JP7428648B2 - 面発光レーザ装置 - Google Patents

Description

本発明は、面発光レーザ装置に関する。

特許文献１は、面発光レーザ装置の一例としての面発光レーザアレイを開示している。この面発光レーザアレイは、主面を有する半導体層と、半導体層を切り欠いて半導体層の主面に形成されたメサ構造をそれぞれ有し、主面の法線方向に光を放出する複数の発光部と、を含む。

特開２００７－７３５８５号公報

特許文献１に記載の面発光レーザ装置では、複数の発光部を均等な行列状の配列で遍在させるという制限が課されている。このような構造では、半導体層の温度分布および複数の発光部の出力を調整できない。

本発明の一実施形態は、半導体層の温度分布および複数の発光部の出力を調整できる面発光レーザ装置を提供する。

本発明の一実施形態は、主面を有する半導体層と、前記主面に形成された溝によってそれぞれ区画され、平面視において前記主面の周縁部に偏在するように配列され、前記主面の法線方向に向けて光を放出する複数の発光部と、を含む、面発光レーザ装置を提供する。

この面発光レーザ装置によれば、熱が集中しやすい半導体層の中央部の温度上昇を抑制できる。これにより、半導体層の温度分布を調整できるから、複数の発光部の出力を調整できる。

本発明の一実施形態は、主面を有する半導体層と、前記主面の上に形成され、前記半導体層の熱伝導率を超える熱伝導率を有する外部端子と、前記主面に形成された溝によってそれぞれ区画され、平面視において前記外部端子の周囲に偏在するように配列され、前記主面の法線方向に向けて光を放出する複数の発光部と、を含む、面発光レーザ装置を提供する。

この面発光レーザ装置によれば、外部端子の周囲に配列された複数の発光部で生じた熱を外部端子に効率的に伝達させることができる。これにより、半導体層の温度分布を調整できるから、複数の発光部の出力を調整できる。

本発明における上述の、またはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。

図１は、本発明の第１実施形態に係る面発光レーザ装置を示す平面図である。 図２は、図１に示す領域IIの拡大図である。 図３は、図１に示す領域IIIの拡大図である。 図４は、図１に示すIV-IV線に沿う断面図である。 図５は、図１に示すV-V線に沿う断面図である。 図６は、図４に示す領域VIの拡大図である。 図７は、図６に示す領域VIIの拡大図である。 図８Ａは、図６の対応図であって、図１に示す面発光レーザ装置の製造方法の一例を説明するための図である。 図８Ｂは、図８Ａの後の工程を示す図である。 図８Ｃは、図８Ｂの後の工程を示す図である。 図８Ｄは、図８Ｃの後の工程を示す図である。 図８Ｅは、図８Ｄの後の工程を示す図である。 図８Ｆは、図８Ｅの後の工程を示す図である。 図８Ｇは、図８Ｆの後の工程を示す図である。 図８Ｈは、図８Ｇの後の工程を示す図である。 図８Ｉは、図８Ｈの後の工程を示す図である。 図９、本発明の第２実施形態に係る面発光レーザ装置を示す平面図である。 図１０は、本発明の第３実施形態に係る面発光レーザ装置を示す平面図である。 図１１は、本発明の第４実施形態に係る面発光レーザ装置を示す平面図である。 図１２は、本発明の第５実施形態に係る面発光レーザ装置を示す平面図である。 図１３は、本発明の第６実施形態に係る面発光レーザ装置を示す平面図である。 図１４は、図１３に示すXIV-XIV線に沿う断面図である。 図１５は、本発明の第７実施形態に係る面発光レーザ装置を示す平面図である。 図１６は、本発明の第８実施形態に係る面発光レーザ装置を示す平面図である。 図１７は、本発明の第９実施形態に係る面発光レーザ装置を示す平面図である。 図１８は、本発明の第１０実施形態に係る面発光レーザ装置を示す平面図であって、第１主面電極層の第１形態例を示す平面図である。 図１９は、図１８に示す領域XIXの拡大図である。 図２０は、図１８に示すXX-XX線に沿う断面図である。 図２１は、図１８に示すXXI-XXI線に沿う断面図である。 図２２は、図１８に示すXXII-XXII線に沿う断面図である。 図２３は、図２２に示す領域XXIIIの拡大図である。 図２４は、図２３に示す領域XXIVの拡大図である。 図２５Ａは、図１９の対応図であって、第１主面電極層の第２形態例を示す拡大図である。 図２５Ｂは、図１９の対応図であって、第１主面電極層の第３形態例を示す拡大図である。 図２５Ｃは、図１９の対応図であって、第１主面電極層の第４形態例を示す拡大図である。 図２５Ｄは、図１９の対応図であって、第１主面電極層の第５形態例を示す拡大図である。 図２５Ｅは、図１９の対応図であって、第１主面電極層の第６形態例を示す拡大図である。 図２５Ｆは、図１９の対応図であって、第１主面電極層の第７形態例を示す拡大図である。 図２５Ｇは、図１９の対応図であって、第１主面電極層の第８形態例を示す拡大図である。 図２５Ｈは、図１９の対応図であって、第１主面電極層の第９形態例を示す拡大図である。 図２５Ｉは、図１９の対応図であって、第１主面電極層の第１０形態例を示す拡大図である。 図２５Ｊは、図１９の対応図であって、第１主面電極層の第１１形態例を示す拡大図である。 図２５Ｋは、図２３の対応図であって、第１主面電極層の第１２形態例を示す拡大図である。 図２５Ｌは、図２３の対応図であって、第１主面電極層の第１３形態例を示す拡大図である。 図２６Ａは、図２２の対応図であって、図１８に示す面発光レーザ装置の製造方法の一例を説明するための図である。 図２６Ｂは、図２６Ａの後の工程を示す図である。 図２６Ｃは、図２６Ｂの後の工程を示す図である。 図２６Ｄは、図２６Ｃの後の工程を示す図である。 図２６Ｅは、図２６Ｄの後の工程を示す図である。 図２６Ｆは、図２６Ｅの後の工程を示す図である。 図２６Ｇは、図２６Ｆの後の工程を示す図である。 図２６Ｈは、図２６Ｇの後の工程を示す図である。 図２６Ｉは、図２６Ｈの後の工程を示す図である。 図２６Ｊは、図２６Ｉの後の工程を示す図である。 図２６Ｋは、図２６Ｊの後の工程を示す図である。 図２６Ｌは、図２６Ｋの後の工程を示す図である。 図２６Ｍは、図２６Ｌの後の工程を示す図である。 図２７は、図２２の対応図であって、本発明の第１１実施形態に係る面発光レーザ装置を示す断面図である。 図２８Ａは、図２７の対応図であって、図２７に示す面発光レーザ装置の製造方法の一例を説明するための図である。 図２８Ｂは、図２８Ａの後の工程を示す図である。 図２８Ｃは、図２８Ｂの後の工程を示す図である。 図２８Ｄは、図２８Ｃの後の工程を示す図である。 図２９は、本発明の第１２実施形態に係る面発光レーザ装置を示す平面図である。 図３０は、本発明の第１３実施形態に係る面発光レーザ装置を示す平面図である。 図３１は、本発明の第１４実施形態に係る面発光レーザ装置を示す平面図である。 図３２は、本発明の第１５実施形態に係る面発光レーザ装置を示す平面図である。 図３３は、図３２に示す領域XXXIIIの拡大図である。 図３４は、本発明の第１６実施形態に係る面発光レーザ装置を示す平面図であって、第１主面電極層の第１形態例を示す平面図である。 図３５は、図３４に示す領域XXXVの拡大図である。 図３６は、図３５の対応図であって、第１主面電極層の第２形態例を示す拡大図である。 図３７は、本発明の第１７実施形態に係る面発光レーザ装置を示す平面図である。 図３８は、図３７に示す領域XXXVIIIの拡大図である。 図３９は、本発明の第１８実施形態に係る面発光レーザ装置を示す平面図である。 図４０は、図３９に示す領域XLの拡大図である。 図４１は、本発明の第１９実施形態に係る面発光レーザ装置を示す平面図である。 図４２は、図４１に示す領域XLIIの拡大図である。 図４３は、図４１に示すXLIII-XLIII線に沿う断面図である。 図４４は、図４１に示すXLIV-XLIV線に沿う断面図である。 図４５は、図４３に示す領域XLVの拡大図である。 図４６は、図４５に示す領域XLVIの拡大図である。 図４７は、図４５に示す領域XLVIIの拡大図である。 図４８は、図４５に示す領域XLVIIIの拡大図である。 図４９Ａは、図４５の対応図であって、図４１に示す面発光レーザ装置の製造方法の一例を説明するための図である。 図４９Ｂは、図４９Ａの後の工程を示す図である。 図４９Ｃは、図４９Ｂの後の工程を示す図である。 図４９Ｄは、図４９Ｃの後の工程を示す図である。 図４９Ｅは、図４９Ｄの後の工程を示す図である。 図４９Ｆは、図４９Ｅの後の工程を示す図である。 図４９Ｇは、図４９Ｆの後の工程を示す図である。 図４９Ｈは、図４９Ｇの後の工程を示す図である。 図４９Ｉは、図４９Ｈの後の工程を示す図である。 図５０は、第１～第９実施形態に係るトレンチの第１変形例を示す断面図である。 図５１は、第１～第９実施形態に係るトレンチの第２変形例を示す平面図である。 図５２は、第１０～第１８実施形態に係るトレンチの第１変形例を示す断面図である。 図５３は、第１０～第１８実施形態に係るトレンチの第２変形例を示す平面図である。 図５４は、第１９実施形態に係るトレンチの第１変形例を示す断面図である。 図５５は、第１９実施形態に係るトレンチの第２変形例を示す平面図である。

図１は、本発明の第１実施形態に係る面発光レーザ装置１を示す平面図である。図２は、図１に示す領域IIの拡大図である。図３は、図１に示す領域IIIの拡大図である。図４は、図１に示すIV-IV線に沿う断面図である。図５は、図１に示すV-V線に沿う断面図である。図６は、図４に示す領域VIの拡大図である。図７は、図６に示す領域VIIの拡大図である。

図１～図７を参照して、面発光レーザ装置１は、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）と称される半導体レーザ装置である。面発光レーザ装置１は、直方体形状のチップ本体２を含む。

チップ本体２は、一方側の第１主面３、他方側の第２主面４、ならびに、第１主面３および第２主面４を接続する側面５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄを含む。第１主面３および第２主面４は、それらの法線方向Ｚから見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において四角形状（この形態では長方形状）に形成されている。

側面５Ａ～５Ｄは、より具体的には、第１側面５Ａ、第２側面５Ｂ、第３側面５Ｃおよび第４側面５Ｄを含む。第１側面５Ａおよび第３側面５Ｃは、第１方向Ｘに沿って延び、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに対向している。第２方向Ｙは、より具体的には、第１方向Ｘに直交している。第１側面５Ａおよび第３側面５Ｃは、チップ本体２の長辺を形成している。第２側面５Ｂおよび第４側面５Ｄは、第２方向Ｙに沿って延び、第１方向Ｘに対向している。第２側面５Ｂおよび第４側面５Ｄは、チップ本体２の短辺を形成している。側面５Ａ～５Ｄは、法線方向Ｚに沿って平面的に延びている。

平面視において第１側面５Ａ（第３側面５Ｃ）の幅Ｗ１は、２００μｍ以上２０００μｍ以下であってもよい。幅Ｗ１は、２００μｍ以上４００μｍ以下、４００μｍ以上６００μｍ以下、６００μｍ以上８００μｍ以下、８００μｍ以上１０００μｍ以下、１０００μｍ以上１２００μｍ以下、１２００μｍ以上１４００μｍ以下、１４００μｍ以上１６００μｍ以下、１６００μｍ以上１８００μｍ以下、または、１８００μｍ以上２０００μｍ以下であってもよい。幅Ｗ１は、５００μｍ±５μｍであってもよい。

平面視において第２側面５Ｂ（第４側面５Ｄ）の幅Ｗ２は、２００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。幅Ｗ２は、２００μｍ以上３００μｍ以下、３００μｍ以上４００μｍ以下、４００μｍ以上５００μｍ以下、５００μｍ以上６００μｍ以下、６００μｍ以上７００μｍ以下、７００μｍ以上８００μｍ以下、８００μｍ以上９００μｍ以下、または、９００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。幅Ｗ２は、３４０μｍ±５μｍであってもよい。

図１～図３を参照して、面発光レーザ装置１は、第１主面３に形成され、法線方向Ｚに向けてレーザ光を放出する発光部６（半導体発光層）を含む。この形態では、複数の発光部６が、平面視において第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに間隔を空けて形成されている。複数の発光部６は、規則的に配列されていてもよいし、不規則に配列されていてもよい。複数の発光部６は、平面視において千鳥状、行列状または放射状（同心円状）に配列されていることが好ましい。

複数の発光部６は、この形態では、平面視において互いに間隔を空けて千鳥状に配列されている。つまり、複数の発光部６は、平面視において三角形（この形態では正三角形）の３つの頂点に１つの発光部６がそれぞれ位置する態様で配列されている。複数の発光部６は、より具体的に、平面視において六角形（この形態では正六角形）の６つの頂点に１つの発光部６がそれぞれ位置する態様で配列されている。

複数の発光部６は、さらに具体的には、平面視において六角形（この形態では正六角形）の６つの頂点に１つの発光部６がそれぞれ位置し、かつ、六角形の中央部に１つの発光部６が位置する態様で配列されている。

複数の発光部６は、この形態では、平面視において円形状にそれぞれ形成されている。発光部６の平面形状は任意である。発光部６は、平面視において三角形状、四角形状もしくは六角形状等の多角形状、または、楕円形状に形成されていてもよい。

複数の発光部６は、トレンチ７（溝）によってそれぞれ区画されている。トレンチ７は、第１主面３を第２主面４に向けて掘り下げることによって形成されている。トレンチ７は、平面視において発光部６を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。発光部６およびトレンチ７の具体的な構造は、後述される。

隣り合う２つの発光部６の最短距離Ｌ１は、１０μｍ以上１５０μｍ以下であってもよい。最短距離Ｌ１は、最近接する２つの発光部６の間の距離である。最短距離Ｌ１は、１０μｍ以上２５μｍ以下、２５μｍ以上５０μｍ以下、５０μｍ以上７５μｍ以下、７５μｍ以上１００μｍ以下、１００μｍ以上１２５μｍ以下、または、１２５μｍ以上１５０μｍ以下であってもよい。

複数の発光部６の第１最遠距離Ｌ２は、第１側面５Ａ（第３側面５Ｃ）の幅Ｗ１に応じて設定される。第１最遠距離Ｌ２は、第１方向Ｘの両端部に位置する最も離れた２つの発光部６の間の距離である。

第１最遠距離Ｌ２は、２００μｍ以上２０００μｍ以下であってもよい。第１最遠距離Ｌ２は、２００μｍ以上４００μｍ以下、４００μｍ以上６００μｍ以下、６００μｍ以上８００μｍ以下、８００μｍ以上１０００μｍ以下、１０００μｍ以上１２００μｍ以下、１２００μｍ以上１４００μｍ以下、１４００μｍ以上１６００μｍ以下、１６００μｍ以上１８００μｍ以下、または、１８００μｍ以上２０００μｍ以下であってもよい。

複数の発光部６の第２最遠距離Ｌ３は、第２側面５Ｂ（第４側面５Ｄ）の幅Ｗ２に応じて設定される。第２最遠距離Ｌ３は、第２方向Ｙの両端部に位置する最も離れた２つの発光部６の間の距離である。

第２最遠距離Ｌ３は、２００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。第２最遠距離Ｌ３は、２００μｍ以上３００μｍ以下、３００μｍ以上４００μｍ以下、４００μｍ以上５００μｍ以下、５００μｍ以上６００μｍ以下、６００μｍ以上７００μｍ以下、７００μｍ以上８００μｍ以下、８００μｍ以上９００μｍ以下、または、９００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。

複数の発光部６は、この形態では、平面視において第１主面３の周縁部に偏在している。面発光レーザ装置１は、より具体的には、複数の発光部６の配列密度が互いに異なる疎領域１５および密領域１６を含む。疎領域１５は、第１主面３において複数の発光部６が疎に配列された領域である。密領域１６は、複数の発光部６が疎領域１５に比べて密に配列された領域である。

疎領域１５は、平面視において第１主面３の中央部に形成されている。密領域１６は、平面視において第１主面３の周縁部に形成されている。密領域１６は、この形態では、第１密領域１７および第２密領域１８を含む。第１密領域１７は、第１方向Ｘに関して、疎領域１５に対して第１主面３の一端部側（第２側面５Ｂ側）の周縁部に形成されている。第２密領域１８は、第１方向Ｘに関して、疎領域１５に対して第１主面３の他端部側（第４側面５Ｄ側）の周縁部に形成されている。第２密領域１８は、疎領域１５を挟んで第１密領域１７に対向している。

疎領域１５を取り囲む１つの密領域１６が形成されてもよい。この場合、１つの密領域１６は、疎領域１５を取り囲む環状に形成される。第１密領域１７および第２密領域１８のいずれか一方が、疎領域１５に変更されてもよい。

密領域１６における単位面積当たりの複数の発光部６の個数Ｐ１は、疎領域１５における単位面積当たりの複数の発光部６の個数Ｐ２を超えている。単位面積当たりの個数Ｐ１に対する単位面積当たりの個数Ｐ２の比Ｐ１／Ｐ２は、１．０を超えて４．０以下であってもよい。比Ｐ１／Ｐ２は、１．０を超えて１．５以下、１．５以上２．０以下、２．０以上２．５以下、２．５以上３．０以下、３．０以上３．５以下、または、３．５以上４．０以下であってもよい。

密領域１６における２つの発光部６の第１最短距離ＬＡ１は、疎領域１５における２つの発光部６の第２最短距離ＬＢ１未満である。第１最短距離ＬＡ１に対する第２最短距離ＬＢ１の比ＬＡ１／ＬＢ１は、０．１以上１．０未満であってもよい。比ＬＡ１／ＬＢ１は、０．１以上０．２以下、０．２以上０．３以下、０．３以上０．４以下、０．４以上０．５以下、０．５以上０．６以下、０．６以上０．７以下、０．７以上０．８以下、０．８以上０．９以下、または、０．９以上１．０未満であってもよい。

第１最短距離ＬＡ１は、５０μｍ以上１５０μｍ以下であってもよい。第１最短距離ＬＡ１は、５０μｍ以上７５μｍ以下、７５μｍ以上１００μｍ以下、１００μｍ以上１２５μｍ以下、または、１２５μｍ以上１５０μｍ以下であってもよい。第２最短距離ＬＢ１は、１０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。第２最短距離ＬＢ１は、１０μｍ以上２５μｍ以下、２５μｍ以上５０μｍ以下、５０μｍ以上７５μｍ以下、または、７５μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。

疎領域１５における複数の発光部６は、平面視において千鳥状に配列されている。また、密領域１６における複数の発光部６は、平面視において千鳥状に配列されている。疎領域１５における複数の発光部６が千鳥状に配列されている一方で、密領域１６における複数の発光部６が行列状または放射状（同心円状）に配列されていてもよい。また、疎領域１５における複数の発光部６が行列状または放射状（同心円状）に配列されている一方で、密領域１６における複数の発光部６が千鳥状に配列されていてもよい。

複数の発光部６が均等な配列で第１主面３に遍在するチップ本体２では、複数の発光部６で生じた熱がチップ本体２の中央部に集中する。そのため、チップ本体２には、周縁部から中央部に向けて温度が漸増する温度分布が形成される。その結果、チップ本体２の温度分布に起因して、複数の発光部６の出力がばらつく。

これに対して、面発光レーザ装置１によれば、第１主面３の周縁部に複数の発光部６が偏在している。これにより、チップ本体２の中央部を起点とするチップ本体２の温度上昇を抑制できる。その結果、チップ本体２の温度分布の偏りを抑制できると同時に、当該温度分布を調整できるから、複数の発光部６の出力を調整できる。

また、面発光レーザ装置１によれば、チップ本体２において温度上昇率の高い領域に疎領域１５が形成され、チップ本体２において温度上昇率の低い領域に密領域１６が形成されている。温度上昇率の高い領域は、この形態では、チップ本体２の中央部である。温度上昇率の低い領域は、この形態では、チップ本体２の周縁部である。

これにより、チップ本体２の中央部および周縁部の間において温度分布の偏りを抑制できる。その結果、チップ本体２の中央部および周縁部の間（つまり、疎領域１５および密領域１６の間）において複数の発光部６の出力ばらつきを抑制できる。

図１～図７を参照して、面発光レーザ装置１は、第１主面３の上に形成された絶縁層８を含む。絶縁層８は、複数の発光部６を一括して被覆している。絶縁層８は、第１主面３の上から各トレンチ７に入り込んでいる。絶縁層８は、各トレンチ７内において発光部６を被覆している。

絶縁層８は、側面５Ａ～５Ｄから内方に間隔を空けて形成され、第１主面３の周縁部を露出させている。絶縁層８の周縁は、側面５Ａ～５Ｄとの間でダイシングストリートＤＳを区画している。ダイシングストリートＤＳは、第１主面３の周縁部（側面５Ａ～５Ｄ）に沿って帯状に延びている。ダイシングストリートＤＳは、平面視において絶縁層８を取り囲む環状（この形態では四角環状）に形成されている。

ダイシングストリートＤＳの幅ＷＤは、１μｍ以上２５μｍ以下であってもよい。幅ＷＤは、１μｍ以上５μｍ以下、５μｍ以上１０μｍ以下、１０μｍ以上１５μｍ以下、１５μｍ以上２０μｍ以下、または、２０μｍ以上２５μｍ以下であってもよい。幅ＷＤは、平面視においてダイシングストリートＤＳが延びる方向に直交する方向の幅である。

ダイシングストリートＤＳによれば、絶縁層８を物理的に切断しなくて済む。これにより、絶縁層８の切断に起因するチップ本体２や絶縁層８等のクラックを抑制できる。また、ダイシングブレード等の摩耗を抑制できると同時に切断時間を短縮できる。

面発光レーザ装置１は、第１主面３の上に形成され、発光部６に電気的に接続された第１主面電極層９を含む。第１主面電極層９は、より具体的には、絶縁層８の上に形成されている。第１主面電極層９は、複数の発光部６を一括して被覆している。第１主面電極層９は、絶縁層８の上から各トレンチ７に入り込んでいる。第１主面電極層９は、各トレンチ７内において各発光部６に電気的に接続されている。

第１主面電極層９は、側面５Ａ～５Ｄから内方に間隔を空けて形成され、第１主面３の周縁部を露出させている。第１主面電極層９は、さらに、絶縁層８の周縁から内方に間隔を空けて形成され、絶縁層８の周縁部を露出させている。このような構造によれば、第１主面電極層９を物理的に切断しなくて済む。これにより、第１主面電極層９の切断に起因するチップ本体２や第１主面電極層９等のクラックを抑制できる。また、ダイシングブレード等の摩耗を抑制できると同時に切断時間を短縮できる。

面発光レーザ装置１は、第１主面電極層９の上に形成された外部端子１１を含む。図１では、外部端子１１がハッチングによって示されている。外部端子１１には、ボンディングワイヤ等の導線が外部接続される。外部端子１１は、第１主面電極層９の周縁部に配置されている。外部端子１１は、この形態では、第１主面電極層９の周縁部において第１側面５Ａに沿う領域に配置されている。これにより、導線が発光部６の上を横切ることを防止できるから、第１主面３から光を適切に取り出すことができる。

図４～図７を参照して、チップ本体２は、基板２０、および、基板２０の上に積層された半導体積層構造２１（半導体層）を含む。第１主面３は、半導体積層構造２１によって形成されている。第２主面４は、基板２０によって形成されている。側面５Ａ～５Ｄは、基板２０および半導体積層構造２１によって形成されている。

基板２０は、化合物半導体材料を含む。基板２０は、より具体的には、正方晶を形成する化合物半導体材料の単結晶を含む。化合物半導体材料は、III-V族半導体材料であってもよい。基板２０は、この形態では、ｎ型不純物を含むＧａＡｓ単結晶からなる。基板２０のｎ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^－３以上５×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。基板２０のｎ型不純物は、シリコンであってもよい。

基板２０は、一方側の第１基板主面２２および他方側の第２基板主面２３を含む。第２基板主面２３は、第２主面４を形成している。第１基板主面２２は、ＧａＡｓ単結晶の（１００）面に面している。第１基板主面２２は、ＧａＡｓ単結晶の（１００）面に対して０°以上５°以下の角度で傾斜したオフ角を有している。オフ角が０°の場合、第１基板主面２２はＧａＡｓ単結晶の（１００）面によって形成される。オフ角は、典型的には２°（より具体的には２°±０．２°の範囲）に設定される。

基板２０の厚さＴＳは、５０μｍ以上３００μｍ以下であってもよい。厚さＴＳは、５０μｍ以上１００μｍ以下、１００μｍ以上１５０μｍ以下、１５０μｍ以上２００μｍ、２００μｍ以上２５０μｍ以下、または、２５０μｍ以上３００μｍ以下であってもよい。

半導体積層構造２１は、第１基板主面２２の上に化合物半導体（より具体的には、III-V族半導体）を結晶成長させることにより形成されている。半導体積層構造２１は、第１基板主面２２と同じ結晶面を有する複数の化合物半導体層を含む積層構造を有している。

半導体積層構造２１は、より具体的には、第１基板主面２２側からこの順に積層されたｎ型半導体層２４、活性層２５およびｐ型半導体層２６を含む。ｎ型半導体層２４、活性層２５およびｐ型半導体層２６は、ダブルヘテロ構造を形成している。ｎ型半導体層２４は、活性層２５に電子を供給する。ｐ型半導体層２６は、活性層２５に正孔を供給する。活性層２５は、電子および正孔の再結合によって光を生成する。

活性層２５において赤外光が生成されてもよい。活性層２５は、８００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲に発光波長を有する光を生成してもよい。活性層２５の発光波長は、９００ｎｍ以上９５０ｎｍ以下であってもよい。

ｎ型半導体層２４は、第１基板主面２２側からこの順に積層されたｎ型バッファ層２７、ｎ型光反射層２８およびｎ型クラッド層２９を含む。ｎ型バッファ層２７は、この形態では、ｎ型のＧａＡｓを含む。ｎ型バッファ層２７のｎ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^－３以上５×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。ｎ型バッファ層２７のｎ型不純物は、シリコンであってもよい。

ｎ型バッファ層２７の厚さは、０．０５μｍ以上０．２μｍ以下であってもよい。ｎ型バッファ層２７の厚さは、０．０５μｍ以上０．１μｍ以下、０．１μｍ以上０．１５μｍ以下、または、０．１５μｍ以上０．２μｍ以下であってもよい。

ｎ型光反射層２８は、この形態では、ｎ型ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector：分布ブラッグ反射）層を含む。ｎ型ＤＢＲ層は、法線方向Ｚに沿って周期的に変化する屈折率を有し、特定の波長成分を共振反射させる。特定の波長成分は、活性層２５で生成された光の波長成分である。

ｎ型光反射層２８は、Ａｌ（アルミニウム）組成を含む複数のＡｌ組成層が積層された積層構造を有している。複数のＡｌ組成層は、互いに異なる屈折率をそれぞれ有している。ｎ型光反射層２８は、この形態では、Ａｌ組成αを有するｎ型高Ａｌ組成層３０、および、Ａｌ組成α未満のＡｌ組成β（β＜α）を有するｎ型低Ａｌ組成層３１が任意の周期で交互に積層された積層構造を有している。ｎ型低Ａｌ組成層３１の屈折率は、ｎ型高Ａｌ組成層３０の屈折率よりも大きい。

ｎ型高Ａｌ組成層３０およびｎ型低Ａｌ組成層３１は、１以上６０以下の周期で交互に積層されていてもよい。ｎ型高Ａｌ組成層３０およびｎ型低Ａｌ組成層３１の積層周期は、１以上１０以下、１０以上２０以下、２０以上３０以下、３０以上４０以下、４０以上５０以下、または、５０以上６０以下であってもよい。

ｎ型高Ａｌ組成層３０は、ｎ型のＡｌ_αＧａ_{（１－α）}Ａｓを含んでいてもよい。ｎ型高Ａｌ組成層３０のｎ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^－３以上５×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。ｎ型高Ａｌ組成層３０のｎ型不純物は、シリコンであってもよい。

Ａｌ組成αは、０．５以上０．９５以下であってもよい。Ａｌ組成αは、０．５以上０．５５以下、０．５５以上０．６以下、０．６以上０．６５以下、０．６５以上０．７以下、０．７以上０．７５以下、０．７５以上０．８以下、０．８以上０．８５以下、０．８５以上０．９以下、または、０．９以上０．９５以下であってもよい。

ｎ型低Ａｌ組成層３１は、ｎ型のＡｌ_βＧａ_{（１－β）}Ａｓを含んでいてもよい。ｎ型低Ａｌ組成層３１のｎ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^－３以上５×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。ｎ型低Ａｌ組成層３１のｎ型不純物は、シリコンであってもよい。

Ａｌ組成βは、０．０５以上０．２５以下であってもよい。Ａｌ組成βは、０．０５以上０．１以下、０．１以上０．１５以下、０．１５以上０．２以下、または、０．２以上０．２５以下であってもよい。

ｎ型高Ａｌ組成層３０の厚さは、λ／（４×ｎ１）Åであってもよい。ｎ型低Ａｌ組成層３１の厚さは、λ／（４×ｎ２）Åであってもよい。λは、活性層２５で生成される光の波長である。ｎ１は、ｎ型高Ａｌ組成層３０の屈折率である。ｎ２は、ｎ型低Ａｌ組成層３１の屈折率である。

ｎ型高Ａｌ組成層３０の厚さは、５００Å以上９００Å以下であってもよい。ｎ型高Ａｌ組成層３０の厚さは、５００Å以上６００Å以下、６００Å以上７００Å以下、７００Å以上８００Å以下、または、８００Å以上９００Å以下であってもよい。

ｎ型低Ａｌ組成層３１の厚さは、４００Å以上８００Å以下であってもよい。ｎ型低Ａｌ組成層３１の厚さは、４００Å以上５００Å以下、５００Å以上６００Å以下、６００Å以上７００Å以下、または、７００Å以上８００Å以下であってもよい。ｎ型低Ａｌ組成層３１の厚さは、ｎ型高Ａｌ組成層３０の厚さ以下であってもよい。ｎ型低Ａｌ組成層３１の厚さは、ｎ型高Ａｌ組成層３０の厚さ未満であってもよい。

ｎ型クラッド層２９は、この形態では、ｎ型のＡｌ_γＧａ_{（１－γ）}Ａｓを含む。ｎ型クラッド層２９のｎ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^－３以上５×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。ｎ型クラッド層２９のｎ型不純物は、シリコンであってもよい。ｎ型クラッド層２９は、不純物無添加（アンドープ）であってもよい。

ｎ型クラッド層２９のＡｌ組成γは、ｎ型低Ａｌ組成層３１のＡｌ組成βを超えて、ｎ型高Ａｌ組成層３０のＡｌ組成α未満（β＜γ＜α）であってもよい。ｎ型クラッド層２９のＡｌ組成γは、０．２以上０．７以下であってもよい。

Ａｌ組成γは、０．２以上０．２５以下、０．２５以上０．３以下、０．３以上０．３５以下、０．３５以上０．４以下、０．４以上０．４５以下、０．４５以上０．５以下、０．５以上０．５５以下、０．５５以上０．６以下、０．６以上０．６５以下、または、０．６５以上０．７以下であってもよい。

ｎ型クラッド層２９の厚さは、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。ｎ型クラッド層２９の厚さは、０．０５μｍ以上０．１μｍ以下、０．１μｍ以上０．２μｍ以下、０．２μｍ以上０．３μｍ以下、０．３μｍ以上０．４μｍ以下、または、０．４μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。

活性層２５は、量子井戸層および障壁層を含むＱＷ（Quantum Well：量子井戸構造）を有していてもよい。活性層２５は、この形態では、量子井戸層および障壁層が任意の周期で交互に積層されたＭＱＷ（Multi Quantum Well：多重量子井戸）構造を有している。量子井戸層および障壁層は、１以上５０以下の周期で交互に積層されていてもよい。量子井戸層および障壁層の積層周期は、１以上１０以下、１０以上２０以下、２０以上３０以下、３０以上４０以下、または、４０以上５０以下であってもよい。

量子井戸層は、ＧａＡｓを含んでいてもよい。量子井戸層は、不純物無添加であってもよい。量子井戸層の厚さは、１０Å以上２００Å以下であってもよい。量子井戸層の厚さは、１０Å以上５０Å以下、５０Å以上１００Å以下、１００Å以上１５０Å以下、または、１５０Å以上２００Å以下であってもよい。

障壁層は、量子井戸層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有している。障壁層は、Ａｌ_δＧａ_{（１－δ）}Ａｓを含んでいてもよい。Ａｌ組成δは、０．１５以上０．５以下であってもよい。Ａｌ組成δは、０．１５以上０．２以下、０．２以上０．２５以下、０．２５以上０．３以下、０．３以上０．３５以下、０．３５以上０．４以下、０．４以上０．４５以下、または、０．４５以上０．５以下であってもよい。

障壁層の厚さは、１０Å以上２００Å以下であってもよい。障壁層の厚さは、１０Å以上５０Å以下、５０Å以上１００Å以下、１００Å以上１５０Å以下、または、１５０Å以上２００Å以下であってもよい。

活性層２５の総厚さＴＡは２００Å以上１６００Å以下であってもよい。総厚さＴＡは、２００Å以上４００Å以下、４００Å以上６００Å以下、６００Å以上８００Å以下、８００Å以上１０００Å以下、１０００Å以上１２００Å以下、１２００Å以上１４００Å以下、または、１４００Å以上１６００Å以下であってもよい。

活性層２５の最下層および最上層は、障壁層によってそれぞれ形成されていてもよい。活性層２５の最下層および最上層を形成する２つ障壁層の厚さは、活性層２５において中間層を形成する１つまたは複数の障壁層の厚さを超えていてもよい。

ｐ型半導体層２６は、活性層２５側からこの順に積層されたｐ型クラッド層３２、ｐ型光反射層３３およびｐ型コンタクト層３４を含む。ｐ型クラッド層３２は、この形態では、ｐ型のＡｌ_εＧａ_{（１－ε）}Ａｓを含む。ｐ型クラッド層３２のｐ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^－３以上５×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。ｐ型クラッド層３２のｐ型不純物は、炭素であってもよい。

Ａｌ組成εは、０．２以上０．７以下であってもよい。Ａｌ組成εは、０．２以上０．２５以下、０．２５以上０．３以下、０．３以上０．３５以下、０．３５以上０．４以下、０．４以上０．４５以下、０．５以上０．５５以下、０．５５以上０．６以下、０．６以上０．６５以下、または、０．６５以上０．７以下であってもよい。

ｐ型クラッド層３２の厚さは、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。ｐ型クラッド層３２の厚さは、０．０５μｍ以上０．１μｍ以下、０．１μｍ以上０．２μｍ以下、０．２μｍ以上０．３μｍ以下、０．３μｍ以上０．４μｍ以下、または、０．４μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。

ｐ型光反射層３３は、この形態では、ｐ型ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector：分布ブラッグ反射）層を含む。ｐ型ＤＢＲ層は、法線方向Ｚに周期的に変化する屈折率を有し、特定の波長成分を共振反射させる。特定の波長成分は、活性層２５で生成された光の波長成分である。

ｐ型光反射層３３は、Ａｌ（アルミニウム）組成を含む複数のＡｌ組成層が積層された積層構造を有している。複数のＡｌ組成層は、互いに異なる屈折率をそれぞれ有している。ｐ型光反射層３３は、この形態では、Ａｌ組成ζを有するｐ型高Ａｌ組成層３５、および、Ａｌ組成ζ未満のＡｌ組成η（η＜ζ）を有するｐ型低Ａｌ組成層３６が任意の周期で交互に積層された積層構造を有している。ｐ型低Ａｌ組成層３６の屈折率は、ｐ型高Ａｌ組成層３５の屈折率よりも大きい。

ｐ型高Ａｌ組成層３５およびｐ型低Ａｌ組成層３６は、１以上６０以下の周期で交互に積層されていてもよい。ｐ型高Ａｌ組成層３５およびｐ型低Ａｌ組成層３６の積層周期は、１以上１０以下、１０以上２０以下、２０以上３０以下、３０以上４０以下、４０以上５０以下、または、５０以上６０以下であってもよい。

ｐ型高Ａｌ組成層３５は、ｐ型のＡｌ_ζＧａ_{（１－ζ）}Ａｓを含んでいてもよい。ｐ型高Ａｌ組成層３５のｐ型不純物濃度は、１×１０^１８ｃｍ^－３以上１×１０^１９ｃｍ^－３以下であってもよい。ｐ型高Ａｌ組成層３５のｐ型不純物は、炭素であってもよい。

Ａｌ組成ζは、ｐ型クラッド層３２のＡｌ組成εを超えていてもよい（ε＜ζ）。Ａｌ組成ζは、０．５以上０．９５以下であってもよい。Ａｌ組成ζは、０．５以上０．５５以下、０．５５以上０．６以下、０．６以上０．６５以下、０．６５以上０．７以下、０．７以上０．７５以下、０．７５以上０．８以下、０．８以上０．８５以下、０．８５以上０．９以下、または、０．９以上０．９５以下であってもよい。

ｐ型低Ａｌ組成層３６は、ｐ型のＡｌ_ηＧａ_{（１－η）}Ａｓを含んでいてもよい。ｐ型低Ａｌ組成層３６のｐ型不純物濃度は、１×１０^１８ｃｍ^－３以上１×１０^１９ｃｍ^－３以下であってもよい。ｐ型低Ａｌ組成層３６のｐ型不純物は、炭素であってもよい。

Ａｌ組成ηは、ｐ型クラッド層３２のＡｌ組成ε未満（η＜ε＜ζ）であってもよい。Ａｌ組成ηは、０．０５以上０．２５以下であってもよい。Ａｌ組成ηは、０．０５以上０．１以下、０．１以上０．１５以下、０．１５以上０．２以下、または、０．２以上０．２５以下であってもよい。

ｐ型高Ａｌ組成層３５の厚さは、λ／（４×ｎ３）Åであってもよい。ｐ型低Ａｌ組成層３６の厚さは、λ／（４×ｎ４）Åであってもよい。λは、活性層２５で生成される光の波長である。ｎ３は、ｐ型高Ａｌ組成層３５の屈折率である。ｎ４は、ｐ型低Ａｌ組成層３６の屈折率である。

ｐ型高Ａｌ組成層３５の厚さは、５００Å以上９００Å以下であってもよい。ｐ型高Ａｌ組成層３５の厚さは、５００Å以上６００Å以下、６００Å以上７００Å以下、７００Å以上８００Å以下、または、８００Å以上９００Å以下であってもよい。

ｐ型低Ａｌ組成層３６の厚さは、４００Å以上８００Å以下であってもよい。ｐ型低Ａｌ組成層３６の厚さは、４００Å以上５００Å以下、５００Å以上６００Å以下、６００Å以上７００Å以下、または、７００Å以上８００Å以下であってもよい。ｐ型低Ａｌ組成層３６の厚さは、ｐ型高Ａｌ組成層３５の厚さ以下であってもよい。ｐ型低Ａｌ組成層３６の厚さは、ｐ型高Ａｌ組成層３５の厚さ未満であってもよい。

ｐ型コンタクト層３４は、チップ本体２の第１主面３を形成している。ｐ型コンタクト層３４は、この形態では、ｐ型のＧａＡｓを含む。ｐ型コンタクト層３４のｐ型不純物濃度は、ｐ型光反射層３３のｐ型不純物濃度を超えていることが好ましい。ｐ型コンタクト層３４のｐ型不純物濃度は、１×１０^１９ｃｍ^－３以上１×１０^２０ｃｍ^－３以下であってもよい。ｐ型コンタクト層３４のｐ型不純物は、炭素であってもよい。

ｐ型コンタクト層３４の厚さは、０．０２μｍ以上０．２μｍ以下であってもよい。ｐ型コンタクト層３４の厚さは、０．０２μｍ以上０．０５μｍ以下、０．０５μｍ以上０．１μｍ以下、０．１μｍ以上０．１５μｍ以下、または、０．１５μｍ以上０．２μｍ以下であってもよい。

図４および図５を参照して、複数の発光部６は、半導体積層構造２１に形成されている。各発光部６は、トレンチ７によって区画された台地状のメサ構造４１を有している。トレンチ７は、半導体積層構造２１の主面（チップ本体２の第１主面３）に形成されている。トレンチ７は、ｐ型コンタクト層３４、ｐ型光反射層３３および活性層２５を貫通し、ｎ型半導体層２４を露出させている。トレンチ７は、ｎ型半導体層２４においてｎ型クラッド層２９を貫通し、ｎ型光反射層２８を露出させている。

トレンチ７は、平面視において発光部６を取り囲む環状に形成されている。トレンチ７は、この形態では、断面視において第１主面３側の開口面積が底壁側の開口面積よりも大きい先細り形状（テーパ形状）に形成されている。

トレンチ７は、内周壁４２、外周壁４３、ならびに、内周壁４２および外周壁４３を接続する底壁４４を有している。内周壁４２および外周壁４３は、ｎ型半導体層２４の一部およびｐ型半導体層２６を露出させている。ｎ型半導体層２４の一部は、ｎ型光反射層２８の一部およびｎ型クラッド層２９である。底壁４４は、ｎ型光反射層２８を露出させている。

内周壁４２は、メサ構造４１（発光部６）を区画している。つまり、内周壁４２は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。内周壁４２の平面形状は任意であり、メサ構造４１（発光部６）の平面形状に応じて調整される。内周壁４２は、平面視において三角形状、四角形状もしくは六角形状等の多角形状、または、楕円形状に形成されていてもよい。

外周壁４３は、内周壁４２から間隔を空けて内周壁４２（発光部６）を取り囲んでいる。外周壁４３は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。外周壁４３の平面形状は任意である。外周壁４３は、平面視において三角形状、四角形状もしくは六角形状等の多角形状、または、楕円形状に形成されていてもよい。

底壁４４は、第１主面３に対して平行に形成されていてもよい。底壁４４は、平面視において発光部６（メサ構造４１）を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。底壁４４の平面形状は、内周壁４２の平面形状および外周壁４３の平面形状に応じて、三角環状、四角環状もしくは六角環状等の多角環状、または、楕円環状に形成されていてもよい。

各メサ構造４１は、頂部４５、基部４６、ならびに、頂部４５および基部４６を接続する側壁４７を含む。頂部４５は、第１主面３に対して平行に延びている。頂部４５は、この形態では、第１主面３の一部によって形成されている。つまり、頂部４５は、ｐ型半導体層２６によって形成されている。頂部４５は、より具体的には、ｐ型コンタクト層３４によって形成されている。

頂部４５は、トレンチ７の内周壁４２によって区画されている。頂部４５は、平面視において円形状に形成されている。頂部４５の平面形状は任意である。頂部４５は、内周壁４２の平面形状に応じて、平面視において三角形状、四角形状もしくは六角形状等の多角形状、または、楕円形状に形成されていてもよい。

頂部４５の幅ＷＭは、１０μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。幅ＷＭは、１０μｍ以上１５μｍ以下、１５μｍ以上２０μｍ以下、２０μｍ以上２５μｍ以下、２５μｍ以上３０μｍ以下、３０μｍ以上３５μｍ以下、または、３５μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。

