜ＬＰ１）である。

第１部分８１の第１長さＬＰ１は、０．５μｍ以上５．０μｍ以下であってもよい。第１長さＬＰ１は、０．５μｍ以上１．０μｍ以下、１．０μｍ以上２．０μｍ以下、２．０μｍ以上３．０μｍ以下、３．０μｍ以上４．０μｍ以下、または、４．０μｍ以上５．０μｍ以下であってもよい。
第２部分８２の第２長さＬＰ２は、０μｍを超えて１．０μｍ以下であってもよい。第２長さＬＰ２は、０μｍを超えて０．０２μｍ以下、０．０２μｍ以上０．０４μｍ以下、０．０４μｍ以上０．０６μｍ以下、０．０６μｍ以上０．０８μｍ以下、または、０．０８μｍ以上１μｍ以下であってもよい。むろん、第２長さＬＰ２は、０μｍであってもよい。つまり、複数の第２部分８２の一部または全部を有さない側壁絶縁層８０が形成されていてもよい。

第１部分８１および第２部分８２は、法線方向Ｙに交互に形成されている。これにより、側壁絶縁層８０は、断面視において櫛歯形状に形成されている。側壁絶縁層８０は、ｎ型半導体層２４に形成された領域、および、ｐ型半導体層２６に形成された領域を含む。
ｎ型半導体層２４においてｎ型光反射層２８のｎ型高Ａｌ組成層３０は、メサ構造４１の側壁４７から露出する第１露出部８３を含む。また、ｎ型光反射層２８のｎ型低Ａｌ組成層３１は、メサ構造４１の側壁４７から露出する第２露出部８４を含む。また、ｎ型クラッド層２９は、メサ構造４１の側壁４７から露出する第３露出部８５を含む。

ｎ型高Ａｌ組成層３０の第１露出部８３は、Ａｌ（アルミニウム）酸化物を含む第１Ａｌ酸化物層８６を含む。第１Ａｌ酸化物層８６は、ｎ型高Ａｌ組成層３０の第１露出部８３の酸化によって形成されている。第１Ａｌ酸化物層８６は、接線方向Ｘに沿って延びている。第１Ａｌ酸化物層８６は、ｎ型高Ａｌ組成層３０の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

ｎ型低Ａｌ組成層３１の第２露出部８４は、Ａｌ酸化物を含む第２Ａｌ酸化物層８７を含む。第２Ａｌ酸化物層８７は、ｎ型低Ａｌ組成層３１の第２露出部８４の酸化によって形成されている。第２Ａｌ酸化物層８７は、接線方向Ｘに沿って延びている。第２Ａｌ酸化物層８７は、ｎ型低Ａｌ組成層３１の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

ｎ型クラッド層２９の第３露出部８５は、Ａｌ酸化物を含む第３Ａｌ酸化物層８８を含む。第３Ａｌ酸化物層８８は、ｎ型クラッド層２９の第３露出部８５の酸化によって形成されている。第３Ａｌ酸化物層８８は、接線方向Ｘに沿って延びている。第３Ａｌ酸化物層８８は、ｎ型クラッド層２９の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

接線方向Ｘに関して、第１Ａｌ酸化物層８６の長さは、第２Ａｌ酸化物層８７の長さ、および、第３Ａｌ酸化物層８８の長さよりも大きい。これは、ｎ型高Ａｌ組成層３０のＡｌ組成αが、ｎ型低Ａｌ組成層３１のＡｌ組成βおよびｎ型クラッド層２９のＡｌ組成γよりも大きい（β＜γ＜α）ためである。
接線方向Ｘに関して、第３Ａｌ酸化物層８８の長さは、第２Ａｌ酸化物層８７の長さよりも大きい。これは、ｎ型クラッド層２９のＡｌ組成γが、ｎ型低Ａｌ組成層３１のＡｌ組成βおよびよりも大きい（β＜γ）ためである。

第１Ａｌ酸化物層８６および第２Ａｌ酸化物層８７は、法線方向Ｙに沿って交互に形成されている。第１Ａｌ酸化物層８６は、側壁絶縁層８０の第１部分８１を形成している。第２Ａｌ酸化物層８７は、側壁絶縁層８０の第２部分８２を形成している。また、この形態では、第３Ａｌ酸化物層８８は、側壁絶縁層８０の第２部分８２を形成している。
これら第１Ａｌ酸化物層８６、第２Ａｌ酸化物層８７および第３Ａｌ酸化物層８８によって、側壁絶縁層８０においてｎ型半導体層２４に位置する領域が形成されている。

ｐ型半導体層２６においてｐ型光反射層３３のｐ型高Ａｌ組成層３５は、メサ構造４１の側壁４７から露出する第１露出部９３を含む。また、ｐ型光反射層３３のｐ型低Ａｌ組成層３６は、メサ構造４１の側壁４７から露出する第２露出部９４を含む。また、ｐ型クラッド層３２は、メサ構造４１の側壁４７から露出する第３露出部９５を含む。
ｐ型高Ａｌ組成層３５の第１露出部９３は、Ａｌ酸化物を含む第１Ａｌ酸化物層９６を含む。第１Ａｌ酸化物層９６は、ｐ型高Ａｌ組成層３５の第１露出部９３の酸化によって形成されている。第１Ａｌ酸化物層９６は、接線方向Ｘに沿って延びている。第１Ａｌ酸化物層９６は、ｐ型高Ａｌ組成層３５の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

ｐ型低Ａｌ組成層３６の第２露出部９４は、Ａｌ酸化物を含む第２Ａｌ酸化物層９７を含む。第２Ａｌ酸化物層９７は、ｐ型低Ａｌ組成層３６の第２露出部９４の酸化によって形成されている。第２Ａｌ酸化物層９７は、接線方向Ｘに沿って延びている。第２Ａｌ酸化物層９７は、ｐ型低Ａｌ組成層３６の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

ｐ型クラッド層３２の第３露出部９５は、Ａｌ酸化物を含む第３Ａｌ酸化物層９８を含む。第３Ａｌ酸化物層９８は、ｐ型クラッド層３２の第３露出部９５の酸化によって形成されている。第３Ａｌ酸化物層９８は、接線方向Ｘに沿って延びている。第３Ａｌ酸化物層９８は、ｐ型クラッド層３２の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

接線方向Ｘに関して、第１Ａｌ酸化物層９６の長さは、第２Ａｌ酸化物層９７の長さ、および、第３Ａｌ酸化物層９８の長さよりも大きい。これは、ｐ型高Ａｌ組成層３５のＡｌ組成ζが、ｐ型低Ａｌ組成層３６のＡｌ組成η、および、ｐ型クラッド層３２のＡｌ組成εよりも大きい（η＜ε＜ζ）ためである。
接線方向Ｘに関して、第３Ａｌ酸化物層９８の長さは、第２Ａｌ酸化物層９７の長さよりも大きい。これは、ｐ型クラッド層３２のＡｌ組成εが、ｐ型低Ａｌ組成層３６のＡｌ組成ηおよびよりも大きい（η＜ε）ためである。

第１Ａｌ酸化物層９６および第２Ａｌ酸化物層９７は、法線方向Ｙに沿って交互に形成されている。第１Ａｌ酸化物層９６は、側壁絶縁層８０の第１部分８１を形成している。第２Ａｌ酸化物層９７は、側壁絶縁層８０の第２部分８２を形成している。また、この形態では、第３Ａｌ酸化物層９８は、側壁絶縁層８０の第２部分８２を形成している。
これら第１Ａｌ酸化物層９６、第２Ａｌ酸化物層９７および第３Ａｌ酸化物層９８によって、側壁絶縁層８０においてｐ型半導体層２６に位置する領域が形成されている。

側壁絶縁層８０（第１Ａｌ酸化物層８６、第２Ａｌ酸化物層８７、第１Ａｌ酸化物層９６および第２Ａｌ酸化物層９７）は、トレンチ７の外周壁４３から露出する半導体積層構造２１にも形成されている。
トレンチ７の外周壁４３に形成された側壁絶縁層８０は、メサ構造４１の側壁４７（トレンチ７の内周壁４２）に形成された側壁絶縁層８０と略同様の構造を有している。トレンチ７の外周壁４３に形成された側壁絶縁層８０については、メサ構造４１の側壁４７（トレンチ７の内周壁４２）に形成された側壁絶縁層８０の説明が準用されるものとして、説明を省略する。

図３〜図７を参照して、チップ本体２の第１主面３の上には、前述の絶縁層８が形成されている。絶縁層８は、活性層２５の発光波長λに対して透明な絶縁材料または透光性を有する絶縁材料を含む。
絶縁層８は、この形態では、窒化シリコン（ＳｉＮ）を含む単層構造を有している。絶縁層８は、窒化シリコン（ＳｉＮ）に代えてまたはこれに加えて、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）を含んでいてもよい。

絶縁層８は、チップ本体２の第１主面３の上からこの順に形成された窒化シリコン膜および酸化シリコン膜を含む積層構造を有していてもよい。絶縁層８は、チップ本体２の第１主面３の上からこの順に形成された酸化シリコン膜および窒化シリコン膜を含む積層構造を有していてもよい。
絶縁層８は、チップ本体２の第１主面３の上からトレンチ７に入り込み、メサ構造４１を被覆している。絶縁層８は、より具体的には、主面被覆部１０１、内壁被覆部１０２および頂部被覆部１０３を含む。

絶縁層８の主面被覆部１０１は、チップ本体２の第１主面３を被覆している。絶縁層８の内壁被覆部１０２は、トレンチ７の内壁（内周壁４２、外周壁４３および底壁４４）を被覆している。絶縁層８の頂部被覆部１０３は、メサ構造４１の頂部４５を被覆している。
内壁被覆部１０２は、トレンチ７内において凹状の空間を区画するように、トレンチ７の外周壁４３、底壁４４および内周壁４２に沿って膜状に形成されている。つまり、内壁被覆部１０２は、メサ構造４１の側壁４７を被覆している。内壁被覆部１０２においてメサ構造４１の側壁４７を被覆する部分は、側壁絶縁層８０に接している。

図５および図７を参照して、頂部被覆部１０３には、メサ構造４１の頂部４５を選択的に露出させるコンタクト孔１０４が形成されている。コンタクト孔１０４は、より具体的には、ｐ型コンタクト層３４を露出させている。コンタクト孔１０４は、平面視において環状（この形態では円環状）に形成されている。
頂部被覆部１０３においてコンタクト孔１０４よりも内方に位置する領域には、メサ構造４１の頂部４５側に向けて窪んだリセス部１０５が形成されている。リセス部１０５は、平面視において環状（この形態では円環状）に形成されている。

これにより、頂部被覆部１０３においてリセス部１０５によって取り囲まれた領域に第１突出部１０６が区画されている。また、頂部被覆部１０３においてリセス部１０５およびコンタクト孔１０４の間の領域に第２突出部１０７が区画されている。
第１突出部１０６は、リセス部１０５によって島状または点状に区画されている。第１突出部１０６は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。第２突出部１０７は、環状（この形態では円環状）に区画されている。

つまり、リセス部１０５は、第１突出部１０６を区画する第１側壁１０８、第２突出部１０７を区画する第２側壁１０９、ならびに、第１側壁１０８および第２側壁１０９を接続する底壁１１０を有している。
リセス部１０５の第１側壁１０８は、頂部被覆部１０３の主面から底壁１１０に向けて下り傾斜した傾斜面を有している。リセス部１０５の第２側壁１０９は、頂部被覆部１０３の主面から底壁１１０に向けて下り傾斜した傾斜面を有している。リセス部１０５は、断面視において底壁１１０側の開口幅が開口側の開口幅よりも小さいテーパ形状に形成されている。

第１突出部１０６は、法線方向Ｙに活性層２５の発光領域５４に対向している。第１突出部１０６は、法線方向Ｙに活性層２５の第１平坦領域６３に対向している。第１突出部１０６は、法線方向Ｙにｐ型電流通過層５２に対向している。
頂部被覆部１０３において第１突出部１０６を形成する部分の厚さは、（ｎ＋１）λ／２に設定される。頂部被覆部１０３において第２突出部１０７を形成する部分の厚さは、（ｎ＋１）λ／２に設定される。頂部被覆部１０３においてリセス部１０５の底壁１１０を形成する部分の厚さは、（２ｎ＋１）λ／４に設定される。ｎは、整数である。λは、活性層２５で生成される光の波長である。

メサ構造４１の頂部４５から放出されたレーザ光は、スネルの法則によって、第１側壁１０８および第２側壁１０９によって屈折させられ、第１突出部１０６側に集光される。これにより、第１側壁１０８および第２側壁１０９が法線方向Ｙに延びる垂直面である場合に比べて、レーザ光の指向性が高められる。
図３〜図５を参照して、絶縁層８の上には、前述の第１主面電極層９が形成されている。第１主面電極層９は、より具体的には、各トレンチ７内に凹状の空間が区画されるように絶縁層８に沿って膜状に形成され、各メサ構造４１を選択的に被覆している。

第１主面電極層９は、メサ構造４１の頂部４５の上からコンタクト孔１０４に入り込んでいる。第１主面電極層９は、コンタクト孔１０４内においてｐ型コンタクト層３４に電気的に接続されている。
第１主面電極層９においてメサ構造４１の頂部４５を被覆する部分には、絶縁層８の頂部被覆部１０３を選択的に露出させる開口１１１が形成されている。開口１１１は、より具体的には、第２突出部１０７の一部、リセス部１０５および第１突出部１０６を露出させている。

開口１１１は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。開口１１１の平面形状は任意である。開口１１１は、円形状に代えて、平面視において三角形状、四角形状または六角形状等の多角形状、もしくは、楕円形状に形成されていてもよい。
開口１１１の開口幅ＷＯは、５μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。開口幅ＷＯは、５μｍ以上１０μｍ以下、１０μｍ以上１５μｍ以下、または、１５μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。

開口１１１は、法線方向Ｙにｐ型電流通過層５２に対向している。開口１１１は、法線方向Ｙに活性層２５の発光領域５４に対向している。開口１１１は、法線方向Ｙに活性層２５の第１平坦領域６３に対向している。
第１主面電極層９は、この形態では、複数の電極膜が積層された積層構造を有している。第１主面電極層９は、より具体的には、絶縁層８側からこの順に積層された第１電極膜１１２および第２電極膜１１３を含む。第１電極膜１１２は、チタンを含んでいてもよい。第２電極膜１１３は、金を含んでいてもよい。

図４を参照して、第１主面電極層９の上には、前述の外部端子１１が形成されている。外部端子１１は、第１主面電極層９の厚さＴＥ１以上の厚さＴＥ２（ＴＥ１≦ＴＥ２）を有している。外部端子１１の厚さＴＥ２は、より具体的には、第１主面電極層９の厚さＴＥ１を超えている（ＴＥ１＜ＴＥ２）。外部端子１１は、金を含んでいてもよい。
第１主面電極層９の厚さＴＥ１は、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。厚さＴＥ１は、０．０５μｍ以上０．１μｍ以下、０．１μｍ以上０．２μｍ以下、０．２μｍ以上０．３μｍ以下、０．３μｍ以上０．４μｍ以下、または、０．４μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。

外部端子１１の厚さＴＥ２は、１．０μｍ以上５．０μｍ以下であってもよい。厚さＴＥ２は、１．０μｍ以上２．０μｍ以下、２．０μｍ以上３．０μｍ以下、３．０μｍ以上４．０μｍ以下、または、４．０μｍ以上５．０μｍ以下であってもよい。
図３および図４を参照して、チップ本体２の第２主面４の上には、第２主面電極層１１５が形成されている。第２主面電極層１１５は、チップ本体２の第２主面４の全域を被覆している。第２主面電極層１１５は、基板２０の第２基板主面２３との間でオーミック接触を形成している。

第２主面電極層１１５は、この形態では、複数の電極膜が積層された積層構造を有している。第２主面電極層１１５は、より具体的には、基板２０の第２基板主面２３側からこの順に積層された第１電極膜１１６、第２電極膜１１７および第３電極膜１１８を含む。第１電極膜１１６は、金ゲルマニウム合金を含んでいてもよい。第２電極膜１１７は、ニッケルを含んでいてもよい。第３電極膜１１８は、金を含んでいてもよい。

以上、面発光レーザ装置１によれば、活性層２５が、接線方向Ｘに沿って平坦に延びる平坦領域６１、および、平坦領域６１から法線方向Ｙに向けて傾斜した傾斜領域６２を有している。
これにより、傾斜領域６２によって平坦領域６１の結晶面の連続性を低下させることができるから、転移欠陥の拡張を抑制できる。その結果、活性層２５においてダーク欠陥の発生を抑制できるから、発光効率を高めることができる。

また、面発光レーザ装置１によれば、活性層２５において傾斜領域６２の第１端部６２ａおよび第２端部６２ｂの間の長さＬＩ１が、活性層２５の総厚さＴＡ以上である。これにより、平坦領域６１の結晶面の連続性を適切に低下させることができるから、転移欠陥の拡張を適切に抑制できる。長さＬＩ１は、活性層２５の総厚さＴＡを超えることが好ましい。

平坦領域６１がメサ構造４１の側壁４７から露出する場合、平坦領域６１はメサ構造４１の側壁４７において応力の影響を受けやくなる。また、活性層２５においてメサ構造４１の側壁４７から内方領域に向かって転移欠陥が拡張し易くなる。
そこで、面発光レーザ装置１では、メサ構造４１の側壁４７から露出する平坦領域６１を形成する一方で、メサ構造４１の内方領域に傾斜領域６２を形成している。このような構造によれば、平坦領域６１に転移欠陥が生じたとしても、メサ構造４１の内方領域に形成された傾斜領域６２によって転移欠陥の拡張を抑制できる。

平坦領域６１は、より具体的には、メサ構造４１の内方領域に形成された第１平坦領域６３、および、メサ構造４１の側壁４７側の領域に形成された第２平坦領域６４を含む。
第１平坦領域６３は、メサ構造４１の頂部４５側の領域に位置している。第２平坦領域６４は、第１平坦領域６３に対してメサ構造４１の基部４６側の領域に位置している。第１平坦領域６３は、メサ構造４１の頂部４５側に位置する第１面２５ａおよび第２面２５ｂを有している。

第２平坦領域６４は、第１平坦領域６３の第２面２５ｂに対してメサ構造４１の基部４６側に位置する第１面２５ａおよび第２面２５ｂを有している。第２平坦領域６４の第１面２５ａおよび第２面２５ｂは、より具体的には、第１平坦領域６３の第１面２５ａに対してメサ構造４１の基部４６側に位置している。
これにより、メサ構造４１の基部４６側および頂部４５側に互いにずれて形成された第１平坦領域６３および第２平坦領域６４によって、第１平坦領域６３の結晶面および第２平坦領域６４の結晶面の連続性を適切に低下させることができる。

その結果、第１平坦領域６３および第２平坦領域６４の間において転移欠陥の拡張を適切に抑制できるから、活性層２５においてダーク欠陥の発生を抑制できる。よって、発光効率を適切に高めることができる。
しかも、第１平坦領域６３および第２平坦領域６４の間の領域に、傾斜領域６２が形成されている。したがって、第２平坦領域６４において転移欠陥が生じたとしても、傾斜領域６２によって転移欠陥の拡張を適切に抑制できる。これにより、第１平坦領域６３に転移欠陥が生じるのを適切に抑制できる。

また、面発光レーザ装置１によれば、転移欠陥の発生が抑制された第１平坦領域６３が発光領域５４として形成されている。これにより、活性層２５における発光領域５４においてダーク欠陥の形成を適切に抑制できる。その結果、活性層２５における発光効率を適切に高めることができる。
また、面発光レーザ装置１によれば、平面視において第１平坦領域６３を露出させる電流狭窄絶縁層５３が形成されている。これにより、第１平坦領域６３を発光領域５４として適切に形成できる。

