JP2019514229A - 電子ユニット - Google Patents

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electronic
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recess
electronic component
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パウル ゲバウアー,クリストフ
パウル ゲバウアー,クリストフ
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Vishay Semiconductor GmbH
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Abstract

本発明は、基体に固定された少なくとも一つの第1の電子コンポーネントおよび一つの第2の電子コンポーネントを有する電子ユニットに関する。第1および第2の電子コンポーネントの間にシールドが配置されるとともに、このシールドは、基体によって画定された平面から突出したすなわち基体の表面から延在する隆起部を備え、遮蔽の役割を果たすとともに基体と一体型に形成される。

Description

本発明は、基体に固定された少なくとも一つの第1の電子コンポーネントおよび一つの第2の電子コンポーネントを有する電子ユニットに関する。
基体に電子コンポーネントを配置する際に、それらのコンポーネントのうち少なくとも一つが電磁放射を放出する場合、特に、それらのコンポーネントが互いに空間的に近接するように配置される場合には、問題が発生しうる。この放射はその他のコンポーネントの機能を潜在的に低下させるおそれがある。一方、電磁放射を放出するコンポーネントとそれに対応するレシーバコンポーネントを互いに隣接して配置することは、一部の状況では不可避であり、更には特定の理由により必要とされる。放出される放射がレシーバコンポーネントに直接影響を及ぼす場合には、これは確実に防止する必要がある。このためそれらの2つのコンポーネントの間にシールドが設けられうる。一方、こうした公知の設計のシールドは比較的複雑であり、したがって設計上高価である。
したがって本発明の目的は、第1および第2の電子コンポーネントの間に配置された、できるだけ小型設計で簡単かつ安価に製造することが可能な、シールドを備えた電子ユニットを提供することである。
この目的は、請求項1の特徴を有する電子ユニットによって充足される。
本発明によれば、シールドは、基体によって画定された平面から突出したすなわちその表面から延在した隆起部であり、遮蔽の役割を果たすとともに基体と一体型に形成される。すなわち、シールドは、基体の材料により、非常に大きい部分に形成されるとともに、コンポーネントを支持する基体の部分から延在する。したがって隆起部は放射の遮蔽障壁を意味する。隆起部は例えば2つのコンポーネントの間に延在するある種の壁であり、したがって、2つの部品のうちの一つによって放射された放射が第2の電子コンポーネント、例えば対応するセンサコンポーネントに直接影響を及ぼさないように、その放射を遮蔽する。構造の一体型の形態により、ユニットの製造コストを低減する。すなわちその後の隆起部の接着または成形が省略される。
本発明のユニットは好ましくはコンポーネント、特にSMD(表面実装部品)コンポーネントを形成し、このコンポーネントは、次いで、例えば回路内のより大きな電子ユニットに取り付けられる。
本発明の更なる実施例が明細書、従属項、および添付の図面に記載される。
有利な実施例によれば、隆起部は、基体、特に回路基板からの除去製造工程(stripping production process)によって製造される。例えば、基体の材料が、例えばエッチング、フライス削り、および/またはレーザーアブレーションにより、隆起部の周囲のブランクから除去される。
一方、隆起部を有する基体を射出成形のエンジニアリング加工によって製造することも可能である。すなわち、基体は所謂、成形回路部品(MID)である。したがって隆起部および−必要に応じて−基体の更なる構造体が基体の射出成形時に成形される。これにより基体の空間構造の製造に必要な方法ステップを低減する。
