JP2019529989A - ディスプレイ装置 - Google Patents

ディスプレイ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2019529989A
JP2019529989A JP2019513799A JP2019513799A JP2019529989A JP 2019529989 A JP2019529989 A JP 2019529989A JP 2019513799 A JP2019513799 A JP 2019513799A JP 2019513799 A JP2019513799 A JP 2019513799A JP 2019529989 A JP2019529989 A JP 2019529989A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
light
emitting diodes
phosphor layer
emitted
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019513799A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6921186B2 (ja
Inventor
竹谷 元伸
元伸 竹谷
ヨン ヒョン キム,
ヨン ヒョン キム,
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seoul Semicondutor Co Ltd
Seoul Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Seoul Semicondutor Co Ltd
Seoul Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seoul Semicondutor Co Ltd, Seoul Semiconductor Co Ltd filed Critical Seoul Semicondutor Co Ltd
Publication of JP2019529989A publication Critical patent/JP2019529989A/ja
Priority to JP2021122568A priority Critical patent/JP7209051B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6921186B2 publication Critical patent/JP6921186B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133602Direct backlight
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514Colour filters
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133602Direct backlight
    • G02F1/133603Direct backlight with LEDs
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133602Direct backlight
    • G02F1/133612Electrical details
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133614Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • H01L33/504Elements with two or more wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

本発明はディスプレイ装置に関するものであり、本発明は、規則的に配列された複数の発光ダイオードを含む発光部;前記複数の発光ダイオードを駆動させる複数のTFTを含むTFTパネル部;及び前記第1基板から放出された光を変換する光変換部を含み、前記発光部及びTFTパネル部は一面が対向するように相互結合され、前記各発光ダイオードと各TFTが電気的に連結され、前記複数の発光ダイオードは一つ以上の第1発光ダイオード及び一つ以上の第2発光ダイオードを含み、前記一つ以上の第1発光ダイオードから放出された光が前記光変換部で変換されて前記光変換部を通じて赤色光が放出され、前記一つ以上の第2発光ダイオードは緑色光を外部に放出するディスプレイ装置を提供する。

Description

本発明は、ディスプレイ装置に関するものであり、より詳しくは、マイクロ発光ダイオードを用いたディスプレイ装置に関する。
発光ダイオードは、電子と正孔の再結合により発生する光を外部に放出する無機半導体素子である。近年、ディスプレイ、自動車のランプ、一般照明のような多様な分野に使用されており、その範囲は広くなりつつある。
発光ダイオードは、寿命が長く、消費電力が低く、且つ応答速度が速いという長所がある。それにより、発光ダイオードを用いた発光装置は多様な分野において光源として用いることができる。
特に、近年スマートテレビやモニターに用いられるディスプレイ装置は、TFT−LCDパネルを用いて色を再現し、再現された色を放出するためのバックライト光源として発光ダイオードを用いている。また、OLEDを用いてディスプレイ装置を製造する場合もある。
TFT−LCDパネルにバックライト光源として発光ダイオードが用いられる場合、一つの発光ダイオードはTFT−LCDパネルの多数のピクセルに光を照射する光源として用いられる。この場合、TFT−LCDパネルの画面に何色が表示されてもバックライト光源は常に点灯状態を維持しなければならないため、それによってディスプレイされる画面の明るさに関係なく一定の消費電力が消費される問題がある。
また、OLEDを用いたディスプレイ装置の場合、技術発達を通じて持続的に消費電力が低くなっているが、未だに無機半導体素子である発光ダイオードに比べて非常に多くの消費電力が消費されるため、効率性が落ちる問題がある。
さらに、TFTを駆動するための方式のうち、PM駆動方式を用いたOLEDディスプレイ装置は、大きな容量を有する有機ELをPAM(pulse amplifier modulation)方式で制御することにより、応答速度が遅くなる問題が発生する場合がある。そして、低いデューティー(duty)を具現するためにPWM(pulse width modulation)方式で制御する場合、高電流駆動が要求され寿命低下が発生する問題がある。
また、TFTを駆動するための方式のうち、AM駆動方式を用いたOLEDディスプレイ装置は、ピクセルごとにTFTを連結するが、それにより生産コストが嵩み、TFTの特性によって輝度にムラが出る問題がある。
本発明が解決しようとする課題は、ウェアラブル装置やスマートフォン又はテレビ等に適用でき、消費電力の低いマイクロ発光ダイオードを用いたディスプレイ装置を提供することである。
本発明は、規則的に配列された複数の発光ダイオードを含む発光部;前記複数の発光ダイオードを駆動させる複数のTFTを含むTFTパネル部;及び前記第1基板から放出された光を変換する光変換部を含み、前記発光部及びTFTパネル部は一面が対向するように相互結合され、前記各発光ダイオードと各TFTが電気的に連結され、前記複数の発光ダイオードは一つ以上の第1発光ダイオード及び一つ以上の第2発光ダイオードを含み、前記一つ以上の第1発光ダイオードから放出された光が前記光変換部で変換されて前記光変換部を通じて赤色光が放出され、前記一つ以上の第2発光ダイオードは緑色光を外部に放出するディスプレイ装置を提供する。
本発明によると、窒化物半導体を用いたマイクロ発光ダイオードを使用してディスプレイ装置を構成し、高い解像度と低い消費電力、そして効率の高いディスプレイ装置を提供することができる。それにより、ウェアラブル装置や多様な装置に用いることができる。
さらに、青色発光ダイオードと緑色発光ダイオードのみを用いてディスプレイ装置を具現してディスプレイ装置の製造コストを下げつつ効率を上げることができる。
また、本発明によると、ディスプレイ装置から赤色光が放出されるサブピクセルの面積は、青色光及び緑色光がそれぞれ放出されるサブピクセルの面積よりも相対的に大きい。それにより、蛍光体を通じて放出される赤色光の光量を高めて、一つのピクセルから放出される青色光、緑色光及び赤色光の光量が均一に放出されるようにさせることができる。
本発明の第1実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した平面図である。 本発明の第1実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。 本発明の第2実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。 本発明の第3実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した平面図である。 本発明の第3実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。 本発明の第4実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。 本発明の第5実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。 本発明の第6実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した平面図である。 本発明の第6実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。 本発明の第7実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。 本発明の第8実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した平面図である。 図11の点線に沿って切り取った断面図である。
本発明の一実施例にかかるディスプレイ装置は、規則的に配列された複数の発光ダイオードを含む発光部;前記複数の発光ダイオードを駆動させる複数のTFTを含むTFTパネル部;及び前記第1基板から放出された光を変換する光変換部を含み、前記発光部及びTFTパネル部は一面が対向するように相互結合され、前記各発光ダイオードと各TFTが電気的に連結され、前記複数の発光ダイオードは一つ以上の第1発光ダイオード及び一つ以上の第2発光ダイオードを含み、前記一つ以上の第1発光ダイオードから放出された光が前記光変換部で変換されて前記光変換部を通じて赤色光が放出され、前記一つ以上の第2発光ダイオードは緑色光を外部に放出することができる。
このとき、前記一つ以上の第1発光ダイオードは青色光を放出する青色発光ダイオード又は紫外線を放出する紫外線発光ダイオードであり、前記光変換部は前記一つ以上の第1発光ダイオードから放出された光を波長変換して赤色光を外部に放出する赤色蛍光体層を含み得る。
ここで、前記一つ以上の第1発光ダイオードは第1サブピクセルに配置され、前記一つ以上の第2発光ダイオードは第2サブピクセルに配置され、前記第1サブピクセルは前記第2サブピクセルよりも相対的に大きくてもよい。
また、前記複数の発光ダイオードは第3サブピクセルに配置された一つ以上の第3発光ダイオードをさらに含み、前記第1サブピクセルは前記第3サブピクセルよりも相対的に大きく、前記第2及び第3サブピクセルが一列に配置された側面に配置されてもよい。
そして、前記複数の発光ダイオードは一つ以上の第3発光ダイオードをさらに含み、前記一つ以上の第2発光ダイオードは緑色光を外部に放出する緑色発光ダイオードであり、前記一つ以上の第3発光ダイオードは青色光を外部に放出する青色発光ダイオードになり得る。
また、前記複数の発光ダイオードは一つ以上の第3発光ダイオードをさらに含み、前記一つ以上の第3発光ダイオードは紫外線を放出する紫外線発光ダイオードであり、前記光変換部は前記紫外線発光ダイオードから放出された紫外線を波長変換して青色光を外部に放出する青色蛍光体層をさらに含んでもよい。
そして、前記複数の発光ダイオードは一つ以上の第4発光ダイオードをさらに含み、前記一つ以上の第4発光ダイオードは青色光を放出する青色発光ダイオードであり、前記光変換部は前記第4発光ダイオードから放出された光を波長変換して白色光を外部に放出する白色蛍光体層をさらに含んでもよい。
ここで、前記一つ以上の第1〜第4発光ダイオードは、第1〜第4サブピクセルにそれぞれ配置され、前記第1及び第4サブピクセルは前記第2及び第3サブピクセルよりも相対的に大きくてもよい。
このとき、前記第1及び第2サブピクセルは一つの行に配置され、前記第3及び第4サブピクセルは別の一つの行に配置され、前記第1及び第4サブピクセルは一つの列に配置されてもよい。
そして、前記光変換部は前記放出される赤色光から赤色光を除いた残りの波長の光を遮断するカラーフィルターを含んでもよい。
ここで、前記発光部は、複数の発光ダイオード;前記複数の発光ダイオードの上部に配置され、前記複数の発光ダイオードと電気的に連結された透明電極;前記複数の発光ダイオードの下部に配置され、前記複数の発光ダイオードと電気的に連結された連結電極;及び前記複数の発光ダイオードの間に配置され、前記透明電極と電気的に連結された遮断部を含んでもよい。
前記複数の発光ダイオードは、それぞれ、n型半導体層;p型半導体層;及び前記n型半導体層とp型半導体層間に介在する活性層を含んでもよい。
そして、前記光変換部は、前記一つ以上の第1発光ダイオードから放出された光を波長変換して赤色光を放出する赤色蛍光体層を含む蛍光体層;及び前記蛍光体層の上部に配置された保護基板を含んでもよい。
このとき、前記蛍光体層は前記第2発光ダイオードから放出された光をそのまま放出する透明層をさらに含んでもよい。
また、前記蛍光体層と保護基板間に配置され、前記蛍光体層から放出された光の一部の波長の光を遮断するカラーフィルターをさらに含んでもよい。
本発明の好ましい実施例について、添付の図面を参照してより具体的に説明する。
図1は本発明の第1実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した平面図であり、図2は本発明の第1実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。
図1及び図2を参照すると、本発明の第1実施例にかかるディスプレイ装置100は、発光ダイオード部110、TFTパネル部130及び異方性導電フィルム150を含む。そして、発光ダイオード部110は発光部111及び光変換部123を含む。
発光部111は、青色発光ダイオード112a、緑色発光ダイオード112b、透明電極116、遮断部118及び第1連結電極122を含む。
青色発光ダイオード112a及び緑色発光ダイオード112bは、それぞれ複数個が備えられ、規則的に配列される。一例として、複数の青色発光ダイオード112aと複数の緑色発光ダイオード112bは、それぞれ行と列によって一定の間隔で離隔された状態を保って配列することができる。前記のように、複数の青色発光ダイオード112aと複数の緑色発光ダイオード112bが配列されることにより、複数のピクセルが形成され得る。図1を参照すると、本実施例において一つのピクセルは三つのサブピクセル(SP1,SP2,SP3)を有し、三つのサブピクセル(SP1,SP2,SP3)のうち第2サブピクセル(SP2)に緑色発光ダイオード112bが配置され、残りの二つのサブピクセル(SP1,SP2)に青色発光ダイオード112aを配置することができる。本実施例において一つのサブピクセル(SP1,SP2,SP3)に一つの発光ダイオード112a,112bが配置されたことについて説明するが、必要に応じて、一つのサブピクセル(SP1,SP2,SP3)内に二つ以上の発光ダイオードを配置することもできる。
また、本実施例において、一つのサブピクセル(SP1,SP2,SP3)の大きさは各サブピクセル(SP1,SP2,SP3)内に配置された発光ダイオード112a,112bの大きさよりも相対的に大きくてもよい。そして、各サブピクセル(SP1,SP2,SP3)の大きさは相互同じになり得る。
発光部111は、外部で各発光ダイオード112a,112bに電源が入れられると、入れられた電源によって各発光ダイオード112a,112bが点滅し、光変換部123と結合された発光ダイオード部110はそれ自体でディスプレイ装置100として駆動し得る。つまり、発光部111から放出された光が光変換部123を通過しながら、青色光、緑色光及び赤色光を外部に放出できる。それにより、別途のLCDがなくても発光ダイオード部110はディスプレイ装置100として駆動することが可能となる。
本実施例において、青色発光ダイオード112a及び緑色発光ダイオード112bは、それぞれ、n型半導体層23、活性層25及びp型半導体層27を含み得る。このとき、n型半導体層23、活性層25及びp型半導体層27は、それぞれIII−V族系列の化合物半導体を含み得る。一例として、(Al,Ga,In)Nのような窒化物半導体を含んでもよい。ここで、n型半導体層23とp型半導体層27の位置は互いに変わってもよい。
n型半導体層23はn型不純物(例えば、Si)を含む導電型半導体層でもよく、p型半導体層27はp型不純物(例えば、Mg)を含む導電型半導体層でもよい。活性層25は、n型半導体層23とp型半導体層27間に介在し、多重量子井戸構造(MQW)を含んでもよく、目的とするピーク波長の光を放出できるように組成比を決定することができる。それにより、青色発光ダイオード112aは、例えば、ピーク波長が430nm〜470nm波長帯域の青色光を放出し、緑色発光ダイオード112bは、例えば、ピーク波長が510nm〜550nm波長帯域の緑色光を放出することができる。
本実施例において、青色発光ダイオード112a及び緑色発光ダイオード112bは、それぞれ垂直型発光ダイオードの形状を有し得る。n型半導体層23の外面にn型電極が形成され、p型半導体層27の外面にp型電極が形成され得るが、本実施例ではn型電極とp型電極が省略されたことについて説明する。しかし、n型電極とp型電極は必要に応じてn型電極及びp型電極のいずれか一つ以上が追加されてもよい。
透明電極116は、青色発光ダイオード112a及び緑色発光ダイオード112bのn型半導体層23と電気的に接続でき、遮断部118と電気的に連結できる。透明電極116は、青色発光ダイオード112a及び緑色発光ダイオード112bから放出された光を光変換部123側に透過させるために投影することができ、できるだけ薄くしてもよい。例えば、透明電極116はITOでもよい。
遮断部118は、一つのサブピクセルに対する領域を設定できるように配置され、電気的に導電性を有することができる。それにより、遮断部118によって各サブピクセルの領域が設定され、このように設定されたサブピクセル(SP1,SP2,SP3)内に青色発光ダイオード112aまたは緑色発光ダイオード112bをそれぞれ配置できる。
前記のように、遮断部118が配置されることにより、一つのサブピクセルから放出された光は、隣接する他のサブピクセル側に光が放出されないようにすることができる。そして、本実施例において遮断部118の側面は、青色発光ダイオード112a又は緑色発光ダイオード112bから放出された光を反射できる反射面になり得る。また、遮断部118の側面が垂直に図示されているが、遮断部118の側面は傾斜面でもよい。それにより、各発光ダイオード112a,112bから放出された光が遮断部118で反射されてサブピクセルの上部に放出される。
そして、遮断部118はTFTパネル部130と電気的に連結され、TFTパネル部130とn型半導体層23は透明電極116と遮断部118を通じて電気的に連結することができる。
第1連結電極122は、複数個が備えられ、各サブピクセル(SP1,SP2,SP3)に一つずつ配置されて青色発光ダイオード112a及び緑色発光ダイオード112bのp型半導体層27とそれぞれ電気的に連結することができる。それにより、TFTパネル部130とp型半導体層27は第1連結電極122を通じて電気的に連結することができる。
本実施例において、光変換部123は、蛍光体層126、カラーフィルター127及び保護基板128を含む。
蛍光体層126は、保護基板128上に配置することができ、赤色蛍光体層126c及び透明層126eを含む。そして、赤色蛍光体層126cと透明層126e間に遮断層126dを配置することができる。遮断層126dは、赤色蛍光体層126c又は透明層126eに入射した光が隣接する他の赤色蛍光体層126cや透明層126eに入射する光を遮断して、互いに混色することを防ぐ役割をする。
このとき、赤色蛍光体層126cは、図1及び図2に図示したように、二つの青色発光ダイオード112aのどちらかが配置された位置に対応する位置に配置され、透明層126eは他の青色発光ダイオード112a及び緑色発光ダイオード112bが配置された位置に配置される。つまり、赤色蛍光体層126cは、第1サブピクセル(SP1)に配置され、透明層126eは第2及び第3サブピクセル(SP2,SP3)に配置される。ここで、透明層126e間に遮断層126dを配置することができる。
それにより、透明層126eが配置された第2及び第3サブピクセル(SP2,SP3)に配置された緑色発光ダイオード112b及び青色発光ダイオード112aから放出された光は、それぞれ透明層126eを通じて緑色光及び青色光が外部に放出され得る。また、第1サブピクセル(SP1)に配置された青色発光ダイオード112aから放出された光は、対応する位置に配置された赤色蛍光体層126cを通じて赤色光が外部に放出され得る。
また、本実施例において、蛍光体層126と保護基板128間にカラーフィルター127を介在することができる。カラーフィルター127は、赤色光部127c、光遮断部127d及び透明部127eを含んでもよい。本実施例において、カラーフィルター127はフィルム形状を有してもよく、カラーフィルター127を透過する光から特定波長の光を除いた残りの光を遮断することができる。
つまり、赤色光部127cは、赤色光部127cを透過する光から赤色光を除いた残りの波長の光を遮断し、赤色光のみを透過させる。本実施例において、赤色光部127cは赤色蛍光体層126cに対応する位置に配置されることにより、赤色蛍光体層126cから放出された光が赤色光部127cに入射される。このとき、青色発光ダイオード112aから放出された青色光が赤色蛍光体層126cを透過しながら大部分が波長変換されて赤色光が外部に放出されるが、一部の波長変換されなかった青色光も外部に放出される場合がある。それにより、赤色光部127cは赤色蛍光体層126cを通じて波長変換されなかった青色光を遮断する役割をする。
そして、透明部127eは蛍光体層126の透明層126eに対応する位置に配置することができる。それにより、透明部127eは透明層126eを通じて放出される青色光及び緑色光をそのまま外部に放出させることができる。また、光遮断部127dは赤色光部127cと透明部127eの間に配置され、赤色光部127c及び透明部127eを通じて放出される光が他方に放出されることを遮断することができる。
保護基板128は、カラーフィルター127に接触するように配置され、カラーフィルター127が外部に直接露出されることを防止して外部から保護することができる。本実施例において、保護基板128は光が透過するように透明な材質を用いることができる。
TFTパネル部130は、発光部111と結合して、発光に電源を供給するために備えられる。そのために、TFTパネル部130はパネル基板132及び第2連結電極134を含む。そして、TFTパネル部130は発光部111に供給される電源を制御して発光部111に含まれた青色発光ダイオード112a及び緑色発光ダイオード112bの一部を発光させることができ、発光された発光ダイオード112a,112bの光量を調節することができる。
パネル基板132は、内部にTFT駆動回路を形成することができる。TFT駆動回路は、アクティブマトリックス(AM,active matrix)駆動のための回路であり、または、パッシブマトリックス(PM,passive matrix)駆動のための回路である。
第2連結電極134は、パネル基板132のTFT駆動回路と電気的に連結され、発光部111の第1連結電極122又は遮断部118と電気的に連結することができる。つまり、第2連結電極134は複数個備えることができ、相互離隔された状態で配置できる。TFT駆動回路を通じて供給された電源は、第2連結電極134を通じて第1連結電極122及び遮断部118を通じて青色発光ダイオード112a及び緑色発光ダイオード112bに供給される。このとき、第2連結電極134は別途の保護層で覆ってもよく、保護層は、例えばSiNxを含んでもよい。
異方性導電フィルム(anisotropic conductive film,150)は、発光部111とTFTパネル部130を互いに電気的に連結するために備えられる。異方性導電フィルム150は、絶縁性を有する接着性有機材料を含むことができ、内部に電気的連結のための導電性粒子が均一に分散配置され得る。そして、異方性導電フィルム150は厚さ方向に導電性を有するが、面方向に絶縁性を有する性質があり、また、接着性がある。それにより、発光部111とTFTパネル部130は互いに電気的に連結しながら接合することができる。特に、異方性導電フィルム150はITOのように高温で半田付けし難い電極を接続させる際に有用となる。
前記のように、異方性導電フィルム150を用いて発光部111とTFTパネル部130を結合すると、第1連結電極122及び遮断部118が、それぞれ第2連結電極134が電極連結部152によって互いに電気的に連結される。
図3は、本発明の第2実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。
図3を参照すると、本発明の第2実施例にかかるディスプレイ装置100は、発光ダイオード部110、TFTパネル部130及び異方性導電フィルム150を含む。そして、発光ダイオード部110は発光部111及び光変換部123を含む。本発明の第2実施例について説明する際、第1実施例と同じ説明は省略する。
発光部111は、青色発光ダイオード112a、緑色発光ダイオード112b、透明電極116、遮断部118及び第1連結電極122を含む。そして、光変換部123は蛍光体層126及び保護基板128を含む。
本実施例にかかるディスプレイ装置100は、第1実施例と比較して、光変換部123からカラーフィルター127が除外された構成を有する。それにより、発光部111に含まれる二つの青色発光ダイオード112aの一つから放出された青色光は、蛍光体層126の赤色蛍光体層126cを通じて波長変換され、保護基板128を通じて外部に放出される。つまり、本実施例における蛍光体層126は第1実施例でのように、赤色蛍光体層126cと透明層126eを含む。このように本実施例において光変換部123が蛍光体層126と保護基板128を含むことにより、第1実施例に比べて相対的に光変換部123の厚さを薄くすることができる。
第1及び第2実施例において青色発光ダイオード112a及び緑色発光ダイオード112bを用いたことについて説明したが、別途図示してはいないが、必要に応じて紫外線発光ダイオード112dがさらに含まれてもよい。紫外線発光ダイオード112dは、蛍光体層126の赤色蛍光体層126cが配置された第1サブピクセル(SP1)に配置され、第1及び第2実施例における青色発光ダイオード112aを代替することができる。それにより、紫外線発光ダイオード112dから放出された紫外線は、赤色蛍光体層126cを通じて波長変換され赤色光が外部に放出される。ここで、紫外線発光ダイオード112dは、例えば、ピーク波長が360nm〜430nm波長帯域の紫外線を放出することができる。
このとき、第2及び第3サブピクセル(SP2,SP3)は、第1及び第2実施例でのように、緑色発光ダイオード112b及び青色発光ダイオード112aがそれぞれ配置される。
図4は本発明の第3実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した平面図であり、図5は本発明の第3実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。
図4及び図5を参照すると、本発明の第3実施例にかかるディスプレイ装置100は、発光ダイオード部110、TFTパネル部130及び異方性導電フィルム150を含む。そして、発光ダイオード部110は発光部111及び光変換部123を含む。本発明の第3実施例について説明する際、第1実施例と同じ説明は省略する。
発光部111は、青色発光ダイオード112a、緑色発光ダイオード112b、透明電極116、遮断部118及び第1連結電極122を含む。そして、光変換部123は蛍光体層126、カラーフィルター127及び保護基板128を含む。
図4を参照すると、本実施例において、一つのピクセルは三つのサブピクセル(SP1,SP2,SP3)を含み、三つのサブピクセル(SP1,SP2,SP3)にそれぞれ二つの青色発光ダイオード112aと緑色発光ダイオード112bが配置される。このとき、三つのサブピクセル(SP1,SP2,SP3)のうち第1サブピクセル(SP1)は第2及び第3サブピクセル(SP2,SP3)よりも相対的に大きい面積を有することができる。そして、相対的に小さい第2及び第3サブピクセル(SP2,SP3)は互いに同一面積を有してもよい。本実施例において、第1サブピクセル(SP1)が第2及び第3サブピクセル(SP2,SP3)に比べて約4倍の大きさに図示したが、これに限定されるのではなく、必要に応じて大きさは多様に変形できる。
本実施例において、第1及び第3サブピクセル(SP1,SP3)に青色発光ダイオード112aが配置され、第2サブピクセル(SP2)に緑色発光ダイオード112bが配置される。
光変換部123は、第1実施例のように、蛍光体層126、カラーフィルター127及び保護基板128を含み、蛍光体層126は赤色蛍光体層126c、遮断層126d及び透明層126eを含む。そして、カラーフィルター127は赤色光部127c、遮断部118及び透明部127eを含む。このとき、本実施例において、赤色蛍光体層126cは第1サブピクセル(SP1)に配置され、透明層126eは第2及び第3サブピクセル(SP2,SP3)に配置される。ここで、赤色蛍光体層126cと透明層126eの大きさは、配置される各サブピクセルに対応する大きさを有し、赤色蛍光体層126cの大きさが透明層126eに比べて大きくてもよい。
また、カラーフィルター127の赤色光部127cは、第1サブピクセル(SP1)に配置され、透明部127eは第2及び第3サブピクセル(SP2,SP3)に配置される。それにより、赤色光部127cと透明部127eの大きさは配置される各サブピクセルに対応する大きさを有し、赤色光部127cの大きさが透明部127eに比べて大きくてもよい。
第1サブピクセル(SP1)の大きさが第2及び第3サブピクセル(SP2,SP3)の大きさよりも大きいのは、前記で説明したとおり、第1サブピクセル(SP1)だけに赤色蛍光体層126c及び赤色光部127cが配置されるためである。
第2及び第3サブピクセル(SP2,SP3)は、それぞれ配置された緑色発光ダイオード112b及び青色発光ダイオード112aから放出された緑色光及び青色光をそのまま外部に放出する。しかし、第1サブピクセル(SP1)は配置された青色発光ダイオード112aから放出された青色光は赤色蛍光体層126cを通じて波長変換され、赤色光部127cを通じて赤色光を外部に放出する。このとき、赤色蛍光体層126c及び赤色光部127cを経て、青色発光ダイオード112aから放出された光が外部に放出される際、光量が減少し得る。
そのため、本実施例でのように、赤色蛍光体層126c及び赤色光部127cが配置された第1サブピクセル(SP1)の大きさを第2及び第3サブピクセル(SP2,SP3)よりも相対的に大きくすることにより、各サブピクセル(SP1,SP2,SP3)から放出される光量は同じになり得る。ここで、各サブピクセル(SP1,SP2,SP3)から放出される光量が同じになるように、第1〜第3サブピクセル(SP1,SP2,SP3)の大きさは変更することができる。
そして、本実施例において、発光部111、光変換部123及びTFTパネル部130の構造は、第1実施例と同様に、平面上で大きさと位置が第1実施例とは異なる。
図6は、本発明の第4実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。
図6を参照すると、本発明の第4実施例にかかるディスプレイ装置100は、発光ダイオード部110、TFTパネル部130及び異方性導電フィルム150を含む。そして、発光ダイオード部110は発光部111及び光変換部123を含む。本発明の第4実施例について説明する際、第1実施例と同じ説明は省略する。
発光部111は、緑色発光ダイオード112b、紫外線発光ダイオード112d、透明電極116、遮断部118及び第1連結電極122を含む。そして、光変換部123は蛍光体層126、カラーフィルター127及び保護基板128を含む。
本発明の一実施例にかかるディスプレイ装置100は、第1実施例とは異なり、青色発光ダイオード112aの代わりに紫外線発光ダイオード112dを用いたことについて説明する。それにより、三つのピクセル中の二つのサブピクセルに紫外線発光ダイオード112dが配置され、残りの一つのサブピクセルに緑色発光ダイオード112bが配置される。
そして、蛍光体層126は、青色蛍光体層126a、赤色蛍光体層126c及び透明層126eを含む。また、蛍光体層126は、遮断層126dをさらに含み、遮断層126dは青色蛍光体層126a、赤色蛍光体層126c及び透明層126e間にそれぞれ配置される。
赤色蛍光体層126cは、第1実施例のように、第1サブピクセル(SP1)に対応する位置に配置され、紫外線発光ダイオード112dから放出された紫外線が波長変換されて赤色光を外部に放出する。そして、青色蛍光体層126aは第3サブピクセル(SP3)に対応する位置に配置され、紫外線発光ダイオード112dから放出された紫外線が波長変換されて青色光を外部に放出する。
また、カラーフィルター127は、青色光部、赤色光部127c及び透明部127eを含む。なお、カラーフィルター127は光遮断部127dをさらに含み、光遮断部127dは、青色光部、赤色光部127c及び透明部127eの間にそれぞれ配置される。
赤色光部127cは、第1実施例のように、第1サブピクセル(SP1)に対応する位置に配置され、赤色蛍光体層126cを通じて放出された光が透過して赤色光だけが外部に放出される。そして、青色光部は、第3サブピクセル(SP3)に対応する位置に配置され、青色蛍光体層126aを通じて放出された光が透過して青色光だけが外部に放出される。
このとき、青色光部は青色光部を透過する光において、青色光を除いた残りの波長の光を遮断し、青色光だけを透過させる。
図7は、本発明の第5実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。
図7を参照すると、本発明の第5実施例にかかるディスプレイ装置100は、発光ダイオード部110、TFTパネル部130及び異方性導電フィルム150を含む。そして、発光ダイオード部110は発光部111及び光変換部123を含む。本発明の第5実施例について説明する際、第1及び第4実施例と同じ説明は省略する。
発光部111は、緑色発光ダイオード112b、紫外線発光ダイオード112d、透明電極116、遮断部118及び第1連結電極122を含む。そして、光変換部123は蛍光体層126及び保護基板128を含む。
本実施例にかかるディスプレイ装置100は、第4実施例と比較して、光変換部123からカラーフィルター127が除外された構成を有する。それにより、発光部111に含まれた二つの紫外線発光ダイオード112d中の一つから放出された紫外線は、蛍光体層126の赤色蛍光体層126cを通じて波長変換され、保護基板128を通じて外部に放出できる。また、二つの紫外線発光ダイオード112d中のもう一つから放出された紫外線は、蛍光体層126の青色蛍光体層126aを通じて波長変換され、保護基板128を通じて外部に放出される。
つまり、本実施例における蛍光体層126は、第4実施例のように、青色蛍光体層126a、赤色蛍光体層126cと透明層126eを含む。このように本実施例において光変換部123が蛍光体層126と保護基板128を含むことにより、第4実施例に比べて相対的に光変換部123の厚さを薄くすることができる。
図8は本発明の第6実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した平面図であり、図9は本発明の第6実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。
図8及び図9を参照すると、本発明の第6実施例にかかるディスプレイ装置100は、発光ダイオード部110、TFTパネル部130及び異方性導電フィルム150を含む。そして、発光ダイオード部110は発光部111及び光変換部123を含む。本実施例について説明する際、第1実施例と同じ説明は省略する。
本実施例において、一つのピクセルは四つのサブピクセル(SP1,SP2,SP3,SP4)を含む。四つのサブピクセル(SP1,SP2,SP3,SP4)のうち第1、第3及び第4サブピクセル(SP1,SP3,SP4)に青色発光ダイオード112aが配置され、第2サブピクセル(SP2)に緑色発光ダイオード112bを配置することができる。
また、本実施例において一つのサブピクセル(SP1,SP2,SP3,SP4)の大きさは、各サブピクセル(SP1,SP2,SP3,SP4)内に配置された発光ダイオード112a,112bの大きさよりも相対的に大きくてもよい。そして、各サブピクセル(SP1,SP2,SP3,SP4)の大きさは互いに同じになってもよい。
本実施例において一つのサブピクセルに対応する発光部111の構造は、第1実施例と同じなり得る。また、一つのサブピクセルの大きさも第1実施例と同じになり得、必要に応じて、第1実施例より小さくなってもよい。
光変換部123は、蛍光体層126、カラーフィルター127及び保護基板128を含む。
蛍光体層126は、赤色蛍光体層126c、透明層126e及び白色蛍光体層126fを含み、赤色蛍光体層126c、透明層126e及び白色蛍光体層126f間に配置された遮断層126dをさらに含んでもよい。
赤色蛍光体層126cは、青色発光ダイオード112aが配置された第1サブピクセル(SP1)に配置される。そして、透明層126eは緑色発光ダイオードと青色発光ダイオード112aが配置された第2及び第3サブピクセル(SP2,SP3)にそれぞれ配置され、白色蛍光体層126fは青色発光ダイオード112aが配置された第4サブピクセル(SP4)に配置される。
白色蛍光体層126fは、第4サブピクセル(SP4)に配置された青色発光ダイオード112aから放出された青色光を波長変換させて白色光を放出することができる。
カラーフィルター127は、赤色光部127c、光遮断部127d及び透明部127eを含むことができる。本実施例において、カラーフィルター127は一つの赤色光部127cと三つの透明部127eを含み、赤色光部127cと透明部127eの間に光遮断部127dを配置することができる。
赤色光部127cは、第1サブピクセル(SP1)に配置され、赤色蛍光体層126cを通じて放出される光から赤色光を除いた残りの波長の光を遮断する。そして、三つの透明部127eは第2〜第4サブピクセル(SP2,SP3,SP4)にそれぞれ配置される。それにより、第2サブピクセル(SP2)に配置された緑色発光ダイオード112bから放出された緑色光が透明部127eを通じて外部に放出され、第3サブピクセル(SP3)に配置された青色発光ダイオード112aから放出された青色光が透明部127eを通じて外部に放出される。また、第4サブピクセル(SP4)から白色蛍光体層126fを通じて放出される白色光が、透明部127eを通じて外部に放出される。
前記のように、四つのサブピクセル(SP1,SP2,SP3,SP4)が一つのピクセルを構成することにより、青色光、緑色光、赤色光及び白色光を外部に放出することができる。
図10は、本発明の第7実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。
図10を参照すると、本発明の第7実施例にかかるディスプレイ装置100は、発光ダイオード部110、TFTパネル部130及び異方性導電フィルム150を含む。そして、発光ダイオード部110は発光部111及び光変換部123を含む。本発明の第2実施例について説明する際、第1、及び第6実施例と同じ説明は省略する。
発光部111は、青色発光ダイオード112a、緑色発光ダイオード112b、透明電極116、遮断部118及び第1連結電極122を含む。そして、光変換部123は蛍光体層126及び保護基板128を含む。
本実施例にかかるディスプレイ装置100は、第6実施例と比較して、光変換部123からカラーフィルター127が除外された構成を有する。それにより、発光部111に含まれた三つの青色発光ダイオード112a中の一つから放出された青色光は赤色蛍光体層126cを通じて波長変換され、別の一つから放出された青色光は白色蛍光体層126fを通じて波長変換される。つまり、第1サブピクセル(SP1)に配置された青色発光ダイオード112aから放出された青色光は、赤色蛍光体層126cを通じて波長変換されて保護基板128を通じて外部に放出され、第4サブピクセル(SP4)に配置された青色発光ダイオード112aから放出された青色光は、白色蛍光体層126fを通じて波長変換されて、保護基板128を通じて外部に放出される。
そして、第2及び第3サブピクセル(SP2,SP3)がそれぞれ配置された緑色発光ダイオード112bと青色発光ダイオード112aから放出された緑色光及び青色光は、透明層126eと保護基板128を通じてそのまま外部に放出される。
前記のように、本実施例において、光変換部123が蛍光体層126と保護基板128として構成されることにより、第6実施例に比べて相対的に光変換部123の厚さを薄くすることができる。
また、第6及び第7実施例において、青色発光ダイオード112aと緑色発光ダイオード112bを用いたことについて説明したが、別途図示してはいないが、必要に応じて、紫外線発光ダイオード112dがさらに含まれてもよい。紫外線発光ダイオード112dは、赤色蛍光体層126cが配置された第1サブピクセル(SP1)と白色蛍光体層126fが配置された第4サブピクセル(SP4)にそれぞれ配置される。それにより、第1サブピクセル(SP1)に配置された紫外線発光ダイオード112dから放出された紫外線は、赤色蛍光体層126cを通じて波長変換されて赤色光が外部に放出され得、第4サブピクセル(SP4)に配置された紫外線発光ダイオード112dから放出された紫外線は、白色蛍光体層126fを通じて波長変換された白色光が外部に放出される。
このとき、第2及び第3サブピクセル(SP2,SP3)は、第6及び第7実施例でのように、緑色発光ダイオード112b及び青色発光ダイオード112aがそれぞれ配置される。
図11は本発明の第8実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した平面図であり、図12の(a)は図11の点線A−A’に沿って切り取った断面図であり、図12の(b)は図11の点線B−B’に沿って切り取った断面図である。
図11及び図12を参照すると、本発明の第8実施例にかかるディスプレイ装置100は、発光ダイオード部110、TFTパネル部130及び異方性導電フィルム150を含む。そして、発光ダイオード部110は発光部111及び光変換部123を含む。本発明の第8実施例について説明する際、第1及び第6実施例と同じ説明は省略する。
図11を参照すると、本実施例において、一つのピクセルは四つのサブピクセル(SP1,SP2,SP3,SP4)を含む。四つのサブピクセル(SP1,SP2,SP3,SP4)のうち第1,第3及び第4サブピクセル(SP1,SP3,SP4)に青色発光ダイオード112aが配置され、第2サブピクセル(SP2)に緑色発光ダイオード112bが配置される。
このとき、四つのサブピクセル(SP1,SP2,SP3,SP4)のうち第1及び第4サブピクセル(SP1,SP2,SP3,SP4)は、第2及び第3サブピクセル(SP2,SP3)よりも相対的に大きい面積を有してもよい。第1及び第4サブピクセル(SP1,SP4)は互いに同一面積を有してもよく、第2及び第3サブピクセル(SP2,SP3)は互いに同一面積を有してもよい。本実施例において、第1及び第4サブピクセル(SP1,SP4)が第2及び第3サブピクセル(SP2,SP3)に比べて約2倍の大きさに図示したが、これに限定されることはなく、必要に応じて、大きさは多様に変形することができる。
本実施例において、第1,第3及び第4サブピクセル(SP1,SP3,SP4)に青色発光ダイオード112aが配置され、第2サブピクセル(SP2)に緑色発光ダイオード112bが配置される。
光変換部123は、第6実施例のように、蛍光体層126、カラーフィルター127及び保護基板128を含み、蛍光体層126は、赤色蛍光体層126c、遮断層126d、透明層126e及び白色蛍光体層126fを含む。そして、カラーフィルター127は赤色光部127c、遮断部118及び透明部127eを含む。このとき、赤色蛍光体層126cは第1サブピクセル(SP1)に配置され、白色蛍光体層126fは第4サブピクセル(SP4)に配置される。そして、透明層126eは第2及び第3サブピクセル(SP2,SP3)に配置される。ここで、赤色蛍光体層126c、透明層126e及び白色蛍光体層126fの大きさは配置される各サブピクセルに対応する大きさを有し、赤色蛍光体層126c及び白色蛍光体層126fの大きさが透明層126eに比べて大きくてもよい。
また、カラーフィルター127の赤色光部127cは第1サブピクセル(SP1)に配置され、透明部127eは第2〜第4サブピクセル(SP2,SP3,SP4)に配置される。このとき、第1サブピクセル(SP1)に配置される赤色光部127cと第4サブピクセル(SP4)に配置される透明部127eは、第2及び第3サブピクセル(SP2,SP3)に配置される透明部127eに比べて大きくてもよい。
前記の通り、第1及び第4サブピクセル(SP1,SP4)の大きさが第2及び第3サブピクセル(SP2,SP3)の大きさよりも大きいのは、第1及び第4サブピクセル(SP1,SP4)に赤色蛍光体層126c及び白色蛍光体層126fが配置されるためである。
第2及び第3サブピクセル(SP2,SP3)は、それぞれ配置された緑色発光ダイオード112bと青色発光ダイオード112aから放出された緑色光及び青色光をそのまま外部に排出する。しかし、第1及び第4サブピクセル(SP1,SP4)は配置された青色発光ダイオード112aから放出された青色光が赤色蛍光体層126c及び白色蛍光体層126fで波長変換される。それにより、赤色蛍光体層126c及び白色蛍光体層126fを通じて放出される光量が減少し得る。
そのため、本実施例のように、赤色蛍光体層126c及び白色蛍光体層126fが配置された第1及び第4サブピクセル(SP1,SP4)の大きさを第2及び第3サブピクセル(SP2,SP3)よりも相対的に大きくして、各サブピクセルから放出される光量は同じにすることができる。
このとき、各サブピクセルから放出される光量が同じになるように第1〜第4サブピクセル(SP1,SP2,SP3,SP4)の大きさは変更することができる。
上で説明した通り、本発明に対する具体的な説明は、添付の図面を参照した実施例によって行われたが、上述の実施例は本発明の好ましい例を挙げて説明しただけであるため、本発明が前記実施例だけに限定されるものと理解してはならず、本発明の権利範囲は後述する請求の範囲及びその等価概念によって理解すべきである。
100:ディスプレイ装置
110:発光ダイオード部
111:発光部
112a:青色発光ダイオード
112b:緑色発光ダイオード
112d:紫外線発光ダイオード
23:n型半導体層
25:活性層
27:p型半導体層
116:透明電極
118:遮断部
122:第1連結電極
123:光変換部
126:蛍光体層
126a:青色蛍光体層
126c:赤色蛍光体層
126d:遮断層
126e:透明層
126f:白色蛍光体層
127:カラーフィルター
127c:赤色光部
127d:光遮断部
127e:透明部
128:保護基板
130:TFTパネル部
132:パネル基板
134:第2連結電極
150:異方性導電フィルム
152:電極連結部
SP1〜SP4:第1〜第4サブピクセル

Claims (15)

  1. 規則的に配列された複数の発光ダイオードを含む発光部;
    前記複数の発光ダイオードを駆動させる複数のTFTを含むTFTパネル部;及び
    前記第1基板から放出された光を変換する光変換部を含み、
    前記発光部及びTFTパネル部は一面が対向するように相互結合され、前記各発光ダイオードと各TFTが電気的に連結され、
    前記複数の発光ダイオードは一つ以上の第1発光ダイオード及び一つ以上の第2発光ダイオードを含み、
    前記一つ以上の第1発光ダイオードから放出された光が前記光変換部で変換されて前記光変換部を通じて赤色光が放出され、
    前記一つ以上の第2発光ダイオードは緑色光を外部に放出するディスプレイ装置。
  2. 前記一つ以上の第1発光ダイオードは、青色光を放出する青色発光ダイオード又は紫外線を放出する紫外線発光ダイオードであり、
    前記光変換部は、前記一つ以上の第1発光ダイオードから放出された光を波長変換して赤色光を外部に放出する赤色蛍光体層を含む、請求項1に記載のディスプレイ装置。
  3. 前記一つ以上の第1発光ダイオードは第1サブピクセルに配置され、
    前記一つ以上の第2発光ダイオードは第2サブピクセルに配置され、
    前記第1サブピクセルは前記第2サブピクセルよりも相対的に大きい、請求項2に記載のディスプレイ装置。
  4. 前記複数の発光ダイオードは第3サブピクセルに配置された一つ以上の第3発光ダイオードをさらに含み、
    前記第1サブピクセルは前記第3サブピクセルよりも相対的に大きく、前記第2及び第3サブピクセルが一列に配置された側面に配置された、請求項3に記載のディスプレイ装置。
  5. 前記複数の発光ダイオードは一つ以上の第3発光ダイオードをさらに含み、
    前記一つ以上の第2発光ダイオードは緑色光を外部に放出する緑色発光ダイオードであり、
    前記一つ以上の第3発光ダイオードは青色光を外部に放出する青色発光ダイオードである、請求項2に記載のディスプレイ装置。
  6. 前記複数の発光ダイオードは一つ以上の第3発光ダイオードをさらに含み、
    前記一つ以上の第3発光ダイオードは紫外線を放出する紫外線発光ダイオードであり、
    前記光変換部は、前記紫外線発光ダイオードから放出された紫外線を波長変換して青色光を外部に放出する青色蛍光体層をさらに含む、請求項2に記載のディスプレイ装置。
  7. 前記複数の発光ダイオードは一つ以上の第4発光ダイオードをさらに含み、
    前記一つ以上の第4発光ダイオードは青色光を放出する青色発光ダイオードであり、
    前記光変換部は前記第4発光ダイオードから放出された光を波長変換して白色光を外部に放出する白色蛍光体層をさらに含む、請求項5に記載のディスプレイ装置。
  8. 前記一つ以上の第1〜第4発光ダイオードは、第1〜第4サブピクセルにそれぞれ配置され、
    前記第1及び第4サブピクセルは前記第2及び第3サブピクセルよりも相対的に大きい、請求項7に記載のディスプレイ装置。
  9. 前記第1及び第2サブピクセルは一つの行に配置され、
    前記第3及び第4サブピクセルは別の一つの行に配置され、
    前記第1及び第4サブピクセルは一つの列に配置された、請求項8に記載のディスプレイ装置
  10. 前記光変換部は、前記放出される赤色光から赤色光を除いた残りの波長の光を遮断するカラーフィルターを含む、請求項1に記載のディスプレイ装置。
  11. 前記発光部は、
    複数の発光ダイオード;
    前記複数の発光ダイオードの上部に配置され、前記複数の発光ダイオードと電気的に連結された透明電極;
    前記複数の発光ダイオードの下部に配置され、前記複数の発光ダイオードと電気的に連結された連結電極;及び
    前記複数の発光ダイオードの間に配置され、前記透明電極と電気的に連結された遮断部を含む、請求項1に記載のディスプレイ装置。
  12. 前記複数の発光ダイオードは、それぞれ、
    n型半導体層;
    p型半導体層;及び
    前記n型半導体層とp型半導体層間に介在する活性層を含む、請求項11に記載のディスプレイ装置。
  13. 前記光変換部は、
    前記一つ以上の第1発光ダイオードから放出された光を波長変換して赤色光を放出する赤色蛍光体層を含む蛍光体層;及び
    前記蛍光体層の上部に配置された保護基板を含む、請求項1に記載のディスプレイ装置。
  14. 前記蛍光体層は、前記第2発光ダイオードから放出された光をそのまま放出する透明層をさらに含む、請求項13に記載のディスプレイ装置。
  15. 前記蛍光体層と保護基板間に配置され、前記蛍光体層から放出された光の一部の波長の光を遮断するカラーフィルターをさらに含む、請求項13に記載のディスプレイ装置。
JP2019513799A 2016-09-12 2017-08-29 ディスプレイ装置 Active JP6921186B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021122568A JP7209051B2 (ja) 2016-09-12 2021-07-27 ディスプレイ装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662393515P 2016-09-12 2016-09-12
US62/393,515 2016-09-12
PCT/KR2017/009405 WO2018048131A1 (ko) 2016-09-12 2017-08-29 디스플레이 장치

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021122568A Division JP7209051B2 (ja) 2016-09-12 2021-07-27 ディスプレイ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019529989A true JP2019529989A (ja) 2019-10-17
JP6921186B2 JP6921186B2 (ja) 2021-08-18

Family

ID=61559849

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019513799A Active JP6921186B2 (ja) 2016-09-12 2017-08-29 ディスプレイ装置
JP2021122568A Active JP7209051B2 (ja) 2016-09-12 2021-07-27 ディスプレイ装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021122568A Active JP7209051B2 (ja) 2016-09-12 2021-07-27 ディスプレイ装置

Country Status (5)

Country Link
US (4) US10606121B2 (ja)
EP (1) EP3511985A4 (ja)
JP (2) JP6921186B2 (ja)
CN (2) CN109923673B (ja)
WO (1) WO2018048131A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021089427A (ja) * 2019-12-04 2021-06-10 ▲ナイ▼創▲顕▼示科技股▲ふん▼有限公司 マイクロ発光ダイオードディスプレイパネル
JP7233128B1 (ja) 2021-12-21 2023-03-06 ナイトライド・セミコンダクター株式会社 マイクロledディスプレイ及びその製造方法

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017146477A1 (ko) 2016-02-26 2017-08-31 서울반도체주식회사 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
KR20180090002A (ko) * 2017-02-02 2018-08-10 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
US10353243B2 (en) * 2017-08-01 2019-07-16 Innolux Corporation Display device
US11355548B2 (en) 2017-12-20 2022-06-07 Lumileds Llc Monolithic segmented LED array architecture
US11961875B2 (en) 2017-12-20 2024-04-16 Lumileds Llc Monolithic segmented LED array architecture with islanded epitaxial growth
US11749790B2 (en) * 2017-12-20 2023-09-05 Lumileds Llc Segmented LED with embedded transistors
US11296262B2 (en) 2017-12-21 2022-04-05 Lumileds Llc Monolithic segmented LED array architecture with reduced area phosphor emission surface
US10957820B2 (en) 2017-12-21 2021-03-23 Lumileds Llc Monolithic, segmented light emitting diode array
US10879431B2 (en) 2017-12-22 2020-12-29 Lumileds Llc Wavelength converting layer patterning for LED arrays
US10586829B2 (en) * 2018-01-23 2020-03-10 Light Share, LLC Full-color monolithic micro-LED pixels
KR102559514B1 (ko) * 2018-04-13 2023-07-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2019220267A1 (ja) 2018-05-17 2019-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
DE112019002234B4 (de) 2018-05-31 2024-09-12 Japan Display Inc. Anzeigevorrichtung
KR102600928B1 (ko) * 2018-07-05 2023-11-14 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN112086548A (zh) * 2018-07-16 2020-12-15 厦门三安光电有限公司 微发光装置及其显示器
KR102607698B1 (ko) * 2018-08-06 2023-11-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110875345A (zh) * 2018-08-31 2020-03-10 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 Led显示器件及其制造方法、led显示面板
JP2020043140A (ja) * 2018-09-06 2020-03-19 株式会社ブイ・テクノロジー Led表示パネルの製造方法及びled表示パネル
CN110890453B (zh) * 2018-09-07 2021-08-27 群创光电股份有限公司 显示装置
US10923628B2 (en) 2018-09-27 2021-02-16 Lumileds Llc Micrometer scale light emitting diode displays on patterned templates and substrates
US10811460B2 (en) 2018-09-27 2020-10-20 Lumileds Holding B.V. Micrometer scale light emitting diode displays on patterned templates and substrates
US11271033B2 (en) 2018-09-27 2022-03-08 Lumileds Llc Micro light emitting devices
US10964845B2 (en) 2018-09-27 2021-03-30 Lumileds Llc Micro light emitting devices
JP7159014B2 (ja) * 2018-11-15 2022-10-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US20200227484A1 (en) * 2019-01-13 2020-07-16 Innolux Corporation Lighting device
JP6989786B2 (ja) 2019-01-30 2022-01-12 日亜化学工業株式会社 波長変換部品及びこれを用いた発光装置
JP7313925B2 (ja) * 2019-06-25 2023-07-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US20200411491A1 (en) * 2019-06-27 2020-12-31 Intel Corporation Micro light-emitting diode displays having microgrooves or wells
CN112242411B (zh) * 2019-07-16 2024-09-03 群创光电股份有限公司 显示装置
US11923398B2 (en) 2019-12-23 2024-03-05 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays
US11404473B2 (en) 2019-12-23 2022-08-02 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays
JP2021125616A (ja) * 2020-02-07 2021-08-30 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置
US11848402B2 (en) 2020-03-11 2023-12-19 Lumileds Llc Light emitting diode devices with multilayer composite film including current spreading layer
US11569415B2 (en) 2020-03-11 2023-01-31 Lumileds Llc Light emitting diode devices with defined hard mask opening
US11735695B2 (en) 2020-03-11 2023-08-22 Lumileds Llc Light emitting diode devices with current spreading layer
US11942507B2 (en) 2020-03-11 2024-03-26 Lumileds Llc Light emitting diode devices
CN113707039A (zh) * 2020-05-22 2021-11-26 北京芯海视界三维科技有限公司 发光模组、显示模组、显示屏及显示器
CN112133734B (zh) * 2020-09-29 2022-08-30 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板及显示装置
US11901491B2 (en) 2020-10-29 2024-02-13 Lumileds Llc Light emitting diode devices
US11626538B2 (en) 2020-10-29 2023-04-11 Lumileds Llc Light emitting diode device with tunable emission
US12040432B2 (en) 2020-10-30 2024-07-16 Lumileds Llc Light emitting diode devices with patterned TCO layer including different thicknesses
US11631786B2 (en) 2020-11-12 2023-04-18 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays with etch stop layer
CN112578596A (zh) * 2020-11-27 2021-03-30 北海惠科光电技术有限公司 彩膜基板、显示面板以及显示装置
US11705534B2 (en) 2020-12-01 2023-07-18 Lumileds Llc Methods of making flip chip micro light emitting diodes
US11955583B2 (en) 2020-12-01 2024-04-09 Lumileds Llc Flip chip micro light emitting diodes
US11600656B2 (en) 2020-12-14 2023-03-07 Lumileds Llc Light emitting diode device
CN114664994A (zh) * 2020-12-22 2022-06-24 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管结构
US11631715B2 (en) * 2021-03-11 2023-04-18 Lumileds Llc Monolithic multi-color matrix emitter with patterned phosphor layer
CN113178513B (zh) * 2021-04-29 2023-01-03 上海天马微电子有限公司 一种发光器件、显示面板和显示装置
KR20220149853A (ko) * 2021-04-30 2022-11-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치와 그의 제조 방법
US11935987B2 (en) 2021-11-03 2024-03-19 Lumileds Llc Light emitting diode arrays with a light-emitting pixel area
CN114141934B (zh) * 2021-11-22 2023-12-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN114695427A (zh) * 2022-04-24 2022-07-01 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020015013A1 (en) * 2000-06-28 2002-02-07 Larry Ragle Integrated color LED chip
JP2002141492A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Canon Inc 発光ダイオードディスプレイパネル及びその製造方法
JP2002217454A (ja) * 2001-01-19 2002-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ledアレー及びこれを用いたled表示装置
JP2006120477A (ja) * 2004-10-22 2006-05-11 Sharp Corp 表示素子
WO2009133680A1 (ja) * 2008-04-28 2009-11-05 パナソニック株式会社 表示装置およびその製造方法
US20140014983A1 (en) * 2012-07-13 2014-01-16 Intematix Corporation Led-based large area display
US20140091993A1 (en) * 2009-12-09 2014-04-03 Nano And Advanced Materials Institute Limited Monolithic full-color led micro-display on an active matrix panel manufactured using flip-chip technology
CN104952899A (zh) * 2015-06-16 2015-09-30 友达光电股份有限公司 发光二极管显示器及其制造方法
US20150362165A1 (en) * 2014-06-14 2015-12-17 Hiphoton Co., Ltd. Light Engine Array
WO2016016460A1 (en) * 2014-07-31 2016-02-04 Infiniled Limited A colour iled display on silicon
JP2016057488A (ja) * 2014-09-10 2016-04-21 株式会社ジャパンディスプレイ 自発光型表示装置
JP2016523450A (ja) * 2013-06-18 2016-08-08 ルクスビュー テクノロジー コーポレイション 波長変換層を有するledディスプレイ

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5926239A (en) * 1996-08-16 1999-07-20 Si Diamond Technology, Inc. Backlights for color liquid crystal displays
JP3378465B2 (ja) 1997-05-16 2003-02-17 株式会社東芝 発光装置
US6366018B1 (en) 1998-10-21 2002-04-02 Sarnoff Corporation Apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
US6404125B1 (en) * 1998-10-21 2002-06-11 Sarnoff Corporation Method and apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
JP3659407B2 (ja) 2001-08-03 2005-06-15 ソニー株式会社 発光装置
WO2003058726A1 (fr) * 2001-12-28 2003-07-17 Sanken Electric Co., Ltd. Dispositif electroluminescent a semi-conducteur, ecran electroluminescent, procede de fabrication du dispositif electroluminescent a semi-conducteur et procede de fabrication de l'ecran electroluminescent
KR101198374B1 (ko) 2006-02-23 2012-11-07 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 기판 및 그 제조 방법과 그를 이용한 액정표시 장치
US8426227B1 (en) 2011-11-18 2013-04-23 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro light emitting diode array
KR101476207B1 (ko) * 2012-06-08 2014-12-24 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR101452768B1 (ko) 2012-08-21 2014-10-21 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR101513641B1 (ko) * 2013-08-20 2015-04-22 엘지전자 주식회사 표시장치
GB201420452D0 (en) 2014-11-18 2014-12-31 Mled Ltd Integrated colour led micro-display
KR101686715B1 (ko) 2014-12-24 2016-12-14 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치
US20160225343A1 (en) * 2015-02-04 2016-08-04 Sony Corporation Switchable privacy mode display

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020015013A1 (en) * 2000-06-28 2002-02-07 Larry Ragle Integrated color LED chip
JP2002141492A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Canon Inc 発光ダイオードディスプレイパネル及びその製造方法
JP2002217454A (ja) * 2001-01-19 2002-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ledアレー及びこれを用いたled表示装置
JP2006120477A (ja) * 2004-10-22 2006-05-11 Sharp Corp 表示素子
WO2009133680A1 (ja) * 2008-04-28 2009-11-05 パナソニック株式会社 表示装置およびその製造方法
US20140091993A1 (en) * 2009-12-09 2014-04-03 Nano And Advanced Materials Institute Limited Monolithic full-color led micro-display on an active matrix panel manufactured using flip-chip technology
US20140014983A1 (en) * 2012-07-13 2014-01-16 Intematix Corporation Led-based large area display
JP2016523450A (ja) * 2013-06-18 2016-08-08 ルクスビュー テクノロジー コーポレイション 波長変換層を有するledディスプレイ
US20150362165A1 (en) * 2014-06-14 2015-12-17 Hiphoton Co., Ltd. Light Engine Array
WO2016016460A1 (en) * 2014-07-31 2016-02-04 Infiniled Limited A colour iled display on silicon
JP2016057488A (ja) * 2014-09-10 2016-04-21 株式会社ジャパンディスプレイ 自発光型表示装置
CN104952899A (zh) * 2015-06-16 2015-09-30 友达光电股份有限公司 发光二极管显示器及其制造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021089427A (ja) * 2019-12-04 2021-06-10 ▲ナイ▼創▲顕▼示科技股▲ふん▼有限公司 マイクロ発光ダイオードディスプレイパネル
JP6992148B2 (ja) 2019-12-04 2022-01-13 ▲ナイ▼創▲顕▼示科技股▲ふん▼有限公司 マイクロ発光ダイオードディスプレイパネル
US11587973B2 (en) 2019-12-04 2023-02-21 PlayNitride Display Co., Ltd. Micro light-emitting diode display panel
JP7233128B1 (ja) 2021-12-21 2023-03-06 ナイトライド・セミコンダクター株式会社 マイクロledディスプレイ及びその製造方法
WO2023119950A1 (ja) * 2021-12-21 2023-06-29 ナイトライド・セミコンダクター株式会社 マイクロledディスプレイ及びその製造方法
JP2023092015A (ja) * 2021-12-21 2023-07-03 ナイトライド・セミコンダクター株式会社 マイクロledディスプレイ及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6921186B2 (ja) 2021-08-18
WO2018048131A1 (ko) 2018-03-15
CN109923673A (zh) 2019-06-21
JP7209051B2 (ja) 2023-01-19
EP3511985A1 (en) 2019-07-17
US20180074372A1 (en) 2018-03-15
US12066713B2 (en) 2024-08-20
CN113130529A (zh) 2021-07-16
US20240053632A1 (en) 2024-02-15
US20200348563A1 (en) 2020-11-05
US10775667B2 (en) 2020-09-15
EP3511985A4 (en) 2020-05-13
US10606121B2 (en) 2020-03-31
US20200218116A1 (en) 2020-07-09
US11796857B2 (en) 2023-10-24
CN109923673B (zh) 2024-03-15
JP2021170139A (ja) 2021-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7209051B2 (ja) ディスプレイ装置
CN109219886B (zh) 显示装置及其制造方法
US11677056B2 (en) Display apparatus and manufacturing method thereof
US10096647B2 (en) Display apparatus having a plurality of reflective electrodes
US20170250164A1 (en) Display apparatus and manufacturing method thereof
KR20180065162A (ko) 디스플레이 장치 및 그의 전극 연결 방법
KR20150039487A (ko) 디스플레이 장치
US11978823B2 (en) Display device, substrate for display device and method for repairing display device
KR20140083488A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
WO2020248404A1 (zh) 微型发光二极管及显示面板
KR20230007989A (ko) 디스플레이 장치
US20210167123A1 (en) Micro led display device
KR20240077614A (ko) 표시 패널의 제조 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190412

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200424

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200519

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20200819

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201019

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210126

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210409

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210629

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210727

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6921186

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250