また、面発光レーザ装置１によれば、メサ構造４１の側壁４７の表層部に側壁絶縁層８０が形成されている。側壁絶縁層８０は、メサ構造４１の頂部４５および基部４６の間の領域をメサ構造４１の側壁４７に沿って延びている。側壁絶縁層８０は、メサ構造４１の側壁４７から露出している。
側壁絶縁層８０を含むメサ構造４１では、側壁絶縁層８０に生じた応力に起因して活性層２５において転移欠陥が生じることがある。

そこで、この面発光レーザ装置１では、側壁絶縁層８０を、平面視において活性層２５の第２平坦領域６４に対向させている。側壁絶縁層８０は、より具体的には、平面視において活性層２５の第１平坦領域６３を露出せている。
これにより、側壁絶縁層８０に生じた応力に起因して、活性層２５において転移欠陥が生じたとしても、傾斜領域６２によって転移欠陥の拡張を抑制できる。よって、第１平坦領域６３に転移欠陥が拡張するのを抑制できる。

側壁絶縁層８０は、さらに具体的には、活性層２５の傾斜領域６２に対してメサ構造４１の側壁４７側の領域に形成されている。つまり、側壁絶縁層８０は、活性層２５の傾斜領域６２およびメサ構造４１の側壁４７の間の領域に形成されている。また、側壁絶縁層８０は、活性層２５の第１平坦領域６３およびメサ構造４１の側壁４７の間の領域に形成されている。

これにより、側壁絶縁層８０に生じた応力に起因して、活性層２５において転移欠陥が生じたとしても、傾斜領域６２によって転移欠陥の拡張を適切に抑制できる。よって、第１平坦領域６３に転移欠陥が拡張するのを適切に抑制できる。
図８Ａ〜図８Ｊは、図５に対応する領域の拡大図であって、図１に示す面発光レーザ装置１の製造方法の一例を説明するための図である。

図８Ａを参照して、面発光レーザ装置１の製造にあたり、まず、基板２０が用意される。次に、基板２０の第１基板主面２２上に、ｎ型バッファ層２７が形成される。ｎ型バッファ層２７は、ｎ型のＧａＡｓを含む。ｎ型バッファ層２７は、エピタキシャル成長法によって形成される。
次に、ｎ型バッファ層２７の上に、ｎ型光反射層２８が形成される。ｎ型光反射層２８は、ｎ型高Ａｌ組成層３０およびｎ型低Ａｌ組成層３１を任意の周期で交互に積層させることにより形成される。

ｎ型高Ａｌ組成層３０は、ｎ型のＡｌ_αＧａ_{（１−α）}Ａｓを含む。ｎ型高Ａｌ組成層３０のＡｌ組成αは、０．５以上０．９５以下であってもよい。ｎ型低Ａｌ組成層３１は、ｎ型のＡｌ_βＧａ_{（１−β）}Ａｓを含む。ｎ型低Ａｌ組成層３１のＡｌ組成βは、０．０５以上０．２５以下であってもよい。ｎ型高Ａｌ組成層３０およびｎ型低Ａｌ組成層３１は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、図８Ｂを参照して、ｎ型光反射層２８の上に、所定パターンを有するマスク１２１が形成される。マスク１２１は、ｎ型光反射層２８において突出領域６５を形成すべき領域を被覆している。次に、マスク１２１を介するエッチング法によって、ｎ型光反射層２８の不要な部分が除去される。
これにより、ｎ型光反射層２８に突出領域６５および外側領域６６が形成される。この工程では、活性層２５の総厚さＴＡ以上の厚さＴＰＲ、または、活性層２５の総厚さＴＡを超える厚さＴＰＲを有する突出領域６５が形成される。

ｎ型高Ａｌ組成層３０は、ｎ型低Ａｌ組成層３１のエッチング選択比とは異なるエッチング選択比を有している。したがって、エッチング液を適切に選択することにより、ｎ型低Ａｌ組成層３１を残存させながら、ｎ型高Ａｌ組成層３０だけを除去できる。
また、エッチング液を適切に選択することにより、ｎ型高Ａｌ組成層３０を残存させながら、ｎ型低Ａｌ組成層３１だけを除去できる。これにより、ｎ型高Ａｌ組成層３０の厚さおよびｎ型低Ａｌ組成層３１の厚さに基づいて、突出領域６５の厚さＴＰＲを適切に調節できる。

次に、図８Ｃを参照して、突出領域６５および外側領域６６を被覆するように、ｎ型光反射層２８の残りの部分が積層される。ｎ型光反射層２８の残りの部分は、ｎ型高Ａｌ組成層３０またはｎ型低Ａｌ組成層３１を含む単層構造を有していてもよい。ｎ型光反射層２８の残りの部分は、ｎ型高Ａｌ組成層３０およびｎ型低Ａｌ組成層３１を含む積層構造を有していてもよい。

これにより、突出領域６５および外側領域６６を有するｎ型光反射層２８が、ｎ型バッファ層２７の上に形成される。むろん、図８Ｃの工程が除かれて、ｎ型光反射層２８の最上層を形成する突出領域６５および外側領域６６が形成されてもよい。
次に、図８Ｄを参照して、ｎ型光反射層２８の上に、ｎ型クラッド層２９が形成される。ｎ型クラッド層２９は、ｎ型のＡｌ_γＧａ_{（１−γ）}Ａｓを含む。ｎ型クラッド層２９のＡｌ組成γは、０．２以上０．７以下であってもよい。ｎ型クラッド層２９は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、ｎ型クラッド層２９の上に、活性層２５が形成される。活性層２５は、量子井戸層および障壁層を任意の周期で交互に積層させることにより形成される。量子井戸層は、ＧａＡｓを含む。障壁層は、Ａｌ_δＧａ_{（１−δ）}Ａｓを含む。障壁層のＡｌ組成δは、０．１５以上０．５以下であってもよい。量子井戸層および障壁層は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、活性層２５の上に、ｐ型クラッド層３２が形成される。ｐ型クラッド層３２は、ｐ型のＡｌ_εＧａ_{（１−ε）}Ａｓを含む。ｐ型クラッド層３２のＡｌ組成εは、０．２以上０．７以下であってもよい。ｐ型クラッド層３２は、エピタキシャル成長法によって形成される。
次に、ｐ型クラッド層３２の上に、ｐ型電流通過層５２および電流狭窄絶縁層５３のベースとなるｐ型ベース層１２２が形成される。ｐ型ベース層１２２は、ｐ型のＡｌ_σＧａ_{（１−σ）}Ａｓを含む。ｐ型ベース層１２２のＡｌ組成σは、０．９以上１．０以下であってもよい。ｐ型ベース層１２２は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、ｐ型ベース層１２２の上に、ｐ型光反射層３３が形成される。ｐ型光反射層３３は、ｐ型高Ａｌ組成層３５およびｐ型低Ａｌ組成層３６を任意の周期で交互に積層させることにより形成される。
ｐ型高Ａｌ組成層３５は、ｐ型のＡｌ_ζＧａ_{（１−ζ）}Ａｓを含む。ｐ型高Ａｌ組成層３５のＡｌ組成ζは、０．５以上０．９５以下であってもよい。ｐ型低Ａｌ組成層３６は、ｐ型のＡｌ_ηＧａ_{（１−η）}Ａｓを含む。ｐ型低Ａｌ組成層３６のＡｌ組成ηは、０．０５以上０．２５以下であってもよい。ｐ型高Ａｌ組成層３５およびｐ型低Ａｌ組成層３６は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、ｐ型光反射層３３の上に、ｐ型コンタクト層３４が形成される。ｐ型コンタクト層３４は、ｐ型のＧａＡｓを含む。ｐ型コンタクト層３４は、エピタキシャル成長法によって形成される。これにより、基板２０の第１基板主面２２の上からこの順に積層されたｎ型半導体層２４、活性層２５およびｐ型半導体層２６を含む半導体積層構造２１が形成される。

次に、図８Ｅを参照して、半導体積層構造２１の上に、所定パターンを有するマスク１２３が形成される。マスク１２３は、複数の開口１２４を有している。複数の開口１２４は、半導体積層構造２１においてメサ構造４１（発光部６）を区画するトレンチ７を形成すべき領域をそれぞれ露出させている。
次に、マスク１２３を介するエッチング法によって、半導体積層構造２１の不要な部分が除去される。半導体積層構造２１の不要な部分は、ウエットエッチング法またはドライエッチング法によって除去されてもよい。

この工程では、ｐ型コンタクト層３４、ｐ型光反射層３３、ｐ型ベース層１２２、ｐ型クラッド層３２、活性層２５、ｎ型クラッド層２９およびｎ型光反射層２８の不要な部分がそれぞれ除去される。
これにより、ｐ型コンタクト層３４、ｐ型光反射層３３、ｐ型クラッド層３２、活性層２５およびｎ型クラッド層２９を貫通し、ｎ型光反射層２８の一部を露出させる複数のトレンチ７が半導体積層構造２１に形成される。また、これにより、半導体積層構造２１に複数のメサ構造４１が形成される。その後、マスク１２３は除去される。

次に、図８Ｆを参照して、半導体積層構造２１に対して、酸化処理法が実施される。酸化処理法は、熱酸化処理法であってもよい。これにより、トレンチ７に側壁絶縁層８０が形成される。
この工程では、ｐ型光反射層３３においてトレンチ７から露出する部分が酸化される。また、ｐ型ベース層１２２においてトレンチ７から露出する部分が酸化される。また、ｐ型クラッド層３２においてトレンチ７から露出する部分が酸化される。また、ｎ型クラッド層２９においてトレンチ７から露出する部分が酸化される。また、ｎ型光反射層２８においてトレンチ７から露出する部分が酸化される。

比較的高いＡｌ組成ζを有するｐ型ベース層１２２では、メサ構造４１の側壁４７からメサ構造４１の内方領域に向けて酸化が大きく進行する。これにより、ｐ型ベース層１２２において酸化された領域が電流狭窄絶縁層５３として形成される。また、ｐ型ベース層１２２において酸化されない領域がｐ型電流通過層５２として形成される。
次に、図８Ｇを参照して、半導体積層構造２１の上に絶縁層８が形成される。この工程では、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる絶縁層８が形成される。絶縁層８は、窒化シリコン（ＳｉＮ）に代えてまたはこれに加えて酸化シリコン（ＳｉＯ_２）を含んでいてもよい。絶縁層８は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。

次に、図８Ｈを参照して、所定パターンを有するマスク１２５が半導体積層構造２１の上に形成される。マスク１２５は、絶縁層８においてリセス部１０５を形成すべき領域をそれぞれ露出させる複数の開口１２６を有している。
次に、マスク１２５を介するエッチング法（たとえばドライエッチング法）によって、絶縁層８の不要な部分が除去される。これにより、絶縁層８にリセス部１０５が形成される。その後、マスク１２５は除去される。

次に、図８Ｉを参照して、所定パターンを有するマスク１２７が半導体積層構造２１の上に形成される。マスク１２７は、絶縁層８においてコンタクト孔１０４を形成すべき領域をそれぞれ露出させる複数の開口１２８を有している。
次に、マスク１２７を介するエッチング法（たとえばウエットエッチング法）によって、絶縁層８の不要な部分が除去される。これにより、絶縁層８にコンタクト孔１０４が形成される。その後、マスク１２７は除去される。

次に、図８Ｊを参照して、半導体積層構造２１の上に、第１主面電極層９が形成される。第１主面電極層９は、第１電極膜１１２および第２電極膜１１３を含む。第１電極膜１１２は、チタンを含んでいてもよい。第２電極膜１１３は、金を含んでいてもよい。第１電極膜１１２および第２電極膜１１３は、蒸着法またはスパッタ法によってそれぞれ形成されてもよい。

次に、第１主面電極層９においてメサ構造４１の頂部４５を被覆する部分が選択的に除去される。第１主面電極層９の不要な部分は、たとえばマスク（図示せず）を介するエッチング法によって除去されてもよい。これにより、第１主面電極層９に、絶縁層８の頂部被覆部１０３を選択的に露出させる開口１１１が形成される。
次に、第１主面電極層９の上に、外部端子１１が形成される。外部端子１１は、金を含んでいてもよい。外部端子１１は、めっき法によって形成されてもよい。

また、基板２０の第２基板主面２３の上に、第２主面電極層１１５が形成される。第２主面電極層１１５は、第１電極膜１１６、第２電極膜１１７および第３電極膜１１８を含む。第１電極膜１１６は、金ゲルマニウム合金を含んでいてもよい。第２電極膜１１７は、ニッケルを含んでいてもよい。第３電極膜１１８は、金を含んでいてもよい。
第１電極膜１１６、第２電極膜１１７および第３電極膜１１８は、蒸着法またはスパッタ法によってそれぞれ形成されてもよい。以上を含む工程を経て、面発光レーザ装置１が製造される。

図９は、図３に対応する領域の断面図であって、本発明の第２実施形態に係る面発光レーザ装置１３１を示す図である。図１０は、図９に示す領域Xの拡大図である。図１１は、図１０に示す領域XIの拡大図である。以下では、面発光レーザ装置１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。
図９〜図１１を参照して、活性層２５は、ｎ型半導体層２４に対向する第１面２５ａおよびｐ型半導体層２６に対向する第２面２５ｂを有している。活性層２５は、各メサ構造４１において平坦領域１３２および傾斜領域１３３を含む。

活性層２５の平坦領域１３２は、第１面２５ａおよび第２面２５ｂが接線方向Ｘに沿って延びる膜状の領域である。活性層２５の平坦領域１３２は、メサ構造４１の側壁４７から露出している。
活性層２５の傾斜領域１３３は、平坦領域１３２の途中部に形成されている。活性層２５の傾斜領域１３３は、第１面２５ａおよび第２面２５ｂが平坦領域１３２から法線方向Ｙに向けて傾斜した膜状の領域である。活性層２５の傾斜領域１３３は、平面視において活性層２５の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

法線方向Ｙに対する傾斜領域１３３の傾斜角θ１の絶対値は、１０°以上８０°以下であってもよい。傾斜角θ１の絶対値は、１０°以上２０°以下、２０°以上３０°以下、３０°以上４０°以下、４０°以上５０°以下、５０°以上６０°以下、６０°以上７０°以下、または、７０°以上８０°以下であってもよい。平坦領域１３２に対する傾斜領域１３３の傾斜角の絶対値は、傾斜角θ１に９０°を加えた値となる。

平坦領域１３２は、より具体的には、メサ構造４１の厚さ方向（法線方向Ｙ）に互いにずれて形成された第１平坦領域１３４および第２平坦領域１３５を含む。
第１平坦領域１３４は、メサ構造４１の内方領域に形成されている。第１平坦領域１３４は、より具体的には、平面視においてメサ構造４１の中央部に形成されている。第１平坦領域１３４は、この形態では、メサ構造４１の基部４６側に形成された第１面２５ａおよび第２面２５ｂを有している。第１平坦領域１３４は、平面視において円形状に形成されている。

第１平坦領域１３４の平面形状は任意である。第１平坦領域１３４は、円形状に代えて、平面視において三角形状、四角形状または六角形状等の多角形状、もしくは、楕円形状に形成されていてもよい。
第２平坦領域１３５は、第１平坦領域１３４に対してメサ構造４１の側壁４７側の領域に形成されている。第２平坦領域１３５は、メサ構造４１の側壁４７から露出している。第２平坦領域１３５は、第１平坦領域１３４の第１面２５ａに対してメサ構造４１の頂部４５側に形成された第１面２５ａおよび第２面２５ｂを有している。

第２平坦領域１３５の第１面２５ａおよび第２面２５ｂは、より具体的には、第１平坦領域１３４の第２面２５ｂに対してメサ構造４１の頂部４５側に形成されている。第２平坦領域１３５は、平面視において第１平坦領域１３４を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。
法線方向Ｙに関して、第１平坦領域１３４の第１面２５ａおよび第２平坦領域１３５の第１面２５ａの間の距離Ｄ３は、第２平坦領域１３５の厚さＴＳ以上（ＴＳ≦Ｄ３）であることが好ましい。距離Ｄ３は、厚さＴＳを超えている（ＴＳ＜Ｄ３）ことが好ましい。第２平坦領域１３５の厚さＴＳは、活性層２５において第２平坦領域１３５を形成する部分の総厚さＴＡでもある。

このような構造によれば、第２平坦領域１３５の結晶面が、第１平坦領域１３４の結晶面に対して接線方向Ｘに連続的に連なることを適切に抑制できる。つまり、接線方向Ｘに関して、第２平坦領域１３５の結晶面は、第１平坦領域１３４の結晶面に対して不連続となる。
距離Ｄ３は、第１平坦領域１３４の厚さＴＦ以上（ＴＦ≦Ｄ３）であることが好ましい。距離Ｄ３は、厚さＴＦを超えている（ＴＦ＜Ｄ３）ことが好ましい。第１平坦領域１３４の厚さＴＳは、活性層２５において第１平坦領域１３４を形成する部分の総厚さＴＡでもある。距離Ｄ３は、活性層２５の総厚さＴＡ以上（ＴＡ≦Ｄ３）であることが好ましい。距離Ｄ３は、総厚さＴＡを超えている（ＴＡ＜Ｄ３）ことが好ましい。

傾斜領域１３３は、傾斜角θ１（｜θ１｜）を有し、第１平坦領域１３４および第２平坦領域１３５を接続している。傾斜領域１３３は、この形態では、第２平坦領域１３５から第１平坦領域１３４に向けて下り傾斜している。傾斜領域１３３は、より具体的には、メサ構造４１の頂部４５側に位置する第１端部１３３ａ、および、メサ構造４１の基部４６側に位置する第２端部１３３ｂを含む。

傾斜領域１３３の第１端部１３３ａは、第２平坦領域１３５に接続されている。傾斜領域１３３の第２端部１３３ｂは、第１平坦領域１３４に接続されている。傾斜領域１３３は、平面視において第１平坦領域１３４を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。
傾斜領域１３３の第１端部１３３ａおよび第２端部１３３ｂの間の長さＬＩ３は、第２平坦領域１３５の厚さＴＳ以上（ＴＳ≦ＬＩ３）であることが好ましい。長さＬＩ３は、厚さＴＳを超えている（ＴＳ＜ＬＩ３）ことが好ましい。

長さＬＩ３は、第１平坦領域１３４の厚さＴＦ以上（ＴＦ≦ＬＩ３）であることが好ましい。長さＬＩ３は、厚さＴＦを超えている（ＴＦ＜ＬＩ３）ことが好ましい。長さＬＩ３は、活性層２５の総厚さＴＡ以上（ＴＡ≦ＬＩ３）であることが好ましい。長さＬＩ３は、総厚さＴＡを超えている（ＴＡ＜ＬＩ３）ことが好ましい。
ｎ型半導体層２４においてメサ構造４１と重なる領域には、リセス領域１４１および外側領域１４２が形成されている。リセス領域１４１は、メサ構造４１の頂部４５とは反対側の方向に向けて窪んでいる。外側領域１４２は、リセス領域１４１に対してメサ構造４１の頂部４５側に位置している。

リセス領域１４１および外側領域１４２は、この形態では、ｎ型半導体層２４においてメサ構造４１内に位置する領域に形成されている。リセス領域１４１は、ｎ型半導体層２４の一部を掘り下げて形成されている。
リセス領域１４１は、より具体的には、ｎ型光反射層２８の一部を掘り下げて形成されている。つまり、リセス領域１４１および外側領域１４２は、ｎ型光反射層２８の一部を利用して形成されている。

リセス領域１４１は、さらに具体的には、ｎ型光反射層２８の上層部を切り欠いて形成されている。リセス領域１４１および外側領域１４２は、ｎ型高Ａｌ組成層３０またはｎ型低Ａｌ組成層３１を含む単層膜、もしくは、ｎ型高Ａｌ組成層３０およびｎ型低Ａｌ組成層３１を含む積層膜によって被覆されている。積層膜は、１つまたは複数のｎ型高Ａｌ組成層３０および１つまたは複数のｎ型低Ａｌ組成層３１を含んでいてもよい。

