JP2019520561A - 延伸中空プロファイルの超音波試験用方法 - Google Patents
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Abstract
Description
2 ハウジング
3 カップリング剤
4 トランスデューサルーラ
5 中空プロファイル
5.1 中空プロファイル5のヘッドパート
5.2 中空プロファイル5のサイドパート
5.3 中空プロファイル5のベースパート
5.4 中空プロファイル5のサイドパート
5.5 半径領域
5.6 表面領域
5’ 参照プロファイル
6 ガイドローラ
7 ハンドル
8 アウター半径領域内の外方欠陥
9 インナー半径領域内の外方欠陥
10 超音波信号
11 超音波試験装置
12 半径領域のセンターライン
AからG トランスデューサ
L 縦軸
R 参照面
Claims (10)
- フェーズドアレイ技法におけるトランスデューサルーラ(4)上に配置される複数のトランスデューサ(AからG)を有するプローブ(1)から構成される超音波試験装置(11)を含み、音響伝導材料特に金属から構成される角度付きの中空プロファイル(5)の超音波試験のための方法において、
前記中空プロファイル(5)上の外方及び内方の欠陥を検出するための複数の超音波信号(10)は、前記複数のトランスデューサ(AからG)によって発生されると共に前記中空プロファイル(5)の表面内にカップリングされ、
前記中空プロファイル(5)の表面領域(5.6)内及び半径領域(5.5)内の外方及び内方の欠陥を検出することを目的とし、
前記複数のトランスデューサ(AからG)は、前記表面領域(5.6)内及び前記半径領域(5.5)内の前記外方及び内方の欠陥に適合した複数の侵入角度を有する超音波信号(10)が発生されるように、更に前記中空プロファイル(5)の実際の超音波試験に先立ち、超音波試験が参照プロファイル(5’)上で行われるように、前記中空プロファイル(5)の前記表面領域(5.6)に対するそれらの位置及びその半径領域(5.5)に対するそれらの位置に依存して制御され、
活性化されるべき前記関連付けられた複数のトランスデューサ(AからG)又は複数のトランスデューサ(AからG)のグループの関連した複数の侵入角度は、前記参照プロファイル(5’)の前記半径領域(5.5)内で外方的及び内方的に配置されている前記半径領域(5.5)上の複数の参照欠陥の検出によって決定され、更に前記決定された複数の侵入角度は前記中空プロファイル(5)を試験するための前記参照プロファイル(5’)の前記表面領域(5.6)又はその前記半径領域(5.5)に対する前記トランスデューサ(AからG)の各々の位置に依存して採用されることを特徴とする
方法。 - 各々の場合において活性化されるべき前記複数のトランスデューサ(AからG)の前記位置は、前記中空プロファイル(5)の縦軸(L)に平行に、更に前記トランスデューサルーラ(4)及び試験されるべき半径領域(5)のアウター表面の起点に対して直角に、延在している参照面(R)に関連していることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記中空プロファイル(5)の縦軸(L)に関連して縦方向に方向づけられる、外方及び内方の欠陥が検出されることを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
- 前記中空プロファイル(5)の縦軸(L)に関連して横方向に又は斜めに方向づけられる、外方及び内方の欠陥が検出されることを特徴とする請求項1から3の何れか一つに記載の方法。
- 前記中空プロファイル(5)の全体の表面は、前記中空プロファイル(5)の縦軸(L)へ移動できる超音波試験装置(11)によって1試験サイクルで試験されることを特徴とする請求項1から4の何れか一つに記載の方法。
- カップリング剤(3)で充填され且つその中に配置されたプローブ(1)の回りで回転自在であるように装着されるハウジング(2)を含み、前記プローブ(1)は前記ハウジング(2)の前記内壁から離隔しており、前記ハウジング(2)は、前記中空プロファイル(5)の前記表面に対して前記複数のトランスデューサ(AからG)の固定位置において前記表面を越えて前記中空プロファイル(5)の縦軸の方向へ前記中空プロファイル(2)の横方向の表面上で転動する回転自在に装着された横方向ガイド(6)によって移動され、そして前記ハウジング(2)はカップリング剤(3)を用いて前記表面を湿潤させることによって前記中空プロファイル(5)にカップリングされることを特徴とする請求項1から5の何れか一つに記載の方法。
- 前記超音波試験は、手により,準自動化されたやり方で又は完全に自動化されたやり方で行われることを特徴とする請求項1から6の何れか一つに記載の方法。
- 透孔、又はフラットベースブラインドボア、又は溝が、それに対して垂直に又はある角度において前記中空プロファイル(5)の半径領域(5.5)内へ参照欠陥として導入されていることを特徴とする請求項1から7の何れか一つに記載の方法。
- 前記複数のトランスデューサ(A−G)又は複数のトランスデューサ(A−G)のグループは、前記複数の侵入角度を調整するために、個別に活性化されることを特徴とする請求項1から8の何れか一つに記載の方法。
- 前記トランスデューサルーラ(4)の前記長さは、前記表面領域(5.6)と、前記2個の半径領域(5.5)を含む、試験されるべき前記中空プロファイル(5)の前記表面の全体の幅にカップリング剤(3)によってカップリングされるように、選択されることを特徴とする請求項1から9の何れか一つに記載の方法。
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