基部４６は、ｎ型半導体層２４によって形成されている。基部４６は、この形態では、ｎ型光反射層２８によって形成されている。基部４６は、トレンチ７の内周壁４２によって区画されている。基部４６は、トレンチ７の底壁４４およびメサ構造４１の側壁４７を接続する接続部である。

基部４６は、平面視において円形状に形成されている。基部４６の平面形状は任意である。基部４６は、頂部４５の平面形状に応じて、平面視において三角形状、四角形状もしくは六角形状等の多角形状、または、楕円形状に形成されていてもよい。基部４６の平面積は、頂部４５の平面積を超えている。

側壁４７は、トレンチ７の内周壁４２によって形成されている。側壁４７は、頂部４５から基部４６に向けて下り傾斜している。これにより、各メサ構造４１は、錐台形状に形成されている。各メサ構造４１は、この形態では、円錐台形状に形成されている。各メサ構造４１は、頂部４５および基部４６の平面形状に応じて、三角錐台形状、四角錐台形状もしくは六角錐台形状等の多角錐台形状、または、楕円錐台形状に形成されていてもよい。

側壁４７が頂部４５との間で成す角度θＭ（絶対値）は、９０°以上１７０°以下であってもよい。角度θＭは、断面視において頂部４５の周縁点および基部４６の周縁点を結ぶラインが、メサ構造４１内において頂部４５との間で成す角度である。

角度θＭは、９０°以上１００°以下、１００°以上１１０°以下、１１０°以上１２０°以下、１２０°以上１３０°以下、１３０°以上１４０°以下、１４０°以上１５０°以下、１５０°以上１６０°以下、または、１６０°以上１７０°以下であってもよい。

メサ構造４１の厚さＴＭは、１μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。厚さＴＭは、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上４μｍ以下、４μｍ以上６μｍ以下、６μｍ以上８μｍ以下、または、８μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。厚さＴＭは、頂部４５および基部４６の間の法線方向Ｚに沿う距離である。

図４～図６を参照して、面発光レーザ装置１は、各メサ構造４１に係るｐ型半導体層２６において頂部４５および活性層２５の間の任意の領域に介在された電流狭窄層５１を含む。電流狭窄層５１は、活性層２５に供給される電流を狭窄する。

電流狭窄層５１は、活性層２５およびｐ型光反射層３３の間の領域に介在されていることが好ましい。電流狭窄層５１は、この形態では、ｐ型クラッド層３２およびｐ型光反射層３３の間の領域に介在されている。電流狭窄層５１は、メサ構造４１の側壁４７から露出している。

電流狭窄層５１は、ｐ型クラッド層３２の内部に介在されていてもよい。この場合、電流狭窄層５１は、複数（たとえば２つ）のｐ型クラッド層３２の間の領域に介在されていてもよい。つまり、電流狭窄層５１およびｐ型光反射層３３の間の領域に別のｐ型クラッド層３２が形成されていてもよい。別のｐ型クラッド層３２の構造は、活性層２５および電流狭窄層５１の間の領域に形成されたｐ型クラッド層３２と同様であるので、具体的に説明は省略する。

電流狭窄層５１の厚さＴＣは、０．０１μｍ以上０．１μｍ以下であってもよい。厚さＴＣは、０．０１μｍ以上０．０２μｍ以下、０．０２μｍ以上０．０４μｍ以下、０．０４μｍ以上０．０６μｍ以下、０．０６μｍ以上０．０８μｍ以下、または、０．０８μｍ以上０．１μｍ以下であってもよい。

電流狭窄層５１は、ｐ型電流通過層５２および電流狭窄絶縁層５３を含む。ｐ型電流通過層５２は、メサ構造４１の内方領域に形成されている。ｐ型電流通過層５２は、より具体的には、平面視においてメサ構造４１の中央部に形成されている。ｐ型電流通過層５２は、この形態では、ｐ型のＡｌ_σＧａ_{（１－σ）}Ａｓを含む。ｐ型電流通過層５２のｐ型不純物濃度は、１×１０^１８ｃｍ^－３以上１×１０^２０ｃｍ^－３以下であってもよい。ｐ型電流通過層５２のｐ型不純物は、炭素であってもよい。

Ａｌ組成σは、ｐ型クラッド層３２のＡｌ組成εを超えている（ε＜σ）。Ａｌ組成σは、ｐ型光反射層３３のｐ型高Ａｌ組成層３５のＡｌ組成ζを超えている（ζ＜σ）。Ａｌ組成σは、０．９以上１．０以下であってもよい。Ａｌ組成σは、０．９以上０．９５以下、または、０．９５以上１．０以下であってもよい。Ａｌ組成σは、１．０未満であってもよい。

平面視におけるｐ型電流通過層５２の最大幅ＴＰは、１μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。最大幅ＴＰは、１μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上５μｍ以下、５μｍ以上７μｍ以下、７μｍ以上９μｍ以下、９μｍ以上１１μｍ以下、１１μｍ以上１３μｍ以下、または、１３μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。

電流狭窄絶縁層５３は、ｐ型電流通過層５２に対してメサ構造４１の側壁４７側に形成されている。電流狭窄絶縁層５３は、平面視においてｐ型電流通過層５２を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

電流狭窄絶縁層５３は、Ａｌ（アルミニウム）を含むＡｌ酸化物層によって形成されている。電流狭窄絶縁層５３は、より具体的には、ｐ型電流通過層５２の一部をメサ構造４１の側壁４７側から酸化させることによって形成されている。つまり、電流狭窄絶縁層５３は、Ａｌ酸化物中にＧａ（ガリウム）およびＡｓ（砒素）を含む。

各メサ構造４１は、外部端子１１から半導体積層構造２１に供給される電流を狭窄する。したがって、メサ構造４１の内部においてｎ型半導体層２４、活性層２５およびｐ型半導体層２６には比較的高い電流密度を有する電流が流れる。これにより、活性層２５において生成される光の発光効率が高められている。

メサ構造４１の電流密度は、メサ構造４１のサイズに反比例する。つまり、メサ構造４１のサイズが小さい程、電流狭窄効果が高まるので、メサ構造４１の電流密度は増加する。一方、メサ構造４１のサイズが大きい程、電流狭窄効果が低減するので、メサ構造４１の電流密度は減少する。

各メサ構造４１の内部を流れる電流は、さらに、電流狭窄絶縁層５３を迂回してｐ型電流通過層５２に流れ込む。これにより、ｐ型電流通過層５２を介して活性層２５に供給される電流の密度が高められる。活性層２５において法線方向Ｚにｐ型電流通過層５２に対向する領域が、発光領域５４となる。

各活性層２５において生成された光は、メサ構造４１内においてｎ型光反射層２８およびｐ型光反射層３３の間を法線方向Ｚに沿って往復しながら、共振によって増幅される。増幅された光は、各メサ構造４１の頂部４５からレーザ光として取り出される。

トレンチ７の外周壁４３から露出するメサ構造４１外の半導体積層構造２１にも電流狭窄層５１に対応した層が形成されている。メサ構造４１外の電流狭窄層５１に対応した層は、電流狭窄の機能を生じさせない点を除いて、メサ構造４１内の電流狭窄層５１と略同様の構造を有している。

メサ構造４１外の電流狭窄層５１に対応した層については、電流狭窄の機能を生じさせない点を除いて、電流狭窄層５１の説明が準用される。メサ構造４１外の電流狭窄層５１に対応した層については、電流狭窄層５１と同一符号を付して説明を省略する。

図６を参照して、面発光レーザ装置１は、各メサ構造４１の側壁４７の表層部に形成された側壁絶縁層８０を含む。側壁絶縁層８０は、側壁４７から露出している。側壁絶縁層８０は、頂部４５および基部４６の間の領域を側壁４７に沿って延びている。つまり、各メサ構造４１の側壁４７は、側壁絶縁層８０によって形成された部分を含む。

側壁絶縁層８０は、平面視において電流狭窄絶縁層５３に対向している。側壁絶縁層８０は、平面視においてｐ型電流通過層５２を露出させている。側壁絶縁層８０は、より具体的には、頂部４５の接線方向に関して、電流狭窄絶縁層５３の一端部および他端部の間の領域に対向している。接線方向は、メサ構造４１の頂部４５に平行な方向であり、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙを含む。

側壁絶縁層８０は、断面視において接線方向に沿う長さが互いに異なる第１部分８１および第２部分８２を含む。側壁絶縁層８０の第１部分８１は、メサ構造４１の側壁４７から内方領域に向かって接線方向に延びている。第１部分８１は、メサ構造４１の側壁４７から露出する外端部、および、メサ構造４１内に位置する内端部を有している。

側壁絶縁層８０の第２部分８２は、メサ構造４１の側壁４７から内方領域に向かって接線方向に延びている。第２部分８２は、メサ構造４１の側壁４７から露出する外端部、および、メサ構造４１内に位置する内端部を有している。第２部分８２の内端部は、第１部分８１の内端部よりもメサ構造４１の側壁４７側に位置している。

第１部分８１は、接線方向に関して、第１長さＬＰ１を有している。第２部分８２は、接線方向に関して、第２長さＬＰ２を有している。第２長さＬＰ２は、第１長さＬＰ１未満（ＬＰ２＜ＬＰ１）である。

第１長さＬＰ１は、０．５μｍ以上５．０μｍ以下であってもよい。第１長さＬＰ１は、０．５μｍ以上１．０μｍ以下、１．０μｍ以上２．０μｍ以下、２．０μｍ以上３．０μｍ以下、３．０μｍ以上４．０μｍ以下、または、４．０μｍ以上５．０μｍ以下であってもよい。

第２長さＬＰ２は、０μｍを超えて１．０μｍ以下であってもよい。第２長さＬＰ２は、０μｍを超えて０．０２μｍ以下、０．０２μｍ以上０．０４μｍ以下、０．０４μｍ以上０．０６μｍ以下、０．０６μｍ以上０．０８μｍ以下、または、０．０８μｍ以上１μｍ以下であってもよい。第２長さＬＰ２は、０μｍであってもよい。つまり、複数の第２部分８２の一部または全部を有さない側壁絶縁層８０が形成されていてもよい。

第１部分８１および第２部分８２は、法線方向Ｚに沿って交互に形成されている。これにより、側壁絶縁層８０は、断面視において櫛歯形状に形成されている。側壁絶縁層８０は、ｎ型半導体層２４に形成された領域、および、ｐ型半導体層２６に形成された領域を含む。

ｎ型半導体層２４においてｎ型光反射層２８のｎ型高Ａｌ組成層３０は、メサ構造４１の側壁４７から露出する第１露出部８３を含む。また、ｎ型光反射層２８のｎ型低Ａｌ組成層３１は、メサ構造４１の側壁４７から露出する第２露出部８４を含む。また、ｎ型クラッド層２９は、メサ構造４１の側壁４７から露出する第３露出部８５を含む。

ｎ型高Ａｌ組成層３０の第１露出部８３は、第１Ａｌ酸化物層８６を含む。第１Ａｌ酸化物層８６は、第１露出部８３の酸化物を含む。第１Ａｌ酸化物層８６は、接線方向に沿って延びている。第１Ａｌ酸化物層８６は、ｎ型高Ａｌ組成層３０の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

ｎ型低Ａｌ組成層３１の第２露出部８４は、第２Ａｌ酸化物層８７を含む。第２Ａｌ酸化物層８７は、第２露出部８４の酸化物を含む。第２Ａｌ酸化物層８７は、接線方向に沿って延びている。第２Ａｌ酸化物層８７は、ｎ型低Ａｌ組成層３１の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

ｎ型クラッド層２９の第３露出部８５は、第３Ａｌ酸化物層８８を含む。第３Ａｌ酸化物層８８は、第３露出部８５の酸化物を含む。第３Ａｌ酸化物層８８は、接線方向に沿って延びている。第３Ａｌ酸化物層８８は、ｎ型クラッド層２９の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

接線方向に関して、第１Ａｌ酸化物層８６の長さは、第２Ａｌ酸化物層８７の長さ、および、第３Ａｌ酸化物層８８の長さを超えている。これは、ｎ型高Ａｌ組成層３０のＡｌ組成αが、ｎ型低Ａｌ組成層３１のＡｌ組成βおよびｎ型クラッド層２９のＡｌ組成γを超えているためである（β＜γ＜α）。

接線方向に関して、第３Ａｌ酸化物層８８の長さは、第２Ａｌ酸化物層８７の長さを超えている。これは、ｎ型クラッド層２９のＡｌ組成γが、ｎ型低Ａｌ組成層３１のＡｌ組成βを超えているためである（β＜γ）。

第１Ａｌ酸化物層８６および第２Ａｌ酸化物層８７は、法線方向Ｚに沿って交互に形成されている。第１Ａｌ酸化物層８６は、側壁絶縁層８０の第１部分８１を形成している。第２Ａｌ酸化物層８７は、側壁絶縁層８０の第２部分８２を形成している。第３Ａｌ酸化物層８８は、側壁絶縁層８０の第２部分８２を形成している。側壁絶縁層８０においてｎ型半導体層２４に位置する領域は、第１Ａｌ酸化物層８６、第２Ａｌ酸化物層８７および第３Ａｌ酸化物層８８によって形成されている。

ｐ型半導体層２６においてｐ型光反射層３３のｐ型高Ａｌ組成層３５は、メサ構造４１の側壁４７から露出する第１露出部９３を含む。また、ｐ型光反射層３３のｐ型低Ａｌ組成層３６は、メサ構造４１の側壁４７から露出する第２露出部９４を含む。また、ｐ型クラッド層３２は、メサ構造４１の側壁４７から露出する第３露出部９５を含む。

ｐ型高Ａｌ組成層３５の第１露出部９３は、第１Ａｌ酸化物層９６を含む。第１Ａｌ酸化物層９６は、第１露出部９３の酸化物を含む。第１Ａｌ酸化物層９６は、接線方向に沿って延びている。第１Ａｌ酸化物層９６は、ｐ型高Ａｌ組成層３５の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

ｐ型低Ａｌ組成層３６の第２露出部９４は、第２Ａｌ酸化物層９７を含む。第２Ａｌ酸化物層９７は、第２露出部９４の酸化物を含む。第２Ａｌ酸化物層９７は、接線方向に沿って延びている。第２Ａｌ酸化物層９７は、ｐ型低Ａｌ組成層３６の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

ｐ型クラッド層３２の第３露出部９５は、第３Ａｌ酸化物層９８を含む。第３Ａｌ酸化物層９８は、第３露出部９５の酸化物を含む。第３Ａｌ酸化物層９８は、接線方向に沿って延びている。第３Ａｌ酸化物層９８は、ｐ型クラッド層３２の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

接線方向に関して、第１Ａｌ酸化物層９６の長さは、第２Ａｌ酸化物層９７の長さ、および、第３Ａｌ酸化物層９８の長さを超えている。これは、ｐ型高Ａｌ組成層３５のＡｌ組成ζが、ｐ型低Ａｌ組成層３６のＡｌ組成η、および、ｐ型クラッド層３２のＡｌ組成εを超えているためである（η＜ε＜ζ）。

接線方向に関して、第３Ａｌ酸化物層９８の長さは、第２Ａｌ酸化物層９７の長さを超えている。これは、ｐ型クラッド層３２のＡｌ組成εが、ｐ型低Ａｌ組成層３６のＡｌ組成ηを超えているためである（η＜ε）。

第１Ａｌ酸化物層９６および第２Ａｌ酸化物層９７は、法線方向Ｚに沿って交互に形成されている。第１Ａｌ酸化物層９６は、側壁絶縁層８０の第１部分８１を形成している。第２Ａｌ酸化物層９７は、側壁絶縁層８０の第２部分８２を形成している。第３Ａｌ酸化物層９８は、側壁絶縁層８０の第２部分８２を形成している。側壁絶縁層８０においてｐ型半導体層２６に位置する領域は、第１Ａｌ酸化物層９６、第２Ａｌ酸化物層９７および第３Ａｌ酸化物層９８によって形成されている。

側壁絶縁層８０（第１Ａｌ酸化物層８６、第２Ａｌ酸化物層８７、第１Ａｌ酸化物層９６および第２Ａｌ酸化物層９７）は、半導体積層構造２１においてトレンチ７の外周壁４３から露出する領域にも形成されている。トレンチ７の外周壁４３に形成された側壁絶縁層８０は、トレンチ７の内周壁４２（メサ構造４１の側壁４７）に形成された側壁絶縁層８０と略同様の構造を有している。トレンチ７の外周壁４３に形成された側壁絶縁層８０については、トレンチ７の内周壁４２（メサ構造４１の側壁４７）に形成された側壁絶縁層８０の説明が準用されるものとして、説明を省略する。

図４～図７を参照して、絶縁層８は、半導体積層構造２１の主面（第１主面３）の上に形成されている。絶縁層８は、活性層２５の発光波長λに対して透明な絶縁材料または透光性を有する絶縁材料を含む。絶縁層８は、窒化シリコン（ＳｉＮ）層および酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層のうちの少なくとも１つを含む。

絶縁層８は、窒化シリコン層または酸化シリコン層からなる単層構造を有していてもよい。絶縁層８は、第１主面３側から任意の順序で積層された窒化シリコン層および酸化シリコン層を含む積層構造を有していてもよい。絶縁層８は、この形態では、窒化シリコン層からなる単層構造を有している。

絶縁層８は、第１主面３の上からトレンチ７に入り込み、メサ構造４１を被覆している。絶縁層８は、主面被覆部１０１、内壁被覆部１０２および頂部被覆部１０３を含む。主面被覆部１０１は、第１主面３を被覆している。内壁被覆部１０２は、トレンチ７の内壁（内周壁４２、外周壁４３および底壁４４）を被覆している。頂部被覆部１０３は、メサ構造４１の頂部４５を被覆している。

内壁被覆部１０２は、より具体的には、トレンチ７の内壁に沿って膜状に延び、トレンチ７内においてリセス空間を区画している。つまり、内壁被覆部１０２は、メサ構造４１の側壁４７を被覆している。内壁被覆部１０２においてメサ構造４１の側壁４７を被覆する部分は、側壁絶縁層８０に接している。

頂部被覆部１０３は、メサ構造４１の頂部４５を選択的に露出させるコンタクト孔１０４を有している。コンタクト孔１０４は、より具体的には、ｐ型コンタクト層３４を露出させている。コンタクト孔１０４は、平面視において環状（この形態では円環状）に形成されている。

図７を参照して、頂部被覆部１０３は、コンタクト孔１０４よりも内方に位置する領域にレリーフ部１０３ａを有している。レリーフ部１０３ａは、この形態では、コンタクト孔１０４によって取り囲まれている。レリーフ部１０３ａは、リセス部１０５、第１突出部１０６および第２突出部１０７を含む。リセス部１０５は、メサ構造４１の頂部４５側に向けて窪んでいる。リセス部１０５は、平面視において環状（この形態では円環状）に形成されている。

第１突出部１０６は、リセス部１０５によって区画されている。第１突出部１０６は、リセス部１０５によって取り囲まれ、島状または点状に区画されている。第１突出部１０６は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。第１突出部１０６は、法線方向Ｚに活性層２５の発光領域５４に対向している。第１突出部１０６は、法線方向Ｚにｐ型電流通過層５２に対向している。

第２突出部１０７は、リセス部１０５に起因して形成されている。第２突出部１０７は、より具体的には、リセス部１０５およびコンタクト孔１０４の間の領域に区画されている。第２突出部１０７は、リセス部１０５およびコンタクト孔１０４によって環状（この形態では円環状）に区画されている。

リセス部１０５は、第１突出部１０６を区画する第１側壁１０８、第２突出部１０７を区画する第２側壁１０９、ならびに、第１側壁１０８および第２側壁１０９を接続する底壁１１０を有している。第１側壁１０８は、頂部被覆部１０３の主面から底壁１１０に向けて下り傾斜した傾斜面を有している。第２側壁１０９は、頂部被覆部１０３の主面から底壁１１０に向けて下り傾斜した傾斜面を有している。リセス部１０５は、断面視において底壁１１０側の開口幅が開口側の開口幅よりも小さいテーパ形状に形成されている。

第１突出部１０６の厚さは、（ｎ＋１）λ／２に設定される。第２突出部１０７の厚さは、（ｎ＋１）λ／２に設定される。リセス部１０５の厚さは、（２ｎ＋１）λ／４に設定される。ｎは、整数である。λは、活性層２５で生成される光の波長である。

頂部４５から放出されたレーザ光は、スネルの法則によって、第１側壁１０８および第２側壁１０９によって屈折させられ、第１突出部１０６側に集光される。これにより、第１側壁１０８および第２側壁１０９が法線方向Ｚに延びる垂直面である場合に比べて、レーザ光の指向性が高められる。

図４～図７を参照して、第１主面電極層９は、絶縁層８に沿って膜状に形成されている。第１主面電極層９は、各トレンチ７内においてリセス空間が区画されるように各メサ構造４１を選択的に被覆している。第１主面電極層９は、メサ構造４１の頂部４５の上からコンタクト孔１０４に入り込んでいる。第１主面電極層９は、コンタクト孔１０４内においてｐ型コンタクト層３４に電気的に接続されている。

第１主面電極層９においてメサ構造４１の頂部４５を被覆する部分は、絶縁層８の頂部被覆部１０３を露出させるレリーフ開口１１１を含む。レリーフ開口１１１は、絶縁層８のレリーフ部１０３ａを露出させている。レリーフ開口１１１は、より具体的には、第２突出部１０７の一部、リセス部１０５および第１突出部１０６を露出させている。

レリーフ開口１１１は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。レリーフ開口１１１の平面形状は任意である。レリーフ開口１１１は、平面視において三角形状、四角形状もしくは六角形状等の多角形状、または、楕円形状に形成されていてもよい。レリーフ開口１１１は、法線方向Ｚにｐ型電流通過層５２に対向している。レリーフ開口１１１は、法線方向Ｚに活性層２５の発光領域５４に対向している。

レリーフ開口１１１の開口幅ＷＯは、５μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。開口幅ＷＯは、５μｍ以上１０μｍ以下、１０μｍ以上１５μｍ以下、または、１５μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。

第１主面電極層９の厚さＴＥ１は、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。厚さＴＥ１は、０．０５μｍ以上０．１μｍ以下、０．１μｍ以上０．２μｍ以下、０．２μｍ以上０．３μｍ以下、０．３μｍ以上０．４μｍ以下、または、０．４μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。

第１主面電極層９は、この形態では、複数の電極膜が積層された積層構造を有している。第１主面電極層９は、より具体的には、絶縁層８側からこの順に積層された第１電極膜１１２および第２電極膜１１３を含む。第１電極膜１１２は、チタンを含んでいてもよい。第２電極膜１１３は、金を含んでいてもよい。

図５を参照して、外部端子１１は、第１主面電極層９の上に形成されている。外部端子１１は、半導体積層構造２１の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有している。外部端子１１は、第１主面電極層９の厚さＴＥ１以上の厚さＴＥ２（ＴＥ１≦ＴＥ２）を有している。厚さＴＥ２は、より具体的には、厚さＴＥ１を超えている（ＴＥ１＜ＴＥ２）。外部端子１１は、金を含んでいてもよい。

厚さＴＥ２は、１．０μｍ以上５．０μｍ以下であってもよい。厚さＴＥ２は、１．０μｍ以上２．０μｍ以下、２．０μｍ以上３．０μｍ以下、３．０μｍ以上４．０μｍ以下、または、４．０μｍ以上５．０μｍ以下であってもよい。

図４および図５を参照して、面発光レーザ装置１は、チップ本体２の第２主面４（基板２０の第２基板主面２３）の上に形成された第２主面電極層１１５を含む。第２主面電極層１１５は、第２基板主面２３の全域を被覆している。第２主面電極層１１５は、第２基板主面２３との間でオーミック接触を形成している。

第２主面電極層１１５は、この形態では、複数の電極膜が積層された積層構造を有している。第２主面電極層１１５は、より具体的には、第２基板主面２３側からこの順に積層された第１電極膜１１６、第２電極膜１１７および第３電極膜１１８を含む。第１電極膜１１６は、金ゲルマニウム合金を含んでいてもよい。第２電極膜１１７は、ニッケルを含んでいてもよい。第３電極膜１１８は、金を含んでいてもよい。

以上、面発光レーザ装置１によれば、チップ本体２（半導体積層構造２１）の第１主面３の周縁部に複数の発光部６が偏在している。これにより、チップ本体２の中央部を起点とするチップ本体２の温度上昇を抑制できる。その結果、チップ本体２の温度分布を調整できるから、複数の発光部６の出力を調整できる。

また、面発光レーザ装置１によれば、チップ本体２において温度上昇率の高い領域に疎領域１５が形成され、チップ本体２において温度上昇率の低い領域に密領域１６が形成されている。温度上昇率の高い領域は、この形態では、チップ本体２の中央部である。温度上昇率の低い領域は、この形態では、チップ本体２の周縁部である。

これにより、チップ本体２の中央部および周縁部の間において温度分布の偏りを抑制できる。その結果、チップ本体２の中央部および周縁部の間（つまり、疎領域１５および密領域１６の間）において複数の発光部６の出力低下や出力ばらつきを抑制できる。また、面発光レーザ装置１によれば、発光部６の配列や単位面積当たりの発光部６の個数を疎領域１５および密領域１６ごとに調整できる。よって、チップ本体２の温度分布や複数の発光部６の出力を適切に調整できる。

図８Ａ～図８Ｉは、図６の対応図であって、図１に示す面発光レーザ装置１の製造方法の一例を説明するための図である。

図８Ａを参照して、まず、基板２０が用意される。次に、ｎ型バッファ層２７が、基板２０の第１基板主面２２の上に形成される。ｎ型バッファ層２７は、ｎ型のＧａＡｓを含む。ｎ型バッファ層２７は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、ｎ型光反射層２８が、ｎ型バッファ層２７の上に形成される。ｎ型光反射層２８は、ｎ型高Ａｌ組成層３０およびｎ型低Ａｌ組成層３１を任意の周期で交互に積層させることにより形成される。

ｎ型高Ａｌ組成層３０は、ｎ型のＡｌ_αＧａ_{（１－α）}Ａｓを含む。Ａｌ組成αは、０．５以上０．９５以下であってもよい。ｎ型低Ａｌ組成層３１は、ｎ型のＡｌ_βＧａ_{（１－β）}Ａｓを含む。Ａｌ組成βは、０．０５以上０．２５以下であってもよい。ｎ型高Ａｌ組成層３０およびｎ型低Ａｌ組成層３１は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、ｎ型クラッド層２９が、ｎ型光反射層２８の上に形成される。ｎ型クラッド層２９は、ｎ型のＡｌ_γＧａ_{（１－γ）}Ａｓを含む。ｎ型クラッド層２９のＡｌ組成γは、０．２以上０．７以下であってもよい。ｎ型クラッド層２９は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、図８Ｂを参照して、活性層２５が、ｎ型クラッド層２９の上に形成される。活性層２５は、量子井戸層および障壁層を任意の周期で交互に積層させることにより形成される。量子井戸層は、ＧａＡｓを含む。障壁層は、Ａｌ_δＧａ_{（１－δ）}Ａｓを含む。Ａｌ組成δは、０．１５以上０．５以下であってもよい。量子井戸層および障壁層は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、図８Ｃを参照して、ｐ型クラッド層３２が、活性層２５の上に形成される。ｐ型クラッド層３２は、ｐ型のＡｌ_εＧａ_{（１－ε）}Ａｓを含む。Ａｌ組成εは、０．２以上０．７以下であってもよい。ｐ型クラッド層３２は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、ｐ型電流通過層５２および電流狭窄絶縁層５３のベースとなるｐ型ベース層１２２が、ｐ型クラッド層３２の上に形成される。ｐ型ベース層１２２は、ｐ型のＡｌ_σＧａ_{（１－σ）}Ａｓを含む。Ａｌ組成σは、０．９以上１．０以下であってもよい。ｐ型ベース層１２２は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、ｐ型光反射層３３が、ｐ型ベース層１２２の上に形成される。ｐ型光反射層３３は、ｐ型高Ａｌ組成層３５およびｐ型低Ａｌ組成層３６を任意の周期で交互に積層させることにより形成される。

ｐ型高Ａｌ組成層３５は、ｐ型のＡｌ_ζＧａ_{（１－ζ）}Ａｓを含む。Ａｌ組成ζは、０．５以上０．９５以下であってもよい。ｐ型低Ａｌ組成層３６は、ｐ型のＡｌ_ηＧａ_{（１－η）}Ａｓを含む。Ａｌ組成ηは、０．０５以上０．２５以下であってもよい。ｐ型高Ａｌ組成層３５およびｐ型低Ａｌ組成層３６は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、ｐ型コンタクト層３４が、ｐ型光反射層３３の上に形成される。ｐ型コンタクト層３４は、ｐ型のＧａＡｓを含む。ｐ型コンタクト層３４は、エピタキシャル成長法によって形成される。これにより、第１基板主面２２側からこの順に積層されたｎ型半導体層２４、活性層２５およびｐ型半導体層２６を含む半導体積層構造２１が形成される。

次に、図８Ｄを参照して、所定パターンを有するマスク１２３が、半導体積層構造２１の上に形成される。マスク１２３は、複数の開口１２４を有している。複数の開口１２４は、トレンチ７を形成すべき領域をそれぞれ露出させている。

次に、半導体積層構造２１の不要な部分が、マスク１２３を介するエッチング法によって除去される。半導体積層構造２１の不要な部分は、ウエットエッチング法またはドライエッチング法によって除去されてもよい。この工程では、ｐ型コンタクト層３４、ｐ型光反射層３３、ｐ型ベース層１２２、ｐ型クラッド層３２、活性層２５、ｎ型クラッド層２９およびｎ型光反射層２８の不要な部分がそれぞれ除去される。

これにより、複数のトレンチ７が半導体積層構造２１に形成される。複数のトレンチ７は、ｐ型コンタクト層３４、ｐ型光反射層３３、ｐ型クラッド層３２、活性層２５およびｎ型クラッド層２９を貫通し、ｎ型光反射層２８の一部を露出させている。また、これにより、半導体積層構造２１に複数のメサ構造４１が形成される。その後、マスク１２３は除去される。

ｎ型高Ａｌ組成層３０は、ｎ型低Ａｌ組成層３１のエッチング選択比とは異なるエッチング選択比を有している。したがって、エッチング液およびエッチング時間を適切に選択することにより、ｎ型低Ａｌ組成層３１を残存させながら、ｎ型高Ａｌ組成層３０を除去できる。また、エッチング液およびエッチング時間を適切に選択することにより、ｎ型高Ａｌ組成層３０を残存させながら、ｎ型低Ａｌ組成層３１を除去できる。

また、ｎ型クラッド層２９は、ｎ型高Ａｌ組成層３０およびｎ型低Ａｌ組成層３１のエッチング選択比とは異なるエッチング選択比を有している。したがって、エッチング液およびエッチング時間を適切に選択することにより、ｎ型高Ａｌ組成層３０およびｎ型低Ａｌ組成層３１を残存させながら、ｎ型クラッド層２９を除去できる。

また、ｐ型高Ａｌ組成層３５は、ｐ型低Ａｌ組成層３６のエッチング選択比とは異なるエッチング選択比を有している。したがって、エッチング液およびエッチング時間を適切に選択することにより、ｐ型低Ａｌ組成層３６を残存させながら、ｐ型高Ａｌ組成層３５を除去できる。また、エッチング液を適切に選択することにより、ｐ型高Ａｌ組成層３５を残存させながら、ｐ型低Ａｌ組成層３６を除去できる。

また、ｐ型クラッド層３２は、ｐ型高Ａｌ組成層３５およびｐ型低Ａｌ組成層３６のエッチング選択比とは異なるエッチング選択比を有している。したがって、エッチング液およびエッチング時間を適切に選択することにより、ｐ型高Ａｌ組成層３５およびｐ型低Ａｌ組成層３６を残存させながら、ｐ型クラッド層３２を除去できる。

次に、図８Ｅを参照して、側壁絶縁層８０が、トレンチ７に形成される。側壁絶縁層８０は、半導体積層構造２１に対する酸化処理法によって形成される。酸化処理法は、熱酸化処理法であってもよい。

この工程では、ｐ型光反射層３３においてトレンチ７から露出する部分が酸化される。また、ｐ型ベース層１２２においてトレンチ７から露出する部分が酸化される。また、ｐ型クラッド層３２においてトレンチ７から露出する部分が酸化される。また、ｎ型クラッド層２９においてトレンチ７から露出する部分が酸化される。また、ｎ型光反射層２８においてトレンチ７から露出する部分が酸化される。

比較的高いＡｌ組成ζを有するｐ型ベース層１２２では、メサ構造４１の側壁４７からメサ構造４１の内方領域に向けて酸化が大きく進行する。これにより、ｐ型ベース層１２２の酸化部が電流狭窄絶縁層５３として形成される。また、ｐ型ベース層１２２の非酸化部がｐ型電流通過層５２として形成される。

次に、図８Ｆを参照して、絶縁層８が、半導体積層構造２１の上に形成される。この工程では、窒化シリコン層からなる絶縁層８が形成される。絶縁層８は、窒化シリコン層に代えてまたはこれに加えて、酸化シリコン層を含んでいてもよい。絶縁層８は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。

次に、図８Ｇを参照して、所定パターンを有するマスク１２５が、半導体積層構造２１の上に形成される。マスク１２５は、絶縁層８においてリセス部１０５を形成すべき領域をそれぞれ露出させる複数の開口１２６を有している。次に、絶縁層８の不要な部分が、マスク１２５を介するエッチング法（たとえばドライエッチング法）によって除去される。これにより、絶縁層８にリセス部１０５が形成される。その後、マスク１２５は除去される。

次に、図８Ｈを参照して、所定パターンを有するマスク１２７が、半導体積層構造２１の上に形成される。マスク１２７は、絶縁層８においてコンタクト孔１０４を形成すべき領域をそれぞれ露出させる複数の開口１２８を有している。次に、絶縁層８の不要な部分が、マスク１２７を介するエッチング法（たとえばウエットエッチング法）によって除去される。これにより、コンタクト孔１０４が、絶縁層８に形成される。その後、マスク１２７は除去される。

次に、図８Ｉを参照して、第１主面電極層９が、半導体積層構造２１の上に形成される。第１主面電極層９は、第１電極膜１１２および第２電極膜１１３を含む。第１電極膜１１２は、チタンを含んでいてもよい。第２電極膜１１３は、金を含んでいてもよい。第１電極膜１１２および第２電極膜１１３は、蒸着法またはスパッタ法によってそれぞれ形成されてもよい。

次に、レリーフ開口１１１が、第１主面電極層９に形成される。レリーフ開口１１１は、第１主面電極層９においてメサ構造４１の頂部４５を被覆する部分を選択的に除去することによって形成される。第１主面電極層９の不要な部分は、マスク（図示せず）を介するエッチング法によって除去されてもよい。これにより、第１主面電極層９に、絶縁層８の頂部被覆部１０３を選択的に露出させるレリーフ開口１１１が形成される。

次に、外部端子１１が、第１主面電極層９の上に形成される。外部端子１１は、金を含んでいてもよい。外部端子１１は、めっき法によって形成されてもよい。また、第２主面電極層１１５が、第２基板主面２３の上に形成される。第２主面電極層１１５は、第１電極膜１１６、第２電極膜１１７および第３電極膜１１８を含む。

第１電極膜１１６は、金ゲルマニウム合金を含んでいてもよい。第２電極膜１１７は、ニッケルを含んでいてもよい。第３電極膜１１８は、金を含んでいてもよい。第１電極膜１１６、第２電極膜１１７および第３電極膜１１８は、蒸着法またはスパッタ法によってそれぞれ形成されてもよい。第２主面電極層１１５は、第１主面電極層９の形成工程に先立って形成されてもよい。以上を含む工程を経て、面発光レーザ装置１が製造される。

図９は、本発明の第２実施形態に係る面発光レーザ装置１３１を示す平面図である。以下では、面発光レーザ装置１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図９を参照して、複数の発光部６は、平面視において第１主面３の周縁部に偏在している。複数の発光部６は、より具体的には、第１主面３の中央部から周縁部に向けて最短距離Ｌ１が漸減する態様で配列されている。最短距離Ｌ１は、第１主面３の中央部から、第１主面３の一端部側（第２側面５Ｂ側）および他端部側（第４側面５Ｄ側）に向けて漸減している。つまり、複数の発光部６は、この形態では、第１方向Ｘに沿う最短距離Ｌ１が、第１主面３の中央部から周縁部に向けて漸減する態様で配列されていてもよい。

これにより、複数の発光部６が疎に配列された疎領域１５が、第１主面３の中央部に形成されている。また、複数の発光部６が密に配列された密領域１６（第１密領域１７および第２密領域１８）が、第１主面３の周縁部に形成されている。

複数の発光部６は、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに沿う最短距離Ｌ１が、第１主面３の中央部から周縁部に向けて漸減する態様で配列されていてもよい。この場合、疎領域１５は、第１主面３の周縁部に沿って形成された１つの密領域１６によって取り囲まれていてもよい。

以上、面発光レーザ装置１３１によれば、面発光レーザ装置１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。

図１０は、本発明の第３実施形態に係る面発光レーザ装置１４１を示す平面図である。以下では、面発光レーザ装置１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図１０を参照して、面発光レーザ装置１４１は、疎領域１５および密領域１６を備えていない。複数の発光部６は、この形態では、平面視において半導体積層構造２１の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する外部端子１１の周囲に偏在している。

面発光レーザ装置１４１は、より具体的には、第１主面３に形成された疎領域１４２および密領域１４３を含む。疎領域１４２は、第１主面３において複数の発光部６が疎に配列された領域であり、平面視において外部端子１１の周囲外の領域に形成されている。密領域１４３は、複数の発光部６が疎領域１４２に対して密に配列された領域であり、平面視において外部端子１１の周囲に形成されている。

疎領域１４２に形成された複数の発光部６の説明は、第１実施形態に係る疎領域１５に形成された複数の発光部６の説明が準用される。密領域１４３に形成された複数の発光部６の説明は、第１実施形態に係る密領域１６に形成された複数の発光部６の説明が準用される。

以上、面発光レーザ装置１４１によれば、外部端子１１の周囲に偏在する複数の発光部６が形成されている。これにより、外部端子１１の周囲に配列された複数の発光部６で生じた熱を外部端子１１に効率的に伝達させることができる。その結果、チップ本体２（半導体積層構造２１）の温度分布を調整できるから、複数の発光部６の出力を調整できる。

また、面発光レーザ装置１４１によれば、チップ本体２において温度上昇率の高い領域に疎領域１４２が形成され、チップ本体２において温度上昇率の低い領域に密領域１４３が形成されている。温度上昇率の高い領域は、この形態では、チップ本体２の中央部である。温度上昇率の低い領域は、この形態では、チップ本体２において外部端子１１の周囲の領域である。

これにより、チップ本体２において外部端子１１の周囲の領域およびそれ以外の領域において温度分布の偏りを抑制できる。その結果、疎領域１４２および密領域１４３の間において複数の発光部６の出力低下や出力ばらつきを抑制できる。また、面発光レーザ装置１４１によれば、発光部６の配列や単位面積当たりの発光部６の個数を疎領域１４２および密領域１４３ごとに調整できる。よって、チップ本体２の温度分布や複数の発光部６の出力を適切に調整できる。

図１１は、本発明の第４実施形態に係る面発光レーザ装置１５１を示す平面図である。以下では、面発光レーザ装置１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図１１を参照して、面発光レーザ装置１５１は、この形態では、平面視において第１主面３の周縁部に偏在する複数の発光部６を含む。面発光レーザ装置１５１は、この形態では、疎領域１５および密領域１６を含む。面発光レーザ装置１５１は、さらに、半導体積層構造２１の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する外部端子１１の周囲に偏在する複数の発光部６を含む。つまり、密領域１６は、この形態では、第１密領域１７および第２密領域１８に加えて、外部端子１１の周囲に形成された第３密領域１５２を含む。

第３密領域１５２は、複数の発光部６が疎領域１５に対して密に配列された領域である。第３密領域１５２に形成された複数の発光部６の説明は、第１密領域１７および第２密領域１８に形成された複数の発光部６の説明が準用される。

以上、面発光レーザ装置１５１によれば、面発光レーザ装置１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。また、面発光レーザ装置１５１によれば、外部端子１１の周囲に偏在する複数の発光部６が形成されている。これにより、外部端子１１の周囲に配列された複数の発光部６で生じた熱を外部端子１１に効率的に伝達させることができる。その結果、チップ本体２（半導体積層構造２１）の温度分布を調整できるから、複数の発光部６の出力を調整できる。

また、面発光レーザ装置１５１によれば、チップ本体２において温度上昇率の高い領域に疎領域１５が形成され、チップ本体２において温度上昇率の低い領域に密領域１６が形成されている。温度上昇率の高い領域は、この形態では、チップ本体２の中央部である。温度上昇率の低い領域は、この形態では、チップ本体２の周縁部およびチップ本体２において外部端子１１の周囲の領域である。これにより、チップ本体２における温度分布の偏りを抑制できる。その結果、疎領域１５および密領域１６の間において複数の発光部６の出力低下や出力ばらつきを抑制できる。

また、面発光レーザ装置１５１によれば、発光部６の配列や単位面積当たりの発光部６の個数を疎領域１５および密領域１６ごとに調整できる。よって、チップ本体２の温度分布や複数の発光部６の出力を適切に調整できる。

面発光レーザ装置１５１では、密領域１６が第１密領域１７および第２密領域１８を含む例について説明した。しかし、第１密領域１７および第２密領域１８のいずれか一方が疎領域１５とされてもよい。

図１２は、本発明の第５実施形態に係る面発光レーザ装置１６１を示す平面図である。以下では、面発光レーザ装置１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図１２を参照して、面発光レーザ装置１６１は、第１方向Ｘに関して第１主面３の一端部側（第２側面５Ｂ側）の領域に形成された外部端子１１を含む。外部端子１１は、この形態では、平面視において第２方向Ｙに沿って延びる長方形状に形成されている。

面発光レーザ装置１６１は、疎領域１５および密領域１６を含む。密領域１６は、第１方向Ｘに関して第１主面３の一端部側（第２側面５Ｂ側）の周縁部に形成された第１密領域１７を含む。第１密領域１７に係る複数の発光部６は、外部端子１１の周囲に偏在している。

以上、面発光レーザ装置１６１によれば、面発光レーザ装置１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。また、面発光レーザ装置１６１によれば、外部端子１１の周囲に偏在する複数の発光部６が形成されている。面発光レーザ装置１６１は、より具体的には、第１方向Ｘに関して第１主面３の一端部側に形成された外部端子１１の周囲に偏在する第１密領域１７を含む。

これにより、外部端子１１の周囲に配列された複数の発光部６で生じた熱を外部端子１１に効率的に伝達させることができる。その結果、チップ本体２（半導体積層構造２１）の温度分布を調整できるから、複数の発光部６の出力を調整できる。

また、面発光レーザ装置１６１によれば、チップ本体２において温度上昇率の高い領域に疎領域１５が形成され、チップ本体２において温度上昇率の低い領域に密領域１６が形成されている。温度上昇率の高い領域は、この形態では、チップ本体２の中央部である。温度上昇率の低い領域は、この形態では、チップ本体２の周縁部およびチップ本体２において外部端子１１の周囲の領域である。これにより、チップ本体２における温度分布の偏りを抑制できる。その結果、疎領域１５および密領域１６の間において複数の発光部６の出力低下や出力ばらつきを抑制できる。

