JP2019537745A5

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Publication number: JP2019537745A5
Application number: JP2019521060A
Authority: JP
Filing date: 2017-10-19
Publication date: 2020-11-26
Anticipated expiration: 2037-10-19

Claims

第１の層の第１の周期的アレイパターンおよび第２の層の第２のアレイパターンを含むマルチパターン構造を試料上に形成するように構成されているリソグラフィツールであって、前記第１の層の前記第１のアレイパターンまたは前記第２の層の前記第２のアレイパターンのうちの少なくとも１つがプログラムされた欠陥を含み、前記第１のアレイパターンのパターンを前記第２のアレイパターンに対して変化させて前記第１のアレイパターンを前記第２のアレイパターンと区別する、リソグラフィツールと、
前記プログラムされた欠陥を含む視野を有する前記第１のアレイパターンおよび前記第２のアレイパターンの１つ以上の画像を取得するように構成されたメトロロジーツールと、
前記１つ以上のプロセッサにメモリに収容された１セットのプログラム命令を実行させるように構成されている前記１つ以上のプロセッサを備えるコントローラと、
を備えるシステムであって、前記１セットのプログラム命令は、前記１つ以上のプロセッサに、
前記メトロロジーツールから、前記プログラムされた欠陥を含む前記第１のアレイパターンおよび前記第２のアレイパターンの前記１つ以上の画像を受信させ、
前記第１のアレイパターンおよび前記第２のアレイパターンのうちの少なくとも１つに関連した１つ以上のメトロロジーパラメータを、前記プログラムされた欠陥を含む前記第１のアレイパターンおよび前記第２のアレイパターンの前記１つ以上の画像にもとづき決定させる
ように構成される、システム。
請求項１に記載のシステムであって、
前記第１のアレイパターンおよび前記第２のアレイパターンのうちの少なくとも１つに関連した１つ以上のメトロロジーパラメータを決定させることは、前記第１のアレイパターンと前記第２のアレイパターンとの間のオーバーレイ誤差を決定することを含む、システム。
請求項１に記載のシステムであって、
前記第１のアレイパターンおよび前記第２のアレイパターンのうちの少なくとも１つに関連した１つ以上のメトロロジーパラメータを決定させることは、前記第１のアレイパターンおよび前記第２のアレイパターンのうちの少なくとも１つの限界寸法（ＣＤ）を決定することを含む、システム。
請求項１に記載のシステムであって、
前記第１のアレイパターンおよび前記第２のアレイパターンのうちの少なくとも１つに関連した１つ以上のメトロロジーパラメータを決定させることは、前記第１のアレイパターンおよび前記第２のアレイパターンのうちの少なくとも１つの限界寸法均一性（ＣＤＵ）を決定することを含む、システム。
請求項１に記載のシステムであって、
前記プログラムされた欠陥は、凸欠陥、凹欠陥、ピンチング欠陥、ギャップ欠陥、ピンホール欠陥、屈曲欠陥、またはブリッジ欠陥のうちの少なくとも１つを含む、システム。
請求項１に記載のシステムであって、
前記プログラムされた欠陥は、前記試料のスクライブライン領域、ダミーフィル領域、または実際のデバイス領域のうちの少なくとも１つに形成される、システム。
請求項１に記載のシステムであって、
前記リソグラフィツールは、極紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィツール、または電子ビームリソグラフィツールのうちの少なくとも１つを含む、システム。
請求項１に記載のシステムであって、
前記メトロロジーツールは、走査型電子顕微鏡法（ＳＥＭ）メトロロジーツールを含む、システム。
請求項１に記載のシステムであって、
前記試料は、半導体ウェハを含む、システム。
照明源と、
１つ以上のパターンマスクを固定するように構成されたマスクステージと、
試料を固定するように構成された試料ステージと、
