JP2019536894A - 高強度アルミニウム合金バッキングプレート及び製造方法 - Google Patents
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- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 270
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 138
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 78
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 71
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 51
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 51
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 47
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 39
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 35
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 32
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 30
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 28
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 23
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 19
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 14
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 claims description 6
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052773 Promethium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N promethium atom Chemical compound [Pm] VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 8
- 235000019589 hardness Nutrition 0.000 description 95
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 43
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 42
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 38
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 36
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 35
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 35
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 34
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 33
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 27
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 24
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 23
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 20
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 20
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 20
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 19
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 19
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 19
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 19
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 19
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 18
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 16
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 13
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 13
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 10
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 10
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 9
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 9
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 9
- 238000004881 precipitation hardening Methods 0.000 description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 8
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 8
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 7
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 7
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 7
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 4
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 4
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 4
- 238000007546 Brinell hardness test Methods 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 3
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 210000002966 serum Anatomy 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003483 aging Methods 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013068 control sample Substances 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- -1 nanotubes Chemical class 0.000 description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 2
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000542 Sc alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001093 Zr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007596 consolidation process Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000013101 initial test Methods 0.000 description 1
- 238000011221 initial treatment Methods 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005058 metal casting Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000000979 retarding effect Effects 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 235000019587 texture Nutrition 0.000 description 1
- 239000011573 trace mineral Substances 0.000 description 1
- 235000013619 trace mineral Nutrition 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical group [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
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- C22C21/06—Alloys based on aluminium with magnesium as the next major constituent
- C22C21/08—Alloys based on aluminium with magnesium as the next major constituent with silicon
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- C22C21/00—Alloys based on aluminium
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21C—MANUFACTURE OF METAL SHEETS, WIRE, RODS, TUBES OR PROFILES, OTHERWISE THAN BY ROLLING; AUXILIARY OPERATIONS USED IN CONNECTION WITH METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL
- B21C23/00—Extruding metal; Impact extrusion
- B21C23/001—Extruding metal; Impact extrusion to improve the material properties, e.g. lateral extrusion
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21J—FORGING; HAMMERING; PRESSING METAL; RIVETING; FORGE FURNACES
- B21J5/00—Methods for forging, hammering, or pressing; Special equipment or accessories therefor
- B21J5/002—Hybrid process, e.g. forging following casting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/02—Making non-ferrous alloys by melting
- C22C1/026—Alloys based on aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
- C22F1/002—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working by rapid cooling or quenching; cooling agents used therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
- C22F1/04—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of aluminium or alloys based thereon
- C22F1/047—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of aluminium or alloys based thereon of alloys with magnesium as the next major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Extrusion Of Metal (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Forging (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
