JP2019518336A - 半導体レーザダイオード - Google Patents
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Abstract
Description
放出領域を有する半導体ボディと、
当該半導体ボディを放出領域において電気的にコンタクトさせる第1の接続要素と
を備えた半導体レーザダイオードであって、
半導体ボディは放出領域において、第1の接続要素とコンタクトし、
半導体ボディは放出領域に、当該半導体ボディと第1の接続要素との間のコンタクト面を拡大する構造部を、少なくとも局所的に有する
半導体レーザダイオードを開示する。
2 半導体ボディ
21 n型領域
22 p型領域
23 活性領域
24 接続領域
26 構造部
26a 構造体
27 他の構造部
27a 他の構造体
28 コンタクト面
3 第1の接続要素
4 第2の接続要素
41 コンタクト箇所
42 コンタクトワイヤ
5 放出領域
6 隣接領域
7 放射出射面
8 絶縁要素
T1,T2,T3 温度
d 距離
D 直径
Claims (13)
- 放出領域(5)を有する半導体ボディ(2)と、
前記半導体ボディ(2)を前記放出領域(5)において電気的にコンタクトさせる第1の接続要素(3)と、
を備えた半導体レーザダイオードであって、
前記半導体ボディ(2)は前記放出領域(5)において、前記第1の接続要素(3)とコンタクトし、
前記半導体ボディ(2)は前記放出領域(5)に、当該半導体ボディ(2)と前記第1の接続要素(3)との間のコンタクト面(28)を拡大する構造部(26)を、少なくとも局所的に有する、
半導体レーザダイオード。 - 前記構造部(26)は、放射出射面(7)に向かう方向に増加していく密度の複数の構造体(26a)を有し、
前記半導体ボディ(2)は、横方向において前記放出領域(5)の隣に配置された隣接領域(6)を有し、
前記半導体ボディ(2)は前記隣接領域(6)に、他の構造体(27a)を有する他の構造部(27)を少なくとも局所的に有し、当該他の構造部(27)は隣接モードを減衰するように構成されており、
前記構造部(26)の前記構造体(26a)は、前記他の構造部(27)の前記他の構造体(27a)の平均高さ(h)より小さい平均高さ(h)を有する、
請求項1記載の半導体レーザダイオード。 - 前記構造部(26)は、放射出射面(7)に向かう方向に増加していく密度の複数の構造体(26a)を有する、
請求項1または2記載の半導体レーザダイオード。 - 前記構造体(26a)の配置が前記放射出射面(7)に近いほど、隣り合った前記構造体(26a)間の距離(d)が小さい、
請求項3記載の半導体レーザダイオード。 - 少なくとも一部領域において前記構造部(26)を有する、前記半導体ボディ(2)と前記第1の接続要素(3)との間の前記コンタクト面(28)は、いかなる構造部も有しない前記半導体ボディ(2)と前記接続要素(3)との間のコンタクト面の少なくとも1.5倍の大きさである、
請求項1から4までのいずれか1項記載の半導体レーザダイオード。 - 前記接続要素(3)は、前記半導体ボディ(2)を前記放出領域(5)において完全に覆う金属層を有する、
請求項1から5までのいずれか1項記載の半導体レーザダイオード。 - 前記構造部(26)は少なくとも局所的に、円錐台、逆円錐台、角錐台、逆角錐台、円錐、逆円錐、角錐、逆角錐、円形浅皿形、逆円形浅皿形のうち少なくとも1つの構造体(26a)を有する、
請求項1から6までのいずれか1項記載の半導体レーザダイオード。 - 前記構造体(26a)の最大横方向延在長さは少なくとも400nmである、
請求項1から7までのいずれか1項記載の半導体レーザダイオード。 - 前記半導体ボディ(2)は前記放出領域(5)に、前記コンタクト面(28)において前記第1の接続要素(3)に直接接する接続領域(24)を有し、
前記接続領域(24)はいかなる場所においても完全に貫通されていない、
請求項1から8までのいずれか1項記載の半導体レーザダイオード。 - 前記半導体ボディ(2)は、横方向において前記放出領域(5)の隣に配置された隣接領域(6)を有し、
前記半導体ボディ(2)は前記隣接領域(6)に、他の構造体(27a)を有する他の構造部(27)を少なくとも局所的に有し、当該他の構造部(27)は隣接モードを減衰するように構成されている、
請求項1から9までのいずれか1項記載の半導体レーザダイオード。 - 前記隣接領域(6)と前記第1の接続要素(3)との間に電気絶縁性の絶縁要素(8)が配置されており、
前記絶縁要素(8)は、前記半導体ボディを前記隣接領域(6)の前記第1の接続要素(3)側において完全に覆う、
請求項10記載の半導体レーザダイオード。 - 前記構造部(26)の前記構造体(26a)は、前記他の構造部(27)の前記他の構造体(27a)の平均高さ(h)より小さい平均高さ(h)を有する、
請求項10または11記載の半導体レーザダイオード。 - 前記構造体(26a)および/または前記他の構造体(27a)はエッチングによって形成されている、
請求項1から12までのいずれか1項記載の半導体レーザダイオード。
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