JP2020003826A - 極端紫外光源 - Google Patents
極端紫外光源 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020003826A JP2020003826A JP2019185252A JP2019185252A JP2020003826A JP 2020003826 A JP2020003826 A JP 2020003826A JP 2019185252 A JP2019185252 A JP 2019185252A JP 2019185252 A JP2019185252 A JP 2019185252A JP 2020003826 A JP2020003826 A JP 2020003826A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulse
- target
- radiation
- light
- modified
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
- H05G2/006—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
Description
Claims (23)
- 放射の初期パルスを生成すること、
放射の修正パルスを形成するために前記放射の初期パルスのセクションを抽出することであって、前記放射の修正パルスは第1の部分及び第2の部分を含み、前記第1の部分は前記第2の部分に時間的に接続され、前記第1の部分は前記第2の部分の最大エネルギーよりも小さい最大エネルギーを有すること、
修正ターゲットを形成するために前記放射の修正パルスの前記第1の部分をターゲット材料と相互作用させること、及び、
極端紫外(EUV)光を発するプラズマを生成するために前記放射の修正パルスの前記第2の部分を前記修正ターゲットと相互作用させること、
を含む、方法。 - 増幅された放射の修正パルスを形成するために、前記放射の修正パルスに利得媒質を通過させることを更に含み、前記利得媒質は、前記放射の修正パルスの前記第1の部分を前記放射の修正パルスの前記第2の部分よりも多量に増幅させる、請求項1に記載の方法。
- 前記利得媒質は、小信号利得及び飽和利得を有し、
前記放射の修正パルスの前記第1の部分は、前記小信号利得によって増幅され、
前記放射の修正パルスの前記第2の部分は、前記飽和利得によって増幅される、請求項2に記載の方法。 - 前記放射の修正パルスを形成するために前記放射の初期パルスのセクションを抽出することは、前記放射の初期パルスにゲートモジュールを通過させることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ゲートモジュールは、電気光学ゲートモジュールを含む、請求項4に記載の方法。
- 前記電気光学ゲートモジュールは、1つ以上の偏光子を含む電気光学モジュレータを含む、請求項5に記載の方法。
- 前記放射の初期パルスは、光パルスを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記放射の初期パルスは、パルス炭酸ガス(CO2)レーザ光を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記放射の修正パルスの前記第1の部分の前記エネルギーは、経時的に連続して増加する、請求項1に記載の方法。
- 前記放射の修正パルスの前記第1の部分は、50ナノ秒(ns)又はそれ以下の持続時間を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記放射の初期パルス及び前記放射の修正パルスは、各々、時間の関数としてエネルギーを特徴付ける時間的プロファイルに関連付けられ、
前記放射の初期パルスと前記放射の修正パルスとの前記時間的プロファイルは異なる、請求項1に記載の方法。 - 前記放射の修正パルスの前記第1の部分を前記ターゲット材料と相互作用させる前に、前記ターゲット材料を形成するために、ターゲットを放射の第1のパルスと相互作用させることを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記放射の第1のパルスは、1ミクロン(μm)の波長を有する、請求項12に記載の方法。
- 極端紫外(EUV)光を生成する方法であって、
ターゲットをターゲットロケーションに提供することであって、前記ターゲットは前記ターゲットロケーションに到達する前に空間的に拡張されること、
放射のパルスを前記ターゲットロケーションに向けて誘導することであって、前記放射のパルスは第1の部分と、前記第1の部分の後に前記ターゲットロケーションに到達する第2の部分とを含むこと、
前記ターゲットとは異なる吸収を有する修正ターゲットを形成するために、前記放射のパルスの前記第1の部分を前記ターゲットと相互作用させること、及び、
EUV光を発するプラズマを生成するために、前記放射のパルスの前記第2の部分を前記修正ターゲットと相互作用させること、
を含む、方法。 - 前記ターゲットとは異なる吸収を有する前記修正ターゲットは、前記ターゲットよりも多量の放射を吸収する前記修正ターゲットを含む、請求項14に記載の方法。
- 前記ターゲットは、事前拡張ターゲットを含み、
前記ターゲットの空間的範囲は、前記ターゲットロケーションに提供される前に第1の寸法が拡張され、第2の寸法が縮小される、請求項14に記載の方法。 - 光ビームを発するように構成された光源と、
前記光源から発せられる前記光ビームを受信するように、及び、前記光ビームの一部を抽出するように、構成されたモジュレータと、
利得媒質を含む増幅器であって、前記増幅器は、前記光ビームの抽出された部分を受信するように、及び、前記利得媒質と共に抽出された前記部分を第1の部分と第2の部分とを含むパルスに増幅するように、構成され、前記第1の部分及び第2の部分は、時間的に接続され、前記第1の部分は、前記第2の部分より多量に増幅され、前記第2の部分は、プラズマ状態にある場合にEUV光を発するターゲット材料を前記プラズマ状態に変換するのに十分なエネルギーを含む、増幅器と、を備え、
使用中、ターゲットは、前記パルスを受信するターゲットロケーション内に位置決め可能であり、
前記ターゲットは、プラズマ状態にある場合にEUV光を発する前記ターゲット材料を含む、
極端紫外(EUV)システム。 - 前記光源は、レーザ光を生成する光源を含む、請求項17に記載のEUVシステム。
- 前記光源は、パルス炭酸ガス(CO2)レーザを含む、請求項18に記載のEUVシステム。
- 前記モジュレータは、前記光ビームの一部のみが前記モジュレータを通過できるようにすることによって、前記光ビームの一部を抽出するように構成される、請求項17に記載のEUVシステム。
- 前記ターゲットロケーション内に位置決め可能な前記ターゲットを形成するために、ターゲット材料の液滴を空間的に拡張するのに十分なエネルギーを含む放射のパルスを生成するように構成された第2の光源を更に備える、請求項17に記載のEUVシステム。
- 前記第2の光源は、1.06ミクロン(μm)の波長を有する光を含むレーザ光のパルス発する、請求項17に記載のEUVシステム。
- 前記光ビームを発するように構成された前記光源は、前記光ビームを発する前にレーザ光のパルスを発するように更に構成され、
前記レーザ光のパルスは、前記ターゲットロケーション内に位置決め可能な前記ターゲットを形成するために、ターゲット材料の液滴を空間的に拡張するのに十分なエネルギーを含む、請求項17に記載のEUVシステム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/325,153 US9357625B2 (en) | 2014-07-07 | 2014-07-07 | Extreme ultraviolet light source |
US14/325,153 | 2014-07-07 | ||