リセス領域１４１は、この形態では、１つのｎ型高Ａｌ組成層３０および２つのｎ型低Ａｌ組成層３１を含む積層膜を掘り下げて形成されている。リセス領域１４１および外側領域１４２は、この形態では、１つのｎ型高Ａｌ組成層３０によって被覆されている。
外側領域１４２の最表面がｎ型低Ａｌ組成層３１によって形成されている場合、リセス領域１４１および外側領域１４２は、ｎ型高Ａｌ組成層３０によって被覆されてもよい。外側領域１４２の最表面がｎ型高Ａｌ組成層３０によって形成されている場合、リセス領域１４１および外側領域１４２は、ｎ型低Ａｌ組成層３１によって被覆されてもよい。

リセス領域１４１および外側領域１４２は、ｎ型光反射層２８におけるｎ型クラッド層２９および基板２０の第１基板主面２２の間の任意の領域に形成されていてもよい。リセス領域１４１および外側領域１４２は、ｎ型半導体層２４においてメサ構造４１の基部４６に対してチップ本体２の第２主面４側の任意の領域に形成されていてもよい。
これらの場合、リセス領域１４１および外側領域１４２は、ｎ型高Ａｌ組成層３０またはｎ型低Ａｌ組成層３１を含む単層膜、もしくは、ｎ型高Ａｌ組成層３０およびｎ型低Ａｌ組成層３１を含む積層膜によって被覆されていてもよい。積層膜は、１つまたは複数のｎ型高Ａｌ組成層３０および１つまたは複数のｎ型低Ａｌ組成層３１を含んでいてもよい。

むろん、リセス領域１４１および外側領域１４２は、ｎ型光反射層２８の最上層を形成していてもよい。この場合、リセス領域１４１および外側領域１４２は、ｎ型クラッド層２９によって被覆される。
リセス領域１４１は、メサ構造４１の内方領域に形成されている。リセス領域１４１は、より具体的には、平面視においてメサ構造４１の中央部に形成されている。リセス領域１４１は、底壁１４３および側壁１４４を含む。

リセス領域１４１の底壁１４３は、この形態では、ｎ型高Ａｌ組成層３０によって形成されている。リセス領域１４１の底壁１４３は、接線方向Ｘに沿って平坦に延びている。リセス領域１４１の底壁１４３は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。
リセス領域１４１の底壁１４３の平面形状は任意である。リセス領域１４１の底壁１４３は、円形状に代えて、平面視において三角形状、四角形状または六角形状等の多角形状、もしくは、楕円形状に形成されていてもよい。

リセス領域１４１の側壁１４４は、この形態では、１つのｎ型高Ａｌ組成層３０および２つのｎ型低Ａｌ組成層３１によって形成されている。リセス領域１４１の側壁１４４は、外側領域６６からリセス領域１４１の底壁１４３に向けて下り傾斜している。これにより、リセス領域１４１は、テーパ形状に形成されている。
リセス領域１４１内において側壁１４４が底壁１４３との間で成す角度θＲの絶対値は、９０°以上１７０°以下であってもよい。角度θＲの絶対値は、９０°以上１００°以下、１００°以上１１０°以下、１１０°以上１２０°以下、１２０°以上１３０°以下、１３０°以上１４０°以下、１４０°以上１５０°以下、１５０°以上１６０°以下、または、１６０°以上１７０°以下であってもよい。

リセス領域１４１は、活性層２５に形成される凹凸形状を画定する。リセス領域１４１は、より具体的には、活性層２５における第１平坦領域１３４の第１面２５ａおよび第２平坦領域１３５の第１面２５ａの間の距離Ｄ３を画定する。
リセス領域１４１の深さＤＲは、第２平坦領域１３５の厚さＴＳ以上（ＴＳ≦ＤＲ）であることが好ましい。深さＤＲは、厚さＴＳを超えている（ＴＳ＜ＤＲ）ことが好ましい。深さＤＲは、第１平坦領域１３４の厚さＴＦ以上（ＴＦ≦ＤＲ）であることが好ましい。深さＤＲは、厚さＴＦを超えている（ＴＦ＜ＤＲ）ことが好ましい。深さＤＲは、活性層２５の総厚さＴＡ以上（ＴＡ≦ＤＲ）であることが好ましい。深さＤＲは、総厚さＴＡを超えている（ＴＡ＜ＤＲ）ことが好ましい。

外側領域１４２は、接線方向Ｘに延びる平坦面を有している。外側領域１４２の内周縁は、リセス領域１４１の側壁１４４によって区画されている。外側領域１４２の外周縁は、この形態では、メサ構造４１の側壁４７によって区画されている。したがって、外側領域１４２は、平面視においてリセス領域１４１を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

リセス領域１４１および外側領域１４２がメサ構造４１の基部４６に対してチップ本体２の第２主面４側の領域に形成されている場合、外側領域１４２の外周縁は、平面視においてチップ本体２の第１主面３（第２主面４）に整合する四角形状（長方形状）に形成される。
ｎ型クラッド層２９、活性層２５およびｐ型半導体層２６は、ｎ型光反射層２８のリセス領域１４１および外側領域１４２に倣ってｎ型光反射層２８の上に形成される。これにより、リセス領域１４１および外側領域１４２に対応した凹凸が、ｎ型クラッド層２９、活性層２５およびｐ型半導体層２６に形成される。

活性層２５の平坦領域６１は、より具体的には、リセス領域１４１の底壁１４３および外側領域１４２に沿って形成される。さらに具体的には、活性層２５の第１平坦領域６３は、リセス領域１４１の底壁１４３に沿って形成される。活性層２５の第２平坦領域６４は、外側領域１４２に沿って形成される。活性層２５の傾斜領域７２は、リセス領域１４１の側壁１４４に沿って形成される。

電流狭窄絶縁層５３は、平面視において活性層２５の第１平坦領域１３４を露出させる環状（この形態では円環状）に形成されている。電流狭窄絶縁層５３は、より具体的には、平面視において活性層２５の第１平坦領域１３４の中央部を露出させている。
電流狭窄絶縁層５３は、活性層２５の第１平坦領域１３４の周縁部、第２平坦領域１３５および傾斜領域１３３を被覆している。電流狭窄絶縁層５３は、活性層２５の第２平坦領域１３５の全域および傾斜領域１３３の全域を被覆している。

電流狭窄絶縁層５３は、さらに具体的には、ｎ型半導体層２４に対向する第１面５３ａおよびメサ構造４１の頂部４５に対向する第２面５３ｂを有している。電流狭窄絶縁層５３は、平坦領域１５１および傾斜領域１５２を含む。
電流狭窄絶縁層５３の平坦領域１５１は、第１面５３ａおよび第２面５３ｂが接線方向Ｘに沿って延びる膜状の領域である。電流狭窄絶縁層５３の平坦領域１５１は、メサ構造４１の側壁４７から露出している。

電流狭窄絶縁層５３の傾斜領域１５２は、平坦領域１５１の途中部に形成されている。電流狭窄絶縁層５３の傾斜領域１５２は、第１面５３ａおよび第２面５３ｂが平坦領域１５１から法線方向Ｙに向けて傾斜した膜状の領域である。傾斜領域１５２は、平面視においてメサ構造４１の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。
法線方向Ｙに対する傾斜領域１５２の傾斜角θ２の絶対値は、１０°以上８０°以下であってもよい。傾斜角θ２の絶対値は、１０°以上２０°以下、２０°以上３０°以下、３０°以上４０°以下、４０°以上５０°以下、５０°以上６０°以下、６０°以上７０°以下、または、７０°以上８０°以下であってもよい。平坦領域１５１に対する傾斜領域１５２の傾斜角の絶対値は、傾斜角θ２に９０°を加えた値となる。

平坦領域１５１は、より具体的には、メサ構造４１の厚さ方向（法線方向Ｙ）に互いにずれて形成された第１平坦領域１５３および第２平坦領域１５４を含む。
第１平坦領域１５３は、メサ構造４１の内方領域に形成されている。第１平坦領域１５３は、より具体的には、平面視においてメサ構造４１の中央部に形成されている。第１平坦領域１５３は、この形態では、メサ構造４１の基部４６側に形成された第１面５３ａおよび第２面５３ｂを有している。

第１平坦領域１５３は、平面視において活性層２５の第１平坦領域１３４の中央部を露出させるように、活性層２５の第１平坦領域１３４の周縁部を被覆している。第１平坦領域１５３は、この形態では、平面視において環状（この形態では円環状）に形成されている。
第２平坦領域１５４は、第１平坦領域１５３に対してメサ構造４１の側壁４７側の領域に形成されている。第２平坦領域１５４は、メサ構造４１の側壁４７から露出している。第２平坦領域１５４は、第１平坦領域１５３の第１面５３ａに対してメサ構造４１の頂部４５側に形成された第１面５３ａおよび第２面５３ｂを有している。

第２平坦領域１５４の第１面５３ａおよび第２面５３ｂは、より具体的には、第１平坦領域１５３の第２面５３ｂに対してメサ構造４１の頂部４５側に形成されている。第２平坦領域１５４は、平面視において活性層２５の第２平坦領域１３５を被覆している。第２平坦領域１５４は、平面視において第１平坦領域１５３を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

法線方向Ｙに関して、第１平坦領域１５３の第１面５３ａおよび第２平坦領域１５４の第１面５３ａの間の距離Ｄ４は、第２平坦領域１５４の厚さＴＩＳ以上（ＴＩＳ≦Ｄ４）であってもよい。距離Ｄ４は、厚さＴＩＳを超えていてもよい（ＴＩＳ＜Ｄ４）。第２平坦領域１５４の厚さＴＩＳは、電流狭窄層５１において電流狭窄絶縁層５３の第２平坦領域７４を形成する部分の厚さでもある。

距離Ｄ４は、第１平坦領域１５３の厚さＴＩＦ以上（ＴＩＦ≦Ｄ４）であってもよい。距離Ｄ４は、厚さＴＩＦを超えていてもよい（ＴＩＦ＜Ｄ４）。第１平坦領域１５３の厚さＴＩＦは、電流狭窄層５１において電流狭窄絶縁層５３の第１平坦領域１５３を形成する部分の厚さでもある。距離Ｄ４は、電流狭窄層５１の厚さＴＣ以上（ＴＣ≦Ｄ４）であってもよい。距離Ｄ４は、厚さＴＣを超えていてもよい（ＴＣ＜Ｄ４）。

傾斜領域１５２は、傾斜角θ２（｜θ２｜）を有し、第１平坦領域１５３および第２平坦領域１５４を接続している。傾斜領域１５２は、この形態では、第２平坦領域１５４から第１平坦領域１５３に向けて下り傾斜している。傾斜領域１５２は、より具体的には、メサ構造４１の頂部４５側に位置する第１端部１５２ａ、および、メサ構造４１の基部４６側に位置する第２端部１５２ｂを含む。

傾斜領域１５２の第１端部１５２ａは、第２平坦領域１５４に接続されている。傾斜領域１５２の第２端部１５２ｂは、第１平坦領域１５３に接続されている。傾斜領域１５２は、平面視において活性層２５の傾斜領域１３３を被覆している。傾斜領域１５２は、平面視において第１平坦領域１５３を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

傾斜領域１５２の第１端部１５２ａおよび第２端部１５２ｂの間の長さＬＩ４は、第２平坦領域１５４の厚さＴＩＳ以上（ＴＩＳ≦ＬＩ４）であってもよい。長さＬＩ４は、厚さＴＩＳを超えていてもよい（ＴＩＳ＜ＬＩ４）。
長さＬＩ４は、第１平坦領域１５３の厚さＴＩＦ以上（ＴＩＦ≦ＬＩ４）であってもよい。長さＬＩ４は、厚さＴＩＦを超えていてもよい（ＴＩＦ＜ＬＩ４）。長さＬＩ４は、電流狭窄層５１の厚さＴＣ以上（ＴＣ≦ＬＩ４）であってもよい。長さＬＩ４は、厚さＴＣ厚さを超えていてもよい（ＴＣ＜ＬＩ４）。

ｐ型電流通過層５２は、電流狭窄絶縁層５３によって取り囲まれた領域において平坦に延びている。ｐ型電流通過層５２は、より具体的には、電流狭窄絶縁層５３の第１平坦領域１５３によって取り囲まれている。
ｐ型電流通過層５２は、平面視において活性層２５の第１平坦領域１３４に対向している。ｐ型電流通過層５２は、平面視において活性層２５の傾斜領域１３３によって取り囲まれている。

活性層２５の傾斜領域１３３は、平面視において電流狭窄絶縁層５３の内周縁および電流狭窄絶縁層５３の外周縁の間の領域に位置している。このようにして、活性層２５の第１平坦領域１３４が、発光領域５４として形成されている。活性層２５の発光領域５４は、活性層２５の傾斜領域１３３によって取り囲まれている。
以上、面発光レーザ装置１３１によれば、活性層２５が、接線方向Ｘに沿って平坦に延びる平坦領域１３２、および、平坦領域１３２からメサ構造４１の頂部４５の法線方向Ｙに向けて傾斜した傾斜領域１３３を有している。

これにより、傾斜領域１３３によって平坦領域１３２の結晶面の連続性を低下させることができるから、転移欠陥の拡張を抑制できる。その結果、活性層２５においてダーク欠陥の発生を抑制できるから、発光効率を高めることができる。
また、面発光レーザ装置１３１によれば、活性層２５において傾斜領域１３３の第１端部１３３ａおよび第２端部１３３ｂの間の長さＬＩ３が、活性層２５の総厚さＴＡ以上である。これにより、平坦領域１３２の結晶面の連続性を適切に低下させることができるから、転移欠陥の拡張を適切に抑制できる。長さＬＩ３は、活性層２５の総厚さＴＡを超えることが好ましい。

平坦領域１３２がメサ構造４１の側壁４７から露出する場合、平坦領域１３２はメサ構造４１の側壁４７において応力の影響を受けやくなる。また、活性層２５においてメサ構造４１の側壁４７から内方領域に向かって転移欠陥が拡張し易くなる。
そこで、面発光レーザ装置１３１では、メサ構造４１の側壁４７から露出する平坦領域１３２を形成する一方で、メサ構造４１の内方領域に傾斜領域１３３を形成している。このような構造によれば、平坦領域１３２に転移欠陥が生じたとしても、メサ構造４１の内方領域に形成された傾斜領域１３３によって転移欠陥の拡張を抑制できる。

平坦領域１３２は、より具体的には、メサ構造４１の内方領域に形成された第１平坦領域１３４、および、メサ構造４１の側壁４７側の領域に形成された第２平坦領域１３５を含む。第１平坦領域１３４は、メサ構造４１の基部４６側の領域に位置しており、第２平坦領域１３５は、第１平坦領域１３４に対してメサ構造４１の頂部４５側の領域に位置している。

第１平坦領域１３４は、メサ構造４１の基部４６側に位置する第１面２５ａおよび第２面２５ｂを有している。第２平坦領域１３５は、第１平坦領域１３４の第１面２５ａに対してメサ構造４１の頂部４５側に位置する第１面２５ａおよび第２面２５ｂを有している。第２平坦領域１３５の第１面２５ａおよび第２面２５ｂは、より具体的には、第１平坦領域１３４の第２面２５ｂに対してメサ構造４１の頂部４５側に位置している。

これにより、メサ構造４１の基部４６側および頂部４５側に互いにずれて形成された第１平坦領域１３４および第２平坦領域１３５によって、第１平坦領域１３４の結晶面および第２平坦領域１３５の結晶面の連続性を適切に低下させることができる。
その結果、第１平坦領域１３４および第２平坦領域１３５の間において転移欠陥の拡張を適切に抑制できる。よって、活性層２５においてダーク欠陥の発生を抑制できるから、発光効率を適切に高めることができる。

しかも、第１平坦領域１３４および第２平坦領域１３５の間の領域に、傾斜領域１３３が形成されている。したがって、第２平坦領域１３５において転移欠陥が生じたとしても、傾斜領域１３３によって転移欠陥の拡張を適切に抑制できる。これにより、第１平坦領域１３４に転移欠陥が生じるのを適切に抑制できる。
また、面発光レーザ装置１３１によれば、転移欠陥の発生が抑制された第１平坦領域１３４が発光領域５４として形成されている。これにより、活性層２５における発光領域５４においてダーク欠陥の形成を適切に抑制できる。その結果、活性層２５における発光効率を適切に高めることができる。

また、面発光レーザ装置１３１によれば、平面視において第１平坦領域１３４を露出させる電流狭窄絶縁層５３が形成されている。これにより、第１平坦領域１３４を発光領域５４として適切に形成できる。
また、面発光レーザ装置１３１によれば、メサ構造４１の側壁４７の表層部に側壁絶縁層８０が形成されている。側壁絶縁層８０は、メサ構造４１の頂部４５および基部４６の間の領域を側壁４７に沿って延びている。側壁絶縁層８０は、メサ構造４１の側壁４７から露出している。側壁絶縁層８０を含むメサ構造４１では、側壁絶縁層８０に生じた応力に起因して活性層２５において転移欠陥が生じることがある。

そこで、この面発光レーザ装置１３１では、側壁絶縁層８０を、平面視において活性層２５の第２平坦領域１３５に対向させている。側壁絶縁層８０は、より具体的には、平面視において活性層２５の第１平坦領域１３４を露出せている。
これにより、側壁絶縁層８０に生じた応力に起因して、活性層２５において転移欠陥が生じたとしても、傾斜領域１３３によって転移欠陥の拡張を抑制できる。よって、第１平坦領域１３４に転移欠陥が拡張するのを抑制できる。

側壁絶縁層８０は、さらに具体的には、活性層２５の傾斜領域１３３に対してメサ構造４１の側壁４７側の領域に形成されている。つまり、側壁絶縁層８０は、活性層２５の傾斜領域１３３およびメサ構造４１の側壁４７の間の領域に形成されている。また、側壁絶縁層８０は、活性層２５の第１平坦領域１３４およびメサ構造４１の側壁４７の間の領域に形成されている。

これにより、側壁絶縁層８０に生じた応力に起因して、活性層２５において転移欠陥が生じたとしても、傾斜領域１３３によって転移欠陥の拡張を適切に抑制できる。よって、第１平坦領域１３４に転移欠陥が拡張するのを適切に抑制できる。
図１２Ａ〜図１２Ｊは、図１０に対応する領域の拡大図であって、図９に示す面発光レーザ装置１３１の製造方法の一例を説明するための図である。

図１２Ａを参照して、面発光レーザ装置１３１の製造にあたり、まず、基板２０が用意される。次に、基板２０の第１基板主面２２の上に、ｎ型バッファ層２７が形成される。ｎ型バッファ層２７は、ｎ型のＧａＡｓを含む。ｎ型バッファ層２７は、エピタキシャル成長法によって形成される。
次に、ｎ型バッファ層２７の上に、ｎ型光反射層２８が形成される。ｎ型光反射層２８は、ｎ型高Ａｌ組成層３０およびｎ型低Ａｌ組成層３１を任意の周期で交互に積層させることにより形成される。

ｎ型高Ａｌ組成層３０は、ｎ型のＡｌ_αＧａ_{（１−α）}Ａｓを含む。ｎ型高Ａｌ組成層３０のＡｌ組成αは、０．５以上０．９５以下であってもよい。ｎ型低Ａｌ組成層３１は、ｎ型のＡｌ_βＧａ_{（１−β）}Ａｓを含む。ｎ型低Ａｌ組成層３１のＡｌ組成βは、０．０５以上０．２５以下であってもよい。ｎ型高Ａｌ組成層３０およびｎ型低Ａｌ組成層３１は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、図１２Ｂを参照して、ｎ型光反射層２８の上に、所定パターンを有するマスク１６１が形成される。マスク１６１は、ｎ型光反射層２８においてリセス領域１４１を形成すべき領域を露出させる開口１６２を有している。次に、マスク１６１を介するエッチング法によって、ｎ型光反射層２８の不要な部分が除去される。
これにより、ｎ型光反射層２８にリセス領域１４１および外側領域１４２が形成される。この工程では、活性層２５の総厚さＴＡ以上の深さＤＲ、または、活性層２５の総厚さＴＡを超える深さＤＲを有するリセス領域１４１が形成される。その後、マスク１６１は、除去される。