この基体は3Dプリンティングによっても製造されうる。基体をラミネートフィルムから形成し、隆起部の領域に、その隣接領域に比べてより多くのフィルムを設けることも考えられる。
第1の電子コンポーネントを基体の第1の凹部に配置し、かつ/または第2の電子コンポーネントを基体の第2の凹部に配置することが提供される。それにより、同じ高さによる遮蔽効果が改善される。換言すれば、2つのコンポーネントのうちの一つ、またはそれらの両方のコンポーネントの対応する凹部への配置、特に別々の凹部への配置により、改良されたシールディングがもたらされ、かつ電子ユニットの構造高さの低減がもたらされる。
第1の電子コンポーネントおよび/または第2の電子コンポーネントは導電性接触素子、特にワイヤにより、第3の凹部の基部に配置された接点に導電的に接続される。接触素子の、接点との連結点は「埋没」するため、この手段により電子ユニットの構造高さが低下する。この点に関し、任意のコンポーネントが独立した第3の凹部内に配置された接点に接続されうる。
電子コンポーネントは、接触素子に連結されるとともにその電子コンポーネントにおける第1の凹部の基部から離間する側に配置された、接触部を有する。電子コンポーネントは特に半導体コンポーネントである。
隆起部は、特に基体によって画定された平面から接触素子よりもさらに突出する。例えば隆起部の上縁はユニットの構造高さを画定する。
遮蔽効果を向上させるように、隆起部は、少なくともその部分に関して特に電磁放射を遮蔽する材料で被覆されうる。それにより、隆起部が本質的に遮蔽される放射を透過しないことが達成される。遮蔽は、例えば使用されるコーティング材料の、放射を反射および/または吸収する効果に基づいている。導電性材料はこうした遮蔽効果を有するが、例えば反射性ケイ酸塩(reflective silicates)または吸収性有機化合物などの非金属材料も遮蔽効果を有する。
第1の凹部、第2の凹部、および/または、存在する場合には第3の凹部(複数可)が−付加的にまたは代替的に−少なくともその部分に関して導電性材料で被覆される。凹部のコーティングは−必要に応じて−隆起部のコーティング部分と接触してもよい。
本発明はさらに、特に上記の実施例のうちの一つに従って設計された電子ユニットの製造方法に関する。この方法は、
− 基体を用意するステップと、
− 基体によって画定された平面から突出した、すなわちその表面から延在するとともにシールドとしての役割を果たす隆起部を製造するように、特にフライス削り、エッチング、および/またはレーザーアブレーションにより、基体の材料を局所的に除去するステップと、
− 第1の電子コンポーネントと、第2の電子コンポーネントとを、それら2つの電子コンポーネントの間に隆起部が配置されるように、基体に取り付けるステップと、
を備える。
特に上記の実施例のうちの一つに従って実行される電子ユニットの代替的な製造方法は、
− 基体によって画定された平面から突出した、すなわちその表面から延在するとともにシールドとしての役割を果たす隆起部を製造するように、プラスチックベースの基体を射出成形法によって形成するステップと、
− 第1の電子コンポーネントと、第2の電子コンポーネントとを、それら2つの電子コンポーネントの間に隆起部が配置されるように、基体に取り付けるステップと、
を備える。
特に上記の実施例のうちの一つに従って実行される電子ユニットの更なる製造方法は、
− 基体によって画定された平面から突出した、すなわちその表面から延在するとともにシールドとしての役割を果たす隆起部を製造するように、プラスチックベースの基体を3Dプリンティング処理によって形成するステップと、
− 第1の電子コンポーネントと、第2の電子コンポーネントとを、それら2つの電子コンポーネントの間に隆起部が配置されるように、基体に取り付けるステップと、
を備える。
したがって3Dプリンティングは一体型の基体を製造する「構築的な」方法である。
特に上記の実施例のうちの一つに従って実行される電子ユニットを製造するためのさらにもう一つの「構築的な」方法は、
− 基体によって画定された平面から突出した、すなわちその表面から延在するとともにシールドとしての役割を果たす隆起部を製造するように、プラスチックベースの基体を、複数のフィルムまたは層、特に、結合剤とりわけ樹脂によって結合された織物マットによって形成するステップと、
− 第1の電子コンポーネントと、第2の電子コンポーネントとを、それら2つの電子コンポーネントの間に隆起部が配置されるように、基体に取り付けるステップと、
を備える。
フィルムが互いに配置された状態で基体の所望の三次元構造を形成するように、それらのフィルムを結合する前に一定の大きさにするように切断してもよい。その基体は、特に隆起部の領域に、特に隣接領域に比べてより多くのフィルムまたは層を有する。
上記の方法は、例えば、従来の回路基板の製造において周知のように複数のフィルムまたは層を積層することを備える。
各用途に最適化された基体を得、またはその製造コストを低減するように、上記の方法の混合形態も同様に考えられる。
一方、隆起部が基体の一体構造であるユニットが得られることは、全ての方法において共通である。隆起部は、特に基体の残余の部分と同じ材料で構成される。したがって隆起部はこれに続いて本質的に完成体である基体には固定されない。
隆起部は、特に電磁放射を遮蔽する材料によって少なくとも部分的に被覆されうる。
単なる例示を目的として有利な実施例を参照し、かつ添付の図面を参照しながら、本発明を以下に説明する。
電子ユニットの第1の実施例の断面図である。 電子ユニットの第2の実施例の断面図である。 本発明のユニットの実施例の斜視図である。 凹部を有する基体の異なる断面図である。 凹部を有する基体の異なる断面図である。 電子ユニットの更なる実施例を示す図である。 電子ユニットの更なる実施例を示す図である。 電子ユニットの更なる実施例を示す図である。 電子ユニットの更なる実施例を示す図である。 電子ユニットの更なる実施例を示す図である。 第1または第2の凹部の異なる実施例を示す2つの断面図である。 第1または第2の凹部を形成するための製造方法の実施例を示す図である。 第1または第2の凹部を形成するための製造方法の実施例を示す図である。 第1または第2の凹部を形成するための製造方法の実施例を示す図である。 電子ユニットの更にもう一つの実施例の平面図である。 電子ユニットの更にもう一つの実施例の断面図である。
図1は、基体12−特に回路基板−と、電子コンポーネント14と、を備えた電子ユニット10を示す。一方、電子コンポーネント14は、基体12の表面13に配置されるのではなく、寧ろ凹部16内に、その電子コンポーネント14の上縁部が図1の上部側を超えて、すなわち基体12の表面13を超えて僅かに突出するように配置される。凹部16はまた、少なくともコンポーネント14を完全に収容する程度に深くても良い。
凹部16は、基体12を貫通するとともに、コーティング処理時にその片側が再び閉じられる通路開口部20を備える。すなわち、コーティング材料によって形成される基部22が本質的に周知のようにコーティング処理によって形成される。凹部16の側壁および表面13における隣接領域もまた、その処理により−または個々のステップで−コーティングされる。コーティング材料、コーティング厚さ、および/またはコーティング部分の選択は、なされた各要求に適応されうる。
コンポーネント14は基部22に従来のように固定される。この点においてコンポーネント14の接触が提供される。一方、コンポーネント14が電気接点を確立することなく基部22に固定される、特に接着接合されることも考えられる。
コンポーネント14は好ましくは半導体コンポーネントである。コンポーネント14を電気端子に接続できるように、コンポーネント14の上部に設けられた接触面に、導電性を有するように締結されたワイヤ26が設けられる。ワイヤ26と接点との間の接続は、例えばウェッジボンディングによって確立される。
ワイヤ26は第2の凹部18の基部24との導電性接続28を確立する。基部24は導電性であり、凹部16の基部22と同様に/同一に形成されている。ワイヤ26と基部24との間の接続28は、「ボールボンディング」によって行われる。したがって基部24はワイヤ26の接点である。次いでその接点は導体トラックまたはその他の手段を介して更なるターミナルに接続されて、ユニット10を例えば回路に統合させる。
コンポーネント14と基部24との間の接続の確立は、便宜上、以下のように行われる。
まずワイヤ26の端部が溶融されて、対応する接触面/接点(ここでは基部24)に押圧される溶融ボールが形成される。次いでワイヤ26が第2の接点(ここではコンポーネント14の上側の接触面)に導かれ、そこで超音波、熱、および/または圧力を用いて接触される。したがってこの例示として記載された方法は、「リバースボールボンディング/ウェッジボンディング処理」である。その他の接触方法を同様に用いてもよい。「ボール」は、上記の手順の前に、例えば、コンポーネント14の上部の接点に形成してもよい。そしてワイヤ26が切断され、次いで「リバースボールボンディング/ウェッジボンディング処理」が行われるが、ワイヤ26はコンポーネント14の接点に直接固定されるのではなく、寧ろその接点に配置されたボールに固定される(逆の「ボール上のボールスティッチ」(reverse “ball stitch on ball”)−reverse BSOB)。
溶融ボールを形成するように多量の熱をワイヤ26に導入する必要があるため、連結部28に隣接するワイヤ26の部分30は、一時的に高い熱負荷にかけられる。したがって部分30は、低熱負荷にかけられるワイヤ26の領域に比べて機械的により一層損傷を受けやすい。凹部18内の連結部28の「埋没」により、接合処理時に熱負荷を受けた領域30が機械的に変形される必要が無いことを可能にする。すなわち、全配置の構造高さに悪影響を及ぼすことなくその領域を上に「引く」ことができる。
この配置を固定し、かつそのコンポーネントを保護するように、適切な材料(キャスティング化合物31)でキャスティングされる。
図2は電子ユニットの代替的な実施例10’を示す。ここには通路開口部はないが、凹部16,18の基部22,24は、基体12自体に−例えば、ここでは回路基板に形成される。したがって凹部16,18は基体12の材料の陥凹部である。それらは基体12を貫通していない。通路開口部から形成された凹部と、電子ユニットの陥凹部として形成された凹部とを組み合わせることも同様に可能である(例えば、図11参照)。凹部16,18が完全にまたは部分的にコーティングされうることが理解できる。一例として凹部18が、図1に示す実施例10に類似の構成でワイヤ26に接続された、部分的にコーティングされた部分(接点32)を有することが示される。
電子ユニット10’およびそのコンポーネントを保護するように、キャスティング化合物(図示せず)を用いて同様にキャスティングされる。
用語「基体」は、本発明の開示の枠内において広義に解釈されるものである。それに対応してリードフレームを構成することも概ね可能である。リードフレームはまた、互いにプラスチックで連結された複数の独立した支持体部分を有してもよい。一方、基体12は好ましくは回路基板である。
ユニット10,10’の凹部16,18は、各基部22,24と、その全ての側部において隣接する側壁21を備え、従って、基部を全ての側部において包囲する。凹部16,18の一つ以上の側部を(部分的に)開放したままにすることも概ね考えられる。しかしながら、連結部28または接点32と、コンポーネント14と、の間に基体部分12’を設けることが好ましい。すなわち、対応する凹部16,18は、好ましくはそれぞれもう一つの凹部18または16と対向する少なくとも一つの側壁21すなわち側壁部を有することが好ましい。基体部分12’は、凹部16,18に隣接する基体12のその他の領域と実質的に同じ厚さを有してもよい。
図3は、電子ユニット10”の斜視図を示す。電子ユニット10”は、それぞれ凹部16または16’に配置された2つの電子コンポーネント14,14’を備える。それらのコンポーネントは、それぞれ凹部18または18’内の接点すなわち各基部に、ワイヤ26,26’を介して接続される。凹部16,16’,18,18’は、例えば図1の凹部のように設計される。
特にコンポーネント14,14’がそれぞれ電磁放射を放出するトランスミッタコンポーネントおよびそれに対応するレシーバコンポーネントである場合、コンポーネント14,14’の間において、それらのコンポーネント14,14’の隣接した配置に作用する信頼性の高いシールディングを提供することが賢明である。このシールディングは本件では、コンポーネント14,14’の間に延在する壁34によって提供される。この壁は基体12によって画定される平面から立ち上がる隆起部である。換言すれば、壁32は、基体12の表面13から延在する。
壁34は基体12に一体型に結合される、すなわち基体12の一部である。このことは壁が簡単な方法で製造されるという利点を有する。これは例えば材料を除去する製造方法により基体のブランクから成形される。すなわち、壁34の周囲の領域がエッチング、フライス削り、および/またはレーザーアブレーションなどの一つ以上の適切な処理によって除去される。この点に関し、凹部16,18,16’,18’または対応する通路開口部20または基体も同様に、貫通しない陥凹部(例えば、図2,11参照)によって形成されうる。