本出願は、2016年9月30日に出願された米国仮特許出願第62/402,267号に対する優先権を主張するものであり、その開示内容は、参照によりその全体が本明細書に明確に組み込まれる。
本開示は、金属マトリックスへの分散質の添加を強塑性変形と組み合わせることによって、高強度Alを形成する方法を含む。これらの方法は、バッキングプレート材料での使用に好適であるような、十分に高い降伏強度又はブリネル硬度を有するAl合金を提供することが見出されている。いくつかの実施形態では、使用される強塑性変形の形態は、ECAEを含む。本明細書に記載のECAE方法は追加的に、Al合金の降伏強度又はブリネル硬度を更に高めるために、標準塑性変形と組み合わせてもよい。いくつかの実施形態では、本明細書に開示される方法は、分散質並びに従来の析出物を有するAl合金の溶液及び/又は析出硬化を含み得る。本開示はまた、スパッタリングターゲットバッキングプレート結合用途に適用され得る最適なサーマル熱処理も提供する。
分散質形成元素又は材料の溶解限度よりもはるかに高い分散質形成元素又は材料を添加することは、分散質、特にSc並びにLa、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、及びLuなどの希土類元素などの分散質を形成するために使用される特定の元素の利用可能性が限定されるため、不適切であり得る。
いくつかの実施形態では、Al合金は、約0.05重量%〜約20.0重量%、約0.05重量%〜約10.0重量%、約0.05重量%〜約1.0重量%、若しくは約0.05重量%〜約0.5重量%、又は約0.1重量%〜約0.5重量%のScを含有して形成され得る。
図3は、本明細書に開示される様々な技術の一部又は全てを含む、サンプル方法100の全体フロー図を含む。図3に示すように、いくつかの実施形態において、方法100は、ベース硬化工程104及び任意選択の追加の硬化工程106を含み得る。図3に示されるように、方法100全体は、鋳造などの初期処理110、続いて、溶体化112、急冷114、及びECAEなどの強塑性変形116を用い得る。ベース硬化工程104に続いて、追加の硬化工程106をベース硬化工程104と組み合わせて使用してもよい。いくつかの実施形態において、追加の硬化工程106は、圧延又は鍛造118及び熱処理工程120を含む。熱処理工程120は、時効硬化又は時効処理を含んでもよい。いくつかの実施形態において、ベース硬化工程104及び追加の硬化工程106の後に、方法100を使用して形成された材料の調製又は結合122が行われ得る。いくつかの実施形態では、熱処理工程120は、結合工程122と同時に実行されてもよい。各工程の更なる詳細を以下に説明する。
図3に示すように、方法100は、Al材料又はAl合金を鋳造するなどの初期処理110を含んでもよい。最初に従来の鋳造を使用して、所与の組成物を用いてAl合金を形成してもよい。鋳造中、Al材料又はAl合金は、最初に溶融されてもよく、Sc、Zr、Ti、Nb、Ni、Y、Hf、V、Fe、Li、Mn、Cr、Ta、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、又はLuのうちの1つ以上などの分散質形成元素を、純粋な元素として直接、又は予鋳造されたマスター合金の一部として溶融物に直接添加することができる。好適な鋳造及び混合方法は、マスター合金を使用することである。Scに好適なマスター合金としては、2.0重量%のScを有するAl、10.0重量%のScを有するAl、又は20.0重量%のScを有するAlが含まれる。代替的に又は追加的に、Zrは、例えば、10.0重量%のZrを有するAlの予鋳造マスター合金として添加されてもよい。好適な安定性及び強度の形成に貢献する分散質を形成するために、最終組成物中に0.1重量%〜0.5重量%のScを有することが有益である。
図3に示すように、方法100は、鋳造されたAl合金を溶体化すること112を含んでもよい。溶体化112の目的は、固体Al合金又はAl材料内にSc、Zr、Ti、Nb、Ni、Y、Hf、V、Fe、Mn、Cr、Ta、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、又はLuなどの、分散質又は分散質形成元素を形成する、最も高い可能な量の材料を溶解することである。合金元素は高温でより高い溶解度を有するので、高温が使用される。
図3に示すように、方法100は、鋳造されたAl合金を急冷して114、ビレットを形成することを含み得る。溶体化112の後、処理された材料を水又は油中で急速に冷却して、Al金属マトリックス中の可溶性元素の最高重量パーセントを維持する。急冷114の後、溶体化された元素は、室温でAl中でそれらの溶解限度を超える濃度で存在するため、例えば非平衡に過飽和される。
図3に示すように、方法100は、鋳造されたAl合金ビレットのECAEなどの強塑性変形116を含んでもよい。いくつかの実施形態では、ECAEは、ビレットの1〜6パスを含んでもよい。いくつかの実施形態では、3〜6パスは、好適に精製されたサブミクロン構造を提供する。ビレットを各パス間で90度回転させることも望ましい場合がある。いくつかの実施形態では、ECAEは、ビレット及びダイを加熱することによって、特定の温度で実施することができる。いくつかの実施形態では、Mg、Mn、Si、Cu、Ni、Mo、Zn、FeなどのAl合金内の元素によって形成される可溶性二次相のためのピーク時効処理温度より上又は下(すなわち、Alについて85℃未満又は200℃超)で、ECAEを実行することが好適である。いくつかの実施形態では、Cr、Fe、Hf、Mg、Mn、Nb、Ni、Sc、Ti、V、Zr、Y、Li、Ta、Mo、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)などの特定の分散質形成元素の時効処理温度(例えば、Alについて250℃〜275℃)未満で、ECAEを実行することが好適である。
図3に示すように、方法100は、任意選択的な圧延又は鍛造118などの追加の処理を含み得る。いくつかの実施形態では、標準的な塑性変形を使用する追加的な処理を使用して、特定のAl合金の最終強度又は硬度を更に増大させることができる。加えて、標準的な圧延及び鍛造工程は、最終製品形状に機械加工する前の最終的なビレット形状に近づけるためにECAEの後に使用することができる。いくつかの実施形態では、圧延又は鍛造は、溶体化、急冷、又はECAEの後、及びアニーリング又は温度時効処理の前に優先的に適用される。これらの工程は、ECAE精錬構造内により多くの転位を導入することによって最終的な硬度を増大させることができる。このような転位は、更なるアニーリング中に析出物によってピンダウンされ得る。