ｎ型高Ａｌ組成層３０は、ｎ型低Ａｌ組成層３１のエッチング選択比とは異なるエッチング選択比を有している。したがって、エッチング液を適切に選択することにより、ｎ型低Ａｌ組成層３１を残存させながら、ｎ型高Ａｌ組成層３０だけを除去できる。
また、エッチング液を適切に選択することにより、ｎ型高Ａｌ組成層３０を残存させながら、ｎ型低Ａｌ組成層３１だけを除去できる。これにより、ｎ型高Ａｌ組成層３０の厚さおよびｎ型低Ａｌ組成層３１の厚さに基づいて、リセス領域１４１の深さを適切に調節できる。

次に、図１２Ｃを参照して、リセス領域１４１および外側領域１４２を被覆するように、ｎ型光反射層２８の残りの部分が積層される。ｎ型光反射層２８の残りの部分は、ｎ型高Ａｌ組成層３０またはｎ型低Ａｌ組成層３１を含む単層構造を有していてもよい。ｎ型光反射層２８の残りの部分は、ｎ型高Ａｌ組成層３０およびｎ型低Ａｌ組成層３１を含む積層構造を有していてもよい。

これにより、リセス領域１４１および外側領域１４２を有するｎ型光反射層２８が、ｎ型バッファ層２７の上に形成される。むろん、図１２Ｃの工程が除かれて、ｎ型光反射層２８の最上層を形成するリセス領域１４１および外側領域１４２が形成されてもよい。
次に、図１２Ｄを参照して、ｎ型光反射層２８の上に、ｎ型クラッド層２９が形成される。ｎ型クラッド層２９は、ｎ型のＡｌ_γＧａ_{（１−γ）}Ａｓを含む。ｎ型クラッド層２９のＡｌ組成γは、０．２以上０．７以下であってもよい。ｎ型クラッド層２９は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、ｎ型クラッド層２９の上に、活性層２５が形成される。活性層２５は、量子井戸層および障壁層を任意の周期で交互に積層させることにより形成される。量子井戸層は、ＧａＡｓを含む。障壁層は、Ａｌ_δＧａ_{（１−δ）}Ａｓを含む。障壁層のＡｌ組成δは、０．１５以上０．５以下であってもよい。量子井戸層および障壁層は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、活性層２５の上に、ｐ型クラッド層３２が形成される。ｐ型クラッド層３２は、ｐ型のＡｌ_εＧａ_{（１−ε）}Ａｓを含む。ｐ型クラッド層３２のＡｌ組成εは、０．２以上０．７以下であってもよい。ｐ型クラッド層３２は、エピタキシャル成長法によって形成される。
次に、ｐ型クラッド層３２の上に、ｐ型ベース層１２２が形成される。ｐ型ベース層１２２は、ｐ型のＡｌ_σＧａ_{（１−σ）}Ａｓを含む。ｐ型ベース層１２２のＡｌ組成σは、０．９以上１．０以下であってもよい。ｐ型ベース層１２２は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、ｐ型ベース層１２２の上に、ｐ型光反射層３３が形成される。ｐ型光反射層３３は、ｐ型高Ａｌ組成層３５およびｐ型低Ａｌ組成層３６を任意の周期で交互に積層させることにより形成される。
ｐ型高Ａｌ組成層３５は、ｐ型のＡｌ_ζＧａ_{（１−ζ）}Ａｓを含む。ｐ型高Ａｌ組成層３５のＡｌ組成ζは、０．５以上０．９５以下であってもよい。ｐ型低Ａｌ組成層３６は、ｐ型のＡｌ_ηＧａ_{（１−η）}Ａｓを含む。ｐ型低Ａｌ組成層３６のＡｌ組成ηは、０．０５以上０．２５以下であってもよい。ｐ型高Ａｌ組成層３５およびｐ型低Ａｌ組成層３６は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、ｐ型光反射層３３の上に、ｐ型コンタクト層３４が形成される。ｐ型コンタクト層３４は、ｐ型のＧａＡｓを含む。ｐ型コンタクト層３４は、エピタキシャル成長法によって形成される。これにより、基板２０の第１基板主面２２の上からこの順に積層されたｎ型半導体層２４、活性層２５およびｐ型半導体層２６を含む半導体積層構造２１が形成される。

次に、図１２Ｅを参照して、半導体積層構造２１の上に、所定パターンを有するマスク１２３が形成される。マスク１２３は、複数の開口１２４を有している。複数の開口１２４は、半導体積層構造２１においてメサ構造４１（発光部６）を区画するトレンチ７を形成すべき領域をそれぞれ露出させている。
次に、マスク１２３を介するエッチング法によって、半導体積層構造２１の不要な部分が除去される。半導体積層構造２１の不要な部分は、ドライエッチング法によって除去されてもよい。

この工程では、ｐ型コンタクト層３４、ｐ型光反射層３３、ｐ型ベース層１２２、ｐ型クラッド層３２、活性層２５、ｎ型クラッド層２９およびｎ型光反射層２８の不要な部分がそれぞれ除去される。
これにより、ｐ型コンタクト層３４、ｐ型光反射層３３、ｐ型クラッド層３２、活性層２５およびｎ型クラッド層２９を貫通し、ｎ型光反射層２８の一部を露出させる複数のトレンチ７が半導体積層構造２１に形成される。また、これにより、半導体積層構造２１に複数のメサ構造４１が形成される。その後、マスク１２３は除去される。

次に、図１２Ｆを参照して、半導体積層構造２１に対して、酸化処理法が実施される。酸化処理法は、熱酸化処理法であってもよい。これにより、トレンチ７に側壁絶縁層８０が形成される。
この工程では、ｐ型光反射層３３においてトレンチ７から露出する部分が酸化される。また、ｐ型ベース層１２２においてトレンチ７から露出する部分が酸化される。また、ｐ型クラッド層３２においてトレンチ７から露出する部分が酸化される。また、ｎ型クラッド層２９においてトレンチ７から露出する部分が酸化される。また、ｎ型光反射層２８においてトレンチ７から露出する部分が酸化される。

比較的高いＡｌ組成ζを有するｐ型ベース層１２２では、メサ構造４１の側壁４７からメサ構造４１の内方領域に向けて酸化が大きく進行する。これにより、ｐ型ベース層１２２において酸化された領域が電流狭窄絶縁層５３として形成される。また、ｐ型ベース層１２２において酸化されない領域がｐ型電流通過層５２として形成される。
次に、図１２Ｇを参照して、半導体積層構造２１の上に絶縁層８が形成される。この工程では、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる絶縁層８が形成される。絶縁層８は、窒化シリコン（ＳｉＮ）に代えてまたはこれに加えて酸化シリコン（ＳｉＯ_２）を含んでいてもよい。絶縁層８は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。

次に、図１２Ｈを参照して、所定パターンを有するマスク１２５が半導体積層構造２１の上に形成される。マスク１２５は、絶縁層８においてリセス部１０５を形成すべき領域をそれぞれ露出させる複数の開口１２６を有している。
次に、マスク１２５を介するエッチング法（たとえばドライエッチング法）によって、絶縁層８の不要な部分が除去される。これにより、絶縁層８にリセス部１０５が形成される。その後、マスク１２５は除去される。

次に、図１２Ｉを参照して、所定パターンを有するマスク１２７が半導体積層構造２１の上に形成される。マスク１２７は、絶縁層８においてコンタクト孔１０４を形成すべき領域をそれぞれ露出させる複数の開口１２８を有している。
次に、マスク１２７を介するエッチング法（たとえばウエットエッチング法）によって、絶縁層８の不要な部分が除去される。これにより、絶縁層８にコンタクト孔１０４が形成される。その後、マスク１２７は除去される。

次に、図１２Ｊを参照して、半導体積層構造２１の上に、第１主面電極層９が形成される。第１主面電極層９は、第１電極膜１１２および第２電極膜１１３を含む。第１電極膜１１２は、チタンを含んでいてもよい。第２電極膜１１３は、金を含んでいてもよい。第１電極膜１１２および第２電極膜１１３は、蒸着法またはスパッタ法によってそれぞれ形成されてもよい。

次に、第１主面電極層９においてメサ構造４１の頂部４５を被覆する部分が選択的に除去される。第１主面電極層９の不要な部分は、たとえばマスク（図示せず）を介するエッチング法によって除去されてもよい。これにより、第１主面電極層９に、絶縁層８の頂部被覆部１０３を選択的に露出させる開口１１１が形成される。
次に、第１主面電極層９の上に、外部端子１１が形成される。外部端子１１は、金を含んでいてもよい。外部端子１１は、めっき法によって形成されてもよい。

次に、基板２０の第２基板主面２３の上に、第２主面電極層１１５が形成される。第２主面電極層１１５は、第１電極膜１１６、第２電極膜１１７および第３電極膜１１８を含む。第１電極膜１１６は、金ゲルマニウム合金を含んでいてもよい。第２電極膜１１７は、ニッケルを含んでいてもよい。第３電極膜１１８は、金を含んでいてもよい。
第１電極膜１１６、第２電極膜１１７および第３電極膜１１８は、蒸着法またはスパッタ法によってそれぞれ形成されてもよい。以上を含む工程を経て、面発光レーザ装置１３１が製造される。

図１３は、図５に対応する領域の拡大図であって、本発明の第３実施形態に係る面発光レーザ装置１７１の構造を説明するための図である。図１４は、図１３に示す領域XIVの拡大図である。以下では、面発光レーザ装置１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。
図１３および図１４を参照して、活性層２５は、ｎ型半導体層２４に対向する第１面２５ａおよびｐ型半導体層２６に対向する第２面２５ｂを有している。活性層２５は、各メサ構造４１において平坦領域１７２および傾斜領域１７３を含む。

活性層２５の平坦領域１７２は、第１面２５ａおよび第２面２５ｂが接線方向Ｘに沿って延びる膜状の領域である。活性層２５の平坦領域１７２は、メサ構造４１の側壁４７から露出している。
活性層２５の傾斜領域１７３は、平坦領域１７２の途中部に形成されている。活性層２５の傾斜領域１７３は、第１面２５ａおよび第２面２５ｂが平坦領域１７２から法線方向Ｙに向けて傾斜した膜状の領域である。活性層２５の傾斜領域１７３は、平面視において活性層２５の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

法線方向Ｙに対する傾斜領域１７３の傾斜角θ１の絶対値は、１０°以上８０°以下であってもよい。傾斜角θ１の絶対値は、１０°以上２０°以下、２０°以上３０°以下、３０°以上４０°以下、４０°以上５０°以下、５０°以上６０°以下、６０°以上７０°以下、または、７０°以上８０°以下であってもよい。平坦領域１７２に対する傾斜領域１７３の傾斜角の絶対値は、傾斜角θ１に９０°を加えた値となる。

平坦領域１７２は、より具体的には、メサ構造４１の厚さ方向（法線方向Ｙ）に互いにずれて形成された第１平坦領域１７４、第２平坦領域１７５および第３平坦領域１７６を含む。
第２平坦領域１７５は、第１平坦領域１７４に対してメサ構造４１の厚さ方向（法線方向Ｙ）にずれている。第３平坦領域１７６は、第２平坦領域１７５に対してメサ構造４１の厚さ方向（法線方向Ｙ）にずれている。

第１平坦領域１７４は、メサ構造４１の内方領域に形成されている。第１平坦領域１７４は、より具体的には、平面視においてメサ構造４１の中央部に形成されている。第１平坦領域１７４は、この形態では、メサ構造４１の頂部４５側に形成された第１面２５ａおよび第２面２５ｂを有している。第１平坦領域１７４は、平面視において円形状に形成されている。

第１平坦領域１７４の平面形状は任意である。第１平坦領域１７４は、円形状に代えて、平面視において三角形状、四角形状または六角形状等の多角形状、もしくは、楕円形状に形成されていてもよい。
第２平坦領域１７５は、第１平坦領域１７４に対してメサ構造４１の側壁４７側の領域に形成されている。第２平坦領域１７５は、第１平坦領域１７４の第２面２５ｂに対してメサ構造４１の基部４６側に形成された第１面２５ａおよび第２面２５ｂを有している。

第２平坦領域１７５の第１面２５ａおよび第２面２５ｂは、より具体的には、第１平坦領域１７４の第１面２５ａに対してメサ構造４１の基部４６側に形成されている。第２平坦領域１７５は、平面視において第１平坦領域１７４を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。
第３平坦領域１７６は、第２平坦領域１７５に対してメサ構造４１の側壁４７側の領域に形成されている。第３平坦領域１７６は、メサ構造４１の側壁４７から露出している。第３平坦領域１７６は、第２平坦領域１７５の第１面２５ａに対してメサ構造４１の頂部４５側に形成された第１面２５ａおよび第２面２５ｂを有している。

第３平坦領域１７６の第１面２５ａおよび第２面２５ｂは、より具体的には、第２平坦領域１７５の第２面２５ｂに対してメサ構造４１の頂部４５側に形成されている。第３平坦領域１７６は、この形態では、第１平坦領域１７４と同一平面上に位置している。第３平坦領域１７６は、平面視において第２平坦領域１７５を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

法線方向Ｙに関して、第１平坦領域１７４の第１面２５ａおよび第２平坦領域１７５の第１面２５ａの間の距離Ｄ５は、第２平坦領域１７５の厚さＴＳ以上（ＴＳ≦Ｄ５）であることが好ましい。距離Ｄ５は、厚さＴＳを超えている（ＴＳ＜Ｄ５）ことが好ましい。第２平坦領域１７５の厚さＴＳは、活性層２５において第２平坦領域１７５を形成する部分の総厚さＴＡでもある。

このような構造によれば、第２平坦領域１７５の結晶面が、第１平坦領域１７４の結晶面に対して接線方向Ｘに連続的に連なることを適切に抑制できる。つまり、接線方向Ｘに関して、第２平坦領域１７５の結晶面は、第１平坦領域１７４の結晶面に対して不連続となる。
距離Ｄ５は、第１平坦領域１７４の厚さＴＦ以上（ＴＦ≦Ｄ５）であることが好ましい。距離Ｄ５は、厚さＴＦを超えている（ＴＦ＜Ｄ５）ことが好ましい。第１平坦領域１７４の厚さＴＦは、活性層２５において第１平坦領域１７４を形成する部分の総厚さＴＡでもある。距離Ｄ５は、活性層２５の総厚さＴＡ以上であることが好ましい。距離Ｄ５は、総厚さＴＡを超えていることが好ましい。

法線方向Ｙに関して、第２平坦領域１７５の第２面２５ｂおよび第３平坦領域１７６の第２面２５ｂの間の距離Ｄ６は、第３平坦領域１７６の厚さＴＴ以上（ＴＴ≦Ｄ６）であることが好ましい。距離Ｄ６は、厚さＴＴを超えている（ＴＴ＜Ｄ６）ことが好ましい。第３平坦領域１７６の厚さＴＴは、活性層２５において第３平坦領域１７６を形成する部分の総厚さＴＡでもある。

このような構造によれば、第２平坦領域１７５の結晶面が、第３平坦領域１７６の結晶面に対して接線方向Ｘに連続的に連なることを適切に抑制できる。つまり、接線方向Ｘに関して、第２平坦領域１７５の結晶面は、第３平坦領域１７６の結晶面に対して不連続となる。
距離Ｄ６は、第２平坦領域１７５の厚さＴＳ以上（ＴＳ≦Ｄ６）であることが好ましい。距離Ｄ６は、第２平坦領域１７５の厚さＴＳを超えている（ＴＳ＜Ｄ６）ことが好ましい。距離Ｄ６は、活性層２５の総厚さＴＡ以上（ＴＡ≦Ｄ６）であることが好ましい。距離Ｄ６は、総厚さＴＡを超えている（ＴＡ＜Ｄ６）ことが好ましい。

傾斜領域１７３は、第１傾斜領域１７７および第２傾斜領域１７８を含む。第１傾斜領域１７７および第２傾斜領域１７８は、メサ構造の４１の基部４６に向かって互いに接近する傾斜角θ１（｜θ１｜）で形成されている。
第１傾斜領域１７７の傾斜角θ１の絶対値および第２傾斜領域１７８の傾斜角θ１の絶対値は一致していなくてもよい。第１傾斜領域１７７および第２傾斜領域１７８は、接線方向Ｘに互いに対向している。

第１傾斜領域１７７は、傾斜角θ１（｜θ１｜）を有し、第１平坦領域１７４および第２平坦領域１７５を接続している。第１傾斜領域１７７は、この形態では、第１平坦領域１７４から第２平坦領域１７５に向けて下り傾斜している。第１傾斜領域１７７は、より具体的には、メサ構造４１の頂部４５側に位置する第１端部１７７ａ、および、メサ構造４１の基部４６側に位置する第２端部１７７ｂを含む。

第１傾斜領域１７７の第１端部１７７ａは、第１平坦領域１７４に接続されている。第１傾斜領域１７７の第２端部１７７ｂは、第２平坦領域１７５に接続されている。第１傾斜領域１７７は、平面視において第１平坦領域１７４を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。
第１傾斜領域１７７の第１端部１７７ａおよび第２端部１７７ｂの間の長さＬＩ５は、第２平坦領域１７５の厚さＴＳ以上（ＴＳ≦ＬＩ５）であることが好ましい。長さＬＩ５は、厚さＴＳを超えている（ＴＳ＜ＬＩ５）ことが好ましい。

長さＬＩ５は、第１平坦領域１７４の厚さＴＦ以上（ＴＦ≦ＬＩ５）であることが好ましい。長さＬＩ５は、厚さＴＦを超えている（ＴＦ＜ＬＩ５）ことが好ましい。長さＬＩ５は、活性層２５の総厚さＴＡ以上（ＴＡ≦ＬＩ５）であることが好ましい。長さＬＩ５は、総厚さＴＡを超えている（ＴＡ＜ＬＩ５）ことが好ましい。
第２傾斜領域１７８は、傾斜角θ１（｜θ１｜）を有し、第２平坦領域１７５および第３平坦領域１７６を接続している。第２傾斜領域１７８は、この形態では、第３平坦領域１７６から第２平坦領域１７５に向けて下り傾斜している。第２傾斜領域１７８は、より具体的には、メサ構造４１の頂部４５側に位置する第１端部１７８ａ、および、メサ構造４１の基部４６側に位置する第２端部１７８ｂを含む。

第２傾斜領域１７８の第１端部１７８ａは、第３平坦領域１７６に接続されている。第２傾斜領域１７８の第２端部１７８ｂは、第２平坦領域１７５に接続されている。第２傾斜領域１７８は、平面視において第２平坦領域１７５を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。
第２傾斜領域１７８の第１端部１７８ａおよび第２端部１７８ｂの間の長さＬＩ６は、第３平坦領域１７６の厚さＴＴ以上（ＴＴ≦ＬＩ６）であることが好ましい。長さＬＩ６は、厚さＴＴを超えている（ＴＴ＜ＬＩ６）ことが好ましい。

長さＬＩ６は、第２平坦領域１７５の厚さＴＳ以上（ＴＳ≦ＬＩ６）であることが好ましい。長さＬＩ６は、厚さＴＳを超えている（ＴＳ＜ＬＩ６）ことが好ましい。長さＬＩ６は、活性層２５の総厚さＴＡ以上（ＴＡ≦ＬＩ６）であることが好ましい。長さＬＩ６は、総厚さＴＡを超えている（ＴＡ＜ＬＩ６）ことが好ましい。
ｎ型半導体層２４においてメサ構造４１と重なる領域には、内方領域１８１、外方領域１８２およびリセス領域１８３が形成されている。リセス領域１８３は、メサ構造４１の頂部４５とは反対側の方向に向けて窪んでいる。内方領域１８１および外方領域１８２は、リセス領域１８３に対してメサ構造４１の頂部４５側に位置している。

内方領域１８１、外方領域１８２およびリセス領域１８３は、この形態では、ｎ型半導体層２４においてメサ構造４１内に位置する領域に形成されている。リセス領域１８３は、ｎ型半導体層２４の一部を掘り下げて形成されている。
リセス領域１８３は、より具体的には、ｎ型光反射層２８の一部を掘り下げて形成されている。つまり、内方領域１８１、外方領域１８２およびリセス領域１８３は、ｎ型光反射層２８の一部を利用して形成されている。

リセス領域１８３は、さらに具体的には、ｎ型光反射層２８の上層部を切り欠いて形成されている。内方領域１８１、外方領域１８２およびリセス領域１８３は、ｎ型高Ａｌ組成層３０またはｎ型低Ａｌ組成層３１を含む単層膜、もしくは、ｎ型高Ａｌ組成層３０およびｎ型低Ａｌ組成層３１を含む積層膜によって被覆されている。積層膜は、１つまたは複数のｎ型高Ａｌ組成層３０および１つまたは複数のｎ型低Ａｌ組成層３１を含んでいてもよい。

リセス領域１８３は、この形態では、１つのｎ型高Ａｌ組成層３０および２つのｎ型低Ａｌ組成層３１を含む積層膜を掘り下げて形成されている。内方領域１８１、外方領域１８２およびリセス領域１８３は、この形態では、１つのｎ型高Ａｌ組成層３０によって被覆されている。
内方領域１８１および外方領域１８２の最表面がｎ型低Ａｌ組成層３１によって形成されている場合、内方領域１８１、外方領域１８２およびリセス領域１８３は、ｎ型高Ａｌ組成層３０によって被覆されてもよい。内方領域１８１および外方領域１８２の最表面がｎ型高Ａｌ組成層３０によって形成されている場合、内方領域１８１、外方領域１８２およびリセス領域１８３は、ｎ型低Ａｌ組成層３１によって被覆されてもよい。

内方領域１８１、外方領域１８２およびリセス領域１８３は、ｎ型光反射層２８におけるｎ型クラッド層２９および基板２０の第１基板主面２２の間の任意の領域に形成されていてもよい。内方領域１８１、外方領域１８２およびリセス領域１８３は、ｎ型半導体層２４においてメサ構造４１の基部４６に対してチップ本体２の第２主面４側の任意の領域に形成されていてもよい。

これらの場合、内方領域１８１、外方領域１８２およびリセス領域１８３は、ｎ型高Ａｌ組成層３０またはｎ型低Ａｌ組成層３１を含む単層膜、もしくは、ｎ型高Ａｌ組成層３０およびｎ型低Ａｌ組成層３１を含む積層膜によって被覆されていてもよい。積層膜は、１つまたは複数のｎ型高Ａｌ組成層３０および１つまたは複数のｎ型低Ａｌ組成層３１を含んでいてもよい。

むろん、内方領域１８１、外方領域１８２およびリセス領域１８３は、ｎ型光反射層２８の最上層を形成していてもよい。この場合、内方領域１８１、外方領域１８２およびリセス領域１８３は、ｎ型クラッド層２９によって被覆される。
内方領域１８１は、メサ構造４１の内方領域に形成されている。内方領域１８１は、より具体的には、平面視においてメサ構造４１の中央部に形成されている。内方領域１８１の主面は、接線方向Ｘに延びている。内方領域１８１の主面は、この形態では、ｎ型低Ａｌ組成層３１によって形成されている。

内方領域１８１は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。内方領域１８１の平面形状は任意である。内方領域１８１は、円形状に代えて、平面視において三角形状、四角形状または六角形状等の多角形状、もしくは、楕円形状に形成されていてもよい。
外方領域１８２は、平面視において内方領域１８１から間隔を空けてメサ構造４１の側壁４７側に形成されている。外方領域１８２の主面は、接線方向Ｘに延びている。外方領域１８２の主面は、内方領域１８１の主面と同一平面上に位置している。外方領域１８２の主面は、この形態では、ｎ型低Ａｌ組成層３１によって形成されている。

外方領域１８２の外周縁は、この形態では、メサ構造４１の側壁４７によって区画されている。外方領域１８２は、内方領域１８１から間隔を空けて平面視において内方領域１８１を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。
外方領域１８２の平面形状は任意である。外方領域１８２は、円環状に代えて、平面視において三角環状、四角環状または六角環状等の多角環状、もしくは、楕円環状に形成されていてもよい。

内方領域１８１、外方領域１８２およびリセス領域１８３がメサ構造４１の基部４６に対してチップ本体２の第２主面４側の領域に形成されている場合、外方領域１８２の外周縁は、平面視においてチップ本体２の第１主面３（第２主面４）に整合する四角形状（長方形状）に形成される。
リセス領域１８３は、平面視において内方領域１８１および外方領域１８２の間の領域に形成されている。リセス領域１８３は、平面視において内方領域１８１を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

リセス領域１８３の平面形状は任意である。リセス領域１８３は、円環状に代えて、平面視において三角環状、四角環状または六角環状等の多角環状、もしくは、楕円環状に形成されていてもよい。
リセス領域１８３は、より具体的には、内方領域１８１を区画する第１側壁１８４、外方領域１８２を区画する第２側壁１８５、ならびに、第１側壁１８４および第２側壁１８５を接続する底壁１８６を含む。

リセス領域１８３の第１側壁１８４および第２側壁１８５は、この形態では、１つのｎ型高Ａｌ組成層３０および２つのｎ型低Ａｌ組成層３１によって形成されている。リセス領域１８３の第１側壁１８４は、内方領域１８１の主面から底壁１８６に向かって下り傾斜している。リセス領域１８３の第２側壁１８５は、外方領域１８２の主面から底壁１８６に向かって下り傾斜している。

これにより、リセス領域１８３は、内方領域１８１を錐台形状に区画している。内方領域１８１は、この形態では、円錐台形状に区画されている。内方領域１８１は、三角錐台形状、四角錐台形状または六角錐台形状等の多角錐台形状、もしくは、楕円錐台形状に区画されていてもよい。
リセス領域１８３内において第１側壁１８４が底壁１８６との間で成す角度θＲ１の絶対値は、１００°以上１７０°以下であってもよい。角度θＲ１の絶対値は、１００°以上１１０°以下、１１０°以上１２０°以下、１２０°以上１３０°以下、１３０°以上１４０°以下、１４０°以上１５０°以下、１５０°以上１６０°以下、または、１６０°以上１７０°以下であってもよい。

リセス領域１８３内において第２側壁１８５が底壁１８６との間で成す角度θＲ２の絶対値は、１００°以上１７０°以下であってもよい。角度θＲ２の絶対値は、１００°以上１１０°以下、１１０°以上１２０°以下、１２０°以上１３０°以下、１３０°以上１４０°以下、１４０°以上１５０°以下、１５０°以上１６０°以下、または、１６０°以上１７０°以下であってもよい。

リセス領域１８３の底壁１８６は、この形態では、ｎ型高Ａｌ組成層３０によって形成されている。リセス領域１８３の底壁１８６は、平面視において内方領域１８１を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。
リセス領域１８３の底壁１８６の平面形状は任意である。リセス領域１８３の底壁１８６は、円環状に代えて、平面視において三角環状、四角環状または六角環状等の多角環状、もしくは、楕円環状に形成されていてもよい。

内方領域１８１、外方領域１８２およびリセス領域１８３は、活性層２５に形成される凹凸形状を画定する。内方領域１８１、外方領域１８２およびリセス領域１８３は、より具体的には、第１平坦領域１７４の第１面２５ａおよび第２平坦領域１７５の第１面２５ａの間の距離Ｄ５、ならびに、第２平坦領域１７５の第２面２５ｂおよび第３平坦領域１７６の第２面２５ｂの間の距離Ｄ６を画定する。

リセス領域１８３の深さＤＲは、第２平坦領域１３５の厚さＴＳ以上（ＴＳ≦ＤＲ）であることが好ましい。深さＤＲは、厚さＴＳを超えている（ＴＳ＜ＤＲ）ことが好ましい。深さＤＲは、第１平坦領域１３４の厚さＴＦ以上（ＴＦ≦ＤＲ）であることが好ましい。深さＤＲは、厚さＴＦを超えている（ＴＦ＜ＤＲ）ことが好ましい。深さＤＲは、活性層２５の総厚さＴＡ以上（ＴＡ≦ＤＲ）であることが好ましい。深さＤＲは、総厚さＴＡを超えている（ＴＡ＜ＤＲ）ことが好ましい。

ｎ型クラッド層２９、活性層２５およびｐ型半導体層２６は、ｎ型光反射層２８の内方領域１８１、外方領域１８２およびリセス領域１８３に倣ってｎ型光反射層２８の上に形成される。
これにより、内方領域１８１、外方領域１８２およびリセス領域１８３に対応した凹凸が、ｎ型クラッド層２９、活性層２５およびｐ型半導体層２６に形成される。活性層２５では、平坦領域１７２および傾斜領域１７３が形成される。

活性層２５の平坦領域１７２は、より具体的には、内方領域１８１の主面、外方領域１８２の主面およびリセス領域１８３の底壁１８６に沿って形成される。さらに具体的には、活性層２５の第１平坦領域１７４は、内方領域１８１の主面に沿って形成される。活性層２５の第２平坦領域１７５は、リセス領域１８３の底壁１８６に沿って形成される。
活性層２５の第３平坦領域１７６は、外方領域１８２の主面に沿って形成される。活性層２５の第１傾斜領域１７７は、リセス領域１８３の第１側壁１８４に沿って形成される。活性層２５の第２傾斜領域１７８は、リセス領域１８３の第２側壁１８５に沿って形成される。

電流狭窄絶縁層５３は、平面視において活性層２５の第１平坦領域１７４を露出させる環状（この形態では円環状）に形成されている。電流狭窄絶縁層５３は、より具体的には、平面視において活性層２５の第１平坦領域１７４の中央部を露出させている。
電流狭窄絶縁層５３は、活性層２５の第１平坦領域１７４の周縁部、第１傾斜領域１７７、第２平坦領域１７５、第２傾斜領域１７８および第３平坦領域１７６を被覆している。電流狭窄絶縁層５３は、活性層２５の第１傾斜領域１７７の全域、第２平坦領域１７５の全域、第２傾斜領域１７８の全域および第３平坦領域１７６の全域を被覆している。

電流狭窄絶縁層５３は、より具体的には、ｎ型半導体層２４に対向する第１面５３ａおよびメサ構造４１の頂部４５に対向する第２面５３ｂを有している。電流狭窄絶縁層５３は、平坦領域１９１および傾斜領域１９２を含む。
電流狭窄絶縁層５３の平坦領域１９１は、第１面５３ａおよび第２面５３ｂが接線方向Ｘに沿って延びる膜状の領域である。電流狭窄絶縁層５３の平坦領域１９１は、メサ構造４１の側壁４７から露出している。

電流狭窄絶縁層５３の傾斜領域１９２は、平坦領域１９１の途中部に形成されている。電流狭窄絶縁層５３の傾斜領域１９２は、第１面５３ａおよび第２面５３ｂが平坦領域１９１から法線方向Ｙに向けて傾斜した膜状の領域である。傾斜領域１９２は、平面視においてメサ構造４１の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。
法線方向Ｙに対する傾斜領域１９２の傾斜角θ２の絶対値は、１０°以上８０°以下であってもよい。傾斜角θ２の絶対値は、１０°以上２０°以下、２０°以上３０°以下、３０°以上４０°以下、４０°以上５０°以下、５０°以上６０°以下、６０°以上７０°以下、または、７０°以上８０°以下であってもよい。平坦領域１９１に対する傾斜領域１９２の傾斜角の絶対値は、傾斜角θ２に９０°を加えた値となる。

平坦領域１９１は、より具体的には、メサ構造４１の厚さ方向（法線方向Ｙ）に互いにずれて形成された第１平坦領域１９３、第２平坦領域１９４および第３平坦領域１９５を含む。
第２平坦領域１９４は、第１平坦領域１９３に対してメサ構造４１の厚さ方向（法線方向Ｙ）にずれている。第３平坦領域１９５は、第２平坦領域１９４に対してメサ構造４１の厚さ方向（法線方向Ｙ）にずれている。

第１平坦領域１９３は、メサ構造４１の内方領域に形成されている。第１平坦領域１９３は、より具体的には、平面視においてメサ構造４１の中央部に形成されている。第１平坦領域１９３は、この形態では、メサ構造４１の頂部４５側に形成された第１面５３ａおよび第２面５３ｂを有している。
第１平坦領域１９３は、平面視において活性層２５の第１平坦領域１７４の中央部を露出させるように、活性層２５の第１平坦領域１７４の周縁部を被覆している。第１平坦領域１９３は、この形態では、平面視において環状に形成されている。

第２平坦領域１９４は、第１平坦領域１９３に対してメサ構造４１の側壁４７側の領域に形成されている。第２平坦領域１９４は、第１平坦領域１９３の第２面５３ｂに対してメサ構造４１の基部４６側に形成された第１面５３ａおよび第２面５３ｂを有している。
第２平坦領域１９４の第１面５３ａおよび第２面５３ｂは、より具体的には、第１平坦領域１９３の第１面５３ａに対してメサ構造４１の基部４６側に形成されている。第２平坦領域１９４は、平面視において活性層２５の第２平坦領域１７５を被覆している。第２平坦領域１９４は、平面視において第１平坦領域１９３を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

第３平坦領域１９５は、第２平坦領域１９４に対してメサ構造４１の側壁４７側の領域に形成されている。第３平坦領域１９５は、メサ構造４１の側壁４７から露出している。第３平坦領域１９５は、第２平坦領域１９４の第１面５３ａに対してメサ構造４１の頂部４５側に形成された第１面５３ａおよび第２面５３ｂを有している。
第３平坦領域１９５の第１面５３ａおよび第２面５３ｂは、より具体的には、第２平坦領域１９４の第２面５３ｂに対してメサ構造４１の頂部４５側に形成されている。第３平坦領域１９５は、平面視において活性層２５の第３平坦領域１７６を被覆している。第３平坦領域１９５は、この形態では、第１平坦領域１９３と同一平面上に位置している。第３平坦領域１９５は、平面視において第２平坦領域１９４を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

法線方向Ｙに関して、第１平坦領域１９３の第１面５３ａおよび第２平坦領域１９４の第１面５３ａの間の距離Ｄ７は、第２平坦領域１９４の厚さＴＩＳ以上（ＴＩＳ≦Ｄ７）であってもよい。距離Ｄ７は、厚さＴＩＳを超えていてもよい（ＴＩＳ＜Ｄ７）。第２平坦領域１９４の厚さＴＩＳは、電流狭窄層５１において電流狭窄絶縁層５３の第２平坦領域１９４を形成する部分の厚さでもある。

距離Ｄ７は、第１平坦領域１９３の厚さＴＩＦ以上（ＴＩＦ≦Ｄ７）であってもよい。距離Ｄ７は、厚さＴＩＦを超えていてもよい（ＴＩＦ＜Ｄ７）。第１平坦領域１９３の厚さＴＩＦは、電流狭窄層５１において電流狭窄絶縁層５３の第１平坦領域１９３を形成する部分の厚さでもある。
距離Ｄ７は、第３平坦領域１９５の厚さＴＩＴ以上（ＴＩＴ≦Ｄ７）であってもよい。距離Ｄ７は、厚さＴＩＴを超えていてもよい（ＴＩＴ＜Ｄ７）。第３平坦領域１９５の厚さＴＩＴは、電流狭窄層５１において電流狭窄絶縁層５３の第３平坦領域１９５を形成する部分の厚さでもある。距離Ｄ７は、電流狭窄層５１の厚さＴＣ以上（ＴＣ≦Ｄ７）であってもよい。距離Ｄ７は、厚さＴＣを超えていてもよい（ＴＣ＜Ｄ７）。

法線方向Ｙに関して、第２平坦領域１９４の第２面５３ｂおよび第３平坦領域１９５の第２面５３ｂの間の距離Ｄ８は、第３平坦領域１９５の厚さＴＩＴ以上（ＴＩＴ≦Ｄ８）であってもよい。距離Ｄ８は、厚さＴＩＴを超えていてもよい（ＴＩＴ＜Ｄ８）。距離Ｄ８は、電流狭窄層５１の厚さＴＣ以上（ＴＩＣ≦Ｄ８）であってもよい。距離Ｄ８は、厚さＴＣを超えていてもよい（ＴＩＣ＜Ｄ８）。

傾斜領域１９２は、第１傾斜領域１９６および第２傾斜領域１９７を含む。第１傾斜領域１９６および第２傾斜領域１９７は、メサ構造の４１の基部４６に向かって互いに接近する傾斜角θ２（｜θ２｜）で形成されている。
第１傾斜領域１９６の傾斜角θ２の絶対値および第２傾斜領域１９７の傾斜角θ２の絶対値は一致していなくてもよい。第１傾斜領域１９６および第２傾斜領域１９７は、接線方向Ｘに互いに対向している。

第１傾斜領域１９６は、傾斜角θ２（｜θ２｜）を有し、第１平坦領域１９３および第２平坦領域１９４を接続している。第１傾斜領域１９６は、この形態では、第１平坦領域１９３から第２平坦領域１９４に向けて下り傾斜している。第１傾斜領域１９６は、より具体的には、メサ構造４１の頂部４５側に位置する第１端部１９６ａ、および、メサ構造４１の基部４６側に位置する第２端部１９６ｂを含む。

第１傾斜領域１９６の第１端部１９６ａは、第１平坦領域１９３に接続されている。第１傾斜領域１９６の第２端部１９６ｂは、第２平坦領域１９４に接続されている。第１傾斜領域１９６は、平面視において第１平坦領域１９３を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。第１傾斜領域１９６は、平面視において活性層２５の第１傾斜領域１７７を被覆している。

第１傾斜領域１９６の第１端部１９６ａおよび第２端部１９６ｂの間の長さＬＩ７は、第２平坦領域１９４の厚さＴＩＳ以上（ＴＩＳ≦ＬＩ７）であってもよい。長さＬＩ７は、厚さＴＩＳを超えていてもよい（ＴＩＳ＜ＬＩ７）。
長さＬＩ７は、第１平坦領域１９３の厚さＴＩＦ以上（ＴＩＦ≦ＬＩ７）であってもよい。長さＬＩ７は、厚さＴＩＦを超えていてもよい（ＴＩＦ＜ＬＩ７）。長さＬＩ７は、電流狭窄層５１の厚さＴＣ以上（ＴＣ≦ＬＩ７）であってもよい。長さＬＩ７は、厚さＴＣを超えていてもよい（ＴＣ＜ＬＩ７）。

第２傾斜領域１９７は、傾斜角θ２（｜θ２｜）を有し、第２平坦領域１９４および第３平坦領域１９５を接続している。第２傾斜領域１９７は、この形態では、第３平坦領域１９５から第２平坦領域１９４に向けて下り傾斜している。第２傾斜領域１９７は、より具体的には、メサ構造４１の頂部４５側に位置する第１端部１９７ａ、および、メサ構造４１の基部４６側に位置する第２端部１９７ｂを含む。

第２傾斜領域１９７の第１端部１９７ａは、第３平坦領域１９５に接続されている。第２傾斜領域１９７の第２端部１９７ｂは、第２平坦領域１９４に接続されている。第２傾斜領域１９７は、平面視において第２平坦領域１９４を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。第２傾斜領域１９７は、平面視において活性層２５の第２傾斜領域１７８を被覆している。

