JP2019516259A - 裏側集積回路高周波数信号の放射、受信、及び相互接続のための方法及び装置 - Google Patents
裏側集積回路高周波数信号の放射、受信、及び相互接続のための方法及び装置 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (19)
- 装置であって、
表側表面と、前記表側表面と反対の裏側表面とを有する半導体基板、
前記表側表面の上に形成される金属導体、
前記裏側表面においてエッチングされる少なくとも一つのキャビティ開口、及び
前記金属導体の一部において形成され、前記裏側表面における前記キャビティ開口を介して信号を放射するように構成される、放射又は結合構造、
を含む、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、前記放射又は結合構造が、前記表側表面の上にある前記金属導体のレベルにおいて形成される、装置。
- 請求項2に記載の装置であって、前記放射又は結合構造から離間され、且つ、前記放射又は結合構造の上に形成され、前記信号を前記裏側表面における前記開口に向かって反射するように構成される、反射性表面を更に含む、装置。
- 請求項3に記載の装置であって、前記反射性表面が電気的リフレクタである、装置。
- 請求項4に記載の装置であって、前記反射性表面が、180度の位相シフトで前記放射された信号を反射する、装置。
- 請求項4に記載の装置であって、前記反射性表面が、波長の1/100〜1/2の間の前記放射された信号の波長の分数である距離、前記放射又は結合構造から離間される、装置。
- 請求項3に記載の装置であって、前記反射性表面が磁気リフレクタである、装置。
- 請求項7に記載の装置であって、前記反射性表面が、0度の位相シフトで前記放射された信号を反射する、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記放射された信号が、0.1THz〜30THzの周波数を有する、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記キャビティ開口が、傾斜した側壁を有する、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記キャビティ開口が、前記放射された信号のための導波路を形成する、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記キャビティ開口が垂直の側壁を有する、装置。
- 請求項12に記載の装置であって、前記キャビティ開口が導電性材料で被覆される、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記放射又は結合構造がアンテナを形成する、装置。
- 方法であって、
半導体基板の裏側表面上に裏側キャビティ開口を形成することであって、前記半導体基板の表側表面の上の金属導体において形成される放射又は結合構造に近接する前記裏側キャビティ開口を形成すること、及び
前記放射又は結合構造からの及び前記裏側キャビティ開口から出る0.1THz〜約30THzの周波数範囲を有する信号を放射すること、
を含む、方法。 - 請求項15に記載の方法であって、裏側キャビティ開口を形成することが更に、前記半導体基板を所定の厚みまで薄くするために前記半導体基板をバックグラインドすることを含む、方法。
- 請求項15に記載の方法であって、裏側キャビティ開口を形成することが更に、傾斜した側壁を備える開口を形成するためにウェットエッチを実施することを含む、方法。
- 請求項15に記載の方法であって、前記裏側キャビティ開口を形成することが更に、本質的に、KOHウェットエッチ、TMAHエッチ、及びディープ反応性イオンエッチで構成されるグループから選択される一つであるエッチングを実施することを含む、方法。
- システムであって、
第1の半導体基板の表面の上にある金属構造において形成されるTHz周波数信号を放射するためのアンテナと、前記第1の半導体基板の裏側において形成され、前記アンテナに対応する箇所において前記半導体基板内に延在する第1の開口とを有する第1の集積回路、及び
第2の半導体基板の表面の上にある金属構造において形成されるTHz周波数信号を受け取るためのアンテナと、前記第2の半導体基板の前記裏側において形成される第2の開口とを有する第2の集積回路、
を含み、
前記第1及び第2の開口が、互いに面しており、前記第1の集積回路から前記第2の集積回路への前記THz信号の伝送を促進するため、一つの開口から別の開口に整合されている、システム。
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