また、面発光レーザ装置１６１によれば、発光部６の配列や単位面積当たりの発光部６の個数を疎領域１５および密領域１６ごとに調整できる。よって、チップ本体２の温度分布や複数の発光部６の出力を適切に調整できる。面発光レーザ装置１６１では、密領域１６が第１密領域１７および第２密領域１８を含む例について説明した。しかし、第２密領域１８が疎領域１５とされてもよい。

図１３は、本発明の第６実施形態に係る面発光レーザ装置１７１を示す平面図である。図１４は、図１３に示すXIV-XIV線に沿う断面図である。以下では、面発光レーザ装置１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図１３および図１４を参照して、面発光レーザ装置１７１は、疎領域１５および密領域１６を備えていない。つまり、複数の発光部６は、平面視において等しい最短距離Ｌ１で配列されている。複数の発光部６は、この形態では、平面視において千鳥状に配列されている。

面発光レーザ装置１７１は、第１主面３の上に形成された電極層１７２を含む。電極層１７２は、より具体的には、第１主面電極層９の上に形成されている。電極層１７２は、平面視において第１主面３の中央部に偏在している。電極層１７２は、この形態では、平面視において第１主面３の周縁部を露出させ、第１主面３の中央部を被覆している。電極層１７２は、複数の発光部６をそれぞれ露出させる複数の開口１７３を含む。これにより、複数の発光部６からの光が、複数の開口１７３から取り出される。

電極層１７２は、平面視において円形状に形成されている。電極層１７２の平面形状は任意である。電極層１７２は、平面視において三角形状、四角形状もしくは六角形状等の多角形状、または、楕円形状に形成されていてもよい。

電極層１７２は、半導体積層構造２１の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有している。電極層１７２は、第１主面電極層９の厚さＴＥ１以上の厚さＴＥ３（ＴＥ１≦ＴＥ３）を有している。厚さＴＥ３は、より具体的には、厚さＴＥ１を超えている（ＴＥ１＜ＴＥ３）。

厚さＴＥ３は、厚さＴＥ２と等しくてもよい（ＴＥ２＝ＴＥ３）。電極層１７２は、外部端子１１と同一の材料によって形成されていてもよい。つまり、電極層１７２は、金を含んでいてもよい。このような構造によれば、外部端子１１の形成工程を利用して電極層１７２を形成できる。

以上、面発光レーザ装置１７１によれば、第１主面３の中央部に偏在する電極層１７２が形成されている。電極層１７２は、より具体的には、平面視において第１主面３の周縁部を露出させ、第１主面３の中央部を被覆している。電極層１７２は、半導体積層構造２１の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有している。

これにより、第１主面３の中央部に配列された複数の発光部６で生じた熱を電極層１７２に効率的に伝達させることができる。その結果、チップ本体２の中央部を起点とするチップ本体２の温度上昇を抑制できる。よって、チップ本体２（半導体積層構造２１）の温度分布を調整できるから、複数の発光部６の出力を調整できる。

また、面発光レーザ装置１７１によれば、チップ本体２において温度上昇率の高い領域が電極層１７２によって被覆され、チップ本体２において温度上昇率の低い領域が電極層１７２から露出している。温度上昇率の高い領域は、この形態では、チップ本体２の中央部である。温度上昇率の低い領域は、この形態では、チップ本体２の周縁部である。

これにより、チップ本体２における温度分布の偏りを抑制できる。その結果、電極層１７２によって被覆された領域、および、電極層１７２から露出する領域の間において複数の発光部６の出力低下や出力ばらつきを抑制できる。

面発光レーザ装置１７１の構造は、第１～第５実施形態に係る面発光レーザ装置１，１３１，１４１，１５１，１６１に組み合わされてもよい。つまり、面発光レーザ装置１，１３１，１４１，１５１，１６１において電極層１７２が形成されていてもよい。

図１５は、本発明の第７実施形態に係る面発光レーザ装置１８１を示す平面図である。以下では、面発光レーザ装置１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図１５を参照して、面発光レーザ装置１８１は、疎領域１５および密領域１６を備えていない。つまり、複数の発光部６は、平面視において等しい最短距離Ｌ１で配列されている。複数の発光部６は、この形態では、平面視において千鳥状に配列されている。

面発光レーザ装置１８１は、第１主面３の上に形成された複数の電極層１８２を含む。複数の電極層１８２は、第１主面電極層９の上に形成されている。複数の電極層１８２は、平面視において第１主面３の中央部に偏在している。

面発光レーザ装置１８１は、より具体的には、複数の電極層１８２の配列密度が互いに異なる密領域１８３および疎領域１８４を含む。密領域１８３は、複数の電極層１８２が密に配列された領域である。疎領域１８４は、複数の電極層１８２が密領域１８３に対して疎に配列された領域である。

密領域１８３は、平面視において第１主面３の中央部に形成されている。疎領域１８４は、平面視において第１主面３の周縁部に形成されている。疎領域１８４は、この形態では、第１疎領域１８５および第２疎領域１８６を含む。第１疎領域１８５は、第１方向Ｘに関して、密領域１８３に対して第１主面３の一端部側（第２側面５Ｂ側）の周縁部に形成されている。第２疎領域１８６は、第１方向Ｘに関して、疎領域１５に対して第１主面３の他端部側（第４側面５Ｄ側）の周縁部に形成されている。第２疎領域１８６は、疎領域１５を挟んで第１疎領域１８５に対向している。

密領域１８３を取り囲む１つの疎領域１８４が形成されてもよい。この場合、１つの疎領域１８４は、密領域１８３を取り囲む環状に形成される。第１疎領域１８５および第２疎領域１８６のいずれか一方が、密領域１８３に変更されてもよい。

複数の電極層１８２は、密領域１８３に形成された複数の第１電極層１８７、および、疎領域１８４に形成された複数の第２電極層１８８を含む。

複数の第１電極層１８７は、密領域１８３において複数の発光部６の周囲に形成されている。複数の第１電極層１８７は、この形態では、１つの発光部６を６つの第１電極層１８７で取り囲む態様で配列されている。６つの第１電極層１８７は、１つの発光部６の周囲に等間隔に配列されている。複数の第１電極層１８７は、それらの間の領域から第１主面電極層９を露出させている。

各第１電極層１８７は、最近接する３つのトレンチ７の間の領域に形成されている。各第１電極層１８７は、この形態では、平面視において三角形状に形成されている。各第１電極層１８７は、より具体的には、平面視において最近接する３つのトレンチ７によって３つの頂点が切り欠かれた三角形状に形成されている。

各第１電極層１８７は、トレンチ７から間隔を空けて形成されていてもよい。各第１電極層１８７は、平面視において凸湾曲状に膨出した１つまたは複数の辺を有していてもよい。各第１電極層１８７は、平面視において凹湾曲状に窪んだ１つまたは複数の辺を有していてもよい。各第１電極層１８７の平面形状は任意である。各第１電極層１８７は、平面視において四角形状もしくは六角形状等の多角形状、または、円形状もしくは楕円形状に形成されていてもよい。

各第１電極層１８７は、半導体積層構造２１の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有している。各第１電極層１８７は、第１主面電極層９の厚さＴＥ１以上の厚さＴＥ４（ＴＥ１≦ＴＥ４）を有している。厚さＴＥ４は、より具体的には、厚さＴＥ１を超えている（ＴＥ１＜ＴＥ４）。

厚さＴＥ４は、外部端子１１の厚さＴＥ２と等しくてもよい（ＴＥ２＝ＴＥ４）。各第１電極層１８７は、外部端子１１と同一の材料によって形成されていてもよい。つまり、各第１電極層１８７は、金を含んでいてもよい。このような構造によれば、外部端子１１の形成工程を利用して各第１電極層１８７を形成できる。

複数の第２電極層１８８は、疎領域１８４において第１電極層１８７の配列密度未満の配列密度で形成されている。つまり、１つの発光部６に対する第２電極層１８８の個数は、１つの発光部６に対する第１電極層１８７の個数未満である。各第２電極層１８８の平面積は、この形態では、各第１電極層１８７の平面積と等しい。

複数の第２電極層１８８は、疎領域１８４において複数の発光部６の周囲に形成されている。複数の第２電極層１８８は、この形態では、１つの発光部６の周囲を６つ未満（この形態では３つ）の第２電極層１８８で取り囲む態様で配列されている。３つの第２電極層１８８は、１つの発光部６の周囲に等間隔に配列されている。隣り合う複数の第２電極層１８８は、それらの間の領域から第１主面電極層９を露出させている。

各第２電極層１８８は、最近接する３つのトレンチ７の間の領域に形成されている。各第２電極層１８８は、この形態では、平面視において三角形状に形成されている。各第２電極層１８８は、より具体的には、平面視において最近接する３つのトレンチ７によって３つの頂点が切り欠かれた三角形状に形成されている。

各第２電極層１８８は、トレンチ７から間隔を空けて形成されていてもよい。各第２電極層１８８は、平面視において凸湾曲状に膨出した１つまたは複数の辺を有していてもよい。各第２電極層１８８は、平面視において凹湾曲状に窪んだ１つまたは複数の辺を有していてもよい。各第２電極層１８８の平面形状は任意である。各第２電極層１８８は、三角形状に代えて、平面視において四角形状もしくは六角形状等の多角形状、または、円形状もしくは楕円形状に形成されていてもよい。

各第２電極層１８８は、半導体積層構造２１の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有している。各第２電極層１８８は、第１主面電極層９の厚さＴＥ１以上の厚さＴＥ５（ＴＥ１≦ＴＥ５）を有している。厚さＴＥ５は、より具体的には、厚さＴＥ１を超えている（ＴＥ１＜ＴＥ５）。

厚さＴＥ５は、外部端子１１の厚さＴＥ２と等しくてもよい（ＴＥ２＝ＴＥ５）。各第２電極層１８８は、外部端子１１と同一の材料によって形成されていてもよい。つまり、各第２電極層１８８は、金を含んでいてもよい。このような構造によれば、外部端子１１の形成工程を利用して各第２電極層１８８を形成できる。

以上、面発光レーザ装置１８１によれば、チップ本体２の第１主面３の中央部に偏在する複数の電極層１８２が形成されている。複数の電極層１８２は、半導体積層構造２１の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有している。

これにより、第１主面３の中央部に配列された複数の発光部６で生じた熱を複数の電極層１８２に効率的に伝達させることができる。その結果、チップ本体２の中央部を起点とするチップ本体２の温度上昇を抑制できる。よって、チップ本体２（半導体積層構造２１）の温度分布を調整できるから、複数の発光部６の出力を調整できる。

また、面発光レーザ装置１８１によれば、複数の電極層１８２の配列密度が互いに異なる密領域１８３および疎領域１８４が形成されている。密領域１８３は、複数の電極層１８２が密に配列された領域である。疎領域１８４は、複数の電極層１８２が密領域１８３に対して疎に配列された領域である。

密領域１８３は、平面視において第１主面３の中央部に形成されている。疎領域１８４は、平面視において第１主面３の周縁部に形成されている。つまり、面発光レーザ装置１８１によれば、チップ本体２において温度上昇率の高い領域に密領域１８３が形成され、チップ本体２において温度上昇率の低い領域に疎領域１８４が形成されている。温度上昇率の高い領域は、この形態では、チップ本体２の中央部である。温度上昇率の低い領域は、この形態では、チップ本体２の周縁部である。

これにより、チップ本体２における温度分布の偏りを抑制できる。その結果、密領域１８３および疎領域１８４の間において複数の発光部６の出力低下や出力ばらつきを抑制できる。

また、面発光レーザ装置１８１によれば、複数の電極層１８２（第１電極層１８７および第２電極層１８８）の配列や単位面積当たりの個数を密領域１８３および疎領域１８４ごとに調整できる。よって、チップ本体２の温度分布や複数の発光部６の出力を適切に調整できる。

面発光レーザ装置１８１の構造は、第１～第６実施形態に係る面発光レーザ装置１，１３１，１４１，１５１，１６１，１７１に組み合わされてもよい。つまり、面発光レーザ装置１，１３１，１４１，１５１，１６１，１７１において複数の電極層１８２が形成されていてもよい。

図１６は、本発明の第８実施形態に係る面発光レーザ装置１９１を示す平面図である。以下では、面発光レーザ装置１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図１６を参照して、面発光レーザ装置１９１は、疎領域１５および密領域１６を備えていない。つまり、複数の発光部６は、平面視において等しい最短距離Ｌ１で配列されている。複数の発光部６は、この形態では、平面視において千鳥状に配列されている。

面発光レーザ装置１９１は、第１主面３の上に形成された複数の電極層１９２を含む。複数の電極層１９２は、より具体的には、第１主面電極層９の上に形成されている。複数の電極層１９２は、平面視において第１主面３の中央部に偏在している。

面発光レーザ装置１９１は、第１主面３に対する複数の電極層１９２の占有密度が互いに異なる密領域１９３および疎領域１９４を含む。密領域１９３は、複数の電極層１９２が密に配列された領域である。疎領域１９４は、第１主面３において複数の電極層１９２が密領域１９３に対して疎に配列された領域である。

密領域１９３は、平面視において第１主面３の中央部に形成されている。疎領域１９４は、平面視において第１主面３の周縁部に形成されている。疎領域１９４は、この形態では、第１疎領域１９５および第２疎領域１９６を含む。第１疎領域１９５は、第１方向Ｘに関して、密領域１９３に対して第１主面３の一端部側（第２側面５Ｂ側）の周縁部に形成されている。第２疎領域１９６は、第１方向Ｘに関して、密領域１９３に対して第１主面３の他端部側（第４側面５Ｄ側）の周縁部に形成されている。第２疎領域１９６は、第１疎領域１９５を挟んで第１疎領域１９５に対向している。

密領域１９３を取り囲む１つの疎領域１９４が形成されてもよい。この場合、１つの疎領域１９４は、密領域１９３を取り囲む環状に形成される。第１疎領域１９５および第２疎領域１９６のいずれか一方が、密領域１９３に変更されてもよい。

複数の電極層１９２は、密領域１９３に形成された複数の第１電極層１９７、および、疎領域１９４に形成された複数の第２電極層１９８を含む。

複数の第１電極層１９７は、密領域１９３において複数の発光部６の周囲に形成されている。複数の第１電極層１９７は、この形態では、１つの発光部６を６つの第１電極層１９７で取り囲む態様で配列されている。６つの第１電極層１９７は、１つの発光部６の周囲に等間隔に配列されている。隣り合う複数の第１電極層１９７は、それらの間の領域から第１主面電極層９を露出させている。

各第１電極層１９７は、最近接する３つのトレンチ７の間の領域に形成されている。各第１電極層１９７は、この形態では、平面視において三角形状に形成されている。各第１電極層１９７は、より具体的には、平面視において最近接する３つのトレンチ７によって３つの頂点が切り欠かれた三角形状に形成されている。

各第１電極層１９７は、トレンチ７から間隔を空けて形成されていてもよい。各第１電極層１９７は、平面視において凸湾曲状に膨出した１つまたは複数の辺を有していてもよい。各第１電極層１９７は、平面視において凹湾曲状に窪んだ１つまたは複数の辺を有していてもよい。各第１電極層１９７の平面形状は任意である。各第１電極層１９７は、平面視において四角形状もしくは六角形状等の多角形状、または、円形状もしくは楕円形状に形成されていてもよい。

各第１電極層１９７は、半導体積層構造２１の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有している。各第１電極層１９７は、第１主面電極層９の厚さＴＥ１以上の厚さＴＥ４（ＴＥ１≦ＴＥ４）を有している。厚さＴＥ４は、より具体的には、厚さＴＥ１を超えている（ＴＥ１＜ＴＥ４）。

厚さＴＥ４は、外部端子１１の厚さＴＥ２と等しくてもよい（ＴＥ２＝ＴＥ４）。各第１電極層１９７は、外部端子１１と同一の材料によって形成されていてもよい。つまり、各第１電極層１９７は、金を含んでいてもよい。このような構造によれば、外部端子１１の形成工程を利用して各第１電極層１９７を形成できる。

複数の第２電極層１９８は、疎領域１９４において、第１主面３に対する占有密度が第１主面３に対する複数の第１電極層１９７の占有密度未満になるように形成されている。各第２電極層１９８の平面積は、各第１電極層１９７の平面積未満である。

複数の第２電極層１９８は、疎領域１９４において複数の発光部６の周囲に形成されている。複数の第２電極層１９８は、この形態では、１つの発光部６の周囲を６つの第２電極層１９８で取り囲む態様で配列されている。６つの第２電極層１９８は、１つの発光部６の周囲に等間隔に配列されている。隣り合う複数の第２電極層１９８は、それらの間の領域から第１主面電極層９を露出させている。

各第２電極層１９８は、最近接する３つのトレンチ７の間の領域に形成されている。各第２電極層１９８は、トレンチ７から間隔を空けて形成されている。各第２電極層１９８は、平面視において各第１電極層１９７とは異なる形状に形成されている。各第２電極層１９８は、この形態では、平面視において多角形状に形成されている。

各第２電極層１９８は、平面視において凸湾曲状に膨出した１つまたは複数の辺を有していてもよい。各第２電極層１９８は、平面視において凹湾曲状に窪んだ１つまたは複数の辺を有していてもよい。各第２電極層１９８の平面形状は任意である。各第２電極層１９８は、三角形状に代えて、平面視において四角形状もしくは六角形状等の多角形状、または、円形状もしくは楕円形状に形成されていてもよい。

各第２電極層１９８は、半導体積層構造２１の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有している。各第２電極層１９８は、第１主面電極層９の厚さＴＥ１以上の厚さＴＥ５（ＴＥ１≦ＴＥ５）を有している。厚さＴＥ５は、より具体的には、厚さＴＥ１を超えている（ＴＥ１＜ＴＥ５）。

厚さＴＥ５は、外部端子１１の厚さＴＥ２と等しくてもよい（ＴＥ２＝ＴＥ５）。各第２電極層１９８は、外部端子１１と同一の材料によって形成されていてもよい。つまり、各第２電極層１９８は、金を含んでいてもよい。このような構造によれば、外部端子１１の形成工程を利用して各第２電極層１９８を形成できる。

以上、面発光レーザ装置１９１によれば、チップ本体２の第１主面３の中央部に偏在する複数の電極層１９２が形成されている。複数の電極層１９２は、半導体積層構造２１の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有している。

これにより、第１主面３の中央部に配列された複数の発光部６で生じた熱を複数の電極層１９２に伝達させることができる。その結果、チップ本体２の中央部を起点とするチップ本体２の温度上昇を抑制できる。よって、チップ本体２（半導体積層構造２１）の温度分布を調整できるから、複数の発光部６の出力を調整できる。

また、面発光レーザ装置１９１によれば、第１主面３に対する複数の電極層１９２の占有密度が互いに異なる密領域１９３および疎領域１９４が形成されている。密領域１９３は、複数の電極層１９２が密に配列された領域である。疎領域１９４は、複数の電極層１９２が密領域１９３に対して疎に配列された領域である。

密領域１９３は、平面視において第１主面３の中央部に形成されている。疎領域１９４は、平面視において第１主面３の周縁部に形成されている。つまり、面発光レーザ装置１９１によれば、チップ本体２において温度上昇率の高い領域に密領域１９３が形成され、チップ本体２において温度上昇率の低い領域に疎領域１９４が形成されている。温度上昇率の高い領域は、この形態では、チップ本体２の中央部である。温度上昇率の低い領域は、この形態では、チップ本体２の周縁部である。

これにより、チップ本体２における温度分布の偏りを抑制できる。その結果、密領域１９３および疎領域１９４の間において複数の発光部６の出力低下や出力ばらつきを抑制できる。

また、面発光レーザ装置１９１によれば、複数の電極層１９２（第１電極層１９７および第２電極層１９８）の平面積を密領域１８３および疎領域１８４ごとに調整できる。よって、チップ本体２の温度分布や複数の発光部６の出力を適切に調整できる。

面発光レーザ装置１９１の構造は、第１～第７実施形態に係る面発光レーザ装置１，１３１，１４１，１５１，１６１，１７１，１８１に組み合わされてもよい。つまり、面発光レーザ装置１，１３１，１４１，１５１，１６１，１７１，１８１において複数の電極層１９２が形成されていてもよい。

図１７は、本発明の第９実施形態に係る面発光レーザ装置２０１を示す平面図である。以下では、面発光レーザ装置１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図１７を参照して、面発光レーザ装置２０１は、疎領域１５および密領域１６を備えていない。つまり、複数の発光部６は、平面視において互いに等しいまたは互いに異なる最短距離Ｌ１で配列されている。複数の発光部６は、この形態では、平面視において千鳥状に配列されている。

複数の発光部６は、この形態では、複数の第１発光部２０２および複数の第２発光部２０３を含む。各第１発光部２０２は、第１サイズを有している。各第２発光部２０３は、第１サイズとは異なる第２サイズを有している。各第２発光部２０３の第２サイズは、各第１発光部２０２の第１サイズ未満である。各第２発光部２０３は、各第１発光部２０２の平面積未満の平面積を有している。

つまり、各第２発光部２０３を形成するメサ構造４１の平面積は、各第１発光部２０２を形成するメサ構造４１の平面積未満である。また、各第２発光部２０３の電流密度は、各第１発光部２０２の電流密度を超えている。また、各第２発光部２０３の設計上の出力は、各第１発光部２０２の設計上の出力を超えている。

複数の第１発光部２０２は、この形態では、平面視において第１主面３の中央部に偏在している。複数の第２発光部２０３は、この形態では、平面視において第１主面３の周縁部に偏在している。面発光レーザ装置２０１は、より具体的には、低電流密度領域２０４および高電流密度領域２０５を含む。低電流密度領域２０４は、複数の第１発光部２０２を含む。高電流密度領域２０５は、複数の第２発光部２０３を含む。

低電流密度領域２０４は、平面視において第１主面３の中央部に形成されている。高電流密度領域２０５は、平面視において第１主面３の周縁部に形成されている。高電流密度領域２０５は、この形態では、第１高電流密度領域２０６および第２高電流密度領域２０７を含む。

第１高電流密度領域２０６は、第１方向Ｘに関して、低電流密度領域２０４に対して第１主面３の一端部側（第２側面５Ｂ側）の周縁部に形成されている。第２高電流密度領域２０７は、第１方向Ｘに関して、低電流密度領域２０４に対して第１主面３の他端部側（第４側面５Ｄ側）の周縁部に形成されている。第２高電流密度領域２０７は、低電流密度領域２０４を挟んで第１高電流密度領域２０６に対向している。

低電流密度領域２０４を取り囲む１つの高電流密度領域２０５が形成されてもよい。この場合、１つの高電流密度領域２０５は、低電流密度領域２０４を取り囲む環状に形成される。第１高電流密度領域２０６および第２高電流密度領域２０７のいずれか一方が、低電流密度領域２０４に変更されてもよい。

以上、面発光レーザ装置２０１によれば、複数の発光部６が、互いに異なるサイズを有する複数の第１発光部２０２および複数の第２発光部２０３を含む。各第１発光部２０２は、第１サイズを有している。各第２発光部２０３は、第２サイズを有している。各第２発光部２０３の第２サイズは、各第１発光部２０２の第１サイズ未満である。各第２発光部２０３は、より具体的には、各第１発光部２０２の平面積未満の平面積を有している。

各第１発光部２０２の発熱量は、各第２発光部２０３の発熱量よりも小さい。これにより、チップ本体２の温度分布を調整できるから、複数の発光部６の出力を調整できる。特に、面発光レーザ装置２０１によれば、比較的大きいサイズを有する複数の第１発光部２０２が、第１主面３の中央部に偏在している。これにより、チップ本体２の中央部を起点とするチップ本体２の温度上昇を抑制できる。

また、面発光レーザ装置２０１によれば、チップ本体２において温度上昇率の高い領域に低電流密度領域２０４が形成され、チップ本体２において温度上昇率の低い領域に第１高電流密度領域２０６が形成されている。温度上昇率の高い領域は、この形態では、チップ本体２の中央部である。温度上昇率の低い領域は、この形態では、チップ本体２の周縁部である。

これにより、チップ本体２の中央部および周縁部の間において温度分布の偏りを抑制できる。その結果、チップ本体２の中央部および周縁部の間（つまり、低電流密度領域２０４および高電流密度領域２０５の間）において複数の発光部６の出力低下や出力ばらつきを抑制できる。

また、面発光レーザ装置２０１によれば、発光部６の配列や単位面積当たりの発光部６の個数を低電流密度領域２０４および高電流密度領域２０５ごとに調整できる。よって、チップ本体２の温度分布や複数の発光部６の出力を適切に調整できる。

面発光レーザ装置２０１の構造は、第１～第８実施形態に係る面発光レーザ装置１，１３１，１４１，１５１，１６１，１７１，１８１，１９１に組み合わされてもよい。つまり、面発光レーザ装置１，１３１，１４１，１５１，１６１，１７１，１８１，１９１において複数の第１発光部２０２および複数の第２発光部２０３を含む複数の発光部６が形成されていてもよい。

図１８は、本発明の第１０実施形態に係る面発光レーザ装置３０１を示す平面図であって、第１主面電極層３０９の第１形態例を示す平面図である。図１９は、図１８に示す領域XXXVIIIの拡大図である。図２０は、図１８に示すXX-XX線に沿う断面図である。図２１は、図１８に示すXXI-XXI線に沿う断面図である。図２２は、図１８に示すXXII-XXII線に沿う断面図である。図２３は、図２２に示す領域XXIIIの拡大図である。図２４は、図２２に示す領域XXIVの拡大図である。

図１８～図２４を参照して、面発光レーザ装置３０１は、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）と称される半導体レーザ装置である。面発光レーザ装置３０１は、直方体形状のチップ本体３０２を含む。

チップ本体３０２は、一方側の第１主面３０３、他方側の第２主面３０４、ならびに、第１主面３０３および第２主面３０４を接続する側面３０５Ａ，３０５Ｂ，３０５Ｃ，３０５Ｄを含む。第１主面３０３および第２主面３０４は、それらの法線方向Ｚから見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において四角形状（この形態では長方形状）に形成されている。

側面３０５Ａ～３０５Ｄは、より具体的には、第１側面３０５Ａ、第２側面３０５Ｂ、第３側面３０５Ｃおよび第４側面３０５Ｄを含む。第１側面３０５Ａおよび第３側面３０５Ｃは、第１方向Ｘに沿って延び、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに対向している。第２方向Ｙは、より具体的には、第１方向Ｘに直交している。第１側面３０５Ａおよび第３側面３０５Ｃは、チップ本体３０２の長辺を形成している。第２側面３０５Ｂおよび第４側面３０５Ｄは、第２方向Ｙに沿って延び、第１方向Ｘに対向している。第２側面３０５Ｂおよび第４側面３０５Ｄは、チップ本体３０２の短辺を形成している。側面３０５Ａ～３０５Ｄは、法線方向Ｚに沿って平面的に延びている。

平面視において第１側面３０５Ａ（第３側面３０５Ｃ）の幅Ｗ１は、２００μｍ以上２０００μｍ以下であってもよい。幅Ｗ１は、２００μｍ以上４００μｍ以下、４００μｍ以上６００μｍ以下、６００μｍ以上８００μｍ以下、８００μｍ以上１０００μｍ以下、１０００μｍ以上１２００μｍ以下、１２００μｍ以上１４００μｍ以下、１４００μｍ以上１６００μｍ以下、１６００μｍ以上１８００μｍ以下、または、１８００μｍ以上２０００μｍ以下であってもよい。幅Ｗ１は、５００μｍ±５μｍであってもよい。

平面視において第２側面３０５Ｂ（第４側面３０５Ｄ）の幅Ｗ２は、２００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。幅Ｗ２は、２００μｍ以上３００μｍ以下、３００μｍ以上４００μｍ以下、４００μｍ以上５００μｍ以下、５００μｍ以上６００μｍ以下、６００μｍ以上７００μｍ以下、７００μｍ以上８００μｍ以下、８００μｍ以上９００μｍ以下、または、９００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。幅Ｗ２は、３４０μｍ±５μｍであってもよい。

面発光レーザ装置３０１は、第１主面３０３に形成され、法線方向Ｚに向けてレーザ光を放出する発光部３０６（半導体発光層）を含む。この形態では、複数の発光部３０６が、平面視において第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに間隔を空けて形成されている。複数の発光部３０６は、規則的に配列されていてもよいし、不規則に配列されていてもよい。複数の発光部３０６は、平面視において千鳥状、行列状または放射状（同心円状）に配列されていることが好ましい。

複数の発光部３０６は、この形態では、平面視において互いに間隔を空けて千鳥状に配列されている。つまり、複数の発光部３０６は、平面視において三角形（この形態では正三角形）の３つの頂点に１つの発光部３０６がそれぞれ位置する態様で配列されている。複数の発光部３０６は、より具体的に、平面視において六角形（この形態では正六角形）の６つの頂点に１つの発光部３０６がそれぞれ位置する態様で配列されている。

複数の発光部３０６は、さらに具体的には、平面視において六角形（この形態では正六角形）の６つの頂点に１つの発光部３０６がそれぞれ位置し、かつ、六角形の中央部に１つの発光部３０６が位置する態様で配列されている。

複数の発光部３０６は、この形態では、平面視において円形状にそれぞれ形成されている。発光部３０６の平面形状は任意である。発光部３０６は、平面視において三角形状、四角形状もしくは六角形状等の多角形状、または、楕円形状に形成されていてもよい。

複数の発光部３０６は、トレンチ３０７（溝）によってそれぞれ区画されている。トレンチ３０７は、第１主面３０３を第２主面３０４に向けて掘り下げることによって形成されている。トレンチ３０７は、平面視において発光部３０６を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。発光部３０６およびトレンチ３０７の具体的な構造は、後述される。

隣り合う２つの発光部３０６の最短距離Ｌ１は、１０μｍ以上１５０μｍ以下であってもよい。最短距離Ｌ１は、最近接する２つの発光部３０６の間の距離である。最短距離Ｌ１は、１０μｍ以上２５μｍ以下、２５μｍ以上５０μｍ以下、５０μｍ以上７５μｍ以下、７５μｍ以上１００μｍ以下、１００μｍ以上１２５μｍ以下、または、１２５μｍ以上１５０μｍ以下であってもよい。

複数の発光部３０６の第１最遠距離Ｌ２は、第１側面３０５Ａ（第３側面３０５Ｃ）の幅Ｗ１に応じて設定される。第１最遠距離Ｌ２は、第１方向Ｘの両端部に位置する最も離れた２つの発光部３０６の間の距離である。

第１最遠距離Ｌ２は、２００μｍ以上２０００μｍ以下であってもよい。第１最遠距離Ｌ２は、２００μｍ以上４００μｍ以下、４００μｍ以上６００μｍ以下、６００μｍ以上８００μｍ以下、８００μｍ以上１０００μｍ以下、１０００μｍ以上１２００μｍ以下、１２００μｍ以上１４００μｍ以下、１４００μｍ以上１６００μｍ以下、１６００μｍ以上１８００μｍ以下、または、１８００μｍ以上２０００μｍ以下であってもよい。

複数の発光部３０６の第２最遠距離Ｌ３は、第２側面３０５Ｂ（第４側面３０５Ｄ）の幅Ｗ２に応じて設定される。第２最遠距離Ｌ３は、第２方向Ｙの両端部に位置する最も離れた２つの発光部３０６の間の距離である。

第２最遠距離Ｌ３は、２００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。第２最遠距離Ｌ３は、２００μｍ以上３００μｍ以下、３００μｍ以上４００μｍ以下、４００μｍ以上５００μｍ以下、５００μｍ以上６００μｍ以下、６００μｍ以上７００μｍ以下、７００μｍ以上８００μｍ以下、８００μｍ以上９００μｍ以下、または、９００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。

面発光レーザ装置３０１は、第１主面３０３の上に形成された絶縁層３０８を含む。図１９では、絶縁層３０８がハッチングによって示されている。絶縁層３０８は、複数の発光部３０６を一括して被覆している。絶縁層３０８は、第１主面３０３の上から各トレンチ３０７に入り込んでいる。絶縁層３０８は、各トレンチ３０７内において発光部３０６を被覆している。

絶縁層３０８は、側面３０５Ａ～３０５Ｄから内方に間隔を空けて形成され、第１主面３０３の周縁部を露出させている。絶縁層３０８の周縁は、側面３０５Ａ～３０５Ｄとの間でダイシングストリートＤＳを区画している。ダイシングストリートＤＳは、第１主面３０３の周縁部（側面３０５Ａ～３０５Ｄ）に沿って帯状に延びている。ダイシングストリートＤＳは、平面視において絶縁層３０８を取り囲む環状（この形態では四角環状）に形成されている。

ダイシングストリートＤＳの幅ＷＤは、１μｍ以上２５μｍ以下であってもよい。幅ＷＤは、１μｍ以上５μｍ以下、５μｍ以上１０μｍ以下、１０μｍ以上１５μｍ以下、１５μｍ以上２０μｍ以下、または、２０μｍ以上２５μｍ以下であってもよい。幅ＷＤは、平面視においてダイシングストリートＤＳが延びる方向に直交する方向の幅である。

ダイシングストリートＤＳによれば、絶縁層３０８を物理的に切断しなくて済む。これにより、絶縁層３０８の切断に起因するチップ本体３０２や絶縁層３０８等のクラックを抑制できる。また、ダイシングブレード等の摩耗を抑制できると同時に切断時間を短縮できる。

面発光レーザ装置３０１は、第１主面３０３の上に形成され、発光部３０６に電気的に接続された第１主面電極層３０９を含む。第１主面電極層３０９は、より具体的には、絶縁層３０８の上に形成されている。第１主面電極層３０９は、複数の発光部３０６を一括して被覆している。第１主面電極層３０９は、絶縁層３０８の上から各トレンチ３０７に入り込んでいる。第１主面電極層３０９は、各トレンチ３０７内において各発光部３０６に電気的に接続されている。

第１主面電極層３０９は、側面３０５Ａ～３０５Ｄから内方に間隔を空けて形成され、第１主面３０３の周縁部を露出させている。第１主面電極層３０９は、さらに、絶縁層３０８の周縁から内方に間隔を空けて形成され、絶縁層３０８の周縁部を露出させている。このような構造によれば、第１主面電極層３０９を物理的に切断しなくて済む。これにより、第１主面電極層３０９の切断に起因するチップ本体３０２や第１主面電極層３０９等のクラックを抑制できる。また、ダイシングブレード等の摩耗を抑制できると同時に切断時間を短縮できる。

面発光レーザ装置３０１は、第１主面電極層３０９の上に形成された外部端子３１１を含む。図１８では、外部端子３１１がハッチングによって示されている。外部端子３１１には、ボンディングワイヤ等の導線が外部接続される。外部端子３１１は、第１主面電極層３０９の周縁部に配置されている。これにより、導線が発光部３０６の上を横切ることを防止できるから、第１主面３０３から光を適切に取り出すことができる。

外部端子３１１は、この形態では、チップ本体３０２の角部（第１側面３０５Ａおよび第２側面３０５Ｂを接続する角部）に配置されている。外部端子３１１は、より具体的には、第１主面電極層３０９の周縁部においてチップ本体３０２の角部に沿う領域に配置されている。外部端子３１１は、第２方向Ｙに第１側面３０５Ａに対向し、第１方向Ｘに第２側面３０５Ｂに対向している。外部端子３１１は、側面３０５Ａ～３０５Ｄのうちの１つ（たとえば第１側面３０５Ａ）だけに沿う領域に形成されていてもよい。

外部端子３１１の厚さＴＥは、０．５μｍ以上５．０μｍ以下であってもよい。厚さＴＥは、０．５μｍ以上１．０μｍ以下、１．０μｍ以上２．０μｍ以下、２．０μｍ以上３．０μｍ以下、３．０μｍ以上４．０μｍ以下、または、４．０μｍ以上５．０μｍ以下であってもよい。

面発光レーザ装置３０１は、第１主面電極層３０９の上に形成され、外部端子３１１に接続された配線３１２をさらに含む。配線３１２は、第１主面電極層３０９の周縁に沿って帯状に延びている。配線３１２は、この形態では、平面視において環状に形成され、全ての発光部３０６を一括して取り囲んでいる。

外部端子３１１に入力された電気信号は、第１主面電極層３０９に伝達されると同時に、配線３１２を介して第１主面電極層３０９に伝達される。第１主面電極層３０９に伝達された電気信号は、複数の発光部３０６に伝達される。これにより、複数の発光部３０６に供給される電流のばらつきが抑制される。

図１９を参照して、第１主面電極層３０９は、外側電極層３１３および複数の内側電極層３１４を含む。外側電極層３１３は、第１主面電極層３０９においてトレンチ３０７外の領域に形成された部分である。内側電極層３１４は、第１主面電極層３０９においてトレンチ３０７内に形成された部分である。外部端子３１１は、外側電極層３１３の上に形成されている。

外側電極層３１３は、内側電極層３１４の厚さＴｉｎを超える厚さＴｏｕｔを有している（Ｔｉｎ＜Ｔｏｕｔ）。外側電極層３１３は、複数のトレンチ３０７を露出させるように絶縁層３０８の上に形成されている。外側電極層３１３は、第１主面電極層３０９の周縁を区画している。

外側電極層３１３は、厚膜部３１５および薄膜部３１６を含む。図１８および図１９では、厚膜部３１５がハッチングによって示されている。厚膜部３１５は、内側電極層３１４の厚さＴｉｎを超える厚さＴＬを有している（Ｔｉｎ＜ＴＬ）。薄膜部３１６は、厚膜部３１５の厚さＴＬ未満の厚さＴＴを有している（ＴＴ＜ＴＬ）。

法線方向Ｚに関して、薄膜部３１６の上面および厚膜部３１５の上面の間の厚さＴＢは、外部端子３１１の厚さＴＥと等しくてもよい（ＴＢ＝ＴＥ）。薄膜部３１６の厚さＴＴは、内側電極層３１４の厚さＴｉｎと等しくてもよい（ＴＴ＝Ｔｉｎ）。

薄膜部３１６の厚さＴＴに対する厚膜部３１５の厚さＴＬの比ＴＬ／ＴＴは、１を超えて５０以下であってもよい。比ＴＬ／ＴＴは、１を超えて５以下、５以上１０以下、１０以上１５以下、１５以上２０以下、２０以上２５以下、２５以上３０以下、３０以上３５以下、３５以上４０以下、４０以上４５以下、または、４５以上５０以下であってもよい。比ＴＬ／ＴＴは、５以上２０以下であることが好ましい。

厚膜部３１５の厚さＴＬは、０．５μｍ以上５μｍ以下であってもよい。厚さＴＬは、０．５μｍ以上１．０μｍ以下、１．０μｍ以上２．０μｍ以下、２．０μｍ以上３．０μｍ以下、３．０μｍ以上４．０μｍ以下、または、４．０μｍ以上５．０μｍ以下であってもよい。

薄膜部３１６の厚さＴＴは、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。厚さＴＴは、０．０５μｍ以上０．１μｍ以下、０．１μｍ以上０．２μｍ以下、０．２μｍ以上０．３μｍ以下、０．３μｍ以上０．４μｍ以下、または、０．４μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。

外側電極層３１３は、この形態では、互いに間隔を空けて形成された複数の厚膜部３１５を含む。また、外側電極層３１３は、隣り合う複数の厚膜部３１５の間の領域に形成された複数の薄膜部３１６を含む。外側電極層３１３は、複数の厚膜部３１５および複数の薄膜部３１６が交互に形成された部分を含む。

各発光部３０６の周囲には、１個、２個、３個、４個、５個もしくは６個、または、それ以上の厚膜部３１５が形成されていてもよい。この形態では、複数（より具体的には６個）の厚膜部３１５が、各発光部３０６の周囲に間隔を空けて形成されている。

複数の厚膜部３１５は、この形態では、各発光部３０６を複数の方向（この形態では６方向）から取り囲んでいる。１つの発光部３０６に着目すると、複数の厚膜部３１５は、平面視において当該１つの発光部３０６を基準に線対称および／または点対称に配列されていることが好ましい。

複数の厚膜部３１５は、この形態では、平面視において１つの発光部３０６の中心を基準に点対称となる態様で各発光部３０６の周囲に配列されている。また、複数の厚膜部３１５は、平面視において発光部３０６の中心を通る発光部ラインＬＬ（図１９の二点鎖線参照）を基準に線対称となる態様で各発光部３０６の周囲に配列されている。発光部ラインＬＬは、平面視において最近接する２つの発光部３０６の中央部を結ぶラインである。

複数の厚膜部３１５は、この形態では、各発光部３０６の周囲に等間隔に配列されている。複数の厚膜部３１５は、平面視において発光部ラインＬＬを露出させている。各厚膜部３１５は、発光部ラインＬＬによって区画される三角形状の領域内に形成されている。各厚膜部３１５は、最近接する３つのトレンチ３０７に挟まれた領域に配列されている。

各厚膜部３１５は、平坦な上面を有している。各厚膜部３１５は、平面視において多角形状に形成されていてもよい。各厚膜部３１５は、平面視において三角形状に形成されている。各厚膜部３１５は、この形態では、最近接する３つのトレンチ３０７によって３つの頂点が切り欠かれた三角形状に形成されている。各厚膜部３１５は、平面視において凸湾曲状に膨出した辺を含んでいてもよい。各厚膜部３１５は、平面視において凹湾曲状に窪んだ辺を含んでいてもよい。

各厚膜部３１５の複数の辺のうちトレンチ３０７に面しない辺は、平面視において凸湾曲状に膨出していていてもよい。最近接する２つの厚膜部３１５について見たとき、一方側の厚膜部３１５において他方側の厚膜部３１５に対向する辺は、当該他方側の厚膜部３１５に向けて凸湾曲状に膨出していてもよい。

同様に、他方側の厚膜部３１５において一方側の厚膜部３１５に対向する辺は、当該一方側の厚膜部３１５に向けて凸湾曲状に膨出していてもよい。むろん、各厚膜部３１５の複数の辺のうちトレンチ３０７に面しない辺は、直線状に形成されていてもよい。

各厚膜部３１５の複数の辺のうちトレンチ３０７に面する辺は、平面視において凹湾曲状に窪んでいてもよい。各厚膜部３１５の複数の辺のうちトレンチ３０７に面する辺は、トレンチ３０７の内壁に沿って凹湾曲状に窪んでいてもよい。むろん、各厚膜部３１５の複数の辺のうちトレンチ３０７に面する辺は、直線状に形成されていてもよい。

複数の薄膜部３１６は、最近接する２つの厚膜部３１５の間の領域に区画されている。これにより、各発光部３０６は、複数（この形態では６個）の厚膜部３１５および複数（この形態では６個）の薄膜部３１６が交互に配列されたパターンによって取り囲まれている。

複数の薄膜部３１６は、この形態では、発光部ラインＬＬ上に位置している。各薄膜部３１６は、発光部ラインＬＬに沿って延びる帯状に形成されている。各薄膜部３１６は、平面視において最近接する２つの厚膜部３１５の辺に倣って括れた部分を有していてもよい。各厚膜部３１５の複数の辺のうちトレンチ３０７に面しない辺が直線状に形成されている場合、各薄膜部３１６は、平面視において一様な幅で延びていてもよい。

各薄膜部３１６は、平坦な上面を有している。各薄膜部３１６は、平面視において各厚膜部３１５の面積ＳＬ以下の面積ＳＳを有している（ＳＳ≦ＳＬ）。面積ＳＳは、より具体的には、面積ＳＬ未満である（ＳＳ＜ＳＬ）。

