ES2927239T3 - Unidad electrónica - Google Patents

Unidad electrónica Download PDF

Info

Publication number
ES2927239T3
ES2927239T3 ES17713190T ES17713190T ES2927239T3 ES 2927239 T3 ES2927239 T3 ES 2927239T3 ES 17713190 T ES17713190 T ES 17713190T ES 17713190 T ES17713190 T ES 17713190T ES 2927239 T3 ES2927239 T3 ES 2927239T3
Authority
ES
Spain
Prior art keywords
substrate
elevation
electronic component
electronic
component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
ES17713190T
Other languages
English (en)
Inventor
Christoph Paul Gebauer
Alexander Kamay
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Vishay Semiconductor GmbH
Original Assignee
Vishay Semiconductor GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vishay Semiconductor GmbH filed Critical Vishay Semiconductor GmbH
Application granted granted Critical
Publication of ES2927239T3 publication Critical patent/ES2927239T3/es
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/486—Via connections through the substrate with or without pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/165—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
    • H01L31/173—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers formed in, or on, a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/32257—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H01L2224/48228—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48471—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area being a ball bond, i.e. wedge-to-ball, reverse stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48475—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
    • H01L2224/48476—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area
    • H01L2224/48477—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding)
    • H01L2224/48478—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball
    • H01L2224/48479—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/4851—Morphology of the connecting portion, e.g. grain size distribution
    • H01L2224/48511—Heat affected zone [HAZ]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83399—Material
    • H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/83438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/83447—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/85051—Forming additional members, e.g. for "wedge-on-ball", "ball-on-wedge", "ball-on-ball" connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85186—Translational movements connecting first outside the semiconductor or solid-state body, i.e. off-chip, reverse stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H01L2224/85207—Thermosonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/85447—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85986—Specific sequence of steps, e.g. repetition of manufacturing steps, time sequence
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00012—Relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12043—Photo diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H01L2924/1816—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body
    • H01L2924/18161—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body of a flip chip
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
    • H05K1/0224—Patterned shielding planes, ground planes or power planes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/07—Electric details
    • H05K2201/0707—Shielding
    • H05K2201/0715—Shielding provided by an outer layer of PCB
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09009—Substrate related
    • H05K2201/09045—Locally raised area or protrusion of insulating substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

La presente invención se refiere a una unidad electrónica que comprende al menos un primer componente electrónico y un segundo componente electrónico, que están montados sobre un sustrato. Entre el primer y el segundo componente eléctrico se dispone un blindaje, que comprende una parte elevada que sobresale de un plano definido por el sustrato o se extiende desde la superficie de dicho sustrato y actúa como blindaje, formando la parte elevada formando una sola pieza con el sustrato. . (Traducción automática con Google Translate, sin valor legal)

Description

DESCRIPCIÓN
Unidad electrónica
La presente invención se refiere a una unidad electrónica con al menos un primer componente electrónico y con un segundo componente electrónico, los cuales están fijados sobre un sustrato.
Durante la colocación de componentes electrónicos sobre un sustrato pueden surgir problemas cuando al menos uno de estos componentes emite una radiación electromagnética, en particular cuando los componentes están dispuestos en proximidad espacial entre sí. Esta radiación posiblemente puede influir negativamente en la función del otro componente. En algunos casos, sin embargo, no es posible evitarlo o por determinados motivos es incluso deseable posicionar un componente emisor de radiación electromagnética y un correspondiente componente receptor próximos entre sí. En estos casos ha de evitarse de forma fiable que la radiación emitida incida directamente sobre el componente receptor. Para este fin puede estar previsto un blindaje entre los dos componentes. Este tipo de blindajes con modo de construcción conocido son, sin embargo, comparativamente laboriosos y debido a ello caros en la producción.
El documento US 2005/0012574 A1 divulga una unidad electrónica con las características del preámbulo de la reivindicación 1. El documento US 2013/0075764 A1 divulga una unidad electrónica con dos escotaduras, en las cuales hay dispuestos respectivamente un componente electrónico. Uno de los componentes está unido por su lado superior con un alambre, el cual está en contacto con una entalladura en la correspondiente escotadura.
Las publicaciones JP H05 13068 U, JP 2010 114114 A y WO 2006/046221 A2 describen otras unidades electrónicas con componentes electrónicos dispuestos en escotaduras. El artículo científico de Mickell P. Groover: "Fundamentals of Modern Manufacturing, Materials, Processes, and Systems" en: "Fundamentals of Modern Manufacturing, Materials, Processes, and Systems", 1 de enero de 2010 (2010-01-01), XP055450365, ISBN: 978-0-470-46700-8 describe un procedimiento para la formación de estructura en sustrato de cerámica.
Es un objetivo de la presente invención crear una unidad electrónica del tipo mencionado al principio, la cual comprenda en caso de una forma constructiva en la medida de lo posible compacta, un blindaje dispuesto entre el primer y el segundo componente electrónico, que pueda producirse de forma sencilla y económica.
Este objetivo se consigue mediante una unidad electrónica con las características de la reivindicación 1.
De acuerdo con la invención el blindaje es una elevación que sobresale de un plano definido por el sustrato o que se extiende desde su superficie y que funciona como blindaje, que está configurada de una sola pieza con el sustrato. Es decir, el blindaje está formado en gran parte por el material del sustrato y se extiende desde la parte que porta los componentes, del sustrato. La elevación representa de este modo una barrera de blindaje para la radiación. La elevación es, por ejemplo, una especie de muro, el cual se extiende entre los dos componentes y blinda de este modo la radiación emitida por uno de los dos componentes, de modo que ésta no incide directamente sobre el segundo componente electrónico, por ejemplo, un correspondiente componente de sensor. Un modo de construcción de una sola pieza reduce los costes de producción de la unidad. Un pegado o conformado posterior de la elevación concretamente se suprime.
La unidad de acuerdo con la invención forma preferentemente un componente, en particular componente SMD (del inglés Surface Mounting Device, componente de montaje superficial), que se monta por su parte en una unidad electrónica más grande, por ejemplo, en un circuito.
Otras formas de realización de la invención se indican en la descripción, las reivindicaciones y los dibujos que acompañan.
La elevación está fabricada de acuerdo con la invención mediante un procedimiento de fabricación por eliminación a partir del sustrato, en particular una placa de circuito impreso. Se elimina, por ejemplo, a partir de una pieza en bruto material del sustrato alrededor de la elevación, por ejemplo, mediante corrosión, fresado y/o ablación láser.
Es posible también, no obstante, básicamente fabricar el sustrato con la elevación mediante un procedimiento de técnica de moldeo por inyección. Es decir, el sustrato es un llamado soporte de circuitos moldeado por inyección ("molded interconnect device", MID). Durante el moldeo por inyección del sustrato se conforman de este modo la elevación, así como, en caso de necesidad, otras estructuras del sustrato. Esto reduce los pasos de procedimiento necesarios para la producción de la estructura espacial del sustrato.
El sustrato puede fabricarse también mediante una impresión en 3D. Es concebible también que el sustrato esté formado a partir de capas laminadas, estando previstas en la zona de la elevación más capas que en las zonas adyacentes del sustrato.
El primer componente electrónico está dispuesto en una primera escotadura del sustrato y/o el segundo componente electrónico está dispuesto en una segunda escotadura del sustrato. Debido a ello mejora, con la misma altura, el efecto de blindaje de la elevación. Dicho con otras palabras, la disposición de uno de los componentes o de los dos componentes en correspondientes, en particular separadas, escotaduras conduce a un blindaje mejorado, así como a una reducción de la altura de construcción de la unidad electrónica.
El primer componente electrónico y/o el segundo componente electrónico está/están unido/unidos a través de un elemento de contacto eléctricamente conductor, en particular un alambre, de forma eléctricamente conductora con un punto de contacto dispuesto en una parte inferior de una tercera escotadura. También esta medida reduce la altura constructiva de la unidad electrónica dado que el punto de unión del elemento de contacto se "hunde" con el punto de contacto. A este respecto cada componente puede estar unido con un punto de contacto dispuesto en una tercera escotadura propia.
El componente electrónico puede presentar una sección de contacto, la cual está conectada con el elemento de contacto y que está dispuesta por un lado alejado de la parte inferior de la primera escotadura, del componente electrónico. Los componentes electrónicos son en particular componentes semiconductores.
La elevación sobresale más del plano definido por el sustrato que el elemento de contacto. Un canto superior de la elevación define, por ejemplo, la altura de construcción de la unidad.
Para la mejora del efecto de blindaje la elevación puede estar revestida al menos por secciones, en particular con un material que blinde contra radiación electromagnética. Debido a ello puede darse lugar a que la elevación sea esencialmente opaca a la radiación a blindar. Un blindaje puede basarse, por ejemplo, en un efecto reflectante y/o absorbente de la radiación, del material de revestimiento usado. Los materiales eléctricamente conductores tienen un efecto de blindaje de este tipo, pero también una serie de materiales no metálicos, por ejemplo, silicatos reflectantes o compuestos orgánicos absorbentes.
La primera escotadura, la segunda escotadura y/o la(s) tercera(s) escotadura(s) pueden, adicional o alternativamente, estar revestidas al menos por secciones de un material eléctricamente conductor. El revestimiento de las mencionadas escotaduras puede, en caso de ser necesario, estar en contacto con una sección del revestimiento de la elevación.
La invención se refiere además de ello a un procedimiento para la producción de una unidad electrónica, la cual esté configurada de acuerdo con una de las formas de realización anteriores. El procedimiento comprende las etapas:
- poner a disposición un sustrato,
- eliminar o retirar por zonas un material del sustrato para la generación de una elevación que sobresale de un plano definido por el sustrato o que se extiende desde su superficie y que funciona como blindaje, en particular mediante fresado, corrosión y/o ablación láser,
- equipar el sustrato con un primer componente electrónico y con un segundo componente electrónico, de tal modo que la elevación queda dispuesta entre los dos componentes electrónicos.
Un procedimiento (no de acuerdo con la invención) para la producción de una unidad electrónica, la cual está configurada en particular de acuerdo con una de las formas de realización descritas anteriormente, comprende las etapas:
- conformar un sustrato basado en material plástico mediante un procedimiento de moldeo por inyección, de modo que se genera una elevación que sobresale de un plano definido por el sustrato o que se extiende desde su superficie y que funciona como blindaje, y
- equipamiento del sustrato con un primer componente electrónico y con un segundo componente electrónico, de tal modo que la elevación queda dispuesta entre los dos componentes electrónicos.
Otro procedimiento (no de acuerdo con la invención) para la producción de una unidad electrónica, en particular de acuerdo con una de las formas de realización descritas anteriormente, comprende las etapas:
- conformar un sustrato basado en material plástico mediante un procedimiento de impresión en 3D, de modo que se genera una elevación que sobresale de un plano definido por el sustrato o que se extiende desde su superficie y que funciona como blindaje, y
- equipamiento del sustrato con un primer componente electrónico y con un segundo componente electrónico, de tal modo que la elevación queda dispuesta entre los dos componentes electrónicos.
En el caso de la impresión en 3D se trata de este modo de un procedimiento "constructivo" para la fabricación de un sustrato de una sola pieza.
Otro procedimiento "constructivo" (no de acuerdo con la invención) para la producción de una unidad electrónica, en particular de acuerdo con una de las formas de realización descritas anteriormente, comprende las etapas:
- conformar un sustrato basado en material plástico mediante un agente aglutinante, en particular resina, estratos o capas unidas, en particular esteras de tejido, de modo que se genera una elevación que sobresale de un plano definido por el sustrato o que se extiende desde su superficie y que funciona como blindaje, y
- equipamiento del sustrato con un primer componente electrónico y con un segundo componente electrónico, de tal modo que la elevación queda dispuesta entre los dos componentes electrónicos.
Las capas pueden recortarse antes de su unión de tal modo que en un estado dispuestas unas sobre las otras resulte la estructura tridimensional deseada del sustrato. El sustrato presenta en particular en la zona de la elevación una cantidad mayor de capas o estratos que en zonas adyacentes.
El procedimiento descrito anteriormente comprende, por ejemplo, el laminado de varias capas o estratos, tal como es conocido de la fabricación de placas de circuito impreso convencionales.
Son concebibles también formas mixtas de los procedimientos descritos anteriormente para obtener un sustrato optimizado para el correspondiente caso de uso o para reducir sus costes de producción.
Todos los procedimientos tienen en común, sin embargo, que se obtiene una unidad en cuyo caso la elevación es un componente integral del sustrato. En particular la elevación es del mismo material que el resto del sustrato. La elevación no se fija por lo tanto posteriormente al sustrato en sí terminado.