前記照明源から１つ以上のパターンマスクへ照明を向け、前記１つ以上のパターンマスクから前記試料上へ２つ以上のパターンを投影するように構成された１セットの光学部品と
を備え、
前記１つ以上のパターンマスクは、１つ以上のプログラムされた欠陥を含む少なくとも１つのアレイパターンを備え、
前記１つ以上のパターンマスクは、第１層に第１のアレイパターンおよび第２層に第２のアレイパターンを前記試料上に形成するように構成され、
前記第１のアレイパターンまたは前記第２のアレイパターンのうちの少なくとも１つは、プログラムされた欠陥を含み、前記第１のアレイパターンのパターンを前記第２のアレイパターンに対して変化させて前記第１のアレイパターンを前記第２のアレイパターンと区別する、リソグラフィツール。
請求項１０に記載のリソグラフィツールであって、
コントローラをさらに備える、リソグラフィツール。
請求項１１に記載のリソグラフィツールであって、
前記コントローラは、前記第１のアレイパターンおよび前記第２のアレイパターンのうちの少なくとも１つに関連した１つ以上のメトロロジーパラメータを決定するように構成される、リソグラフィツール。
請求項１２に記載のリソグラフィツールであって、
前記コントローラは、前記第１のアレイパターンと前記第２のアレイパターンとの間のオーバーレイ誤差を決定するようにさらに構成される、リソグラフィツール。
請求項１２に記載のリソグラフィツールであって、
前記コントローラは、前記第１のアレイパターンおよび前記第２のアレイパターンのうちの少なくとも１つの限界寸法（ＣＤ）を決定するようにさらに構成される、リソグラフィツール。
請求項１２に記載のリソグラフィツールであって、
前記コントローラは、前記第１のアレイパターンおよび前記第２のアレイパターンのうちの少なくとも１つの限界寸法均一性（ＣＤＵ）を決定するようにさらに構成される、リソグラフィツール。
請求項１０に記載のリソグラフィツールであって、
前記プログラムされた欠陥は、凸欠陥、凹欠陥、ピンチング欠陥、ギャップ欠陥、ピンホール欠陥、屈曲欠陥、またはブリッジ欠陥のうちの少なくとも１つを含む、リソグラフィツール。
請求項１０に記載のリソグラフィツールであって、
前記リソグラフィツールは、前記試料のスクライブライン領域、ダミーフィル領域、または実際のデバイス領域のうちの少なくとも１つに、前記プログラムされた欠陥を形成する、リソグラフィツール。
請求項１０に記載のリソグラフィツールであって、
前記リソグラフィツールは、極紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィツール、または電子ビームリソグラフィツールのうちの少なくとも１つを含む、リソグラフィツール。
請求項１０に記載のリソグラフィツールであって、
前記試料は、半導体ウェハを含む、リソグラフィツール。
一次電子ビームを生成するように構成された電子ビーム源と、
試料を固定するように構成された試料ステージと、
前記一次電子ビームの少なくとも一部を前記試料の一部へ向けるように構成された１セットの電子光要素と、
前記試料に配設された２つ以上のアレイパターンの１つ以上の部分から発する電子を検出するように構成された検出器組立体であって、前記２つ以上のアレイパターンの第１層の第１のアレイパターンまたは第２層の第２のアレイパターンの少なくとも１つが、プログラムされた欠陥を含み、前記第１のアレイパターンのパターンを前記第２のアレイパターンに対して変化させて前記第１のアレイパターンを前記第２のアレイパターンと区別する、検出器組立体と、
１つ以上のプロセッサを備え、メモリに収容された１セットのプログラム命令を前記１つ以上のプロセッサに実行させるように構成されているコントローラと
を備え、
前記１セットのプログラム命令は、前記１つ以上のプロセッサに、
前記２つ以上のアレイパターンに関連した画像データを前記検出器組立体から受信させ、
受信した前記画像データに基づいて前記２つ以上のアレイパターンに関連した１つ以上のメトロロジーパラメータを決定させる
ように構成される、メトロロジーツール。
請求項２０に記載のメトロロジーツールであって、