図3に示すように、方法100は、ピーク時効処理を含み得る熱処理120を含んでもよい。いくつかの実施形態では、Al合金ビレットは、ピーク時効処理又はアニーリング工程を受けてもよい。いくつかの実施形態では、ピーク時効処理は、少なくとも30分間、1時間より長く、又は2時間より長く、275℃〜350℃の温度にAl合金を曝すことによって行われてもよい。例えば、24時間程度のより長いピーク時効処理時間が、特定のAl合金に好適であり得る。いくつかの実施形態では、ピーク時効処理は、別の処理工程と組み合わせて実行されてもよい。例えば、ピーク時効処理は、以下に更に記載される、ホットアイソタクチックプレス(ヒッピング(HIPing))などの処理を使用して、Al合金を別の金属本体に結合することと同時に行われてもよい。
図3に示すように、方法100は、結合122を含み得る最終処理を含んでもよい。いくつかの実施形態では、最終処理は、スパッタリング処理で使用するためにバッキングプレートにAl合金を形成することを含んでもよい。いくつかの実施形態において、バッキングプレートは、結合処理を使用してスパッタリングターゲットに接合されてもよい。一般に使用される結合処理は、ホットアイソタクチックプレス(ヒッピング)である。ヒッピングは、好適な温度に材料(複数可)を加熱して接合させることと、材料(複数可)に圧力を加えることとを含む。ヒッピングは、材料(複数可)が一緒に結合することにつながり、材料(複数可)内の空隙を低減又は排除することができ、粉末を圧密してより高密度の材料を作製することができる。Alバッキングプレートをスパッタリングターゲットに結合するための一般的なヒッピングパラメータは、2時間で約300℃であり得る。他の結合方法としては、エポキシ結合、はんだ付け、ろう付け、爆発結合、機械的接合(キー、ボルトなどを使用する)、又は溶接が含まれる。
次の項に記載の実施例では、ブリネル硬度を初期試験として使用して、高温におけるAl合金の機械的特性を評価した。ブリネル硬度の測定は、比較的簡単な試験方法であり、引張試験よりも速い。それを使用して、次いで、更なる試験のために分離され得る好適な材料を識別するための初期評価を形成することができる。
この実施例では、特定の元素を用いた高純度99.999%(5N)Alのドーピングの効果を評価して、Al合金に好適な熱安定性を提供する好適なドーパントが見出された。研究したドーピング元素は、Si、Cu、Sc、Ti、Mo、Hf、Zr及びMnであった。ドープされたAl合金をECAEに供した後に得られたAlサブミクロン粒径の熱安定性に対する各元素の効果を比較するための実験を行った。この実施例では、各パス間のAlビレットの90度の回転を伴う4回のECAEパスを、鋳造、溶体化、及び急冷後に全てのサンプルに対して行った。その結果を図9で比較する。
この実施例では、Al合金硬度に対するScの量の影響を評価した。高純度99.999%(5N)Alをドープして、0.1at.%(0.166重量%)、0.3at.%(0.5重量%)、1.2at.%(1.98重量%)、5.0at.%(8.06重量%)、7.5at.%(11.90重量%)及び9.5at.%(14.88重量%)のScの原子パーセントでScを有する6つのサンプルを作製した。この例では、従来の熱機械的処理が選択された。すなわち、ECAEではなく、熱間鍛造を含む標準塑性変形を使用した。試験用の材料を形成するために使用された処理には、Al材料を鋳造すること、続いて、溶体化、急冷、及び70%の減少高さまで250℃で各鋳型を熱間鍛造して、最終的なAl合金のビレットを形成することが含まれた。ビレットを、温度を上昇してアニーリングした。サンプルのブリネル硬度の測定を、アニーリング後に室温で材料で行った。結果は、様々なアニーリング温度におけるブリネル硬度に対するSc濃度の効果を示す図10に示されている。250℃〜350℃の温度でアニーリングした後の各サンプルについて得られた平均粒径は、約50〜約150ミクロンであった。
この実施例では、Al合金硬度に対するSc及びZrの重量パーセントの様々な組み合わせの効果を評価した。最終的なAl合金硬度に対するECAEパスの数の影響も評価した。
この実施例では、標準的なアニーリング温度と同様の温度への長時間の曝露の効果を評価した。上記実施例3でサンプル1〜3及びベース材料に使用したものと同じ材料を評価した。
この実施例では、非熱処理Al合金の硬度に対する組成の効果を評価した。
図24は、実施例3及び5に記載された2つのベース材料Al5083及びAl5456について、同様のレベルのSc及びZr合金、すなわち0.5Sc+0.2Zr及び0.3Sc+0.2Zrのアニーリング温度に対するブリネル硬度についてのデータを比較する。図24はまた、4回のECAEパスを受けた後の実施例3からのサンプル2及び3、並びに実施例5からのサンプル6及び7の比較を示す。
Claims (10)
- 高強度アルミニウム合金を形成する方法であって、
スカンジウムを含むアルミニウム材料を、前記アルミニウム材料全体に分散されるように、前記アルミニウム材料の溶体化温度まで加熱して、アルミニウム合金を形成することと、そのスカンジウム、
高強度アルミニウム合金が、少なくとも1時間、約300℃〜約400℃の温度におかれた後に、少なくとも約40ksiの降伏強度を有するように、前記アルミニウム合金を等チャネル角押出で押出成形して、前記高強度アルミニウム合金を形成することと、を含む、方法。 - スカンジウムが、約0.1重量%〜約15.0重量%の重量パーセントで前記アルミニウム合金中に存在する、請求項1に記載の方法。
- スカンジウムが、約0.1重量%〜約5.0重量%の重量パーセントで前記アルミニウム合金中に存在し、前記アルミニウム合金が、約0.1重量%〜約5.0重量%の重量パーセントでジルコニウムを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記高強度アルミニウム合金を、前記スカンジウムの少なくとも一部分が前記高強度アルミニウム合金全体に分散質を形成するように、少なくとも1時間、約300℃〜約400℃の温度で時効処理することを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記アルミニウム材料を加熱することが、スカンジウムと、酸化物、炭化物、ナノチューブ、ケイ化物、フラーレン、クロム、鉄、ハフニウム、マンガン、ニオブ、ニッケル、スカンジウム、チタン、バナジウム、ジルコニウム、イットリウム、リチウム、タンタル、モリブデン、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、及びルテチウムからなる群の少なくとも1つの構成要素と、を含む、アルミニウム材料を加熱することを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記高強度アルミニウム合金が、前記高強度アルミニウム合金が少なくとも1時間、約300℃〜約400℃の温度におかれた後に、直径が1.0ミクロンより小さい平均粒径を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記高強度アルミニウム合金が、少なくとも2時間、約300℃〜約400℃の温度におかれた後に、少なくとも約40ksiの降伏強度を有する、請求項1に記載の方法。
- アルミニウム合金を含むバッキングプレートを備えるスパッタリングアセンブリであって、前記アルミニウム合金が、
主成分としてアルミニウムを有するアルミニウム材料で形成された金属マトリックスと、
前記金属マトリックス全体に分散されたスカンジウムを含有する分散質と、を含み、