La elevación puede revestirse al menos parcialmente, en particular con un material que blinde contra la radiación electromagnética.
A continuación, se explica la presente invención mediante formas de realización ventajosas meramente a modo de ejemplo con referencia a los dibujos que acompañan. Muestran:
La Fig. 1 una sección transversal a través de una unidad electrónica,
La Fig. 2 una sección transversal a través de una unidad electrónica,
La Fig. 3 una vista en perspectiva de una forma de realización de la unidad de acuerdo con la invención, Las Figs. 4 y 5 diferentes secciones a través de un sustrato con escotaduras,
Las Figs. 6 a 10 otros ejemplos de una unidad electrónica,
La Fig. 11 diferentes configuraciones de la primera o segunda escotadura en dos secciones transversales, Las Figs. 12 a 14 una forma de realización de un procedimiento de producción para la generación de la primera o segunda escotadura y
Las Figs. 15 y 16 otra unidad electrónica en una vista superior o en una sección transversal.
La Fig. 1 muestra una unidad electrónica 10, la cual comprende un sustrato 12, en concreto una placa de circuito impreso, y un componente electrónico 14. El componente electrónico 14 no está dispuesto, sin embargo, sobre una superficie 13 del sustrato 12, sino en una escotadura 16, de modo que un canto superior del componente 14 sobresale solo mínimamente del lado superior en la Fig. 1 o la superficie 13 del sustrato 12. La escotadura 16 puede también ser al menos tan profunda que aloje por completo el componente 14.
La escotadura 16 comprende una abertura de paso 20 que atraviesa el sustrato 12, que en el transcurso de un procedimiento de revestimiento vuelve a cerrarse de nuevo por un lado. Es decir, mediante un proceso de revestimiento se forma de un modo en sí conocido una parte inferior 22 formada por el material de revestimiento. A este respecto, o en una etapa separada, se revisten también las paredes laterales de la escotadura 16, así como zonas adyacentes de la superficie 13. El material de revestimiento, el grosor de revestimiento y/o la selección de las secciones revestidas pueden adaptarse a los requisitos respectivamente exigidos.
El componente 14 puede estar fijado de modo convencional en la parte inferior 22. A este respecto puede estar previsto un contacto del componente 14. Es concebible no obstante también, que el componente 14 se fije sin establecimiento de un contacto eléctrico a la parte inferior 22, en particular se pegue.
El componente 14 es preferentemente un componente semiconductor. Para poder unir el componente 14 con una conexión eléctrica está previsto un alambre 26, el cual está fijado de forma eléctricamente conductora a una superficie de contacto prevista en el lado superior del componente 14. El establecimiento de la unión entre el alambre 26 y el punto de contacto puede producirse, por ejemplo, mediante unión de cuña.
El alambre 26 establece una conexión eléctricamente conductora 28 con una parte inferior 24 de la segunda escotadura 18. La parte inferior 24 es eléctricamente conductora y se produjo de modo parecido/igual que la parte inferior 22 de la escotadura 16. La conexión 28 entre el alambre 26 y la parte inferior 22 se produce mediante "unión de bola". La parte inferior 24 es de este modo un punto de contacto para el alambre 26. El punto de contacto puede estar unido por su parte a través de pistas conductoras u otras medidas con otras conexiones para integrar la unidad 10, por ejemplo, en un circuito.
Convenientemente la producción de la conexión entre el componente 14 y la parte inferior 24 se produce del siguiente modo:
En primer lugar, se funde un extremo del alambre 26, de modo que se forma una bola de fusión (la llamada "ball"), que se presiona sobre la correspondiente superficie/punto de contacto (en este caso la parte inferior 24). A continuación, se guía el alambre 26 hacia el segundo punto de contacto (en este caso una superficie de contacto en el lado superior del componente 14) y se contacta allí de nuevo mediante ultrasonidos, calor y/o presión. El procedimiento descrito a modo de ejemplo es de este modo un "reverse ballwedgebonding-Prozess", proceso de unión bola cuña inverso. Pueden usarse también otros procedimientos de contacto. Antes del modo de proceder anteriormente descrito puede formarse, por ejemplo, una "bola" sobre el punto de contacto en el lado superior del componente 14. El alambre 26 se corta entonces y a continuación se lleva a cabo el "reverse ballwedgebonding-Prozess", proceso de unión bola cuña inverso, no fijándose el alambre 26 entonces directamente al punto de contacto del componente 14, sino a la "bola" allí presente (reverse "ball-stitch-on-ball", reverse BSOB).
Dado que para la formación de la bola de fusión ha de introducirse una cantidad notable de calor en el alambre 26, se somete a alta carga térmica durante un corto período de tiempo una sección 30 del alambre 26 que se une a la conexión 28. La sección 30 es por lo tanto a continuación mecánicamente mucho más sensible que zonas sometidas a menor carga térmica del alambre 26. El "hundimiento" de la conexión 28 en la escotadura 18 permite no tener que deformar mecánicamente la zona 30 cargada térmicamente durante el proceso de unión. Es decir, puede ser "tirada" de ella hacia arriba sin que esto tenga efectos negativos en la altura de construcción de la totalidad de la disposición.
Para la fijación de la disposición y para la protección de sus componentes se funde ésta con un material adecuado (masa de moldeo 31).