第２傾斜領域１９７の第１端部１９７ａおよび第２端部１９７ｂの間の長さＬＩ８は、第３平坦領域１９５の厚さＴＩＴ以上（ＴＩＴ≦ＬＩ８）であってもよい。長さＬＩ８は、厚さＴＩＴを超えていてもよい（ＴＩＴ＜ＬＩ８）。
長さＬＩ８は、第２平坦領域１９４の厚さＴＩＳ以上（ＴＩＳ≦ＬＩ８）であってもよい。長さＬＩ８は、厚さＴＩＳを超えていてもよい（ＴＩＳ＜ＬＩ８）。長さＬＩ８は、電流狭窄層５１の厚さＴＣ以上（ＴＣ≦ＬＩ８）であってもよい。長さＬＩ８は、厚さＴＣを超えていてもよい（ＴＣ＜ＬＩ８）。

ｐ型電流通過層５２は、電流狭窄絶縁層５３によって取り囲まれた領域において平坦に延びている。ｐ型電流通過層５２は、より具体的には、電流狭窄絶縁層５３の第１平坦領域１９３によって取り囲まれている。
ｐ型電流通過層５２は、平面視において活性層２５の第１平坦領域１７４に対向している。ｐ型電流通過層５２は、平面視において活性層２５の傾斜領域１７３によって取り囲まれている。

活性層２５の傾斜領域１７３は、平面視において電流狭窄絶縁層５３の内周縁および電流狭窄絶縁層５３の外周縁の間の領域に位置している。このようにして、活性層２５の第１平坦領域１７４が、発光領域５４として形成されている。活性層２５の発光領域５４は、活性層２５の傾斜領域１７３によって取り囲まれている。
面発光レーザ装置１７１は、第１実施形態に係る面発光レーザ装置１の製造方法、または、第２実施形態に係る面発光レーザ装置１３１の製造方法においてｎ型光反射層２８を除去するためのマスクのレイアウトを変更する事だけで製造できる。

以上、面発光レーザ装置１７１によっても、面発光レーザ装置１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。特に、面発光レーザ装置１７１によれば、第１平坦領域１７４および第２平坦領域１７５の間の領域、ならびに、第２平坦領域１７５および第３平坦領域１７６の間の領域において転移欠陥の拡張を抑制できる。つまり、面発光レーザ装置１７１によれば、第１傾斜領域１７７および第２傾斜領域１７８の２つの領域において転移欠陥の拡張を抑制できる。

図１５は、図５に対応する領域の拡大図であって、本発明の第４実施形態に係る面発光レーザ装置２０１の構造を説明するための図である。図１６は、図１５に示す領域XVIの拡大図である。以下では、面発光レーザ装置１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。
図１５および図１６を参照して、活性層２５は、ｎ型半導体層２４に対向する第１面２５ａおよびｐ型半導体層２６に対向する第２面２５ｂを有している。活性層２５は、各メサ構造４１において平坦領域２０２および傾斜領域２０３を含む。

活性層２５の平坦領域２０２は、第１面２５ａおよび第２面２５ｂが接線方向Ｘに沿って延びる膜状の領域である。活性層２５の平坦領域２０２は、メサ構造４１の側壁４７から露出している。
活性層２５の傾斜領域２０３は、平坦領域２０２の途中部に形成されている。活性層２５の傾斜領域２０３は、第１面２５ａおよび第２面２５ｂが平坦領域２０２から法線方向Ｙに向けて傾斜した膜状の領域である。活性層２５の傾斜領域２０３は、平面視において活性層２５の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

法線方向Ｙに対する傾斜領域２０３の傾斜角θ１の絶対値は、１０°以上８０°以下であってもよい。傾斜角θ１の絶対値は、１０°以上２０°以下、２０°以上３０°以下、３０°以上４０°以下、４０°以上５０°以下、５０°以上６０°以下、６０°以上７０°以下、または、７０°以上８０°以下であってもよい。平坦領域２０２に対する傾斜領域２０３の傾斜角の絶対値は、傾斜角θ１に９０°を加えた値となる。

平坦領域２０２は、より具体的には、メサ構造４１の厚さ方向（法線方向Ｙ）に互いにずれて形成された第１平坦領域２０４、第２平坦領域２０５および第３平坦領域２０６を含む。
第２平坦領域２０５は、第１平坦領域２０４に対してメサ構造４１の厚さ方向（法線方向Ｙ）にずれている。第３平坦領域２０６は、第２平坦領域２０５に対してメサ構造４１の厚さ方向（法線方向Ｙ）にずれている。

第１平坦領域２０４は、メサ構造４１の内方領域に形成されている。第１平坦領域２０４は、より具体的には、平面視においてメサ構造４１の中央部に形成されている。第１平坦領域２０４は、この形態では、メサ構造４１の基部４６側に形成された第１面２５ａおよび第２面２５ｂを有している。第１平坦領域２０４は、平面視において円形状に形成されている。

第１平坦領域２０４の平面形状は任意である。第１平坦領域２０４は、円形状に代えて、平面視において三角形状、四角形状または六角形状等の多角形状、もしくは、楕円形状に形成されていてもよい。
第２平坦領域２０５は、第１平坦領域２０４に対してメサ構造４１の側壁４７側の領域に形成されている。第２平坦領域２０５は、第１平坦領域２０４の第１面２５ａに対してメサ構造４１の頂部４５側に形成された第１面２５ａおよび第２面２５ｂを有している。

第２平坦領域２０５の第１面２５ａおよび第２面２５ｂは、より具体的には、第１平坦領域２０４の第２面２５ｂに対してメサ構造４１の頂部４５側に形成されている。第２平坦領域２０５は、平面視において第１平坦領域２０４を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。
第３平坦領域２０６は、第２平坦領域２０５に対してメサ構造４１の側壁４７側の領域に形成されている。第３平坦領域２０６は、メサ構造４１の側壁４７から露出している。第３平坦領域２０６は、第２平坦領域２０５の第２面２５ｂに対してメサ構造４１の基部４６側に形成された第１面２５ａおよび第２面２５ｂを有している。

第３平坦領域２０６の第１面２５ａおよび第２面２５ｂは、より具体的には、第２平坦領域２０５の第１面２５ａに対してメサ構造４１の基部４６側に形成されている。第３平坦領域２０６は、この形態では、第１平坦領域２０４と同一平面上に位置している。第３平坦領域２０６は、平面視において第２平坦領域２０５を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

法線方向Ｙに関して、第１平坦領域２０４の第１面２５ａおよび第２平坦領域２０５の第１面２５ａの間の距離Ｄ９は、第２平坦領域２０５の厚さＴＳ以上（ＴＳ≦Ｄ９）であることが好ましい。距離Ｄ９は、厚さＴＳを超えている（ＴＳ＜Ｄ９）ことが好ましい。第２平坦領域２０５の厚さＴＳは、活性層２５において第２平坦領域２０５を形成する部分の総厚さＴＡでもある。

このような構造によれば、第２平坦領域２０５の結晶面が、第１平坦領域２０４の結晶面に対して接線方向Ｘに連続的に連なることを適切に抑制できる。つまり、接線方向Ｘに関して、第２平坦領域２０５の結晶面は、第１平坦領域２０４の結晶面に対して不連続となる。
距離Ｄ９は、第１平坦領域２０４の厚さＴＦ以上（ＴＦ≦Ｄ９）であることが好ましい。距離Ｄ９は、厚さＴＦを超えている（ＴＦ＜Ｄ９）ことが好ましい。第１平坦領域２０４の厚さＴＦは、活性層２５において第１平坦領域２０４を形成する部分の総厚さＴＡでもある。距離Ｄ９は、活性層２５の総厚さＴＡ以上（ＴＡ≦Ｄ９）であることが好ましい。距離Ｄ９は、総厚さＴＡを超えている（ＴＡ＜Ｄ９）ことが好ましい。

法線方向Ｙに関して、第２平坦領域２０５の第２面２５ｂおよび第３平坦領域２０６の第２面２５ｂの間の距離Ｄ１０は、第３平坦領域２０６の厚さＴＴ以上（ＴＴ≦Ｄ１０）であることが好ましい。距離Ｄ１０は、厚さＴＴを超えている（ＴＴ＜Ｄ１０）ことが好ましい。第３平坦領域２０６の厚さＴＴは、活性層２５において第３平坦領域２０６を形成する部分の総厚さＴＡでもある。

このような構造によれば、第２平坦領域２０５の結晶面が、第３平坦領域２０６の結晶面に対して接線方向Ｘに連続的に連なることを適切に抑制できる。つまり、接線方向Ｘに関して、第２平坦領域２０５の結晶面は、第３平坦領域２０６の結晶面に対して不連続となる。
距離Ｄ１０は、第２平坦領域２０５の厚さＴＳ以上（ＴＳ≦Ｄ１０）であることが好ましい。距離Ｄ１０は、厚さＴＳを超えている（ＴＳ＜Ｄ１０）ことが好ましい。距離Ｄ１０は、活性層２５の総厚さＴＡ以上（ＴＡ≦Ｄ１０）であることが好ましい。距離Ｄ１０は、総厚さＴＡを超えている（ＴＡ＜Ｄ１０）ことが好ましい。

傾斜領域２０３は、第１傾斜領域２０７および第２傾斜領域２０８を含む。第１傾斜領域２０７および第２傾斜領域２０８は、メサ構造の４１の頂部４５に向かって互いに接近する傾斜角θ１（｜θ１｜）で形成されている。
第１傾斜領域２０７の傾斜角θ１の絶対値および第２傾斜領域２０８の傾斜角θ１の絶対値は一致していなくてもよい。第１傾斜領域２０７および第２傾斜領域２０８は、接線方向Ｘに互いに対向している。

第１傾斜領域２０７は、傾斜角θ１（｜θ１｜）を有し、第１平坦領域２０４および第２平坦領域２０５を接続している。第１傾斜領域２０７は、この形態では、第２平坦領域２０５から第１平坦領域２０４に向けて下り傾斜している。第１傾斜領域２０７は、より具体的には、メサ構造４１の頂部４５側に位置する第１端部２０７ａ、および、メサ構造４１の基部４６側に位置する第２端部２０７ｂを含む。

第１傾斜領域２０７の第１端部２０７ａは、第２平坦領域２０５に接続されている。第１傾斜領域２０７の第２端部２０７ｂは、第１平坦領域２０４に接続されている。第１傾斜領域２０７は、平面視において第１平坦領域２０４を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。
第１傾斜領域２０７の第１端部２０７ａおよび第２端部２０７ｂの間の長さＬＩ９は、第２平坦領域２０５の厚さＴＳ以上（ＴＳ≦ＬＩ９）であることが好ましい。長さＬＩ９は、厚さＴＳを超えている（ＴＳ＜ＬＩ９）ことが好ましい。

長さＬＩ９は、第１平坦領域２０４の厚さＴＦ以上（ＴＦ≦ＬＩ９）であることが好ましい。長さＬＩ９は、厚さＴＦを超えている（ＴＦ＜ＬＩ９）ことが好ましい。長さＬＩ９は、活性層２５の総厚さＴＡ以上（ＴＡ≦ＬＩ９）であることが好ましい。長さＬＩ９は、総厚さＴＡを超えている（ＴＡ＜ＬＩ９）ことが好ましい。
第２傾斜領域２０８は、傾斜角θ１（｜θ１｜）を有し、第２平坦領域２０５および第３平坦領域２０６を接続している。第２傾斜領域２０８は、この形態では、第２平坦領域２０５から第３平坦領域２０６に向けて下り傾斜している。第２傾斜領域２０８は、より具体的には、メサ構造４１の頂部４５側に位置する第１端部２０８ａ、および、メサ構造４１の基部４６側に位置する第２端部２０８ｂを含む。

第２傾斜領域２０８の第１端部２０８ａは、第２平坦領域２０５に接続されている。第２傾斜領域２０８の第２端部２０８ｂは、第３平坦領域２０６に接続されている。第２傾斜領域２０８は、平面視において第２平坦領域２０５を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。
第２傾斜領域２０８の第１端部２０８ａおよび第２端部２０８ｂの間の長さＬＩ１０は、第３平坦領域２０６の厚さＴＴ以上で（ＴＴ≦ＬＩ１０）あることが好ましい。長さＬＩ１０は、厚さＴＴを超えている（ＴＴ＜ＬＩ１０）ことが好ましい。

長さＬＩ１０は、第２平坦領域２０５の厚さＴＳ以上（ＴＳ≦ＬＩ１０）であることが好ましい。長さＬＩ１０は、厚さＴＳを超えている（ＴＳ＜ＬＩ１０）ことが好ましい。長さＬＩ１０は、活性層２５の総厚さＴＡ以上（ＴＡ≦ＬＩ１０）であることが好ましい。長さＬＩ１０は、総厚さＴＡを超えている（ＴＡ＜ＬＩ１０）ことが好ましい。
ｎ型半導体層２４においてメサ構造４１と重なる領域には、内方領域２１０、外方領域２１１および突出領域２１２が形成されている。突出領域２１２は、メサ構造４１の頂部４５に向けて突出している。

内方領域２１０および外方領域２１１は、突出領域２１２に対してチップ本体２の第２主面４側（この形態ではメサ構造４１の基部４６側）に位置している。内方領域２１０および外方領域２１１は、接線方向Ｘに沿って延びている。
内方領域２１０、外方領域２１１および突出領域２１２は、この形態では、ｎ型半導体層２４においてメサ構造４１内に位置する領域に形成されている。突出領域２１２は、ｎ型半導体層２４の一部を切り欠いて形成されている。

突出領域２１２は、より具体的には、ｎ型光反射層２８の一部を切り欠いて形成されている。つまり、内方領域２１０、外方領域２１１および突出領域２１２は、ｎ型光反射層２８の一部を利用して形成されている。
突出領域２１２は、さらに具体的には、ｎ型光反射層２８の上層部を切り欠いて形成されている。内方領域２１０、外方領域２１１および突出領域２１２は、ｎ型高Ａｌ組成層３０またはｎ型低Ａｌ組成層３１を含む単層膜、もしくは、ｎ型高Ａｌ組成層３０およびｎ型低Ａｌ組成層３１を含む積層膜によって被覆されていてもよい。積層膜は、１つまたは複数のｎ型高Ａｌ組成層３０および１つまたは複数のｎ型低Ａｌ組成層３１を含んでいてもよい。

突出領域２１２は、この形態では、１つのｎ型高Ａｌ組成層３０および２つのｎ型低Ａｌ組成層３１を含む積層膜を切り欠いて形成されている。内方領域２１０、外方領域２１１および突出領域２１２は、この形態では、１つのｎ型高Ａｌ組成層３０によって被覆されている。
突出領域２１２の最表面がｎ型低Ａｌ組成層３１によって形成されている場合、内方領域２１０、外方領域２１１および突出領域２１２は、ｎ型高Ａｌ組成層３０によって被覆されてもよい。突出領域２１２の最表面がｎ型高Ａｌ組成層３０によって形成されている場合、内方領域２１０、外方領域２１１および突出領域２１２は、ｎ型低Ａｌ組成層３１によって被覆されてもよい。

内方領域２１０、外方領域２１１および突出領域２１２は、ｎ型光反射層２８におけるｎ型クラッド層２９および基板２０の第１基板主面２２の間の任意の領域に形成されていてもよい。内方領域２１０、外方領域２１１および突出領域２１２は、ｎ型半導体層２４においてメサ構造４１の基部４６に対してチップ本体２の第２主面４側の任意の領域に形成されていてもよい。

これらの場合、内方領域２１０、外方領域２１１および突出領域２１２は、ｎ型高Ａｌ組成層３０またはｎ型低Ａｌ組成層３１を含む単層膜、もしくは、ｎ型高Ａｌ組成層３０およびｎ型低Ａｌ組成層３１を含む積層膜によって被覆されていてもよい。積層膜は、１つまたは複数のｎ型高Ａｌ組成層３０および１つまたは複数のｎ型低Ａｌ組成層３１を含んでいてもよい。

むろん、内方領域２１０、外方領域２１１および突出領域２１２は、ｎ型光反射層２８の最上層を形成していてもよい。この場合、内方領域２１０、外方領域２１１および突出領域２１２は、ｎ型クラッド層２９によって被覆される。
内方領域２１０は、平面視においてメサ構造４１の中央部に形成されている。内方領域２１０の主面は、接線方向Ｘに延びている。内方領域２１０の主面は、この形態では、ｎ型高Ａｌ組成層３０によって形成されている。内方領域２１０から露出するｎ型高Ａｌ組成層３０は、内方領域２１０の上に形成されたｎ型高Ａｌ組成層３０によって被覆されている。

内方領域２１０は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。内方領域２１０の平面形状は任意である。内方領域２１０は、円形状に代えて、平面視において三角形状、四角形状または六角形状等の多角形状、もしくは、楕円形状に形成されていてもよい。
外方領域２１１は、平面視において内方領域２１０から間隔を空けてメサ構造４１の側壁４７側に形成されている。外方領域２１１の主面は、接線方向Ｘに延びている。外方領域２１１の主面は、内方領域２１０の主面と同一平面上に位置している。

外方領域２１１の主面は、この形態では、ｎ型高Ａｌ組成層３０によって形成されている。外方領域２１１から露出するｎ型高Ａｌ組成層３０は、外方領域２１１の上に形成されたｎ型高Ａｌ組成層３０によって被覆されている。
外方領域２１１の外周縁は、この形態では、メサ構造４１の側壁４７によって区画されている。外方領域２１１は、内方領域２１０から間隔を空けて平面視において内方領域２１０を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

外方領域２１１の平面形状は任意である。外方領域２１１は、円環状に代えて、平面視において三角環状、四角環状または六角環状等の多角環状、もしくは、楕円環状に形成されていてもよい。
内方領域２１０、外方領域２１１および突出領域２１２がメサ構造４１の基部４６に対してチップ本体２の第２主面４側の領域に形成されている場合、外方領域２１１の外周縁は、平面視においてチップ本体２の第１主面３（第２主面４）に整合する四角形状（長方形状）に形成される。

突出領域２１２は、平面視において内方領域２１０および外方領域２１１の間の領域に形成されている。突出領域２１２は、平面視において内方領域２１０を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。
突出領域２１２の平面形状は任意である。突出領域２１２は、円環状に代えて、平面視において三角環状、四角環状または六角環状等の多角環状、もしくは、楕円環状に形成されていてもよい。

突出領域２１２は、より具体的には、頂部２１３、基部２１４、頂部２１３および基部２１４を接続し、内方領域２１０を区画する第１側壁２１５、ならびに、頂部２１３および基部２１４を接続し、外方領域２１１を区画する第２側壁２１６を含む。
突出領域２１２の頂部２１３は、この形態では、ｎ型低Ａｌ組成層３１によって形成されている。突出領域２１２の基部２１４は、この形態では、ｎ型低Ａｌ組成層３１によって形成されている。

突出領域２１２の頂部２１３は、接線方向Ｘに延びている。突出領域２１２の頂部２１３は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。突出領域２１２の頂部２１３の平面形状は任意である。突出領域２１２の頂部２１３は、円形状に代えて、平面視において三角形状、四角形状または六角形状等の多角形状、もしくは、楕円形状に形成されていてもよい。

突出領域２１２の基部２１４は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。突出領域２１２の基部２１４の平面形状は任意である。突出領域２１２の頂部２１３は、頂部２１３の平面形状に応じて、平面視において三角形状、四角形状または六角形状等の多角形状、もしくは、楕円形状に形成されていてもよい。
突出領域２１２の基部２１４の平面面積は、突出領域２１２の頂部２１３の平面面積を超えている。突出領域２１２の第１側壁２１５は、頂部２１３から基部２１４に向けて下り傾斜している。突出領域２１２の第２側壁２１６は、頂部２１３から基部２１４に向けて下り傾斜している。これにより、突出領域２１２は、断面視において台形状に形成されている。