前記スカンジウムが、前記アルミニウム合金の重量により、約0.1重量%〜約15.0重量%の重量パーセントで存在し、前記アルミニウム合金が、前記アルミニウム合金が少なくとも1時間、約300℃〜約400℃の温度におかれた後に、少なくとも約40ksiの降伏強度を有する、スパッタリングアセンブリ。 - 前記アルミニウム合金が、約0.1重量%〜約5.0重量%の重量パーセントでスカンジウムを含み、前記アルミニウム合金が、約0.1重量%〜約5.0重量%の重量パーセントでジルコニウムを更に含む、請求項8に記載のスパッタリングアセンブリ。
- 前記アルミニウム合金が、前記アルミニウム合金全体に分散された第2の分散質を含み、前記第2の分散質が、第2の材料と組み合わされた前記アルミニウム材料で形成され、前記第2の材料が、酸化物、炭化物、ナノチューブ、ケイ化物、フラーレン、クロム、鉄、ハフニウム、マンガン、ニオブ、ニッケル、スカンジウム、チタン、バナジウム、ジルコニウム、イットリウム、リチウム、タンタル、モリブデン、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、及びルテチウムからなる群の少なくとも1つの構成要素である、請求項8に記載のスパッタリングアセンブリ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022129194A JP7411741B2 (ja) | 2016-09-30 | 2022-08-15 | 高強度アルミニウム合金バッキングプレート及び製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662402267P | 2016-09-30 | 2016-09-30 | |
US62/402,267 | 2016-09-30 | ||
US15/705,989 US10900102B2 (en) | 2016-09-30 | 2017-09-15 | High strength aluminum alloy backing plate and methods of making |
US15/705,989 | 2017-09-15 | ||
PCT/US2017/052217 WO2018063857A1 (en) | 2016-09-30 | 2017-09-19 | High strength aluminum alloy backing plate and methods of making |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022129194A Division JP7411741B2 (ja) | 2016-09-30 | 2022-08-15 | 高強度アルミニウム合金バッキングプレート及び製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019536894A true JP2019536894A (ja) | 2019-12-19 |
Family
ID=61757870
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019516591A Pending JP2019536894A (ja) | 2016-09-30 | 2017-09-19 | 高強度アルミニウム合金バッキングプレート及び製造方法 |
JP2022129194A Active JP7411741B2 (ja) | 2016-09-30 | 2022-08-15 | 高強度アルミニウム合金バッキングプレート及び製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022129194A Active JP7411741B2 (ja) | 2016-09-30 | 2022-08-15 | 高強度アルミニウム合金バッキングプレート及び製造方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10900102B2 (ja) |
EP (1) | EP3519600A4 (ja) |
JP (2) | JP2019536894A (ja) |
KR (1) | KR102558192B1 (ja) |
CN (1) | CN109804096B (ja) |
BR (1) | BR112019006005A2 (ja) |
MX (1) | MX2019003627A (ja) |
TW (1) | TWI802548B (ja) |
WO (1) | WO2018063857A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7424854B2 (ja) | 2020-02-14 | 2024-01-30 | アルバックテクノ株式会社 | 成膜処理用部品及び成膜装置 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11359273B2 (en) | 2015-08-03 | 2022-06-14 | Honeywell International Inc. | Frictionless forged aluminum alloy sputtering target with improved properties |
DE102016122575B4 (de) * | 2016-11-23 | 2018-09-06 | Meotec GmbH & Co. KG | Verfahren zur Bearbeitung eines Werkstücks aus einem metallischen Werkstoff |
US20210140032A1 (en) * | 2018-06-28 | 2021-05-13 | Ulvac, Inc. | Aluminum alloy target and method of producing the same |
CN109680170A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-04-26 | 江苏文灿压铸有限公司 | 一种用于新能源汽车的水冷电机机壳的铸造工艺 |
CN111378943A (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 靶材合金背板的制作方法 |
CN109881129B (zh) * | 2019-03-14 | 2020-08-28 | 北京工业大学 | 一种Al-Li-Yb合金时效处理工艺 |
JP6586540B1 (ja) * | 2019-03-28 | 2019-10-02 | Jx金属株式会社 | ターゲット材とバッキングプレートとの接合体、および、ターゲット材とバッキングプレートとの接合体の製造方法 |
WO2021029925A1 (en) * | 2019-06-03 | 2021-02-18 | Novelis Inc. | Ultra-high strength aluminum alloy products and methods of making the same |
CN110408868B (zh) * | 2019-09-02 | 2020-07-24 | 江苏江南创佳型材有限公司 | 一种基于大变形均匀化的免时效高强韧铝合金的制备方法 |
CN110592502B (zh) * | 2019-09-02 | 2021-05-18 | 江苏江南创佳型材有限公司 | 一种基于剧烈塑性变形的高强变形铝合金的制备方法 |
CN113373414B (zh) * | 2020-02-25 | 2023-10-27 | 湖南东方钪业股份有限公司 | 一种铝钪合金溅射靶的制备方法及应用 |
CN114959384A (zh) * | 2022-05-12 | 2022-08-30 | 黑龙江科技大学 | 一种超高强Al-Zn-Mg-Cu基合金棒材及其制备方法 |
CN115189087A (zh) * | 2022-07-08 | 2022-10-14 | 苏州星波动力科技有限公司 | 电池壳及其制造方法和电池包 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000271631A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-03 | Kenji Azuma | 押出成形材及び成形品の製造方法 |
JP2003533589A (ja) * | 2000-03-28 | 2003-11-11 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | アルミニウムを含んでなる物理蒸着ターゲット;スパッタ膜;及びターゲット構造を形成する方法 |
WO2005094280A2 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Honeywell International Inc. | High-strength backing plates, target assemblies, and methods of forming high-strength backing plates and target assemblies |
CN105886850A (zh) * | 2016-06-22 | 2016-08-24 | 广西冶金研究院有限公司 | 一种制备具有细小金属间化合物颗粒铝钪中间合金的方法 |
Family Cites Families (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5559350A (en) | 1978-10-27 | 1980-05-02 | Toshiba Corp | Simple corona test method for insulating spacer |
BR8401499A (pt) | 1983-03-31 | 1984-11-13 | Alcan Int Ltd | Liga a base de aluminio e processo para produzir uma chapa ou tira |
JPS60148651A (ja) | 1984-01-13 | 1985-08-05 | Kawasaki Steel Corp | 連続鋳造機 |
US4869751A (en) | 1988-04-15 | 1989-09-26 | Allied-Signal Inc. | Thermomechanical processing of rapidly solidified high temperature al-base alloys |
DE3839775C2 (de) | 1988-11-25 | 1998-12-24 | Vaw Ver Aluminium Werke Ag | Kathoden-Zerstäubungstarget und Verfahren zu seiner Herstellung |
US5087297A (en) | 1991-01-17 | 1992-02-11 | Johnson Matthey Inc. | Aluminum target for magnetron sputtering and method of making same |
US5143590A (en) | 1991-07-10 | 1992-09-01 | Johnson Matthey Inc. | Method of manufacturing sputtering target assembly |
GB9305924D0 (en) | 1993-03-22 | 1993-05-12 | Naxco Ind S Pte Ltd | Spaceframe structures |
US5342496A (en) | 1993-05-18 | 1994-08-30 | Tosoh Smd, Inc. | Method of welding sputtering target/backing plate assemblies |
US5400633A (en) | 1993-09-03 | 1995-03-28 | The Texas A&M University System | Apparatus and method for deformation processing of metals, ceramics, plastics and other materials |
US5597529A (en) | 1994-05-25 | 1997-01-28 | Ashurst Technology Corporation (Ireland Limited) | Aluminum-scandium alloys |
US5590389A (en) | 1994-12-23 | 1996-12-31 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Sputtering target with ultra-fine, oriented grains and method of making same |
EP0733421B1 (en) | 1995-03-22 | 2000-09-06 | Hitachi Metals, Ltd. | Die casting method |
US5807443A (en) | 1995-11-30 | 1998-09-15 | Hitachi Metals, Ltd. | Sputtering titanium target assembly and producing method thereof |
US5766380A (en) | 1996-11-05 | 1998-06-16 | Sony Corporation | Method for fabricating randomly oriented aluminum alloy sputtering targets with fine grains and fine precipitates |
JPH10330929A (ja) | 1997-05-28 | 1998-12-15 | Japan Energy Corp | スパッタリングタ−ゲット用バッキングプレ−ト及びスパッタリングタ−ゲット/バッキングプレ−ト組立体 |
US20030052000A1 (en) | 1997-07-11 | 2003-03-20 | Vladimir Segal | Fine grain size material, sputtering target, methods of forming, and micro-arc reduction method |
US6569270B2 (en) | 1997-07-11 | 2003-05-27 | Honeywell International Inc. | Process for producing a metal article |
JP4003147B2 (ja) | 1998-02-16 | 2007-11-07 | 株式会社ヴァレオサーマルシステムズ | ロータの製造方法 |
US6348139B1 (en) | 1998-06-17 | 2002-02-19 | Honeywell International Inc. | Tantalum-comprising articles |
AT407532B (de) * | 1998-07-29 | 2001-04-25 | Miba Gleitlager Ag | Verbundwerkstoff aus zumindest zwei schichten |
US6451185B2 (en) | 1998-08-12 | 2002-09-17 | Honeywell International Inc. | Diffusion bonded sputtering target assembly with precipitation hardened backing plate and method of making same |
US6858102B1 (en) | 2000-11-15 | 2005-02-22 | Honeywell International Inc. | Copper-containing sputtering targets, and methods of forming copper-containing sputtering targets |
US6113761A (en) | 1999-06-02 | 2000-09-05 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Copper sputtering target assembly and method of making same |
US20040072009A1 (en) | 1999-12-16 | 2004-04-15 | Segal Vladimir M. | Copper sputtering targets and methods of forming copper sputtering targets |
US6878250B1 (en) | 1999-12-16 | 2005-04-12 | Honeywell International Inc. | Sputtering targets formed from cast materials |
US6698647B1 (en) * | 2000-03-10 | 2004-03-02 | Honeywell International Inc. | Aluminum-comprising target/backing plate structures |
JP4594488B2 (ja) | 2000-04-13 | 2010-12-08 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲット |
AU6512601A (en) | 2000-06-02 | 2001-12-17 | Honeywell Int Inc | Sputtering method, apparatus, and target for reduced arcing |
US6946039B1 (en) | 2000-11-02 | 2005-09-20 | Honeywell International Inc. | Physical vapor deposition targets, and methods of fabricating metallic materials |
US20050284746A1 (en) | 2003-08-26 | 2005-12-29 | Tosoh Smd, Inc. | Systems and methods for a target and backing plate assembly |
US8252126B2 (en) | 2004-05-06 | 2012-08-28 | Global Advanced Metals, Usa, Inc. | Sputter targets and methods of forming same by rotary axial forging |
US7998287B2 (en) | 2005-02-10 | 2011-08-16 | Cabot Corporation | Tantalum sputtering target and method of fabrication |
CN101374611B (zh) | 2006-03-07 | 2015-04-08 | 卡伯特公司 | 制备变形金属制品的方法 |
US8197894B2 (en) | 2007-05-04 | 2012-06-12 | H.C. Starck Gmbh | Methods of forming sputtering targets |
KR100865658B1 (ko) | 2007-12-28 | 2008-10-29 | 한국과학기술연구원 | 전자기 교반 연속 주조 장치 및 이를 이용한 연속 주조방법 |
US10207312B2 (en) | 2010-06-14 | 2019-02-19 | Ati Properties Llc | Lubrication processes for enhanced forgeability |
RU2453626C2 (ru) | 2010-08-05 | 2012-06-20 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет" (НИУ "БелГУ") | Способ получения деформированной заготовки из алюминиевого сплава системы алюминий-магний-марганец-скандий-цирконий |
CN103492608B (zh) | 2011-02-14 | 2016-04-13 | 东曹Smd有限公司 | 经扩散结合的溅射靶组件及制造方法 |
KR20120135546A (ko) | 2011-06-07 | 2012-12-17 | 유민규 | 스칸듐 첨가 알루미늄 합금의 강도와 연신율 증가를 위한 용체화 처리 및 자연시효 단계를 포함하는 스칸듐 첨가 알루미늄 합금 제조방법 |
US9539636B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-01-10 | Ati Properties Llc | Articles, systems, and methods for forging alloys |
JP2014214827A (ja) | 2013-04-26 | 2014-11-17 | 大豊工業株式会社 | アルミニウム合金すべり軸受及びその製造方法 |
JP6461543B2 (ja) | 2013-10-08 | 2019-01-30 | 株式会社フルヤ金属 | アルミニウムと希土類元素との合金ターゲット及びその製造方法 |
JP2015183244A (ja) | 2014-03-25 | 2015-10-22 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
KR101499096B1 (ko) | 2014-11-03 | 2015-03-05 | 유선상 | 스칸듐을 첨가한 알루미늄 합금 및 그 제조방법 |
CN104451566A (zh) | 2014-12-17 | 2015-03-25 | 重庆大学 | 一种高纯铝硅靶材的制备方法 |
JP2018529019A (ja) | 2015-07-17 | 2018-10-04 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッドHoneywell International Inc. | 金属及び金属合金の作製のための熱処理方法 |
US11359273B2 (en) | 2015-08-03 | 2022-06-14 | Honeywell International Inc. | Frictionless forged aluminum alloy sputtering target with improved properties |
-
2017
- 2017-09-15 US US15/705,989 patent/US10900102B2/en active Active
- 2017-09-19 WO PCT/US2017/052217 patent/WO2018063857A1/en unknown
- 2017-09-19 BR BR112019006005A patent/BR112019006005A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2017-09-19 JP JP2019516591A patent/JP2019536894A/ja active Pending
- 2017-09-19 KR KR1020197009009A patent/KR102558192B1/ko active IP Right Grant
- 2017-09-19 CN CN201780060202.7A patent/CN109804096B/zh active Active
- 2017-09-19 MX MX2019003627A patent/MX2019003627A/es unknown
- 2017-09-19 EP EP17857207.9A patent/EP3519600A4/en active Pending
- 2017-09-29 TW TW106133500A patent/TWI802548B/zh active
-
2022
- 2022-08-15 JP JP2022129194A patent/JP7411741B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000271631A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-03 | Kenji Azuma | 押出成形材及び成形品の製造方法 |
JP2003533589A (ja) * | 2000-03-28 | 2003-11-11 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | アルミニウムを含んでなる物理蒸着ターゲット;スパッタ膜;及びターゲット構造を形成する方法 |
WO2005094280A2 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Honeywell International Inc. | High-strength backing plates, target assemblies, and methods of forming high-strength backing plates and target assemblies |
CN105886850A (zh) * | 2016-06-22 | 2016-08-24 | 广西冶金研究院有限公司 | 一种制备具有细小金属间化合物颗粒铝钪中间合金的方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
A VINOGRADOV ET AL: "Fatigue life of fine-grain Al-Mg-Sc alloys produced by equal-channelangular pressing", MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING: A, vol. Vol.349, No.1-2, JPN7021004092, 6 February 2003 (2003-02-06), pages 318 - 326, ISSN: 0004753359 * |
渡邊千尋ら: "ECAP加工を施したAl−Mg−Sc合金の焼鈍による高サイクル疲労挙動の変化", 材料, vol. 第55巻,第9号, JPN6021038610, 2006, JP, pages 837 - 842, ISSN: 0004753358 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7424854B2 (ja) | 2020-02-14 | 2024-01-30 | アルバックテクノ株式会社 | 成膜処理用部品及び成膜装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7411741B2 (ja) | 2024-01-11 |
US10900102B2 (en) | 2021-01-26 |
CN109804096A (zh) | 2019-05-24 |
US20180094340A1 (en) | 2018-04-05 |
BR112019006005A2 (pt) | 2019-06-25 |
MX2019003627A (es) | 2019-07-04 |
TW201819647A (zh) | 2018-06-01 |
EP3519600A4 (en) | 2020-07-22 |
WO2018063857A1 (en) | 2018-04-05 |
TWI802548B (zh) | 2023-05-21 |
KR20190050797A (ko) | 2019-05-13 |
JP2022163183A (ja) | 2022-10-25 |
KR102558192B1 (ko) | 2023-07-21 |
EP3519600A1 (en) | 2019-08-07 |
CN109804096B (zh) | 2022-07-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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