La Fig. 2 muestra una configuración alternativa 10' de la unidad eléctrica. En este caso no existen aberturas de paso, sino que las partes inferiores 22, 24 de las escotaduras 16, 18 están formadas por el sustrato 12 mismo, aquí a modo de ejemplo una placa de circuito impreso. Las escotaduras 16, 18 son de este modo cavidades en el material del sustrato 12. No atraviesan el sustrato 12. Combinar en el caso de una unidad electrónica escotaduras producidas como aberturas de paso y escotaduras configuradas como cavidades también es posible (véase, por ejemplo, la Fig. 11). Se entiende que las escotaduras 16, 18 pueden estar revestidas por completo o parcialmente. Se muestra a modo de ejemplo que la escotadura 18 presenta una sección parcialmente revestida (punto de contacto 32), la cual está unida en configuración análoga a la forma de realización 10 mostrada en la Fig. 1, con el alambre 26.
Para proteger la unidad electrónica 10' o sus componentes, ésta también se funde con una masa de moldeo (no mostrado).
El término "sustrato" ha de entenderse ampliamente en el marco de la presente divulgación. Básicamente es posible configurar correspondientemente un marco de conexión (lead-frame). Un marco de conexión puede presentar también varias secciones de soporte separadas, las cuales están unidas entre sí mediante un material plástico. Preferentemente el sustrato 12 es, no obstante, una placa de circuito impreso.
Las escotaduras 16, 18 de las unidades 10, 10' comprenden paredes laterales 21, las cuales se unen a la correspondiente parte inferior 22, 24 y de este modo la rodean por todos lados. Básicamente es concebible dejar abiertos (parcialmente) uno o varios lados de las escotaduras 16, 18. Es preferentemente, sin embargo, prever entre la conexión 28 o el punto de contacto 32 y el componente 14 una sección de sustrato 12'. Es decir, la correspondiente escotadura 16, 18 presenta preferentemente al menos una pared lateral 21 o secciones de pared lateral, que están dirigidas hacia la otra escotadura 18 o 16. La sección de sustrato 12' puede presentar esencialmente el mismo grosor que otras zonas adyacentes a las escotaduras 16, 18, del sustrato 12.
La Fig. 3 muestra una vista en perspectiva de una unidad electrónica 10''. La unidad electrónica 10'' comprende dos componentes electrónicos 14, 14', los cuales están dispuestos en escotaduras 16 o 16'. Están unidos a través de alambres 26, 26' respectivamente con un punto de contacto en una escotadura 18 o 18' o con la correspondiente parte inferior. Las escotaduras 16, 16', 18, 18' están configuradas, por ejemplo, tal como aquella en la Fig. 1.
En particular cuando los componentes 14, 14' son un componente emisor emisor de radiación electromagnética y un correspondiente componente receptor, es razonable ocuparse en el caso de una disposición adyacente de los componentes 14, 14' de un blindaje fiable, de actuación entre los componentes 14, 14'. En el presente caso se pone a disposición este blindaje mediante un muro 34, el cual se extiende entre los componentes 14, 14'. Es una elevación, la cual se eleva desde el plano que está definido por el sustrato 12. O formulado de otro modo: El muro 32 se extiende desde la superficie 13 del sustrato 12.
El muro 34 está unido de una sola pieza con el sustrato 12 o es una parte del sustrato 12. Esto tiene la ventaja de que puede fabricarse de un modo sencillo. Se forma, por ejemplo, mediante un procedimiento de fabricación por eliminación de material a partir de una pieza en bruto de sustrato. Es decir, las zonas alrededor del muro 34 se eliminan mediante uno o varios procedimientos adecuados, como, por ejemplo, corrosión, fresado y/o ablación láser. a este respecto pueden formarse también las escotaduras 16, 18, 16', 18' o correspondientes aberturas de paso 20 o cavidades que no atraviesan el sustrato (véanse, por ejemplo, las Figs. 2 y 11).
Es concebible también, no obstante, formar el sustrato 12 con la ayuda de la técnica MID. A este respecto se trata de un procedimiento mediante el cual se producen soportes de circuito moldeados por inyección ("molded interconnect devices"). En el caso de estos soportes de circuito se trata de este modo de piezas de material plástico moldeadas por inyección con pistas conductoras metálicas y/o secciones de revestimiento adecuadamente aplicadas.
Otro procedimiento de fabricación es la llamada impresión en 3D. Es decir, mediante materiales adecuados se construye el sustrato 12 por capas con la geometría deseada, de modo que las escotaduras 16, 18, 16', 18 y/o el muro 34 se producen "constructivamente" según las necesidades. Una etapa de trabajo por eliminación ya no es entonces necesaria en el caso ideal.
Una variante de fabricación también "constructiva" del sustrato 12 prevé una laminación de capas con diferentes geometrías. Por ejemplo, se disponen esteras de tejido con forma adecuada, por ejemplo, con aberturas allí donde han de resultar las escotaduras 16, 18, 16', 18', unas sobre las otras y se unen con resina. También es posible configurar el sustrato 12 más grueso en determinadas zonas, por ejemplo, en cuanto que se prevé una cantidad mayor de capas de esteras, por ejemplo, para formar el muro 34.
También son posibles formas mixtas de los procedimientos descritos. Por ejemplo, puede fabricarse un sustrato parcial mediante etapas de procedimiento por eliminación, el cual se lamina entonces sobre otro sustrato parcial (base, por regla general ella misma un componente laminado).
Todas las variantes de fabricación tienen en común que se obtiene un sustrato 12 de una sola pieza.
