JP2019511753A - 透明導電性酸化物層及びバスバーを含むエレクトロクロミックデバイス、ならびにその形成プロセス - Google Patents

Abstract

エレクトロクロミックデバイスは、基板と、基板上の透明導電性酸化物層と、基板上のバスバーと、を含むことができる。バスバーは、銀を含むことができ、最大６．７×１０^−６Ω＊ｃｍの抵抗率、ＡＳＴＭ Ｂ９０５−００の方法Ａ（２０１０年再承認）によって決定される、２０回の測定に基づいて、少なくとも３ＮのＳｉＯ_２に対する平均接着強度、またはＡＳＴＭ Ｂ９０５−００（２０１０年再承認）の方法Ｂによって決定される、少なくとも４の分類を有する。別の態様では、エレクトロクロミックデバイスを形成するプロセスは、基板上に透明導電性酸化物層を形成することと、基板上にバスバー前駆体を形成することであって、前駆体が銀を含む、形成することと、前駆体を焼成してバスバーを形成することと、を含むことができる。焼成は、第１のバスバーが少なくとも３９０℃の温度になるように行うことができる。
【選択図】図１

Description

本開示は、エレクトロクロミックデバイス、より具体的には、透明導電層及びバスバーを含むエレクトロクロミックデバイス、ならびにその形成プロセスを対象とする。

エレクトロクロミックデバイスは、建物の部屋または車両の客室が暖かくなりすぎるのを助ける。エレクトロクロミックデバイスは、バイアスされ、エレクトロクロミックデバイスをより高い透過状態からより低い透過状態に変化させて近赤外放射の透過を減少させることを可能にし得るバスバーを含む。バスバーは、低い抵抗率と下地材料に対する良好な接着性を有することが望ましい。エレクトロクロミックデバイスの１つ以上の層は、バスバーの材料及び処理条件の選択を制限する場合がある。したがって、バスバーの抵抗率及び接着性の向上が望まれている。

実施形態が、例のために示され、添付の図面に限定されるものではない。

本明細書に記載の実施形態によるエレクトロクロミックデバイスを形成するプロセスのフロー図を含む。 基板とエレクトロクロミックスタックとを含むワークピースの断面図の図解を含む。 耐酸化層を形成した後の、図２のワークピースの断面図の図解を含む。 耐酸化層の屈折率と周囲の屈折率との間に屈折率を有する層を形成した後の、図３のワークピースの断面図の図解を含む。 エレクトロクロミックスタックをパターン化した後の、図４のワークピースの断面図の図解を含む。 バスバーを形成した後の、図５のワークピースの断面図の図解を含む。 実質的に完成したエレクトロクロミックデバイスを形成した後の、図６のワークピースの断面図の図解を含む。 図７のエレクトロクロミックデバイスを含む絶縁ガラスユニットの断面図の図解を含む。

当該業者は、図中の要素は、単純性及び明瞭性のために例証され、必ずしも縮尺通りに図解されているわけではないことを認識する。例えば、図中のいくつかの要素の寸法は、本発明の実施形態の理解を向上するために他の要素に対して誇張される場合がある。

以下の説明は、図と組み合わせて、本明細書に開示される教示の理解を助けるために提供される。以下の考察は、教示の特定の実装形態及び実施形態に焦点を合わせる。この焦点は、教示の説明を助けるために提供され、教示の範囲または適用性を限定するものとして解釈されるべきではない。

ポリマーには、ホモポリマー及びコポリマーが含まれる。ホモポリマーは単一のポリマー前駆体から形成され、コポリマーは異なるポリマー前駆体から形成される。

本明細書において、屈折率は５５０ｎｍで測定される。

用語「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」、「備えている（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「有する（ｈａｓ）」、「有している（ｈａｖｉｎｇ）」、またはこれらの任意の他の変形は、非排他的包含を網羅するように意図される。例えば、特徴の列挙を含むプロセス、方法、物品、または装置は、必ずしもそれらの特徴のみに限定されるわけではないが、明確には列挙されていないか、またはこのような方法、物品、もしくは装置に固有である他の特徴を含んでもよい。さらに、そうではないと明確に記載されない限り、「または（ｏｒ）」は、包含的または（ｉｎｃｌｕｓｉｖｅ−ｏｒ）を指し、排他的または（ｅｘｃｌｕｓｉｖｅ−ｏｒ）を指すものではない。例えば、条件ＡまたはＢは、以下のうちのいずれか１つよって満たされる：Ａが真であり（または存在し）かつＢが偽である（または存在しない）、Ａが偽であり（または存在しない）かつＢが真である（または存在する）、及びＡとＢの両方が真である（または存在する）。

