JP6921186B2 - ディスプレイ装置 - Google Patents

ディスプレイ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6921186B2
JP6921186B2 JP2019513799A JP2019513799A JP6921186B2 JP 6921186 B2 JP6921186 B2 JP 6921186B2 JP 2019513799 A JP2019513799 A JP 2019513799A JP 2019513799 A JP2019513799 A JP 2019513799A JP 6921186 B2 JP6921186 B2 JP 6921186B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
light
emitting diodes
phosphor layer
emitting diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019513799A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019529989A (ja
Inventor
竹谷　元伸
元伸 竹谷
ヨン ヒョン キム，
ヨン ヒョン キム，
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seoul Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Seoul Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seoul Semiconductor Co Ltd filed Critical Seoul Semiconductor Co Ltd
Publication of JP2019529989A publication Critical patent/JP2019529989A/ja
Priority to JP2021122568A priority Critical patent/JP7209051B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6921186B2 publication Critical patent/JP6921186B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133612—Electrical details
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133614—Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Description

本発明は、ディスプレイ装置に関するものであり、より詳しくは、マイクロ発光ダイオードを用いたディスプレイ装置に関する。
発光ダイオードは、電子と正孔の再結合により発生する光を外部に放出する無機半導体素子である。近年、ディスプレイ、自動車のランプ、一般照明のような多様な分野に使用されており、その範囲は広くなりつつある。
発光ダイオードは、寿命が長く、消費電力が低く、且つ応答速度が速いという長所がある。それにより、発光ダイオードを用いた発光装置は多様な分野において光源として用いることができる。
特に、近年スマートテレビやモニターに用いられるディスプレイ装置は、ＴＦＴ−ＬＣＤパネルを用いて色を再現し、再現された色を放出するためのバックライト光源として発光ダイオードを用いている。また、ＯＬＥＤを用いてディスプレイ装置を製造する場合もある。
ＴＦＴ−ＬＣＤパネルにバックライト光源として発光ダイオードが用いられる場合、一つの発光ダイオードはＴＦＴ−ＬＣＤパネルの多数のピクセルに光を照射する光源として用いられる。この場合、ＴＦＴ−ＬＣＤパネルの画面に何色が表示されてもバックライト光源は常に点灯状態を維持しなければならないため、それによってディスプレイされる画面の明るさに関係なく一定の消費電力が消費される問題がある。
また、ＯＬＥＤを用いたディスプレイ装置の場合、技術発達を通じて持続的に消費電力が低くなっているが、未だに無機半導体素子である発光ダイオードに比べて非常に多くの消費電力が消費されるため、効率性が落ちる問題がある。
さらに、ＴＦＴを駆動するための方式のうち、ＰＭ駆動方式を用いたＯＬＥＤディスプレイ装置は、大きな容量を有する有機ＥＬをＰＡＭ（ｐｕｌｓｅ ａｍｐｌｉｆｉｅｒ ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）方式で制御することにより、応答速度が遅くなる問題が発生する場合がある。そして、低いデューティー（ｄｕｔｙ）を具現するためにＰＷＭ（ｐｕｌｓｅ ｗｉｄｔｈ ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）方式で制御する場合、高電流駆動が要求され寿命低下が発生する問題がある。
また、ＴＦＴを駆動するための方式のうち、ＡＭ駆動方式を用いたＯＬＥＤディスプレイ装置は、ピクセルごとにＴＦＴを連結するが、それにより生産コストが嵩み、ＴＦＴの特性によって輝度にムラが出る問題がある。
本発明が解決しようとする課題は、ウェアラブル装置やスマートフォン又はテレビ等に適用でき、消費電力の低いマイクロ発光ダイオードを用いたディスプレイ装置を提供することである。
本発明は、規則的に配列された複数の発光ダイオードを含む発光部；前記複数の発光ダイオードを駆動させる複数のＴＦＴを含むＴＦＴパネル部；及び前記第１基板から放出された光を変換する光変換部を含み、前記発光部及びＴＦＴパネル部は一面が対向するように相互結合され、前記各発光ダイオードと各ＴＦＴが電気的に連結され、前記複数の発光ダイオードは一つ以上の第１発光ダイオード及び一つ以上の第２発光ダイオードを含み、前記一つ以上の第１発光ダイオードから放出された光が前記光変換部で変換されて前記光変換部を通じて赤色光が放出され、前記一つ以上の第２発光ダイオードは緑色光を外部に放出するディスプレイ装置を提供する。
本発明によると、窒化物半導体を用いたマイクロ発光ダイオードを使用してディスプレイ装置を構成し、高い解像度と低い消費電力、そして効率の高いディスプレイ装置を提供することができる。それにより、ウェアラブル装置や多様な装置に用いることができる。
さらに、青色発光ダイオードと緑色発光ダイオードのみを用いてディスプレイ装置を具現してディスプレイ装置の製造コストを下げつつ効率を上げることができる。
また、本発明によると、ディスプレイ装置から赤色光が放出されるサブピクセルの面積は、青色光及び緑色光がそれぞれ放出されるサブピクセルの面積よりも相対的に大きい。それにより、蛍光体を通じて放出される赤色光の光量を高めて、一つのピクセルから放出される青色光、緑色光及び赤色光の光量が均一に放出されるようにさせることができる。
本発明の第１実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した平面図である。 本発明の第１実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。 本発明の第２実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。 本発明の第３実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した平面図である。 本発明の第３実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。 本発明の第４実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。 本発明の第５実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。 本発明の第６実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した平面図である。 本発明の第６実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。 本発明の第７実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。 本発明の第８実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した平面図である。 図１１の点線に沿って切り取った断面図である。