前記コントローラは、前記第１のアレイパターンおよび前記第２のアレイパターンのうちの少なくとも１つに関連した１つ以上のメトロロジーパラメータを決定するように構成される、メトロロジーツール。
請求項２０に記載のメトロロジーツールであって、
前記コントローラは、前記第１のアレイパターンと前記第２のアレイパターンとの間のオーバーレイ誤差を決定するようにさらに構成される、メトロロジーツール。
請求項２０に記載のメトロロジーツールであって、
前記コントローラは、前記第１のアレイパターンおよび前記第２のアレイパターンのうちの少なくとも１つの限界寸法（ＣＤ）を決定するようにさらに構成される、メトロロジーツール。
請求項２０に記載のメトロロジーツールであって、
前記コントローラは、前記第１のアレイパターンおよび前記第２のアレイパターンのうちの少なくとも１つの限界寸法均一性（ＣＤＵ）を決定するようにさらに構成される、メトロロジーツール。
請求項２０に記載のメトロロジーツールであって、
前記プログラムされた欠陥は、凸欠陥、凹欠陥、ピンチング欠陥、ギャップ欠陥、ピンホール欠陥、屈曲欠陥、またはブリッジ欠陥のうちの少なくとも１つを含む、メトロロジーツール。
請求項２０に記載のメトロロジーツールであって、
前記プログラムされた欠陥は、前記試料のスクライブライン領域、ダミーフィル領域、または実際のデバイス領域のうちの少なくとも１つに形成される、メトロロジーツール。
請求項２０に記載のメトロロジーツールであって、
前記メトロロジーツールは、走査型電子顕微鏡法（ＳＥＭ）メトロロジーツールを含む、メトロロジーツール。
請求項２０に記載のメトロロジーツールであって、
前記試料は、半導体ウェハを含む、メトロロジーツール。
試料上の第１の層に形成された第１のアレイパターンと、
前記試料上の第２の層に形成された第２のアレイパターンと、
を備えるメトロロジーターゲットであって、
前記第１のアレイパターンまたは前記第２のアレイパターンの少なくとも１つが、プログラムされた欠陥を含み、前記第１のアレイパターンのパターンを前記第２のアレイパターンに対して変化させて、前記メトロロジーターゲットの１つまたは複数の画像において前記第１のアレイパターンを前記第２のアレイパターンと区別する、メトロロジーターゲット。
請求項２９に記載のメトロロジーターゲットにおいて、
前記プログラムされた欠陥が、凸欠陥、凹欠陥、ピンチング欠陥、ギャップ欠陥、ピンホール欠陥、屈曲欠陥、またはブリッジ欠陥のうちの少なくとも１つを含む、メトロロジーターゲット。
請求項２９に記載のメトロロジーターゲットにおいて、
前記プログラムされた欠陥が、前記試料のスクライブライン領域、ダミーフィル領域、またはデバイス領域のうちの少なくとも１つに形成される、メトロロジーターゲット。
請求項２９に記載のメトロロジーターゲットにおいて、
前記第１のアレイパターンまたは前記第２のアレイパターンの少なくとも１つがラインアレイパターンを含む、メトロロジーターゲット。
請求項２９に記載のメトロロジーターゲットにおいて、
前記第１のアレイパターンまたは前記第２のアレイパターンの少なくとも１つがパターン要素の２次元アレイを含む、メトロロジーターゲット。
請求項２９に記載のメトロロジーターゲットにおいて、
前記第１のアレイパターンおよび前記第２のアレイパターンが、メトロロジーツールによる測定のために構成されている、メトロロジーターゲット。
請求項３４に記載のメトロロジーターゲットにおいて、
前記第１のアレイパターンおよび前記第２のアレイパターンが、イメージングベースのオーバーレイメトロロジーツールによる１つまたは複数のオーバーレイ測定のために構成されている、メトロロジーターゲット。
請求項３４に記載のメトロロジーターゲットにおいて、
前記第１のアレイパターンおよび前記第２のアレイパターンが、限界寸法メトロロジーツールによる１つまたは複数の限界寸法均一性測定のために構成されている、メトロロジーターゲット。
請求項３４に記載のメトロロジーターゲットにおいて、
前記メトロロジーツールが、走査型電子顕微鏡法（ＳＥＭ）メトロロジーツールを含む、メトロロジーターゲット。
請求項２９に記載のメトロロジーターゲットにおいて、
前記試料が、半導体ウェハを含む、メトロロジーターゲット。