複数の厚膜部３１５および複数の薄膜部３１６の配列は、入れ換えられてもよい。つまり、複数の厚膜部３１５は、発光部ラインＬＬ上に位置していてもよい。

一方、複数の内側電極層３１４は、対応するトレンチ３０７の内壁の一部をそれぞれ露出させるように当該トレンチ３０７内に形成されている。各内側電極層３１４は、対応するトレンチ３０７内において対応する発光部３０６を被覆している。各内側電極層３１４は、対応するトレンチ３０７内において、対応する発光部３０６および外側電極層３１３に電気的に接続されている。各内側電極層３１４は、各トレンチ３０７内において当該トレンチ３０７の内壁の一部を露出させる露出部３１７を区画している。各内側電極層３１４は、より具体的には、露出部３１７から絶縁層３０８を露出させている。

各内側電極層３１４は、露出部３１７の平面積以下の平面積を有している。各内側電極層３１４の平面積は、露出部３１７の平面積未満であることが好ましい。つまり、各内側電極層３１４の平面積は各トレンチ３０７の平面積の１／２以下であり、各露出部３１７の平面積は各トレンチ３０７の面積の１／２以上である。また、各内側電極層３１４の平面積は各トレンチ３０７の平面積の１／２未満であり、各露出部３１７の面積は各トレンチ３０７の面積の１／２を超えることが好ましい。

各内側電極層３１４は、厚膜部３１５に連なっていてもよい。各内側電極層３１４は、薄膜部３１６に連なっていてもよい。各内側電極層３１４は、厚膜部３１５および薄膜部３１６に連なっていてもよい。各内側電極層３１４は、この形態では、１つの厚膜部３１５および２つの薄膜部３１６に連なっている。

各内側電極層３１４は、平面視において対応する発光部３０６および外側電極層３１３の間の領域を帯状に延びている。各内側電極層３１４は、一端部３１４ａおよび他端部３１４ｂを有している。各内側電極層３１４の一端部３１４ａは、外側電極層３１３に接続されている。各内側電極層３１４の他端部３１４ｂは、対応する発光部３０６の上に位置し、当該発光部３０６に接続されている。

各内側電極層３１４は、一端部３１４ａおよび他端部３１４ｂの間の領域を直線状（帯状）に延びている。各内側電極層３１４は、この形態では、平面視において一端部３１４ａから他端部３１４ｂに向けて幅が狭まる先細り形状に形成されている。各内側電極層３１４の幅は、各内側電極層３１４が延びる方向に直交する方向の幅である。

各内側電極層３１４は、平面視において一端部３１４ａから他端部３１４ｂに向けて一様な幅で延びる直線状（帯状）に形成されていてもよい。各内側電極層３１４は、平面視において一端部３１４ａから他端部３１４ｂに向けて幅が拡がる先太り形状に形成されていてもよい。

複数の内側電極層３１４は、共通の方向にそれぞれ延びている。各内側電極層３１４は、より具体的には、対応する発光部３０６から第１側面３０５Ａに向けて延びている。第１側面３０５Ａは、側面３０５Ａ～３０５Ｄのうちの外部端子３１１に沿う側面である。

このように、第１主面電極層３０９は、内側電極層３１４の厚さＴｉｎを超える厚さＴｏｕｔを有する外側電極層３１３を含む。これにより、チップ本体３０２の第１主面３０３側に外力が加えられた場合、当該外力を外側電極層３１３によって受け止めることができる。

その結果、発光部３０６に対する応力を緩和できるから、応力に起因する発光部３０６の劣化を抑制できる。チップ本体３０２の第１主面３０３に加えられる外力としては、外部端子３１１に導線を接続する際に加えられる力、チップ本体３０２のハンドリング時に加えられる力、第１主面電極層３０９の伸縮に起因する応力（たとえば熱応力）等が例示される。

また、外側電極層３１３は、厚膜部３１５および薄膜部３１６を含む。これにより、厚膜部３１５だけを含む場合に比べて、外側電極層３１３の伸縮に起因する応力（たとえば熱応力）を低減できる。よって、外側電極層３１３から発光部３０６に加えられる応力を適切に低減できる。

複数の厚膜部３１５を不規則に配列させた場合、外側電極層３１３に生じる応力も不規則になる。この場合、発光部３０６において不所望な応力集中が引き起こされる可能性がある。したがって、１つの発光部３０６に対して複数の厚膜部３１５が規則的に配列されていることが好ましい。これにより、発光部３０６に対する不所望な応力集中を抑制できる。

複数の厚膜部３１５は、１つの発光部３０６の周囲に等間隔に配列されていることが好ましい。また、複数の厚膜部３１５は、１つの発光部３０６の中央部に対して線対称および／または点対称に配列されていることが好ましい。また、複数の厚膜部３１５は、等しい平面形状でそれぞれ形成されていることが好ましい。これらの構造は、発光部３０６に対する不所望な応力集中を抑制する上で有効である。

一方、内側電極層３１４は、外側電極層３１３の厚さＴｏｕｔ未満の厚さＴｉｎを有している。これにより、内側電極層３１４から発光部３０６に加えられる応力を低減できる。その結果、応力に起因する発光部３０６の劣化を効果的に抑制できる。特に、トレンチ３０７の内壁を露出させる内側電極層３１４によれば、発光部３０６に加えられる応力を適切に緩和できる。

また、複数の内側電極層３１４は、対応する発光部３０６および外側電極層３１３の間の領域において共通の方向にそれぞれ延びている。このような構造によれば、各内側電極層３１４の伸縮に起因して各発光部３０６に加えられる応力（たとえば熱応力）の方向を一定方向に制限できる。これにより、各発光部３０６に対する応力のばらつきを抑制できるから、各発光部３０６に対する不所望な応力集中を抑制できる。

また、複数の内側電極層３１４は、対応する発光部３０６から外部端子３１１に沿う第１側面３０５Ａに向けて延びている。このような構造によれば、各発光部３０６および外部端子３１１を結ぶ電流経路において電流の回り込みを抑制できる。よって、各発光部３０６に対する不所望な応力集中を抑制しながら、抵抗値の増加を抑制できる。

図２１～図２３を参照して、チップ本体３０２は、基板３２０、および、基板３２０の上に積層された半導体積層構造３２１（半導体層）を含む。第１主面３０３は、半導体積層構造３２１によって形成されている。第２主面３０４は、基板３２０によって形成されている。側面３０５Ａ～３０５Ｄは、基板３２０および半導体積層構造３２１によって形成されている。

基板３２０は、化合物半導体材料を含む。基板３２０は、より具体的には、正方晶を形成する化合物半導体材料の単結晶を含む。化合物半導体材料は、III-V族半導体材料であってもよい。基板３２０は、この形態では、ｎ型不純物を含むＧａＡｓ単結晶からなる。基板３２０のｎ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^－３以上５×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。基板３２０のｎ型不純物は、シリコンであってもよい。

基板３２０は、一方側の第１基板主面３２２および他方側の第２基板主面３２３を含む。第２基板主面３２３は、第２主面３０４を形成している。第１基板主面３２２は、ＧａＡｓ単結晶の（１００）面に面している。第１基板主面３２２は、ＧａＡｓ単結晶の（１００）面に対して０°以上５°以下の角度で傾斜したオフ角を有している。オフ角が０°の場合、第１基板主面３２２はＧａＡｓ単結晶の（１００）面によって形成される。オフ角は、典型的には２°（より具体的には２°±０．２°の範囲）に設定される。

基板３２０の厚さＴＳは、５０μｍ以上３００μｍ以下であってもよい。厚さＴＳは、５０μｍ以上１００μｍ以下、１００μｍ以上１５０μｍ以下、１５０μｍ以上２００μｍ、２００μｍ以上２５０μｍ以下、または、２５０μｍ以上３００μｍ以下であってもよい。

半導体積層構造３２１は、第１基板主面３２２の上に化合物半導体（より具体的には、III-V族半導体）を結晶成長させることにより形成されている。半導体積層構造３２１は、第１基板主面３２２と同じ結晶面を有する複数の化合物半導体層を含む積層構造を有している。

半導体積層構造３２１は、より具体的には、第１基板主面３２２側からこの順に積層されたｎ型半導体層３２４、活性層３２５およびｐ型半導体層３２６を含む。ｎ型半導体層３２４、活性層３２５およびｐ型半導体層３２６は、ダブルヘテロ構造を形成している。ｎ型半導体層３２４は、活性層３２５に電子を供給する。ｐ型半導体層３２６は、活性層３２５に正孔を供給する。活性層３２５は、電子および正孔の再結合によって光を生成する。

活性層３２５において赤外光が生成されてもよい。活性層３２５は、８００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲に発光波長を有する光を生成してもよい。活性層３２５の発光波長は、９００ｎｍ以上９５０ｎｍ以下であってもよい。

ｎ型半導体層３２４は、第１基板主面３２２側からこの順に積層されたｎ型バッファ層３２７、ｎ型光反射層３２８およびｎ型クラッド層３２９を含む。ｎ型バッファ層３２７は、この形態では、ｎ型のＧａＡｓを含む。ｎ型バッファ層３２７のｎ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^－３以上５×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。ｎ型バッファ層３２７のｎ型不純物は、シリコンであってもよい。

ｎ型バッファ層３２７の厚さは、０．０５μｍ以上０．２μｍ以下であってもよい。ｎ型バッファ層３２７の厚さは、０．０５μｍ以上０．１μｍ以下、０．１μｍ以上０．１５μｍ以下、または、０．１５μｍ以上０．２μｍ以下であってもよい。

ｎ型光反射層３２８は、この形態では、ｎ型ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector：分布ブラッグ反射）層を含む。ｎ型ＤＢＲ層は、法線方向Ｚに沿って周期的に変化する屈折率を有し、特定の波長成分を共振反射させる。特定の波長成分は、活性層３２５で生成された光の波長成分である。

ｎ型光反射層３２８は、Ａｌ（アルミニウム）組成を含む複数のＡｌ組成層が積層された積層構造を有している。複数のＡｌ組成層は、互いに異なる屈折率をそれぞれ有している。ｎ型光反射層３２８は、この形態では、Ａｌ組成αを有するｎ型高Ａｌ組成層３３０、および、Ａｌ組成α未満のＡｌ組成β（β＜α）を有するｎ型低Ａｌ組成層３３１が任意の周期で交互に積層された積層構造を有している。ｎ型低Ａｌ組成層３３１の屈折率は、ｎ型高Ａｌ組成層３３０の屈折率よりも大きい。

ｎ型高Ａｌ組成層３３０およびｎ型低Ａｌ組成層３３１は、１以上６０以下の周期で交互に積層されていてもよい。ｎ型高Ａｌ組成層３３０およびｎ型低Ａｌ組成層３３１の積層周期は、１以上１０以下、１０以上２０以下、２０以上３０以下、３０以上４０以下、４０以上５０以下、または、５０以上６０以下であってもよい。

ｎ型高Ａｌ組成層３３０は、ｎ型のＡｌ_αＧａ_{（１－α）}Ａｓを含んでいてもよい。ｎ型高Ａｌ組成層３３０のｎ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^－３以上５×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。ｎ型高Ａｌ組成層３３０のｎ型不純物は、シリコンであってもよい。

Ａｌ組成αは、０．５以上０．９５以下であってもよい。Ａｌ組成αは、０．５以上０．５５以下、０．５５以上０．６以下、０．６以上０．６５以下、０．６５以上０．７以下、０．７以上０．７５以下、０．７５以上０．８以下、０．８以上０．８５以下、０．８５以上０．９以下、または、０．９以上０．９５以下であってもよい。

ｎ型低Ａｌ組成層３３１は、ｎ型のＡｌ_βＧａ_{（１－β）}Ａｓを含んでいてもよい。ｎ型低Ａｌ組成層３３１のｎ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^－３以上５×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。ｎ型低Ａｌ組成層３３１のｎ型不純物は、シリコンであってもよい。

Ａｌ組成βは、０．０５以上０．２５以下であってもよい。Ａｌ組成βは、０．０５以上０．１以下、０．１以上０．１５以下、０．１５以上０．２以下、または、０．２以上０．２５以下であってもよい。

ｎ型高Ａｌ組成層３３０の厚さは、λ／（４×ｎ１）Åであってもよい。ｎ型低Ａｌ組成層３３１の厚さは、λ／（４×ｎ２）Åであってもよい。λは、活性層３２５で生成される光の波長である。ｎ１は、ｎ型高Ａｌ組成層３３０の屈折率である。ｎ２は、ｎ型低Ａｌ組成層３３１の屈折率である。

ｎ型高Ａｌ組成層３３０の厚さは、５００Å以上９００Å以下であってもよい。ｎ型高Ａｌ組成層３３０の厚さは、５００Å以上６００Å以下、６００Å以上７００Å以下、７００Å以上８００Å以下、または、８００Å以上９００Å以下であってもよい。

ｎ型低Ａｌ組成層３３１の厚さは、４００Å以上８００Å以下であってもよい。ｎ型低Ａｌ組成層３３１の厚さは、４００Å以上５００Å以下、５００Å以上６００Å以下、６００Å以上７００Å以下、または、７００Å以上８００Å以下であってもよい。ｎ型低Ａｌ組成層３３１の厚さは、ｎ型高Ａｌ組成層３３０の厚さ以下であってもよい。ｎ型低Ａｌ組成層３３１の厚さは、ｎ型高Ａｌ組成層３３０の厚さ未満であってもよい。

ｎ型クラッド層３２９は、この形態では、ｎ型のＡｌ_γＧａ_{（１－γ）}Ａｓを含む。ｎ型クラッド層３２９のｎ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^－３以上５×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。ｎ型クラッド層３２９のｎ型不純物は、シリコンであってもよい。ｎ型クラッド層３２９は、不純物無添加（アンドープ）であってもよい。

ｎ型クラッド層３２９のＡｌ組成γは、ｎ型低Ａｌ組成層３３１のＡｌ組成βを超えて、ｎ型高Ａｌ組成層３３０のＡｌ組成α未満（β＜γ＜α）であってもよい。ｎ型クラッド層３２９のＡｌ組成γは、０．２以上０．７以下であってもよい。

Ａｌ組成γは、０．２以上０．２５以下、０．２５以上０．３以下、０．３以上０．３５以下、０．３５以上０．４以下、０．４以上０．４５以下、０．４５以上０．５以下、０．５以上０．５５以下、０．５５以上０．６以下、０．６以上０．６５以下、または、０．６５以上０．７以下であってもよい。

ｎ型クラッド層３２９の厚さは、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。ｎ型クラッド層３２９の厚さは、０．０５μｍ以上０．１μｍ以下、０．１μｍ以上０．２μｍ以下、０．２μｍ以上０．３μｍ以下、０．３μｍ以上０．４μｍ以下、または、０．４μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。

活性層３２５は、量子井戸層および障壁層を含むＱＷ（Quantum Well：量子井戸構造）を有していてもよい。活性層３２５は、この形態では、量子井戸層および障壁層が任意の周期で交互に積層されたＭＱＷ（Multi Quantum Well：多重量子井戸）構造を有している。量子井戸層および障壁層は、１以上５０以下の周期で交互に積層されていてもよい。量子井戸層および障壁層の積層周期は、１以上１０以下、１０以上２０以下、２０以上３０以下、３０以上４０以下、または、４０以上５０以下であってもよい。

量子井戸層は、ＧａＡｓを含んでいてもよい。量子井戸層は、不純物無添加であってもよい。量子井戸層の厚さは、１０Å以上２００Å以下であってもよい。量子井戸層の厚さは、１０Å以上５０Å以下、５０Å以上１００Å以下、１００Å以上１５０Å以下、または、１５０Å以上２００Å以下であってもよい。

障壁層は、量子井戸層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有している。障壁層は、Ａｌ_δＧａ_{（１－δ）}Ａｓを含んでいてもよい。Ａｌ組成δは、０．１５以上０．５以下であってもよい。

Ａｌ組成δは、０．１５以上０．２以下、０．２以上０．２５以下、０．２５以上０．３以下、０．３以上０．３５以下、０．３５以上０．４以下、０．４以上０．４５以下、または、０．４５以上０．５以下であってもよい。

障壁層の厚さは、１０Å以上２００Å以下であってもよい。障壁層の厚さは、１０Å以上５０Å以下、５０Å以上１００Å以下、１００Å以上１５０Å以下、または、１５０Å以上２００Å以下であってもよい。

活性層３２５の総厚さＴＡは２００Å以上１６００Å以下であってもよい。総厚さＴＡは、２００Å以上４００Å以下、４００Å以上６００Å以下、６００Å以上８００Å以下、８００Å以上１０００Å以下、１０００Å以上１２００Å以下、１２００Å以上１４００Å以下、または、１４００Å以上１６００Å以下であってもよい。

活性層３２５の最下層および最上層は、障壁層によってそれぞれ形成されていてもよい。活性層３２５の最下層および最上層を形成する２つ障壁層の厚さは、活性層３２５において中間層を形成する１つまたは複数の障壁層の厚さを超えていてもよい。

ｐ型半導体層３２６は、活性層３２５側からこの順に積層されたｐ型クラッド層３３２、ｐ型光反射層３３３およびｐ型コンタクト層３３４を含む。ｐ型クラッド層３３２は、この形態では、ｐ型のＡｌ_εＧａ_{（１－ε）}Ａｓを含む。ｐ型クラッド層３３２のｐ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^－３以上５×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。ｐ型クラッド層３３２のｐ型不純物は、炭素であってもよい。

Ａｌ組成εは、０．２以上０．７以下であってもよい。Ａｌ組成εは、０．２以上０．２５以下、０．２５以上０．３以下、０．３以上０．３５以下、０．３５以上０．４以下、０．４以上０．４５以下、０．５以上０．５５以下、０．５５以上０．６以下、０．６以上０．６５以下、または、０．６５以上０．７以下であってもよい。

ｐ型クラッド層３３２の厚さは、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。ｐ型クラッド層３３２の厚さは、０．０５μｍ以上０．１μｍ以下、０．１μｍ以上０．２μｍ以下、０．２μｍ以上０．３μｍ以下、０．３μｍ以上０．４μｍ以下、または、０．４μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。

ｐ型光反射層３３３は、この形態では、ｐ型ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector：分布ブラッグ反射）層を含む。ｐ型ＤＢＲ層は、法線方向Ｚに周期的に変化する屈折率を有し、特定の波長成分を共振反射させる。特定の波長成分は、活性層３２５で生成された光の波長成分である。

ｐ型光反射層３３３は、Ａｌ（アルミニウム）組成を含む複数のＡｌ組成層が積層された積層構造を有している。複数のＡｌ組成層は、互いに異なる屈折率をそれぞれ有している。ｐ型光反射層３３３は、この形態では、Ａｌ組成ζを有するｐ型高Ａｌ組成層３３５、および、Ａｌ組成ζ未満のＡｌ組成η（η＜ζ）を有するｐ型低Ａｌ組成層３３６が任意の周期で交互に積層された積層構造を有している。ｐ型低Ａｌ組成層３３６の屈折率は、ｐ型高Ａｌ組成層３３５の屈折率よりも大きい。

ｐ型高Ａｌ組成層３３５およびｐ型低Ａｌ組成層３３６は、１以上６０以下の周期で交互に積層されていてもよい。ｐ型高Ａｌ組成層３３５およびｐ型低Ａｌ組成層３３６の積層周期は、１以上１０以下、１０以上２０以下、２０以上３０以下、３０以上４０以下、４０以上５０以下、または、５０以上６０以下であってもよい。

ｐ型高Ａｌ組成層３３５は、ｐ型のＡｌ_ζＧａ_{（１－ζ）}Ａｓを含んでいてもよい。ｐ型高Ａｌ組成層３３５のｐ型不純物濃度は、１×１０^１８ｃｍ^－３以上１×１０^１９ｃｍ^－３以下であってもよい。ｐ型高Ａｌ組成層３３５のｐ型不純物は、炭素であってもよい。

Ａｌ組成ζは、ｐ型クラッド層３３２のＡｌ組成εを超えていてもよい（ε＜ζ）。Ａｌ組成ζは、０．５以上０．９５以下であってもよい。Ａｌ組成ζは、０．５以上０．５５以下、０．５５以上０．６以下、０．６以上０．６５以下、０．６５以上０．７以下、０．７以上０．７５以下、０．７５以上０．８以下、０．８以上０．８５以下、０．８５以上０．９以下、または、０．９以上０．９５以下であってもよい。

ｐ型低Ａｌ組成層３３６は、ｐ型のＡｌ_ηＧａ_{（１－η）}Ａｓを含んでいてもよい。ｐ型低Ａｌ組成層３３６のｐ型不純物濃度は、１×１０^１８ｃｍ^－３以上１×１０^１９ｃｍ^－３以下であってもよい。ｐ型低Ａｌ組成層３３６のｐ型不純物は、炭素であってもよい。

Ａｌ組成ηは、ｐ型クラッド層３３２のＡｌ組成ε未満（η＜ε＜ζ）であってもよい。Ａｌ組成ηは、０．０５以上０．２５以下であってもよい。Ａｌ組成ηは、０．０５以上０．１以下、０．１以上０．１５以下、０．１５以上０．２以下、または、０．２以上０．２５以下であってもよい。

ｐ型高Ａｌ組成層３３５の厚さは、λ／（４×ｎ３）Åであってもよい。ｐ型低Ａｌ組成層３３６の厚さは、λ／（４×ｎ４）Åであってもよい。λは、活性層３２５で生成される光の波長である。ｎ３は、ｐ型高Ａｌ組成層３３５の屈折率である。ｎ４は、ｐ型低Ａｌ組成層３３６の屈折率である。

ｐ型高Ａｌ組成層３３５の厚さは、５００Å以上９００Å以下であってもよい。ｐ型高Ａｌ組成層３３５の厚さは、５００Å以上６００Å以下、６００Å以上７００Å以下、７００Å以上８００Å以下、または、８００Å以上９００Å以下であってもよい。

ｐ型低Ａｌ組成層３３６の厚さは、４００Å以上８００Å以下であってもよい。ｐ型低Ａｌ組成層３３６の厚さは、４００Å以上５００Å以下、５００Å以上６００Å以下、６００Å以上７００Å以下、または、７００Å以上８００Å以下であってもよい。ｐ型低Ａｌ組成層３３６の厚さは、ｐ型高Ａｌ組成層３３５の厚さ以下であってもよい。ｐ型低Ａｌ組成層３３６の厚さは、ｐ型高Ａｌ組成層３３５の厚さ未満であってもよい。

ｐ型コンタクト層３３４は、チップ本体３０２の第１主面３０３を形成している。ｐ型コンタクト層３３４は、この形態では、ｐ型のＧａＡｓを含む。ｐ型コンタクト層３３４のｐ型不純物濃度は、ｐ型光反射層３３３のｐ型不純物濃度を超えていることが好ましい。ｐ型コンタクト層３３４のｐ型不純物濃度は、１×１０^１９ｃｍ^－３以上１×１０^２０ｃｍ^－３以下であってもよい。ｐ型コンタクト層３３４のｐ型不純物は、炭素であってもよい。

ｐ型コンタクト層３３４の厚さは、０．０２μｍ以上０．２μｍ以下であってもよい。ｐ型コンタクト層３３４の厚さは、０．０２μｍ以上０．０５μｍ以下、０．０５μｍ以上０．１μｍ以下、０．１μｍ以上０．１５μｍ以下、または、０．１５μｍ以上０．２μｍ以下であってもよい。

図２１～図２３を参照して、複数の発光部３０６は、半導体積層構造３２１に形成されている（図１８および図１９も併せて参照）。各発光部３０６は、トレンチ３０７によって区画された台地状のメサ構造３４１を有している。トレンチ３０７は、半導体積層構造３２１の主面（チップ本体３０２の第１主面３０３）に形成されている。トレンチ３０７は、ｐ型コンタクト層３３４、ｐ型光反射層３３３および活性層３２５を貫通し、ｎ型半導体層３２４を露出させている。トレンチ３０７は、ｎ型半導体層３２４においてｎ型クラッド層３２９を貫通し、ｎ型光反射層３２８を露出させている。

トレンチ３０７は、平面視において発光部３０６を取り囲む環状に形成されている。トレンチ３０７は、この形態では、断面視において第１主面３０３側の開口面積が底壁側の開口面積よりも大きい先細り形状（テーパ形状）に形成されている。

トレンチ３０７は、内周壁３４２、外周壁３４３、ならびに、内周壁３４２および外周壁３４３を接続する底壁３４４を有している。内周壁３４２および外周壁３４３は、ｎ型半導体層３２４の一部およびｐ型半導体層３２６を露出させている。ｎ型半導体層３２４の一部は、ｎ型光反射層３２８の一部およびｎ型クラッド層３２９である。底壁３４４は、ｎ型光反射層３２８を露出させている。

内周壁３４２は、メサ構造３４１（発光部３０６）を区画している。つまり、内周壁３４２は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。内周壁３４２の平面形状は任意であり、メサ構造３４１（発光部３０６）の平面形状に応じて調整される。内周壁３４２は、平面視において三角形状、四角形状もしくは六角形状等の多角形状、または、楕円形状に形成されていてもよい。

外周壁３４３は、内周壁３４２から間隔を空けて内周壁３４２（発光部３０６）を取り囲んでいる。外周壁３４３は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。外周壁３４３の平面形状は任意である。外周壁３４３は、平面視において三角形状、四角形状もしくは六角形状等の多角形状、または、楕円形状に形成されていてもよい。

底壁３４４は、第１主面３０３に対して平行に形成されていてもよい。底壁３４４は、平面視において発光部３０６（メサ構造３４１）を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。底壁３４４の平面形状は、内周壁３４２の平面形状および外周壁３４３の平面形状に応じて、三角環状、四角環状もしくは六角環状等の多角環状、または、楕円環状に形成されていてもよい。

各メサ構造３４１は、頂部３４５、基部３４６、ならびに、頂部３４５および基部３４６を接続する側壁３４７を含む。頂部３４５は、第１主面３０３に対して平行に延びている。頂部３４５は、この形態では、第１主面３０３の一部によって形成されている。つまり、頂部３４５は、ｐ型半導体層３２６によって形成されている。頂部３４５は、より具体的には、ｐ型コンタクト層３３４によって形成されている。

頂部３４５は、トレンチ３０７の内周壁３４２によって区画されている。頂部３４５は、平面視において円形状に形成されている。頂部３４５の平面形状は任意である。頂部３４５は、内周壁３４２の平面形状に応じて、平面視において三角形状、四角形状もしくは六角形状等の多角形状、または、楕円形状に形成されていてもよい。

頂部３４５の幅ＷＭは、１０μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。幅ＷＭは、１０μｍ以上１５μｍ以下、１５μｍ以上２０μｍ以下、２０μｍ以上２５μｍ以下、２５μｍ以上３０μｍ以下、３０μｍ以上３５μｍ以下、または、３５μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。

基部３４６は、ｎ型半導体層３２４によって形成されている。基部３４６は、この形態では、ｎ型光反射層３２８によって形成されている。基部３４６は、トレンチ３０７の内周壁３４２によって区画されている。基部３４６は、トレンチ３０７の底壁３４４およびメサ構造３４１の側壁３４７を接続する接続部である。

基部３４６は、平面視において円形状に形成されている。基部３４６の平面形状は任意である。基部３４６は、頂部３４５の平面形状に応じて、平面視において三角形状、四角形状もしくは六角形状等の多角形状、または、楕円形状に形成されていてもよい。基部３４６の平面積は、頂部３４５の平面積を超えている。

側壁３４７は、トレンチ３０７の内周壁３４２によって形成されている。側壁３４７は、頂部３４５から基部３４６に向けて下り傾斜している。これにより、各メサ構造３４１は、錐台形状に形成されている。各メサ構造３４１は、この形態では、円錐台形状に形成されている。各メサ構造３４１は、頂部３４５および基部３４６の平面形状に応じて、三角錐台形状、四角錐台形状もしくは六角錐台形状等の多角錐台形状、または、楕円錐台形状に形成されていてもよい。

側壁３４７が頂部３４５との間で成す角度θＭ（絶対値）は、９０°以上１７０°以下であってもよい。角度θＭは、断面視において頂部３４５の周縁点および基部３４６の周縁点を結ぶラインが、メサ構造３４１内において頂部３４５との間で成す角度である。

角度θＭは、９０°以上１００°以下、１００°以上１１０°以下、１１０°以上１２０°以下、１２０°以上１３０°以下、１３０°以上１４０°以下、１４０°以上１５０°以下、１５０°以上１６０°以下、または、１６０°以上１７０°以下であってもよい。

メサ構造３４１の厚さＴＭは、１μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。厚さＴＭは、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上４μｍ以下、４μｍ以上６μｍ以下、６μｍ以上８μｍ以下、または、８μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。厚さＴＭは、頂部３４５および基部３４６の間の法線方向Ｚに沿う距離である。

図２０～図２３を参照して、面発光レーザ装置３０１は、各メサ構造３４１に係るｐ型半導体層３２６において頂部３４５および活性層３２５の間の任意の領域に介在された電流狭窄層３５１を含む。電流狭窄層３５１は、活性層３２５に供給される電流を狭窄する。

電流狭窄層３５１は、活性層３２５およびｐ型光反射層３３３の間の領域に介在されていることが好ましい。電流狭窄層３５１は、この形態では、ｐ型クラッド層３３２およびｐ型光反射層３３３の間の領域に介在されている。電流狭窄層３５１は、メサ構造３４１の側壁３４７から露出している。

電流狭窄層３５１は、ｐ型クラッド層３３２の内部に介在されていてもよい。この場合、電流狭窄層３５１は、複数（たとえば２つ）のｐ型クラッド層３３２の間の領域に介在されていてもよい。つまり、電流狭窄層３５１およびｐ型光反射層３３３の間の領域に別のｐ型クラッド層３３２が形成されていてもよい。別のｐ型クラッド層３３２の構造は、活性層３２５および電流狭窄層３５１の間の領域に形成されたｐ型クラッド層３３２と同様であるので、具体的に説明は省略する。

電流狭窄層３５１の厚さＴＣは、０．０１μｍ以上０．１μｍ以下であってもよい。厚さＴＣは、０．０１μｍ以上０．０２μｍ以下、０．０２μｍ以上０．０４μｍ以下、０．０４μｍ以上０．０６μｍ以下、０．０６μｍ以上０．０８μｍ以下、または、０．０８μｍ以上０．１μｍ以下であってもよい。

電流狭窄層３５１は、ｐ型電流通過層３５２および電流狭窄絶縁層３５３を含む。ｐ型電流通過層３５２は、メサ構造３４１の内方領域に形成されている。ｐ型電流通過層３５２は、より具体的には、平面視においてメサ構造３４１の中央部に形成されている。ｐ型電流通過層３５２は、この形態では、ｐ型のＡｌ_σＧａ_{（１－σ）}Ａｓを含む。ｐ型電流通過層３５２のｐ型不純物濃度は、１×１０^１８ｃｍ^－３以上１×１０^２０ｃｍ^－３以下であってもよい。ｐ型電流通過層３５２のｐ型不純物は、炭素であってもよい。

Ａｌ組成σは、ｐ型クラッド層３３２のＡｌ組成εを超えている（ε＜σ）。Ａｌ組成σは、ｐ型光反射層３３３のｐ型高Ａｌ組成層３３５のＡｌ組成ζを超えている（ζ＜σ）。Ａｌ組成σは、０．９以上１．０以下であってもよい。Ａｌ組成σは、０．９以上０．９５以下、または、０．９５以上１．０以下であってもよい。Ａｌ組成σは、１．０未満であってもよい。

平面視におけるｐ型電流通過層３５２の最大幅ＴＰは、１μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。最大幅ＴＰは、１μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上５μｍ以下、５μｍ以上７μｍ以下、７μｍ以上９μｍ以下、９μｍ以上１１μｍ以下、１１μｍ以上１３μｍ以下、または、１３μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。

電流狭窄絶縁層３５３は、ｐ型電流通過層３５２に対してメサ構造３４１の側壁３４７側に形成されている。電流狭窄絶縁層３５３は、平面視においてｐ型電流通過層３５２を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

電流狭窄絶縁層３５３は、Ａｌ（アルミニウム）を含むＡｌ酸化物層によって形成されている。電流狭窄絶縁層３５３は、より具体的には、ｐ型電流通過層３５２の一部をメサ構造３４１の側壁３４７側から酸化させることによって形成されている。つまり、電流狭窄絶縁層３５３は、Ａｌ酸化物中にＧａ（ガリウム）およびＡｓ（砒素）を含む。

各メサ構造３４１は、外部端子３１１から半導体積層構造３２１に供給される電流を狭窄する。したがって、メサ構造３４１の内部においてｎ型半導体層３２４、活性層３２５およびｐ型半導体層３２６には比較的高い電流密度を有する電流が流れる。これにより、活性層３２５において生成される光の発光効率が高められている。

メサ構造３４１の電流密度は、メサ構造３４１のサイズに反比例する。つまり、メサ構造３４１のサイズが小さい程、電流狭窄効果が高まるので、メサ構造３４１の電流密度は増加する。一方、メサ構造３４１のサイズが大きい程、電流狭窄効果が低減するので、メサ構造３４１の電流密度は減少する。

各メサ構造３４１の内部を流れる電流は、さらに、電流狭窄絶縁層３５３を迂回してｐ型電流通過層３５２に流れ込む。これにより、ｐ型電流通過層３５２を介して活性層３２５に供給される電流の密度が高められる。活性層３２５において法線方向Ｚにｐ型電流通過層３５２に対向する領域が、発光領域３５４となる。

各活性層３２５において生成された光は、メサ構造３４１内においてｎ型光反射層３２８およびｐ型光反射層３３３の間を法線方向Ｚに沿って往復しながら、共振によって増幅される。増幅された光は、各メサ構造３４１の頂部３４５からレーザ光として取り出される。

トレンチ３０７の外周壁３４３から露出するメサ構造３４１外の半導体積層構造３２１にも電流狭窄層３５１に対応した層が形成されている。メサ構造３４１外の電流狭窄層３５１に対応した層は、電流狭窄の機能を生じさせない点を除いて、メサ構造３４１内の電流狭窄層３５１と略同様の構造を有している。

メサ構造３４１外の電流狭窄層３５１に対応した層については、電流狭窄の機能を生じさせない点を除いて、電流狭窄層３５１の説明が準用される。メサ構造３４１外の電流狭窄層３５１に対応した層については、電流狭窄層３５１と同一符号を付して説明を省略する。

図２３を参照して、面発光レーザ装置３０１は、各メサ構造３４１の側壁３４７の表層部に形成された側壁絶縁層３８０を含む。側壁絶縁層３８０は、側壁３４７から露出している。側壁絶縁層３８０は、頂部３４５および基部３４６の間の領域を側壁３４７に沿って延びている。つまり、各メサ構造３４１の側壁３４７は、側壁絶縁層３８０によって形成された部分を含む。

側壁絶縁層３８０は、平面視において電流狭窄絶縁層３５３に対向している。側壁絶縁層３８０は、平面視においてｐ型電流通過層３５２を露出させている。側壁絶縁層３８０は、より具体的には、頂部３４５の接線方向に関して、電流狭窄絶縁層３５３の一端部および他端部の間の領域に対向している。接線方向は、メサ構造３４１の頂部３４５に平行な方向であり、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙを含む。

側壁絶縁層３８０は、断面視において接線方向の長さが互いに異なる第１部分３８１および第２部分３８２を含む。側壁絶縁層３８０の第１部分３８１は、メサ構造３４１の側壁３４７から内方領域に向かって接線方向に延びている。第１部分３８１は、メサ構造３４１の側壁３４７から露出する外端部、および、メサ構造３４１内に位置する内端部を有している。

側壁絶縁層３８０の第２部分３８２は、メサ構造３４１の側壁３４７から内方領域に向かって接線方向に延びている。第２部分３８２は、メサ構造３４１の側壁３４７から露出する外端部、および、メサ構造３４１内に位置する内端部を有している。第２部分３８２の内端部は、第１部分３８１の内端部よりもメサ構造３４１の側壁３４７側に位置している。

第１部分３８１は、接線方向に関して、第１長さＬＰ１を有している。第２部分３８２は、接線方向に関して、第２長さＬＰ２を有している。第２長さＬＰ２は、第１長さＬＰ１未満（ＬＰ２＜ＬＰ１）である。

第１長さＬＰ１は、０．５μｍ以上５．０μｍ以下であってもよい。第１長さＬＰ１は、０．５μｍ以上１．０μｍ以下、１．０μｍ以上２．０μｍ以下、２．０μｍ以上３．０μｍ以下、３．０μｍ以上４．０μｍ以下、または、４．０μｍ以上５．０μｍ以下であってもよい。

第２長さＬＰ２は、０μｍを超えて１．０μｍ以下であってもよい。第２長さＬＰ２は、０μｍを超えて０．０２μｍ以下、０．０２μｍ以上０．０４μｍ以下、０．０４μｍ以上０．０６μｍ以下、０．０６μｍ以上０．０８μｍ以下、または、０．０８μｍ以上１μｍ以下であってもよい。第２長さＬＰ２は、０μｍであってもよい。つまり、複数の第２部分３８２の一部または全部を有さない側壁絶縁層３８０が形成されていてもよい。

第１部分３８１および第２部分３８２は、法線方向Ｚに沿って交互に形成されている。これにより、側壁絶縁層３８０は、断面視において櫛歯形状に形成されている。側壁絶縁層３８０は、ｎ型半導体層３２４に形成された領域、および、ｐ型半導体層３２６に形成された領域を含む。

ｎ型半導体層３２４においてｎ型光反射層３２８のｎ型高Ａｌ組成層３３０は、メサ構造３４１の側壁３４７から露出する第１露出部３８３を含む。また、ｎ型光反射層３２８のｎ型低Ａｌ組成層３３１は、メサ構造３４１の側壁３４７から露出する第２露出部３８４を含む。また、ｎ型クラッド層３２９は、メサ構造３４１の側壁３４７から露出する第３露出部３８５を含む。

ｎ型高Ａｌ組成層３３０の第１露出部３８３は、第１Ａｌ酸化物層３８６を含む。第１Ａｌ酸化物層３８６は、第１露出部３８３の酸化物を含む。第１Ａｌ酸化物層３８６は、接線方向に沿って延びている。第１Ａｌ酸化物層３８６は、ｎ型高Ａｌ組成層３３０の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

ｎ型低Ａｌ組成層３３１の第２露出部３８４は、第２Ａｌ酸化物層３８７を含む。第２Ａｌ酸化物層３８７は、第２露出部３８４の酸化物を含む。第２Ａｌ酸化物層３８７は、接線方向に沿って延びている。第２Ａｌ酸化物層３８７は、ｎ型低Ａｌ組成層３３１の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

ｎ型クラッド層３２９の第３露出部３８５は、第３Ａｌ酸化物層３８８を含む。第３Ａｌ酸化物層３８８は、第３露出部３８５の酸化物を含む。第３Ａｌ酸化物層３８８は、接線方向に沿って延びている。第３Ａｌ酸化物層３８８は、ｎ型クラッド層３２９の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

接線方向に関して、第１Ａｌ酸化物層３８６の長さは、第２Ａｌ酸化物層３８７の長さ、および、第３Ａｌ酸化物層３８８の長さを超えている。これは、ｎ型高Ａｌ組成層３３０のＡｌ組成αが、ｎ型低Ａｌ組成層３３１のＡｌ組成βおよびｎ型クラッド層３２９のＡｌ組成γを超えているためである（β＜γ＜α）。

接線方向に関して、第３Ａｌ酸化物層３８８の長さは、第２Ａｌ酸化物層３８７の長さを超えている。これは、ｎ型クラッド層３２９のＡｌ組成γが、ｎ型低Ａｌ組成層３３１のＡｌ組成βを超えているためである（β＜γ）。

第１Ａｌ酸化物層３８６および第２Ａｌ酸化物層３８７は、法線方向Ｚに沿って交互に形成されている。第１Ａｌ酸化物層３８６は、側壁絶縁層３８０の第１部分３８１を形成している。第２Ａｌ酸化物層３８７は、側壁絶縁層３８０の第２部分３８２を形成している。第３Ａｌ酸化物層３８８は、側壁絶縁層３８０の第２部分３８２を形成している。側壁絶縁層３８０においてｎ型半導体層３２４に位置する領域は、第１Ａｌ酸化物層３８６、第２Ａｌ酸化物層３８７および第３Ａｌ酸化物層３８８によって形成されている。

ｐ型半導体層３２６においてｐ型光反射層３３３のｐ型高Ａｌ組成層３３５は、メサ構造３４１の側壁３４７から露出する第１露出部３９３を含む。また、ｐ型光反射層３３３のｐ型低Ａｌ組成層３３６は、メサ構造３４１の側壁３４７から露出する第２露出部３９４を含む。また、ｐ型クラッド層３３２は、メサ構造３４１の側壁３４７から露出する第３露出部３９５を含む。

ｐ型高Ａｌ組成層３３５の第１露出部３９３は、第１Ａｌ酸化物層３９６を含む。第１Ａｌ酸化物層３９６は、第１露出部３９３の酸化物を含む。第１Ａｌ酸化物層３９６は、接線方向に沿って延びている。第１Ａｌ酸化物層３９６は、ｐ型高Ａｌ組成層３３５の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

ｐ型低Ａｌ組成層３３６の第２露出部３９４は、第２Ａｌ酸化物層３９７を含む。第２Ａｌ酸化物層３９７は、第２露出部３９４の酸化物を含む。第２Ａｌ酸化物層３９７は、接線方向に沿って延びている。第２Ａｌ酸化物層３９７は、ｐ型低Ａｌ組成層３３６の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

ｐ型クラッド層３３２の第３露出部３９５は、第３Ａｌ酸化物層３９８を含む。第３Ａｌ酸化物層３９８は、第３露出部３９５の酸化物を含む。第３Ａｌ酸化物層３９８は、接線方向に沿って延びている。第３Ａｌ酸化物層３９８は、ｐ型クラッド層３３２の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

接線方向に関して、第１Ａｌ酸化物層３９６の長さは、第２Ａｌ酸化物層３９７の長さ、および、第３Ａｌ酸化物層３９８の長さを超えている。これは、ｐ型高Ａｌ組成層３３５のＡｌ組成ζが、ｐ型低Ａｌ組成層３３６のＡｌ組成η、および、ｐ型クラッド層３３２のＡｌ組成εを超えているためである（η＜ε＜ζ）。

接線方向に関して、第３Ａｌ酸化物層３９８の長さは、第２Ａｌ酸化物層３９７の長さを超えている。これは、ｐ型クラッド層３３２のＡｌ組成εが、ｐ型低Ａｌ組成層３３６のＡｌ組成ηを超えているためである（η＜ε）。

第１Ａｌ酸化物層３９６および第２Ａｌ酸化物層３９７は、法線方向Ｚに沿って交互に形成されている。第１Ａｌ酸化物層３９６は、側壁絶縁層３８０の第１部分３８１を形成している。第２Ａｌ酸化物層３９７は、側壁絶縁層３８０の第２部分３８２を形成している。第３Ａｌ酸化物層３９８は、側壁絶縁層３８０の第２部分３８２を形成している。側壁絶縁層３８０においてｐ型半導体層３２６に位置する領域は、第１Ａｌ酸化物層３９６、第２Ａｌ酸化物層３９７および第３Ａｌ酸化物層３９８によって形成されている。

