JP2020004985A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020004985A5 JP2020004985A5 JP2019148890A JP2019148890A JP2020004985A5 JP 2020004985 A5 JP2020004985 A5 JP 2020004985A5 JP 2019148890 A JP2019148890 A JP 2019148890A JP 2019148890 A JP2019148890 A JP 2019148890A JP 2020004985 A5 JP2020004985 A5 JP 2020004985A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- depositing
- substrate
- doped
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 15
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 14
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N precursor Substances N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 13
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 8
- 230000001590 oxidative Effects 0.000 claims 7
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims 6
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims 6
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims 4
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N oxozirconium Chemical compound [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910004140 HfO Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims 2
- 230000000903 blocking Effects 0.000 claims 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (20)
- 積層誘電性複合体構造を形成する方法であって、
１又は複数のリーク遮蔽誘電体層を、１又は複数のドーピングされた高誘電率誘電体層と交互に基板上に堆積することを含み、
前記１又は複数のリーク遮蔽誘電体層を堆積することが、ドーピングされていないＳｉＯ２及びドーピングされていないＡｌ２Ｏ３のうち１つ又は双方を堆積することを含み、
前記１又は複数のドーピングされた高誘電率誘電体層を堆積することが、前記基板をベース金属プリカーサと、オキシダントと、ドーパントプリカーサとに交互に曝すことを含む、方法。 - 前記ドーパントプリカーサが、ランタナイド、III(B)族元素、IV(B)族元素及びV(B)族元素からなる群から選択されたドーパントを含む、請求項１に記載の方法。
- 前記１又は複数のドーピングされた高誘電率誘電体層がベース誘電体層を有し、前記ベース誘電体層は、ドーパントをドーピングされないベース誘電体層に比べてより高い誘電率を有するようにドーパントをドーピングされる、請求項２に記載の方法。
- 前記１又は複数のドーピングされた高誘電率誘電体層が、ドーピングされたＨｆＯ２及びドーピングされたＺｒＯ２のうち１つ又は双方を含む、請求項３に記載の方法。
- 前記１又は複数のドーピングされた高誘電率誘電体層を堆積することが、ベース誘電体層を堆積することと、ドーピングされた誘電体層を堆積することとを含む、請求項１に記載の方法。
- 前記ベース誘電体層を堆積することが、前記基板を前記ベース金属プリカーサに曝した後に前記基板を前記オキシダントに曝すことを含む、請求項５に記載の方法。
- 前記ドーピングされた誘電体層を堆積することが、前記基板を前記オキシダントに曝した後に前記基板を前記ドーパントプリカーサに曝し、その後、前記基板を第２のオキシダントに曝すことを含む、請求項６に記載の方法。
- 前記１又は複数のドーピングされた高誘電率誘電体層を堆積することが、金属アロイ層を堆積し、そして続いて前記金属アロイ層を酸化することを含む、請求項１に記載の方法。
- 前記金属アロイ層を堆積することが、前記基板を前記ベース金属プリカーサと前記ドーパントプリカーサとに順次曝すことを含む、請求項８に記載の方法。
- 前記１又は複数のドーピングされた高誘電率誘電体層を堆積することが、前記基板を前記ベース金属プリカーサと前記ドーパントプリカーサとに順次曝した後に、前記基板を前記オキシダントに曝すことを含む、請求項９に記載の方法。
- 前記金属アロイ層を堆積することが、前記基板を前記ベース金属プリカーサと前記ドーパントプリカーサとに同時に曝すことを含む、請求項８に記載の方法。
- 前記１又は複数のドーピングされた高誘電率誘電体層を堆積することが、前記基板を前記ベース金属プリカーサと前記ドーパントプリカーサとに同時に曝した後に、前記オキシダントに曝すことを含む、請求項１１に記載の方法。
- 前記１又は複数のドーピングされた高誘電率誘電体層の各々が、ドーパントをドーピングされたベース誘電体層を有し、前記積層誘電性複合体構造が、ドーパントを含まずかつ前記１又は複数のリーク遮蔽誘電体層を有しない前記ベース誘電体層に比べて、より高い誘電率と、より低いリーケージ電流とを有する、請求項１に記載の方法。
- 前記方法がさらに、アニーリングすることにより前記積層誘電性複合体構造の誘電率を高めることを含む、請求項１の方法。
- 前記方法がさらに、アニーリングすることにより前記積層誘電性複合体構造を立方体相又は正四面体相へと結晶学的に安定とすることを含む、請求項１に記載の方法。
- 半導体構造において、
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された積層誘電性複合体構造とを有し、前記積層誘電性複合体構造は、交互になっている１又は複数のリーク遮蔽誘電体層と１又は複数のドーピングされた高誘電率誘電体層とを具備し、
前記１又は複数のリーク遮蔽誘電体層が、ドーピングされていないＳｉＯ２及びドーピングされていないＡｌ２Ｏ３のうち１つ又は双方を含み、かつ、
前記１又は複数のドーピングされた高誘電率誘電体がベース誘電体層を有し、前記ベース誘電体層は、ドーパントをドーピングされていないベース誘電体層に比べてより高い誘電率を有するようにドーパントをドーピングされている、半導体構造。 - 前記積層誘電性複合体構造が、前記ドーパントを含まずかつ前記リーク遮蔽誘電体層を有しない前記ベース誘電体層に比べてより高い誘電率と、より低いリーケージ電流とを有する、請求項１６に記載の半導体構造。
- 前記ベース誘電体層が、ＨｆＯ２及びＺｒＯ２のうち１つ又は双方を含む、請求項１６に記載の半導体構造。
- 前記ドーパントが、ランタナイド、III(B)族元素、IV(B)族元素及びV(B)族元素からなる群から選択された１又は複数の金属元素を含む、請求項１６に記載の半導体構造。
- 前記ドーピングされた高誘電率誘電体層の１つが、前記積層誘電性複合体構造の中央層である、請求項１６に記載の半導体構造。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201361910383P | 2013-12-01 | 2013-12-01 | |
| US61/910383 | 2013-12-01 | ||
| JP2014236852A JP6616070B2 (ja) | 2013-12-01 | 2014-11-21 | 誘電性複合体構造の作製方法及び装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014236852A Division JP6616070B2 (ja) | 2013-12-01 | 2014-11-21 | 誘電性複合体構造の作製方法及び装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020004985A JP2020004985A (ja) | 2020-01-09 |
| JP2020004985A5 true JP2020004985A5 (ja) | 2020-03-26 |
| JP6906572B2 JP6906572B2 (ja) | 2021-07-21 |
Family
ID=53265915
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014236852A Active JP6616070B2 (ja) | 2013-12-01 | 2014-11-21 | 誘電性複合体構造の作製方法及び装置 |
| JP2019148890A Active JP6906572B2 (ja) | 2013-12-01 | 2019-08-14 | 誘電性複合体構造の作製方法及び装置 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014236852A Active JP6616070B2 (ja) | 2013-12-01 | 2014-11-21 | 誘電性複合体構造の作製方法及び装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9564329B2 (ja) |
| JP (2) | JP6616070B2 (ja) |
| KR (2) | KR102181679B1 (ja) |
| TW (1) | TWI651755B (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9388494B2 (en) | 2012-06-25 | 2016-07-12 | Novellus Systems, Inc. | Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region |
| US9617638B2 (en) | 2014-07-30 | 2017-04-11 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for showerhead backside parasitic plasma suppression in a secondary purge enabled ALD system |
| US9508547B1 (en) * | 2015-08-17 | 2016-11-29 | Lam Research Corporation | Composition-matched curtain gas mixtures for edge uniformity modulation in large-volume ALD reactors |
| US9738977B1 (en) | 2016-06-17 | 2017-08-22 | Lam Research Corporation | Showerhead curtain gas method and system for film profile modulation |
| KR102369676B1 (ko) | 2017-04-10 | 2022-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 |
| TWI815891B (zh) * | 2018-06-21 | 2023-09-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 薄膜及沉積薄膜的方法 |
| US20230420491A1 (en) * | 2022-06-28 | 2023-12-28 | International Business Machines Corporation | Ferroelectric Film with Buffer Layers for Improved Reliability of Metal-Insulator-Metal Capacitor |
| KR102637458B1 (ko) | 2023-04-11 | 2024-02-16 | 현진인터내셔널 주식회사 | 내구성 및 방오기능이 향상된 친환경 차열데크 및 그 제조방법 |
| CN116875961A (zh) * | 2023-09-01 | 2023-10-13 | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 | 原子层沉积设备 |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11214127A (ja) * | 1998-01-21 | 1999-08-06 | Riken Corp | ヒーター装置及びその製造方法 |
| FI117979B (fi) * | 2000-04-14 | 2007-05-15 | Asm Int | Menetelmä oksidiohutkalvojen valmistamiseksi |
| US6660660B2 (en) * | 2000-10-10 | 2003-12-09 | Asm International, Nv. | Methods for making a dielectric stack in an integrated circuit |
| US20040245602A1 (en) * | 2003-05-21 | 2004-12-09 | Kim Sun Jung | Method of fabricating metal-insulator-metal capacitor (MIM) using lanthanide-doped HfO2 |
| FR2869325B1 (fr) * | 2004-04-27 | 2006-06-16 | Commissariat Energie Atomique | Procede de depot d'une couche mince sur une couche oxydee d'un substrat |
| US7374964B2 (en) | 2005-02-10 | 2008-05-20 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition of CeO2/Al2O3 films as gate dielectrics |
| JP2007266438A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
| JP2008112956A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-05-15 | Sony Corp | キャパシタおよびその製造方法、ならびに、半導体デバイスおよび液晶表示装置 |
| KR100872876B1 (ko) * | 2006-11-24 | 2008-12-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 반도체 장치 |
| US7833913B2 (en) * | 2007-03-20 | 2010-11-16 | Tokyo Electron Limited | Method of forming crystallographically stabilized doped hafnium zirconium based films |
| US7723771B2 (en) * | 2007-03-30 | 2010-05-25 | Qimonda Ag | Zirconium oxide based capacitor and process to manufacture the same |
| US7833914B2 (en) | 2007-04-27 | 2010-11-16 | Micron Technology, Inc. | Capacitors and methods with praseodymium oxide insulators |
| TWI436474B (zh) * | 2007-05-07 | 2014-05-01 | Sony Corp | A solid-state image pickup apparatus, a manufacturing method thereof, and an image pickup apparatus |
| KR101541544B1 (ko) * | 2007-12-26 | 2015-08-03 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치와 그 제조 방법 및 촬상 장치 |
| TWI467045B (zh) * | 2008-05-23 | 2015-01-01 | Sigma Aldrich Co | 高介電常數電介質薄膜與使用鈰基前驅物製造高介電常數電介質薄膜之方法 |
| KR20100041179A (ko) * | 2008-10-13 | 2010-04-22 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 유전체, 이를 구비한 캐패시터 및 그 제조방법, 반도체 소자 제조방법 |
| KR20100079557A (ko) * | 2008-12-31 | 2010-07-08 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자 및 그의 제조방법 |
| WO2010120954A2 (en) | 2009-04-16 | 2010-10-21 | Advanced Technology Materials, Inc. | Doped zro2 capacitor materials and structures |
| KR20110006450A (ko) * | 2009-07-14 | 2011-01-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 유전 박막 형성 방법 |
| JP2011204751A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Elpida Memory Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JP5587716B2 (ja) * | 2010-09-27 | 2014-09-10 | マイクロンメモリジャパン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、並びに吸着サイト・ブロッキング原子層堆積法 |
| US20120082283A1 (en) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | Liviu Popa-Simil | Method of using micro-nano-hetro structures to make radiation detection systems and devices with applications |
| JP5932221B2 (ja) * | 2011-01-14 | 2016-06-08 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルＰＳ４ Ｌｕｘｃｏ Ｓ．ａ．ｒ．ｌ． | 半導体装置 |
| JP2013058559A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法及び基板処理システム |
| US8574998B2 (en) * | 2011-12-05 | 2013-11-05 | Intermolecular, Inc. | Leakage reduction in DRAM MIM capacitors |
| JP5882075B2 (ja) * | 2012-02-06 | 2016-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | キャパシタの製造方法、キャパシタ、およびそれに用いられる誘電体膜の形成方法 |
| KR101475996B1 (ko) * | 2012-02-29 | 2014-12-24 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 유전체, 이를 구비한 캐패시터 및 그 제조방법, 반도체 소자 제조방법 |
| US9245743B2 (en) * | 2013-08-02 | 2016-01-26 | Intermolecular, Inc. | Methods for forming high-k dielectrics containing hafnium and zirconium using atomic layer deposition |
-
2014
- 2014-11-21 JP JP2014236852A patent/JP6616070B2/ja active Active
- 2014-11-25 US US14/553,436 patent/US9564329B2/en active Active
- 2014-12-01 TW TW103141656A patent/TWI651755B/zh active
- 2014-12-01 KR KR1020140169718A patent/KR102181679B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-08-14 JP JP2019148890A patent/JP6906572B2/ja active Active
-
2020
- 2020-11-16 KR KR1020200153129A patent/KR102393908B1/ko active IP Right Grant
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2020004985A5 (ja) | ||
| CN104867873B (zh) | 一种半导体器件的制造方法 | |
| TWI779380B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
| KR960012511A (ko) | 용량성 구조 및 그와 유전성막의 형성방법 | |
| JP2012134511A (ja) | ジルコニウム酸化膜を有する半導体素子のキャパシタ及びその製造方法 | |
| CN101930979A (zh) | 控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法 | |
| JP2012104810A (ja) | 半導体デバイスで使用する金属−絶縁体−金属キャパシタの製造方法 | |
| CN103915437B (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
| US9159779B2 (en) | Method of fabricating semiconductor device | |
| JP5197986B2 (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| CN104752316B (zh) | 一种制作半导体器件的方法 | |
| CN103579076B (zh) | 形成浅沟槽隔离区的方法 | |
| JP4757579B2 (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法 | |
| CN104979289B (zh) | 一种半导体器件及其制作方法 | |
| US20060094199A1 (en) | Method for forming capacitor of semiconductor device | |
| CN106847910B (zh) | 一种GaN基半导体器件及其制备方法 | |
| TW201216363A (en) | Dielectric structure, transistor and manufacturing method thereof with praseodymium oxide | |
| WO2019142581A1 (ja) | Ｍｉｓ型半導体装置およびその製造方法、並びにその製造に用いるスパッタリングターゲット | |
| US20180269106A1 (en) | Semiconductor device having multiple work functions and manufacturing method thereof | |
| JP2010073867A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| KR100941856B1 (ko) | 플래시 메모리 소자 및 이의 제조 방법 | |
| KR100585003B1 (ko) | 캐패시터 및 그 제조 방법 | |
| CN115332058A (zh) | 一种降低高k金属栅有效功函数的方法 | |
| CN115000163A (zh) | 高k金属栅结构 | |
| WO2023137851A1 (zh) | 半导体结构及制备方法 |