突出領域２１２内において第１側壁２１５が頂部２１３との間で成す角度θＰ１の絶対値は、１００°以上１７０°以下であってもよい。角度θＰ１の絶対値は、１００°以上１１０°以下、１１０°以上１２０°以下、１２０°以上１３０°以下、１３０°以上１４０°以下、１４０°以上１５０°以下、１５０°以上１６０°以下、または、１６０°以上１７０°以下であってもよい。

突出領域２１２内において第２側壁２１６が頂部２１３との間で成す角度θＰ２の絶対値は、１００°以上１７０°以下であってもよい。角度θＰ２の絶対値は、１００°以上１１０°以下、１１０°以上１２０°以下、１２０°以上１３０°以下、１３０°以上１４０°以下、１４０°以上１５０°以下、１５０°以上１６０°以下、または、１６０°以上１７０°以下であってもよい。

内方領域２１０、外方領域２１１および突出領域２１２は、活性層２５に形成される凹凸形状を画定する。内方領域２１０、外方領域２１１および突出領域２１２は、より具体的には、第１平坦領域１７４の第１面２５ａおよび第２平坦領域１７５の第１面２５ａの間の距離Ｄ９、ならびに、第２平坦領域１７５の第２面２５ｂおよび第３平坦領域１７６の第２面２５ｂの間の距離Ｄ１０を画定する。

突出領域２１２の厚さＴＰＲは、第２平坦領域２０５の厚さＴＳ以上（ＴＳ≦ＴＰＲ）であることが好ましい。厚さＴＰＲは、厚さＴＳを超えている（ＴＳ＜ＴＰＲ）ことが好ましい。厚さＴＰＲは、第１平坦領域２０４の厚さＴＦ以上（ＴＦ≦ＴＰＲ）であることが好ましい。厚さＴＰＲは、厚さＴＦを超えている（ＴＦ＜ＴＰＲ）ことが好ましい。
厚さＴＰＲは、第３平坦領域２０６の厚さＴＴ以上（ＴＴ≦ＴＰＲ）であることが好ましい。厚さＴＰＲは、厚さＴＴを超えている（ＴＴ＜ＴＰＲ）ことが好ましい。厚さＴＰＲは、活性層２５の総厚さＴＡ以上（ＴＡ≦ＴＰＲ）であることが好ましい。厚さＴＰＲは、総厚さＴＡを超えている（ＴＡ＜ＴＰＲ）ことが好ましい。

ｎ型クラッド層２９、活性層２５およびｐ型半導体層２６は、ｎ型光反射層２８の内方領域２１０、外方領域２１１および突出領域２１２に倣ってｎ型光反射層２８の上に形成される。
これにより、内方領域２１０、外方領域２１１および突出領域２１２に対応した凹凸が、ｎ型クラッド層２９、活性層２５およびｐ型半導体層２６に形成される。活性層２５では、平坦領域２０２および傾斜領域２０３が形成される。

活性層２５の平坦領域２０２は、より具体的には、内方領域２１０、外方領域２１１および突出領域２１２の頂部２１３に沿って形成される。さらに具体的には、活性層２５の第１平坦領域２０４は、内方領域２１０の主面に沿って形成される。活性層２５の第２平坦領域２０５は、突出領域２１２の頂部２１３に沿って形成される。
活性層２５の第３平坦領域２０６は、外方領域２１１の主面に沿って形成される。活性層２５の第１傾斜領域２０７は、突出領域２１２の第１側壁２１５に沿って形成される。活性層２５の第２傾斜領域２０８は、突出領域２１２の第２側壁２１６に沿って形成される。

電流狭窄絶縁層５３は、平面視において活性層２５の第１平坦領域２０４を露出させる環状（この形態では円環状）に形成されている。電流狭窄絶縁層５３は、活性層２５の第１傾斜領域２０７の全域、第２平坦領域２０５の全域、第２傾斜領域２０８の全域および第３平坦領域２０６の全域を被覆している。
電流狭窄絶縁層５３は、より具体的には、平面視において活性層２５の第１平坦領域２０４の中央部を露出させるように、活性層２５の第１平坦領域２０４の周縁部、第１傾斜領域２０７、第２平坦領域２０５、第２傾斜領域２０８および第３平坦領域２０６を被覆している。

電流狭窄絶縁層５３は、より具体的には、ｎ型半導体層２４に対向する第１面５３ａおよびメサ構造４１の頂部４５に対向する第２面５３ｂを有している。電流狭窄絶縁層５３は、平坦領域２２１および傾斜領域２２２を含む。
電流狭窄絶縁層５３の平坦領域２２１は、第１面５３ａおよび第２面５３ｂが接線方向Ｘに沿って延びる膜状の領域である。電流狭窄絶縁層５３の平坦領域２２１は、メサ構造４１の側壁４７から露出している。

電流狭窄絶縁層５３の傾斜領域２２２は、平坦領域２２１の途中部に形成されている。電流狭窄絶縁層５３の傾斜領域２２２は、第１面５３ａおよび第２面５３ｂが平坦領域２２１から法線方向Ｙに向けて傾斜した膜状の領域である。傾斜領域２２２は、平面視においてメサ構造４１の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。
法線方向Ｙに対する傾斜領域２２２の傾斜角θ２の絶対値は、１０°以上８０°以下であってもよい。傾斜角θ２の絶対値は、１０°以上２０°以下、２０°以上３０°以下、３０°以上４０°以下、４０°以上５０°以下、５０°以上６０°以下、６０°以上７０°以下、または、７０°以上８０°以下であってもよい。平坦領域２２１に対する傾斜領域２２２の傾斜角の絶対値は、傾斜角θ２に９０°を加えた値となる。

平坦領域２２１は、より具体的には、メサ構造４１の厚さ方向（法線方向Ｙ）に互いにずれて形成された第１平坦領域２２３、第２平坦領域２２４および第３平坦領域２２５を含む。
第２平坦領域２２４は、第１平坦領域２２３に対してメサ構造４１の厚さ方向（法線方向Ｙ）にずれている。第３平坦領域２２５は、第２平坦領域２２４に対してメサ構造４１の厚さ方向（法線方向Ｙ）にずれている。

第１平坦領域２２３は、メサ構造４１の内方領域に形成されている。第１平坦領域２２３は、より具体的には、平面視においてメサ構造４１の中央部に形成されている。第１平坦領域２２３は、この形態では、メサ構造４１の基部４６側に形成された第１面５３ａおよび第２面５３ｂを有している。
第１平坦領域２２３は、平面視において活性層２５の第１平坦領域２０４の中央部を露出させるように、活性層２５の第１平坦領域２０４の周縁部を被覆している。第１平坦領域２２３は、この形態では、平面視において環状に形成されている。

第２平坦領域２２４は、第１平坦領域２２３に対してメサ構造４１の側壁４７側の領域に形成されている。第２平坦領域２２４は、第１平坦領域２２３の第１面５３ａに対してメサ構造４１の頂部４５側に形成された第１面５３ａおよび第２面５３ｂを有している。
第２平坦領域２２４の第１面５３ａおよび第２面５３ｂは、より具体的には、第１平坦領域２２３の第２面５３ｂに対してメサ構造４１の頂部４５側に形成されている。第２平坦領域２２４は、平面視において活性層２５の第２平坦領域２０５を被覆している。第２平坦領域２２４は、平面視において第１平坦領域２２３を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

第３平坦領域２２５は、第２平坦領域２２４に対してメサ構造４１の側壁４７側の領域に形成されている。第３平坦領域２２５は、メサ構造４１の側壁４７から露出している。第３平坦領域２２５は、第２平坦領域２２４の第２面５３ｂに対してメサ構造４１の基部４６側に形成された第１面５３ａおよび第２面５３ｂを有している。
第３平坦領域２２５の第１面５３ａおよび第２面５３ｂは、より具体的には、第２平坦領域２２４の第１面５３ａに対してメサ構造４１の基部４６側に形成されている。第３平坦領域２２５は、平面視において活性層２５の第３平坦領域２０６を被覆している。第３平坦領域２２５は、この形態では、第１平坦領域２２３と同一平面上に位置している。第３平坦領域２２５は、平面視において第２平坦領域２２４を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

法線方向Ｙに関して、第１平坦領域２２３の第１面５３ａおよび第２平坦領域２２４の第１面５３ａの間の距離Ｄ１１は、第２平坦領域２２４の厚さＴＩＳ以上（ＴＩＳ≦Ｄ１１）であってもよい。距離Ｄ１１は、厚さＴＩＳを超えていてもよい（ＴＩＳ＜Ｄ１１）。第２平坦領域２２４の厚さＴＩＳは、電流狭窄層５１において電流狭窄絶縁層５３の第２平坦領域２２４を形成する部分の厚さでもある。

距離Ｄ１１は、第１平坦領域２２３の厚さＴＩＦ以上（ＴＩＦ≦Ｄ１１）であってもよい。距離Ｄ１１は、厚さＴＩＦを超えていてもよい（ＴＩＦ＜Ｄ１１）。第１平坦領域２２３の厚さＴＩＦは、電流狭窄層５１において電流狭窄絶縁層５３の第１平坦領域２２３を形成する部分の厚さでもある。距離Ｄ１１は、電流狭窄層５１の厚さＴＣ以上であってもよい（ＴＣ≦Ｄ１１）。距離Ｄ１１は、厚さＴＣを超えていてもよい（ＴＣ＜Ｄ１１）。

法線方向Ｙに関して、第２平坦領域２２４の第２面５３ｂおよび第３平坦領域２２５の第２面５３ｂの間の距離Ｄ１２は、第３平坦領域２２５の厚さＴＩＴ以上（ＴＩＴ≦Ｄ１１）であってもよい。距離Ｄ１２は、厚さＴＩＴを超えていてもよい（ＴＩＴ＜Ｄ１１）。第３平坦領域２２５の厚さＴＩＴは、電流狭窄層５１において電流狭窄絶縁層５３の第３平坦領域２２５を形成する部分の厚さでもある。

距離Ｄ１２は、第１平坦領域２２３の厚さＴＩＦ以上（ＴＩＦ≦Ｄ１２）であってもよい。距離Ｄ１２は、厚さＴＩＦを超えていてもよい（ＴＩＦ＜Ｄ１２）。距離Ｄ１２は、電流狭窄層５１の厚さＴＣ以上（ＴＣ≦Ｄ１２）であってもよい。距離Ｄ１２は、厚さＴＣを超えていてもよい（ＴＣ＜Ｄ１２）。
傾斜領域２２２は、第１傾斜領域２２６および第２傾斜領域２２７を含む。第１傾斜領域２２６および第２傾斜領域２２７は、メサ構造の４１の頂部４５に向かって互いに接近する傾斜角θ２（｜θ２｜）で形成されている。

第１傾斜領域２２６の傾斜角θ２の絶対値および第２傾斜領域２２７の傾斜角θ２の絶対値は一致していなくてもよい。第１傾斜領域２２６および第２傾斜領域２２７は、接線方向Ｘに互いに対向している。
第１傾斜領域２２６は、傾斜角θ２（｜θ２｜）を有し、第１平坦領域２２３および第２平坦領域２２４を接続している。第１傾斜領域２２６は、この形態では、第２平坦領域２２４から第１平坦領域２２３に向けて下り傾斜している。第１傾斜領域２２６は、より具体的には、メサ構造４１の頂部４５側に位置する第１端部２２６ａ、および、メサ構造４１の基部４６側に位置する第２端部２２６ｂを含む。

第１傾斜領域２２６の第１端部２２６ａは、第２平坦領域２２４に接続されている。第１傾斜領域２２６の第２端部２２６ｂは、第１平坦領域２２３に接続されている。第１傾斜領域２２６は、平面視において第１平坦領域２２３を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。第１傾斜領域２２６は、平面視において活性層２５の第１傾斜領域２０７を被覆している。

第１傾斜領域２２６の第１端部２２６ａおよび第２端部２２６ｂの間の長さＬＩ１１は、第２平坦領域２２４の厚さＴＩＳ以上（ＴＩＳ≦ＬＩ１１）であってもよい。長さＬＩ１１は、厚さＴＩＳを超えていてもよい（ＴＩＳ＜ＬＩ１１）。
長さＬＩ１１は、第１平坦領域２２３の厚さＴＩＦ以上（ＴＩＦ≦ＬＩ１１）であってもよい。長さＬＩ１１は、厚さＴＩＦを超えていてもよい（ＴＩＦ＜ＬＩ１１）。長さＬＩ１１は、電流狭窄層５１の厚さＴＣ以上（ＴＣ≦ＬＩ１１）であってもよい。長さＬＩ１１は、厚さＴＣを超えていてもよい（ＴＣ＜ＬＩ１１）。

第２傾斜領域２２７は、傾斜角θ２（｜θ２｜）を有し、第２平坦領域２２４および第３平坦領域２２５を接続している。第２傾斜領域２２７は、この形態では、第２平坦領域２２４から第３平坦領域２２５に向けて下り傾斜している。第２傾斜領域２２７は、より具体的には、メサ構造４１の頂部４５側に位置する第１端部２２７ａ、および、メサ構造４１の基部４６側に位置する第２端部２２７ｂを含む。

第２傾斜領域２２７の第１端部２２７ａは、第２平坦領域２２４に接続されている。第２傾斜領域２２７の第２端部２２７ｂは、第３平坦領域２２５に接続されている。第２傾斜領域２２７は、平面視において第２平坦領域２２４を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。第２傾斜領域２２７は、平面視において活性層２５の第２傾斜領域２０８を被覆している。

第２傾斜領域２２７の第１端部２２７ａおよび第２端部２２７ｂの間の長さＬＩ１２は、第３平坦領域２２５の厚さＴＩＴ以上（ＴＩＴ≦ＬＩ１２）であってもよい。長さＬＩ１２は、厚さＴＩＴを超えていてもよい（ＴＩＴ＜ＬＩ１２）。
長さＬＩ１２は、第２平坦領域２２４の厚さＴＩＳ以上（ＴＩＳ≦ＬＩ１２）であってもよい。長さＬＩ１２は、厚さＴＩＳを超えていてもよい（ＴＩＳ＜ＬＩ１２）。長さＬＩ１２は、電流狭窄層５１の厚さＴＣ以上（ＴＣ≦ＬＩ１２）であってもよい。長さＬＩ１２は、厚さＴＣを超えていてもよい（ＴＣ＜ＬＩ１２）。

ｐ型電流通過層５２は、電流狭窄絶縁層５３によって取り囲まれた領域において平坦に延びている。ｐ型電流通過層５２は、より具体的には、電流狭窄絶縁層５３の第１平坦領域２２３によって取り囲まれている。
ｐ型電流通過層５２は、平面視において活性層２５の第１平坦領域２０４に対向している。ｐ型電流通過層５２は、平面視において活性層２５の傾斜領域２０３によって取り囲まれている。

活性層２５の傾斜領域２０３は、平面視において電流狭窄絶縁層５３の内周縁および電流狭窄絶縁層５３の外周縁の間の領域に位置している。つまり、活性層２５の第１平坦領域２０４が、発光領域５４として形成されている。活性層２５の発光領域５４は、活性層２５の傾斜領域２０３によって取り囲まれている。
面発光レーザ装置２０１は、第１実施形態に係る面発光レーザ装置１の製造方法、または、第２実施形態に係る面発光レーザ装置１３１の製造方法においてｎ型光反射層２８を除去するためのマスクのレイアウトを変更する事だけで製造できる。

以上、面発光レーザ装置２０１によっても、面発光レーザ装置１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。特に、面発光レーザ装置２０１によれば、第１平坦領域２０４および第２平坦領域２０５の間の領域、ならびに、第２平坦領域２０５および第３平坦領域２０６の間の領域において転移欠陥の拡張を抑制できる。つまり、面発光レーザ装置２０１によれば、第１傾斜領域２０７および第２傾斜領域２０８の２つの領域において転移欠陥の拡張を抑制できる。

図１７は、図３に対応する領域の断面図であって、本発明の第５実施形態に係る面発光レーザ装置２３１の構造を説明するための図である。図１８は、図１７に示す領域XVIIIの拡大図である。以下では、第１実施形態に係る面発光レーザ装置１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。
第１実施形態に係る面発光レーザ装置１では、ｎ型光反射層２８を選択的に除去して形成した突出領域６５および外側領域６６を利用して、活性層２５に凹凸構造（Uneven Structure）を導入している。

これに対して、面発光レーザ装置２３１では、基板２０の第１基板主面２２に形成した突出部２３２を利用して、ｎ型光反射層２８に突出領域６５および外側領域６６を形成し、活性層２５に凹凸構造を導入している。
図１７および図１８を参照して、突出部２３２は、基板２０の第１基板主面２２に複数形成されている。複数の突出部２３２は、平面視においてメサ構造４１に重なる領域にそれぞれ形成されている。各突出部２３２は、頂部２３３、基部２３４、ならびに、頂部２３３および基部２３４を接続する側壁２３５を含む。

突出部２３２の頂部２３３は、基板２０の第１基板主面２２に対して平行に延びている。突出部２３２の頂部２３３は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。突出部２３２の頂部２３３の平面形状は任意である。突出部２３２の頂部２３３は、円形状に代えて、平面視において三角形状、四角形状または六角形状等の多角形状、もしくは、楕円形状に形成されていてもよい。

突出部２３２の基部２３４は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。突出部２３２の基部２３４の平面形状は任意である。突出部２３２の基部２３４は、頂部２３３の平面形状に応じて、平面視において三角形状、四角形状または六角形状等の多角形状、もしくは、楕円形状に形成されていてもよい。
突出部２３２の基部２３４の平面面積は、突出部２３２の頂部２３３の平面面積を超えている。突出部２３２の側壁２３５は、頂部２３３から基部２３４に向けて下り傾斜している。

これにより、突出部２３２は、錐台形状に形成されている。突出部２３２は、この形態では、円錐台形状に形成されている。突出部２３２は、頂部２３３および基部２３４の平面形状に応じて、三角錐台形状、四角錐台形状または六角錐台形状等の多角錐台形状、もしくは、楕円錐台形状に形成されていてもよい。
突出部２３２内において側壁２３５が頂部２３３との間で成す角度θＰＰの絶対値は、１００°以上１７０°以下であってもよい。角度θＰＰの絶対値は、１００°以上１１０°以下、１１０°以上１２０°以下、１２０°以上１３０°以下、１３０°以上１４０°以下、１４０°以上１５０°以下、１５０°以上１６０°以下、または、１６０°以上１７０°以下であってもよい。

ｎ型半導体層２４、活性層２５およびｐ型半導体層２６は、基板２０の第１基板主面２２および突出部２３２に倣って基板２０の第１基板主面２２の上に形成される。これにより、基板２０の第１基板主面２２および突出部２３２に対応した凹凸が、ｎ型半導体層２４、活性層２５およびｐ型半導体層２６に形成される。
ｎ型光反射層２８の突出領域６５および外側領域６６は、基板２０の第１基板主面２２および突出部２３２に起因して形成される。ｎ型光反射層２８の突出領域６５の平面面積は、基板２０の突出部２３２の平面視面よりも大きい。これにより、平坦領域６１および傾斜領域６２を含む活性層２５が形成される。また、これにより、平坦領域７１および傾斜領域７２を含む電流狭窄絶縁層５３が形成される。

突出部２３２は、基板２０の一部を利用して形成されていてもよい。つまり、突出部２３２は、基板２０を用意した後、エッチング法によって基板２０の第１基板主面２２を選択的に除去することによって形成されてもよい。
突出部２３２は、基板２０とは異なる材料によって形成されていてもよい。つまり、突出部２３２は、基板２０を用意した後、絶縁材料または導電材料からなる材料層を基板２０の第１基板主面２２の上に形成し、エッチング法によって当該材料層を選択的に除去することによって形成されてもよい。

