JP2019520292A - パターン形成された突起構造層を有するシリコンインゴット成長用のるつぼ - Google Patents
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Abstract
Description
3 容器
5 底壁
7 側壁
9 内部
11 被覆層
13 パターン形成された突起層
15 マトリックス
17 粒子
Claims (14)
- シリコンインゴットを成長するためのるつぼ(1)であって、
底壁(5)、および、内部(9)を取り囲む側壁(7)を有する容器(3)と、
溶融シリコンからのインゴット成長に適合する耐熱材料を含み、前記底壁および前記側壁の内面に塗布された被覆層(11)と、
窒化ケイ素からなるマトリックス(15)を含み、さらに前記マトリックスから局所的に突出し、液体シリコン溶融物と接触したときに湿潤剤を形成するように適合された核形成促進材料の粒子(17)を含み、前記底壁の内面に塗布された、パターン形成された突起層(13)と、を備える、るつぼ。 - 前記パターン形成された突起層(13)は、前記底壁(5)の内面のみに塗布されている、請求項1に記載のるつぼ。
- 前記核形成促進材料の粒子(17)は、ケイ(SiO2)砂の粒子、炭化ケイ素(SiC)の粒子および炭素(C)の粒子のうちの1つである、請求項1または2に記載のるつぼ。
- 核形成促進材料の粒子(17)は、20μm〜2mm、好ましくは100μm〜1mmのサイズを有する、請求項1ないし3のいずれか一項に記載のるつぼ。
- 前記パターン形成された突起層(13)は、0.3mm〜3mm、好ましくは1mm〜2mmの厚さを有する、請求項1ないし4のいずれか一項に記載のるつぼ。
- 前記マトリックス(15)から突起する前記核形成促進材料の前記粒子(17)は、1〜10cm−2、好ましくは7〜10cm−2の面密度を有する前記パターン形成された突起層に含まれている、請求項1ないし5のいずれか一項に記載のるつぼ。
- 前記被覆層(11)は、0.1mm〜1mm、好ましくは0.4mm〜0.5mmの厚さを有する、請求項1ないし6のいずれか一項に記載のるつぼ。
- 前記被覆層に含まれる前記耐熱材料は、窒化ケイ素である、請求項1ないし7のいずれか一項に記載のるつぼ。
- 前記被覆層(11)は、窒化ケイ素粉末を含み、好ましくは、さらに結合剤、分散剤および脱イオン水を含む第1スラリーを使用して塗布されている、請求項1ないし8のいずれか一項に記載のるつぼ。
- 前記パターン形成された突起層(13)は、窒化ケイ素粉末および前記核形成促進材料の粒子を含み、好ましくは、さらに結合剤、分散剤および脱イオン水を含む第2スラリーを使用して塗布されている、請求項1ないし9のいずれか一項に記載のるつぼ。
- シリコンインゴットを成長するためのるつぼ(1)の作製方法であって、
底壁(5)、および、内部(9)を取り囲む側壁(7)を有する容器(3)を準備し、
溶融シリコンからのインゴット成長に適合する耐熱材料を含む被覆層(11)を前記底壁および前記側壁の内面に塗布し、
窒化ケイ素からなるマトリックス(15)を含み、さらに液体シリコン溶融物と接触したときに湿潤剤を形成するように適合された核形成促進材料の粒子(17)を含む、パターン形成された突起層(13)を前記底壁の前記内面に塗布し、
前記パターン形成された突起層(13)がこのような方法で塗布され、前記粒子(17)が前記マトリックス(15)から局所的に突起するように適合される、方法。 - 前記被覆層(11)は、窒化ケイ素粉末を含む第1スラリーを使用して塗布され、前記パターン形成された突起層(13)は、窒化ケイ素粉末および前記核形成促進材料の粒子(17)を含む第2スラリーを使用して塗布される、請求項11に記載の方法。
- 前記第1スラリーは、前記第2スラリーよりも低い粘度を有する、請求項11または12に記載の方法。
- 前記第1スラリーは、前記第2スラリーより低い密度を有する、請求項11ないし13のいずれか一項に記載の方法。
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