JP6602320B6 - 極端紫外光源 - Google Patents
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 133
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 14
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 14
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 10
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- 230000036278 prepulse Effects 0.000 description 40
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 35
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 8
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 8
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 SnH 4 Chemical class 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
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- H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
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- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
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Description
Claims (13)
- 放射の初期パルスを生成すること、
放射の修正パルスを形成するために前記放射の初期パルスのセクションを抽出することであって、前記放射の修正パルスは第1の部分及び第2の部分を含み、前記第1の部分は前記第2の部分に時間的に接続され、前記第1の部分は前記第2の部分の最大エネルギーよりも小さい最大エネルギーを有すること、
増幅された放射の修正パルスを形成するために、前記放射の修正パルスに利得媒質を通過させることであって、前記利得媒質は、小信号利得及び飽和利得を有し、前記放射の修正パルスの前記第1の部分は、前記小信号利得によって増幅され、前記放射の修正パルスの前記第2の部分は、前記飽和利得によって増幅されること、
修正ターゲットを形成するために、前記増幅された放射の修正パルスの前記第1の部分をターゲット材料と相互作用させること、及び、
極端紫外(EUV)光を発するプラズマを生成するために、前記増幅された放射の修正パルスの前記第2の部分を前記修正ターゲットと相互作用させること、
を含む、方法。 - 前記利得媒質は、前記放射の修正パルスの前記第1の部分を前記放射の修正パルスの前記第2の部分よりも大きい係数で増幅させる、請求項1に記載の方法。
- 前記放射の修正パルスを形成するために前記放射の初期パルスのセクションを抽出することは、前記放射の初期パルスにゲートモジュールを通過させることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ゲートモジュールは、電気光学ゲートモジュールを含む、請求項3に記載の方法。
- 前記電気光学ゲートモジュールは、1つ以上の偏光子を含む電気光学モジュレータを含む、請求項4に記載の方法。
- 極端紫外(EUV)光を生成する方法であって、
ターゲットをターゲットロケーションに提供することであって、前記ターゲットは前記ターゲットロケーションに到達する前に空間的に拡張されること、
放射のパルスを、利得媒質を通じて、前記ターゲットロケーションに向けて誘導することであって、前記放射のパルスは第1の部分と、前記第1の部分の後に前記ターゲットロケーションに到達する第2の部分とを含み、前記利得媒質は、小信号利得及び飽和利得を有し、前記放射の修正パルスの前記第1の部分は、前記小信号利得によって増幅され、前記放射の修正パルスの前記第2の部分は、前記飽和利得によって増幅されること、
前記ターゲットとは異なる吸収を有する修正ターゲットを形成するために、前記放射のパルスの前記第1の部分を前記ターゲットと相互作用させること、及び、
EUV光を発するプラズマを生成するために、前記放射のパルスの前記第2の部分を前記修正ターゲットと相互作用させること、
を含む、方法。 - 前記ターゲットとは異なる吸収を有する前記修正ターゲットは、前記ターゲットよりも多量の放射を吸収する前記修正ターゲットを含む、請求項6に記載の方法。
- 前記ターゲットは、事前拡張ターゲットを含み、
前記ターゲットの空間的範囲は、前記ターゲットロケーションに提供される前に第1の寸法が拡張され、第2の寸法が縮小される、請求項6に記載の方法。 - 光ビームを発するように構成された光源と、
前記光源から発せられる前記光ビームを受信するように、及び、前記光ビームの一部を抽出するように、構成されたモジュレータと、
利得媒質を含む増幅器であって、前記利得媒質は、小信号利得及び飽和利得を有し、前記増幅器は、前記光ビームの抽出された部分を受信するように、及び、前記利得媒質と共に抽出された前記部分を第1の部分と第2の部分とを含むパルスに増幅するように構成され、前記第1の部分及び第2の部分は、時間的に接続され、前記第1の部分は、前記小信号利得により、前記第2の部分より多量に増幅され、前記第2の部分は、プラズマ状態にある場合にEUV光を発するターゲット材料を前記プラズマ状態に変換するのに十分なエネルギーを含む、増幅器と、を備え、
使用中、ターゲットは、前記パルスを受信するターゲットロケーション内に位置決め可能であり、前記ターゲットは、プラズマ状態にある場合にEUV光を発する前記ターゲット材料を含む、極端紫外(EUV)システム。 - 前記モジュレータは、前記光ビームの一部のみが前記モジュレータを通過できるようにすることによって、前記光ビームの一部を抽出するように構成される、請求項9に記載のEUVシステム。
- 前記ターゲットロケーション内に位置決め可能な前記ターゲットを形成するために、ターゲット材料の液滴を空間的に拡張するのに十分なエネルギーを含む放射のパルスを生成するように構成された第2の光源を更に備える、請求項9に記載のEUVシステム。
- 前記第2の光源は、1.06ミクロン(μm)の波長を有する光を含むレーザ光のパルス発する、請求項9に記載のEUVシステム。
- 前記光ビームを発するように構成された前記光源は、前記光ビームを発する前にレーザ光のパルスを発するように更に構成され、
前記レーザ光のパルスは、前記ターゲットロケーション内に位置決め可能な前記ターゲットを形成するために、ターゲット材料の液滴を空間的に拡張するのに十分なエネルギーを含む、請求項9に記載のEUVシステム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019185252A JP6970155B2 (ja) | 2014-07-07 | 2019-10-08 | 極端紫外光源 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/325,153 | 2014-07-07 | ||