一方、MID技術を用いることにより基体12を形成することも考えられる。この点に関し、この技術は、成形回路部品(molded interconnected devices)を製造する工程である。したがってこれらの成形回路部品は、適切に適合された金属導体トラックおよび/またはコーティング部分を有する射出成形プラスチック部品である。
さらにもう一つの製造工程は所謂3Dプリンティングである。すなわち、凹部16,18,16’18’および/または壁34を必要に応じて「構築的に」製造するように、基体12が適切な材料を用いて所望の幾何形状に層状に堆積される。理想的な状況では、材料除去の作業ステップは必要ではなくなる。
基体12の同様の「構築的な」製造法の変形体により、異なる幾何形状を有する複数の層の積層体が得られる。例えば、凹部16,18,16’18’が設けられる箇所に開口部を有する−適切な形状の織物マットが互いに重ね合わされ、樹脂によって結合される。また、例えば壁34を形成するように、特定の領域がより肉厚になるように−例えば、その領域により多くの織物マットの層を設けることにより−基体12を構成することも可能である。
上記の工程の混合形態も可能である。例えば、一部の基体が材料除去方法のステップで製造され、そしてその基体が別の部分の基体(基部、一般にそれ自体は積層コンポーネント)に重ね合わされうる。
一体構造の基体12が得られることは全ての製造法の変形体において共通である。
本発明の例では、壁34はその両側にコーティング36を備え−特定用途では片面コーティングでも十分であるが−必要に応じて、別のコーティング部分と連結されうることが理解できる。本実施例では、壁34の左側のコーティング36は凹部16のコーティングと接触している。コーティング36の材料は、好ましくは、壁34が、コンポーネント14および/またはコンポーネント14’によって放出される放射を透過しないまたは少なくとも減衰させるように、選択される。
図4は、壁34が設けられた基体12を、コンポーネント14,14’またはワイヤ26,26’のない斜視図で示す。凹部16が本質的に図1に関連して説明したように構成されていることを示すように、凹部16を部分的に開放して示す。
図5は、壁34の設計が凹部16,16’の間に配置された基体部分12”から延在しているのが認識できるように、図4の基体12を完全な断面で示す。基体12”および壁34は一体型に形成される。壁34はその両側にコーティング36を有し、それぞれ凹部16’(左側)または16(右側)のコーティングと連結している。
こうした放射を遮蔽する壁の概念は、電子コンポーネントと接点とを別々の凹部に配置する概念とは無関係に実装される。
図6〜10は、本発明による電子ユニットの想定される実施例を構成する変形体を一例として示す。
例えばユニット10aは2つの凹部18を備え、各凹部18は、コンポーネント14に連結された2つのワイヤ26のうち一方との接触部の役割を果たす(図6参照)。
対照的に、ユニット10bは2つのコンポーネント14を有しており、それぞれ別々の凹部16に配置されるとともに、それぞれ一つのワイヤ26に接続されている。それらのワイヤ26は、次いで共通の凹部18内に配置された別々の接点32に連結される(図7参照)。
ユニット10cは、2つのコンポーネント14が共通の凹部16内に配置される点においてユニット10bと異なる(図8参照)。
ユニット10dでは、2つのコンポーネント14は−ユニット10cと同様に−確かに共通の凹部16内に配置されている。しがしながら−ユニット10aと同様に−2つの異なる凹部18が設けられている(図9参照)。
ユニット10eは、独立した凹部16に配置されたコンポーネント14を有する(図10参照)。8本のワイヤ26が、コンポーネントに固定され、次いで、8個の独立した凹部18内に配置された別々の接点32に連結される。
上記の複数の実施例の混合形態も容易に実施可能である。例えば、図11からも認識できるように、凹部16,18の数および構成(例えば、幾何形状、コーティングなど)をそれぞれなされた要求に適合させてもよい。ここでは凹部16,18は、異なる深さを有する。
凹部16,18の実施例を製造するための変形体を図12〜14を参照しながら以下に記載する。