JP2016573121A JP6602320B6 (ja) | 2014-07-07 | 2015-06-25 | 極端紫外光源 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016573121A Division JP6602320B6 (ja) | 2014-07-07 | 2015-06-25 | 極端紫外光源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020003826A true JP2020003826A (ja) | 2020-01-09 |
JP6970155B2 JP6970155B2 (ja) | 2021-11-24 |
Family
ID=55018054
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016573121A Active JP6602320B6 (ja) | 2014-07-07 | 2015-06-25 | 極端紫外光源 |
JP2019185252A Active JP6970155B2 (ja) | 2014-07-07 | 2019-10-08 | 極端紫外光源 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016573121A Active JP6602320B6 (ja) | 2014-07-07 | 2015-06-25 | 極端紫外光源 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9357625B2 (ja) |
JP (2) | JP6602320B6 (ja) |
KR (2) | KR102601556B1 (ja) |
CN (2) | CN110784981B (ja) |
TW (2) | TWI705734B (ja) |
WO (1) | WO2016007312A2 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6021454B2 (ja) * | 2011-10-05 | 2016-11-09 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置および極端紫外光生成方法 |
US9357625B2 (en) | 2014-07-07 | 2016-05-31 | Asml Netherlands B.V. | Extreme ultraviolet light source |
WO2017137074A1 (de) * | 2016-02-10 | 2017-08-17 | Trumpf Lasersystems For Semiconductor Manufacturing Gmbh | Treiberlaseranordnung mit einem optischen isolator und euv-strahlungserzeugungsvorrichtung damit |
US10036963B2 (en) * | 2016-09-12 | 2018-07-31 | Cymer, Llc | Estimating a gain relationship of an optical source |
US9778022B1 (en) * | 2016-09-14 | 2017-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Determining moving properties of a target in an extreme ultraviolet light source |
US10149375B2 (en) * | 2016-09-14 | 2018-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Target trajectory metrology in an extreme ultraviolet light source |
US10663866B2 (en) * | 2016-09-20 | 2020-05-26 | Asml Netherlands B.V. | Wavelength-based optical filtering |
US10299361B2 (en) | 2017-03-24 | 2019-05-21 | Asml Netherlands B.V. | Optical pulse generation for an extreme ultraviolet light source |
CN110612482B (zh) * | 2017-05-10 | 2022-04-26 | Asml荷兰有限公司 | 激光产生的等离子体源 |
JP7239491B2 (ja) * | 2017-05-30 | 2023-03-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射源 |
CN111566563A (zh) * | 2017-10-26 | 2020-08-21 | Asml荷兰有限公司 | 用于监测等离子体的系统 |
CN108036930A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-05-15 | 长春长光精密仪器集团有限公司 | 一种透射光栅衍射效率的检测系统 |
KR20200138728A (ko) * | 2018-04-03 | 2020-12-10 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 광빔의 공간적 변조 |
CN112771999A (zh) * | 2018-09-25 | 2021-05-07 | Asml荷兰有限公司 | 在euv光源中用于靶量测和改变的激光系统 |
NL2024823A (en) * | 2019-02-19 | 2020-08-27 | Asml Netherlands Bv | Dose control for an extreme ultraviolet optical lithography system |
JP7434096B2 (ja) | 2020-07-30 | 2024-02-20 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成システム、及び電子デバイスの製造方法 |
KR20220030382A (ko) | 2020-08-28 | 2022-03-11 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 노광 방법 및 이를 이용한 반도체 제조 방법 |
JP2023096935A (ja) | 2021-12-27 | 2023-07-07 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006075535A1 (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-20 | Nikon Corporation | レーザプラズマeuv光源、ターゲット部材、テープ部材、ターゲット部材の製造方法、ターゲットの供給方法、及びeuv露光装置 |
JP2006303461A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-11-02 | Xtreme Technologies Gmbh | レーザ生成プラズマに基づく短波長放射線の効率的な生成のための方法および装置 |
JP2013093308A (ja) * | 2011-10-05 | 2013-05-16 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置および極端紫外光生成方法 |