以上、面発光レーザ装置２３１によっても、面発光レーザ装置１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。
図１９は、図３に対応する領域の断面図であって、本発明の第６実施形態に係る面発光レーザ装置２４１の構造を説明するための図である。図２０は、図１９に示す領域XXの拡大図である。以下では、第２実施形態に係る面発光レーザ装置１３１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

第２実施形態に係る面発光レーザ装置１３１では、ｎ型光反射層２８を選択的に除去して形成したリセス領域１４１および外側領域１４２を利用して、活性層２５に凹凸構造（Uneven Structure）を導入している。
これに対して、面発光レーザ装置２４１では、基板２０の第１基板主面２２に形成したリセス部２４２を利用して、ｎ型光反射層２８にリセス領域１４１および外側領域１４２を形成し、活性層２５に凹凸構造を導入している。

図１９および図２０を参照して、リセス部２４２は、基板２０の第１基板主面２２に複数形成されている。複数のリセス部２４２は、平面視においてメサ構造４１に重なる領域にそれぞれ形成されている。各リセス部２４２は、平面視において円形状に形成されている。
各リセス部２４２の平面形状は任意である。各リセス部２４２は、円形状に代えて、平面視において三角形状、四角形状または六角形状等の多角形状、もしくは、楕円形状に形成されていてもよい。

各リセス部２４２は、底壁２４３および側壁２４４を含む。リセス部２４２の底壁２４３は、基板２０の第１基板主面２２に対して平行に延びている。リセス部２４２の側壁２４４は、基板２０の第１基板主面２２からリセス部２４２の底壁２４３に向けて下り傾斜している。これにより、リセス部２４２は、断面視においてテーパ形状に形成されている。

リセス部２４２内において側壁２４４が底壁２４３との間で成す角度θＲＲの絶対値は、１００°以上１７０°以下であってもよい。角度θＲＲの絶対値は、１００°以上１１０°以下、１１０°以上１２０°以下、１２０°以上１３０°以下、１３０°以上１４０°以下、１４０°以上１５０°以下、１５０°以上１６０°以下、または、１６０°以上１７０°以下であってもよい。

ｎ型半導体層２４、活性層２５およびｐ型半導体層２６は、基板２０の第１基板主面２２およびリセス部２４２に倣って基板２０の第１基板主面２２の上に形成される。これにより、基板２０の第１基板主面２２およびリセス部２４２に対応した凹凸が、ｎ型半導体層２４、活性層２５およびｐ型半導体層２６に形成される。
ｎ型光反射層２８にリセス領域１４１および外側領域１４２は、この形態では、基板２０の第１基板主面２２に形成されたリセス部２４２に起因して形成される。ｎ型光反射層２８のリセス領域１４１の平面面積は、基板２０のリセス部２４２の平面視面よりも大きい。

これにより、平坦領域６１および傾斜領域６２を含む活性層２５が形成される。また、平坦領域７１および傾斜領域７２を含む電流狭窄絶縁層５３が形成される。リセス部２４２は、基板２０を用意した後、エッチング法によって基板２０の第１基板主面２２を選択的に除去することによって形成されてもよい。
以上、面発光レーザ装置２４１によっても、面発光レーザ装置１３１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はさらに他の形態で実施することもできる。
前述の第３実施形態に、前述の第５実施形態または前述の第６実施形態の着想が組み込まれてもよい。つまり、第３実施形態に係る活性層２５の凹凸構造は、基板２０の第１基板主面２２に形成された突出部２３２またはリセス部２４２によって導入されてもよい。

前述の第４実施形態に、前述の第５実施形態または前述の第６実施形態の着想が組み込まれてもよい。つまり、第４実施形態に係る活性層２５の凹凸構造は、基板２０の第１基板主面２２に形成された突出部２３２またはリセス部２４２によって導入されてもよい。
前述の各実施形態において法線方向Ｙに沿って柱状に延びるメサ構造４１が形成されてもよい。つまり、頂部４５の平面面積および基部４６の平面面積は等しくてもよい。また、メサ構造４１の側壁４７は、頂部４５および基部４６の間を法線方向Ｙに沿って延びていてもよい。

この場合、メサ構造４１は、円柱形状に形成されていてもよい。メサ構造４１は、頂部４５および基部４６の平面形状に応じて、三角柱形状、四角柱形状または六角柱形状等の多角柱形状、もしくは、楕円柱形状に形成されていてもよい。
前述の各実施形態において各半導体部分の導電型が反転された構造が採用されてもよい。つまり、ｐ型の部分がｎ型に形成され、ｎ型の部分がｐ型に形成されてもよい。

活性層２５の結晶面に不連続部を導入することによってダーク欠陥を抑制する前述の各実施形態に係る構造（着想）は、ＶＣＳＥＬ以外の装置にも適用可能である。すなわち、前述の各実施形態に係る活性層２５の構造は、ｎ型光反射層２８、ｐ型光反射層３３、電流狭窄絶縁層５３等を備えない半導体レーザ装置や半導体発光装置にも適用可能である。半導体発光装置には、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）が含まれてもよい。

前述の各実施形態において図２１に示される構造を有するトレンチ７が形成されてもよい。図２１は、トレンチ７の第１変形例を示す断面図である。以下では、面発光レーザ装置１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。
図２１を参照して、トレンチ７の底壁４４は、チップ本体２の第２主面４に向かう凸湾曲状に形成されていてもよい。トレンチ７の底壁４４からは、ｎ型高Ａｌ組成層３０およびｎ型低Ａｌ組成層３１を含む積層膜が露出していてもよい。

この場合、メサ構造４１の基部４６は、トレンチ７の内周壁４２（メサ構造４１の側壁４７）およびトレンチ７の底壁４４を接続する接続部によって形成される。つまり、トレンチ７の底壁４４の最深部は、メサ構造４１の基部４６よりも下方側に位置する。換言すると、トレンチ７の底壁４４の最深部は、メサ構造４１の基部４６に対してチップ本体２の第２主面４側に形成される。

前述の各実施形態において図２２に示される構造を有するトレンチ７が形成されてもよい。図２２は、トレンチ７の第２変形例を示す平面図である。以下では、面発光レーザ装置１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。
図２２を参照して、トレンチ７の内周壁４２の平面形状およびトレンチ７の外周壁４３の平面形状は、一致していなくてもよい。トレンチ７の内周壁４２が円形状に形成されている一方で、トレンチ７の外周壁４３が多角形状（たとえば六角形状）に形成されていてもよい。むろん、トレンチ７の内周壁４２が多角形状（たとえば六角形状）に形成されている一方で、トレンチ７の外周壁４３が円形状に形成されていてもよい。

この明細書は、第１〜第６実施形態に示された特徴の如何なる組み合わせ形態をも制限しない。第１〜第６実施形態は、それらの間で任意の態様および任意の形態において組み合わせられることができる。つまり、第１〜第６実施形態に示された特徴が任意の態様および任意の形態で組み合わされた形態が採用されてもよい。
この明細書および図面から抽出される特徴の例を以下に示す。

［項１］頂部、基部、ならびに、前記頂部および前記基部を接続する側壁を含むメサ構造と、前記メサ構造の前記基部を形成する第１導電型の第１半導体層と、前記メサ構造の前記頂部を形成する第２導電型の第２半導体層と、前記メサ構造の前記頂部の接線方向に沿って平坦に延びる平坦領域、および、前記平坦領域から前記メサ構造の前記頂部の法線方向に向けて傾斜した傾斜領域を有し、前記メサ構造において前記第１半導体層および前記第２半導体層の間に介在する活性層と、を含む、面発光レーザ装置。

この面発光レーザ装置によれば、傾斜領域によって転移欠陥の拡張を抑制できる。よって、活性層のダーク欠陥の発生を抑制できる。
[項２]前記活性層は、前記第１半導体層に対向する第１面および前記第２半導体層に対向する第２面を含み、前記第１面および前記第２面が前記メサ構造の前記頂部の接線方向に沿って平坦に延びる前記平坦領域、ならびに、前記第１面および前記第２面が前記平坦領域から前記メサ構造の前記頂部の法線方向に向けて傾斜した前記傾斜領域を有している、項１に記載の面発光レーザ装置。

［項３］前記傾斜領域は、前記メサ構造の前記頂部側に位置する第１端部、および、前記メサ構造の前記基部側に位置する第２端部を含み、前記傾斜領域の前記第１端部および前記第２端部の間の長さは、前記活性層の厚さ以上である、項１または２に記載の面発光レーザ装置。
［項４］前記平坦領域は、前記メサ構造の前記側壁から露出している、項１〜３のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。

［項５］前記メサ構造において前記第２半導体層および前記活性層の間に介在し、前記活性層に供給される電流を狭窄する電流狭窄絶縁層を含む、項１〜４のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
［項６］前記電流狭窄絶縁層は、前記頂部の法線方向から見た平面視において前記活性層の前記傾斜領域を被覆している、項５に記載の面発光レーザ装置。

［項７］前記電流狭窄絶縁層は、前記頂部の法線方向から見た平面視において前記活性層の前記平坦領域を露出させている、項５または６に記載の面発光レーザ装置。
［項８］前記平坦領域は、前記メサ構造の内方領域において前記メサ構造の前記頂部側に形成された第１平坦領域、および、前記メサ構造の前記側壁側の領域において前記第１平坦領域に対して前記メサ構造の前記基部側に形成された第２平坦領域を含み、前記傾斜領域は、前記第１平坦領域および前記第２平坦領域を接続している、項１〜４のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。

［項９］前記平坦領域は、前記メサ構造の内方領域において前記メサ構造の前記基部側に形成された第１平坦領域、および、前記メサ構造の前記側壁側の領域において前記第１平坦領域に対して前記メサ構造の前記頂部側に形成された第２平坦領域を含み、前記傾斜領域は、前記第１平坦領域および前記第２平坦領域を接続している、項１〜４のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。

［項１０］前記傾斜領域は、前記メサ構造の前記頂部の法線方向から見た平面視において前記第１平坦領域を取り囲んでいる、項８または９に記載の面発光レーザ装置。
［項１１］前記傾斜領域は、前記メサ構造の前記頂部の法線方向から見た平面視において前記第２平坦領域によって取り囲まれている、項８〜１０のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。

［項１２］前記第２平坦領域は前記メサ構造の前記側壁から露出している、項８〜１１のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
［項１３］前記メサ構造において前記側壁は、前記頂部から前記基部に向けて下り傾斜している、項１〜１２のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
［項１４］複数の前記メサ構造を含む、項１〜１３のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。

［項１５］複数の前記メサ構造は、前記メサ構造の前記頂部の法線方向から見た平面視において千鳥状、行列状または放射状に配列されている、項１４に記載の面発光レーザ装置。
［項１６］前記メサ構造は、前記頂部の法線方向から見た平面視において三角形状、四角形状、六角形状、円形状または楕円形状に形成されている、項１〜１５のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。

［項１７］前記第１半導体層、前記第２半導体層、ならびに、前記第１半導体層および前記第２半導体層の間に介在する前記活性層を含み、主面を有する半導体積層構造をさらに含み、前記メサ構造は、前記第２半導体層および前記活性層を貫通するように前記半導体積層構造の前記主面に形成された溝によって区画されている、項１〜１６のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。

［項１８］前記第１半導体層は、第１導電型の第１光反射層を含み、前記第２半導体層は、第２導電型の第２光反射層を含む、項１〜１７のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
［項１９］頂部、基部、ならびに、前記頂部および前記基部を接続する側壁を含むメサ構造と、前記メサ構造の前記基部を形成する第１導電型の第１半導体層と、前記メサ構造の前記頂部を形成する第２導電型の第２半導体層と、前記メサ構造の前記頂部の接線方向に沿って平坦に延び、発光領域、および、前記メサ構造において前記発光領域および前記メサ構造の前記側壁の間の領域に形成され、前記発光領域から前記メサ構造の前記頂部の法線方向に向けて傾斜した傾斜領域を有し、前記メサ構造において前記第１半導体層および前記第２半導体層の間に介在する活性層と、を含む、面発光レーザ装置。

この面発光レーザ装置によれば、発光領域に転移欠陥が拡張するのを抑制できる。その結果、発光領域におけるダーク欠陥の発生を抑制できる。
［項２０］前記活性層は、前記第１半導体層に対向する第１面および前記第２半導体層に対向する第２面を含み、前記第１面および前記第２面が前記メサ構造の前記頂部の接線方向に沿って平坦に延びる前記発光領域、ならびに、前記第１面および前記第２面が前記発光領域から前記メサ構造の前記頂部の法線方向に向けて傾斜した前記傾斜領域を有している、項１９に記載の面発光レーザ装置。

［項２１］前記発光領域は、前記傾斜領域によって取り囲まれている、項１９または２０に記載の面発光レーザ装置。
［項２２］前記傾斜領域は、前記発光領域から前記メサ構造の前記基部側に向けて傾斜している、項１９〜２１のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
［項２３］前記傾斜領域は、前記発光領域から前記メサ構造の前記頂部側に向けて傾斜している、項１９〜２２のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。

［項２４］前記第１半導体層は、第１導電型の第１光反射層を含み、前記第２半導体層は、第２導電型の第２光反射層を含む、項１９〜２３のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

１ 面発光レーザ装置
２１ 半導体積層構造
２４ ｎ型半導体層
２５ 活性層
２５ａ 活性層の第１面
２５ｂ 活性層の第２面
２６ ｐ型半導体層
２８ ｎ型光反射層
３３ ｐ型光反射層
４１ メサ構造
４４ メサ構造の頂部
４５ メサ構造の基部
４６ メサ構造の側壁
５３ 電流狭窄絶縁層
６１ 活性層の平坦領域
６２ 活性層の傾斜領域
６３ 活性層の第１平坦領域
６４ 活性層の第２平坦領域
６５ ｎ型光反射層の突出領域
６６ ｎ型光反射層の外側領域
１３１ 面発光レーザ装置
１４１ ｎ型光反射層のリセス領域
１４２ ｎ型光反射層の外側領域
１７１ 面発光レーザ装置
１７２ 活性層の平坦領域
１７３ 活性層の傾斜領域
１７４ 活性層の第１平坦領域
１７５ 活性層の第２平坦領域
１７６ 活性層の第３平坦領域
１８３ ｎ型光反射層のリセス領域
２０１ 面発光レーザ装置
２０２ 活性層の平坦領域
２０３ 活性層の傾斜領域
２０４ 活性層の第１平坦領域
２０５ 活性層の第２平坦領域
２０６ 活性層の第３平坦領域
２１２ ｎ型光反射層の突出領域
２３１ 面発光レーザ装置
２４１ 面発光レーザ装置
Ｙ 法線方向

Claims (25)

1. 頂部、基部、ならびに、前記頂部および前記基部を接続する側壁を含むメサ構造と、
   前記メサ構造の前記基部を形成する第１導電型の第１半導体層と、
   前記メサ構造の前記頂部を形成する第２導電型の第２半導体層と、
   前記メサ構造の前記頂部側に位置する頂部側領域、および、前記頂部側領域に対して前記メサ構造の前記基部側にずれて形成された基部側領域を含み、前記メサ構造において前記第１半導体層および前記第２半導体層の間に介在する活性層と、を含む、面発光レーザ装置。
2. 前記活性層は、前記第１半導体層に対向する第１面および前記第２半導体層に対向する第２面を有し、前記メサ構造の前記頂部側に形成された前記第１面および前記第２面を有する前記頂部側領域、ならびに、前記頂部側領域の前記第２面に対して前記メサ構造の前記基部側に位置する前記第１面および前記第２面を有する前記基部側領域を含む、請求項１に記載の面発光レーザ装置。
3. 前記活性層において前記基部側領域の前記第１面および前記第２面は、前記頂部側領域の前記第１面に対して前記メサ構造の前記基部側に位置している、請求項２に記載の面発光レーザ装置。
4. 前記活性層は、前記メサ構造の前記側壁から露出している、請求項１〜３のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
5. 前記活性層は、前記頂部側領域および前記基部側領域を接続し、前記メサ構造の前記頂部の法線方向に向けて傾斜した傾斜領域を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
6. 前記活性層において前記頂部側領域は、前記頂部の法線方向から見た平面視において前記基部側領域によって取り囲まれている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
7. 前記活性層において前記基部側領域は前記メサ構造の前記側壁から露出している、請求項６に記載の面発光レーザ装置。
8. 前記活性層において前記頂部側領域は、前記頂部の法線方向から見た平面視において前記基部側領域を取り囲んでいる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
9. 前記活性層において前記頂部側領域は前記メサ構造の前記側壁から露出している、請求項８に記載の面発光レーザ装置。
10. 前記第１半導体層は、前記メサ構造の前記頂部に向けて突出した突出領域および前記突出領域外の外側領域を含み、
    前記活性層において前記頂部側領域は前記第１半導体層の前記突出領域に沿って形成されており、前記基部側領域は前記第１半導体層の前記外側領域に沿って形成されている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
11. 前記第１半導体層の前記突出領域の厚さは、前記活性層の厚さ以上である、請求項１０に記載の面発光レーザ装置。
12. 前記第１半導体層において前記外側領域は、前記頂部の法線方向から見た平面視において前記突出領域を取り囲んでおり、
    前記活性層において前記頂部側領域は、前記頂部の法線方向から見た平面視において前記基部側領域によって取り囲まれている、請求項１０または１１に記載の面発光レーザ装置。
13. 前記活性層において前記基部側領域は前記メサ構造の前記側壁から露出している、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
14. 前記メサ構造において前記第２半導体層および前記活性層の間に介在し、前記活性層に供給される電流を狭窄する電流狭窄絶縁層を含む、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
15. 前記電流狭窄絶縁層は、前記頂部の法線方向から見た平面視において前記活性層の前記基部側領域を被覆している、請求項１４に記載の面発光レーザ装置。
16. 前記電流狭窄絶縁層は、前記頂部の法線方向から見た平面視において前記活性層の前記頂部側領域を露出させている、請求項１４または１５に記載の面発光レーザ装置。
17. 前記第１半導体層は、前記メサ構造の前記頂部の反対側に向けて窪んだリセス領域および前記リセス領域外の外側領域を含み、
    前記活性層において前記頂部側領域は前記第１半導体層において前記外側領域に沿って形成されており、前記基部側領域は前記第１半導体層において前記リセス領域に沿って形成されている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
18. 前記第１半導体層の前記リセス領域の深さは、前記活性層の厚さ以上である、請求項１７に記載の面発光レーザ装置。
19. 前記活性層において前記頂部側領域は前記メサ構造の前記側壁から露出している、請求項１７または１８に記載の面発光レーザ装置。
20. 前記メサ構造において前記第２半導体層および前記活性層の間に介在し、前記活性層に供給される電流を狭窄する電流狭窄絶縁層を含む、請求項１７〜１９のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
21. 前記電流狭窄絶縁層は、前記頂部の法線方向から見た平面視において前記活性層の前記頂部側領域を被覆している、請求項２０に記載の面発光レーザ装置。
22. 前記電流狭窄絶縁層は、前記頂部の法線方向から見た平面視において前記活性層の前記基部側領域を露出させている、請求項２０または２１に記載の面発光レーザ装置。
23. 前記メサ構造内において前記側壁が前記頂部との間で成す角度の絶対値は、９０°以上１７０°以下である、請求項１〜２２のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
24. 前記第１半導体層、前記第２半導体層、ならびに、前記第１半導体層および前記第２半導体層の間に介在する前記活性層を含み、主面を有する半導体積層構造をさらに含み、
    前記メサ構造は、前記第２半導体層および前記活性層を貫通するように前記半導体積層構造の前記主面に形成された溝によって区画されている、請求項１〜２３のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
25. 前記第１半導体層は、第１導電型の第１光反射層を含み、
    前記第２半導体層は、第２導電型の第２光反射層を含む、請求項１〜２４のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。

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