また、「ａ」または「ａｎ」の使用は、本明細書に説明される要素及び構成要素を説明するために用いられる。これは、単に便宜性のために、また本発明の範囲の一般的な意味を付与するために行われる。この説明は、それがそうではないように意味されることが明白でない限り、１つ、少なくとも１つを含むように読まれるべきであり、または単数形は複数形も含み、逆も同様である。

「約」、「およそ」または「実質的に」という単語の使用は、パラメータの値が記載された値または位置に近いことを意味することを意図している。しかしながら、軽微な相違は、値または位置が正確に述べられていることを妨げる可能性がある。したがって、値の最大１０パーセント（１０％）の差は、記載されたとおりの理想的な目標との妥当な相違である。

別段に定義されない限り、本明細書に使用される全ての専門用語及び科学的用語は、本発明が属する技術分野の当業者によって通常理解されるものと同じ意味を有する。材料、方法、及び実施例は、単に例証的なものであり、限定的であることを意図されない。本明細書に記載されていない限り、特定の材料及び処理行為に関する多くの詳細は、従来のものであり、教科書及ガラス、蒸着及びエレクトロクロミック技術内の他の情報源に見出され得る。

エレクトロクロミックデバイスは、透明導電性酸化物及び基板のような低抵抗率及び下地材料への良好な接着性を有するバスバーを含むことができ、その各々はバスバーと物理的に接触することができる。エレクトロクロミックデバイスは、基板と、基板上の透明導電性酸化物層と、基板上のバスバーとを含むことができる。バスバーは銀を含み、最大８．０×１０^−６Ω＊ｃｍの抵抗率、ＡＳＴＭ Ｂ９０５−００（２０１０年再承認）の方法Ａによって測定される、２０回の測定に基づく少なくとも３ＮのＳｉＯ_２に対する平均接着強度、ＡＳＴＭ Ｂ９０５−００（２０１０年再承認）の方法Ｂによって決定される、少なくとも３の分類、またはそれらの任意の組み合わせを有することができる。

別の態様では、エレクトロクロミックデバイスを形成するプロセスは、基板上に透明導電性酸化物層を形成することと、基板上にバスバー前駆体を形成することであって、バスバー前駆体が銀を含む、形成することと、バスバー前駆体を焼成してバスバーを形成することであって、焼成することが、バスバーが少なくとも３９０℃の温度になるように行われる、形成することと、を含む。

透明導電性酸化物がバスバーの形成中に著しく悪影響を受ける可能性を低減するために、耐酸化層を使用することができる。耐酸化層は、耐酸化層と形成されたエレクトロクロミックデバイスと比較して相対的に高い焼結温度を有する銀系のフリットを使用することを可能にすることができる。特定の実施形態では、耐酸化層は、透明導電性酸化物が許容可能な抵抗率を有する必要があるので望ましくない透明導電性酸化物の過度の酸化がないように助ける。

耐酸化層は、基板とエレクトロクロミックスタックとの間に使用することもできる。そのような実施形態は、Ｌｉ^＋、Ｎａ^＋などのような可動イオンが基板（例えば、ソーダ石灰ガラス）からエレクトロクロミックスタックにまたはエレクトロクロミックスタックから基板に移動し得ることを低減するのに役立ち得る。別の実施形態では、耐酸化層は、エレクトロクロミックスタックの対向する主表面に沿ってあってもよい。

耐酸化層は、空気または別のガスに隣接している場合、キャッピング層は、耐酸化層と空気または他のガスとの間に配置することができる。キャッピング層は、耐酸化層と空気または他のガスの屈折率の間にある屈折率を有することができる。キャッピング層は、全反射を低減するのに役立つことができる。

図面に示され以下に説明される実施形態は、本明細書に記載された概念を実装するための特定の用途の理解を助ける。実施形態は例示的なものであり、添付の特許請求の範囲を限定するものではない。