WO2013161760A1 (ja) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステム及び極端紫外光生成システム |
Family Cites Families (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6693939B2 (en) * | 2001-01-29 | 2004-02-17 | Cymer, Inc. | Laser lithography light source with beam delivery |
US7916388B2 (en) | 2007-12-20 | 2011-03-29 | Cymer, Inc. | Drive laser for EUV light source |
US20060255298A1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-11-16 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source with pre-pulse |
US7518787B2 (en) * | 2006-06-14 | 2009-04-14 | Cymer, Inc. | Drive laser for EUV light source |
US7928416B2 (en) * | 2006-12-22 | 2011-04-19 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source |
US6928093B2 (en) * | 2002-05-07 | 2005-08-09 | Cymer, Inc. | Long delay and high TIS pulse stretcher |
US7491954B2 (en) | 2006-10-13 | 2009-02-17 | Cymer, Inc. | Drive laser delivery systems for EUV light source |
US7415056B2 (en) * | 2006-03-31 | 2008-08-19 | Cymer, Inc. | Confocal pulse stretcher |
US7671349B2 (en) * | 2003-04-08 | 2010-03-02 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source |
JP3759066B2 (ja) * | 2002-04-11 | 2006-03-22 | 孝晏 望月 | レーザプラズマ発生方法およびその装置 |
US8654438B2 (en) | 2010-06-24 | 2014-02-18 | Cymer, Llc | Master oscillator-power amplifier drive laser with pre-pulse for EUV light source |
CN100366129C (zh) * | 2002-05-13 | 2008-01-30 | 杰特克公司 | 用于产生辐射的方法和装置 |
DE10251435B3 (de) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Xtreme Technologies Gmbh | Strahlungsquelle zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung |
US6973164B2 (en) | 2003-06-26 | 2005-12-06 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Laser-produced plasma EUV light source with pre-pulse enhancement |
DE102004005242B4 (de) * | 2004-01-30 | 2006-04-20 | Xtreme Technologies Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur plasmabasierten Erzeugung intensiver kurzwelliger Strahlung |
US7057786B2 (en) * | 2004-05-10 | 2006-06-06 | Ciencia, Inc. | Electro-optic array interface |
WO2006104956A2 (en) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Compact, high-flux, short-pulse x-ray source |
JP5176037B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2013-04-03 | 国立大学法人大阪大学 | 極端紫外光源用ターゲット |
JP5156192B2 (ja) | 2006-01-24 | 2013-03-06 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
WO2007121142A2 (en) | 2006-04-12 | 2007-10-25 | The Regents Of The University Of California | Improved light source employing laser-produced plasma |
JP4937643B2 (ja) * | 2006-05-29 | 2012-05-23 | 株式会社小松製作所 | 極端紫外光源装置 |
US7830928B2 (en) * | 2006-08-02 | 2010-11-09 | Regents of the University of Colorado, a body corp | Quasi-phase matching and quantum control of high harmonic generation in waveguides using counterpropagating beams |
JP5358060B2 (ja) | 2007-02-20 | 2013-12-04 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
JP5189301B2 (ja) * | 2007-03-12 | 2013-04-24 | オリンパス株式会社 | レーザー走査型顕微鏡 |
US7876498B1 (en) * | 2007-03-23 | 2011-01-25 | Lockheed Martin Corporation | Pulse-energy-stabilization approach and first-pulse-suppression method using fiber amplifier |
WO2009140270A2 (en) * | 2008-05-13 | 2009-11-19 | The Regents Of The University Of California | System and method for light source employing laser-produced plasma |
JP5335298B2 (ja) * | 2008-06-20 | 2013-11-06 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置及び極端紫外光の生成方法 |
JP5426317B2 (ja) | 2008-10-23 | 2014-02-26 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光光源装置 |