US14/325,153 US9357625B2 (en) | 2014-07-07 | 2014-07-07 | Extreme ultraviolet light source |
PCT/US2015/037799 WO2016007312A2 (en) | 2014-07-07 | 2015-06-25 | Extreme ultraviolet light source |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019185252A Division JP6970155B2 (ja) | 2014-07-07 | 2019-10-08 | 極端紫外光源 |
Publications (4)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017526947A JP2017526947A (ja) | 2017-09-14 |
JP2017526947A5 JP2017526947A5 (ja) | 2018-08-02 |
JP6602320B2 JP6602320B2 (ja) | 2019-11-06 |
JP6602320B6 true JP6602320B6 (ja) | 2020-01-15 |
Family
ID=55018054
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016573121A Active JP6602320B6 (ja) | 2014-07-07 | 2015-06-25 | 極端紫外光源 |
JP2019185252A Active JP6970155B2 (ja) | 2014-07-07 | 2019-10-08 | 極端紫外光源 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019185252A Active JP6970155B2 (ja) | 2014-07-07 | 2019-10-08 | 極端紫外光源 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9357625B2 (ja) |
JP (2) | JP6602320B6 (ja) |
KR (2) | KR102601556B1 (ja) |
CN (2) | CN106537511B (ja) |
TW (2) | TWI787648B (ja) |
WO (1) | WO2016007312A2 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6021454B2 (ja) * | 2011-10-05 | 2016-11-09 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置および極端紫外光生成方法 |
US9357625B2 (en) | 2014-07-07 | 2016-05-31 | Asml Netherlands B.V. | Extreme ultraviolet light source |
WO2017137074A1 (de) | 2016-02-10 | 2017-08-17 | Trumpf Lasersystems For Semiconductor Manufacturing Gmbh | Treiberlaseranordnung mit einem optischen isolator und euv-strahlungserzeugungsvorrichtung damit |
US10036963B2 (en) * | 2016-09-12 | 2018-07-31 | Cymer, Llc | Estimating a gain relationship of an optical source |
US10149375B2 (en) * | 2016-09-14 | 2018-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Target trajectory metrology in an extreme ultraviolet light source |
US9778022B1 (en) * | 2016-09-14 | 2017-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Determining moving properties of a target in an extreme ultraviolet light source |
US10663866B2 (en) * | 2016-09-20 | 2020-05-26 | Asml Netherlands B.V. | Wavelength-based optical filtering |
US10299361B2 (en) | 2017-03-24 | 2019-05-21 | Asml Netherlands B.V. | Optical pulse generation for an extreme ultraviolet light source |
NL2020778A (en) * | 2017-05-10 | 2018-11-14 | Asml Netherlands Bv | Laser produced plasma source |
NL2020864A (en) * | 2017-05-30 | 2018-12-04 | Asml Netherlands Bv | Radiation Source |
US11266002B2 (en) * | 2017-10-26 | 2022-03-01 | Asml Netherlands B.V. | System for monitoring a plasma |
CN108036930A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-05-15 | 长春长光精密仪器集团有限公司 | 一种透射光栅衍射效率的检测系统 |
WO2019192841A1 (en) * | 2018-04-03 | 2019-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Spatial modulation of a light beam |
NL2023633A (en) * | 2018-09-25 | 2020-04-30 | Asml Netherlands Bv | Laser system for target metrology and alteration in an euv light source |
NL2024823A (en) * | 2019-02-19 | 2020-08-27 | Asml Netherlands Bv | Dose control for an extreme ultraviolet optical lithography system |