図12は片側がコーティングされた基体12を示す。コーティング36’は例えば金属フィルムである。凹部16,18が金属除去処理(metal stripping process)により基体12に組み込まれる。この方法は好ましくはレーザーアブレーション法である。コーティング36’が金属性(例えば、Cu)の場合、除去処理は基体12を完全に貫通したときに自動的に終了する(図13の状態を参照)。使用されるレーザが強すぎる場合、入射するレーザビームが基体に対向するコーティング36’の表面に入射するとすぐにそのレーザビームは反射される。コーティング36’は必要に応じて局所的に除去されてもよい(図13参照)。
コーティング36”が部分的にまたは完全に凹部16,18の内側を覆うように、次いで任意選択的に被覆される(図14参照)。状況によっては−コーティング36”の被覆と同時に、または独立したステップにおいて−コーティング36’が−部分的にまたは完全に−コーティングまたは被覆される。コーティング36’,36”の材料は同じでも異なってもよい。
図15は、片側が開放された、(コーティング36”が)被覆された凹部16”内にコンポーネント14(例えば、LED)が配置されたユニット10fを示す。それによりコンポーネント14は妨害を受けない形で右に電磁放射Sを放出する。コンポーネント14に連結された接合線26が、その周方向が閉鎖された凹部に配置された接点32に連結される(図16を参照)。ユニット10fのコンポーネントおよび特にそれらの電気接点はキャスティング化合物31によって保護される。
10,10’,10”,10a〜10f…電子ユニット
12…基体
12’,12”…基体部分
13…表面
14,14’…電子コンポーネント
16,16’,16”…凹部
18,18’…凹部
20…通路開口部
21…側壁
22,24…基部
26,26’…ワイヤ
28…連結部
30…ワイヤ部
31…キャスティング化合物
32…接点
34…壁
36,36’,36”…コーティング
S…放射

Claims (20)

  1. 基体(12)に固定された少なくとも一つの第1の電子コンポーネント(14)および一つの第2の電子コンポーネント(14’)を有する電子ユニットであって、
    前記第1および第2の電子コンポーネント(14,14’)の間にシールドが配置されるとともに、このシールドが、前記基体によって画定された平面から突出したすなわち前記基体の表面から延在する隆起部(34)を備え、かつ、遮蔽の役割を果たすとともに前記基体(12)と一体型に形成された、電子ユニット。
  2. 前記隆起部(34)が、除去製造工程、特にエッチング、フライス削り、および/またはレーザーアブレーションにより、前記基体(12)から形成されることを特徴とする請求項1に記載の電子ユニット。
  3. 前記基体(12)が、成形回路部品処理によって製造されることを特徴とする請求項1に記載の電子ユニット。
  4. 前記基体(12)が、3Dプリンティングによって製造されることを特徴とする請求項1に記載の電子ユニット。
  5. 前記基体(12)が、複数のラミネートフィルムから形成され、その基体(12)の前記隆起部(34)の領域に、その隣接領域に比べてより多くのフィルムが設けられることを特徴とする請求項1に記載の電子ユニット。
  6. 前記第1の電子コンポーネント(14)が前記基体(12)の第1の凹部(16)に配置され、かつ/または、前記第2の電子コンポーネント(14’)が前記基体(12)の第2の凹部に配置されることを特徴とする請求項1〜5のうちのいずれかに記載の電子ユニット。
  7. 前記第1の電子コンポーネント(14)および/または前記第2の電子コンポーネント(14’)が、導電性接触素子(26,26’)、特にワイヤにより、第3の凹部(18,18’)の基部(24)に配置された接点(32)に導電的に接続されることを特徴とする請求項1〜6のうちいずれかに記載の電子ユニット。
  8. 前記隆起部(34)は、前記基体(12)によって画定された前記平面から、前記接触素子(26,26’)よりもさらに突出することを特徴とする請求項1〜7のうちいずれかに記載の電子ユニット。
  9. 前記隆起部(34)は、特に電磁放射を遮蔽する材料で少なくとも部分的にコーティングされることを特徴とする請求項1〜8のうちいずれかに記載の電子ユニット。
  10. 前記第1の凹部(16)、前記第2の凹部(16’)、および/または、存在する場合には第3の凹部(18,18’)が、少なくとも部分的に導電性材料でコーティングされることを特徴とする請求項1〜9のうちいずれかに記載の電子ユニット。