JP5368261B2 (ja) | 2008-11-06 | 2013-12-18 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法 |
US8436328B2 (en) | 2008-12-16 | 2013-05-07 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light source apparatus |
JP5312959B2 (ja) | 2009-01-09 | 2013-10-09 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
JP5638769B2 (ja) * | 2009-02-04 | 2014-12-10 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクの製造方法及び反射型マスクの製造方法 |
US8462824B2 (en) * | 2009-04-22 | 2013-06-11 | The Regents Of The University Of Colorado | Phase-matched generation of coherent soft and hard X-rays using IR lasers |
JP5603135B2 (ja) | 2009-05-21 | 2014-10-08 | ギガフォトン株式会社 | チャンバ装置におけるターゲット軌道を計測及び制御する装置及び方法 |
US9265136B2 (en) | 2010-02-19 | 2016-02-16 | Gigaphoton Inc. | System and method for generating extreme ultraviolet light |
JP5722061B2 (ja) * | 2010-02-19 | 2015-05-20 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置及び極端紫外光の発生方法 |
US9113540B2 (en) | 2010-02-19 | 2015-08-18 | Gigaphoton Inc. | System and method for generating extreme ultraviolet light |
JP5765730B2 (ja) * | 2010-03-11 | 2015-08-19 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
JP5666285B2 (ja) | 2010-03-15 | 2015-02-12 | ギガフォトン株式会社 | 再生増幅器、レーザ装置および極端紫外光生成装置 |
US9072153B2 (en) | 2010-03-29 | 2015-06-30 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation system utilizing a pre-pulse to create a diffused dome shaped target |
US8368039B2 (en) * | 2010-04-05 | 2013-02-05 | Cymer, Inc. | EUV light source glint reduction system |
US8648999B2 (en) * | 2010-07-22 | 2014-02-11 | Cymer, Llc | Alignment of light source focus |
US8462425B2 (en) | 2010-10-18 | 2013-06-11 | Cymer, Inc. | Oscillator-amplifier drive laser with seed protection for an EUV light source |
JP6054028B2 (ja) | 2011-02-09 | 2016-12-27 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置および極端紫外光生成システム |
JP2012191171A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-10-04 | Gigaphoton Inc | レーザ装置、それを備える極端紫外光生成装置およびレーザ光出力制御方法 |
JP2012199512A (ja) | 2011-03-10 | 2012-10-18 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成方法 |
US8604452B2 (en) | 2011-03-17 | 2013-12-10 | Cymer, Llc | Drive laser delivery systems for EUV light source |
JP5758662B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2015-08-05 | 国立大学法人大阪大学 | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成方法 |
US9516730B2 (en) | 2011-06-08 | 2016-12-06 | Asml Netherlands B.V. | Systems and methods for buffer gas flow stabilization in a laser produced plasma light source |
US9335637B2 (en) * | 2011-09-08 | 2016-05-10 | Kla-Tencor Corporation | Laser-produced plasma EUV source with reduced debris generation utilizing predetermined non-thermal laser ablation |
NL2009372A (en) * | 2011-09-28 | 2013-04-02 | Asml Netherlands Bv | Methods to control euv exposure dose and euv lithographic methods and apparatus using such methods. |
JP2013140771A (ja) | 2011-12-09 | 2013-07-18 | Gigaphoton Inc | ターゲット供給装置 |
DE102013002064A1 (de) * | 2012-02-11 | 2013-08-14 | Media Lario S.R.L. | Quell-kollektor-module für euv-lithographie unter verwendung eines gic-spiegels und einer lpp-quelle |
DE102012209837A1 (de) | 2012-06-12 | 2013-12-12 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | EUV-Anregungslichtquelle mit einer Laserstrahlquelle und einer Strahlführungsvorrichtung zum Manipulieren des Laserstrahls |
US9341752B2 (en) * | 2012-11-07 | 2016-05-17 | Asml Netherlands B.V. | Viewport protector for an extreme ultraviolet light source |
CN103138149A (zh) * | 2013-02-04 | 2013-06-05 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 产生宽带可调谐相干极紫外或软x射线的装置 |