En el presente ejemplo puede verse que el muro 34 está provisto por ambos lados de un revestimiento 36, también puede ser suficiente un revestimiento por un lado en determinados casos de uso, que puede estar unido en caso de necesidad con otras secciones de revestimiento. En el presente ejemplo de realización el revestimiento 36 del lado izquierdo del muro 34 está en contacto con el revestimiento de la escotadura 16. El material del revestimiento 36 se selecciona preferentemente de tal modo que el muro 34 es opaco a la radiación emitida por el componente 14 y/o 14' o al menos debilita la misma.
El muro 34 define preferentemente también el canto superior de la masa de moldeo 31 para formar una unidad de construcción compacta sin cantos salientes.
La Fig. 4 muestra el sustrato 12 provisto del muro 34 en una vista en perspectiva sin los componentes 14, 14' o alambres 26, 26'. La escotadura 16 está representada parcialmente cortada para mostrar que está configurada esencialmente de tal forma como se explicó mediante la Fig. 1.
La Fig. 5 muestra el sustrato 12 de la Fig. 4 en un corte completo, de modo que también puede reconocerse la estructura del muro 34, que se extiende desde una sección de sustrato 12'' dispuesta entre las escotaduras 16, 16'. El sustrato 12 y el muro 34 están configurados de una sola pieza. El muro 34 presenta un revestimiento 36 por ambos lados, los cuales están unidos con los correspondientes revestimientos de las escotaduras 16' (izquierda) o 16 (derecha).
La idea de un muro que blinde radiación puede realizarse independientemente de la idea de colocar el componente electrónico y el punto de contacto en escotaduras separadas.
Las Figs. 6 a 10 muestran a modo de ejemplo cómo pueden estar configuradas diversas formas de realización posibles de la unidad electrónica de acuerdo con la invención.
Una unidad 10a comprende, por ejemplo, dos escotaduras 18, las cuales sirven respectivamente para el contacto de uno de los dos alambres 26, las cuales están unidas ambas con el componente 14 (compárese la Fig. 6).
A diferencia de ello una unidad 10b presenta dos componentes 14, los cuales están dispuestos respectivamente en una escotadura 16 propia y que están unidos respectivamente con un alambre 26. Los alambres 26 están unidos por su parte con puntos de contacto 32 propios, los cuales están dispuestos en una escotadura 18 común (compárese la Fig. 7).
Una unidad 10c se diferencia de la unidad 10b debido a que los componentes 14 están dispuestos en una escotadura 16 común (compárese la Fig. 8).
En el caso de una unidad 10d bien es cierto, tal como en el caso de la unidad 10c, que los componentes 14 están dispuestos en una escotadura 16 común. Sin embargo, tal como en la unidad 10a, están previstas dos escotaduras 18 separadas (compárese la Fig. 9).
Una unidad 10e presenta un componente 14, el cual está dispuesto en una escotadura 16 propia (compárese la Fig. 10). A él hay fijados 8 alambres 26, los cuales están unidos por su parte con puntos de contacto 32 propios, los cuales están dispuestos en 8 escotaduras 18 separadas.
Son posibles sin mayor problema formas mixtas de las formas de realización descritas anteriormente. La cantidad y configuración (por ejemplo, geometría, revestimiento,...) de las escotaduras 16, 18 puede adaptarse a los correspondientes requisitos exigidos, como, por ejemplo, se desprende de la Fig. 11. En este caso las escotaduras 16, 18 presentan diferentes profundidades.
Mediante las Figs. 12 a 14 se describe a continuación una variante para la fabricación de una forma de realización de la escotadura 16, 18.
La Fig. 12 muestra un sustrato 12 revestido por un lado. El revestimiento 36' es, por ejemplo, una capa de metal. Mediante un procedimiento por eliminación de material se introduce la escotadura 16, 18 en el sustrato 12. El procedimiento es preferentemente un procedimiento de ablación láser. Cuando el revestimiento 36' es metálico (por ejemplo, Cu), la eliminación finaliza automáticamente cuando el sustrato 12 está atravesado por completo (véase estado en la Fig. 13). En caso de que el láser usado no sea demasiado fuerte, el rayo láser incidente concretamente es reflejado tan pronto como incide sobre la superficie dirigida hacia el sustrato, del revestimiento 36'. El revestimiento 36' puede retirarse por zonas en caso de necesidad (véase la Fig. 13).
Opcionalmente se aplica a continuación un revestimiento 36'', el cual reviste la escotadura 16, 18 parcialmente o por completo (véase la Fig. 14). En caso de necesidad puede revestirse o cubrirse, al mismo tiempo que la aplicación del revestimiento 36'' o en una etapa separada, también el revestimiento 36', parcial o completamente. El material de los revestimientos 36', 36'' puede ser igual o diferente.
La Fig. 15 muestra una unidad 10f con un componente 14 (por ejemplo, un LED), que está dispuesto en una escotadura 16'' abierta por un lado, revestida (revestimiento 36''). Debido a ello el componente 14 puede emitir radiación electromagnética S sin obstáculos hacia la derecha. Un alambre de unión 26 unido con el componente 14 está en contacto con un punto de contacto 32 dispuesto en una escotadura 18 cerrada en dirección perimetral (véase también la Fig. 16). Los componentes de la unidad 10f y en particular su contacto eléctrico, se protegen mediante una masa de relleno 31.
Lista de referencias
10, 10', 10", 10a-10f Unidad electrónica
12 Sustrato
12' , 12' Sección de sustrato
13 Superficie
14, 14' Componente electrónico
16, 16', 16'' Escotadura
18, 18' Escotadura
20 Abertura de paso
21 Pared lateral
22, Parte inferior
26' Alambre
28 Unión
30 Sección de alambre
31 Masa de relleno
32 Punto de contacto
34 Muro
36, 36', 36'' Revestimiento
S Radiación

Claims (13)

REIVINDICACIONES
1. Unidad electrónica con al menos un primer componente electrónico (14) y con un segundo componente electrónico (14'), los cuales están fijados sobre un sustrato (12), estando dispuesto entre el primer y el segundo componente electrónico (14, 14') un blindaje, el cual comprende una elevación (34), que sobresale de un plano definido por el sustrato o que se extiende desde su superficie y que funciona como blindaje, que está configurada de una sola pieza con el sustrato (12),
estando formada la elevación (34), mediante un procedimiento de fabricación por eliminación a partir del sustrato, (12) y sobresaliendo la elevación (34) más del plano definido por el sustrato (12) o extendiéndose más desde su superficie que un elemento de contacto (26, 26') para el contacto del primer o del segundo componente electrónico (14 o 14'), estando dispuesto el primer componente electrónico (14) en una primera escotadura (16) del sustrato (12) y/o estando dispuesto el segundo componente electrónico (14') en una segunda escotadura del sustrato (12), caracterizada por que
el primer componente electrónico (14) y/o el segundo componente electrónico (14') están unidos de forma eléctricamente conductora a través de un elemento de contacto (26, 26') eléctricamente conductor, que está conectado de forma eléctricamente conductora a una superficie de contacto prevista en un lado superior del primer o del segundo componente (14, 14'), a un punto de contacto (32), dispuesto en una parte inferior (24) de una tercera escotadura (18, 18'), y presentando la primera y/o la segunda escotadura (16) y la tercera escotadura (18, 18') las mismas profundidades, siendo las escotaduras (16, 18, 18') aberturas de paso (20), que están cerradas por un lado mediante un proceso de revestimiento.
2. Unidad electrónica según una de las reivindicaciones anteriores,
caracterizada por que
el procedimiento de fabricación por eliminación comprende corrosión, fresado y/o ablación láser.
3. Unidad electrónica según una de las reivindicaciones anteriores,
caracterizada por que
el elemento de contacto (26, 26') eléctricamente conductor es un alambre.
4. Unidad electrónica según una de las reivindicaciones anteriores,
caracterizada por que
la elevación (34) está al menos parcialmente revestida.
5. Unidad electrónica según la reivindicación 4,
caracterizada por que
la elevación (34) está al menos parcialmente revestida de un material de blindaje contra la radiación electromagnética.
6. Unidad electrónica según una de las reivindicaciones anteriores,
caracterizada por que
la primera escotadura (16), la segunda escotadura (16') y/o la tercera escotadura (18, 18') están al menos por secciones revestidas de material eléctricamente conductor.
7. Unidad electrónica según las reivindicaciones 5 o 6,
caracterizada por que
un revestimiento de la primera escotadura (16), de la segunda escotadura (16') y/o de la tercera escotadura (18, 18') está en contacto con una sección del revestimiento (36) de la elevación (34).
8. Unidad electrónica según una de las reivindicaciones anteriores,
caracterizada por que
el primer componente electrónico (14) y/o el segundo componente electrónico (14') son componentes semiconductores.
9. Unidad electrónica según una de las reivindicaciones anteriores,
caracterizada por que
el primer componente electrónico (14) es un componente que emite radiación electromagnética y el segundo componente electrónico (14') un componente que detecta radiación electromagnética.
10. Procedimiento para la fabricación de una unidad electrónica, la cual está realizada de acuerdo con una de las reivindicaciones anteriores, comprendiendo las etapas:
- poner a disposición un sustrato (12),
- eliminar por zonas un material del sustrato (12) para la generación de una elevación (34), que sobresale de un plano definido por el sustrato o que se extiende desde su superficie y que funciona como blindaje, de tal modo que la elevación (34) sobresale más del plano definido por el sustrato (12) o se extiende más desde su superficie que un elemento de contacto (26, 26') para el contacto del primer o del segundo componente electrónico (14 o 14') y
- equipamiento del sustrato (12) con un primer componente electrónico (14) y con un segundo componente electrónico (14'), de tal modo que la elevación (34) queda dispuesta entre los dos componentes electrónicos.
11. Procedimiento según la reivindicación 10,
caracterizado por que
la eliminación se produce mediante fresado, corrosión y/o ablación láser.
12. Procedimiento según las reivindicaciones 10 u 11,
caracterizado por que
la elevación (34) se reviste al menos parcialmente.
13. Procedimiento según la reivindicación 12,
caracterizado por que
la elevación (34) se reviste al menos parcialmente de un material de blindaje contra la radiación electromagnética.
ES17713190T 2016-04-04 2017-03-15 Unidad electrónica Active ES2927239T3 (es)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102016106135.2A DE102016106135A1 (de) 2016-04-04 2016-04-04 Elektronische Einheit
PCT/EP2017/056155 WO2017174312A2 (de) 2016-04-04 2017-03-15 Elektronische einheit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ES2927239T3 true ES2927239T3 (es) 2022-11-03

Family

ID=58410264

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES17713190T Active ES2927239T3 (es) 2016-04-04 2017-03-15 Unidad electrónica

Country Status (15)

Country Link
US (1) US10714461B2 (es)
EP (1) EP3437130B1 (es)
JP (1) JP2019514229A (es)
KR (1) KR102268030B1 (es)
CN (1) CN109075156B (es)
DE (1) DE102016106135A1 (es)
DK (1) DK3437130T3 (es)
ES (1) ES2927239T3 (es)
FI (1) FI3437130T3 (es)
HU (1) HUE059972T2 (es)
IL (1) IL262091B (es)
PL (1) PL3437130T3 (es)
PT (1) PT3437130T (es)
TW (1) TWI710091B (es)
WO (1) WO2017174312A2 (es)

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61204989A (ja) * 1985-03-08 1986-09-11 Toshiba Corp 半導体光電変換装置
JPH0513068U (ja) * 1991-07-30 1993-02-19 サンケン電気株式会社 発光素子と受光素子の容器
TW594888B (en) * 2001-09-05 2004-06-21 Hitachi Ltd Semiconductor device and manufacturing method thereof and wireless communication device
DE10205450A1 (de) 2002-02-08 2003-08-28 Infineon Technologies Ag Schaltungsträger und Herstellung desselben
US7025640B2 (en) * 2002-09-23 2006-04-11 Delphi Technologies, Inc. Circuit board inter-connection system and method
JP3734807B2 (ja) * 2003-05-19 2006-01-11 Ｔｄｋ株式会社 電子部品モジュール
FR2857819B1 (fr) * 2003-07-18 2008-11-28 Cit Alcatel Dispositif a circuits hybrides hyperfrequences a blindage par element(s)de contact elastique(s)
WO2006046221A2 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Peter O'brien An illuminator and manufacturing method
DE102005025606B4 (de) 2005-06-03 2015-10-01 Vishay Semiconductor Gmbh Sonnensensor und Herstellungsverfahren hierfür
US9000579B2 (en) * 2007-03-30 2015-04-07 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with bonding in via
US20090189261A1 (en) 2008-01-25 2009-07-30 Lay Yeap Lim Ultra-Thin Semiconductor Package
JP2010114114A (ja) * 2008-11-04 2010-05-20 Rohm Co Ltd 反射型フォトインタラプタ
DE102009019782A1 (de) * 2009-05-02 2010-11-04 Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh Verfahren zur Herstellung von durchkontaktierbaren Leiterplatten
US20110051352A1 (en) * 2009-09-02 2011-03-03 Kim Gyu Han Stacking-Type USB Memory Device And Method Of Fabricating The Same
JP2011187677A (ja) * 2010-03-09 2011-09-22 Panasonic Corp モジュール
TWM424605U (en) * 2011-09-27 2012-03-11 Lingsen Precision Ind Ltd The optical module package structure
DE102012215449A1 (de) * 2012-08-31 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein elektronisches bauelement, elektronische baugruppe, verfahren zum herstellen eines gehäuses für ein elektronisches bauelement und verfahren zum herstellen einer elektronischen baugruppe

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017174312A2 (de) 2017-10-12
FI3437130T3 (en) 2022-12-15
US10714461B2 (en) 2020-07-14
US20190067259A1 (en) 2019-02-28
CN109075156A (zh) 2018-12-21
IL262091A (en) 2018-11-29
PT3437130T (pt) 2022-09-27
JP2019514229A (ja) 2019-05-30
CN109075156B (zh) 2021-12-14
KR20180131604A (ko) 2018-12-10
DK3437130T3 (da) 2022-10-17
EP3437130A2 (de) 2019-02-06
TW201803077A (zh) 2018-01-16
HUE059972T2 (hu) 2023-01-28
TWI710091B (zh) 2020-11-11
KR102268030B1 (ko) 2021-06-23
WO2017174312A3 (de) 2017-12-14
PL3437130T3 (pl) 2023-01-23
EP3437130B1 (de) 2022-09-07
IL262091B (en) 2022-04-01
DE102016106135A1 (de) 2017-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI475715B (zh) 用於光電子元件之殼體及在該殼體內的光電子元件之配置
KR102129647B1 (ko) 광전자 조명 모듈, 광전자 조명 장치 및 차량 헤드램프
JP6094202B2 (ja) 車両用灯具の半導体型光源の光源ユニット、車両用灯具
US7286729B2 (en) Optical device cavity structure, optical device, and method for manufacturing an optical device cavity structure
JP5902823B2 (ja) 発光素子パッケージ及びそれを備えるバックライトユニット
KR101899464B1 (ko) 발광다이오드 패키지 및 이를 포함하는 발광모듈
JP5685249B2 (ja) 発光ダイオードおよび発光ダイオードの製造方法
JP6194426B2 (ja) オプトエレクトロニクス部品およびその製造方法
JP2006509373A (ja) １つの小さい設置面積を有するｌｅｄパッケージダイ
JP2012533182A5 (es)
JP2006303495A (ja) 表面実装可能な光電子式の構成素子
JP6261720B2 (ja) オプトエレクトロニクス素子およびオプトエレクトロニクス素子の製造方法
TWI509848B (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
ES2927239T3 (es) Unidad electrónica
KR20120046732A (ko) 전자 소자
CN107062114B (zh) 灯具及其制造方法
JP6322334B2 (ja) オプトエレクトロニクス部品の製造方法およびオプトエレクトロニクス部品
JP2006049624A (ja) 発光素子
JP6531521B2 (ja) 発光装置および発光システム
JP3974154B2 (ja) 光半導体モジュール及び光半導体装置
TW201448286A (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
JP2017092352A (ja) 受発光装置および受発光装置の製造方法
JP5087827B2 (ja) 発光ダイオード装置
JP3130857U (ja) 半導体素子
KR101147615B1 (ko) 발광 다이오드 칩 패키지