側壁絶縁層３８０（第１Ａｌ酸化物層３８６、第２Ａｌ酸化物層３８７、第１Ａｌ酸化物層３９６および第２Ａｌ酸化物層３９７）は、半導体積層構造３２１においてトレンチ３０７の外周壁３４３から露出する領域にも形成されている。トレンチ３０７の外周壁３４３に形成された側壁絶縁層３８０は、トレンチ３０７の内周壁３４２（メサ構造３４１の側壁３４７）に形成された側壁絶縁層３８０と略同様の構造を有している。トレンチ３０７の外周壁３４３に形成された側壁絶縁層３８０については、トレンチ３０７の内周壁３４２（メサ構造３４１の側壁３４７）に形成された側壁絶縁層３８０の説明が準用されるものとして、説明を省略する。

図２０～図２４を参照して、絶縁層３０８は、半導体積層構造３２１の主面（第１主面３０３）の上に形成されている。絶縁層３０８は、活性層３２５の発光波長λに対して透明な絶縁材料または透光性を有する絶縁材料を含む。絶縁層３０８は、窒化シリコン（ＳｉＮ）層および酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層のうちの少なくとも１つを含む。

絶縁層３０８は、窒化シリコン層または酸化シリコン層からなる単層構造を有していてもよい。絶縁層３０８は、第１主面３０３側から任意の順序で積層された窒化シリコン層および酸化シリコン層を含む積層構造を有していてもよい。絶縁層３０８は、この形態では、窒化シリコン層からなる単層構造を有している。

絶縁層３０８は、第１主面３０３の上からトレンチ３０７に入り込み、メサ構造３４１を被覆している。絶縁層３０８は、主面被覆部４０１、内壁被覆部４０２および頂部被覆部４０３を含む。主面被覆部４０１は、第１主面３０３を被覆している。内壁被覆部４０２は、トレンチ３０７の内壁（内周壁３４２、外周壁３４３および底壁３４４）を被覆している。頂部被覆部４０３は、メサ構造３４１の頂部３４５を被覆している。

内壁被覆部４０２は、より具体的には、トレンチ３０７の内壁に沿って膜状に延び、トレンチ３０７内においてリセス空間を区画している。つまり、内壁被覆部４０２は、メサ構造３４１の側壁３４７を被覆している。内壁被覆部４０２においてメサ構造３４１の側壁３４７を被覆する部分は、側壁絶縁層３８０に接している。

頂部被覆部４０３は、メサ構造３４１の頂部３４５を選択的に露出させるコンタクト孔４０４を有している。コンタクト孔４０４は、より具体的には、ｐ型コンタクト層３３４を露出させている。コンタクト孔４０４は、平面視において環状（この形態では円環状）に形成されている。

図２４を参照して、頂部被覆部４０３は、コンタクト孔４０４よりも内方に位置する領域にレリーフ部４０３ａを有している。レリーフ部４０３ａは、この形態では、コンタクト孔４０４によって取り囲まれている。レリーフ部４０３ａは、リセス部４０５、第１突出部４０６および第２突出部４０７を含む。リセス部４０５は、メサ構造３４１の頂部３４５側に向けて窪んでいる。リセス部４０５は、平面視において環状（この形態では円環状）に形成されている。

第１突出部４０６は、リセス部４０５によって区画されている。第１突出部４０６は、リセス部４０５によって取り囲まれ、島状または点状に区画されている。第１突出部４０６は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。第１突出部４０６は、法線方向Ｚに活性層３２５の発光領域３５４に対向している。第１突出部４０６は、法線方向Ｚにｐ型電流通過層３５２に対向している。

第２突出部４０７は、リセス部４０５に起因して形成されている。第２突出部４０７は、より具体的には、リセス部４０５およびコンタクト孔４０４の間の領域に区画されている。第２突出部４０７は、リセス部４０５およびコンタクト孔４０４によって環状（この形態では円環状）に区画されている。

リセス部４０５は、第１突出部４０６を区画する第１側壁４０８、第２突出部４０７を区画する第２側壁４０９、ならびに、第１側壁４０８および第２側壁４０９を接続する底壁４１０を有している。第１側壁４０８は、頂部被覆部４０３の主面から底壁４１０に向けて下り傾斜した傾斜面を有している。第２側壁４０９は、頂部被覆部４０３の主面から底壁４１０に向けて下り傾斜した傾斜面を有している。リセス部４０５は、断面視において底壁４１０側の開口幅が開口側の開口幅よりも小さいテーパ形状に形成されている。

第１突出部４０６の厚さは、（ｎ＋１）λ／２に設定される。第２突出部４０７の厚さは、（ｎ＋１）λ／２に設定される。リセス部４０５の厚さは、（２ｎ＋１）λ／４に設定される。ｎは、整数である。λは、活性層３２５で生成される光の波長である。

頂部３４５から放出されたレーザ光は、スネルの法則によって、第１側壁４０８および第２側壁４０９によって屈折させられ、第１突出部４０６側に集光される。これにより、第１側壁４０８および第２側壁４０９が法線方向Ｚに延びる垂直面である場合に比べて、レーザ光の指向性が高められる。

図２０～図２４を参照して、第１主面電極層３０９は、絶縁層３０８に沿って膜状に形成されている。第１主面電極層３０９の外側電極層３１３は、絶縁層３０８の主面被覆部４０１に沿って膜状に延びている。外側電極層３１３の各厚膜部３１５は、断面視において第１主面３０３から離れる方向に向かって幅が狭まるテーパ部を含む。

第１主面電極層３０９の各内側電極層３１４は、外側電極層３１３から絶縁層３０８（内壁被覆部４０２）に沿って膜状に延び、対応するトレンチ３０７内においてリセス空間を区画している。各内側電極層３１４は、対応する発光部３０６（メサ構造３４１）の基部３４６から側壁３４７を介して頂部３４５に向けて延び、頂部３４５を被覆している。

各内側電極層３１４の他端部３１４ｂは、各発光部３０６の頂部３４５を被覆している。他端部３１４ｂは、絶縁層３０８（頂部被覆部４０３）の上からコンタクト孔４０４に入り込んでいる。これにより、各内側電極層３１４は、コンタクト孔４０４内においてｐ型コンタクト層３３４に電気的に接続されている。

各内側電極層３１４の他端部３１４ｂは、絶縁層３０８の頂部被覆部４０３を露出させるレリーフ開口４１１を含む。レリーフ開口４１１は、絶縁層３０８のレリーフ部４０３ａを露出させている。レリーフ開口４１１は、より具体的には、第２突出部４０７の一部、リセス部４０５および第１突出部４０６を露出させている。

レリーフ開口４１１は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。レリーフ開口４１１の平面形状は任意である。レリーフ開口４１１は、平面視において三角形状、四角形状もしくは六角形状等の多角形状、または、楕円形状に形成されていてもよい。レリーフ開口４１１は、法線方向Ｚにｐ型電流通過層３５２に対向している。レリーフ開口４１１は、法線方向Ｚに活性層３２５の発光領域３５４に対向している。

レリーフ開口４１１の開口幅ＷＯは、５μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。開口幅ＷＯは、５μｍ以上１０μｍ以下、１０μｍ以上１５μｍ以下、または、１５μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。

第１主面電極層３０９は、この形態では、複数の電極膜が積層された積層構造を有している。第１主面電極層３０９は、より具体的には、絶縁層３０８側からこの順に積層された第１電極膜４１２、第２電極膜４１３および第３電極膜４１４を含む。

第１電極膜４１２および第２電極膜４１３は、第３電極膜４１４に対する下地電極膜を形成している。第１電極膜４１２は、チタンを含んでいてもよい。第２電極膜４１３は、金を含んでいてもよい。第３電極膜４１４は、金を含んでいてもよい。

第３電極膜４１４の厚さは、第１電極膜４１２の厚さ以上である。第３電極膜４１４の厚さは、より具体的には、第１電極膜４１２の厚さを超えている。第３電極膜４１４の厚さは、第２電極膜４１３の厚さ以上である。第３電極膜４１４の厚さは、より具体的には、第２電極膜４１３の厚さを超えている。

外側電極層３１３は、第１電極膜４１２、第２電極膜４１３および第３電極膜４１４を含む。より具体的には、外側電極層３１３の厚膜部３１５は、第１電極膜４１２、第２電極膜４１３および第３電極膜４１４を含む。第３電極膜４１４は、厚膜部３１５のテーパ部を形成している。外側電極層３１３の薄膜部３１６は、第１電極膜４１２および第２電極膜４１３を含む。内側電極層３１４は、第１電極膜４１２および第２電極膜４１３を含む。

図２１を参照して、外部端子３１１は、外側電極層３１３の薄膜部３１６の上に形成されている。外部端子３１１は、第３電極膜４１４と共通の工程を経て形成された電極膜である。したがって、外部端子３１１は、第３電極膜４１４と等しい厚さを有している。また、外部端子３１１は、第３電極膜４１４と同じ導電材料（つまり金）を含む。

図２０を参照して、配線３１２は、外側電極層３１３の薄膜部３１６の上に形成されている。配線３１２は、第３電極膜４１４と共通の工程を経て形成された電極膜である。したがって、配線３１２は、第３電極膜４１４と等しい厚さを有している。また、配線３１２は、第３電極膜４１４と同じ導電材料（つまり金）を含む。

図２０～図２２を参照して、面発光レーザ装置３０１は、チップ本体３０２の第２主面３０４（基板３２０の第２基板主面３２３）の上に形成された第２主面電極層４１５を含む。第２主面電極層４１５は、第２基板主面３２３の全域を被覆している。第２主面電極層４１５は、第２基板主面３２３との間でオーミック接触を形成している。

第２主面電極層４１５は、この形態では、複数の電極膜が積層された積層構造を有している。第２主面電極層４１５は、より具体的には、第２基板主面３２３側からこの順に積層された第１電極膜４１６、第２電極膜４１７および第３電極膜４１８を含む。第１電極膜４１６は、金ゲルマニウム合金を含んでいてもよい。第２電極膜４１７は、ニッケルを含んでいてもよい。第３電極膜４１８は、金を含んでいてもよい。

以上、面発光レーザ装置３０１によれば、第１主面電極層３０９が内側電極層３１４の厚さＴｉｎを超える厚さＴｏｕｔを有する外側電極層３１３を含む。これにより、チップ本体３０２の第１主面３０３側に外力が加えられた場合、当該外力を外側電極層３１３によって受け止めることができる。その結果、発光部３０６に対する応力を緩和できるから、応力に起因する発光部３０６の劣化を抑制できる。

また、外側電極層３１３は、厚膜部３１５および薄膜部３１６を含む。これにより、厚膜部３１５だけを含む場合に比べて、外側電極層３１３の伸縮に起因する応力（たとえば熱応力）を低減できる。よって、外側電極層３１３から発光部３０６に加えられる応力を適切に低減できる。

複数の厚膜部３１５を不規則に配列させた場合、外側電極層３１３に生じる応力も不規則になる。この場合、発光部３０６において不所望な応力集中が引き起こされる可能性がある。したがって、１つの発光部３０６に対して複数の厚膜部３１５が規則的に配列されていることが好ましい。これにより、発光部３０６に対する不所望な応力集中を抑制できる。

一方、内側電極層３１４は、外側電極層３１３の厚さＴｏｕｔ未満の厚さＴｉｎを有している。これにより、内側電極層３１４から発光部３０６に加えられる応力を低減できる。その結果、応力に起因する発光部３０６の劣化を効果的に抑制できる。特に、トレンチ３０７の内壁を露出させる内側電極層３１４によれば、発光部３０６に加えられる応力を適切に緩和できる。

また、複数の内側電極層３１４は、対応する発光部３０６および外側電極層３１３の間の領域において共通の方向にそれぞれ延びている。このような構造によれば、各内側電極層３１４の伸縮に起因して各発光部３０６に加えられる応力（たとえば熱応力）の方向を一定方向に制限できる。これにより、各発光部３０６に対する応力のばらつきを抑制できるから、各発光部３０６に対する不所望な応力集中を抑制できる。

また、複数の内側電極層３１４は、対応する発光部３０６から外部端子３１１に沿う第１側面３０５Ａに向けて延びている。このような構造によれば、各発光部３０６および外部端子３１１を結ぶ電流経路において電流の回り込みを抑制できる。よって、各発光部３０６に対する不所望な応力集中を抑制しながら、抵抗値の増加を抑制できる。

以下、第１主面電極層３０９の他の形態例について説明する。第１主面電極層３０９は、図２５Ａ～図２５Ｌに示される種々の形態を取り得る。図２５Ａ～図２５Ｌに示される第２～第１３形態例に係る第１主面電極層３０９は、第１主面電極層３０９の形成工程に用いる各種マスクのレイアウト等を変更することによって得られる。

図２５Ａは、図１９の対応図であって、第１主面電極層３０９の第２形態例を示す拡大図である。以下では、図１８～図２４において述べた構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。図２５Ａを参照して、複数の内側電極層３１４は、対応する発光部３０６および外側電極層３１３の間の領域において、発光部３０６から第２側面３０５Ｂに向けて延びていてもよい。第２側面３０５Ｂは、チップ本体３０２の側面３０５Ａ～３０５Ｄのうちの外部端子３１１に沿う側面である。

図２５Ｂは、図１９の対応図であって、第１主面電極層３０９の第３形態例を示す拡大図である。以下では、図１８～図２４において述べた構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。図２５Ｂを参照して、複数の内側電極層３１４は、対応する発光部３０６および外側電極層３１３の間の領域において、発光部３０６から外部端子３１１に向けて延びていてもよい。

図２５Ｃは、図１９の対応図であって、第１主面電極層３０９の第４形態例を示す拡大図である。以下では、図１８～図２４において述べた構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。図２５Ｃを参照して、各厚膜部３１５の複数の辺は、平面視において凹湾曲状に窪んでいてもよい。各厚膜部３１５の複数の辺のうちトレンチ３０７に面しない辺は、平面視において凹湾曲状に窪んでいてもよい。各薄膜部３１６は、平面視において最近接する２つの厚膜部３１５の辺に倣って膨出した凸湾曲状の部分を有していてもよい。

図２５Ｄは、図１９の対応図であって、第１主面電極層３０９の第５形態例を示す拡大図である。以下では、図１８～図２４において述べた構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。図２５Ｄを参照して、複数の厚膜部３１５は、平面視において三角形状にそれぞれ形成されていてもよい。複数の厚膜部３１５は、３つの頂点が最近接する３つの発光部３０６に対向する態様でそれぞれ形成されていてもよい。複数の厚膜部３１５は、３つの辺が最近接する３つの発光部３０６に対向する態様でそれぞれ形成されていてもよい。

図２５Ｅは、図１９の対応図であって、第１主面電極層３０９の第６形態例を示す拡大図である。以下では、図１８～図２４において述べた構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。図２５Ｅを参照して、複数の厚膜部３１５は、平面視において四角形状にそれぞれ形成されていてもよい。複数の厚膜部３１５は、平面視において正方形状にそれぞれ形成されていてもよい。

図２５Ｆは、図１９の対応図であって、第１主面電極層３０９の第７形態例を示す拡大図である。以下では、図１８～図２４において述べた構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。図２５Ｆを参照して、複数の厚膜部３１５は、平面視において四角形状にそれぞれ形成されていてもよい。複数の厚膜部３１５は、平面視において長方形状にそれぞれ形成されていてもよい。各厚膜部３１５は、最近接する２つの発光部３０６の間の領域において最近接方向に交差する方向に延びる長方形状に形成されていてもよい。最近接方向は、最近接する２つの発光部３０６が互いに対向する方向である。

図２５Ｇは、図１９の対応図であって、第１主面電極層３０９の第８形態例を示す拡大図である。以下では、図１８～図２４において述べた構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。図２５Ｇを参照して、複数の厚膜部３１５は、平面視において六角形状にそれぞれ形成されていてもよい。

図２５Ｈは、図２３の対応図であって、第１主面電極層３０９の第９形態例を示す拡大図である。以下では、図１８～図２４において述べた構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。図２５Ｈを参照して、複数の厚膜部３１５は、平面視において円形状にそれぞれ形成されていてもよい。複数の厚膜部３１５は、平面視において楕円形状にそれぞれ形成されていてもよい。

図２５Ｉは、図２３の対応図であって、第１主面電極層３０９の第１０形態例を示す拡大図である。以下では、図１８～図２４において述べた構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。図２５Ｉを参照して、第１主面電極層３０９は、１つの厚膜部３１５および複数の薄膜部３１６を含む。厚膜部３１５は、平面視において複数のトレンチ３０７を１対１対応の関係で取り囲む複数の環状部４１９を含む。複数の環状部４１９は、平面視において１つのトレンチ３０７を取り囲む円環状にそれぞれ形成されている。

各環状部４１９は、各トレンチ３０７から間隔を空けて形成されている。複数の環状部４１９は、この形態例では、外側電極層３１３の上において一体的に形成されている。これにより、平面視において複数のトレンチ３０７を１つずつ露出させる多孔状の１つの厚膜部３１５が形成されている。

複数の薄膜部３１６は、対応するトレンチ３０７および厚膜部３１５の間の領域にそれぞれ形成されている。各薄膜部３１６は、平面視において対応するトレンチ３０７を取り囲む円環状に形成されている。

複数の環状部４１９は、互いに間隔を空けて形成されていてもよい。この場合、平面視において円環状の複数の厚膜部３１５が形成される。環状部４１９は、複数（２以上）のトレンチ３０７を取り囲んでいてもよい。この場合、複数のトレンチ３０７および当該複数のトレンチ３０７を取り囲む環状部４１９の間の領域に薄膜部３１６が形成されていてもよい。

図２５Ｊは、図２３の対応図であって、第１主面電極層３０９の第１１形態例を示す拡大図である。以下では、図１８～図２４において述べた構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。図２５Ｊを参照して、第１主面電極層３０９は、１つの厚膜部３１５および複数の薄膜部３１６を含む。厚膜部３１５は、平面視において複数のトレンチ３０７を１対１対応の関係で取り囲む複数の環状部４２０を含む。複数の環状部４２０は、平面視において１つのトレンチ３０７を取り囲む六角環状にそれぞれ形成されている。

各環状部４２０は、各トレンチ３０７から間隔を空けて形成されている。複数の環状部４２０は、この形態例では、外側電極層３１３の上において一体的に形成されている。これにより、平面視において複数のトレンチ３０７を１つずつ露出させるハニカム状の１つの厚膜部３１５が形成されている。

複数の薄膜部３１６は、対応するトレンチ３０７および厚膜部３１５の間の領域にそれぞれ形成されている。各薄膜部３１６は、平面視において対応するトレンチ３０７を取り囲む環状に形成されている。

各薄膜部３１６の内周縁は、トレンチ３０７の周縁によって区画されている。これにより、各薄膜部３１６の内周縁は、平面視においてトレンチ３０７の周縁に応じた形状（この形態例では円形状）に形成されている。一方、各薄膜部３１６の外周縁は、環状部４２０によって区画されている。これにより、各薄膜部３１６の外周縁は、平面視において六角形状に形成されている。

複数の環状部４２０は、互いに間隔を空けて形成されていてもよい。この場合、平面視において六角環状の複数の厚膜部３１５が形成される。環状部４２０は、複数（２以上）のトレンチ３０７を取り囲んでいてもよい。この場合、複数のトレンチ３０７および当該複数のトレンチ３０７を取り囲む環状部４２０の間の領域に薄膜部３１６が形成されていてもよい。

図２５Ｋは、図２３の対応図であって、第１主面電極層３０９の第１２形態例を示す拡大図である。以下では、図１８～図２４において述べた構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。図２５Ｋを参照して、複数の厚膜部３１５のうちの少なくとも１つまたは全部は、トレンチ３０７の内壁（外周壁３４３）にオーバラップしたオーバラップ部４２１を有していてもよい。

この場合、厚膜部３１５の第１電極膜４１２および第２電極膜４１３を含む積層膜がトレンチ３０７の外周壁３４３を被覆していてもよい。また、厚膜部３１５の第１電極膜４１２、第２電極膜４１３および第３電極膜４１４を含む積層膜がトレンチ３０７の外周壁３４３を被覆していてもよい。

図２５Ｌは、図２３の対応図であって、第１主面電極層３０９の第１３形態例を示す拡大図である。以下では、図１８～図２４において述べた構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。図２５Ｌを参照して、第１電極膜４１２および第２電極膜４１３を含む積層膜は、トレンチ３０７から間隔を空けて形成されていてもよい。第３電極膜４１４は、第１電極膜４１２および第２電極膜４１３を含む積層膜の側壁を被覆していてもよい。第３電極膜４１４は、トレンチ３０７の内壁を被覆していてもよいし、トレンチ３０７から間隔を空けて形成されていてもよい。

前述の第１～第１３形態例に係る第１主面電極層３０９のうちの少なくとも２種を同時に含む面発光レーザ装置３０１が形成されてもよい。また、第１～第１３形態例に係る第１主面電極層３０９の特徴は、それらの間で任意の態様および任意の形態で組み合わされることができる。つまり、第１～第１３形態例に係る第１主面電極層３０９の特徴のうちの少なくとも２つの特徴が組み合わされた形態を有する第１主面電極層３０９が採用されてもよい。

図２６Ａ～２６Ｍは、図２２の対応図であって、図１８に示す面発光レーザ装置３０１の製造方法の一例を説明するための図である。

図２６Ａを参照して、まず、基板３２０が用意される。次に、ｎ型バッファ層３２７が、基板３２０の第１基板主面３２２の上に形成される。ｎ型バッファ層３２７は、ｎ型のＧａＡｓを含む。ｎ型バッファ層３２７は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、図２６Ｂを参照して、ｎ型光反射層３２８が、ｎ型バッファ層３２７の上に形成される。ｎ型光反射層３２８は、ｎ型高Ａｌ組成層３３０およびｎ型低Ａｌ組成層３３１を任意の周期で交互に積層させることにより形成される。

ｎ型高Ａｌ組成層３３０は、ｎ型のＡｌ_αＧａ_{（１－α）}Ａｓを含む。Ａｌ組成αは、０．５以上０．９５以下であってもよい。ｎ型低Ａｌ組成層３３１は、ｎ型のＡｌ_βＧａ_{（１－β）}Ａｓを含む。Ａｌ組成βは、０．０５以上０．２５以下であってもよい。ｎ型高Ａｌ組成層３３０およびｎ型低Ａｌ組成層３３１は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、ｎ型クラッド層３２９が、ｎ型光反射層３２８の上に形成される。ｎ型クラッド層３２９は、ｎ型のＡｌ_γＧａ_{（１－γ）}Ａｓを含む。ｎ型クラッド層３２９のＡｌ組成γは、０．２以上０．７以下であってもよい。ｎ型クラッド層３２９は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、図２６Ｃを参照して、活性層３２５が、ｎ型クラッド層３２９の上に形成される。活性層３２５は、量子井戸層および障壁層を任意の周期で交互に積層させることにより形成される。量子井戸層は、ＧａＡｓを含む。障壁層は、Ａｌ_δＧａ_{（１－δ）}Ａｓを含む。Ａｌ組成δは、０．１５以上０．５以下であってもよい。量子井戸層および障壁層は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、図２６Ｄを参照して、ｐ型クラッド層３３２が、活性層３２５の上に形成される。ｐ型クラッド層３３２は、ｐ型のＡｌ_εＧａ_{（１－ε）}Ａｓを含む。Ａｌ組成εは、０．２以上０．７以下であってもよい。ｐ型クラッド層３３２は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、ｐ型電流通過層３５２および電流狭窄絶縁層３５３のベースとなるｐ型ベース層４２２が、ｐ型クラッド層３３２の上に形成される。ｐ型ベース層４２２は、ｐ型のＡｌ_σＧａ_{（１－σ）}Ａｓを含む。Ａｌ組成σは、０．９以上１．０以下であってもよい。ｐ型ベース層４２２は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、ｐ型光反射層３３３が、ｐ型ベース層４２２の上に形成される。ｐ型光反射層３３３は、ｐ型高Ａｌ組成層３３５およびｐ型低Ａｌ組成層３３６を任意の周期で交互に積層させることにより形成される。

ｐ型高Ａｌ組成層３３５は、ｐ型のＡｌ_ζＧａ_{（１－ζ）}Ａｓを含む。Ａｌ組成ζは、０．５以上０．９５以下であってもよい。ｐ型低Ａｌ組成層３３６は、ｐ型のＡｌ_ηＧａ_{（１－η）}Ａｓを含む。Ａｌ組成ηは、０．０５以上０．２５以下であってもよい。ｐ型高Ａｌ組成層３３５およびｐ型低Ａｌ組成層３３６は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、ｐ型コンタクト層３３４が、ｐ型光反射層３３３の上に形成される。ｐ型コンタクト層３３４は、ｐ型のＧａＡｓを含む。ｐ型コンタクト層３３４は、エピタキシャル成長法によって形成される。これにより、第１基板主面３２２側からこの順に積層されたｎ型半導体層３２４、活性層３２５およびｐ型半導体層３２６を含む半導体積層構造３２１が形成される。

次に、図２６Ｅを参照して、所定パターンを有するマスク４２３が、半導体積層構造３２１の上に形成される。マスク４２３は、複数の開口４２４を有している。複数の開口４２４は、トレンチ３０７を形成すべき領域をそれぞれ露出させている。

次に、半導体積層構造３２１の不要な部分が、マスク４２３を介するエッチング法によって除去される。半導体積層構造３２１の不要な部分は、ウエットエッチング法またはドライエッチング法によって除去されてもよい。この工程では、ｐ型コンタクト層３３４、ｐ型光反射層３３３、ｐ型ベース層４２２、ｐ型クラッド層３３２、活性層３２５、ｎ型クラッド層３２９およびｎ型光反射層３２８の不要な部分がそれぞれ除去される。

これにより、複数のトレンチ３０７が半導体積層構造３２１に形成される。複数のトレンチ３０７は、ｐ型コンタクト層３３４、ｐ型光反射層３３３、ｐ型クラッド層３３２、活性層３２５およびｎ型クラッド層３２９を貫通し、ｎ型光反射層３２８の一部を露出させている。また、これにより、半導体積層構造３２１に複数のメサ構造３４１が形成される。その後、マスク４２３は除去される。

ｎ型高Ａｌ組成層３３０は、ｎ型低Ａｌ組成層３３１のエッチング選択比とは異なるエッチング選択比を有している。したがって、エッチング液およびエッチング時間を適切に選択することにより、ｎ型低Ａｌ組成層３３１を残存させながら、ｎ型高Ａｌ組成層３３０を除去できる。また、エッチング液およびエッチング時間を適切に選択することにより、ｎ型高Ａｌ組成層３３０を残存させながら、ｎ型低Ａｌ組成層３３１を除去できる。

また、ｎ型クラッド層３２９は、ｎ型高Ａｌ組成層３３０およびｎ型低Ａｌ組成層３３１のエッチング選択比とは異なるエッチング選択比を有している。したがって、エッチング液およびエッチング時間を適切に選択することにより、ｎ型高Ａｌ組成層３３０およびｎ型低Ａｌ組成層３３１を残存させながら、ｎ型クラッド層３２９を除去できる。

また、ｐ型高Ａｌ組成層３３５は、ｐ型低Ａｌ組成層３３６のエッチング選択比とは異なるエッチング選択比を有している。したがって、エッチング液およびエッチング時間を適切に選択することにより、ｐ型低Ａｌ組成層３３６を残存させながら、ｐ型高Ａｌ組成層３３５を除去できる。また、エッチング液を適切に選択することにより、ｐ型高Ａｌ組成層３３５を残存させながら、ｐ型低Ａｌ組成層３３６を除去できる。

また、ｐ型クラッド層３３２は、ｐ型高Ａｌ組成層３３５およびｐ型低Ａｌ組成層３３６のエッチング選択比とは異なるエッチング選択比を有している。したがって、エッチング液およびエッチング時間を適切に選択することにより、ｐ型高Ａｌ組成層３３５およびｐ型低Ａｌ組成層３３６を残存させながら、ｐ型クラッド層３３２を除去できる。

次に、図２６Ｆを参照して、側壁絶縁層３８０が、トレンチ３０７に形成される。側壁絶縁層３８０は、半導体積層構造３２１に対する酸化処理法によって形成される。酸化処理法は、熱酸化処理法であってもよい。

この工程では、ｐ型光反射層３３３においてトレンチ３０７から露出する部分が酸化される。また、ｐ型ベース層４２２においてトレンチ３０７から露出する部分が酸化される。また、ｐ型クラッド層３３２においてトレンチ３０７から露出する部分が酸化される。また、ｎ型クラッド層３２９においてトレンチ３０７から露出する部分が酸化される。また、ｎ型光反射層３２８においてトレンチ３０７から露出する部分が酸化される。

比較的高いＡｌ組成ζを有するｐ型ベース層４２２では、メサ構造３４１の側壁３４７からメサ構造３４１の内方領域に向けて酸化が大きく進行する。これにより、ｐ型ベース層４２２の酸化部が電流狭窄絶縁層３５３として形成される。また、ｐ型ベース層４２２の非酸化部がｐ型電流通過層３５２として形成される。

次に、図２６Ｇを参照して、絶縁層３０８が、半導体積層構造３２１の上に形成される。この工程では、窒化シリコン層からなる絶縁層３０８が形成される。絶縁層３０８は、窒化シリコン層に代えてまたはこれに加えて、酸化シリコン層を含んでいてもよい。絶縁層３０８は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。

次に、図２６Ｈを参照して、所定パターンを有するマスク４２５が、半導体積層構造３２１の上に形成される。マスク４２５は、絶縁層３０８においてリセス部４０５を形成すべき領域をそれぞれ露出させる複数の開口４２６を有している。次に、絶縁層３０８の不要な部分が、マスク４２５を介するエッチング法（たとえばドライエッチング法）によって除去される。これにより、絶縁層３０８にリセス部４０５が形成される。その後、マスク４２５は除去される。

次に、図２６Ｉを参照して、所定パターンを有するマスク４２７が、半導体積層構造３２１の上に形成される。マスク４２７は、絶縁層３０８においてコンタクト孔４０４を形成すべき領域をそれぞれ露出させる複数の開口４２８を有している。次に、絶縁層３０８の不要な部分が、マスク４２７を介するエッチング法（たとえばウエットエッチング法）によって除去される。これにより、コンタクト孔４０４が、絶縁層３０８に形成される。その後、マスク４２７は除去される。

次に、図２６Ｊを参照して、第１主面電極層３０９のベースとなる第１電極膜４１２および第２電極膜４１３を含む積層膜４２９が、半導体積層構造３２１の上に形成される。第１電極膜４１２は、チタンを含んでいてもよい。第２電極膜４１３は、金を含んでいてもよい。第１電極膜４１２および第２電極膜４１３は、蒸着法またはスパッタ法によってそれぞれ形成されてもよい。

次に、図２６Ｋを参照して、所定パターンを有するマスク４３０が、積層膜４２９の上に形成される。マスク４３０は、積層膜４２９において外側電極層３１３および複数の内側電極層３１４を形成すべき領域を被覆し、それら以外の領域を露出させる開口４３１を有している。

次に、積層膜４２９の不要な部分が、マスク４３０を介するエッチング法（たとえばウエットエッチング法）によって除去される。これにより、外側電極層３１３および複数の内側電極層３１４が形成される。また、これにより、第１主面電極層３０９に、絶縁層３０８の頂部被覆部４０３を選択的に露出させるレリーフ開口４１１が形成される。その後、マスク４３０は除去される。

次に、図２６Ｌを参照して、第３電極膜４１４が、積層膜４２９の上に形成される。第３電極膜４１４は、金を含んでいてもよい。第３電極膜４１４は、この工程では、リフトオフ法によって形成される。

この工程では、まず、所定パターンを有するマスク４３２が、積層膜４２９の上に形成される。マスク４３２は、積層膜４２９において外部端子３１１、配線３１２および厚膜部３１５を形成すべき領域をそれぞれ露出させる複数の開口４３３を有している。次に、第３電極膜４１４が、半導体積層構造３２１の上に形成される。第３電極膜４１４は、蒸着法によって形成されてもよい。この工程では、マスク４３２の上、および、積層膜４２９において複数の開口４３３から露出する部分の上に第３電極膜４１４が形成される。

次に、図２６Ｍを参照して、マスク４３２が除去される。この工程では、第３電極膜４１４においてマスク４３２の上に形成された部分が、マスク４３２と同時に除去される。一方、第３電極膜４１４において複数の開口４３３内の部分が残存する。これにより、外部端子３１１および配線３１２が形成される。また、第１電極膜４１２、第２電極膜４１３および第３電極膜４１４を含む厚膜部３１５が形成される。また、第１電極膜４１２および第２電極膜４１３を含む薄膜部３１６が形成される。

次に、第２主面電極層４１５が、基板３２０の第２基板主面３２３の上に形成される。第２主面電極層４１５は、第１電極膜４１６、第２電極膜４１７および第３電極膜４１８を含む。第１電極膜４１６は、金ゲルマニウム合金を含んでいてもよい。第２電極膜４１７は、ニッケルを含んでいてもよい。第３電極膜４１８は、金を含んでいてもよい。

第１電極膜４１６、第２電極膜４１７および第３電極膜４１８は、蒸着法またはスパッタ法によってそれぞれ形成されてもよい。第２主面電極層４１５は、第１主面電極層３０９の形成工程に先立って形成されてもよい。以上を含む工程を経て、面発光レーザ装置３０１が製造される。

図２７は、図２２の対応図であって、本発明の第１１実施形態に係る面発光レーザ装置４４１を示す断面図である。以下では、面発光レーザ装置３０１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

面発光レーザ装置３０１に係る各厚膜部３１５は、断面視においてチップ本体３０２の第１主面３０３から離れる方向に向かって幅が狭まるテーパ部を含む。これに対して、図２７を参照して、面発光レーザ装置４４１に係る各厚膜部３１５は、断面視においてチップ本体３０２の第１主面３０３から離れる方向に向かって幅が拡がるテーパ部を含む。

各厚膜部３１５のテーパ部は、第３電極膜４１４によって形成されている。各厚膜部３１５のテーパ部は、平面視において第１主面３０３に重なっていてもよい。各厚膜部３１５のテーパ部は、平面視においてトレンチ３０７（外周壁３４３）に重なっていてもよい。

図２８Ａ～図２８Ｄは、図２７の対応図であって、図２７に示す面発光レーザ装置４４１の製造方法の一例を説明するための図である。

図２８Ａを参照して、前述の図２６Ａ～図２６Ｋの工程を経て積層膜４２９がパターニングされた中間体が用意される。

次に、図２８Ｂを参照して、所定パターンを有するマスク４４２が、積層膜４２９の上に形成される。マスク４４２は、積層膜４２９において外部端子３１１、配線３１２および厚膜部３１５を形成すべき領域をそれぞれ露出させる複数の開口４４３を有している。

次に、図２８Ｃを参照して、第３電極膜４１４が、積層膜４２９において複数の開口４３３から露出する部分の上に形成される。第３電極膜４１４は、金めっき法によって形成されてもよい。金めっき法は、電解金めっき法であってもよいし、無電解金めっき法であってもよい。

次に、図２８Ｄを参照して、マスク４４２が除去される。これにより、外部端子３１１および配線３１２が形成される。また、第１電極膜４１２、第２電極膜４１３および第３電極膜４１４を含む厚膜部３１５が形成される。また、第１電極膜４１２および第２電極膜４１３を含む薄膜部３１６が形成される。その後、第２主面電極層４１５が第２基板主面３２３の上に形成される。第２主面電極層４１５は、第１主面電極層３０９の形成工程に先立って形成されてもよい。以上を含む工程を経て、面発光レーザ装置４４１が製造される。

以上、面発光レーザ装置４４１によっても面発光レーザ装置３０１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。

図２９は、本発明の第１２実施形態に係る面発光レーザ装置４５１を示す平面図である。以下では、面発光レーザ装置３０１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図２９を参照して、面発光レーザ装置４５１は、外部端子３１１に加えて第２外部端子４５２を含む。第２外部端子４５２には、ボンディングワイヤ等の導線が外部接続される。第２外部端子４５２は、外部端子３１１から間隔を空けて第１主面電極層３０９の周縁部において形成されている。これにより、導線が発光部３０６の上を横切ることを防止できるから、第１主面３０３から光を適切に取り出すことができる。

第２外部端子４５２は、この形態では、チップ本体３０２の角部（第１側面３０５Ａおよび第４側面３０５Ｄを接続する角部）に配置されている。第２外部端子４５２は、より具体的には、第１主面電極層３０９の周縁部においてチップ本体３０２の角部に沿う領域に配置されている。これにより、第２外部端子４５２は、第１側面３０５Ａに沿って外部端子３１１に対向している。また、第２外部端子４５２は、第２方向Ｙに第１側面３０５Ａに対向し、第１方向Ｘに第４側面３０５Ｄに対向している。

配線３１２は、第１主面電極層３０９の周縁に沿って帯状に延び、外部端子３１１および第２外部端子４５２に接続されている。つまり、第２外部端子４５２は、配線３１２を介して外部端子３１１と同電位に固定される。配線３１２は、この形態では、平面視において環状に形成され、全ての発光部３０６を一括して取り囲んでいる。

以上、面発光レーザ装置４５１によっても面発光レーザ装置３０１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。面発光レーザ装置４５１は、面発光レーザ装置３０１の製造工程に使用される各種マスクのレイアウトを変更するだけで製造できる。

図３０は、本発明の第１３実施形態に係る面発光レーザ装置４６１を示す平面図である。以下では、面発光レーザ装置３０１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図３０を参照して、面発光レーザ装置４６１は、外部端子３１１に加えて第２外部端子４６２を含む。第２外部端子４６２には、ボンディングワイヤ等の導線が外部接続される。第２外部端子４６２は、外部端子３１１から間隔を空けて第１主面電極層３０９の周縁部において形成されている。これにより、導線が発光部３０６の上を横切ることを防止できるから、第１主面３０３から光を適切に取り出すことができる。

第２外部端子４６２は、この形態では、チップ本体３０２の角部（第３側面３０５Ｃおよび第４側面３０５Ｄを接続する角部）に配置されている。第２外部端子４６２は、より具体的には、第１主面電極層３０９の周縁部においてチップ本体３０２の角部に沿う領域に配置されている。これにより、第２外部端子４６２は、チップ本体３０２の対角方向に外部端子３１１に対向している。また、第２外部端子４５２は、第２方向Ｙに第３側面３０５Ｃに対向し、第１方向Ｘに第４側面３０５Ｄに対向している。

配線３１２は、第１主面電極層３０９の周縁に沿って帯状に延び、外部端子３１１および第２外部端子４６２に接続されている。つまり、第２外部端子４６２は、配線３１２を介して外部端子３１１と同電位に固定される。配線３１２は、この形態では、平面視において環状に形成され、全ての発光部３０６を一括して取り囲んでいる。

以上、面発光レーザ装置４６１によっても面発光レーザ装置３０１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。面発光レーザ装置４６１は、面発光レーザ装置３０１の製造工程に使用される各種マスクのレイアウトを変更するだけで製造できる。

図３１は、本発明の第１４実施形態に係る面発光レーザ装置４７１を示す平面図である。以下では、面発光レーザ装置３０１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図３１を参照して、面発光レーザ装置４７１は、第１方向Ｘに関して第１主面３０３の一端部側（第２側面３０５Ｂ側）の領域に形成された外部端子３１１を含む。外部端子３１１は、この形態では、平面視において第２方向Ｙに沿って延びる長方形状に形成されている。外部端子３１１は、より具体的には、第１側面３０５Ａおよび第２側面３０５Ｂを接続する角部から、第２側面３０５Ｂおよび第３側面３０５Ｃを接続する角部に向けて延びている。

配線３１２は、第１主面電極層３０９の周縁に沿って帯状に延び、外部端子３１１に接続されている。つまり、配線３１２は、平面視において外部端子３１１と一体となった環状に形成され、外部端子３１１と共に全ての発光部３０６を一括して取り囲んでいる。

以上、面発光レーザ装置４７１によっても面発光レーザ装置３０１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。面発光レーザ装置４７１は、面発光レーザ装置３０１の製造工程に使用される各種マスクのレイアウトを変更するだけで製造できる。

図３２は、本発明の第１５実施形態に係る面発光レーザ装置４８１を示す平面図である。図３３は、図３２に示す領域XXXIIIの拡大図である。以下では、面発光レーザ装置３０１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図３２および図３３を参照して、面発光レーザ装置４８１は、第１方向Ｘに関して第１主面３０３の一端部側（第２側面３０５Ｂ側）の領域に形成された外部端子３１１を含む。外部端子３１１は、この形態では、平面視において第２方向Ｙに沿って延びる長方形状に形成されている。外部端子３１１は、より具体的には、第１側面３０５Ａおよび第２側面３０５Ｂを接続する角部から、第２側面３０５Ｂおよび第３側面３０５Ｃを接続する角部に向けて延びている。

配線３１２は、第１主面電極層３０９の周縁に沿って帯状に延び、外部端子３１１に接続されている。つまり、配線３１２は、平面視において外部端子３１１と一体となった環状に形成され、外部端子３１１と共に全ての発光部３０６を一括して取り囲んでいる。

複数の内側電極層３１４は、対応する発光部３０６および外側電極層３１３の間の領域において共通の方向にそれぞれ延びている。各内側電極層３１４は、この形態では、発光部３０６から第２側面３０５Ｂに向けて延びている。つまり、各内側電極層３１４は、外部端子３１１に向けて延びている。

以上、面発光レーザ装置４８１によっても面発光レーザ装置３０１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。面発光レーザ装置４８１は、面発光レーザ装置３０１の製造工程に使用される各種マスクのレイアウトを変更するだけで製造できる。

図３４は、本発明の第１６実施形態に係る面発光レーザ装置４９１を示す平面図であって、第１主面電極層３０９の第１形態例を示す平面図である。図３５は、図３４に示す領域XXXVの拡大図である。以下では、面発光レーザ装置３０１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

面発光レーザ装置３０１は、１対１対応の関係で複数のトレンチ３０７によって区画された複数の発光部３０６を含む。これに対して、図３４および図３５を参照して、面発光レーザ装置４９１は、１つのトレンチ３０７によって一括して区画された複数の発光部３０６を含む。

面発光レーザ装置４９１は、より具体的には、第１主面３０３に形成された複数（この形態では８個）の発光部群４９２を含む。複数の発光部群４９２は、第１方向Ｘに沿って一列に間隔を空けて配列された複数の発光部３０６をそれぞれ含み、第２方向Ｙに間隔を空けて形成されている。

各発光部群４９２は、チップ本体３０２の第１方向Ｘに沿って延びる１つの帯状のトレンチ３０７によって区画されている。各発光部群４９２は、必ずしも１つのトレンチ３０７によって区画されている必要はない。各発光部群４９２は、２つ以上のトレンチ３０７によって区画されていてもよい。

外側電極層３１３は、この形態では、複数の厚膜部３１５を含む。複数の厚膜部３１５は、第２方向Ｙに関して、外側電極層３１３において各トレンチ３０７の両端部側の領域にそれぞれ形成されている。つまり、複数の厚膜部３１５は、外側電極層３１３において各トレンチ３０７の第１側面３０５Ａ側の領域および第３側面３０５Ｃ側の領域にそれぞれ形成されている。

複数の厚膜部３１５は、隣り合う２つのトレンチ３０７の間の領域において第１方向Ｘ（トレンチ３０７）に沿って間隔を空けて形成されている。複数の厚膜部３１５の配列形態は任意である。複数の厚膜部３１５は、この形態では、隣り合う２つのトレンチ３０７の間の領域において、一方側（第１側面３０５Ａ側）のトレンチ３０７内に形成された発光部３０６にそれぞれ対向している。つまり、複数の薄膜部３１６は、隣り合う２つのトレンチ３０７の間の領域において、他方側（第３側面３０５Ｃ側）のトレンチ３０７内に形成された発光部３０６に対向している。