US8872143B2 (en) * | 2013-03-14 | 2014-10-28 | Asml Netherlands B.V. | Target for laser produced plasma extreme ultraviolet light source |
US8680495B1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-03-25 | Cymer, Llc | Extreme ultraviolet light source |
US9357625B2 (en) | 2014-07-07 | 2016-05-31 | Asml Netherlands B.V. | Extreme ultraviolet light source |
-
2014
- 2014-07-07 US US14/325,153 patent/US9357625B2/en active Active
-
2015
- 2015-06-25 CN CN201911033324.4A patent/CN110784981B/zh active Active
- 2015-06-25 WO PCT/US2015/037799 patent/WO2016007312A2/en active Application Filing
- 2015-06-25 KR KR1020227044754A patent/KR102601556B1/ko active IP Right Grant
- 2015-06-25 KR KR1020177000372A patent/KR102480871B1/ko active IP Right Grant
- 2015-06-25 JP JP2016573121A patent/JP6602320B6/ja active Active
- 2015-06-25 CN CN201580036836.XA patent/CN106537511B/zh active Active
- 2015-07-06 TW TW104121835A patent/TWI705734B/zh active
- 2015-07-06 TW TW109130651A patent/TWI787648B/zh active
-
2016
- 2016-05-06 US US15/148,255 patent/US9826616B2/en active Active
-
2017
- 2017-10-23 US US15/790,408 patent/US10064261B2/en active Active
-
2019
- 2019-10-08 JP JP2019185252A patent/JP6970155B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006075535A1 (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-20 | Nikon Corporation | レーザプラズマeuv光源、ターゲット部材、テープ部材、ターゲット部材の製造方法、ターゲットの供給方法、及びeuv露光装置 |
JP2006303461A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-11-02 | Xtreme Technologies Gmbh | レーザ生成プラズマに基づく短波長放射線の効率的な生成のための方法および装置 |
JP2013093308A (ja) * | 2011-10-05 | 2013-05-16 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置および極端紫外光生成方法 |
WO2013161760A1 (ja) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステム及び極端紫外光生成システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6602320B2 (ja) | 2019-11-06 |
KR102480871B1 (ko) | 2022-12-22 |
TW202106118A (zh) | 2021-02-01 |
CN110784981B (zh) | 2023-07-28 |
CN106537511B (zh) | 2019-11-19 |
KR20230003425A (ko) | 2023-01-05 |
WO2016007312A3 (en) | 2016-03-10 |
JP2017526947A (ja) | 2017-09-14 |
US20160255708A1 (en) | 2016-09-01 |
CN110784981A (zh) | 2020-02-11 |
US20160007434A1 (en) | 2016-01-07 |
US9357625B2 (en) | 2016-05-31 |
TWI705734B (zh) | 2020-09-21 |
US9826616B2 (en) | 2017-11-21 |
TWI787648B (zh) | 2022-12-21 |
CN106537511A (zh) | 2017-03-22 |
TW201603650A (zh) | 2016-01-16 |
JP6970155B2 (ja) | 2021-11-24 |
JP6602320B6 (ja) | 2020-01-15 |
US10064261B2 (en) | 2018-08-28 |
US20180124906A1 (en) | 2018-05-03 |
KR20170030516A (ko) | 2017-03-17 |
WO2016007312A2 (en) | 2016-01-14 |
KR102601556B1 (ko) | 2023-11-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6970155B2 (ja) | 極端紫外光源 | |
JP7016840B2 (ja) | 極紫外光源 | |
US9232624B2 (en) | Target for laser produced plasma extreme ultraviolet light source | |
JP6678714B2 (ja) | 極端紫外光源 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191024 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191024 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200817 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200909 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201204 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210312 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210604 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211012 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211028 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6970155 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |