WO2023119950A1 - マイクロｌｅｄディスプレイ及びその製造方法 - Google Patents

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micro leds
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宜彦 村本
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    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Definitions

  • the present invention relates to a micro LED display and its manufacturing method.
  • micro LED displays have been expected as next-generation displays for AR (augmented reality) and VR (virtual reality). Since the micro LED has a very small chip size of 100 ⁇ m or less, it is difficult to make the light emission intensity uniform within the wafer surface.
  • the pixels are arranged in an array with the object of preventing light leakage to adjacent pixels of the image display element and enhancing the light output in the front direction of the image display element to improve the luminous efficiency.
  • a driving circuit board including a micro light emitting device, a driving circuit for supplying current to the micro light emitting device to emit light;
  • a configuration is disclosed in which a barrier wall that does not transmit light emitted by the micro light-emitting elements is arranged around the control unit.
  • the present invention has been made in view of such problems, and its object is to provide a micro LED display with improved luminous efficiency without using different types of micro LEDs for each color, and a method of manufacturing the same. It is in.
  • the present invention provides a first conductivity type electrode, a plurality of micro LEDs spaced apart on the first conductivity type electrode and each emitting ultraviolet light having a wavelength of 405 nm or less, and an electrode of the second conductivity type formed; a reflective barrier material standing between the plurality of micro LEDs and reflecting light from the side surfaces of the micro LEDs; a film-shaped wiring substrate having a wiring structure connected to the electrodes of the second conductivity type of the three micro LEDs so that each micro LED constitutes one pixel; and a film-shaped wavelength conversion layer comprising phosphors for wavelength-converting light from the three micro LEDs into red, green, and blue, respectively, and the side surfaces of the micro LEDs are separated from the electrodes of the first conductivity type.
  • An inclined surface is formed so that the width of the micro-LED is gradually narrowed toward the electrode of the second conductivity type, and the reflective barrier material is arranged parallel to the stacking direction of the plurality of micro-LEDs and with the micro-LEDs. It is a micro LED display that stands up to the same height.
  • One embodiment of the present invention further comprises a phosphor dispersed resin filled between the micro LED and the reflective barrier layer.
  • said electrode of first conductivity type is a copper-tungsten conductive substrate.
  • the present invention comprises steps of crystal-growing a GaN buffer layer, an n-type layer, a light-emitting layer, and a p-type layer in this order on a sapphire substrate, forming a transparent electrode on the p-layer by vapor deposition, and forming the transparent electrode.
  • a film-like wavelength conversion layer comprising phosphors for converting the wavelengths of the light from the three micro LEDs into red, green, and blue, respectively, wherein the micro A side surface of the LED is formed with an inclined surface so that the width of the micro LED gradually narrows from the conductive substrate toward the n-type layer, and the reflection barrier material is parallel to the stacking direction of the plurality of micro LEDs. , and erected up to the same height as the micro LED.
  • a step of standingly forming a reflective barrier material between the plurality of micro LEDs, and three micro LEDs adjacent to each other among the plurality of micro LEDs form one pixel.
  • the step of forming a film-like wiring board on the n-electrode is carried out at the same time.
  • resin in which a phosphor is dispersed is filled between the micro LEDs and the reflective barrier layer. It further has a step of performing.
  • the conductive substrate is copper tungsten.
  • micro LED display with improved luminous efficiency and a manufacturing method thereof without using different types of micro LEDs for each color.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the basic configuration of a micro LED according to an embodiment
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a micro LED display of an embodiment
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a micro LED display of an embodiment
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view (part 1) showing a method for manufacturing a micro LED display according to an embodiment
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view (part 2) showing the method for manufacturing the micro LED display of the embodiment
  • 3 is a schematic cross-sectional view (No. 3) showing the method for manufacturing the micro LED display of the embodiment
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view (part 4) showing the method for manufacturing the micro LED display of the embodiment
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the basic configuration of a micro LED according to an embodiment
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a micro LED display of an embodiment
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a micro LED
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view (No. 5) showing the method for manufacturing the micro LED display of the embodiment
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view (No. 6) showing the method for manufacturing the micro LED display of the embodiment
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view (No. 7) showing the method for manufacturing the micro LED display of the embodiment
  • FIG. 1 is a plan view of a film wiring board according to an embodiment
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view (No. 8) showing the method for manufacturing the micro LED display of the embodiment
  • FIG. It is a schematic cross-sectional view showing a manufacturing method of the micro LED display of the first modification.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view (No. 1) showing a method of manufacturing a micro LED display of the second modified example
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view (part 2) showing a method of manufacturing a micro LED display of the second modified example;
  • FIG. 1 shows a basic schematic cross-sectional view of the micro LED used in the micro LED display in this embodiment.
  • the micro LED 1 is an LED that has a rectangular planar shape with at least one side of 100 ⁇ m or less, more preferably 50 ⁇ m or less, and emits ultraviolet light (UV) with a wavelength of 405 nm or less.
  • the micro LED 1 of this embodiment does not have a flip-chip structure in which electrodes are arranged in parallel, but a vertical V-chip structure in which electrodes are arranged vertically.
  • the micro LED 1 has a conductive substrate 10 of, for example, copper tungsten (CuW) with a thickness of about 100 ⁇ m. Laminated.
  • the substrate 10 corresponds to a first conductivity type electrode, and the n-electrode 20 corresponds to a second conductivity type electrode.
  • the p-type layer 14 is composed of a p-GaN (GaN; Mg) contact layer and an (AlGaN; Mg/GaN; Mg) p-SLS (superlattice structure) layer. That is, the p-GaN contact layer is formed on the substrate 10 having heat dissipation property via the ITO transparent electrode 12 .
  • the light emitting layer 16 is composed of (InGaN/AlGaN) MQW (multiple quantum well) layers.
  • the n-type layer 18 is composed of an (AlInGaN)/(InGaN;Si) n-SLS (superlattice structure) layer and a (GaN;Si) contact layer.
  • (GaN;Si) indicates Si-doped GaN.
  • the emission wavelength in such a configuration is specifically 385 nm, it may be other than that, for example, 400 nm.
  • both 385 nm and 400 nm have the same basic epitaxial structure, 385 nm has more Al content and less In content in the (InGaN/AlInGaN) MQW light emitting layer 16 than 400 nm due to the relationship of bandgap energy. .
  • the side surface of the micro LED 1 is formed with an inclined surface (taper) so that the width of the micro LED 1 gradually narrows in the stacking direction from the substrate 10 to the n-electrode 20. is formed with a passivation layer 22 of SiO2 .
  • the angle formed by the inclined surfaces is arbitrary, an angle of 45 degrees, for example, is preferable from the viewpoint of maximizing extraction efficiency.
  • the area ratio of the side surface relatively increases as the size is reduced. improves.
  • the shape of the side surface an inclined surface shape, the area of the side surface of the light emitting layer 16 can be made larger than when the side surface is vertical, and the light extraction efficiency from the side surface is further improved.
  • the substrate 10 with excellent heat dissipation properties such as copper tungsten on the p-electrode side, the heat dissipation properties are improved, and a larger current can be supplied, so that a decrease in luminous efficiency due to heat generation can be suppressed.
  • FIG. 2A shows a schematic cross-sectional view of a micro LED display using the micro LED 1 shown in FIG. 1 (hereinafter referred to as micro UV-LED chip 1).
  • a plurality of micro UV-LED chips 1 (only three are shown in the drawing) are spaced apart from each other on a common copper tungsten (CuW) substrate 10 . Note that the plurality of micro UV-LED chips 1 are arranged in a two-dimensional array on a plane.
  • a reflective barrier material 24 is erected parallel to the lamination direction of the micro UV-LED chips 1, in other words, parallel to the normal direction of the surface of the substrate 10.
  • the reflective barrier material 24 prevents light from the adjacent micro UV-LED chip 1 from leaking to other micro UV-LED chips 1, and reflects light from the lateral direction of the micro UV-LED chip 1.
  • a material that has the function of increasing the light extraction efficiency in the light extraction direction (upward direction in the figure) and therefore reflects light (ultraviolet light with a wavelength of 405 nm or less) from the side surface of the micro UV-LED chip 1, such as aluminum consists of Also, the height of the reflective barrier material 24 is the same as the height of the micro UV-LED chip 1 .
  • a plurality of micro UV-LED chips 1 are surrounded by a reflective barrier material 24 and separated from each other.
  • FIG. 2B shows a schematic plan view showing the positional relationship between the micro UV-LED chip 1 and the reflective barrier material 24.
  • the reflective barrier material 24 is formed around the micro UV-LED chip 1 having a rectangular planar shape. 2A, the reflective barrier material 24 is formed over the passivation layer 22 of SiO2. Since the periphery of the micro UV-LED chip 1 is surrounded by the reflective barrier material 24 , all the light emitted from the side surface of the light emitting layer 16 is reflected by the reflective barrier material 24 .
  • a film-like wiring substrate 26 is formed on the plurality of micro UV-LED chips 1.
  • FIG. The film-like wiring substrate 26 is formed with three n-type electrodes facing the n-electrodes 20 of the three adjacent micro UV-LED chips 1, respectively.
  • a film-like wiring substrate 26 is attached so that each n-electrode 20 of 1 and the three n-type electrodes are joined.
  • the wiring board 26 has a drive circuit for driving the micro UV-LED chips 1 .
  • the drive circuit includes a row selection circuit that selects each row of the micro UV-LED chips 1 arranged in a two-dimensional array, a column selection circuit that selects each column, and an image processing circuit that generates a light emission signal from an input signal.
  • R phosphors 28R, G phosphors 28G, and B phosphors 28B are further applied on the film-like wiring board 26, and a barrier material 30 is provided to partition these phosphors 28R, 28G, and 28B from each other.
  • the R phosphor 28R is configured by, for example, dispersing a phosphor powder that receives ultraviolet light from the micro UV-LED chip 1 and emits red light having a longer wavelength than the ultraviolet light in a cured transparent resin material. be done. Examples of the red phosphor powder include LOS:Eu.
  • the green phosphor powder is, for example, BAM:Eu, Mn
  • the blue phosphor powder is, for example, BAM:Eu, but the present invention is not limited to these.
  • LOS is La2O2S
  • BAM is (Ba,Mg) Al10O17 .
  • the R phosphor 28R is arranged on the micro UV-LED chip 1 located on the left side of the three adjacent micro UV-LED chips 1, and on the micro UV-LED chip 1 located in the center.
  • a G phosphor 28G is arranged on the micro UV-LED chip 1 located on the right side
  • a B phosphor 28B is arranged on the micro UV-LED chip 1 located on the right side. 28B constitutes one pixel.
  • the ultraviolet light from the micro UV-LED chip 1 located on the left side among the three adjacent micro UV-LED chips 1 is converted into a red wavelength by the R phosphor 28R and emitted to the outside.
  • Ultraviolet light from the micro UV-LED chip 1 located in the center is converted into a green wavelength by the G phosphor 28G and emitted to the outside.
  • Ultraviolet light from the micro UV-LED chip 1 located on the right side is converted into a blue wavelength by the B phosphor 28B and emitted to the outside.
  • the ultraviolet light emitted from the inclined side surface of the micro UV-LED chip 1 located on the left side of the three adjacent micro UV-LED chips 1 is reflected by the reflection formed so as to surround the micro UV-LED chip 1.
  • the visible light component of the spectrum of the micro UV-LED chip 1 is weak, even if there are variations in the characteristics of the UV-LED, the emitted color of the phosphor is less affected.
  • the area ratio of the side surface is relatively increased, so the V-chip can improve the light extraction efficiency from the side surface. Such an improvement in light extraction efficiency becomes even more remarkable when the side surface of the micro UV-LED chip 1 is inclined and the reflective barrier material 24 is used in combination.
  • the substrate 10 of copper tungsten (CuW) the heat dissipation characteristics are improved, and a larger drive current can be applied. In addition, it is possible to suppress a decrease in luminous efficiency due to heat generated during driving.
  • 3 to 11 are schematic cross-sectional views showing a method of manufacturing a micro LED display.
  • a GaN buffer layer 32, an n-type layer 18, a light-emitting layer 16, and a p-type layer 14 are grown in this order on a sapphire substrate 30 using metal organic chemical vapor deposition (MOCVD).
  • MOCVD metal organic chemical vapor deposition
  • the n-type layer 18 includes an SLS (superlattice structure) layer
  • the p-type layer 14 also includes an SLS (superlattice structure) layer.
  • the light emitting layer 16 includes an (InGaN/AlGaN) MQW layer.
  • an ITO transparent electrode 12 is deposited on the p-type layer, and a conductive substrate 10 having a thickness of about 100 ⁇ m, for example, a copper tungsten (CuW) substrate 10 is bonded thereon.
  • a conductive substrate 10 having a thickness of about 100 ⁇ m, for example, a copper tungsten (CuW) substrate 10 is bonded thereon.
  • CuW copper tungsten
  • the side surface of the micro LED chip is etched so as to form an inclined surface (tapered surface).
  • the angle of the inclined surface that is, the angle formed with respect to the stacking direction of the micro LED chips is, for example, 45 degrees.
  • an n-electrode 20 is vapor-deposited on the n-type layer surface of each of the plurality of isolated micro LED chips.
  • a passivation layer 22 of SiO 2 is formed on the regions other than the n-electrodes 20 on the n-layer side of all the micro LED chips to passivate them.
  • a reflective barrier material 24 made of a highly reflective material such as aluminum is formed between adjacent micro LED chips.
  • a film-like wiring substrate 26 having an n-type electrode 25 is attached so that the n-electrodes 20 and the n-type electrodes 25 of all the micro LED chips are bonded.
  • FIG. 10 shows a partial plan view of the film-like wiring board 26.
  • FIG. It is a configuration for one pixel corresponding to three adjacent micro LED chips.
  • Three n-type electrodes 25 are arranged and these three n-type electrodes 25 are connected to a drive circuit 27 .
  • a film-like wavelength conversion layer 32 applied with R phosphors 28R, G phosphors 28G, and B phosphors 28B separated from each other by a barrier material 30 is pasted on the micro LED chip. .
  • micro LED display By manufacturing a micro LED display using the above process, mass transfer can be used instead of pick and place, and the time required for mounting can be shortened. That is, when RGB and UV LED chips are individually manufactured and used for pixels to manufacture a display, it is essential to mount extremely small LEDs of 50 ⁇ m or less in large quantities and with high precision. The time can be greatly reduced compared to picking up chips individually and mounting them individually.
  • the sapphire substrate 30 and the GaN buffer layer 32 are lifted off for manufacturing, there is no process of dicing the sapphire substrate 30 with a laser, and there is no damage to the side surface of the LED chip due to heat generated by laser irradiation. Efficiency loss can be avoided. That is, when adopting a flip-chip structure, a red GaP-based LED is attached to a sapphire substrate to ensure strength, and diced by an excimer laser in the same manner as the green and blue InGaN-based LEDs, this dicing process can be used to cut the side surface of the chip. is greatly damaged by heat, and the luminous efficiency of the chip is lowered due to blackening or the like. However, the manufacturing method of the present embodiment can prevent such heat damage and avoid a decrease in luminous efficiency.
  • V-chip structure instead of a flip-chip structure in which electrodes are arranged in parallel, the space for arranging the n-electrodes of the flip-chip becomes unnecessary, so the number of chips that can be manufactured from a grown wafer increases (approximately 2 double).
  • the area of the side surface of the light emitting layer is increased, and together with the reflection barrier material 24 standing parallel to the stacking direction of the LED chip, the horizontal The light extraction efficiency from the direction is improved.
  • the reflective barrier material 24 is erected between the micro LED chips, and then the film-like wiring board 26 is attached.
  • the reflective barrier material 24 may be positioned between the micro LED chips and attached together.
  • FIG. 12 shows a cross-sectional view of the first modified example.
  • a film-like wiring substrate 26 provided with a reflective barrier material 24 formed according to the pixel size is placed between the micro LED chips.
  • the n-electrodes 20 of the micro LED chips and the n-type electrodes 25 of the wiring board 26 are joined.
  • the wiring board 26 and the reflection barrier material 24 are integrated, the arrangement position of the reflection barrier material 24 can be fixed more firmly, and the manufacturing process can be simplified.
  • the reflective barrier material 24 is erected between the micro LED chips, and then the film-like wiring board 26 is bonded. and the reflection barrier material 24 may be filled with a silicon-based resin in which a phosphor is dispersed, and then the film-like wiring board 26 may be attached.
  • FIG. 13 shows a cross-sectional view of the second modified example.
  • silicon-based resins 29R and 29G in which phosphors are dispersed in the gap between the micro LED chip and the reflection barrier material 24 after the reflection barrier material 24 is set up between the micro LED chips, Fill 29B. Then, as shown in FIG. 14, a film-like wiring board 26 is attached.
  • the silicon-based resin in which the phosphor is dispersed is filled, it is not necessary to place the phosphor after the film-like wiring board 26 is bonded as shown in FIG. 11, and the process is simplified. It has the effect of transforming If necessary, the film-like wavelength conversion layer 32 may be pasted on the micro LED chip after the silicon-based resin is filled.
  • micro LED micro UV-LED chip
  • 10 substrate 16 light-emitting layer
  • 20 n-electrode 22 passivation layer
  • 24 reflective barrier material 26 wiring substrate
  • 28R R red
  • 28G G green
  • 28B B blue
  • barrier material 32 wavelength conversion layer.

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Abstract

色毎に異なる種類のマイクロＬＥＤを用いることなく、かつ、発光効率を向上させたマイクロＬＥＤディスプレイ及びその製造方法を提供する。マイクロＬＥＤディスプレイは、複数のマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１と、マイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１からの紫外光をそれぞれ赤色、緑色、青色に波長変換する蛍光体２８Ｒ，２０Ｇ、２８Ｂを備えるフィルム状の波長変換層３２を備える。マイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１の側面は傾斜面が形成され、マイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１は、側面から出射した紫外光を反射する反射障壁材２４で囲まれる。

Description

マイクロＬＥＤディスプレイ及びその製造方法
　本発明は、マイクロＬＥＤディスプレイ及びその製造方法に関する。　　
　近年、ＡＲ（拡張現実）やＶＲ（仮想現実）用の次世代ディスプレイとしてマイクロＬＥＤディスプレイが期待されている。マイクロＬＥＤは、チップサイズが１００μｍ以下と極めて小さいため、ウェハ面内で発光強度を均一にすることが困難である。
　特許文献１には、画像表示素子の隣接画素への光漏洩を防止し、画像表示素子の正面方向の光出力を強化することで発光効率を向上することを課題として、アレイ状に配列されたマイクロ発光素子と、マイクロ発光素子に電流を供給して発光させる駆動回路を含む駆動回路基板と、マイクロ発光素子の光放出面上に配置された配光制御部（７０）とを含み、配光制御部の周囲に、マイクロ発光素子が放出する光を透過しない隔壁を配置する構成が開示されている。　　
特開２０２１－１４４０９８号公報
　ところで、チップサイズが１００μｍ以下のマイクロＬＥＤディスプレイでは、
（１）微細化したマイクロＬＥＤチップは、チップサイズが５０μｍ以下になると、特にＧａＰ系材料を使用する赤色ＬＥＤチップの発光効率が急激に劣化する
（２）赤色にＧａＰ系材料、青色、緑色にＩｎＧａＮ系材料を使用すると、駆動電圧と電流が異なるため、制御が複雑になるだけでなく、電気特性がばらつくので色むらが発生する
（３）赤色、緑色、青色の３色のマイクロＬＥＤチップを色毎にピックアンドプレイスで実装するのに時間を要し、製造コストが増大する
という課題がある。
　本発明は、かかる課題に鑑みなされたものであり、その目的は、色毎に異なる種類のマイクロＬＥＤを用いることなく、かつ、発光効率を向上させたマイクロＬＥＤディスプレイ及びその製造方法を提供することにある。　
　本発明は、第１導電型の電極と、前記第１導電型の電極上に離間形成され、それぞれ波長４０５ｎｍ以下の紫外光を発光する複数のマイクロＬＥＤと、前記複数のマイクロＬＥＤ上のそれぞれに形成された第２導電型の電極と、前記複数のマイクロＬＥＤの間に立設され、前記マイクロＬＥＤの側面からの光を反射する反射障壁材と、前記複数のマイクロＬＥＤのうち互いに隣接する３個のマイクロＬＥＤで１画素となるように、前記３個のマイクロＬＥＤの前記第２導電型の電極と接続される配線構造を有するフィルム状の配線基板と、前記配線基板上に設けられ、前記３個のマイクロＬＥＤからの光をそれぞれ赤色、緑色、青色に波長変換する蛍光体を備えるフィルム状の波長変換層と、を有し、前記マイクロＬＥＤの側面は、前記第１導電型の電極から前記第２導電型の電極に向けて前記マイクロＬＥＤの幅が順次狭くなるように傾斜面が形成され、前記反射障壁材は、前記複数のマイクロＬＥＤの積層方向に平行に、かつ前記マイクロＬＥＤと等しい高さまで立設される、マイクロＬＥＤディスプレイである。
　本発明の１つの実施形態では、前記マイクロＬＥＤと前記反射障壁層の間に充填された、蛍光体を分散させた樹脂をさらに有する。
本発明の他の実施形態では、前記第１導電型の電極は、銅タングステンの導電性基板である。
　また、本発明は、サファイア基板上に、ＧａＮバッファ層、ｎ型層、発光層、ｐ型層の順に結晶成長させる工程と、前記ｐ層上に透明電極を蒸着形成する工程と、前記透明電極上に導電性基板をボンディングする工程と、前記サファイア基板と前記ＧａＮバッファ層をリフトオフする工程と、前記ｎ型層側からエッチングすることで複数のマイクロＬＥＤを形成するとともに、前記マイクロＬＥＤの側面に傾斜面を形成する工程と、前記複数のマイクロＬＥＤのそれぞれにｎ電極を蒸着形成する工程と、前記複数のマイクロＬＥＤの前記ｎ電極以外の部分にパッシベーション層を形成する工程と、前記複数のマイクロＬＥＤの間に反射障壁材を立設形成する工程と、前記複数のマイクロＬＥＤのうち互いに隣接する３個のマイクロＬＥＤで１画素となるように、前記ｎ電極上にフィルム状の配線基板を形成する工程と、前記配線基板上に前記３個のマイクロＬＥＤからの光をそれぞれ赤色、緑色、青色に波長変換する蛍光体を備えるフィルム状の波長変換層を形成する工程と、を備え、前記マイクロＬＥＤの側面は、前記導電性基板から前記ｎ型層に向けて前記マイクロＬＥＤの幅が順次狭くなるように傾斜面が形成され、前記反射障壁材は、前記複数のマイクロＬＥＤの積層方向に平行に、かつ前記マイクロＬＥＤと等しい高さまで立設される、マイクロＬＥＤディスプレイの製造方法である。
　本発明の１つの実施形態では、前記複数のマイクロＬＥＤの間に反射障壁材を立設形成する工程と、前記複数のマイクロＬＥＤのうち互いに隣接する３個のマイクロＬＥＤで１画素となるように、前記ｎ電極上にフィルム状の配線基板を形成する工程は同時に実施される。
　本発明の他の実施形態では、前記複数のマイクロＬＥＤの間に反射障壁材を立設形成する工程の後に、前記マイクロＬＥＤと前記反射障壁層の間に、蛍光体を分散させた樹脂を充填する工程をさらに有する。
　本発明のさらに他の実施形態では、前記導電性基板は、銅タングステンである。
　本発明によれば、色毎に異なる種類のマイクロＬＥＤを用いることなく、かつ、発光効率を向上させたマイクロＬＥＤディスプレイ及びその製造方法を提供できる。
実施形態のマイクロＬＥＤの基本構成を示す模式的断面図である。 実施形態のマイクロＬＥＤディスプレイの模式的断面図である。 実施形態のマイクロＬＥＤディスプレイの模式的平面図である。 実施形態のマイクロＬＥＤディスプレイの製造方法を示す模式的断面図（その１）である。 実施形態のマイクロＬＥＤディスプレイの製造方法を示す模式的断面図（その２）である。 実施形態のマイクロＬＥＤディスプレイの製造方法を示す模式的断面図（その３）である。 実施形態のマイクロＬＥＤディスプレイの製造方法を示す模式的断面図（その４）である。 実施形態のマイクロＬＥＤディスプレイの製造方法を示す模式的断面図（その５）である。 実施形態のマイクロＬＥＤディスプレイの製造方法を示す模式的断面図（その６）である。 実施形態のマイクロＬＥＤディスプレイの製造方法を示す模式的断面図（その７）である。 実施形態のフィルム状配線基板の平面図である。 実施形態のマイクロＬＥＤディスプレイの製造方法を示す模式的断面図（その８）である。 第１変形例のマイクロＬＥＤディスプレイの製造方法を示す模式的断面図である。 第２変形例のマイクロＬＥＤディスプレイの製造方法を示す模式的断面図（その１）である。 第２変形例のマイクロＬＥＤディスプレイの製造方法を示す模式的断面図（その２）である。
　以下、図面に基づき本発明の実施形態について説明する。
　図１に、本実施形態におけるマイクロＬＥＤディスプレイに用いられるマイクロＬＥＤの基本的な模式的断面図を示す。
　マイクロＬＥＤ１は、そのチップサイズが矩形状の平面形状において少なくともその一辺が１００μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下であり、波長４０５ｎｍ以下の紫外光（ＵＶ）を発光するＬＥＤである。本実施形態のマイクロＬＥＤ１は、電極配置が並行するフリップチップ構造ではなく、電極配置が上下に位置する縦型（Vertical）のＶチップ構造である。
　マイクロＬＥＤ１は、厚さ１００μｍ程度の導電性の、例えば銅タングステン（ＣｕＷ）の基板１０上に、ＩＴＯの透明電極１２、ｐ型層１４、発光層１６、ｎ型層１８、ｎ電極２０が順次積層される。基板１０は第１導電型の電極に相当し、ｎ電極２０は第２導電型の電極に相当する。
　ｐ型層１４は、ｐ－ＧａＮ（ＧａＮ；Ｍｇ）コンタクト層、及び（ＡｌＧａＮ；Ｍｇ／ＧａＮ；Ｍｇ）ｐ－ＳＬＳ（超格子構造）層から構成される。すなわち、ｐ―ＧａＮコンタクト層は、ＩＴＯの透明電極１２を介して放熱性のある基板１０に形成される。
　発光層１６は、（ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ）ＭＱＷ（多重量子井戸）層から構成される。
　ｎ型層１８は、（ＡｌＩｎＧａＮ）／（ＩｎＧａＮ；Ｓｉ）ｎ―ＳＬＳ（超格子構造）層、及び（ＧａＮ；Ｓｉ）コンタクト層から構成される。
　ここで、例えば（ＧａＮ；Ｓｉ）は、ＳｉがドープされたＧａＮであることを示す。
かかる構成における発光波長は具体的には３８５ｎｍであるが、それ以外、例えば４００ｎｍとしてもよい。３８５ｎｍ及び４００ｎｍともに基本的なエピタキシャル構造は同じであるが、バンドギャップエネルギの関係から３８５ｎｍの方が４００ｎｍに比べて（ＩｎＧａＮ／ＡｌＩｎＧａＮ）ＭＱＷ発光層１６のＡｌ含有量が多く、Ｉｎ含有量が少ない。
　また、マイクロＬＥＤ１の側面は、基板１０からｎ電極２０までの積層方向に対してマイクロＬＥＤ１の幅が順次狭くなるように傾斜面（テーパ）が形成されており、この傾斜面が形成された側面はＳｉＯ２のパッシベーション層２２が形成される。傾斜面のなす角度は任意であるが、例えば４５度とすることが取り出し効率を極大化する観点から好ましい。
　マイクロＬＥＤ１では、一般にマイクロサイズ化に伴って相対的に側面の面積比が増大することになるところ、本実施形態ではフリップチップ構造ではなくＶチップ構造とすることで、側面からの光取り出し効率が向上する。また、当該側面の形状を傾斜面形状とすることで、発光層１６の側面の面積を側面が垂直の場合と比較して大きくとることができ、側面からの光取り出し効率がさらに向上する。
　また、ｐ電極側に銅タングステン等の放熱特性に優れた基板１０を用いることで、放熱性を向上し、より大きな電流を投入することが可能となるので発熱による発光効率の低下を抑制できる。
　図２Ａに、図１に示すマイクロＬＥＤ１（以下では、これをマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１と称する）を用いたマイクロＬＥＤディスプレイの模式的断面図を示す。
共通の銅タングステン（ＣｕＷ）の基板１０上に複数（図では３個のみ示す）のマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１が互いに離間して形成される。なお、平面上では複数のマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１は２次元アレイ状に配置される。
　隣接するマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１の間には、マイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１の積層方向に平行に、言い換えれば基板１０の表面の法線方向に平行に反射障壁材２４が立設される。反射障壁材２４は、隣接するマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１からの光の他のマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１への漏洩を防止するとともに、マイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１の横方向からの光を反射して光取り出し方向（図における上方向）への光取り出し効率を増大させる機能を有し、このためマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１の側面からの光（波長４０５ｎｍ以下の紫外光）を反射する材料、例えばアルミニウムで構成される。また、反射障壁材２４の高さは、マイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１の高さと同一である。複数のマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１は、それぞれその周囲が反射障壁材２４で囲まれて互いに分割される。
　図２Ｂに、マイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１と反射障壁材２４との位置関係を示す模式的平面図を示す。反射障壁材２４は、平面形状が矩形状のマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１を囲むようにその周囲に形成される。なお、図２Ａから分かるように、反射障壁材２４は、ＳｉＯ２のパッシベーション層２２の上に形成される。マイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１の周囲は反射障壁材２４で囲まれているので、発光層１６の側面から出射した光は、全て反射障壁材２４で反射される。
　再び図２Ａに戻り、複数のマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１上には、フィルム状の配線基板２６が形成される。フィルム状の配線基板２６には、隣接する３個のマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１のそれぞれのｎ電極２０と対向する３つのｎ型電極が形成されており、隣接する３個のマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１のそれぞれのｎ電極２０と３つのｎ型電極とが接合するようにフィルム状の配線基板２６を貼り合わせる。このとき、反射障壁材２４の高さとマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１の高さは同一であるため、フィルム状の配線基板２６の貼り合わせが容易化・均一化される。配線基板２６は、複数のマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１を駆動する駆動回路を備える。駆動回路は、２次元アレイ状に配置されたマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１の各行を選択する行選択回路、各列を選択する列選択回路、入力信号から発光信号を生成する画像処理回路を含む。
　フィルム状の配線基板２６上には、さらに、Ｒ蛍光体２８Ｒ、Ｇ蛍光体２８Ｇ、Ｂ蛍光体２８Ｂを施し、これらの蛍光体２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂを互いに仕切る障壁材３０を備えた紫外線透過性の高いフィルム状の波長変換層３２が形成される。Ｒ蛍光体２８Ｒは、例えば透明樹脂硬化物中にマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１からの紫外光を受光して、当該紫外光よりも波長の長い赤色の光を発光する蛍光体粉末を分散させて構成される。赤色蛍光体粉末としては、例えばＬＯＳ：Ｅｕである。また、緑色蛍光体粉末としては、例えばＢＡＭ：Ｅｕ，Ｍｎであり、青色蛍光体粉末としては、例えばＢＡＭ：Ｅｕであるが、これに限定されない。ここで、ＬＯＳは、Ｌａ２Ｏ２Ｓであり、ＢＡＭは、（Ｂａ，Ｍｇ）Ａｌ１０Ｏ１７である。
　図２Ａにおいて、隣接する３個のマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１のうちの左側に位置するマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１上にはＲ蛍光体２８Ｒが配置され、中央に位置するマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１上にはＧ蛍光体２８Ｇが配置され、右側に位置するマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１上にはＢ蛍光体２８Ｂが配置され、これら隣接する３個のマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１及び蛍光体２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂで１つの画素が構成される。隣接する３個のマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１のうちの左側に位置するマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１からの紫外光は、Ｒ蛍光体２８Ｒで赤色の波長に変換されて外部に出射する。中央に位置するマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１からの紫外光は、Ｇ蛍光体２８Ｇで緑色の波長に変換されて外部に出射する。右側に位置するマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１からの紫外光は、Ｂ蛍光体２８Ｂで青色の波長に変換されて外部に出射する。
　また、隣接する３個のマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１のうちの左側に位置するマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１の傾斜側面から出射した紫外光は、マイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１を囲むように形成された反射障壁材２４により反射され、その一部がＲ蛍光体２８Ｒで赤色の波長に変換されて外部に出射する。他のマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１についても同様である。
　このように、本実施形態では、同一種類のマイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１で赤色、緑色、青色の蛍光体を励起することでフルカラーを得るので、ピックアンドプレイスではなく、転写によるマストランスファーが可能となる。
　また、マイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１のスペクトルは可視光成分が微弱であるので、仮にＵＶ－ＬＥＤの特性にばらつきがあったとしても、蛍光体の発光色に影響が少ない。
　また、マイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１のマイクロサイズ化に伴って相対的に側面の面積比が増大するので、Ｖチップ化により側面からの光取り出し効率を向上させることができる。そして、このような光取り出し効率の向上は、マイクロＵＶ－ＬＥＤチップ１の側面の傾斜面化と反射障壁材２４との併用によってさらに顕著なものとなる。　
　また、銅タングステン（ＣｕＷ）の基板１０を用いることにより放熱特性が向上し、より大きな駆動電流を投入することができる。また、駆動時の発熱による発光効率の低下も抑制できる。
　次に、本実施形態におけるマイクロＬＥＤディスプレイの製造方法について説明する。
　図３～図１１は、マイクロＬＥＤディスプレイの製造方法を示す模式的断面図である。まず、図３に示すように、サファイア基板３０上に、ＧａＮバッファ層３２、ｎ型層１８、発光層１６、ｐ型層１４の順に有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）を用いて結晶成長し、ＬＥＤ構造を形成する。ここで、ｎ型層１８にはＳＬＳ（超格子構造）層が含まれ、ｐ型層１４にもＳＬＳ（超格子構造）層が含まれる。また、発光層１６には（ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ）のＭＱＷ層が含まれる。
　そして、ｐ型層の上にＩＴＯの透明電極１２を蒸着形成し、その上に厚さ１００μｍ程度の導電性のある基板１０、例えば銅タングステン（ＣｕＷ）の基板１０をボンディングする。
　次に、図４に示すように、サファイア基板３０とＧａＮバッファ層３２をリフトオフした後、図５に示すように、ｎ層側からアイソレーションエッチングすることでサイズ１００μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下の複数のマイクロＬＥＤチップを形成する。このアイソレーションエッチングの工程では、マイクロＬＥＤチップの側面が傾斜面（テーパ面）となるようにエッチングする。エッチングによる傾斜面の形成技術は公知である。傾斜面の角度、すなわちマイクロＬＥＤチップの積層方向に対してなす角度は、例えば４５度とする。
　次に、図６に示すように、アイソレーションされた複数のマイクロＬＥＤチップのそれぞれのｎ型層表面にｎ電極２０を蒸着形成する。
　次に、図７に示すように、全てのマイクロＬＥＤチップのｎ層側のｎ電極２０以外の領域にＳｉＯ２のパッシベーション層２２を形成して不動態化する。
　次に、図８に示すように、隣接するマイクロＬＥＤチップの間に、例えばアルミニウムのような反射率の高い材料からなる反射障壁材２４を形成する。
　次に、図９に示すように、ｎ型電極２５を有するフィルム状の配線基板２６を、全てのマイクロＬＥＤチップのｎ電極２０とｎ型電極２５とが接合するように貼り合わせる。
　図１０は、フィルム状の配線基板２６の一部平面図を示す。隣接する３つのマイクロＬＥＤチップに対応する１画素分の構成である。３つのｎ型電極２５が配置され、これら３つのｎ型電極２５は駆動回路２７に接続される。
　そして、図１１に示すように、障壁材３０で互いに区切られたＲ蛍光体２８Ｒ、Ｇ蛍光体２８Ｇ、Ｂ蛍光体２８Ｂを施したフィルム状の波長変換層３２をマイクロＬＥＤチップの上に貼り合わせる。
　以上のような工程でマイクロＬＥＤディスプレイを製造することにより、ピックアンドプレイスに代えてマストランスファーすることができ、実装に要する時間を短縮することができる。すなわち、ＲＧＢやＵＶのＬＥＤチップを個別に製造し、これらを画素に用いてディスプレイを製造する場合、５０μｍ以下の極めて小さいＬＥＤを大量かつ高精度に実装することが必須となるが、これらのＬＥＤチップを個別にピックアップし個別に実装していく場合と比較して大幅に時間を短縮化できる。
　また、サファイア基板３０とＧａＮバッファ層３２をリフトオフして製造するので、サファイア基板３０をレーザにてダイシングする工程が無く、レーザ照射に起因する発熱によるＬＥＤチップ側面へのダメージが無く、これによる発光効率の低下を回避できる。すなわち、フリップチップ構造を採用し、赤色のＧａＰ系ＬＥＤを強度確保のためサファイア基板に貼り合わせ、緑色、青色のＩｎＧａＮ系ＬＥＤと同様にエキシマレーザによりダイシングする場合には、このダイシング工程によりチップ側面は熱による大きなダメージを受け、黒化する等によりチップの発光効率が低下するが、本実施形態の製造方法ではかかる熱によるダメージを防止して発光効率の低下を回避できる。
　また、電極配置が並行するフリップチップ構造ではなくＶチップ構造を用いることで、フリップチップのｎ電極が配置されるべきスペースが不要化されるので、成長ウェハから製造できるチップ数が増大（約２倍）する。
　さらに、アイソレーションエッチングの工程でＬＥＤチップ側面に傾斜面を形成することで発光層側面の面積を増大させ、ＬＥＤチップの積層方向に平行に立設する反射障壁材２４と相俟って、横方向からの光取り出し効率が向上する。
＜第１変形例＞
　実施形態では、マイクロＬＥＤチップの間に反射障壁材２４を立設し、その後にフィルム状の配線基板２６を貼り合わせているが、反射障壁材２４を備えたフィルム状の配線基板２６を、当該反射障壁材２４がマイクロＬＥＤチップの間に位置するように位置決めしつつ貼り合わせてもよい。
　図１２に、第１変形例の断面図を示す。図７に示すように、ＳｉＯ２のパッシベーション層２２を形成した後、画素サイズに合わせて形成された反射障壁材２４を備えるフィルム状の配線基板２６を、反射障壁材２４がマイクロＬＥＤチップの間に挿入されるように貼り合わせ、マイクロＬＥＤチップのそれぞれのｎ電極２０と配線基板２６のｎ型電極２５とを接合する。
　この製造方法によれば、配線基板２６と反射障壁材２４とが一体となっているので反射障壁材２４の配置位置をより強固に固定することができるとともに、製造工程をより簡易化できる。
＜第２変形例＞
　また、本実施形態では、マイクロＬＥＤチップの間に反射障壁材２４を立設し、その後にフィルム状の配線基板２６を貼り合わせているが、反射障壁材２４を立設した後、マイクロＬＥＤチップと反射障壁材２４との間の隙間に蛍光体を分散させたシリコン系樹脂を充填し、その後にフィルム状の配線基板２６を貼り合わせてもよい。
　図１３に、第２変形例の断面図を示す。図８に示すように、マイクロＬＥＤチップの間に反射障壁材２４を立設した後、マイクロＬＥＤチップと反射障壁材２４との間の隙間に蛍光体を分散させたシリコン系樹脂２９Ｒ、２９Ｇ、２９Ｂを充填する。そして、図１４に示すようにフィルム状の配線基板２６を貼り合わせる。　
　この構成によれば、蛍光体を分散させたシリコン系樹脂を充填するため、図１１のようにフィルム状の配線基板２６を貼り合わせたあとにさらに蛍光体をのせる必要がなくなり、工程の簡素化ができる効果がある。なお、必要に応じ、シリコン系樹脂を充填した後に、フィルム状の波長変換層３２をマイクロＬＥＤチップの上に貼り合わせてもよい。
　１　マイクロＬＥＤ（マイクロＵＶ－ＬＥＤチップ）、１０　基板、１６　発光層、２０　ｎ電極、２２　パッシベーション層、２４　反射障壁材、２６　配線基板、２８Ｒ　Ｒ（赤色）蛍光体、２８Ｇ　Ｇ（緑色）蛍光体、２８Ｂ　Ｂ（青色）蛍光体、３０　障壁材、３２　波長変換層。　
 

Claims (9)

  1. 　第１導電型の電極と、
    　前記第１導電型の電極上に離間形成され、それぞれ波長４０５ｎｍ以下の紫外光を発光する複数のマイクロＬＥＤと、
    　前記複数のマイクロＬＥＤ上のそれぞれに形成された第２導電型の電極と、
    　前記複数のマイクロＬＥＤの間に立設され、前記マイクロＬＥＤの側面からの光を反射する反射障壁材と、
    　前記複数のマイクロＬＥＤのうち互いに隣接する３個のマイクロＬＥＤで１画素となるように、前記３個のマイクロＬＥＤの前記第２導電型の電極と接続される配線構造を有するフィルム状の配線基板と、
    　前記配線基板上に設けられ、前記３個のマイクロＬＥＤからの光をそれぞれ赤色、緑色、青色に波長変換する蛍光体を備えるフィルム状の波長変換層と、
    　を有し、
    前記マイクロＬＥＤの側面は、前記第１導電型の電極から前記第２導電型の電極に向けて前記マイクロＬＥＤの幅が順次狭くなるように傾斜面が形成され、
    前記反射障壁材は、前記複数のマイクロＬＥＤの積層方向に平行に、かつ前記マイクロＬＥＤと等しい高さまで立設される、
    　マイクロＬＥＤディスプレイ。
  2. 　請求項１に記載のマイクロＬＥＤディスプレイにおいて、
    　前記マイクロＬＥＤと前記反射障壁層の間に充填された、蛍光体を分散させた樹脂
    　をさらに有するマイクロＬＥＤディスプレイ。
  3. 　第１導電型の電極と、
    　前記第１導電型の電極上に離間形成され、それぞれ波長４０５ｎｍ以下の紫外光を発光する複数のマイクロＬＥＤと、
    　前記複数のマイクロＬＥＤ上のそれぞれに形成された第２導電型の電極と、
    　前記複数のマイクロＬＥＤの間に立設され、前記マイクロＬＥＤの側面からの光を反射する反射障壁材と、
    　前記複数のマイクロＬＥＤのうち互いに隣接する３個のマイクロＬＥＤで１画素となるように、前記３個のマイクロＬＥＤの前記第２導電型の電極と接続される配線構造を有するフィルム状の配線基板と、
    　前記マイクロＬＥＤと前記反射障壁層の間に充填された、蛍光体を分散させた樹脂であり、前記蛍光体が前記３個のマイクロＬＥＤからの光をそれぞれ赤色、緑色、青色に波長変換する樹脂と、
    　を有し、
    前記マイクロＬＥＤの側面は、前記第１導電型の電極から前記第２導電型の電極に向けて前記マイクロＬＥＤの幅が順次狭くなるように傾斜面が形成され、
    前記反射障壁材は、前記複数のマイクロＬＥＤの積層方向に平行に、かつ前記マイクロＬＥＤと等しい高さまで立設される、
    　マイクロＬＥＤディスプレイ。
  4. 　請求項１～３のいずれかに記載のマイクロＬＥＤディスプレイにおいて、
    　前記第１導電型の電極は、銅タングステンの導電性基板である、
    　マイクロＬＥＤディスプレイ。
  5. 　サファイア基板上に、ＧａＮバッファ層、ｎ型層、発光層、ｐ型層の順に結晶成長させる工程と、
    　前記ｐ層上に透明電極を蒸着形成する工程と、
    　前記透明電極上に導電性基板をボンディングする工程と、
    　前記サファイア基板と前記ＧａＮバッファ層をリフトオフする工程と、
    　前記ｎ型層側からエッチングすることで複数のマイクロＬＥＤを形成するとともに、前記マイクロＬＥＤの側面に傾斜面を形成する工程と、
    　前記複数のマイクロＬＥＤのそれぞれにｎ電極を蒸着形成する工程と、
    　前記複数のマイクロＬＥＤの前記ｎ電極以外の部分にパッシベーション層を形成する工程と、
    　前記複数のマイクロＬＥＤの間に反射障壁材を立設形成する工程と、
    　前記複数のマイクロＬＥＤのうち互いに隣接する３個のマイクロＬＥＤで１画素となるように、前記ｎ電極上にフィルム状の配線基板を形成する工程と、
    　前記配線基板上に前記３個のマイクロＬＥＤからの光をそれぞれ赤色、緑色、青色に波長変換する蛍光体を備えるフィルム状の波長変換層を形成する工程と、
    　を備え、
    　前記マイクロＬＥＤの側面は、前記導電性基板から前記ｎ型層に向けて前記マイクロＬＥＤの幅が順次狭くなるように傾斜面が形成され、
    前記反射障壁材は、前記複数のマイクロＬＥＤの積層方向に平行に、かつ前記マイクロＬＥＤと等しい高さまで立設される、
    マイクロＬＥＤディスプレイの製造方法。
  6. 　請求項５に記載の製造方法において、
    　前記複数のマイクロＬＥＤの間に反射障壁材を立設形成する工程と、前記複数のマイクロＬＥＤのうち互いに隣接する３個のマイクロＬＥＤで１画素となるように、前記ｎ電極上にフィルム状の配線基板を形成する工程は同時に実施される、
    　マイクロＬＥＤディスプレイの製造方法。
  7. 　請求項５に記載の製造方法において、
    　前記複数のマイクロＬＥＤの間に反射障壁材を立設形成する工程の後に、前記マイクロＬＥＤと前記反射障壁層の間に、蛍光体を分散させた樹脂を充填する工程をさらに有する、
    　マイクロＬＥＤディスプレイの製造方法。
  8. 　サファイア基板上に、ＧａＮバッファ層、ｎ型層、発光層、ｐ型層の順に結晶成長させる工程と、
    　前記ｐ層上に透明電極を蒸着形成する工程と、
    　前記透明電極上に導電性基板をボンディングする工程と、
    　前記サファイア基板と前記ＧａＮバッファ層をリフトオフする工程と、
    　前記ｎ型層側からエッチングすることで複数のマイクロＬＥＤを形成するとともに、前記マイクロＬＥＤの側面に傾斜面を形成する工程と、
    　前記複数のマイクロＬＥＤのそれぞれにｎ電極を蒸着形成する工程と、
    　前記複数のマイクロＬＥＤの前記ｎ電極以外の部分にパッシベーション層を形成する工程と、
    　前記複数のマイクロＬＥＤの間に反射障壁材を立設形成する工程と、
    前記マイクロＬＥＤと前記反射障壁層の間に蛍光体を分散させた樹脂を充填する工程であり、前記蛍光体が前記３個のマイクロＬＥＤからの光をそれぞれ赤色、緑色、青色に波長変換する、工程と、
    　前記複数のマイクロＬＥＤのうち互いに隣接する３個のマイクロＬＥＤで１画素となるように、前記ｎ電極上にフィルム状の配線基板を形成する工程と、
    　を備え、
    　前記マイクロＬＥＤの側面は、前記導電性基板から前記ｎ型層に向けて前記マイクロＬＥＤの幅が順次狭くなるように傾斜面が形成され、
    前記反射障壁材は、前記複数のマイクロＬＥＤの積層方向に平行に、かつ前記マイクロＬＥＤと等しい高さまで立設される、
    マイクロＬＥＤディスプレイの製造方法。
  9. 　請求項５～８のいずれかに記載の製造方法において、
    　前記導電性基板は、銅タングステンである、
    　マイクロＬＥＤディスプレイの製造方法。
     
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