  11. 前記第1の凹部(16)、前記第2の凹部(16’)、および/または、存在する場合には第3の凹部(18,18’)のコーティングが、前記隆起部(34)のコーティング(36)部分と接触することを特徴とする請求項9または10に記載の電子ユニット。
  12. 前記第1の電子コンポーネント(14)および/または前記第2の電子コンポーネント(14’)が、半導体コンポーネントであることを特徴とする請求項1〜11のうちいずれかに記載の電子ユニット。
  13. 前記第1の電子コンポーネント(14)が電磁放射を放出するコンポーネントであり、前記第2の電子コンポーネント(14’)が電磁放射を検出するコンポーネントであることを特徴とする請求項1〜12のうちいずれかに記載の電子ユニット。
  14. 請求項1〜13のうちの一つに従って設計された電子ユニットの製造方法であって、
    基体(12)を用意するステップと、
    前記基体によって画定された平面から突出した、すなわちその表面から延在するとともにシールドとしての役割を果たす隆起部(34)を製造するように、特にフライス削り、エッチング、および/またはレーザーアブレーションにより、前記基体(12)の材料を局所的に除去するステップと、
    第1の電子コンポーネント(14)と、第2の電子コンポーネント(14’)とを、それら2つの電子コンポーネントの間に前記隆起部(34)が配置されるように、前記基体(12)に取り付けるステップと、
    を備えた、電子ユニットの製造方法。
  15. 請求項1〜13のうちの一つに従って設計された電子ユニットの製造方法であって、
    基体(12)によって画定された平面から突出した、すなわちその表面から延在するとともにシールドとしての役割を果たす隆起部(34)を製造するように、プラスチックベースの基体(12)を射出成形法によって形成するステップと、
    第1の電子コンポーネント(14)と、第2の電子コンポーネント(14’)とを、それら2つの電子コンポーネントの間に前記隆起部(34)が配置されるように、前記基体(12)に取り付けるステップと、
    を備えた、電子ユニットの製造方法。
  16. 請求項1〜13のうちの一つに従って設計された電子ユニットの製造方法であって、
    基体(12)によって画定された平面から突出した、すなわちその表面から延在するとともにシールドとしての役割を果たす隆起部(34)を製造するように、プラスチックベースの基体(12)を3Dプリンティング処理によって形成するステップと、
    第1の電子コンポーネント(14)と、第2の電子コンポーネント(14’)とを、それら2つの電子コンポーネントの間に前記隆起部(34)が配置されるように、前記基体(12)に取り付けるステップと、
    を備えた、電子ユニットの製造方法。
  17. 請求項1〜13のうちの一つに従って設計された電子ユニットの製造方法であって、
    基体(12)によって画定された平面から突出した、すなわちその表面から延在するとともにシールドとしての役割を果たす隆起部(34)を製造するように、プラスチックベースの基体(12)を、複数のフィルム、特に、結合剤とりわけ樹脂によって結合された織物マットによって形成するステップと、
    第1の電子コンポーネント(14)と、第2の電子コンポーネント(14’)とを、それら2つの電子コンポーネントの間に前記隆起部(34)が配置されるように、前記基体(12)に取り付けるステップと、
    を備えた、電子ユニットの製造方法。
  18. 前記フィルムが互いに重ね合わされた状態で前記基体(12)の所望の三次元構造を形成するように、それらのフィルムを結合する前に、該フィルムが、一定の大きさにするように切断されることを特徴とする請求項17に記載の電子ユニットの製造方法。
  19. 前記基体(12)は、前記隆起部(34)の領域に、その隣接領域に比べてより多くのフィルムを有することを特徴とする請求項17または18に記載の電子ユニットの製造方法。
  20. 前記隆起部(34)が、電磁放射を遮蔽する材料で少なくとも部分的にコーティングされることを特徴とする請求項14または19に記載の電子ユニットの製造方法。
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