複数の内側電極層３１４は、対応する発光部３０６および外側電極層３１３の間の領域において共通の方向にそれぞれ延びている。各内側電極層３１４は、この形態では、対応する発光部３０６から第１側面３０５Ａに向けて延びている。第１側面３０５Ａは、側面３０５Ａ～３０５Ｄのうちの外部端子３１１に沿う側面である。各内側電極層３１４は、この形態では、各薄膜部３１６に接続されている。

複数の厚膜部３１５および複数の薄膜部３１６の配列が入れ換えられてもよい。つまり、複数の厚膜部３１５は、隣り合う２つのトレンチ３０７の間の領域において、他方側（第３側面３０５Ｃ側）のトレンチ３０７内に形成された発光部３０６に対向してもよい。また、複数の薄膜部３１６は、隣り合う２つのトレンチ３０７の間の領域において、一方側（第１側面３０５Ａ側）のトレンチ３０７内に形成された発光部３０６に対向してもよい。この場合、各内側電極層３１４は、各厚膜部３１５に接続されてもよい。

図３６は、図３５の対応図であって、第１主面電極層３０９の第２形態例を示す拡大図である。以下では、図３４および図３５において述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。

図３６を参照して、各厚膜部３１５は、隣り合う２つのトレンチ３０７の間の領域において、平面視において第１方向Ｘ（トレンチ３０７）に沿って延びる帯状に形成されていてもよい。各厚膜部３１５は、各トレンチ３０７から間隔を空けて形成されていてもよい。

隣り合う２つのトレンチ３０７の間の領域には、２つの薄膜部３１６が形成されていてもよい。２つの薄膜部３１６は、隣り合う２つのトレンチ３０７の間の領域において厚膜部３１５を挟み込んでいる。一方側（第１側面３０５Ａ側）の薄膜部３１６は、平面視において第１方向Ｘ（トレンチ３０７）に沿って延びる帯状に形成されている。他方側（第３側面３０５Ｃ側）の薄膜部３１６は、平面視において第１方向Ｘ（トレンチ３０７）に沿って延びる帯状に形成されている。

以上、面発光レーザ装置４９１によっても面発光レーザ装置３０１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。面発光レーザ装置４９１は、面発光レーザ装置３０１の製造工程に使用される各種マスクのレイアウトを変更するだけで製造できる。

図３７は、本発明の第１７実施形態に係る面発光レーザ装置５０１を示す平面図である。図３８は、図３７に示す領域XXXVIIIの拡大図である。以下では、面発光レーザ装置３０１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図３７および図３８を参照して、面発光レーザ装置５０１は、対応するトレンチ３０７の内壁の全域をそれぞれ被覆する複数の内側電極層３１４を含む。面発光レーザ装置５０１の他の構造は、面発光レーザ装置３０１の構造と同様である。

以上、面発光レーザ装置５０１によれば、内側電極層３１４による効果以外については、面発光レーザ装置３０１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。面発光レーザ装置５０１は、面発光レーザ装置３０１の製造工程に使用される各種マスクのレイアウトを変更するだけで製造できる。

図３９は、本発明の第１８実施形態に係る面発光レーザ装置５１１を示す平面図である。図４０は、図３９に示す領域XLの拡大図である。以下では、面発光レーザ装置３０１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図３９および図４０を参照して、面発光レーザ装置５１１は、厚膜部３１５を有さない外側電極層３１３を含む。つまり、第１主面電極層３０９は、薄膜部３１６からなる。薄膜部３１６は、第１電極膜４１２および第２電極膜４１３を含む。面発光レーザ装置５１１の他の構造は、面発光レーザ装置３０１の構造と同様である。

以上、面発光レーザ装置５１１によれば、厚膜部３１５による効果以外については、面発光レーザ装置３０１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。面発光レーザ装置５１１は、面発光レーザ装置３０１の製造工程に使用される各種マスクのレイアウトを変更するだけで製造できる。

図４１は、本発明の第１９実施形態に係る面発光レーザ装置６０１を示す平面図である。図４２は、図４１に示す領域XLIIの拡大図である。図４３は、図４１に示すXLIII-XLIII線に沿う断面図である。図４４は、図４１に示すXLIV-XLIV線に沿う断面図である。図４５は、図４３に示す領域XLVの拡大図である。図４６は、図４５に示す領域XLVIの拡大図である。図４７は、図４５に示す領域XLVIIの拡大図である。図４８は、図４５に示す領域XLVIIIの拡大図である。

図４１～図４８を参照して、面発光レーザ装置６０１は、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）と称される半導体レーザ装置である。面発光レーザ装置６０１は、直方体形状のチップ本体６０２を含む。

チップ本体６０２は、一方側の第１主面６０３、他方側の第２主面６０４、ならびに、第１主面６０３および第２主面６０４を接続する側面６０５Ａ，６０５Ｂ，６０５Ｃ，６０５Ｄを含む。第１主面６０３および第２主面６０４は、それらの法線方向Ｚから見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において四角形状（この形態では長方形状）に形成されている。

側面６０５Ａ～６０５Ｄは、より具体的には、第１側面６０５Ａ、第２側面６０５Ｂ、第３側面６０５Ｃおよび第４側面６０５Ｄを含む。第１側面６０５Ａおよび第３側面６０５Ｃは、第１方向Ｘに沿って延び、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに対向している。第２方向Ｙは、より具体的には、第１方向Ｘに直交している。第１側面６０５Ａおよび第３側面６０５Ｃは、チップ本体６０２の長辺を形成している。第２側面６０５Ｂおよび第４側面６０５Ｄは、第２方向Ｙに沿って延び、第１方向Ｘに対向している。第２側面６０５Ｂおよび第４側面６０５Ｄは、チップ本体６０２の短辺を形成している。側面６０５Ａ～６０５Ｄは、法線方向Ｚに沿って平面的に延びている。

平面視において第１側面６０５Ａ（第３側面６０５Ｃ）の幅Ｗ１は、２００μｍ以上２０００μｍ以下であってもよい。幅Ｗ１は、２００μｍ以上４００μｍ以下、４００μｍ以上６００μｍ以下、６００μｍ以上８００μｍ以下、８００μｍ以上１０００μｍ以下、１０００μｍ以上１２００μｍ以下、１２００μｍ以上１４００μｍ以下、１４００μｍ以上１６００μｍ以下、１６００μｍ以上１８００μｍ以下、または、１８００μｍ以上２０００μｍ以下であってもよい。幅Ｗ１は、５００μｍ±５μｍであってもよい。

平面視において第２側面６０５Ｂ（第４側面６０５Ｄ）の幅Ｗ２は、２００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。幅Ｗ２は、２００μｍ以上３００μｍ以下、３００μｍ以上４００μｍ以下、４００μｍ以上５００μｍ以下、５００μｍ以上６００μｍ以下、６００μｍ以上７００μｍ以下、７００μｍ以上８００μｍ以下、８００μｍ以上９００μｍ以下、または、９００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。幅Ｗ２は、３４０μｍ±５μｍであってもよい。

図４１および図４２を参照して、面発光レーザ装置６０１は、第１主面６０３に形成され、法線方向Ｚに向けてレーザ光を放出する発光部６０６（半導体発光層）を含む。この形態では、複数の発光部６０６が、平面視において第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに間隔を空けて形成されている。複数の発光部６０６は、規則的に配列されていてもよいし、不規則に配列されていてもよい。複数の発光部６０６は、平面視において千鳥状、行列状または放射状（同心円状）に配列されていることが好ましい。

複数の発光部６０６は、この形態では、平面視において互いに間隔を空けて千鳥状に配列されている。つまり、複数の発光部６０６は、平面視において三角形（この形態では正三角形）の３つの頂点に１つの発光部６０６がそれぞれ位置する態様で配列されている。複数の発光部６０６は、より具体的に、平面視において六角形（この形態では正六角形）の６つの頂点に１つの発光部６０６がそれぞれ位置する態様で配列されている。

複数の発光部６０６は、さらに具体的には、平面視において六角形（この形態では正六角形）の６つの頂点に１つの発光部６０６がそれぞれ位置し、かつ、六角形の中央部に１つの発光部６０６が位置する態様で配列されている。

複数の発光部６０６は、この形態では、平面視において円形状にそれぞれ形成されている。発光部６０６の平面形状は任意である。発光部６０６は、平面視において三角形状、四角形状もしくは六角形状等の多角形状、または、楕円形状に形成されていてもよい。

複数の発光部６０６は、トレンチ６０７（溝）によってそれぞれ区画されている。トレンチ６０７は、第１主面６０３を第２主面６０４に向けて掘り下げることによって形成されている。トレンチ６０７は、平面視において発光部６０６を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。発光部６０６およびトレンチ６０７の具体的な構造は、後述される。

隣り合う２つの発光部６０６の最短距離Ｌ１は、１０μｍ以上１５０μｍ以下であってもよい。最短距離Ｌ１は、最近接する２つの発光部６０６の間の距離である。最短距離Ｌ１は、１０μｍ以上２５μｍ以下、２５μｍ以上５０μｍ以下、５０μｍ以上７５μｍ以下、７５μｍ以上１００μｍ以下、１００μｍ以上１２５μｍ以下、または、１２５μｍ以上１５０μｍ以下であってもよい。

複数の発光部６０６の第１最遠距離Ｌ２は、第１側面６０５Ａ（第３側面６０５Ｃ）の幅Ｗ１に応じて設定される。第１最遠距離Ｌ２は、第１方向Ｘの両端部に位置する最も離れた２つの発光部６０６の間の距離である。

第１最遠距離Ｌ２は、２００μｍ以上２０００μｍ以下であってもよい。第１最遠距離Ｌ２は、２００μｍ以上４００μｍ以下、４００μｍ以上６００μｍ以下、６００μｍ以上８００μｍ以下、８００μｍ以上１０００μｍ以下、１０００μｍ以上１２００μｍ以下、１２００μｍ以上１４００μｍ以下、１４００μｍ以上１６００μｍ以下、１６００μｍ以上１８００μｍ以下、または、１８００μｍ以上２０００μｍ以下であってもよい。

複数の発光部６０６の第２最遠距離Ｌ３は、第２側面６０５Ｂ（第４側面６０５Ｄ）の幅Ｗ２に応じて設定される。第２最遠距離Ｌ３は、第２方向Ｙの両端部に位置する最も離れた２つの発光部６０６の間の距離である。

第２最遠距離Ｌ３は、２００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。第２最遠距離Ｌ３は、２００μｍ以上３００μｍ以下、３００μｍ以上４００μｍ以下、４００μｍ以上５００μｍ以下、５００μｍ以上６００μｍ以下、６００μｍ以上７００μｍ以下、７００μｍ以上８００μｍ以下、８００μｍ以上９００μｍ以下、または、９００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。

図４１～図４４を参照して、面発光レーザ装置６０１は、第１主面６０３の上に形成された絶縁層６０８を含む。絶縁層６０８は、複数の発光部６０６を一括して被覆している。絶縁層６０８は、第１主面６０３の上から各トレンチ６０７に入り込んでいる。絶縁層６０８は、各トレンチ６０７内において発光部６０６を被覆している。

絶縁層６０８は、側面６０５Ａ～６０５Ｄから内方に間隔を空けて形成され、第１主面６０３の周縁部を露出させている。絶縁層６０８の周縁は、側面６０５Ａ～６０５Ｄとの間でダイシングストリートＤＳを区画している。ダイシングストリートＤＳは、第１主面６０３の周縁部（側面６０５Ａ～６０５Ｄ）に沿って帯状に延びている。ダイシングストリートＤＳは、平面視において絶縁層６０８を取り囲む環状（この形態では四角環状）に形成されている。

ダイシングストリートＤＳの幅ＷＤは、１μｍ以上２５μｍ以下であってもよい。幅ＷＤは、１μｍ以上５μｍ以下、５μｍ以上１０μｍ以下、１０μｍ以上１５μｍ以下、１５μｍ以上２０μｍ以下、または、２０μｍ以上２５μｍ以下であってもよい。幅ＷＤは、平面視においてダイシングストリートＤＳが延びる方向に直交する方向の幅である。

ダイシングストリートＤＳの幅ＷＤは、１μｍ以上２５μｍ以下であってもよい。幅ＷＤは、１μｍ以上５μｍ以下、５μｍ以上１０μｍ以下、１０μｍ以上１５μｍ以下、１５μｍ以上２０μｍ以下、または、２０μｍ以上２５μｍ以下であってもよい。幅ＷＤは、平面視においてダイシングストリートＤＳが延びる方向に直交する方向の幅である。

面発光レーザ装置６０１は、第１主面６０３の上に形成され、発光部６０６に電気的に接続された第１主面電極層６０９を含む。第１主面電極層６０９は、より具体的には、絶縁層６０８の上に形成されている。第１主面電極層６０９は、複数の発光部６０６を一括して被覆している。第１主面電極層６０９は、絶縁層６０８の上から各トレンチ６０７に入り込んでいる。第１主面電極層６０９は、各トレンチ６０７内において各発光部６０６に電気的に接続されている。

第１主面電極層６０９は、側面６０５Ａ～６０５Ｄから内方に間隔を空けて形成され、第１主面６０３の周縁部を露出させている。第１主面電極層６０９は、さらに、絶縁層６０８の周縁から内方に間隔を空けて形成され、絶縁層６０８の周縁部を露出させている。このような構造によれば、第１主面電極層６０９を物理的に切断しなくて済む。これにより、第１主面電極層６０９の切断に起因するチップ本体６０２や第１主面電極層６０９等のクラックを抑制できる。また、ダイシングブレード等の摩耗を抑制できると同時に切断時間を短縮できる。

面発光レーザ装置６０１は、第１主面電極層６０９の上に形成された外部端子６１１を含む。図４１では、外部端子６１１がハッチングによって示されている。外部端子６１１には、ボンディングワイヤ等の導線が外部接続される。外部端子６１１は、第１主面電極層６０９の周縁部に配置されている。外部端子６１１は、この形態では、第１主面電極層６０９の周縁部において第１側面６０５Ａに沿う領域に配置されている。これにより、導線が発光部６０６の上を横切ることを防止できるから、第１主面６０３から光を適切に取り出すことができる。

図４３～図４５を参照して、チップ本体６０２は、基板６２０、および、基板６２０の上に積層された半導体積層構造６２１（半導体層）を含む。第１主面６０３は、半導体積層構造６２１によって形成されている。第２主面６０４は、基板６２０によって形成されている。側面６０５Ａ～６０５Ｄは、基板６２０および半導体積層構造６２１によって形成されている。

基板６２０は、化合物半導体材料を含む。基板６２０は、より具体的には、正方晶を形成する化合物半導体材料の単結晶を含む。化合物半導体材料は、III-V族半導体材料であってもよい。基板６２０は、この形態では、ｎ型不純物を含むＧａＡｓ単結晶からなる。基板６２０のｎ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^－３以上５×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。基板６２０のｎ型不純物は、シリコンであってもよい。

基板６２０は、一方側の第１基板主面６２２および他方側の第２基板主面６２３を含む。第２基板主面６２３は、第２主面６０４を形成している。第１基板主面６２２は、ＧａＡｓ単結晶の（１００）面に面している。第１基板主面６２２は、ＧａＡｓ単結晶の（１００）面に対して０°以上５°以下の角度で傾斜したオフ角を有している。オフ角が０°の場合、第１基板主面６２２はＧａＡｓ単結晶の（１００）面によって形成される。オフ角は、典型的には２°（より具体的には２°±０．２°の範囲）に設定される。

基板６２０の厚さＴＳは、５０μｍ以上３００μｍ以下であってもよい。厚さＴＳは、５０μｍ以上１００μｍ以下、１００μｍ以上１５０μｍ以下、１５０μｍ以上２００μｍ、２００μｍ以上２５０μｍ以下、または、２５０μｍ以上３００μｍ以下であってもよい。

半導体積層構造６２１は、第１基板主面６２２の上に化合物半導体（より具体的には、III-V族半導体）を結晶成長させることにより形成されている。半導体積層構造６２１は、第１基板主面６２２と同じ結晶面を有する複数の化合物半導体層を含む積層構造を有している。

半導体積層構造６２１は、より具体的には、第１基板主面６２２側からこの順に積層されたｎ型半導体層６２４、活性層６２５およびｐ型半導体層６２６を含む。ｎ型半導体層６２４、活性層６２５およびｐ型半導体層６２６は、ダブルヘテロ構造を形成している。ｎ型半導体層６２４は、活性層６２５に電子を供給する。ｐ型半導体層６２６は、活性層６２５に正孔を供給する。活性層６２５は、電子および正孔の再結合によって光を生成する。

活性層６２５において赤外光が生成されてもよい。活性層６２５は、８００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲に発光波長を有する光を生成してもよい。活性層６２５の発光波長は、９００ｎｍ以上９５０ｎｍ以下であってもよい。

ｎ型半導体層６２４は、第１基板主面６２２側からこの順に積層されたｎ型バッファ層６２７、ｎ型光反射層６２８およびｎ型クラッド層６２９を含む。ｎ型バッファ層６２７は、この形態では、ｎ型のＧａＡｓを含む。ｎ型バッファ層６２７のｎ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^－３以上５×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。ｎ型バッファ層６２７のｎ型不純物は、シリコンであってもよい。

ｎ型バッファ層６２７の厚さは、０．０５μｍ以上０．２μｍ以下であってもよい。ｎ型バッファ層６２７の厚さは、０．０５μｍ以上０．１μｍ以下、０．１μｍ以上０．１５μｍ以下、または、０．１５μｍ以上０．２μｍ以下であってもよい。

ｎ型光反射層６２８は、この形態では、ｎ型ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector：分布ブラッグ反射）層を含む。ｎ型ＤＢＲ層は、法線方向Ｚに沿って周期的に変化する屈折率を有し、特定の波長成分を共振反射させる。特定の波長成分は、活性層６２５で生成された光の波長成分である。

ｎ型光反射層６２８は、Ａｌ（アルミニウム）組成を含む複数のＡｌ組成層が積層された積層構造を有している。複数のＡｌ組成層は、互いに異なる屈折率をそれぞれ有している。ｎ型光反射層６２８は、この形態では、Ａｌ組成αを有するｎ型高Ａｌ組成層６３０、および、Ａｌ組成α未満のＡｌ組成β（β＜α）を有するｎ型低Ａｌ組成層６３１が任意の周期で交互に積層された積層構造を有している。ｎ型低Ａｌ組成層６３１の屈折率は、ｎ型高Ａｌ組成層６３０の屈折率よりも大きい。

ｎ型高Ａｌ組成層６３０およびｎ型低Ａｌ組成層６３１は、１以上６０以下の周期で交互に積層されていてもよい。ｎ型高Ａｌ組成層６３０およびｎ型低Ａｌ組成層６３１の積層周期は、１以上１０以下、１０以上２０以下、２０以上３０以下、３０以上４０以下、４０以上５０以下、または、５０以上６０以下であってもよい。

ｎ型高Ａｌ組成層６３０は、ｎ型のＡｌ_αＧａ_{（１－α）}Ａｓを含んでいてもよい。ｎ型高Ａｌ組成層６３０のｎ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^－３以上５×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。ｎ型高Ａｌ組成層６３０のｎ型不純物は、シリコンであってもよい。

Ａｌ組成αは、０．５以上０．９５以下であってもよい。Ａｌ組成αは、０．５以上０．５５以下、０．５５以上０．６以下、０．６以上０．６５以下、０．６５以上０．７以下、０．７以上０．７５以下、０．７５以上０．８以下、０．８以上０．８５以下、０．８５以上０．９以下、または、０．９以上０．９５以下であってもよい。

ｎ型低Ａｌ組成層６３１は、ｎ型のＡｌ_βＧａ_{（１－β）}Ａｓを含んでいてもよい。ｎ型低Ａｌ組成層６３１のｎ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^－３以上５×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。ｎ型低Ａｌ組成層６３１のｎ型不純物は、シリコンであってもよい。

Ａｌ組成βは、０．０５以上０．２５以下であってもよい。Ａｌ組成βは、０．０５以上０．１以下、０．１以上０．１５以下、０．１５以上０．２以下、または、０．２以上０．２５以下であってもよい。

ｎ型高Ａｌ組成層６３０の厚さは、λ／（４×ｎ１）Åであってもよい。ｎ型低Ａｌ組成層６３１の厚さは、λ／（４×ｎ２）Åであってもよい。λは、活性層６２５で生成される光の波長である。ｎ１は、ｎ型高Ａｌ組成層６３０の屈折率である。ｎ２は、ｎ型低Ａｌ組成層６３１の屈折率である。

ｎ型高Ａｌ組成層６３０の厚さは、５００Å以上９００Å以下であってもよい。ｎ型高Ａｌ組成層６３０の厚さは、５００Å以上６００Å以下、６００Å以上７００Å以下、７００Å以上８００Å以下、または、８００Å以上９００Å以下であってもよい。

ｎ型低Ａｌ組成層６３１の厚さは、４００Å以上８００Å以下であってもよい。ｎ型低Ａｌ組成層６３１の厚さは、４００Å以上５００Å以下、５００Å以上６００Å以下、６００Å以上７００Å以下、または、７００Å以上８００Å以下であってもよい。ｎ型低Ａｌ組成層６３１の厚さは、ｎ型高Ａｌ組成層６３０の厚さ以下であってもよい。ｎ型低Ａｌ組成層６３１の厚さは、ｎ型高Ａｌ組成層６３０の厚さ未満であってもよい。

ｎ型クラッド層６２９は、この形態では、ｎ型のＡｌ_γＧａ_{（１－γ）}Ａｓを含む。ｎ型クラッド層６２９のｎ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^－３以上５×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。ｎ型クラッド層６２９のｎ型不純物は、シリコンであってもよい。ｎ型クラッド層６２９は、不純物無添加（アンドープ）であってもよい。

ｎ型クラッド層６２９のＡｌ組成γは、ｎ型低Ａｌ組成層６３１のＡｌ組成βを超えて、ｎ型高Ａｌ組成層６３０のＡｌ組成α未満（β＜γ＜α）であってもよい。ｎ型クラッド層６２９のＡｌ組成γは、０．２以上０．７以下であってもよい。

Ａｌ組成γは、０．２以上０．２５以下、０．２５以上０．３以下、０．３以上０．３５以下、０．３５以上０．４以下、０．４以上０．４５以下、０．４５以上０．５以下、０．５以上０．５５以下、０．５５以上０．６以下、０．６以上０．６５以下、または、０．６５以上０．７以下であってもよい。

ｎ型クラッド層６２９の厚さは、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。ｎ型クラッド層６２９の厚さは、０．０５μｍ以上０．１μｍ以下、０．１μｍ以上０．２μｍ以下、０．２μｍ以上０．３μｍ以下、０．３μｍ以上０．４μｍ以下、または、０．４μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。

活性層６２５は、量子井戸層および障壁層を含むＱＷ（Quantum Well：量子井戸構造）を有していてもよい。活性層６２５は、この形態では、量子井戸層および障壁層が任意の周期で交互に積層されたＭＱＷ（Multi Quantum Well：多重量子井戸）構造を有している。量子井戸層および障壁層は、１以上５０以下の周期で交互に積層されていてもよい。量子井戸層および障壁層の積層周期は、１以上１０以下、１０以上２０以下、２０以上３０以下、３０以上４０以下、または、４０以上５０以下であってもよい。

量子井戸層は、ＧａＡｓを含んでいてもよい。量子井戸層は、不純物無添加であってもよい。量子井戸層の厚さは、１０Å以上２００Å以下であってもよい。量子井戸層の厚さは、１０Å以上５０Å以下、５０Å以上１００Å以下、１００Å以上１５０Å以下、または、１５０Å以上２００Å以下であってもよい。

障壁層は、量子井戸層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有している。障壁層は、Ａｌ_δＧａ_{（１－δ）}Ａｓを含んでいてもよい。Ａｌ組成δは、０．１５以上０．５以下であってもよい。Ａｌ組成δは、０．１５以上０．２以下、０．２以上０．２５以下、０．２５以上０．３以下、０．３以上０．３５以下、０．３５以上０．４以下、０．４以上０．４５以下、または、０．４５以上０．５以下であってもよい。

障壁層の厚さは、１０Å以上２００Å以下であってもよい。障壁層の厚さは、１０Å以上５０Å以下、５０Å以上１００Å以下、１００Å以上１５０Å以下、または、１５０Å以上２００Å以下であってもよい。

活性層６２５の総厚さＴＡは２００Å以上１６００Å以下であってもよい。総厚さＴＡは、２００Å以上４００Å以下、４００Å以上６００Å以下、６００Å以上８００Å以下、８００Å以上１０００Å以下、１０００Å以上１２００Å以下、１２００Å以上１４００Å以下、または、１４００Å以上１６００Å以下であってもよい。

活性層６２５の最下層および最上層は、障壁層によってそれぞれ形成されていてもよい。活性層６２５の最下層および最上層を形成する２つ障壁層の厚さは、活性層６２５において中間層を形成する１つまたは複数の障壁層の厚さを超えていてもよい。

ｐ型半導体層６２６は、活性層６２５側からこの順に積層されたｐ型クラッド層６３２、ｐ型光反射層６３３およびｐ型コンタクト層６３４を含む。ｐ型クラッド層６３２は、この形態では、ｐ型のＡｌ_εＧａ_{（１－ε）}Ａｓを含む。ｐ型クラッド層６３２のｐ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^－３以上５×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。ｐ型クラッド層６３２のｐ型不純物は、炭素であってもよい。

Ａｌ組成εは、０．２以上０．７以下であってもよい。Ａｌ組成εは、０．２以上０．２５以下、０．２５以上０．３以下、０．３以上０．３５以下、０．３５以上０．４以下、０．４以上０．４５以下、０．５以上０．５５以下、０．５５以上０．６以下、０．６以上０．６５以下、または、０．６５以上０．７以下であってもよい。

ｐ型クラッド層６３２の厚さは、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。ｐ型クラッド層６３２の厚さは、０．０５μｍ以上０．１μｍ以下、０．１μｍ以上０．２μｍ以下、０．２μｍ以上０．３μｍ以下、０．３μｍ以上０．４μｍ以下、または、０．４μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。

ｐ型光反射層６３３は、この形態では、ｐ型ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector：分布ブラッグ反射）層を含む。ｐ型ＤＢＲ層は、法線方向Ｚに周期的に変化する屈折率を有し、特定の波長成分を共振反射させる。特定の波長成分は、活性層６２５で生成された光の波長成分である。

ｐ型光反射層６３３は、Ａｌ（アルミニウム）組成を含む複数のＡｌ組成層が積層された積層構造を有している。複数のＡｌ組成層は、互いに異なる屈折率をそれぞれ有している。ｐ型光反射層６３３は、この形態では、Ａｌ組成ζを有するｐ型高Ａｌ組成層６３５、および、Ａｌ組成ζ未満のＡｌ組成η（η＜ζ）を有するｐ型低Ａｌ組成層６３６が任意の周期で交互に積層された積層構造を有している。ｐ型低Ａｌ組成層６３６の屈折率は、ｐ型高Ａｌ組成層６３５の屈折率よりも大きい。

ｐ型高Ａｌ組成層６３５およびｐ型低Ａｌ組成層６３６は、１以上６０以下の周期で交互に積層されていてもよい。ｐ型高Ａｌ組成層６３５およびｐ型低Ａｌ組成層６３６の積層周期は、１以上１０以下、１０以上２０以下、２０以上３０以下、３０以上４０以下、４０以上５０以下、または、５０以上６０以下であってもよい。

ｐ型高Ａｌ組成層６３５は、ｐ型のＡｌ_ζＧａ_{（１－ζ）}Ａｓを含んでいてもよい。ｐ型高Ａｌ組成層６３５のｐ型不純物濃度は、１×１０^１８ｃｍ^－３以上１×１０^１９ｃｍ^－３以下であってもよい。ｐ型高Ａｌ組成層６３５のｐ型不純物は、炭素であってもよい。

Ａｌ組成ζは、ｐ型クラッド層６３２のＡｌ組成εを超えていてもよい（ε＜ζ）。Ａｌ組成ζは、０．５以上０．９５以下であってもよい。Ａｌ組成ζは、０．５以上０．５５以下、０．５５以上０．６以下、０．６以上０．６５以下、０．６５以上０．７以下、０．７以上０．７５以下、０．７５以上０．８以下、０．８以上０．８５以下、０．８５以上０．９以下、または、０．９以上０．９５以下であってもよい。

ｐ型低Ａｌ組成層６３６は、ｐ型のＡｌ_ηＧａ_{（１－η）}Ａｓを含んでいてもよい。ｐ型低Ａｌ組成層６３６のｐ型不純物濃度は、１×１０^１８ｃｍ^－３以上１×１０^１９ｃｍ^－３以下であってもよい。ｐ型低Ａｌ組成層６３６のｐ型不純物は、炭素であってもよい。

Ａｌ組成ηは、ｐ型クラッド層６３２のＡｌ組成ε未満（η＜ε＜ζ）であってもよい。Ａｌ組成ηは、０．０５以上０．２５以下であってもよい。Ａｌ組成ηは、０．０５以上０．１以下、０．１以上０．１５以下、０．１５以上０．２以下、または、０．２以上０．２５以下であってもよい。

ｐ型高Ａｌ組成層６３５の厚さは、λ／（４×ｎ３）Åであってもよい。ｐ型低Ａｌ組成層６３６の厚さは、λ／（４×ｎ４）Åであってもよい。λは、活性層６２５で生成される光の波長である。ｎ３は、ｐ型高Ａｌ組成層６３５の屈折率である。ｎ４は、ｐ型低Ａｌ組成層６３６の屈折率である。

ｐ型高Ａｌ組成層６３５の厚さは、５００Å以上９００Å以下であってもよい。ｐ型高Ａｌ組成層６３５の厚さは、５００Å以上６００Å以下、６００Å以上７００Å以下、７００Å以上８００Å以下、または、８００Å以上９００Å以下であってもよい。

ｐ型低Ａｌ組成層６３６の厚さは、４００Å以上８００Å以下であってもよい。ｐ型低Ａｌ組成層６３６の厚さは、４００Å以上５００Å以下、５００Å以上６００Å以下、６００Å以上７００Å以下、または、７００Å以上８００Å以下であってもよい。ｐ型低Ａｌ組成層６３６の厚さは、ｐ型高Ａｌ組成層６３５の厚さ以下であってもよい。ｐ型低Ａｌ組成層６３６の厚さは、ｐ型高Ａｌ組成層６３５の厚さ未満であってもよい。

ｐ型コンタクト層６３４は、チップ本体６０２の第１主面６０３を形成している。ｐ型コンタクト層６３４は、この形態では、ｐ型のＧａＡｓを含む。ｐ型コンタクト層６３４のｐ型不純物濃度は、ｐ型光反射層６３３のｐ型不純物濃度を超えていることが好ましい。ｐ型コンタクト層６３４のｐ型不純物濃度は、１×１０^１９ｃｍ^－３以上１×１０^２０ｃｍ^－３以下であってもよい。ｐ型コンタクト層６３４のｐ型不純物は、炭素であってもよい。

ｐ型コンタクト層６３４の厚さは、０．０２μｍ以上０．２μｍ以下であってもよい。ｐ型コンタクト層６３４の厚さは、０．０２μｍ以上０．０５μｍ以下、０．０５μｍ以上０．１μｍ以下、０．１μｍ以上０．１５μｍ以下、または、０．１５μｍ以上０．２μｍ以下であってもよい。

図４３～図４５を参照して、複数の発光部６０６は、半導体積層構造６２１に形成されている。各発光部６０６は、トレンチ６０７によって区画された台地状のメサ構造６４１を有している。トレンチ６０７は、半導体積層構造６２１の主面（チップ本体６０２の第１主面６０３）に形成されている。トレンチ６０７は、ｐ型コンタクト層６３４、ｐ型光反射層６３３および活性層６２５を貫通し、ｎ型半導体層６２４を露出させている。トレンチ６０７は、ｎ型半導体層６２４においてｎ型クラッド層６２９を貫通し、ｎ型光反射層６２８を露出させている。

トレンチ６０７は、平面視において発光部６０６を取り囲む環状に形成されている。トレンチ６０７は、この形態では、断面視において第１主面６０３側の開口面積が底壁側の開口面積よりも大きい先細り形状（テーパ形状）に形成されている。

トレンチ６０７は、内周壁６４２、外周壁６４３、ならびに、内周壁６４２および外周壁６４３を接続する底壁６４４を有している。内周壁６４２および外周壁６４３は、ｎ型半導体層６２４の一部およびｐ型半導体層６２６を露出させている。ｎ型半導体層６２４の一部は、ｎ型光反射層６２８の一部およびｎ型クラッド層６２９である。底壁６４４は、ｎ型光反射層６２８を露出させている。

内周壁６４２は、メサ構造６４１（発光部６０６）を区画している。つまり、内周壁６４２は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。内周壁６４２の平面形状は任意であり、メサ構造６４１（発光部６０６）の平面形状に応じて調整される。内周壁６４２は、平面視において三角形状、四角形状もしくは六角形状等の多角形状、または、楕円形状に形成されていてもよい。

外周壁６４３は、内周壁６４２から間隔を空けて内周壁６４２（発光部６０６）を取り囲んでいる。外周壁６４３は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。外周壁６４３の平面形状は任意である。外周壁６４３は、平面視において三角形状、四角形状もしくは六角形状等の多角形状、または、楕円形状に形成されていてもよい。

底壁６４４は、第１主面６０３に対して平行に形成されていてもよい。底壁６４４は、平面視において発光部６０６（メサ構造６４１）を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。底壁６４４の平面形状は、内周壁６４２の平面形状および外周壁６４３の平面形状に応じて、三角環状、四角環状もしくは六角環状等の多角環状、または、楕円環状に形成されていてもよい。

各メサ構造６４１は、頂部６４５、基部６４６、ならびに、頂部６４５および基部６４６を接続する側壁６４７を含む。頂部６４５は、第１主面６０３に対して平行に延びている。頂部６４５は、この形態では、第１主面６０３の一部によって形成されている。つまり、頂部６４５は、ｐ型半導体層６２６によって形成されている。頂部６４５は、より具体的には、ｐ型コンタクト層６３４によって形成されている。

頂部６４５は、トレンチ６０７の内周壁６４２によって区画されている。頂部６４５は、平面視において円形状に形成されている。頂部６４５の平面形状は任意である。頂部６４５は、内周壁６４２の平面形状に応じて、平面視において三角形状、四角形状もしくは六角形状等の多角形状、または、楕円形状に形成されていてもよい。

頂部６４５の幅ＷＭは、１０μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。幅ＷＭは、１０μｍ以上１５μｍ以下、１５μｍ以上２０μｍ以下、２０μｍ以上２５μｍ以下、２５μｍ以上３０μｍ以下、３０μｍ以上３５μｍ以下、または、３５μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。

基部６４６は、ｎ型半導体層６２４によって形成されている。基部６４６は、この形態では、ｎ型光反射層６２８によって形成されている。基部６４６は、トレンチ６０７の内周壁６４２によって区画されている。基部６４６は、トレンチ６０７の底壁６４４およびメサ構造６４１の側壁６４７を接続する接続部である。

基部６４６は、平面視において円形状に形成されている。基部６４６の平面形状は任意である。基部６４６は、頂部６４５の平面形状に応じて、平面視において三角形状、四角形状もしくは六角形状等の多角形状、または、楕円形状に形成されていてもよい。基部６４６の平面積は、頂部６４５の平面積を超えている。

側壁６４７は、トレンチ６０７の内周壁６４２によって形成されている。側壁６４７は、頂部６４５から基部６４６に向けて下り傾斜している。これにより、各メサ構造６４１は、錐台形状に形成されている。各メサ構造６４１は、この形態では、円錐台形状に形成されている。各メサ構造６４１は、頂部６４５および基部６４６の平面形状に応じて、三角錐台形状、四角錐台形状もしくは六角錐台形状等の多角錐台形状、または、楕円錐台形状に形成されていてもよい。

側壁６４７が頂部６４５との間で成す角度θＭ（絶対値）は、９０°以上１７０°以下であってもよい。角度θＭは、断面視において頂部６４５の周縁点および基部６４６の周縁点を結ぶラインが、メサ構造６４１内において頂部６４５との間で成す角度である。

角度θＭは、９０°以上１００°以下、１００°以上１１０°以下、１１０°以上１２０°以下、１２０°以上１３０°以下、１３０°以上１４０°以下、１４０°以上１５０°以下、１５０°以上１６０°以下、または、１６０°以上１７０°以下であってもよい。

メサ構造６４１の厚さＴＭは、１μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。厚さＴＭは、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上４μｍ以下、４μｍ以上６μｍ以下、６μｍ以上８μｍ以下、または、８μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。厚さＴＭは、頂部６４５および基部６４６の間の法線方向Ｚに沿う距離である。

図４３～図４５を参照して、面発光レーザ装置６０１は、各メサ構造６４１に係るｐ型半導体層６２６において頂部６４５および活性層６２５の間の任意の領域に介在された電流狭窄層６５１を含む。電流狭窄層６５１は、活性層６２５に供給される電流を狭窄する。

電流狭窄層６５１は、活性層６２５およびｐ型光反射層６３３の間の領域に介在されていることが好ましい。電流狭窄層６５１は、この形態では、ｐ型クラッド層６３２およびｐ型光反射層６３３の間の領域に介在されている。電流狭窄層６５１は、メサ構造６４１の側壁６４７から露出している。

電流狭窄層６５１は、ｐ型クラッド層６３２の内部に介在されていてもよい。この場合、電流狭窄層６５１は、複数（たとえば２つ）のｐ型クラッド層６３２の間の領域に介在されていてもよい。つまり、電流狭窄層６５１およびｐ型光反射層６３３の間の領域に別のｐ型クラッド層６３２が形成されていてもよい。別のｐ型クラッド層６３２の構造は、活性層６２５および電流狭窄層６５１の間の領域に形成されたｐ型クラッド層６３２と同様であるので、具体的に説明は省略する。

電流狭窄層６５１の厚さＴＣは、０．０１μｍ以上０．１μｍ以下であってもよい。厚さＴＣは、０．０１μｍ以上０．０２μｍ以下、０．０２μｍ以上０．０４μｍ以下、０．０４μｍ以上０．０６μｍ以下、０．０６μｍ以上０．０８μｍ以下、または、０．０８μｍ以上０．１μｍ以下であってもよい。

電流狭窄層６５１は、ｐ型電流通過層６５２および電流狭窄絶縁層６５３を含む。ｐ型電流通過層６５２は、メサ構造６４１の内方領域に形成されている。ｐ型電流通過層６５２は、より具体的には、平面視においてメサ構造６４１の中央部に形成されている。ｐ型電流通過層６５２は、この形態では、ｐ型のＡｌ_σＧａ_{（１－σ）}Ａｓを含む。ｐ型電流通過層６５２のｐ型不純物濃度は、１×１０^１８ｃｍ^－３以上１×１０^２０ｃｍ^－３以下であってもよい。ｐ型電流通過層６５２のｐ型不純物は、炭素であってもよい。

Ａｌ組成σは、ｐ型クラッド層６３２のＡｌ組成εを超えている（ε＜σ）。Ａｌ組成σは、ｐ型光反射層６３３のｐ型高Ａｌ組成層６３５のＡｌ組成ζを超えている（ζ＜σ）。Ａｌ組成σは、０．９以上１．０以下であってもよい。Ａｌ組成σは、０．９以上０．９５以下、または、０．９５以上１．０以下であってもよい。Ａｌ組成σは、１．０未満であってもよい。

平面視におけるｐ型電流通過層６５２の最大幅ＴＰは、１μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。最大幅ＴＰは、１μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上５μｍ以下、５μｍ以上７μｍ以下、７μｍ以上９μｍ以下、９μｍ以上１１μｍ以下、１１μｍ以上１３μｍ以下、または、１３μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。

電流狭窄絶縁層６５３は、ｐ型電流通過層６５２に対してメサ構造６４１の側壁６４７側に形成されている。電流狭窄絶縁層６５３は、平面視においてｐ型電流通過層６５２を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

電流狭窄絶縁層６５３は、Ａｌ（アルミニウム）を含むＡｌ酸化物層によって形成されている。電流狭窄絶縁層６５３は、より具体的には、ｐ型電流通過層６５２の一部をメサ構造６４１の側壁６４７側から酸化させることによって形成されている。つまり、電流狭窄絶縁層６５３は、Ａｌ酸化物中にＧａ（ガリウム）およびＡｓ（砒素）を含む。

各メサ構造６４１は、外部端子６１１から半導体積層構造６２１に供給される電流を狭窄する。したがって、メサ構造６４１の内部においてｎ型半導体層６２４、活性層６２５およびｐ型半導体層６２６には比較的高い電流密度を有する電流が流れる。これにより、活性層６２５において生成される光の発光効率が高められている。

メサ構造６４１の電流密度は、メサ構造６４１のサイズに反比例する。つまり、メサ構造６４１のサイズが小さい程、電流狭窄効果が高まるので、メサ構造６４１の電流密度は増加する。一方、メサ構造６４１のサイズが大きい程、電流狭窄効果が低減するので、メサ構造６４１の電流密度は減少する。

各メサ構造６４１の内部を流れる電流は、さらに、電流狭窄絶縁層６５３を迂回してｐ型電流通過層６５２に流れ込む。これにより、ｐ型電流通過層６５２を介して活性層６２５に供給される電流の密度が高められる。活性層６２５において法線方向Ｚにｐ型電流通過層６５２に対向する領域が、発光領域６５４となる。

各活性層６２５において生成された光は、メサ構造６４１内においてｎ型光反射層６２８およびｐ型光反射層６３３の間を法線方向Ｚに沿って往復しながら、共振によって増幅される。増幅された光は、各メサ構造６４１の頂部６４５からレーザ光として取り出される。

トレンチ６０７の外周壁６４３から露出するメサ構造６４１外の半導体積層構造６２１にも電流狭窄層６５１に対応した層が形成されている。メサ構造６４１外の電流狭窄層６５１に対応した層は、電流狭窄の機能を生じさせない点を除いて、メサ構造６４１内の電流狭窄層６５１と略同様の構造を有している。

メサ構造６４１外の電流狭窄層６５１に対応した層については、電流狭窄の機能を生じさせない点を除いて、電流狭窄層６５１の説明が準用される。メサ構造６４１外の電流狭窄層６５１に対応した層については、電流狭窄層６５１と同一符号を付して説明を省略する。

図４５～図４７を参照して、各メサ構造６４１の側壁６４７は、凹凸構造（Uneven Structure）６６１を含む。凹凸構造６６１は、頂部６４５の接線方向に隆起した凹凸を含む。接線方向は、メサ構造６４１の頂部６４５に平行な方向であり、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙを含む。凹凸構造６６１の凹凸は、頂部６４５の法線方向Ｚに沿って連続的に形成されている。

凹凸構造６６１は、メサ構造６４１の基部６４６側の基部側領域６６２、および、メサ構造６４１の頂部６４５側の頂部側領域６６３を含む。基部側領域６６２は、ｎ型半導体層６２４の露出部に形成されている。頂部側領域６６３は、ｐ型半導体層６２６の露出部に形成されている。

側壁６４７から露出するｐ型半導体層６２６の表面積ＳＰは、側壁６４７から露出するｎ型半導体層６２４の表面積ＳＮ以上であることが好ましい（ＳＮ≦ＳＰ）。表面積ＳＰは、表面積ＳＮを超えていることがさらに好ましい（ＳＮ＜ＳＰ）。つまり、頂部側領域６６３の表面積ＳＴは、基部側領域６６２の表面積ＳＢ以上であることが好ましい（ＳＢ≦ＳＴ）。また、表面積ＳＴは、表面積ＳＢを超えていることがさらに好ましい（ＳＢ＜ＳＴ）。

基部側領域６６２は、メサ構造６４１の側壁６４７から露出するｎ型光反射層６２８の露出部によって区画されている。この形態では、メサ構造６４１の側壁６４７から露出するｎ型クラッド層６２９の露出部も、基部側領域６６２の一部を区画している。

頂部側領域６６３は、メサ構造６４１の側壁６４７から露出するｐ型光反射層６３３の露出部によって区画されている。この形態では、メサ構造６４１の側壁６４７から露出するｐ型コンタクト層６３４の露出部も、頂部側領域６６３の一部を区画している。また、この形態では、メサ構造６４１の側壁６４７から露出する電流狭窄層６５１（電流狭窄絶縁層６５３）の露出部も、頂部側領域６６３の一部を区画している。

基部側領域６６２は、複数のリセス部６６４および複数の突出部６６５を含む。基部側領域６６２は、複数のリセス部６６４および複数の突出部６６５が頂部６４５側から基部６４６側に向けて交互に形成された部分を含む。頂部側領域６６３は、基部側領域６６２と同様に、複数のリセス部６６４および複数の突出部６６５を含む。頂部側領域６６３は、複数のリセス部６６４および複数の突出部６６５が頂部６４５側から基部６４６側に向けて交互に形成された部分を含む。

リセス部６６４は、頂部６４５の接線方向に関して、突出部６６５に対してメサ構造６４１の内側に向けて窪んだ部分である。つまり、突出部６６５は、頂部６４５の接線方向に関して、リセス部６６４に対してメサ構造６４１の外側に向けて突出した部分である。

各リセス部６６４は、法線方向Ｚに隣り合う複数の突出部６６５の間の領域に区画されている。各リセス部６６４は、より具体的には、法線方向Ｚに隣り合う２つの突出部６６５の頂点に対してメサ構造６４１の内方領域に形成されている。

各リセス部６６４は、さらに具体的には、法線方向Ｚに隣り合う複数の突出部６６５の頂点を結ぶ突出部ラインＬＰを設定すると、突出部ラインＬＰよりもメサ構造６４１の内方に位置する部分を含む。図４６および図４７では、突出部ラインＬＰが二点鎖線によって示されている。各リセス部６６４の全体が、突出部ラインＬＰよりもメサ構造６４１の内方に位置していてもよい。

１つまたは複数のリセス部６６４は、メサ構造６４１の内側に向かって窪んだ湾曲面を有していてもよい。１つまたは複数のリセス部６６４は、メサ構造６４１の角度θＭとは異なるまたは等しい角度θＲＣで傾斜した傾斜面を有していてもよい。図４６および図４７では、凹湾曲面を有する複数のリセス部６６４、および、傾斜面を有する１つのリセス部６６４が一例として示されている。

リセス部６６４が傾斜面を有する場合、リセス部６６４の角度θＲＣ（絶対値）は、６０°以上１７０°以下であってもよい。角度θＲＣは、メサ構造６４１の頂部６４５を基準としたき、メサ構造６４１内においてリセス部６６４の傾斜面が頂部６４５に対して成す角度である。

角度θＲＣは、６０°以上７０°以下、７０°以上８０°以下、８０°以上９０°以下、９０°以上１００°以下、１００°以上１１０°以下、１１０°以上１２０°以下、１２０°以上１３０°以下、１３０°以上１４０°以下、１４０°以上１５０°以下、１５０°以上１６０°以下、または、１６０°以上１７０°以下であってもよい。

各リセス部６６４は、頂部６４５に平行な方向に沿って側壁６４７にライン状に形成されている。各リセス部６６４は、この形態では、側壁６４７においてメサ構造６４１を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。複数のリセス部６６４は、この形態では、平面視において側壁６４７の傾斜に倣って頂部６４５から離れる方向に間隔を空けて形成されている。これにより、複数のリセス部６６４は、頂部６４５を基準とする放射状（同心円状）に形成されている。各リセス部６６４は、メサ構造６４１の平面形状に応じて、三角環状、四角環状もしくは六角環状等の多角環状、または、楕円環状に形成されていてもよい。

法線方向Ｚに隣り合う２つのリセス部６６４の間のピッチは、５００Å以上９００Å以下であってもよい。隣り合う２つのリセス部６６４の間のピッチは、５００Å以上６００Å以下、６００Å以上７００Å以下、７００Å以上８００Å以下、または、８００Å以上９００Å以下であってもよい。

１つまたは複数の突出部６６５は、メサ構造６４１の外側に向かって突出した湾曲面を有していてもよい。１つまたは複数の突出部６６５は、メサ構造６４１の角度θＭとは異なるまたは等しい角度θＰＲで傾斜した傾斜面を有していてもよい。１つまたは複数の突出部６６５は、リセス部６６４の角度θＲＣとは異なるまたは等しい角度θＰＲで傾斜した傾斜面を有していてもよい。図４６および図４７では、凸湾曲面を有する複数の突出部６６５、および、傾斜面を有する１つの突出部６６５が一例として示されている。

突出部６６５が傾斜面を有する場合、突出部６６５の角度θＰＲ（絶対値）は、６０°以上１７０°以下であってもよい。角度θＰＲは、メサ構造６４１の頂部６４５を基準としたき、突出部６６５の傾斜面がメサ構造６４１内において頂部６４５に対して成す角度である。

角度θＰＲは、６０°以上７０°以下、７０°以上８０°以下、８０°以上９０°以下、９０°以上１００°以下、１００°以上１１０°以下、１１０°以上１２０°以下、１２０°以上１３０°以下、１３０°以上１４０°以下、１４０°以上１５０°以下、１５０°以上１６０°以下、または、１６０°以上１７０°以下であってもよい。

各突出部６６５は、頂部６４５に平行な方向に沿って側壁６４７にライン状に形成されている。各突出部６６５は、この形態では、側壁６４７においてメサ構造６４１を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。複数の突出部６６５は、この形態では、平面視において側壁６４７の傾斜に倣って頂部６４５から離れる方向に間隔を空けて形成されている。これにより、複数の突出部６６５は、頂部６４５を基準とする放射状（同心円状）に形成されている。各突出部６６５は、メサ構造６４１の平面形状に応じて、三角環状、四角環状もしくは六角環状等の多角環状、または、楕円環状に形成されていてもよい。

法線方向Ｚに隣り合う２つの突出部６６５の間のピッチは、５００Å以上９００Å以下であってもよい。隣り合う２つの突出部６６５の間のピッチは、５００Å以上６００Å以下、６００Å以上７００Å以下、７００Å以上８００Å以下、または、８００Å以上９００Å以下であってもよい。

図４５～図４７を参照して、面発光レーザ装置６０１は、各メサ構造６４１の側壁６４７の表層部に形成された側壁絶縁層６８０を含む。側壁絶縁層６８０は、側壁６４７から露出している。側壁絶縁層６８０は、頂部６４５および基部６４６の間の領域を側壁６４７に沿って延びている。つまり、各メサ構造６４１の側壁６４７は、側壁絶縁層６８０によって形成された部分を含む。

側壁絶縁層６８０は、平面視において電流狭窄絶縁層６５３に対向している。側壁絶縁層６８０は、平面視においてｐ型電流通過層６５２を露出させている。側壁絶縁層６８０は、より具体的には、頂部６４５の接線方向に関して、電流狭窄絶縁層６５３の一端部および他端部の間の領域に対向している。

側壁絶縁層６８０は、側壁６４７の凹凸構造６６１を区画している。側壁絶縁層６８０は、より具体的には、断面視において接線方向の長さが互いに異なる第１部分６８１および第２部分６８２を含む。側壁絶縁層６８０の第１部分６８１は、メサ構造６４１の側壁６４７から内方領域に向かって接線方向に延びている。第１部分６８１は、メサ構造６４１の側壁６４７から露出する外端部、および、メサ構造６４１内に位置する内端部を有している。

側壁絶縁層６８０の第２部分６８２は、メサ構造６４１の側壁６４７から内方領域に向かって接線方向に延びている。第２部分６８２は、メサ構造６４１の側壁６４７から露出する外端部、および、メサ構造６４１内に位置する内端部を有している。第２部分６８２の内端部は、第１部分６８１の内端部よりもメサ構造６４１の側壁６４７側に位置している。

第１部分６８１は、接線方向に関して、第１長さＬＰ１を有している。第２部分６８２は、接線方向に関して、第２長さＬＰ２を有している。第２長さＬＰ２は、第１長さＬＰ１未満（ＬＰ２＜ＬＰ１）である。

第１長さＬＰ１は、０．５μｍ以上５．０μｍ以下であってもよい。第１長さＬＰ１は、０．５μｍ以上１．０μｍ以下、１．０μｍ以上２．０μｍ以下、２．０μｍ以上３．０μｍ以下、３．０μｍ以上４．０μｍ以下、または、４．０μｍ以上５．０μｍ以下であってもよい。

第２長さＬＰ２は、０μｍを超えて１．０μｍ以下であってもよい。第２長さＬＰ２は、０μｍを超えて０．０２μｍ以下、０．０２μｍ以上０．０４μｍ以下、０．０４μｍ以上０．０６μｍ以下、０．０６μｍ以上０．０８μｍ以下、または、０．０８μｍ以上１μｍ以下であってもよい。第２長さＬＰ２は、０μｍであってもよい。つまり、複数の第２部分６８２の一部または全部を有さない側壁絶縁層６８０が形成されていてもよい。

第１部分６８１および第２部分６８２は、法線方向Ｚに沿って交互に形成されている。これにより、側壁絶縁層６８０は、断面視において櫛歯形状に形成されている。

凹凸構造６６１は、側壁絶縁層６８０の第１部分６８１および第２部分６８２によって区画されている。より具体的には、凹凸構造６６１の各リセス部６６４は、第１部分６８１によって区画されている。また、凹凸構造６６１の各突出部６６５は、第２部分６８２によって区画されている。凹凸構造６６１の基部側領域６６２は、ｎ型半導体層６２４によって区画されている。凹凸構造６６１の頂部側領域６６３は、ｐ型半導体層６２６によって区画されている。

ｎ型半導体層６２４においてｎ型光反射層６２８のｎ型高Ａｌ組成層６３０は、メサ構造６４１の側壁６４７から露出する第１露出部６８３を含む。また、ｎ型光反射層６２８のｎ型低Ａｌ組成層６３１は、メサ構造６４１の側壁６４７から露出する第２露出部６８４を含む。また、ｎ型クラッド層６２９は、メサ構造６４１の側壁６４７から露出する第３露出部６８５を含む。

ｎ型高Ａｌ組成層６３０の第１露出部６８３は、第１Ａｌ酸化物層６８６を含む。第１Ａｌ酸化物層６８６は、第１露出部６８３の酸化物を含む。第１Ａｌ酸化物層６８６は、接線方向に沿って延びている。第１Ａｌ酸化物層６８６は、ｎ型高Ａｌ組成層６３０の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

ｎ型低Ａｌ組成層６３１の第２露出部６８４は、第２Ａｌ酸化物層６８７を含む。第２Ａｌ酸化物層６８７は、第２露出部６８４の酸化物を含む。第２Ａｌ酸化物層６８７は、接線方向に沿って延びている。第２Ａｌ酸化物層６８７は、ｎ型低Ａｌ組成層６３１の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

ｎ型クラッド層６２９の第３露出部６８５は、第３Ａｌ酸化物層６８８を含む。第３Ａｌ酸化物層６８８は、第３露出部６８５の酸化物を含む。第３Ａｌ酸化物層６８８は、接線方向に沿って延びている。第３Ａｌ酸化物層６８８は、ｎ型クラッド層６２９の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

接線方向に関して、第１Ａｌ酸化物層６８６の長さは、第２Ａｌ酸化物層６８７の長さ、および、第３Ａｌ酸化物層６８８の長さを超えている。これは、ｎ型高Ａｌ組成層６３０のＡｌ組成αが、ｎ型低Ａｌ組成層６３１のＡｌ組成βおよびｎ型クラッド層６２９のＡｌ組成γを超えているためである（β＜γ＜α）。

接線方向に関して、第３Ａｌ酸化物層６８８の長さは、第２Ａｌ酸化物層６８７の長さを超えている。これは、ｎ型クラッド層６２９のＡｌ組成γが、ｎ型低Ａｌ組成層６３１のＡｌ組成βを超えているためである（β＜γ）。

第１Ａｌ酸化物層６８６および第２Ａｌ酸化物層６８７は、法線方向Ｚに沿って交互に形成されている。第１Ａｌ酸化物層６８６は、側壁絶縁層６８０の第１部分６８１を形成している。第２Ａｌ酸化物層６８７は、側壁絶縁層６８０の第２部分６８２を形成している。第３Ａｌ酸化物層６８８は、側壁絶縁層６８０の第２部分６８２を形成している。側壁絶縁層６８０においてｎ型半導体層６２４に位置する領域は、第１Ａｌ酸化物層６８６、第２Ａｌ酸化物層６８７および第３Ａｌ酸化物層６８８によって形成されている。

ｐ型半導体層６２６においてｐ型光反射層６３３のｐ型高Ａｌ組成層６３５は、メサ構造６４１の側壁６４７から露出する第１露出部６９３を含む。また、ｐ型光反射層６３３のｐ型低Ａｌ組成層６３６は、メサ構造６４１の側壁６４７から露出する第２露出部６９４を含む。また、ｐ型クラッド層６３２は、メサ構造６４１の側壁６４７から露出する第３露出部６９５を含む。

ｐ型高Ａｌ組成層６３５の第１露出部６９３は、第１Ａｌ酸化物層６９６を含む。第１Ａｌ酸化物層６９６は、第１露出部６９３の酸化物を含む。第１Ａｌ酸化物層６９６は、接線方向に沿って延びている。第１Ａｌ酸化物層６９６は、ｐ型高Ａｌ組成層６３５の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

ｐ型低Ａｌ組成層６３６の第２露出部６９４は、第２Ａｌ酸化物層６９７を含む。第２Ａｌ酸化物層６９７は、第２露出部６９４の酸化物を含む。第２Ａｌ酸化物層６９７は、接線方向に沿って延びている。第２Ａｌ酸化物層６９７は、ｐ型低Ａｌ組成層６３６の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

ｐ型クラッド層６３２の第３露出部６９５は、第３Ａｌ酸化物層６９８を含む。第３Ａｌ酸化物層６９８は、第３露出部６９５の酸化物を含む。第３Ａｌ酸化物層６９８は、接線方向に沿って延びている。第３Ａｌ酸化物層６９８は、ｐ型クラッド層６３２の内方領域を取り囲む環状（この形態では円環状）に形成されている。

接線方向に関して、第１Ａｌ酸化物層６９６の長さは、第２Ａｌ酸化物層６９７の長さ、および、第３Ａｌ酸化物層６９８の長さを超えている。これは、ｐ型高Ａｌ組成層６３５のＡｌ組成ζが、ｐ型低Ａｌ組成層６３６のＡｌ組成η、および、ｐ型クラッド層６３２のＡｌ組成εを超えているためである（η＜ε＜ζ）。

接線方向に関して、第３Ａｌ酸化物層６９８の長さは、第２Ａｌ酸化物層６９７の長さを超えている。これは、ｐ型クラッド層６３２のＡｌ組成εが、ｐ型低Ａｌ組成層６３６のＡｌ組成ηを超えているためである（η＜ε）。

第１Ａｌ酸化物層６９６および第２Ａｌ酸化物層６９７は、法線方向Ｚに沿って交互に形成されている。第１Ａｌ酸化物層６９６は、側壁絶縁層６８０の第１部分６８１を形成している。第２Ａｌ酸化物層６９７は、側壁絶縁層６８０の第２部分６８２を形成している。第３Ａｌ酸化物層６９８は、側壁絶縁層６８０の第２部分６８２を形成している。側壁絶縁層６８０においてｐ型半導体層６２６に位置する領域は、第１Ａｌ酸化物層６９６、第２Ａｌ酸化物層６９７および第３Ａｌ酸化物層６９８によって形成されている。

このように、凹凸構造６６１の基部側領域６６２は、メサ構造６４１の側壁６４７から露出するｎ型半導体層６２４の露出部によって区画されている。基部側領域６６２は、より具体的には、ｎ型高Ａｌ組成層６３０の第１露出部６８３、ｎ型低Ａｌ組成層６３１の第２露出部６８４、および、ｎ型クラッド層６２９の第３露出部６８５によって区画されている。基部側領域６６２は、さらに具体的には、ｎ型高Ａｌ組成層６３０の第１Ａｌ酸化物層６８６、ｎ型低Ａｌ組成層６３１の第２Ａｌ酸化物層６８７、および、ｎ型クラッド層６２９の第３Ａｌ酸化物層６８８によって区画されている。

一方、凹凸構造６６１の頂部側領域６６３は、メサ構造６４１の側壁６４７から露出するｐ型半導体層６２６の露出部によって区画されている。頂部側領域６６３は、より具体的には、ｐ型高Ａｌ組成層６３５の第１露出部６９３、ｐ型低Ａｌ組成層６３６の第２露出部６９４、および、ｐ型クラッド層６３２の第３露出部６９５によって区画されている。頂部側領域６６３は、さらに具体的には、ｐ型高Ａｌ組成層６３５の第１Ａｌ酸化物層６９６、ｐ型低Ａｌ組成層６３６の第２Ａｌ酸化物層６９７、および、ｐ型クラッド層６３２の第３Ａｌ酸化物層６９８によって区画されている。

凹凸構造６６１および側壁絶縁層６８０（第１Ａｌ酸化物層６８６、第２Ａｌ酸化物層６８７、第１Ａｌ酸化物層６９６および第２Ａｌ酸化物層６９７）は、トレンチ６０７の外周壁６４３にも形成されている。トレンチ６０７の外周壁６４３に形成された凹凸構造６６１および側壁絶縁層６８０は、メサ構造６４１の側壁６４７（トレンチ６０７の内周壁６４２）に形成された凹凸構造６６１および側壁絶縁層６８０と略同様の構造を有している。

トレンチ６０７の外周壁６４３に形成された凹凸構造６６１および側壁絶縁層６８０については、メサ構造６４１の側壁６４７（トレンチ６０７の内周壁６４２）に形成された凹凸構造６６１および側壁絶縁層６８０の説明が準用されるものとして、説明を省略する。

図４３～図４８を参照して、絶縁層６０８は、半導体積層構造６２１の主面（第１主面６０３）の上に形成されている。絶縁層６０８は、活性層６２５の発光波長λに対して透明な絶縁材料または透光性を有する絶縁材料を含む。絶縁層６０８は、窒化シリコン（ＳｉＮ）層および酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層のうちの少なくとも１つを含む。

絶縁層６０８は、窒化シリコン層または酸化シリコン層からなる単層構造を有していてもよい。絶縁層６０８は、第１主面６０３側から任意の順序で積層された窒化シリコン層および酸化シリコン層を含む積層構造を有していてもよい。絶縁層６０８は、この形態では、窒化シリコン層からなる単層構造を有している。

絶縁層６０８は、第１主面６０３の上からトレンチ６０７に入り込み、メサ構造６４１を被覆している。絶縁層６０８は、凹凸構造６６１を埋めてメサ構造６４１の側壁６４７および頂部６４５を被覆している。絶縁層６０８は、主面被覆部７０１、内壁被覆部７０２および頂部被覆部７０３を含む。主面被覆部７０１は、第１主面６０３を被覆している。内壁被覆部７０２は、トレンチ６０７の内壁（内周壁６４２、外周壁６４３および底壁６４４）を被覆している。頂部被覆部７０３は、メサ構造６４１の頂部６４５を被覆している。

内壁被覆部７０２は、より具体的には、トレンチ６０７の内壁に沿って膜状に延び、トレンチ６０７内においてリセス空間を区画している。つまり、内壁被覆部７０２は、メサ構造６４１の側壁６４７を被覆している。内壁被覆部７０２は、メサ構造６４１の側壁６４７において側壁絶縁層６８０に接している。

内壁被覆部７０２は、凹凸構造６６１を埋めてメサ構造６４１の側壁６４７を被覆している。内壁被覆部７０２は、より具体的には、凹凸構造６６１を埋めてｎ型高Ａｌ組成層６３０の第１露出部６８３（第１Ａｌ酸化物層６８６）、ｎ型低Ａｌ組成層６３１の第２露出部６８４（第２Ａｌ酸化物層６８７）、および、ｎ型クラッド層６２９の第３露出部６８５（第３Ａｌ酸化物層６８８）を被覆している。

また、内壁被覆部７０２は、凹凸構造６６１を埋めて、ｐ型高Ａｌ組成層６３５の第１露出部６９３（第１Ａｌ酸化物層６９６）、ｐ型低Ａｌ組成層６３６の第２露出部６９４（第２Ａｌ酸化物層６９７）、および、ｐ型クラッド層６３２の第３露出部６９５（第３Ａｌ酸化物層６９８）を被覆している。

内壁被覆部７０２は、メサ構造６４１の側壁６４７において、凹凸構造６６１のリセス部６６４に入り込んだ埋設部７０２ａを含む。埋設部７０２ａは、凹凸構造６６１において側壁絶縁層６８０に接している。埋設部７０２ａは、側壁６４７の凹凸構造６６１に係合したアンカー構造を形成している。

トレンチ６０７の内周壁６４２に対する絶縁層６０８の接続面積および密着力は、凹凸構造６６１によって増加される。これにより、トレンチ６０７の内周壁６４２を起点とする絶縁層６０８の剥離が抑制されるから、絶縁層６０８によって、メサ構造６４１（発光部６０６）を適切に保護できる。

また、メサ構造６４１の側壁６４７の表層部には側壁絶縁層６８０が形成されている。したがって、外部（たとえば第１主面電極層６０９）に対するメサ構造６４１の絶縁性は、絶縁層６０８および側壁絶縁層６８０の積層構造によって高められる。よって、メサ構造６４１による電流狭窄効果を適切に保つことができる。

具体的な図示は省略するが、内壁被覆部７０２は、トレンチ６０７の内周壁６４２を被覆する部分と同様に、トレンチ６０７の外周壁６４３において凹凸構造６６１を埋めてメサ構造６４１の側壁６４７を被覆している。内壁被覆部７０２は、トレンチ６０７の外周壁６４３において凹凸構造６６１を埋めて、ｎ型高Ａｌ組成層６３０の第１露出部６８３（第１Ａｌ酸化物層６８６）、ｎ型低Ａｌ組成層６３１の第２露出部６８４（第２Ａｌ酸化物層６８７）、および、ｎ型クラッド層６２９の第３露出部６８５（第３Ａｌ酸化物層６８８）を被覆している。

また、内壁被覆部７０２は、トレンチ６０７の外周壁６４３において凹凸構造６６１を埋めて、ｐ型高Ａｌ組成層６３５の第１露出部６９３（第１Ａｌ酸化物層６９６）、ｐ型低Ａｌ組成層６３６の第２露出部６９４（第２Ａｌ酸化物層６９７）、および、ｐ型クラッド層６３２の第３露出部６９５（第３Ａｌ酸化物層６９８）を被覆している。

内壁被覆部７０２は、トレンチ６０７の外周壁６４３において凹凸構造６６１のリセス部６６４に入り込んだ埋設部７０２ａを含む。埋設部７０２ａは、凹凸構造６６１において側壁絶縁層６８０に接している。埋設部７０２ａは、トレンチ６０７の外周壁６４３において側壁６４７の凹凸構造６６１に噛合うアンカー構造を形成している。

トレンチ６０７の外周壁６４３に対する絶縁層６０８の接続面積および密着力は、凹凸構造６６１によって増加される。これにより、トレンチ６０７の外周壁６４３を起点とする絶縁層６０８の剥離が抑制されるから、メサ構造６４１（発光部６０６）を適切に保護できる。

また、トレンチ６０７の外周壁６４３の表層部には側壁絶縁層６８０が形成されている。したがって、外部（たとえば第１主面電極層６０９）に対するトレンチ６０７の外周壁６４３の絶縁性は、絶縁層６０８および側壁絶縁層６８０の積層構造によって高められる。よって、トレンチ６０７の外周壁６４３にリーク電流パスが形成されることを適切に抑制できる。

図４５および図４８を参照して、頂部被覆部７０３は、メサ構造６４１の頂部６４５を選択的に露出させるコンタクト孔７０４を有している。コンタクト孔７０４は、より具体的には、ｐ型コンタクト層６３４を露出させている。コンタクト孔７０４は、平面視において環状（この形態では円環状）に形成されている。

頂部被覆部７０３は、コンタクト孔７０４よりも内方に位置する領域にレリーフ部７０３ａを有している。レリーフ部７０３ａは、この形態では、コンタクト孔７０４によって取り囲まれている。レリーフ部７０３ａは、リセス部７０５、第１突出部７０６および第２突出部７０７を含む。リセス部７０５は、メサ構造６４１の頂部６４５側に向けて窪んでいる。リセス部７０５は、平面視において環状（この形態では円環状）に形成されている。

第１突出部７０６は、リセス部７０５によって区画されている。第１突出部７０６は、リセス部７０５によって取り囲まれ、島状または点状に区画されている。第１突出部７０６は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。第１突出部７０６は、法線方向Ｚに活性層６２５の発光領域６５４に対向している。第１突出部７０６は、法線方向Ｚにｐ型電流通過層６５２に対向している。

第２突出部７０７は、リセス部７０５に起因して形成されている。第２突出部７０７は、より具体的には、リセス部７０５およびコンタクト孔７０４の間の領域に区画されている。第２突出部７０７は、リセス部７０５およびコンタクト孔７０４によって環状（この形態では円環状）に区画されている。

リセス部７０５は、第１突出部７０６を区画する第１側壁７０８、第２突出部７０７を区画する第２側壁７０９、ならびに、第１側壁７０８および第２側壁７０９を接続する底壁７１０を有している。第１側壁７０８は、頂部被覆部７０３の主面から底壁７１０に向けて下り傾斜した傾斜面を有している。第２側壁７０９は、頂部被覆部７０３の主面から底壁７１０に向けて下り傾斜した傾斜面を有している。リセス部７０５は、断面視において底壁７１０側の開口幅が開口側の開口幅よりも小さいテーパ形状に形成されている。

第１突出部７０６の厚さは、（ｎ＋１）λ／２に設定される。第２突出部７０７の厚さは、（ｎ＋１）λ／２に設定される。リセス部７０５の厚さは、（２ｎ＋１）λ／４に設定される。ｎは、整数である。λは、活性層６２５で生成される光の波長である。

頂部６４５から放出されたレーザ光は、スネルの法則によって、第１側壁７０８および第２側壁７０９によって屈折させられ、第１突出部７０６側に集光される。これにより、第１側壁７０８および第２側壁７０９が法線方向Ｚに延びる垂直面である場合に比べて、レーザ光の指向性が高められる。

図４３～図４５を参照して、第１主面電極層６０９は、絶縁層６０８に沿って膜状に形成され、各トレンチ６０７内においてリセス空間を区画している。第１主面電極層６０９は、メサ構造６４１の頂部６４５の上からコンタクト孔７０４に入り込んでいる。第１主面電極層６０９は、コンタクト孔７０４内においてｐ型コンタクト層６３４に電気的に接続されている。第１主面電極層６０９は、絶縁層６０８を挟んで凹凸構造６６１に対向している。第１主面電極層６０９は、より具体的には、絶縁層６０８を挟んで凹凸構造６６１の基部側領域６６２および頂部側領域６６３に対向している。

第１主面電極層６０９においてメサ構造６４１の頂部６４５を被覆する部分は、絶縁層６０８の頂部被覆部７０３を露出させるレリーフ開口７１１を含む。レリーフ開口７１１は、絶縁層６０８のレリーフ部７０３ａを露出させている。レリーフ開口７１１は、より具体的には、第２突出部７０７の一部、リセス部７０５および第１突出部７０６を露出させている。

レリーフ開口７１１は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。レリーフ開口７１１の平面形状は任意である。レリーフ開口７１１は、平面視において三角形状、四角形状もしくは六角形状等の多角形状、または、楕円形状に形成されていてもよい。レリーフ開口７１１は、法線方向Ｚにｐ型電流通過層６５２に対向している。レリーフ開口７１１は、法線方向Ｚに活性層６２５の発光領域６５４に対向している。

レリーフ開口７１１の開口幅ＷＯは、５μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。開口幅ＷＯは、５μｍ以上１０μｍ以下、１０μｍ以上１５μｍ以下、または、１５μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。

第１主面電極層６０９の厚さＴＥ１は、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。厚さＴＥ１は、０．０５μｍ以上０．１μｍ以下、０．１μｍ以上０．２μｍ以下、０．２μｍ以上０．３μｍ以下、０．３μｍ以上０．４μｍ以下、または、０．４μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。

第１主面電極層６０９は、この形態では、複数の電極膜が積層された積層構造を有している。第１主面電極層６０９は、より具体的には、絶縁層６０８側からこの順に積層された第１電極膜７１２および第２電極膜７１３を含む。第１電極膜７１２は、チタンを含んでいてもよい。第２電極膜７１３は、金を含んでいてもよい。

図４４を参照して、外部端子６１１は、第１主面電極層６０９の上に形成されている。外部端子６１１は、半導体積層構造６２１の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有している。外部端子６１１は、第１主面電極層６０９の厚さＴＥ１以上の厚さＴＥ２（ＴＥ１≦ＴＥ２）を有している。厚さＴＥ２は、より具体的には、厚さＴＥ１を超えている（ＴＥ１＜ＴＥ２）。外部端子６１１は、金を含んでいてもよい。

厚さＴＥ２は、１．０μｍ以上５．０μｍ以下であってもよい。厚さＴＥ２は、１．０μｍ以上２．０μｍ以下、２．０μｍ以上３．０μｍ以下、３．０μｍ以上４．０μｍ以下、または、４．０μｍ以上５．０μｍ以下であってもよい。

図４３および図４４を参照して、面発光レーザ装置６０１は、チップ本体６０２の第２主面６０４（基板６２０の第２基板主面６２３）の上に形成された第２主面電極層７１５を含む。第２主面電極層７１５は、第２基板主面６２３の全域を被覆している。第２主面電極層７１５は、第２基板主面６２３との間でオーミック接触を形成している。

第２主面電極層７１５は、この形態では、複数の電極膜が積層された積層構造を有している。第２主面電極層７１５は、より具体的には、第２基板主面６２３側からこの順に積層された第１電極膜７１６、第２電極膜７１７および第３電極膜７１８を含む。第１電極膜７１６は、金ゲルマニウム合金を含んでいてもよい。第２電極膜７１７は、ニッケルを含んでいてもよい。第３電極膜７１８は、金を含んでいてもよい。

以上、面発光レーザ装置６０１によれば、メサ構造６４１の側壁６４７に凹凸構造６６１が形成されている。これにより、接続面積の増加によって、メサ構造６４１の側壁６４７に対する絶縁層６０８の密着力を向上できる。その結果、メサ構造６４１の側壁６４７を起点とする絶縁層６０８の剥離を抑制できるから、絶縁層６０８によってメサ構造６４１（発光部６０６）を適切に保護できる。

また、面発光レーザ装置６０１によれば、絶縁層６０８の上に第１主面電極層６０９が形成されている。絶縁層６０８の上に第１主面電極層６０９が形成された構造では、第１主面電極層６０９に生じた応力に起因して、絶縁層６０８に応力が生じる場合がある。この点、面発光レーザ装置６０１では、メサ構造６４１に対する絶縁層６０８の密着力が高められているので、第１主面電極層６０９の応力に起因する絶縁層６０８の剥離を抑制できる。

特に、面発光レーザ装置６０１では、凹凸構造６６１が基部側領域６６２および頂部側領域６６３を含む。これにより、メサ構造６４１の側壁６４７を横切ってメサ構造６４１の頂部６４５および基部６４６を被覆する第１主面電極層６０９が形成されている場合であっても、第１主面電極層６０９の応力に起因する絶縁層６０８の剥離を適切に抑制できる。よって、第１主面電極層６０９に対するメサ構造６４１の絶縁性を適切に向上できる。

また、面発光レーザ装置６０１によれば、メサ構造６４１の側壁６４７の表層部に、側壁絶縁層６８０が形成されている。側壁絶縁層６８０は、メサ構造６４１の側壁６４７において凹凸構造６６１を区画している。絶縁層６０８は、凹凸構造６６１を埋めて側壁絶縁層６８０を被覆している。これにより、絶縁層６０８および側壁絶縁層６８０の積層構造によって、第１主面電極層６０９に対するメサ構造６４１の絶縁性を高めることができる。よって、メサ構造６４１による電流狭窄効果を適切に保つことができる。

図４９Ａ～図４９Ｉは、図４５の対応図であって、図４１に示す面発光レーザ装置６０１の製造方法の一例を説明するための図である。

図４９Ａを参照して、まず、基板６２０が用意される。次に、ｎ型バッファ層６２７が、基板６２０の第１基板主面６２２の上に形成される。ｎ型バッファ層６２７は、ｎ型のＧａＡｓを含む。ｎ型バッファ層６２７は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、ｎ型光反射層６２８が、ｎ型バッファ層６２７の上に形成される。ｎ型光反射層６２８は、ｎ型高Ａｌ組成層６３０およびｎ型低Ａｌ組成層６３１を任意の周期で交互に積層させることにより形成される。

ｎ型高Ａｌ組成層６３０は、ｎ型のＡｌ_αＧａ_{（１－α）}Ａｓを含む。Ａｌ組成αは、０．５以上０．９５以下であってもよい。ｎ型低Ａｌ組成層６３１は、ｎ型のＡｌ_βＧａ_{（１－β）}Ａｓを含む。Ａｌ組成βは、０．０５以上０．２５以下であってもよい。ｎ型高Ａｌ組成層６３０およびｎ型低Ａｌ組成層６３１は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、ｎ型クラッド層６２９が、ｎ型光反射層６２８の上に形成される。ｎ型クラッド層６２９は、ｎ型のＡｌ_γＧａ_{（１－γ）}Ａｓを含む。ｎ型クラッド層６２９のＡｌ組成γは、０．２以上０．７以下であってもよい。ｎ型クラッド層６２９は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、図４９Ｂを参照して、活性層６２５が、ｎ型クラッド層６２９の上に形成される。活性層６２５は、量子井戸層および障壁層を任意の周期で交互に積層させることにより形成される。量子井戸層は、ＧａＡｓを含む。障壁層は、Ａｌ_δＧａ_{（１－δ）}Ａｓを含む。Ａｌ組成δは、０．１５以上０．５以下であってもよい。量子井戸層および障壁層は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、図４９Ｃを参照して、活性層６２５の上に、ｐ型クラッド層６３２が、活性層６２５の上に形成される。ｐ型クラッド層６３２は、ｐ型のＡｌ_εＧａ_{（１－ε）}Ａｓを含む。Ａｌ組成εは、０．２以上０．７以下であってもよい。ｐ型クラッド層６３２は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、ｐ型電流通過層６５２および電流狭窄絶縁層６５３のベースとなるｐ型ベース層７２２が、ｐ型クラッド層６３２の上に形成される。ｐ型ベース層７２２は、ｐ型のＡｌ_σＧａ_{（１－σ）}Ａｓを含む。Ａｌ組成σは、０．９以上１．０以下であってもよい。ｐ型ベース層７２２は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、ｐ型光反射層６３３が、ｐ型ベース層７２２の上に形成される。ｐ型光反射層６３３は、ｐ型高Ａｌ組成層６３５およびｐ型低Ａｌ組成層６３６を任意の周期で交互に積層させることにより形成される。

ｐ型高Ａｌ組成層６３５は、ｐ型のＡｌ_ζＧａ_{（１－ζ）}Ａｓを含む。Ａｌ組成ζは、０．５以上０．９５以下であってもよい。ｐ型低Ａｌ組成層６３６は、ｐ型のＡｌ_ηＧａ_{（１－η）}Ａｓを含む。Ａｌ組成ηは、０．０５以上０．２５以下であってもよい。ｐ型高Ａｌ組成層６３５およびｐ型低Ａｌ組成層６３６は、エピタキシャル成長法によって形成される。

次に、ｐ型コンタクト層６３４が、ｐ型光反射層６３３の上に形成される。ｐ型コンタクト層６３４は、ｐ型のＧａＡｓを含む。ｐ型コンタクト層６３４は、エピタキシャル成長法によって形成される。これにより、第１基板主面６２２側からこの順に積層されたｎ型半導体層６２４、活性層６２５およびｐ型半導体層６２６を含む半導体積層構造６２１が形成される。

次に、図４９Ｄを参照して、所定パターンを有するマスク７２３が、半導体積層構造６２１の上に形成される。マスク７２３は、複数の開口７２４を有している。複数の開口７２４は、トレンチ６０７を形成すべき領域をそれぞれ露出させている。

次に、半導体積層構造６２１の不要な部分が、マスク７２３を介するエッチング法によって除去される。半導体積層構造６２１の不要な部分は、ウエットエッチング法またはドライエッチング法によって除去されてもよい。この工程では、ｐ型コンタクト層６３４、ｐ型光反射層６３３、ｐ型ベース層７２２、ｐ型クラッド層６３２、活性層６２５、ｎ型クラッド層６２９およびｎ型光反射層６２８の不要な部分がそれぞれ除去される。

これにより、複数のトレンチ６０７が半導体積層構造６２１に形成される。複数のトレンチ６０７は、ｐ型コンタクト層６３４、ｐ型光反射層６３３、ｐ型クラッド層６３２、活性層６２５およびｎ型クラッド層６２９を貫通し、ｎ型光反射層６２８の一部を露出させている。また、これにより、半導体積層構造６２１に複数のメサ構造６４１が形成される。その後、マスク７２３は除去される。

ｎ型高Ａｌ組成層６３０は、ｎ型低Ａｌ組成層６３１のエッチング選択比とは異なるエッチング選択比を有している。したがって、エッチング液およびエッチング時間を適切に選択することにより、ｎ型低Ａｌ組成層６３１を残存させながら、ｎ型高Ａｌ組成層６３０を除去できる。また、エッチング液およびエッチング時間を適切に選択することにより、ｎ型高Ａｌ組成層６３０を残存させながら、ｎ型低Ａｌ組成層６３１を除去できる。

また、ｎ型クラッド層６２９は、ｎ型高Ａｌ組成層６３０およびｎ型低Ａｌ組成層６３１のエッチング選択比とは異なるエッチング選択比を有している。したがって、エッチング液およびエッチング時間を適切に選択することにより、ｎ型高Ａｌ組成層６３０およびｎ型低Ａｌ組成層６３１を残存させながら、ｎ型クラッド層６２９を除去できる。

また、ｐ型高Ａｌ組成層６３５は、ｐ型低Ａｌ組成層６３６のエッチング選択比とは異なるエッチング選択比を有している。したがって、エッチング液およびエッチング時間を適切に選択することにより、ｐ型低Ａｌ組成層６３６を残存させながら、ｐ型高Ａｌ組成層６３５を除去できる。また、エッチング液を適切に選択することにより、ｐ型高Ａｌ組成層６３５を残存させながら、ｐ型低Ａｌ組成層６３６を除去できる。

また、ｐ型クラッド層６３２は、ｐ型高Ａｌ組成層６３５およびｐ型低Ａｌ組成層６３６のエッチング選択比とは異なるエッチング選択比を有している。したがって、エッチング液およびエッチング時間を適切に選択することにより、ｐ型高Ａｌ組成層６３５およびｐ型低Ａｌ組成層６３６を残存させながら、ｐ型クラッド層６３２を除去できる。

したがって、この工程では、エッチング法の処理条件を調節することによって、メサ構造６４１の側壁６４７に凹凸構造６６１を形成できる。メサ構造６４１（トレンチ６０７）の形成工程の後、マスク７２３は除去される。

次に、図４９Ｅを参照して、側壁絶縁層６８０が、トレンチ６０７に形成される。側壁絶縁層６８０は、半導体積層構造６２１に対する酸化処理法によって形成される。酸化処理法は、熱酸化処理法であってもよい。

この工程では、ｐ型光反射層６３３においてトレンチ６０７から露出する部分が酸化される。また、ｐ型ベース層７２２においてトレンチ６０７から露出する部分が酸化される。また、ｐ型クラッド層６３２においてトレンチ６０７から露出する部分が酸化される。また、ｎ型クラッド層６２９においてトレンチ６０７から露出する部分が酸化される。また、ｎ型光反射層６２８においてトレンチ６０７から露出する部分が酸化される。これにより、凹凸構造６６１が、側壁絶縁層６８０によって区画される。

比較的高いＡｌ組成ζを有するｐ型ベース層７２２では、メサ構造６４１の側壁６４７からメサ構造６４１の内方領域に向けて酸化が大きく進行する。これにより、ｐ型ベース層７２２の酸化部が電流狭窄絶縁層６５３として形成される。また、ｐ型ベース層７２２の非酸化部がｐ型電流通過層６５２として形成される。

次に、図４９Ｆを参照して、絶縁層６０８が、半導体積層構造６２１の上に形成される。この工程では、窒化シリコン層からなる絶縁層６０８が形成される。絶縁層６０８は、窒化シリコン層に代えてまたはこれに加えて、酸化シリコン層を含んでいてもよい。絶縁層６０８は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。

次に、図４９Ｇを参照して、所定パターンを有するマスク７２５が、半導体積層構造６２１の上に形成される。マスク７２５は、絶縁層６０８においてリセス部７０５を形成すべき領域をそれぞれ露出させる複数の開口７２６を有している。次に、絶縁層６０８の不要な部分が、マスク７２５を介するエッチング法（たとえばドライエッチング法）によって除去される。これにより、絶縁層６０８にリセス部７０５が形成される。その後、マスク７２５は除去される。

次に、図４９Ｈを参照して、所定パターンを有するマスク７２７が、半導体積層構造６２１の上に形成される。マスク７２７は、絶縁層６０８においてコンタクト孔７０４を形成すべき領域をそれぞれ露出させる複数の開口７２８を有している。次に、絶縁層６０８の不要な部分が、マスク７２７を介するエッチング法（たとえばウエットエッチング法）によって除去される。これにより、コンタクト孔７０４が、絶縁層６０８に形成される。その後、マスク７２７は除去される。

次に、図４９Ｉを参照して、第１主面電極層６０９が、半導体積層構造６２１の上に形成される。第１主面電極層６０９は、第１電極膜７１２および第２電極膜７１３を含む。第１電極膜７１２は、チタンを含んでいてもよい。第２電極膜７１３は、金を含んでいてもよい。第１電極膜７１２および第２電極膜７１３は、蒸着法またはスパッタ法によってそれぞれ形成されてもよい。

次に、レリーフ開口７１１が、第１主面電極層６０９に形成される。レリーフ開口７１１は、第１主面電極層６０９においてメサ構造６４１の頂部６４５を被覆する部分を選択的に除去することによって形成される。第１主面電極層６０９の不要な部分は、マスク（図示せず）を介するエッチング法によって除去されてもよい。これにより、第１主面電極層６０９に、絶縁層６０８の頂部被覆部７０３を選択的に露出させるレリーフ開口７１１が形成される。

次に、外部端子６１１が、第１主面電極層６０９の上に形成される。外部端子６１１は、金を含んでいてもよい。外部端子６１１は、めっき法によって形成されてもよい。また、第２主面電極層７１５が、第２基板主面６２３の上に形成される。第２主面電極層７１５は、第１電極膜７１６、第２電極膜７１７および第３電極膜７１８を含む。

第１電極膜７１６は、金ゲルマニウム合金を含んでいてもよい。第２電極膜７１７は、ニッケルを含んでいてもよい。第３電極膜７１８は、金を含んでいてもよい。第１電極膜７１６、第２電極膜７１７および第３電極膜７１８は、蒸着法またはスパッタ法によってそれぞれ形成されてもよい。第２主面電極層７１５は、第１主面電極層６０９の形成工程に先立って形成されてもよい。以上を含む工程を経て、面発光レーザ装置６０１が製造される。

本発明はさらに他の形態で実施することもできる。

前述の第１～第９実施形態において、柱状のメサ構造４１が形成されてもよい。つまり、頂部４５の平面積および基部４６の平面積が等しく形成され、かつ、頂部４５および基部４６の間を法線方向Ｚに沿って延びる側壁４７を有するメサ構造４１が形成されてもよい。この場合、メサ構造４１は、三角柱形状、四角柱形状もしくは六角柱形状等の多角柱形状、または、円柱形状もしくは楕円柱形状に形成されていてもよい。

前述の第１～第９実施形態において、図５０に示されるトレンチ７が形成されてもよい。図５０は、第１～第９実施形態に係るトレンチ７の第１変形例を示す断面図である。以下では、面発光レーザ装置１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図５０を参照して、トレンチ７の底壁４４は、チップ本体２の第２主面４に向かう凸湾曲状に形成されていてもよい。トレンチ７の底壁４４は、ｎ型光反射層２８を露出させていてもよい。トレンチ７の底壁４４は、ｎ型高Ａｌ組成層３０およびｎ型低Ａｌ組成層３１を含む積層膜を露出させていてもよい。

メサ構造４１の基部４６は、トレンチ７の内周壁４２（メサ構造４１の側壁４７）およびトレンチ７の底壁４４を接続する接続部によって形成される。トレンチ７の底壁４４の最深部は、メサ構造４１の基部４６よりも下方側に位置していてもよい。つまり、底壁４４の最深部は、基部４６に対して第２主面４側に形成されていてもよい。

前述の第１～第９実施形態において、図５１に示されるトレンチ７が形成されてもよい。図５１は、第１～第９実施形態に係るトレンチ７の第２変形例を示す平面図である。以下では、面発光レーザ装置１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図５１を参照して、トレンチ７の内周壁４２の平面形状およびトレンチ７の外周壁４３の平面形状は、一致していなくてもよい。トレンチ７の内周壁４２が円形状に形成されている一方で、トレンチ７の外周壁４３が多角形状（たとえば六角形状）に形成されていてもよい。むろん、トレンチ７の内周壁４２が多角形状（たとえば六角形状）に形成されている一方で、トレンチ７の外周壁４３が円形状に形成されていてもよい。

前述の第１０～第１８実施形態において、第１～第１３形態例に係る第１主面電極層３０９は、第１０～第１８実施形態にそれぞれ採用されてもよい。また、第１～第１３形態例に係る第１主面電極層３０９のうちの少なくとも２種を同時に含む第１主面電極層３０９が、第１０～第１８実施形態に採用されてもよい。また、第１～第１３形態例に係る第１主面電極層３０９の特徴のうちの少なくとも２つの特徴が組み合わされた形態を有する第１主面電極層３０９が、第１０～第１８実施形態に採用されてもよい。

前述の第１０～第１８実施形態において、柱状のメサ構造３４１が形成されてもよい。つまり、頂部３４５の平面積および基部３４６の平面積が等しく形成され、かつ、頂部３４５および基部３４６の間を法線方向Ｚに沿って延びる側壁３４７を有するメサ構造３４１が形成されてもよい。この場合、メサ構造３４１は、三角柱形状、四角柱形状もしくは六角柱形状等の多角柱形状、または、円柱形状もしくは楕円柱形状に形成されていてもよい。

前述の第１０～第１８実施形態において、図５２に示されるトレンチ３０７が形成されてもよい。図５２は、第１０～第１８実施形態に係るトレンチ３０７の第１変形例を示す断面図である。以下では、面発光レーザ装置３０１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図５２を参照して、トレンチ３０７の底壁３４４は、チップ本体３０２の第２主面３０４に向かう凸湾曲状に形成されていてもよい。トレンチ３０７の底壁３４４は、ｎ型光反射層３２８を露出させていてもよい。トレンチ３０７の底壁３４４は、ｎ型高Ａｌ組成層３３０およびｎ型低Ａｌ組成層３３１を含む積層膜を露出させていてもよい。

メサ構造３４１の基部３４６は、トレンチ３０７の内周壁３４２（メサ構造３４１の側壁３４７）およびトレンチ３０７の底壁３４４を接続する接続部によって形成される。トレンチ３０７の底壁３４４の最深部は、メサ構造３４１の基部３４６よりも下方側に位置していてもよい。つまり、底壁３４４の最深部は、基部３４６に対して第２主面３０４側に形成されていてもよい。

前述の第１０～第１８実施形態において、図５３に示されるトレンチ３０７が形成されてもよい。図５３は、第１０～第１８実施形態に係るトレンチ３０７の第２変形例を示す平面図である。以下では、面発光レーザ装置３０１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図５３を参照して、トレンチ３０７の内周壁３４２の平面形状およびトレンチ３０７の外周壁３４３の平面形状は、一致していなくてもよい。トレンチ３０７の内周壁３４２が円形状に形成されている一方で、トレンチ３０７の外周壁３４３が多角形状（たとえば六角形状）に形成されていてもよい。むろん、トレンチ３０７の内周壁３４２が多角形状（たとえば六角形状）に形成されている一方で、トレンチ３０７の外周壁３４３が円形状に形成されていてもよい。

前述の第１９実施形態において、柱状のメサ構造６４１が形成されてもよい。つまり、頂部６４５の平面積および基部６４６の平面積が等しく形成され、かつ、頂部６４５および基部６４６の間を法線方向Ｚに沿って延びる側壁６４７を有するメサ構造６４１が形成されてもよい。この場合、メサ構造６４１は、三角柱形状、四角柱形状もしくは六角柱形状等の多角柱形状、または、円柱形状もしくは楕円柱形状に形成されていてもよい。

前述の第１９実施形態において、図５４に示されるトレンチ６０７が形成されてもよい。図５４は、第１９実施形態に係るトレンチ６０７の第１変形例を示す断面図である。以下では、面発光レーザ装置６０１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図５４を参照して、トレンチ６０７の底壁６４４は、チップ本体６０２の第２主面６０４に向かう凸湾曲状に形成されていてもよい。トレンチ６０７の底壁６４４は、ｎ型光反射層６２８を露出させていてもよい。トレンチ６０７の底壁６４４は、ｎ型高Ａｌ組成層６３０およびｎ型低Ａｌ組成層６３１を含む積層膜を露出させていてもよい。

メサ構造６４１の基部６４６は、トレンチ６０７の内周壁６４２（メサ構造６４１の側壁６４７）およびトレンチ６０７の底壁６４４を接続する接続部によって形成される。トレンチ６０７の底壁６４４の最深部は、メサ構造６４１の基部６４６よりも下方側に位置していてもよい。つまり、底壁６４４の最深部は、基部６４６に対して第２主面６０４側に形成されていてもよい。

前述の第１９実施形態において、図５５に示されるトレンチ６０７が形成されてもよい。図５５は、第１９実施形態に係るトレンチ６０７の第２変形例を示す平面図である。以下では、面発光レーザ装置６０１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図５５を参照して、トレンチ６０７の内周壁６４２の平面形状およびトレンチ６０７の外周壁６４３の平面形状は、一致していなくてもよい。トレンチ６０７の内周壁６４２が円形状に形成されている一方で、トレンチ６０７の外周壁６４３が多角形状（たとえば六角形状）に形成されていてもよい。むろん、トレンチ６０７の内周壁６４２が多角形状（たとえば六角形状）に形成されている一方で、トレンチ６０７の外周壁６４３が円形状に形成されていてもよい。

前述の各実施形態において各半導体部分の導電型が反転された構造が採用されてもよい。つまり、ｐ型の部分がｎ型に形成され、ｎ型の部分がｐ型に形成されてもよい。

この明細書は、第１～第９実施形態に示された特徴の如何なる組み合わせ形態をも制限しない。第１～第９実施形態は、それらの間で任意の態様および任意の形態において組み合わせられることができる。つまり、第１～第９実施形態に示された特徴が任意の態様および任意の形態で組み合わされた面発光レーザ装置が採用されてもよい。

この明細書は、第１０～第１８実施形態に示された特徴の如何なる組み合わせ形態をも制限しない。第１０～第１８実施形態は、それらの間で任意の態様および任意の形態において組み合わせられることができる。つまり、第１０～第１８実施形態に示された特徴が任意の態様および任意の形態で組み合わされた面発光レーザ装置が採用されてもよい。

この明細書および図面から抽出される特徴の例を以下に示す。

特許文献（特開２００７－７３５８５号公報）に係る面発光レーザ装置では、複数の発光部を均等な行列状の配列で遍在させるという制限が課されている。このような構造では、半導体層の温度分布および複数の発光部の出力を調整できない。以下の［Ａ１］～［Ａ２３］は、半導体層の温度分布および複数の発光部の出力を調整できる面発光レーザ装置を提供する（図１～図１７等も併せて参照）。

［Ａ１］主面を有する半導体層と、前記主面に形成された溝によってそれぞれ区画され、前記主面の法線方向に向けて光を放出する複数の発光部と、前記主面の中央部に偏在し、複数の前記発光部を露出させるように前記主面の上に形成された電極層と、を含む、面発光レーザ装置。

この面発光レーザ装置によれば、主面の中央部に配列された複数の発光部で生じた熱を電極層に効率的に伝達させることができる。これにより、熱が集中しやすい半導体層の中央部の温度上昇を抑制できる。よって、半導体層の温度分布を調整できるから、複数の発光部の出力を調整できる。

［Ａ２］前記電極層は、平面視において前記主面の周縁部を露出させ、前記主面の中央部を被覆している、Ａ１に記載の面発光レーザ装置。

［Ａ３］前記主面の中央部に偏在し、複数の前記発光部を露出させるように前記主面の上に形成された複数の前記電極層を含む、Ａ１に記載の面発光レーザ装置。

［Ａ４］複数の前記電極層は、前記主面の周縁部において疎に配列され、前記主面の中央部において密に配列されている、Ａ３に記載の面発光レーザ装置。

［Ａ５］複数の前記電極層は、前記主面の周縁部における単位面積当たりの個数が前記主面の中央部における単位面積当たりの個数未満となるように配列されている、Ａ４に記載の面発光レーザ装置。

［Ａ６］複数の前記電極層は、前記主面の周縁部における複数の前記電極層の占有密度が前記主面の中央部における複数の前記電極層の占有密度未満となるように配列されている、Ａ４に記載の面発光レーザ装置。

［Ａ７］複数の前記電極層は、１つの前記発光部の周囲を複数の前記電極層で取り囲む態様で配列されている、Ａ３～Ａ６のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ａ８］複数の前記電極層は、複数の前記発光部の間の領域に形成されている、Ａ３～Ａ７のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ａ９］前記主面の上に形成され、複数の前記発光部を被覆する絶縁層と、前記絶縁層の上に形成され、複数の前記発光部に電気的に接続された主面電極層と、をさらに含み、前記電極層は、前記主面電極層の上に形成されている、Ａ１～Ａ８のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ａ１０］前記電極層は、前記主面電極層の厚さを超える厚さを有している、Ａ９に記載の面発光レーザ装置。

［Ａ１１］複数の前記発光部は、平面視において前記主面の周縁部に偏在するように配列されている、Ａ１～Ａ１０のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ａ１２］複数の前記発光部は、平面視において千鳥状、行列状または放射状に配列されている、Ａ１～Ａ１１のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ａ１３］複数の前記発光部は、平面視において三角形状、四角形状、六角形状、円形状または楕円形状に形成されている、Ａ１～Ａ１２のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ａ１４］主面を有する半導体層と、前記主面に形成された溝によって第１サイズに区画され、前記主面の法線方向に向けて光を放出する第１発光部と、前記主面に形成された溝によって前記第１サイズ未満の第２サイズに区画され、前記主面の法線方向に向けて光を放出する第２発光部と、を含む、面発光レーザ装置。

この面発光レーザ装置によれば、第１発光部の発熱量よりも小さい発熱量を有する第２発光部によって半導体層の温度分布を調整できる。よって、複数の発光部の出力を調整できる。

［Ａ１５］複数の前記第１発光部を含む、Ａ１４に記載の面発光レーザ装置。

［Ａ１６］複数の前記第２発光部を含む、Ａ１４またはＡ１５に記載の面発光レーザ装置。

［Ａ１７］平面視において前記主面の中央部に偏在する複数の前記第１発光部を含む、Ａ１４～Ａ１６のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ａ１８］平面視において前記主面の中央部に偏在する複数の前記第２発光部を含む、Ａ１４～Ａ１７のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ａ１９］複数の前記第１発光部、および、前記第１発光部の個数未満の前記第２発光部を含む、Ａ１４～Ａ１８のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ａ２０］平面視において千鳥状、行列状または放射状に配列された複数の前記第１発光部を含む、Ａ１４～Ａ１９のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ａ２１］平面視において千鳥状、行列状または放射状に配列された複数の前記第２発光部を含む、Ａ１４～Ａ２０のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ａ２２］平面視において三角形状、四角形状、六角形状、円形状または楕円形状に形成された前記第１発光部を含む、Ａ１４～Ａ２１のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ａ２３］平面視において三角形状、四角形状、六角形状、円形状または楕円形状に形成された前記第２発光部を含む、Ａ１４～Ａ２２のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

特許文献（特開２００７－７３５８５号公報）に係る面発光レーザ装置は、応力に起因する発光部の劣化の問題を有している。発光部に対する応力としては、半導体層に加えられた外力に起因する応力や、発光部を被覆する電極層の伸縮に起因する応力等を例示できる。以下の［Ｂ１］～［Ｂ２０］および［Ｃ１］～［Ｃ３３］は、応力に起因する発光部の劣化を抑制できる面発光レーザ装置を提供する（図１８～図４０等も併せて参照）。

［Ｂ１］主面を有する半導体層と、前記主面に形成された溝によって区画され、前記主面の法線方向に向けて光を放出する発光部と、前記溝内で前記発光部を被覆し、前記発光部に電気的に接続された内側電極層と、前記溝外で前記主面を被覆し、前記内側電極層に電気的に接続され、前記内側電極層の厚さを超える厚さを有する外側電極層と、を含む、面発光レーザ装置。

この面発光レーザ装置によれば、半導体層の主面側に外力が加えられた場合、当該外力を外側電極層によって受け止めることができる。これにより、発光部に対する応力を緩和できる。一方、内側電極層は比較的小さい厚さを有しているので、内側電極層から発光部に加えられる応力を緩和できる。その結果、応力に起因する発光部の劣化を抑制できる。

［Ｂ２］前記外側電極層は、前記内側電極層の厚さを超える厚さを有する厚膜部、および、前記厚膜部の厚さ未満の厚さを有する薄膜部を有している、Ｂ１に記載の面発光レーザ装置。

［Ｂ３］前記薄膜部は、前記厚膜部の面積以下の面積を有している、Ｂ２に記載の面発光レーザ装置。

［Ｂ４］前記外側電極層は、前記内側電極層の厚さを超える厚さを有する複数の厚膜部、および、各前記厚膜部の厚さ未満の厚さを有する薄膜部を有している、Ｂ１に記載の面発光レーザ装置。

［Ｂ５］複数の前記厚膜部は、前記発光部を取り囲むように前記発光部の周囲に間隔を空けて形成されている、Ｂ４に記載の面発光レーザ装置。

［Ｂ６］前記薄膜部は、各前記厚膜部の面積以下の面積を有している、Ｂ４またはＢ５に記載の面発光レーザ装置。

［Ｂ７］前記内側電極層は、前記溝の内壁の一部を露出させている、Ｂ１～Ｂ６のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｂ８］前記内側電極層は、前記溝の露出部の面積以下の面積を有している、Ｂ７に記載の面発光レーザ装置。

［Ｂ９］前記主面の上に形成され、前記発光部を選択的に被覆する絶縁層をさらに含み、前記内側電極層は、前記絶縁層の上に形成されており、前記外側電極層は、前記絶縁層の上に形成されている、Ｂ１～Ｂ８のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｂ１０］前記半導体層は、第１導電型の第１半導体層、前記第１半導体層の上に形成された活性層、および、前記活性層の上に形成された第２導電型の第２半導体層を有し、前記発光部は、前記第２半導体層および前記活性層を貫通するように前記主面に形成された前記溝によって区画されている、Ｂ１～Ｂ９のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｂ１１］主面を有する半導体層と、前記主面に形成された溝によって区画され、前記主面の法線方向に向けて光を放出する発光部と、前記溝外で前記主面を被覆する外側電極層と、前記溝の内壁の一部を露出させるように前記溝内で前記発光部を被覆し、前記発光部および前記外側電極層に電気的に接続された内側電極層と、を含む、面発光レーザ装置。

この面発光レーザ装置によれば、内側電極層から発光部に加えられる応力を緩和できる。よって、応力に起因する発光部の劣化を抑制できる。

［Ｂ１２］前記内側電極層は、前記溝の露出部の面積以下の面積を有している、Ｂ１１に記載の面発光レーザ装置。

［Ｂ１３］前記内側電極層は、直線状に延びている、Ｂ１１またはＢ１２に記載の面発光レーザ装置。

［Ｂ１４］前記内側電極層は、前記外側電極層に接続された一端部、および、前記発光部に接続された他端部を有している、Ｂ１１～Ｂ１３のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｂ１５］前記外側電極層の上に形成された外部端子をさらに含む、Ｂ１１～Ｂ１４のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｂ１６］前記外部端子は、前記主面の周縁部に配置されており、前記内側電極層は、前記発光部から前記主面の周縁部のうち前記外部端子に沿う周縁部に向けて延びている、Ｂ１５に記載の面発光レーザ装置。

［Ｂ１７］前記外部端子は、前記主面の角部に配置されており、前記内側電極層は、前記発光部から前記主面の角部を形成する２つの周縁部のうちのいずれか一方に向けて延びている、Ｂ１５に記載の面発光レーザ装置。

［Ｂ１８］前記内側電極層は、前記発光部から前記外部端子に向けて延びている、Ｂ１５に記載の面発光レーザ装置。

［Ｂ１９］前記主面の上に形成され、前記発光部を選択的に被覆する絶縁層をさらに含み、前記外側電極層は、前記絶縁層の上に形成されており、前記内側電極層は、前記絶縁層の上に形成されている、Ｂ１１～Ｂ１８のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｂ２０］前記半導体層は、第１導電型の第１半導体層、前記第１半導体層の上に形成された活性層、および、前記活性層の上に形成された第２導電型の第２半導体層を有し、前記溝は、前記第２半導体層および前記活性層を貫通するように前記主面に形成されている、Ｂ１１～Ｂ１９のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ１］主面を有する半導体層と、前記主面に形成された溝によってそれぞれ区画され、前記主面の法線方向に向けて光を放出する複数の発光部と、対応する前記溝内において対応する前記発光部にそれぞれ電気的に接続された複数の内側電極層と、前記溝外で前記主面を被覆し、各前記内側電極層に電気的に接続され、各前記内側電極層の厚さを超える厚さを有する外側電極層と、を含む、面発光レーザ装置。

この面発光レーザ装置によれば、半導体層の主面側に外力が加えられた場合、当該外力を外側電極層によって受け止めることができる。これにより、複数の発光部に対する応力を緩和できる。一方、複数の内側電極層は比較的小さい厚さを有しているので、複数の内側電極層から複数の発光部に加えられる応力を緩和できる。その結果、応力に起因する複数の発光部の劣化を抑制できる。

［Ｃ２］前記外側電極層は、各前記内側電極層の厚さを超える厚さを有する厚膜部、および、前記厚膜部の厚さ未満の厚さを有する薄膜部を有している、Ｃ１に記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ３］前記薄膜部は、前記厚膜部の面積以下の面積を有している、Ｃ２に記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ４］前記外側電極層は、各前記内側電極層の厚さを超える厚さを有する複数の厚膜部、および、各前記厚膜部の厚さ未満の厚さを有する薄膜部を有している、Ｃ１に記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ５］複数の前記厚膜部は、各前記発光部を取り囲むように各前記発光部の周囲に間隔を空けて形成されている、Ｃ４に記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ６］前記薄膜部は、各前記厚膜部の面積以下の面積を有している、Ｃ４またはＣ５に記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ７］２つ、３つ、４つ、５つまたは６つの前記厚膜部が、各前記発光部の周囲の領域に形成されている、Ｃ４～Ｃ６のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ８］各前記厚膜部は、平面視において三角形状、四角形状、五角形状、六角形状、円形状または楕円形状に形成されている、Ｃ４～Ｃ７のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ９］各前記厚膜部は、平面視において外側に向かう凸湾曲状の周縁部、または、平面視において内側に向かう凹湾曲状の周縁部を有している、Ｃ４～Ｃ８のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ１０］各前記内側電極層は、各前記溝の内壁の一部を露出させている、Ｃ１～Ｃ９のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ１１］各前記内側電極層は、各前記溝の露出部の面積以下の面積を有している、Ｃ１０に記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ１２］前記主面の上に形成され、前記発光部を選択的に被覆する絶縁層をさらに含み、各前記内側電極層は、前記絶縁層の上に形成されており、前記外側電極層は、前記絶縁層の上に形成されている、Ｃ１～Ｃ１１のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ１３］前記半導体層は、第１導電型の第１半導体層、前記第１半導体層の上に形成された活性層、および、前記活性層の上に形成された第２導電型の第２半導体層を有し、前記溝は、前記第２半導体層および前記活性層を貫通するように前記主面に形成されている、Ｃ１～Ｃ１２のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ１４］各前記発光部は、平面視において三角形状、四角形状、六角形状、円形状または楕円形状に形成されている、Ｃ１～Ｃ１３のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ１５］複数の前記発光部は、平面視において千鳥状、行列状または放射状に配列されている、Ｃ１～Ｃ１４のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ１６］各前記発光部は、頂部、基部、ならびに、前記頂部および前記基部を接続し、前記頂部から前記基部に向けて下り傾斜した側部を含む、Ｃ１～Ｃ１５のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ１７］前記溝の外周壁は、平面視において三角形状、四角形状、六角形状、円形状または楕円形状に形成されている、Ｃ１～Ｃ１６のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ１８］主面を有する半導体層と、前記主面に形成された溝によってそれぞれ区画され、前記主面の法線方向に向けて光を放出する複数の発光部と、前記溝外で前記主面を被覆する外側電極層と、前記溝の内壁の一部を露出させるように対応する前記溝内にそれぞれ形成され、対応する前記発光部および前記外側電極層にそれぞれ電気的に接続された複数の内側電極層と、を含む、面発光レーザ装置。

この面発光レーザ装置によれば、複数の内側電極層から複数の発光部に加えられる応力を緩和できる。その結果、応力に起因する複数の発光部の劣化を抑制できる。

［Ｃ１９］各前記内側電極層は、各前記溝の露出部の面積以下の面積を有している、Ｃ１８に記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ２０］各前記内側電極層は、各前記溝の露出部の面積の２分の１以下の面積を有している、Ｃ１８またはＣ１９に記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ２１］各前記内側電極層は、直線状に延びている、Ｃ１８～Ｃ２０のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ２２］各前記内側電極層は、前記外側電極層に接続された一端部、および、前記発光部に接続された他端部を有している、Ｃ１８～Ｃ２１いずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ２３］複数の前記内側電極層は、共通の方向に延びている、Ｃ１８～Ｃ２２のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ２４］前記外側電極層の上に形成された外部端子をさらに含む、Ｃ１８～Ｃ２３のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ２５］前記外部端子は、前記主面の周縁部に配置されており、各前記内側電極層は、各前記発光部から前記外部端子が配置された前記周縁部に向けて延びている、Ｃ２４に記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ２６］前記外部端子は、前記半導体層の角部に配置されており、各前記内側電極層は、前記発光部から前記主面の角部を形成する２つの周縁部のうちのいずれか一方に向けて延びている、Ｃ２４に記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ２７］各前記内側電極層は、各前記発光部から前記外部端子に向けて延びている、Ｃ２４に記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ２８］前記主面の上に形成され、前記発光部を選択的に被覆する絶縁層をさらに含み、前記外側電極層は、前記絶縁層の上に形成されており、各前記内側電極層は、前記絶縁層の上に形成されている、Ｃ１８～Ｃ２７のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ２９］前記半導体層は、第１導電型の第１半導体層、前記第１半導体層の上に形成された活性層、および、前記活性層の上に形成された第２導電型の第２半導体層を有し、前記溝は、前記第２半導体層および前記活性層を貫通するように前記主面に形成されている、Ｃ１８～Ｃ２８のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ３０］各前記発光部は、平面視において三角形状、四角形状、六角形状、円形状または楕円形状に形成されている、Ｃ１８～ＣＣ２９のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ３１］複数の前記発光部は、平面視において千鳥状、行列状または放射状に配列されている、Ｃ１８～Ｃ３０のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ３２］各前記発光部は、頂部、基部、ならびに、前記頂部および前記基部を接続し、前記頂部から前記基部に向けて下り傾斜した側部を含む、Ｃ１８～Ｃ３１のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｃ３３］前記溝の外周壁は、平面視において三角形状、四角形状、六角形状、円形状または楕円形状に形成されている、Ｃ１８～Ｃ３２のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

特許文献（特開２００７－７３５８５号公報）に係る面発光レーザ装置は、メサ構造を有し、メサ構造の頂部の法線方向に光を放出する半導体発光層と、メサ構造の側壁を被覆する絶縁層と、を含む。以下の［Ｄ１］～［Ｄ２１］および［Ｅ１］～［Ｅ２５］は、絶縁層によって半導体発光層を適切に保護できる面発光レーザ装置を提供する（図４１～図４９等も併せて参照）。

［Ｄ１］頂部、基部、ならびに、前記頂部および前記基部を接続し、凹凸（unevenness）を有する側壁を含むメサ構造を有し、前記頂部の法線方向に光を放出する半導体発光層と、前記凹凸を埋めて前記半導体発光層の前記側壁を被覆する絶縁層と、を含む、面発光レーザ装置。

この面発光レーザ装置によれば、メサ構造の側壁に対する絶縁層の密着力を高めることができる。これにより、メサ構造の側壁を起点とする絶縁層の剥離を抑制できるから、絶縁層によって半導体発光層を適切に保護できる。

［Ｄ２］前記凹凸は、前記法線方向の直交方向に向けて突出した複数の突出部、および、複数の前記突出部に対して前記半導体発光層の内方に向けて窪んだ複数のリセス部を含む、Ｄ１に記載の面発光レーザ装置。

［Ｄ３］前記凹凸は、前記法線方向に隣り合う２つの前記突出部の間の領域に区画された前記リセス部を含む、Ｄ２に記載の面発光レーザ装置。

［Ｄ４］前記凹凸は、複数の前記突出部および複数の前記リセス部が交互に形成された領域を含む、Ｄ２またはＤ３に記載の面発光レーザ装置。

［Ｄ５］前記半導体発光層は、前記基部側から前記頂部側に向けてこの順に積層された第１導電型の第１半導体層、活性層、および、第２導電型の第２半導体層を含む、Ｄ１～Ｄ４のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｄ６］前記半導体発光層の前記側壁から露出する前記第２半導体層の表面積は、前記半導体発光層の前記側壁から露出する前記第１半導体層の表面積以上である、Ｄ５に記載の面発光レーザ装置。

［Ｄ７］前記凹凸は、前記半導体発光層の前記基部側において前記第１半導体層に形成された基部側領域、および、前記半導体発光層の前記頂部側において前記第２半導体層に形成された頂部側領域を含む、Ｄ５またはＤ６に記載の面発光レーザ装置。

［Ｄ８］前記頂部側領域の表面積は、前記基部側領域の表面積以上である、Ｄ７に記載の面発光レーザ装置。

［Ｄ９］前記側壁の表層部に形成され、前記半導体発光層の前記側壁の露出部において前記凹凸を区画する絶縁体をさらに含み、前記絶縁層は、前記凹凸を埋めて前記絶縁体を被覆している、Ｄ１～Ｄ８のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｄ１０］前記絶縁体は、前記凹凸の凸を形成する第１部分、および、前記凹凸の凹を形成し、前記頂部の接線方向に関して前記第１部分の長さ以下の長さを有する第２部分を含む、Ｄ９に記載の面発光レーザ装置。

［Ｄ１１］前記絶縁体は、酸化物を含む、Ｄ９またはＤ１０に記載の面発光レーザ装置。

［Ｄ１２］前記半導体発光層は、アルミニウム組成を有する化合物半導体を含み、前記絶縁体は、アルミニウム酸化物を含む、Ｄ９～Ｄ１１のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｄ１３］前記半導体発光層は、第１アルミニウム組成を有する第１層、および、前記第１アルミニウム組成未満の第２アルミニウム組成を有する第２層が交互に積層され、前記凹凸の一部を区画する積層部を含む、Ｄ１～Ｄ４のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｄ１４］前記第１層は、前記側壁の露出部において前記凹凸の一部を区画する第１アルミニウム酸化物層を含み、前記第２層は、前記側壁の露出部において前記凹凸の一部を区画する第２アルミニウム酸化物層を含み、前記絶縁層は、前記凹凸を埋めて前記第１アルミニウム酸化物層および前記第２アルミニウム酸化物層を被覆している、Ｄ１３に記載の面発光レーザ装置。

［Ｄ１５］前記第２アルミニウム酸化物層は、前記頂部の接線方向に関して前記第１アルミニウム酸化物層の長さ以下の長さを有している、Ｄ１４に記載の面発光レーザ装置。

［Ｄ１６］前記半導体発光層内において前記側壁が前記頂部との間で成す角度は、９０°以上１７０°以下である、Ｄ１～Ｄ１５のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｄ１７］凹凸を有する内周壁、前記内周壁を取り囲む外周壁、ならびに、前記内周壁および前記外周壁を接続する底壁を含む溝によって頂部を有する台地状に区画され、前記頂部の法線方向に光を放出する半導体発光層を含む半導体層と、前記凹凸を埋めて前記内周壁を被覆する絶縁層と、を含む、面発光レーザ装置。

この面発光レーザ装置によれば、溝の内周壁に対する絶縁層の密着力を高めることができる。これにより、溝の内周壁を起点とする絶縁層の剥離を抑制できるから、絶縁層によって半導体発光層を適切に保護できる。

［Ｄ１８］前記外周壁は、凹凸を有し、前記絶縁層は、前記凹凸を埋めて前記外周壁を被覆している、Ｄ１７に記載の面発光レーザ装置。

［Ｄ１９］内周壁、凹凸を有し、前記内周壁を取り囲む外周壁、ならびに、前記内周壁および前記外周壁を接続する底壁を含む溝によって頂部を有する台地状に区画され、前記頂部の法線方向に光を放出する半導体発光層を含む半導体層と、前記凹凸を埋めて前記外周壁を被覆する絶縁層と、を含む、面発光レーザ装置。

この面発光レーザ装置によれば、溝の外周壁に対する絶縁層の密着力を高めることができる。これにより、溝の外周壁を起点とする絶縁層の剥離を抑制できるから、絶縁層によって半導体発光層を適切に保護できる。

［Ｄ２０］前記底壁は、前記頂部の接線方向に沿って延びている、Ｄ１７～Ｄ１９のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｄ２１］前記底壁は、前記半導体層の厚さ方向に向かって窪んだ湾曲状に形成されている、Ｄ１７～Ｄ１９のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｅ１］頂部、基部、ならびに、前記頂部および前記基部を接続し、凹凸を有する側壁を含むメサ構造と、前記メサ構造内で前記基部を形成する第１導電型の第１半導体層と、前記メサ構造内で前記頂部を形成する第２導電型の第２半導体層と、前記メサ構造内で前記第１半導体層および前記第２半導体層の間に介在する活性層と、前記凹凸を埋めて前記メサ構造の前記側壁を被覆する絶縁層と、を含む、面発光レーザ装置。

この面発光レーザ装置によれば、メサ構造の側壁に対する絶縁層の密着力を高めることができる。これにより、メサ構造の側壁を起点とする絶縁層の剥離を抑制できるから、メサ構造を適切に保護できる。

［Ｅ２］前記凹凸は、前記頂部の接線方向に向けて突出した複数の突出部、および、複数の前記突出部に対して前記メサ構造の内方に向けて窪んだ複数のリセス部を含む、Ｅ１に記載の面発光レーザ装置。

［Ｅ３］前記凹凸は、前記頂部の法線方向に隣り合う２つの前記突出部の間の領域に区画された前記リセス部を含む、Ｅ２に記載の面発光レーザ装置。

［Ｅ４］前記凹凸は、複数の前記突出部および複数の前記リセス部が交互に形成された領域を含む、Ｅ２またはＥ３に記載の面発光レーザ装置。

［Ｅ５］前記側壁から露出する前記第２半導体層の表面積は、前記側壁から露出する前記第１半導体層の表面積以上である、Ｅ１～Ｅ４のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｅ６］前記凹凸は、前記基部側において前記第１半導体層に形成された基部側領域、および、前記頂部側において前記第２半導体層に形成された頂部側領域を含む、Ｅ１～Ｅ５のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｅ７］前記頂部側領域の表面積は、前記基部側領域の表面積以上である、Ｅ６に記載の面発光レーザ装置。

［Ｅ８］前記側壁の表層部に形成され、前記側壁の露出部において前記凹凸を区画する絶縁体をさらに含み、前記絶縁層は、前記凹凸を埋めて前記絶縁体を被覆している、Ｅ１～Ｅ７のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｅ９］前記絶縁体は、前記凹凸の凸を形成する第１部分、および、前記凹凸の凹を形成し、前記頂部の接線方向に関して前記絶縁体の前記第１部分の長さ以下の長さを有する第２部分を含む、Ｅ８に記載の面発光レーザ装置。

［Ｅ１０］前記絶縁体は、酸化物を含む、Ｅ８またはＥ９に記載の面発光レーザ装置。

［Ｅ１１］前記絶縁体は、アルミニウム酸化物を含む、Ｅ８～Ｅ１０のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｅ１２］前記第１半導体層は、第１導電型の第１光反射層を含み、前記第２半導体層は、第２導電型の第２光反射層を含む、Ｅ１～Ｅ１１のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｅ１３］前記第２光反射層は、前記側壁から露出し、前記凹凸の一部を区画している、Ｅ１２に記載の面発光レーザ装置。

［Ｅ１４］前記第２光反射層は、第１アルミニウム組成を有する第１層、および、前記第１アルミニウム組成未満の第２アルミニウム組成を有する第２層が交互に積層された積層構造を有している、Ｅ１２またはＥ１３に記載の面発光レーザ装置。

［Ｅ１５］前記第１層は、前記側壁の露出部において前記凹凸の一部を区画する第１アルミニウム酸化物層を含み、前記第２層は、前記側壁の露出部において前記凹凸の一部を区画する第２アルミニウム酸化物層を含み、前記絶縁層は、前記凹凸を埋めて前記第１アルミニウム酸化物層および前記第２アルミニウム酸化物層を被覆している、Ｅ１４に記載の面発光レーザ装置。

［Ｅ１６］前記第２アルミニウム酸化物層は、前記頂部の接線方向に関して前記第１アルミニウム酸化物層の長さ以下の長さを有している、Ｅ１５に記載の面発光レーザ装置。

［Ｅ１７］前記メサ構造内において前記側壁が前記頂部との間で成す角度は、９０°以上１７０°以下である、Ｅ１～Ｅ１６のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｅ１８］前記メサ構造内で前記頂部および前記活性層の間に介在する電流狭窄絶縁層をさらに含む、Ｅ１～Ｅ１７のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｅ１９］前記電流狭窄絶縁層は、前記凹凸の一部を区画している、Ｅ１８に記載の面発光レーザ装置。

［Ｅ２０］前記電流狭窄絶縁層は、アルミニウム酸化物を含む、Ｅ１８またはＥ１９に記載の面発光レーザ装置。

［Ｅ２０］第１導電型の第１光反射層、前記第１光反射層の上に形成された活性層、および、前記活性層の上に形成された第２導電型の第２光反射層を含み、主面を有する半導体層と、凹凸を有する内周壁、前記内周壁を取り囲む外周壁、ならびに、前記内周壁および前記外周壁を接続する底壁を含み、前記第２光反射層および前記活性層を貫通するように前記主面に形成された溝と、前記溝の前記内周壁によって区画されたメサ構造を有する半導体発光層と、前記凹凸を埋めて前記溝の前記内周壁を被覆する絶縁層と、を含む、面発光レーザ装置。

この面発光レーザ装置によれば、溝の内周壁に対する絶縁層の密着力を高めることができる。これにより、溝の内周壁を起点とする絶縁層の剥離を抑制できるから、メサ構造を適切に保護できる。

［Ｅ２１］前記外周壁は、凹凸を有し、前記絶縁層は、前記凹凸を埋めて前記外周壁を被覆している、Ｅ２０に記載の面発光レーザ装置。

［Ｅ２２］第１導電型の第１光反射層、前記第１光反射層の上に形成された活性層、および、前記活性層の上に形成された第２導電型の第２光反射層を含み、主面を有する半導体層と、内周壁、凹凸を有し、前記内周壁を取り囲む外周壁、ならびに、前記内周壁および前記外周壁を接続する底壁を含み、前記第２光反射層および前記活性層を貫通するように前記主面に形成された溝と、前記溝の前記内周壁によって区画されたメサ構造を有する半導体発光層と、前記凹凸を埋めて前記外周壁を被覆する絶縁層と、を含む、面発光レーザ装置。

この面発光レーザ装置によれば、溝の外周壁に対する絶縁層の密着力を高めることができる。これにより、溝の外周壁を起点とする絶縁層の剥離を抑制できるから、メサ構造を適切に保護できる。

［Ｅ２３］複数の前記メサ構造を含む、Ｅ２０～Ｅ２２のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｅ２４］前記底壁は、前記主面に対して平行に延びている、Ｅ２０～Ｅ２３のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

［Ｅ２５］前記底壁は、前記底壁は、前記半導体層の厚さ方向に向かって窪んだ湾曲状に形成されている、Ｅ２０～Ｅ２３のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

この出願は、２０１８年８月２日に日本国特許庁に提出された特願２０１８－１４６１１３号、２０１８年８月２日に日本国特許庁に提出された特願２０１８－１４６１１４号、および、２０１８年８月２日に日本国特許庁に提出された特願２０１８－１４６１１６号に対応しており、これらの出願の全開示はここに引用により組み込まれるものとする。

本発明の実施形態について詳細に説明してきたが、これらは本発明の技術的内容を明らかにするために用いられた具体例に過ぎず、本発明はこれらの具体例に限定して解釈されるべきではなく、本発明の範囲は添付の請求の範囲によってのみ限定される。

１ 面発光レーザ装置
３ 第１主面
６ 発光部
７ トレンチ
８ 絶縁層
９ 第１主面電極層
１１ 外部端子
２１ 半導体積層構造
４１ メサ構造
１３１ 面発光レーザ装置
１４１ 面発光レーザ装置
１５１ 面発光レーザ装置
１６１ 面発光レーザ装置
１７１ 面発光レーザ装置
１７２ 電極層
１８１ 面発光レーザ装置
１８２ 電極層
１８６ 第１電極層
１８７ 第２電極層
１９１ 面発光レーザ装置
１９２ 電極層
１９７ 第１電極層
１９８ 第２電極層
２０１ 面発光レーザ装置

Claims (17)

1. 主面を有する半導体層と、
   前記主面に形成された溝によってそれぞれ区画され、平面視において前記主面の周縁部に偏在するように配列され、前記主面の法線方向に向けて光を放出する複数の発光部と、を含み、
   複数の前記発光部は、複数の前記発光部の間の距離が前記主面の中央部から前記主面の周縁部に向けて漸減する態様で配列されている、面発光レーザ装置。
2. 前記主面の上に形成され、複数の前記発光部を被覆する絶縁層と、
   前記絶縁層の上に形成され、複数の前記発光部に電気的に接続された主面電極層と、をさらに含む、請求項１に記載の面発光レーザ装置。
3. 前記主面電極層の上において複数の前記発光部の間の領域に形成された電極層をさらに含む、請求項２に記載の面発光レーザ装置。
4. 主面を有する半導体層と、
   前記主面に形成された溝によってそれぞれ区画され、平面視において前記主面の周縁部に偏在するように配列され、前記主面の法線方向に向けて光を放出する複数の発光部と、
   前記主面の上に形成され、複数の前記発光部を被覆する絶縁層と、
   前記絶縁層の上に形成され、複数の前記発光部に電気的に接続された主面電極層と、
   前記主面電極層の上において複数の前記発光部の間の領域に形成され、前記主面電極層の厚さを超える厚さを有する電極層と、を含む、面発光レーザ装置。
5. 複数の前記発光部は、前記主面の周縁部における単位面積当たりの個数が前記主面の中央部における単位面積当たりの個数を超えるように配列されている、請求項１～４のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
6. 複数の前記発光部は、平面視において三角形状、四角形状、六角形状、円形状または楕円形状に形成されている、請求項１～５のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
7. 主面を有する半導体層と、
   前記主面の上に形成され、前記半導体層の熱伝導率を超える熱伝導率を有する外部端子と、
   前記主面に形成された溝によってそれぞれ区画され、平面視において前記外部端子の周囲に偏在するように配列され、前記主面の法線方向に向けて光を放出する複数の発光部と、を含む、面発光レーザ装置。
8. 複数の前記発光部は、平面視において前記外部端子の周囲および前記主面の周縁部に偏在している、請求項７に記載の面発光レーザ装置。
9. 前記外部端子は、平面視において前記主面の周縁部の上に形成されており、
   複数の前記発光部は、平面視において前記主面の周縁部において前記外部端子の周囲に偏在している、請求項７または８に記載の面発光レーザ装置。
10. 複数の前記発光部は、前記主面の周縁部において密に配列され、前記主面の中央部において疎に配列されている、請求項７～９のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
11. 複数の前記発光部は、前記外部端子の周囲における単位面積当たりの個数が前記主面の中央部における単位面積当たりの個数を超えるように配列されている、請求項７～１０のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
12. 複数の前記発光部は、前記外部端子の周囲に位置する複数の前記発光部の間の距離が前記外部端子の周囲外の領域に位置する複数の前記発光部の間の距離未満となるように配列されている、請求項７～１１のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
13. 複数の前記発光部は、平面視において千鳥状、行列状または放射状に配列されている、請求項７～１２のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
14. 複数の前記発光部は、平面視において三角形状、四角形状、六角形状、円形状または楕円形状に形成されている、請求項７～１３のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
15. 前記主面の上に形成され、複数の前記発光部を被覆する絶縁層と、
    前記絶縁層の上に形成され、複数の前記発光部に電気的に接続された主面電極層と、をさらに含み、
    前記外部端子は、前記主面電極層の上に形成されている、請求項７～１４のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
16. 前記主面電極層の上において複数の前記発光部の間の領域に形成され、前記主面電極層の厚さを超える厚さを有する電極層をさらに含む、請求項１５に記載の面発光レーザ装置。
17. 前記外部端子に接続された導線をさらに含む、請求項７～１６のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。

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