本発明の一実施例にかかるディスプレイ装置は、規則的に配列された複数の発光ダイオードを含む発光部；前記複数の発光ダイオードを駆動させる複数のＴＦＴを含むＴＦＴパネル部；及び前記第１基板から放出された光を変換する光変換部を含み、前記発光部及びＴＦＴパネル部は一面が対向するように相互結合され、前記各発光ダイオードと各ＴＦＴが電気的に連結され、前記複数の発光ダイオードは一つ以上の第１発光ダイオード及び一つ以上の第２発光ダイオードを含み、前記一つ以上の第１発光ダイオードから放出された光が前記光変換部で変換されて前記光変換部を通じて赤色光が放出され、前記一つ以上の第２発光ダイオードは緑色光を外部に放出することができる。
このとき、前記一つ以上の第１発光ダイオードは青色光を放出する青色発光ダイオード又は紫外線を放出する紫外線発光ダイオードであり、前記光変換部は前記一つ以上の第１発光ダイオードから放出された光を波長変換して赤色光を外部に放出する赤色蛍光体層を含み得る。
ここで、前記一つ以上の第１発光ダイオードは第１サブピクセルに配置され、前記一つ以上の第２発光ダイオードは第２サブピクセルに配置され、前記第１サブピクセルは前記第２サブピクセルよりも相対的に大きくてもよい。
また、前記複数の発光ダイオードは第３サブピクセルに配置された一つ以上の第３発光ダイオードをさらに含み、前記第１サブピクセルは前記第３サブピクセルよりも相対的に大きく、前記第２及び第３サブピクセルが一列に配置された側面に配置されてもよい。
そして、前記複数の発光ダイオードは一つ以上の第３発光ダイオードをさらに含み、前記一つ以上の第２発光ダイオードは緑色光を外部に放出する緑色発光ダイオードであり、前記一つ以上の第３発光ダイオードは青色光を外部に放出する青色発光ダイオードになり得る。
また、前記複数の発光ダイオードは一つ以上の第３発光ダイオードをさらに含み、前記一つ以上の第３発光ダイオードは紫外線を放出する紫外線発光ダイオードであり、前記光変換部は前記紫外線発光ダイオードから放出された紫外線を波長変換して青色光を外部に放出する青色蛍光体層をさらに含んでもよい。
そして、前記複数の発光ダイオードは一つ以上の第４発光ダイオードをさらに含み、前記一つ以上の第４発光ダイオードは青色光を放出する青色発光ダイオードであり、前記光変換部は前記第４発光ダイオードから放出された光を波長変換して白色光を外部に放出する白色蛍光体層をさらに含んでもよい。
ここで、前記一つ以上の第１〜第４発光ダイオードは、第１〜第４サブピクセルにそれぞれ配置され、前記第１及び第４サブピクセルは前記第２及び第３サブピクセルよりも相対的に大きくてもよい。
このとき、前記第１及び第２サブピクセルは一つの行に配置され、前記第３及び第４サブピクセルは別の一つの行に配置され、前記第１及び第４サブピクセルは一つの列に配置されてもよい。
そして、前記光変換部は前記放出される赤色光から赤色光を除いた残りの波長の光を遮断するカラーフィルターを含んでもよい。
ここで、前記発光部は、複数の発光ダイオード；前記複数の発光ダイオードの上部に配置され、前記複数の発光ダイオードと電気的に連結された透明電極；前記複数の発光ダイオードの下部に配置され、前記複数の発光ダイオードと電気的に連結された連結電極；及び前記複数の発光ダイオードの間に配置され、前記透明電極と電気的に連結された遮断部を含んでもよい。
前記複数の発光ダイオードは、それぞれ、ｎ型半導体層；ｐ型半導体層；及び前記ｎ型半導体層とｐ型半導体層間に介在する活性層を含んでもよい。
そして、前記光変換部は、前記一つ以上の第１発光ダイオードから放出された光を波長変換して赤色光を放出する赤色蛍光体層を含む蛍光体層；及び前記蛍光体層の上部に配置された保護基板を含んでもよい。
このとき、前記蛍光体層は前記第２発光ダイオードから放出された光をそのまま放出する透明層をさらに含んでもよい。
また、前記蛍光体層と保護基板間に配置され、前記蛍光体層から放出された光の一部の波長の光を遮断するカラーフィルターをさらに含んでもよい。
本発明の好ましい実施例について、添付の図面を参照してより具体的に説明する。
図１は本発明の第１実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した平面図であり、図２は本発明の第１実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。
図１及び図２を参照すると、本発明の第１実施例にかかるディスプレイ装置１００は、発光ダイオード部１１０、ＴＦＴパネル部１３０及び異方性導電フィルム１５０を含む。そして、発光ダイオード部１１０は発光部１１１及び光変換部１２３を含む。
発光部１１１は、青色発光ダイオード１１２ａ、緑色発光ダイオード１１２ｂ、透明電極１１６、遮断部１１８及び第１連結電極１２２を含む。
青色発光ダイオード１１２ａ及び緑色発光ダイオード１１２ｂは、それぞれ複数個が備えられ、規則的に配列される。一例として、複数の青色発光ダイオード１１２ａと複数の緑色発光ダイオード１１２ｂは、それぞれ行と列によって一定の間隔で離隔された状態を保って配列することができる。前記のように、複数の青色発光ダイオード１１２ａと複数の緑色発光ダイオード１１２ｂが配列されることにより、複数のピクセルが形成され得る。図１を参照すると、本実施例において一つのピクセルは三つのサブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３）を有し、三つのサブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３）のうち第２サブピクセル（ＳＰ２）に緑色発光ダイオード１１２ｂが配置され、残りの二つのサブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ２）に青色発光ダイオード１１２ａを配置することができる。本実施例において一つのサブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３）に一つの発光ダイオード１１２ａ，１１２ｂが配置されたことについて説明するが、必要に応じて、一つのサブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３）内に二つ以上の発光ダイオードを配置することもできる。
また、本実施例において、一つのサブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３）の大きさは各サブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３）内に配置された発光ダイオード１１２ａ，１１２ｂの大きさよりも相対的に大きくてもよい。そして、各サブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３）の大きさは相互同じになり得る。
発光部１１１は、外部で各発光ダイオード１１２ａ，１１２ｂに電源が入れられると、入れられた電源によって各発光ダイオード１１２ａ，１１２ｂが点滅し、光変換部１２３と結合された発光ダイオード部１１０はそれ自体でディスプレイ装置１００として駆動し得る。つまり、発光部１１１から放出された光が光変換部１２３を通過しながら、青色光、緑色光及び赤色光を外部に放出できる。それにより、別途のＬＣＤがなくても発光ダイオード部１１０はディスプレイ装置１００として駆動することが可能となる。
本実施例において、青色発光ダイオード１１２ａ及び緑色発光ダイオード１１２ｂは、それぞれ、ｎ型半導体層２３、活性層２５及びｐ型半導体層２７を含み得る。このとき、ｎ型半導体層２３、活性層２５及びｐ型半導体層２７は、それぞれＩＩＩ−Ｖ族系列の化合物半導体を含み得る。一例として、（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎのような窒化物半導体を含んでもよい。ここで、ｎ型半導体層２３とｐ型半導体層２７の位置は互いに変わってもよい。
ｎ型半導体層２３はｎ型不純物（例えば、Ｓｉ）を含む導電型半導体層でもよく、ｐ型半導体層２７はｐ型不純物（例えば、Ｍｇ）を含む導電型半導体層でもよい。活性層２５は、ｎ型半導体層２３とｐ型半導体層２７間に介在し、多重量子井戸構造（ＭＱＷ）を含んでもよく、目的とするピーク波長の光を放出できるように組成比を決定することができる。それにより、青色発光ダイオード１１２ａは、例えば、ピーク波長が４３０ｎｍ〜４７０ｎｍ波長帯域の青色光を放出し、緑色発光ダイオード１１２ｂは、例えば、ピーク波長が５１０ｎｍ〜５５０ｎｍ波長帯域の緑色光を放出することができる。
本実施例において、青色発光ダイオード１１２ａ及び緑色発光ダイオード１１２ｂは、それぞれ垂直型発光ダイオードの形状を有し得る。ｎ型半導体層２３の外面にｎ型電極が形成され、ｐ型半導体層２７の外面にｐ型電極が形成され得るが、本実施例ではｎ型電極とｐ型電極が省略されたことについて説明する。しかし、ｎ型電極とｐ型電極は必要に応じてｎ型電極及びｐ型電極のいずれか一つ以上が追加されてもよい。
透明電極１１６は、青色発光ダイオード１１２ａ及び緑色発光ダイオード１１２ｂのｎ型半導体層２３と電気的に接続でき、遮断部１１８と電気的に連結できる。透明電極１１６は、青色発光ダイオード１１２ａ及び緑色発光ダイオード１１２ｂから放出された光を光変換部１２３側に透過させるために投影することができ、できるだけ薄くしてもよい。例えば、透明電極１１６はＩＴＯでもよい。
遮断部１１８は、一つのサブピクセルに対する領域を設定できるように配置され、電気的に導電性を有することができる。それにより、遮断部１１８によって各サブピクセルの領域が設定され、このように設定されたサブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３）内に青色発光ダイオード１１２ａまたは緑色発光ダイオード１１２ｂをそれぞれ配置できる。
前記のように、遮断部１１８が配置されることにより、一つのサブピクセルから放出された光は、隣接する他のサブピクセル側に光が放出されないようにすることができる。そして、本実施例において遮断部１１８の側面は、青色発光ダイオード１１２ａ又は緑色発光ダイオード１１２ｂから放出された光を反射できる反射面になり得る。また、遮断部１１８の側面が垂直に図示されているが、遮断部１１８の側面は傾斜面でもよい。それにより、各発光ダイオード１１２ａ，１１２ｂから放出された光が遮断部１１８で反射されてサブピクセルの上部に放出される。
そして、遮断部１１８はＴＦＴパネル部１３０と電気的に連結され、ＴＦＴパネル部１３０とｎ型半導体層２３は透明電極１１６と遮断部１１８を通じて電気的に連結することができる。
第１連結電極１２２は、複数個が備えられ、各サブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３）に一つずつ配置されて青色発光ダイオード１１２ａ及び緑色発光ダイオード１１２ｂのｐ型半導体層２７とそれぞれ電気的に連結することができる。それにより、ＴＦＴパネル部１３０とｐ型半導体層２７は第１連結電極１２２を通じて電気的に連結することができる。
本実施例において、光変換部１２３は、蛍光体層１２６、カラーフィルター１２７及び保護基板１２８を含む。
蛍光体層１２６は、保護基板１２８上に配置することができ、赤色蛍光体層１２６ｃ及び透明層１２６ｅを含む。そして、赤色蛍光体層１２６ｃと透明層１２６ｅ間に遮断層１２６ｄを配置することができる。遮断層１２６ｄは、赤色蛍光体層１２６ｃ又は透明層１２６ｅに入射した光が隣接する他の赤色蛍光体層１２６ｃや透明層１２６ｅに入射する光を遮断して、互いに混色することを防ぐ役割をする。
このとき、赤色蛍光体層１２６ｃは、図１及び図２に図示したように、二つの青色発光ダイオード１１２ａのどちらかが配置された位置に対応する位置に配置され、透明層１２６ｅは他の青色発光ダイオード１１２ａ及び緑色発光ダイオード１１２ｂが配置された位置に配置される。つまり、赤色蛍光体層１２６ｃは、第１サブピクセル（ＳＰ１）に配置され、透明層１２６ｅは第２及び第３サブピクセル（ＳＰ２，ＳＰ３）に配置される。ここで、透明層１２６ｅ間に遮断層１２６ｄを配置することができる。
それにより、透明層１２６ｅが配置された第２及び第３サブピクセル（ＳＰ２，ＳＰ３）に配置された緑色発光ダイオード１１２ｂ及び青色発光ダイオード１１２ａから放出された光は、それぞれ透明層１２６ｅを通じて緑色光及び青色光が外部に放出され得る。また、第１サブピクセル（ＳＰ１）に配置された青色発光ダイオード１１２ａから放出された光は、対応する位置に配置された赤色蛍光体層１２６ｃを通じて赤色光が外部に放出され得る。
また、本実施例において、蛍光体層１２６と保護基板１２８間にカラーフィルター１２７を介在することができる。カラーフィルター１２７は、赤色光部１２７ｃ、光遮断部１２７ｄ及び透明部１２７ｅを含んでもよい。本実施例において、カラーフィルター１２７はフィルム形状を有してもよく、カラーフィルター１２７を透過する光から特定波長の光を除いた残りの光を遮断することができる。
つまり、赤色光部１２７ｃは、赤色光部１２７ｃを透過する光から赤色光を除いた残りの波長の光を遮断し、赤色光のみを透過させる。本実施例において、赤色光部１２７ｃは赤色蛍光体層１２６ｃに対応する位置に配置されることにより、赤色蛍光体層１２６ｃから放出された光が赤色光部１２７ｃに入射される。このとき、青色発光ダイオード１１２ａから放出された青色光が赤色蛍光体層１２６ｃを透過しながら大部分が波長変換されて赤色光が外部に放出されるが、一部の波長変換されなかった青色光も外部に放出される場合がある。それにより、赤色光部１２７ｃは赤色蛍光体層１２６ｃを通じて波長変換されなかった青色光を遮断する役割をする。
そして、透明部１２７ｅは蛍光体層１２６の透明層１２６ｅに対応する位置に配置することができる。それにより、透明部１２７ｅは透明層１２６ｅを通じて放出される青色光及び緑色光をそのまま外部に放出させることができる。また、光遮断部１２７ｄは赤色光部１２７ｃと透明部１２７ｅの間に配置され、赤色光部１２７ｃ及び透明部１２７ｅを通じて放出される光が他方に放出されることを遮断することができる。
保護基板１２８は、カラーフィルター１２７に接触するように配置され、カラーフィルター１２７が外部に直接露出されることを防止して外部から保護することができる。本実施例において、保護基板１２８は光が透過するように透明な材質を用いることができる。
ＴＦＴパネル部１３０は、発光部１１１と結合して、発光に電源を供給するために備えられる。そのために、ＴＦＴパネル部１３０はパネル基板１３２及び第２連結電極１３４を含む。そして、ＴＦＴパネル部１３０は発光部１１１に供給される電源を制御して発光部１１１に含まれた青色発光ダイオード１１２ａ及び緑色発光ダイオード１１２ｂの一部を発光させることができ、発光された発光ダイオード１１２ａ，１１２ｂの光量を調節することができる。
パネル基板１３２は、内部にＴＦＴ駆動回路を形成することができる。ＴＦＴ駆動回路は、アクティブマトリックス（ＡＭ，ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ）駆動のための回路であり、または、パッシブマトリックス（ＰＭ，ｐａｓｓｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ）駆動のための回路である。
第２連結電極１３４は、パネル基板１３２のＴＦＴ駆動回路と電気的に連結され、発光部１１１の第１連結電極１２２又は遮断部１１８と電気的に連結することができる。つまり、第２連結電極１３４は複数個備えることができ、相互離隔された状態で配置できる。ＴＦＴ駆動回路を通じて供給された電源は、第２連結電極１３４を通じて第１連結電極１２２及び遮断部１１８を通じて青色発光ダイオード１１２ａ及び緑色発光ダイオード１１２ｂに供給される。このとき、第２連結電極１３４は別途の保護層で覆ってもよく、保護層は、例えばＳｉＮｘを含んでもよい。
異方性導電フィルム（ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｆｉｌｍ，１５０）は、発光部１１１とＴＦＴパネル部１３０を互いに電気的に連結するために備えられる。異方性導電フィルム１５０は、絶縁性を有する接着性有機材料を含むことができ、内部に電気的連結のための導電性粒子が均一に分散配置され得る。そして、異方性導電フィルム１５０は厚さ方向に導電性を有するが、面方向に絶縁性を有する性質があり、また、接着性がある。それにより、発光部１１１とＴＦＴパネル部１３０は互いに電気的に連結しながら接合することができる。特に、異方性導電フィルム１５０はＩＴＯのように高温で半田付けし難い電極を接続させる際に有用となる。
前記のように、異方性導電フィルム１５０を用いて発光部１１１とＴＦＴパネル部１３０を結合すると、第１連結電極１２２及び遮断部１１８が、それぞれ第２連結電極１３４が電極連結部１５２によって互いに電気的に連結される。
図３は、本発明の第２実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。
図３を参照すると、本発明の第２実施例にかかるディスプレイ装置１００は、発光ダイオード部１１０、ＴＦＴパネル部１３０及び異方性導電フィルム１５０を含む。そして、発光ダイオード部１１０は発光部１１１及び光変換部１２３を含む。本発明の第２実施例について説明する際、第１実施例と同じ説明は省略する。
発光部１１１は、青色発光ダイオード１１２ａ、緑色発光ダイオード１１２ｂ、透明電極１１６、遮断部１１８及び第１連結電極１２２を含む。そして、光変換部１２３は蛍光体層１２６及び保護基板１２８を含む。
本実施例にかかるディスプレイ装置１００は、第１実施例と比較して、光変換部１２３からカラーフィルター１２７が除外された構成を有する。それにより、発光部１１１に含まれる二つの青色発光ダイオード１１２ａの一つから放出された青色光は、蛍光体層１２６の赤色蛍光体層１２６ｃを通じて波長変換され、保護基板１２８を通じて外部に放出される。つまり、本実施例における蛍光体層１２６は第１実施例でのように、赤色蛍光体層１２６ｃと透明層１２６ｅを含む。このように本実施例において光変換部１２３が蛍光体層１２６と保護基板１２８を含むことにより、第１実施例に比べて相対的に光変換部１２３の厚さを薄くすることができる。
第１及び第２実施例において青色発光ダイオード１１２ａ及び緑色発光ダイオード１１２ｂを用いたことについて説明したが、別途図示してはいないが、必要に応じて紫外線発光ダイオード１１２ｄがさらに含まれてもよい。紫外線発光ダイオード１１２ｄは、蛍光体層１２６の赤色蛍光体層１２６ｃが配置された第１サブピクセル（ＳＰ１）に配置され、第１及び第２実施例における青色発光ダイオード１１２ａを代替することができる。それにより、紫外線発光ダイオード１１２ｄから放出された紫外線は、赤色蛍光体層１２６ｃを通じて波長変換され赤色光が外部に放出される。ここで、紫外線発光ダイオード１１２ｄは、例えば、ピーク波長が３６０ｎｍ〜４３０ｎｍ波長帯域の紫外線を放出することができる。
このとき、第２及び第３サブピクセル（ＳＰ２，ＳＰ３）は、第１及び第２実施例でのように、緑色発光ダイオード１１２ｂ及び青色発光ダイオード１１２ａがそれぞれ配置される。
図４は本発明の第３実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した平面図であり、図５は本発明の第３実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。
図４及び図５を参照すると、本発明の第３実施例にかかるディスプレイ装置１００は、発光ダイオード部１１０、ＴＦＴパネル部１３０及び異方性導電フィルム１５０を含む。そして、発光ダイオード部１１０は発光部１１１及び光変換部１２３を含む。本発明の第３実施例について説明する際、第１実施例と同じ説明は省略する。
発光部１１１は、青色発光ダイオード１１２ａ、緑色発光ダイオード１１２ｂ、透明電極１１６、遮断部１１８及び第１連結電極１２２を含む。そして、光変換部１２３は蛍光体層１２６、カラーフィルター１２７及び保護基板１２８を含む。
図４を参照すると、本実施例において、一つのピクセルは三つのサブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３）を含み、三つのサブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３）にそれぞれ二つの青色発光ダイオード１１２ａと緑色発光ダイオード１１２ｂが配置される。このとき、三つのサブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３）のうち第１サブピクセル（ＳＰ１）は第２及び第３サブピクセル（ＳＰ２，ＳＰ３）よりも相対的に大きい面積を有することができる。そして、相対的に小さい第２及び第３サブピクセル（ＳＰ２，ＳＰ３）は互いに同一面積を有してもよい。本実施例において、第１サブピクセル（ＳＰ１）が第２及び第３サブピクセル（ＳＰ２，ＳＰ３）に比べて約４倍の大きさに図示したが、これに限定されるのではなく、必要に応じて大きさは多様に変形できる。
本実施例において、第１及び第３サブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ３）に青色発光ダイオード１１２ａが配置され、第２サブピクセル（ＳＰ２）に緑色発光ダイオード１１２ｂが配置される。
光変換部１２３は、第１実施例のように、蛍光体層１２６、カラーフィルター１２７及び保護基板１２８を含み、蛍光体層１２６は赤色蛍光体層１２６ｃ、遮断層１２６ｄ及び透明層１２６ｅを含む。そして、カラーフィルター１２７は赤色光部１２７ｃ、遮断部１１８及び透明部１２７ｅを含む。このとき、本実施例において、赤色蛍光体層１２６ｃは第１サブピクセル（ＳＰ１）に配置され、透明層１２６ｅは第２及び第３サブピクセル（ＳＰ２，ＳＰ３）に配置される。ここで、赤色蛍光体層１２６ｃと透明層１２６ｅの大きさは、配置される各サブピクセルに対応する大きさを有し、赤色蛍光体層１２６ｃの大きさが透明層１２６ｅに比べて大きくてもよい。
また、カラーフィルター１２７の赤色光部１２７ｃは、第１サブピクセル（ＳＰ１）に配置され、透明部１２７ｅは第２及び第３サブピクセル（ＳＰ２，ＳＰ３）に配置される。それにより、赤色光部１２７ｃと透明部１２７ｅの大きさは配置される各サブピクセルに対応する大きさを有し、赤色光部１２７ｃの大きさが透明部１２７ｅに比べて大きくてもよい。
第１サブピクセル（ＳＰ１）の大きさが第２及び第３サブピクセル（ＳＰ２，ＳＰ３）の大きさよりも大きいのは、前記で説明したとおり、第１サブピクセル（ＳＰ１）だけに赤色蛍光体層１２６ｃ及び赤色光部１２７ｃが配置されるためである。
第２及び第３サブピクセル（ＳＰ２，ＳＰ３）は、それぞれ配置された緑色発光ダイオード１１２ｂ及び青色発光ダイオード１１２ａから放出された緑色光及び青色光をそのまま外部に放出する。しかし、第１サブピクセル（ＳＰ１）は配置された青色発光ダイオード１１２ａから放出された青色光は赤色蛍光体層１２６ｃを通じて波長変換され、赤色光部１２７ｃを通じて赤色光を外部に放出する。このとき、赤色蛍光体層１２６ｃ及び赤色光部１２７ｃを経て、青色発光ダイオード１１２ａから放出された光が外部に放出される際、光量が減少し得る。
そのため、本実施例でのように、赤色蛍光体層１２６ｃ及び赤色光部１２７ｃが配置された第１サブピクセル（ＳＰ１）の大きさを第２及び第３サブピクセル（ＳＰ２，ＳＰ３）よりも相対的に大きくすることにより、各サブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３）から放出される光量は同じになり得る。ここで、各サブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３）から放出される光量が同じになるように、第１〜第３サブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３）の大きさは変更することができる。
そして、本実施例において、発光部１１１、光変換部１２３及びＴＦＴパネル部１３０の構造は、第１実施例と同様に、平面上で大きさと位置が第１実施例とは異なる。
図６は、本発明の第４実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。
図６を参照すると、本発明の第４実施例にかかるディスプレイ装置１００は、発光ダイオード部１１０、ＴＦＴパネル部１３０及び異方性導電フィルム１５０を含む。そして、発光ダイオード部１１０は発光部１１１及び光変換部１２３を含む。本発明の第４実施例について説明する際、第１実施例と同じ説明は省略する。
発光部１１１は、緑色発光ダイオード１１２ｂ、紫外線発光ダイオード１１２ｄ、透明電極１１６、遮断部１１８及び第１連結電極１２２を含む。そして、光変換部１２３は蛍光体層１２６、カラーフィルター１２７及び保護基板１２８を含む。
本発明の一実施例にかかるディスプレイ装置１００は、第１実施例とは異なり、青色発光ダイオード１１２ａの代わりに紫外線発光ダイオード１１２ｄを用いたことについて説明する。それにより、三つのピクセル中の二つのサブピクセルに紫外線発光ダイオード１１２ｄが配置され、残りの一つのサブピクセルに緑色発光ダイオード１１２ｂが配置される。
そして、蛍光体層１２６は、青色蛍光体層１２６ａ、赤色蛍光体層１２６ｃ及び透明層１２６ｅを含む。また、蛍光体層１２６は、遮断層１２６ｄをさらに含み、遮断層１２６ｄは青色蛍光体層１２６ａ、赤色蛍光体層１２６ｃ及び透明層１２６ｅ間にそれぞれ配置される。
赤色蛍光体層１２６ｃは、第１実施例のように、第１サブピクセル（ＳＰ１）に対応する位置に配置され、紫外線発光ダイオード１１２ｄから放出された紫外線が波長変換されて赤色光を外部に放出する。そして、青色蛍光体層１２６ａは第３サブピクセル（ＳＰ３）に対応する位置に配置され、紫外線発光ダイオード１１２ｄから放出された紫外線が波長変換されて青色光を外部に放出する。
また、カラーフィルター１２７は、青色光部、赤色光部１２７ｃ及び透明部１２７ｅを含む。なお、カラーフィルター１２７は光遮断部１２７ｄをさらに含み、光遮断部１２７ｄは、青色光部、赤色光部１２７ｃ及び透明部１２７ｅの間にそれぞれ配置される。
赤色光部１２７ｃは、第１実施例のように、第１サブピクセル（ＳＰ１）に対応する位置に配置され、赤色蛍光体層１２６ｃを通じて放出された光が透過して赤色光だけが外部に放出される。そして、青色光部は、第３サブピクセル（ＳＰ３）に対応する位置に配置され、青色蛍光体層１２６ａを通じて放出された光が透過して青色光だけが外部に放出される。
このとき、青色光部は青色光部を透過する光において、青色光を除いた残りの波長の光を遮断し、青色光だけを透過させる。
図７は、本発明の第５実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。
図７を参照すると、本発明の第５実施例にかかるディスプレイ装置１００は、発光ダイオード部１１０、ＴＦＴパネル部１３０及び異方性導電フィルム１５０を含む。そして、発光ダイオード部１１０は発光部１１１及び光変換部１２３を含む。本発明の第５実施例について説明する際、第１及び第４実施例と同じ説明は省略する。
発光部１１１は、緑色発光ダイオード１１２ｂ、紫外線発光ダイオード１１２ｄ、透明電極１１６、遮断部１１８及び第１連結電極１２２を含む。そして、光変換部１２３は蛍光体層１２６及び保護基板１２８を含む。
本実施例にかかるディスプレイ装置１００は、第４実施例と比較して、光変換部１２３からカラーフィルター１２７が除外された構成を有する。それにより、発光部１１１に含まれた二つの紫外線発光ダイオード１１２ｄ中の一つから放出された紫外線は、蛍光体層１２６の赤色蛍光体層１２６ｃを通じて波長変換され、保護基板１２８を通じて外部に放出できる。また、二つの紫外線発光ダイオード１１２ｄ中のもう一つから放出された紫外線は、蛍光体層１２６の青色蛍光体層１２６ａを通じて波長変換され、保護基板１２８を通じて外部に放出される。
つまり、本実施例における蛍光体層１２６は、第４実施例のように、青色蛍光体層１２６ａ、赤色蛍光体層１２６ｃと透明層１２６ｅを含む。このように本実施例において光変換部１２３が蛍光体層１２６と保護基板１２８を含むことにより、第４実施例に比べて相対的に光変換部１２３の厚さを薄くすることができる。
図８は本発明の第６実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した平面図であり、図９は本発明の第６実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。
図８及び図９を参照すると、本発明の第６実施例にかかるディスプレイ装置１００は、発光ダイオード部１１０、ＴＦＴパネル部１３０及び異方性導電フィルム１５０を含む。そして、発光ダイオード部１１０は発光部１１１及び光変換部１２３を含む。本実施例について説明する際、第１実施例と同じ説明は省略する。
本実施例において、一つのピクセルは四つのサブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４）を含む。四つのサブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４）のうち第１、第３及び第４サブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ３，ＳＰ４）に青色発光ダイオード１１２ａが配置され、第２サブピクセル（ＳＰ２）に緑色発光ダイオード１１２ｂを配置することができる。
また、本実施例において一つのサブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４）の大きさは、各サブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４）内に配置された発光ダイオード１１２ａ，１１２ｂの大きさよりも相対的に大きくてもよい。そして、各サブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４）の大きさは互いに同じになってもよい。
本実施例において一つのサブピクセルに対応する発光部１１１の構造は、第１実施例と同じなり得る。また、一つのサブピクセルの大きさも第１実施例と同じになり得、必要に応じて、第１実施例より小さくなってもよい。
光変換部１２３は、蛍光体層１２６、カラーフィルター１２７及び保護基板１２８を含む。
蛍光体層１２６は、赤色蛍光体層１２６ｃ、透明層１２６ｅ及び白色蛍光体層１２６ｆを含み、赤色蛍光体層１２６ｃ、透明層１２６ｅ及び白色蛍光体層１２６ｆ間に配置された遮断層１２６ｄをさらに含んでもよい。
赤色蛍光体層１２６ｃは、青色発光ダイオード１１２ａが配置された第１サブピクセル（ＳＰ１）に配置される。そして、透明層１２６ｅは緑色発光ダイオードと青色発光ダイオード１１２ａが配置された第２及び第３サブピクセル（ＳＰ２，ＳＰ３）にそれぞれ配置され、白色蛍光体層１２６ｆは青色発光ダイオード１１２ａが配置された第４サブピクセル（ＳＰ４）に配置される。
白色蛍光体層１２６ｆは、第４サブピクセル（ＳＰ４）に配置された青色発光ダイオード１１２ａから放出された青色光を波長変換させて白色光を放出することができる。
カラーフィルター１２７は、赤色光部１２７ｃ、光遮断部１２７ｄ及び透明部１２７ｅを含むことができる。本実施例において、カラーフィルター１２７は一つの赤色光部１２７ｃと三つの透明部１２７ｅを含み、赤色光部１２７ｃと透明部１２７ｅの間に光遮断部１２７ｄを配置することができる。
赤色光部１２７ｃは、第１サブピクセル（ＳＰ１）に配置され、赤色蛍光体層１２６ｃを通じて放出される光から赤色光を除いた残りの波長の光を遮断する。そして、三つの透明部１２７ｅは第２〜第４サブピクセル（ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４）にそれぞれ配置される。それにより、第２サブピクセル（ＳＰ２）に配置された緑色発光ダイオード１１２ｂから放出された緑色光が透明部１２７ｅを通じて外部に放出され、第３サブピクセル（ＳＰ３）に配置された青色発光ダイオード１１２ａから放出された青色光が透明部１２７ｅを通じて外部に放出される。また、第４サブピクセル（ＳＰ４）から白色蛍光体層１２６ｆを通じて放出される白色光が、透明部１２７ｅを通じて外部に放出される。
前記のように、四つのサブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４）が一つのピクセルを構成することにより、青色光、緑色光、赤色光及び白色光を外部に放出することができる。
図１０は、本発明の第７実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した断面図である。
図１０を参照すると、本発明の第７実施例にかかるディスプレイ装置１００は、発光ダイオード部１１０、ＴＦＴパネル部１３０及び異方性導電フィルム１５０を含む。そして、発光ダイオード部１１０は発光部１１１及び光変換部１２３を含む。本発明の第２実施例について説明する際、第１、及び第６実施例と同じ説明は省略する。
発光部１１１は、青色発光ダイオード１１２ａ、緑色発光ダイオード１１２ｂ、透明電極１１６、遮断部１１８及び第１連結電極１２２を含む。そして、光変換部１２３は蛍光体層１２６及び保護基板１２８を含む。
本実施例にかかるディスプレイ装置１００は、第６実施例と比較して、光変換部１２３からカラーフィルター１２７が除外された構成を有する。それにより、発光部１１１に含まれた三つの青色発光ダイオード１１２ａ中の一つから放出された青色光は赤色蛍光体層１２６ｃを通じて波長変換され、別の一つから放出された青色光は白色蛍光体層１２６ｆを通じて波長変換される。つまり、第１サブピクセル（ＳＰ１）に配置された青色発光ダイオード１１２ａから放出された青色光は、赤色蛍光体層１２６ｃを通じて波長変換されて保護基板１２８を通じて外部に放出され、第４サブピクセル（ＳＰ４）に配置された青色発光ダイオード１１２ａから放出された青色光は、白色蛍光体層１２６ｆを通じて波長変換されて、保護基板１２８を通じて外部に放出される。
そして、第２及び第３サブピクセル（ＳＰ２，ＳＰ３）がそれぞれ配置された緑色発光ダイオード１１２ｂと青色発光ダイオード１１２ａから放出された緑色光及び青色光は、透明層１２６ｅと保護基板１２８を通じてそのまま外部に放出される。
前記のように、本実施例において、光変換部１２３が蛍光体層１２６と保護基板１２８として構成されることにより、第６実施例に比べて相対的に光変換部１２３の厚さを薄くすることができる。
また、第６及び第７実施例において、青色発光ダイオード１１２ａと緑色発光ダイオード１１２ｂを用いたことについて説明したが、別途図示してはいないが、必要に応じて、紫外線発光ダイオード１１２ｄがさらに含まれてもよい。紫外線発光ダイオード１１２ｄは、赤色蛍光体層１２６ｃが配置された第１サブピクセル（ＳＰ１）と白色蛍光体層１２６ｆが配置された第４サブピクセル（ＳＰ４）にそれぞれ配置される。それにより、第１サブピクセル（ＳＰ１）に配置された紫外線発光ダイオード１１２ｄから放出された紫外線は、赤色蛍光体層１２６ｃを通じて波長変換されて赤色光が外部に放出され得、第４サブピクセル（ＳＰ４）に配置された紫外線発光ダイオード１１２ｄから放出された紫外線は、白色蛍光体層１２６ｆを通じて波長変換された白色光が外部に放出される。
このとき、第２及び第３サブピクセル（ＳＰ２，ＳＰ３）は、第６及び第７実施例でのように、緑色発光ダイオード１１２ｂ及び青色発光ダイオード１１２ａがそれぞれ配置される。
図１１は本発明の第８実施例にかかるディスプレイ装置のピクセルを図示した平面図であり、図１２の（ａ）は図１１の点線Ａ−Ａ’に沿って切り取った断面図であり、図１２の（ｂ）は図１１の点線Ｂ−Ｂ’に沿って切り取った断面図である。
図１１及び図１２を参照すると、本発明の第８実施例にかかるディスプレイ装置１００は、発光ダイオード部１１０、ＴＦＴパネル部１３０及び異方性導電フィルム１５０を含む。そして、発光ダイオード部１１０は発光部１１１及び光変換部１２３を含む。本発明の第８実施例について説明する際、第１及び第６実施例と同じ説明は省略する。
図１１を参照すると、本実施例において、一つのピクセルは四つのサブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４）を含む。四つのサブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４）のうち第１，第３及び第４サブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ３，ＳＰ４）に青色発光ダイオード１１２ａが配置され、第２サブピクセル（ＳＰ２）に緑色発光ダイオード１１２ｂが配置される。
このとき、四つのサブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４）のうち第１及び第４サブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４）は、第２及び第３サブピクセル（ＳＰ２，ＳＰ３）よりも相対的に大きい面積を有してもよい。第１及び第４サブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ４）は互いに同一面積を有してもよく、第２及び第３サブピクセル（ＳＰ２，ＳＰ３）は互いに同一面積を有してもよい。本実施例において、第１及び第４サブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ４）が第２及び第３サブピクセル（ＳＰ２，ＳＰ３）に比べて約２倍の大きさに図示したが、これに限定されることはなく、必要に応じて、大きさは多様に変形することができる。
本実施例において、第１，第３及び第４サブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ３，ＳＰ４）に青色発光ダイオード１１２ａが配置され、第２サブピクセル（ＳＰ２）に緑色発光ダイオード１１２ｂが配置される。
光変換部１２３は、第６実施例のように、蛍光体層１２６、カラーフィルター１２７及び保護基板１２８を含み、蛍光体層１２６は、赤色蛍光体層１２６ｃ、遮断層１２６ｄ、透明層１２６ｅ及び白色蛍光体層１２６ｆを含む。そして、カラーフィルター１２７は赤色光部１２７ｃ、遮断部１１８及び透明部１２７ｅを含む。このとき、赤色蛍光体層１２６ｃは第１サブピクセル（ＳＰ１）に配置され、白色蛍光体層１２６ｆは第４サブピクセル（ＳＰ４）に配置される。そして、透明層１２６ｅは第２及び第３サブピクセル（ＳＰ２，ＳＰ３）に配置される。ここで、赤色蛍光体層１２６ｃ、透明層１２６ｅ及び白色蛍光体層１２６ｆの大きさは配置される各サブピクセルに対応する大きさを有し、赤色蛍光体層１２６ｃ及び白色蛍光体層１２６ｆの大きさが透明層１２６ｅに比べて大きくてもよい。
また、カラーフィルター１２７の赤色光部１２７ｃは第１サブピクセル（ＳＰ１）に配置され、透明部１２７ｅは第２〜第４サブピクセル（ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４）に配置される。このとき、第１サブピクセル（ＳＰ１）に配置される赤色光部１２７ｃと第４サブピクセル（ＳＰ４）に配置される透明部１２７ｅは、第２及び第３サブピクセル（ＳＰ２，ＳＰ３）に配置される透明部１２７ｅに比べて大きくてもよい。
前記の通り、第１及び第４サブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ４）の大きさが第２及び第３サブピクセル（ＳＰ２，ＳＰ３）の大きさよりも大きいのは、第１及び第４サブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ４）に赤色蛍光体層１２６ｃ及び白色蛍光体層１２６ｆが配置されるためである。
第２及び第３サブピクセル（ＳＰ２，ＳＰ３）は、それぞれ配置された緑色発光ダイオード１１２ｂと青色発光ダイオード１１２ａから放出された緑色光及び青色光をそのまま外部に排出する。しかし、第１及び第４サブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ４）は配置された青色発光ダイオード１１２ａから放出された青色光が赤色蛍光体層１２６ｃ及び白色蛍光体層１２６ｆで波長変換される。それにより、赤色蛍光体層１２６ｃ及び白色蛍光体層１２６ｆを通じて放出される光量が減少し得る。
そのため、本実施例のように、赤色蛍光体層１２６ｃ及び白色蛍光体層１２６ｆが配置された第１及び第４サブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ４）の大きさを第２及び第３サブピクセル（ＳＰ２，ＳＰ３）よりも相対的に大きくして、各サブピクセルから放出される光量は同じにすることができる。
このとき、各サブピクセルから放出される光量が同じになるように第１〜第４サブピクセル（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４）の大きさは変更することができる。
上で説明した通り、本発明に対する具体的な説明は、添付の図面を参照した実施例によって行われたが、上述の実施例は本発明の好ましい例を挙げて説明しただけであるため、本発明が前記実施例だけに限定されるものと理解してはならず、本発明の権利範囲は後述する請求の範囲及びその等価概念によって理解すべきである。
１００：ディスプレイ装置
１１０：発光ダイオード部
１１１：発光部
１１２ａ：青色発光ダイオード
１１２ｂ：緑色発光ダイオード
１１２ｄ：紫外線発光ダイオード
２３：ｎ型半導体層
２５：活性層
２７：ｐ型半導体層
１１６：透明電極
１１８：遮断部
１２２：第１連結電極
１２３：光変換部
１２６：蛍光体層
１２６ａ：青色蛍光体層
１２６ｃ：赤色蛍光体層
１２６ｄ：遮断層
１２６ｅ：透明層
１２６ｆ：白色蛍光体層
１２７：カラーフィルター
１２７ｃ：赤色光部
１２７ｄ：光遮断部
１２７ｅ：透明部
１２８：保護基板
１３０：ＴＦＴパネル部
１３２：パネル基板
１３４：第２連結電極
１５０：異方性導電フィルム
１５２：電極連結部
ＳＰ１〜ＳＰ４：第１〜第４サブピクセル

Claims (15)

  1. 規則的に配列された複数の発光ダイオードを含む発光部；
    前記複数の発光ダイオードを駆動させる複数のＴＦＴを含むＴＦＴパネル部；及び
    前記発光部から放出された光を変換すると共に、赤色蛍光体層、透明層及び遮断層を含む光変換部を含み、
    前記発光部及びＴＦＴパネル部は一面が対向するように相互結合され、前記各発光ダイオードと各ＴＦＴが電気的に連結され、
    前記赤色蛍光体層及び前記透明層は、前記発光部と当該発光部の上に配置された保護基板との間に配置され、
    前記複数の発光ダイオードは一つ以上の第１発光ダイオード及び一つ以上の第２発光ダイオードを含み、
    前記一つ以上の第１発光ダイオードから放出された光が前記光変換部で波長変換されて前記光変換部を通じて赤色光が放出され、
    前記一つ以上の第２発光ダイオードは前記透明層を通して緑色光を外部に放出し、
    前記赤色蛍光体層の上に赤色光部が設けられ、
    前記赤色光部の面積は、前記赤色蛍光体層の面積よりも大きく、
    前記遮断層は、前記赤色蛍光体層と前記透明層との間に設けられ、
    前記赤色蛍光体層、前記透明層及び前記遮断層のそれぞれにおける前記ＴＦＴパネル部と向かい合う面は、同一平面を構成する、ディスプレイ装置。
  2. 前記一つ以上の第１発光ダイオードは、青色光を放出する青色発光ダイオード又は紫外線を放出する紫外線発光ダイオードである、請求項１に記載のディスプレイ装置。
  3. 前記一つ以上の第１発光ダイオードは第１サブピクセルに配置され、
    前記一つ以上の第２発光ダイオードは第２サブピクセルに配置され、
    前記第１サブピクセルの面積は前記第２サブピクセルの面積よりも相対的に大きい、請求項２に記載のディスプレイ装置。
  4. 前記複数の発光ダイオードは第３サブピクセルに配置された一つ以上の第３発光ダイオードをさらに含み、
    前記第１サブピクセルの面積は前記第３サブピクセルの面積よりも相対的に大きく、
    前記第１サブピクセルは前記第２及び第３サブピクセルが一列に配置された側面に配置された、請求項３に記載のディスプレイ装置。
  5. 前記複数の発光ダイオードは一つ以上の第３発光ダイオードをさらに含み、
    前記一つ以上の第２発光ダイオードは緑色光を外部に放出する緑色発光ダイオードであり、
    前記一つ以上の第３発光ダイオードは青色光を外部に放出する青色発光ダイオードである、請求項２に記載のディスプレイ装置。
  6. 前記複数の発光ダイオードは一つ以上の第３発光ダイオードをさらに含み、
    前記一つ以上の第３発光ダイオードは紫外線を放出する紫外線発光ダイオードであり、
    前記光変換部は、前記紫外線発光ダイオードから放出された紫外線を波長変換して青色光を外部に放出する青色蛍光体層をさらに含む、請求項２に記載のディスプレイ装置。
  7. 前記複数の発光ダイオードは一つ以上の第４発光ダイオードをさらに含み、
    前記一つ以上の第４発光ダイオードは青色光を放出する青色発光ダイオードであり、
    前記光変換部は前記第４発光ダイオードから放出された光を波長変換して白色光を外部に放出する白色蛍光体層をさらに含む、請求項５に記載のディスプレイ装置。
  8. 前記一つ以上の第１〜第４発光ダイオードは、第１〜第４サブピクセルにそれぞれ配置され、
    前記第１及び第４サブピクセルの面積は前記第２及び第３サブピクセルの面積よりも相対的に大きい、請求項７に記載のディスプレイ装置。
  9. 前記第１及び第２サブピクセルは一つの行に配置され、
    前記第３及び第４サブピクセルは別の一つの行に配置され、
    前記第１及び第４サブピクセルは一つの列に配置された、請求項８に記載のディスプレイ装置。
  10. 前記赤色光部は、前記光変換部に含まれ、前記放出される赤色光から赤色光を除いた残りの波長の光を遮断する、請求項１に記載のディスプレイ装置。
  11. 前記発光部は、
    前記複数の発光ダイオードの上部に配置され、前記複数の発光ダイオードと電気的に連結された透明電極；
    前記複数の発光ダイオードの下部に配置され、前記複数の発光ダイオードと電気的に連結された連結電極；及び
    前記複数の発光ダイオードの間に配置され、前記透明電極と電気的に連結された遮断部を含む、請求項１に記載のディスプレイ装置。
  12. 前記複数の発光ダイオードは、それぞれ、
    ｎ型半導体層；
    ｐ型半導体層；及び
    前記ｎ型半導体層とｐ型半導体層間に介在する活性層を含む、請求項１１に記載のディスプレイ装置。
  13. 前記保護基板は、前記赤色蛍光体層の上部に配置される、請求項１に記載のディスプレイ装置。
  14. 前記透明層は、前記第２発光ダイオードから放出された光をそのまま放出する、請求項１に記載のディスプレイ装置。
  15. 前記赤色光部は、前記赤色蛍光体層と前記保護基板との間に配置され、前記赤色蛍光体層から放出された光の一部の波長の光を遮断する、請求項１３に記載のディスプレイ装置。
JP2019513799A 2016-09-12 2017-08-29 ディスプレイ装置 Active JP6921186B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021122568A JP7209051B2 (ja) 2016-09-12 2021-07-27 ディスプレイ装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662393515P 2016-09-12 2016-09-12
US62/393,515 2016-09-12
PCT/KR2017/009405 WO2018048131A1 (ko) 2016-09-12 2017-08-29 디스플레이 장치

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021122568A Division JP7209051B2 (ja) 2016-09-12 2021-07-27 ディスプレイ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019529989A JP2019529989A (ja) 2019-10-17
JP6921186B2 true JP6921186B2 (ja) 2021-08-18

Family

ID=61559849

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019513799A Active JP6921186B2 (ja) 2016-09-12 2017-08-29 ディスプレイ装置
JP2021122568A Active JP7209051B2 (ja) 2016-09-12 2021-07-27 ディスプレイ装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021122568A Active JP7209051B2 (ja) 2016-09-12 2021-07-27 ディスプレイ装置

Country Status (5)

Country Link
US (4) US10606121B2 (ja)
EP (1) EP3511985A4 (ja)
JP (2) JP6921186B2 (ja)
CN (2) CN109923673B (ja)
WO (1) WO2018048131A1 (ja)

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017146477A1 (ko) 2016-02-26 2017-08-31 서울반도체주식회사 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
KR20180090002A (ko) * 2017-02-02 2018-08-10 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
US10353243B2 (en) * 2017-08-01 2019-07-16 Innolux Corporation Display device
TWI707491B (zh) * 2019-12-04 2020-10-11 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板
US11355548B2 (en) 2017-12-20 2022-06-07 Lumileds Llc Monolithic segmented LED array architecture
US11961875B2 (en) 2017-12-20 2024-04-16 Lumileds Llc Monolithic segmented LED array architecture with islanded epitaxial growth
US11749790B2 (en) * 2017-12-20 2023-09-05 Lumileds Llc Segmented LED with embedded transistors
US11296262B2 (en) 2017-12-21 2022-04-05 Lumileds Llc Monolithic segmented LED array architecture with reduced area phosphor emission surface
US10957820B2 (en) 2017-12-21 2021-03-23 Lumileds Llc Monolithic, segmented light emitting diode array
US10879431B2 (en) 2017-12-22 2020-12-29 Lumileds Llc Wavelength converting layer patterning for LED arrays
US10586829B2 (en) * 2018-01-23 2020-03-10 Light Share, LLC Full-color monolithic micro-LED pixels
KR102559514B1 (ko) * 2018-04-13 2023-07-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2019220267A1 (ja) 2018-05-17 2019-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
DE112019002234B4 (de) 2018-05-31 2024-09-12 Japan Display Inc. Anzeigevorrichtung
KR102600928B1 (ko) * 2018-07-05 2023-11-14 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN112086548A (zh) * 2018-07-16 2020-12-15 厦门三安光电有限公司 微发光装置及其显示器
KR102607698B1 (ko) * 2018-08-06 2023-11-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110875345A (zh) * 2018-08-31 2020-03-10 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 Led显示器件及其制造方法、led显示面板
JP2020043140A (ja) * 2018-09-06 2020-03-19 株式会社ブイ・テクノロジー Ｌｅｄ表示パネルの製造方法及びｌｅｄ表示パネル
CN110890453B (zh) * 2018-09-07 2021-08-27 群创光电股份有限公司 显示装置
US10923628B2 (en) 2018-09-27 2021-02-16 Lumileds Llc Micrometer scale light emitting diode displays on patterned templates and substrates
US10811460B2 (en) 2018-09-27 2020-10-20 Lumileds Holding B.V. Micrometer scale light emitting diode displays on patterned templates and substrates
US11271033B2 (en) 2018-09-27 2022-03-08 Lumileds Llc Micro light emitting devices
US10964845B2 (en) 2018-09-27 2021-03-30 Lumileds Llc Micro light emitting devices
JP7159014B2 (ja) * 2018-11-15 2022-10-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US20200227484A1 (en) * 2019-01-13 2020-07-16 Innolux Corporation Lighting device
JP6989786B2 (ja) 2019-01-30 2022-01-12 日亜化学工業株式会社 波長変換部品及びこれを用いた発光装置
JP7313925B2 (ja) * 2019-06-25 2023-07-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US20200411491A1 (en) * 2019-06-27 2020-12-31 Intel Corporation Micro light-emitting diode displays having microgrooves or wells
CN112242411B (zh) * 2019-07-16 2024-09-03 群创光电股份有限公司 显示装置
US11923398B2 (en) 2019-12-23 2024-03-05 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays
US11404473B2 (en) 2019-12-23 2022-08-02 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays
JP2021125616A (ja) * 2020-02-07 2021-08-30 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置
US11848402B2 (en) 2020-03-11 2023-12-19 Lumileds Llc Light emitting diode devices with multilayer composite film including current spreading layer
US11569415B2 (en) 2020-03-11 2023-01-31 Lumileds Llc Light emitting diode devices with defined hard mask opening
US11735695B2 (en) 2020-03-11 2023-08-22 Lumileds Llc Light emitting diode devices with current spreading layer
US11942507B2 (en) 2020-03-11 2024-03-26 Lumileds Llc Light emitting diode devices
CN113707039A (zh) * 2020-05-22 2021-11-26 北京芯海视界三维科技有限公司 发光模组、显示模组、显示屏及显示器
CN112133734B (zh) * 2020-09-29 2022-08-30 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板及显示装置
US11901491B2 (en) 2020-10-29 2024-02-13 Lumileds Llc Light emitting diode devices
US11626538B2 (en) 2020-10-29 2023-04-11 Lumileds Llc Light emitting diode device with tunable emission
US12040432B2 (en) 2020-10-30 2024-07-16 Lumileds Llc Light emitting diode devices with patterned TCO layer including different thicknesses
US11631786B2 (en) 2020-11-12 2023-04-18 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays with etch stop layer
CN112578596A (zh) * 2020-11-27 2021-03-30 北海惠科光电技术有限公司 彩膜基板、显示面板以及显示装置
US11705534B2 (en) 2020-12-01 2023-07-18 Lumileds Llc Methods of making flip chip micro light emitting diodes
US11955583B2 (en) 2020-12-01 2024-04-09 Lumileds Llc Flip chip micro light emitting diodes
US11600656B2 (en) 2020-12-14 2023-03-07 Lumileds Llc Light emitting diode device
CN114664994A (zh) * 2020-12-22 2022-06-24 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管结构
US11631715B2 (en) * 2021-03-11 2023-04-18 Lumileds Llc Monolithic multi-color matrix emitter with patterned phosphor layer
CN113178513B (zh) * 2021-04-29 2023-01-03 上海天马微电子有限公司 一种发光器件、显示面板和显示装置
KR20220149853A (ko) * 2021-04-30 2022-11-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치와 그의 제조 방법
US11935987B2 (en) 2021-11-03 2024-03-19 Lumileds Llc Light emitting diode arrays with a light-emitting pixel area
CN114141934B (zh) * 2021-11-22 2023-12-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
JP7233128B1 (ja) * 2021-12-21 2023-03-06 ナイトライド・セミコンダクター株式会社 マイクロｌｅｄディスプレイ及びその製造方法
CN114695427A (zh) * 2022-04-24 2022-07-01 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5926239A (en) * 1996-08-16 1999-07-20 Si Diamond Technology, Inc. Backlights for color liquid crystal displays
JP3378465B2 (ja) 1997-05-16 2003-02-17 株式会社東芝 発光装置
US6366018B1 (en) 1998-10-21 2002-04-02 Sarnoff Corporation Apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
US6404125B1 (en) * 1998-10-21 2002-06-11 Sarnoff Corporation Method and apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
US6737801B2 (en) * 2000-06-28 2004-05-18 The Fox Group, Inc. Integrated color LED chip
JP2002141492A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Canon Inc 発光ダイオードディスプレイパネル及びその製造方法
JP2002217454A (ja) * 2001-01-19 2002-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄアレー及びこれを用いたｌｅｄ表示装置
JP3659407B2 (ja) 2001-08-03 2005-06-15 ソニー株式会社 発光装置
WO2003058726A1 (fr) * 2001-12-28 2003-07-17 Sanken Electric Co., Ltd. Dispositif electroluminescent a semi-conducteur, ecran electroluminescent, procede de fabrication du dispositif electroluminescent a semi-conducteur et procede de fabrication de l'ecran electroluminescent
JP3921480B2 (ja) * 2004-10-22 2007-05-30 シャープ株式会社 表示素子
KR101198374B1 (ko) 2006-02-23 2012-11-07 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 기판 및 그 제조 방법과 그를 이용한 액정표시 장치
US8791881B2 (en) 2008-04-28 2014-07-29 Panasonic Corporation Display device and manufacturing method therefor
US8642363B2 (en) 2009-12-09 2014-02-04 Nano And Advanced Materials Institute Limited Monolithic full-color LED micro-display on an active matrix panel manufactured using flip-chip technology
US8426227B1 (en) 2011-11-18 2013-04-23 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro light emitting diode array
KR101476207B1 (ko) * 2012-06-08 2014-12-24 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
US8994056B2 (en) 2012-07-13 2015-03-31 Intematix Corporation LED-based large area display
KR101452768B1 (ko) 2012-08-21 2014-10-21 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
US9111464B2 (en) 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
KR101513641B1 (ko) * 2013-08-20 2015-04-22 엘지전자 주식회사 표시장치
US9831387B2 (en) 2014-06-14 2017-11-28 Hiphoton Co., Ltd. Light engine array
GB201413578D0 (en) 2014-07-31 2014-09-17 Infiniled Ltd A colour iled display on silicon
JP2016057488A (ja) * 2014-09-10 2016-04-21 株式会社ジャパンディスプレイ 自発光型表示装置
GB201420452D0 (en) 2014-11-18 2014-12-31 Mled Ltd Integrated colour led micro-display
KR101686715B1 (ko) 2014-12-24 2016-12-14 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치
US20160225343A1 (en) * 2015-02-04 2016-08-04 Sony Corporation Switchable privacy mode display
TWI665800B (zh) 2015-06-16 2019-07-11 友達光電股份有限公司 發光二極體顯示器及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018048131A1 (ko) 2018-03-15
CN109923673A (zh) 2019-06-21
JP7209051B2 (ja) 2023-01-19
EP3511985A1 (en) 2019-07-17
US20180074372A1 (en) 2018-03-15
US12066713B2 (en) 2024-08-20
CN113130529A (zh) 2021-07-16
US20240053632A1 (en) 2024-02-15
US20200348563A1 (en) 2020-11-05
US10775667B2 (en) 2020-09-15
EP3511985A4 (en) 2020-05-13
US10606121B2 (en) 2020-03-31
JP2019529989A (ja) 2019-10-17
US20200218116A1 (en) 2020-07-09
US11796857B2 (en) 2023-10-24
CN109923673B (zh) 2024-03-15
JP2021170139A (ja) 2021-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6921186B2 (ja) ディスプレイ装置
CN109219886B (zh) 显示装置及其制造方法
JP7469287B2 (ja) ディスプレイ装置
US10096647B2 (en) Display apparatus having a plurality of reflective electrodes
US20200365786A1 (en) Display apparatus and manufacturing method thereof
CN108922899B (zh) 像素阵列基板及其驱动方法
WO2009089105A1 (en) Flexible display
KR20140083488A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
WO2020248404A1 (zh) 微型发光二极管及显示面板
KR20230007989A (ko) 디스플레이 장치
US20210167123A1 (en) Micro led display device
KR20240077614A (ko) 표시 패널의 제조 장치
TWI513061B (zh) 發光模組

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190412

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200424

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200519

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20200819

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201019

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210126

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210409

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210629

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210727

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6921186

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250