JP7434096B2 (ja) | 2020-07-30 | 2024-02-20 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成システム、及び電子デバイスの製造方法 |
KR20220030382A (ko) | 2020-08-28 | 2022-03-11 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 노광 방법 및 이를 이용한 반도체 제조 방법 |
JP2023096935A (ja) | 2021-12-27 | 2023-07-07 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6693939B2 (en) * | 2001-01-29 | 2004-02-17 | Cymer, Inc. | Laser lithography light source with beam delivery |
US7928416B2 (en) * | 2006-12-22 | 2011-04-19 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source |
US7415056B2 (en) * | 2006-03-31 | 2008-08-19 | Cymer, Inc. | Confocal pulse stretcher |
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US7518787B2 (en) * | 2006-06-14 | 2009-04-14 | Cymer, Inc. | Drive laser for EUV light source |
US7916388B2 (en) | 2007-12-20 | 2011-03-29 | Cymer, Inc. | Drive laser for EUV light source |
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US6928093B2 (en) * | 2002-05-07 | 2005-08-09 | Cymer, Inc. | Long delay and high TIS pulse stretcher |
US7671349B2 (en) * | 2003-04-08 | 2010-03-02 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source |
JP3759066B2 (ja) * | 2002-04-11 | 2006-03-22 | 孝晏 望月 | レーザプラズマ発生方法およびその装置 |
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-
2014
- 2014-07-07 US US14/325,153 patent/US9357625B2/en active Active
-
2015
- 2015-06-25 CN CN201580036836.XA patent/CN106537511B/zh active Active
- 2015-06-25 CN CN201911033324.4A patent/CN110784981B/zh active Active
- 2015-06-25 KR KR1020227044754A patent/KR102601556B1/ko active IP Right Grant
- 2015-06-25 JP JP2016573121A patent/JP6602320B6/ja active Active
- 2015-06-25 WO PCT/US2015/037799 patent/WO2016007312A2/en active Application Filing
- 2015-06-25 KR KR1020177000372A patent/KR102480871B1/ko active IP Right Grant
- 2015-07-06 TW TW109130651A patent/TWI787648B/zh active
- 2015-07-06 TW TW104121835A patent/TWI705734B/zh active
-
2016
- 2016-05-06 US US15/148,255 patent/US9826616B2/en active Active
-
2017
- 2017-10-23 US US15/790,408 patent/US10064261B2/en active Active
-
2019
- 2019-10-08 JP JP2019185252A patent/JP6970155B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110784981B (zh) | 2023-07-28 |
WO2016007312A2 (en) | 2016-01-14 |
KR20170030516A (ko) | 2017-03-17 |
US10064261B2 (en) | 2018-08-28 |
JP6970155B2 (ja) | 2021-11-24 |
JP6602320B2 (ja) | 2019-11-06 |
CN106537511B (zh) | 2019-11-19 |
TW201603650A (zh) | 2016-01-16 |
TWI787648B (zh) | 2022-12-21 |
CN106537511A (zh) | 2017-03-22 |
US9826616B2 (en) | 2017-11-21 |
TW202106118A (zh) | 2021-02-01 |
JP2020003826A (ja) | 2020-01-09 |
US20160255708A1 (en) | 2016-09-01 |
US20180124906A1 (en) | 2018-05-03 |
US20160007434A1 (en) | 2016-01-07 |
CN110784981A (zh) | 2020-02-11 |
US9357625B2 (en) | 2016-05-31 |
KR102601556B1 (ko) | 2023-11-10 |
TWI705734B (zh) | 2020-09-21 |
KR102480871B1 (ko) | 2022-12-22 |
KR20230003425A (ko) | 2023-01-05 |
WO2016007312A3 (en) | 2016-03-10 |
JP2017526947A (ja) | 2017-09-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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|
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R250 | Receipt of annual fees |
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