図１は、一実施形態によるエレクトロクロミックデバイスを形成するプロセスフローを含む。このプロセスは、ブロック１０２において、基板上にエレクトロクロミックスタックを形成することを含むことができる。図２は、エレクトロクロミックスタックを形成した後に部分的に製作されたエレクトロクロミックデバイスの断面図の図解を含む。エレクトロクロミックデバイスは、ガラス基板、サファイア基板、アルミニウムオキシナイトライド（ＡｌＯＮ）基板、スピネル基板、または透明ポリマーを含む透明基板２００を含むことができる。特定の実施形態では、透明基板２００は、５０ミクロン〜３００ミクロンの範囲の厚さを有する鉱物ガラスである超薄型ガラスを含むことができる。透明ポリマーは、ポリアクリレート、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリシロキサン、ポリエーテル、ポリビニル化合物、他の好適な種類の透明ポリマー、またはそれらの混合物を含むことができる。別の実施形態では、透明基板２００は、前述の透明基板を構成する材料の層を含む積層体であってもよい。別の実施形態では、積層体は、紫外線放射を反射する太陽光制御層または低放射率材料を含むことができる。基板２００は可撓性であっても可撓性でなくてもよい。

一実施形態では、透明基板２００は、ＳｉＯ_２及び１つ以上の他の酸化物を含む鉱物ガラスであり得るガラス基板であり得る。このような他の酸化物は、Ａｌ_２Ｏ_３、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物、Ｂ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、Ｐ_２Ｏ_５、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２、ＳＯ_３、Ａｓ_２Ｏ_２、またはＳｂ_２Ｏ_３を含むことができる。透明基板２００は、鉄、バナジウム、チタン、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、セリウム、ネオジム、プラセオジムまたはエルビウムの酸化物のような着色剤、または銅、銀また金のような金属コロイド、またはセレンまたは硫黄のような元素形態またはイオン形態のものを含むことができる。

透明基板２００がガラス基板である実施形態では、ガラス基板は少なくとも５０重量％のＳｉＯ_２である。一実施形態では、ＳｉＯ_２含有量は、５０重量％〜８５重量％の範囲内である。Ａｌ_２Ｏ_３は、例えば主表面が、形成されている積層体の曝露された表面に沿っている場合に、耐引掻性を助けることができる。存在する場合、Ａｌ_２Ｏ_３含有量は、１重量％〜２０重量％の範囲内であり得る。Ｂ_２Ｏ_３は、ガラスの粘性及びその熱膨張係数の両方を低減するために有用に使用することができる。Ｂ_２Ｏ_３含有量は、２０重量％以下、特定の実施形態では１５重量％未満であってもよい。アルカリ土類金属には、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、及びバリウムが含まれる。アルカリ土類金属の酸化物は、膨張係数に著しく不利益を与えることなく、ガラスの粘度を低減し、融着を促進するのに有用である。カルシウム及びマグネシウムは、いくつかの他の酸化物と比較して、ガラスの密度に比較的低い影響を有する。アルカリ金属酸化物の全含有量は、２５重量％、２０重量％、または１５重量％以下であってもよい。アルカリ金属の酸化物は、ガラス基板の粘性及び失透傾向を低減することができる。アルカリ金属酸化物の全含有量は、８重量％以下、５重量％または１重量％以下であってもよい。いくつかの用途では、ガラス基板は透明であることが望ましく、したがって着色剤の含有量は低い。特定の実施形態では、鉄含有量は２００ｐｐｍ未満である。

ガラス基板は、熱強化ガラス、焼戻しガラス、部分的熱強化または焼戻しガラス、またはアニールされたガラスを含むことができる。これらの用語が当技術分野で知られているように、「熱強化ガラス」及び「焼戻しガラス」は、表面圧縮を誘発し、そうでなければガラスを強化するために熱処理されたタイプのガラスの両方である。熱処理されたガラスは、完全に焼戻しされるか、または熱強化されるかのいずれかに分類される。一実施形態では、ガラス基板は焼戻しガラスであり、約６９ＭＰａ以上の表面圧縮及び約６７ＭＰａ以上のエッジ圧縮を有する。別の実施形態では、透明基板は、熱強化され、２４ＭＰａ〜６９ＭＰａの範囲の表面圧縮及び３８ＭＰａ〜６７ＭＰａのエッジ圧縮を有する。用語「アニールされたガラス」は、熱処理及びその後の急速冷却によって付与された内部歪みを伴わずに製造されたガラスを意味する。したがって、アニールされたガラスは、熱強化ガラスまたは焼戻しガラスを排除するだけである。ガラス基板はレーザ切断することができる。

透明導電性酸化物層２０２は、透明な基板２００の上に重なる。透明導電性酸化物層２０２は、ドープされた金属酸化物を含むことができる。ドープされた金属酸化物は、酸化亜鉛または酸化スズを含むことができ、そのいずれかは、Ａｌ、ＧａまたはＩｎなどの第１３族元素でドープされてもよい。インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）及びアルミニウム酸化亜鉛（ＡＺＯ）は、使用することができる例示的な非限定的な材料である。図２に示すように、透明導電性酸化物層２０２は、このようなバスバーが透明導電性酸化物層２０２の左側部分に電気的に短絡することなく、後に形成されたバスバーが透明導電性酸化物層２０２の右側部分に接触することを可能にするための切り欠きを有する。透明導電性酸化物層２０２の厚さは、１５０ｎｍ〜６００ｎｍの範囲である。

電極層２０４、電解質層２０６、及び別の電極層２０８は、透明導電性酸化物層２０２及び透明基板２００の上に重なる。電極層２０４は、エレクトロクロミック（ＥＣ）層または対向電極（ＣＥ）層のいずれか一方であり得、電極層２０８は、ＣＥ層またはＥＣ層の他方である。

ＥＣ層は、バイアス条件に依存して、可視光及び近赤外線（例えば、７００ｎｍ〜２５００ｎｍの範囲の波長を有する、電磁放射）の可変透過率を有することができる。例えば、電界が存在しない場合、エレクトロクロミックデバイスは、高い透過（「漂白された」）状態にあり、電界によって、Ｌｉ^＋、Ｎａ^＋またはＨ^＋などの可動イオンがＣＥ層から、電解質層を介してＥＣ層へ移動し、エレクトロクロミックデバイスを介す可視光線及び近赤外線の透過を減少させる。より低い透過状態は、有色状態または着色状態と呼ぶこともできる。ＥＣ層は、イリジウム、ロジウム、ルテニウム、タングステン、マンガン、コバルトなどの遷移金属の酸化物を含むことができる。特定の実施形態では、ＣＥ層はＷＯ_３を含む。当初形成されたように、ＥＣ層は、ＥＣ層に減少した透過率を生じさせるような，いかなる有意な量の可動イオンも含まないことがある。別の実施形態では、ＥＣ層は、少なくともいくつかの可動イオンを含むことができるが、エレクトロクロミックデバイスは、逆バイアスされて、可動イオンをＥＣ層から電解質層２０６を介してＣＥ層に移動させ得る。一実施形態では、堆積されるＥＣ層の厚さは、８０ｎｍ〜６００ｎｍの範囲内にある。

ＣＥ層は、可動イオンの主な供給源を提供することができる。さらに、ＣＥ層は、エレクトロクロミックデバイスが高透過状態または低透過状態にあるとき、可視光に対して実質的に透明のままである。ＣＥ層は、遷移金属元素の酸化物を含むことができる。実施形態では、ＣＥ層はニッケルの酸化物を含むことができる。ニッケルは、その二価状態（Ｎｉ^２＋）、三価状態（Ｎｉ^３＋）、またはそれらの組み合わせであり得る。ＣＥ層は、イリジウム、ロジウム、ルテニウム、タングステン、マンガン、コバルトなどのような遷移金属元素の酸化物を含むことができる。ＣＥ層はまた、電解質層２０６を通過することができる可動イオン源を提供することができる。可動イオンの供給源は、ＣＥ層が形成されるときにＣＥ層に組み込むことができる。仕上げデバイスでは、ＣＥ層は、化学式：
Ａ_ｘＮｉ^２＋ _{（１−ｙ）}Ｎｉ^３＋ _ｙＭ_ｚＯ_ａ、で表され
ここで：
Ａは、Ｌｉ、Ｎａ、またはＨなどの可動イオンを生成する元素であり、
Ｍは、金属であり、かつ
０≦ｘ≦１０、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１０であり、（０．５ｘ＋１＋０．５ｙ＋ｚ）≦ａ≦（０．５ｘ＋１＋０．５ｙ＋３．５ｚ）である。

特定の非限定的な実施形態において、Ａは、Ｌｉであり、Ｍは、Ｗであり、仕上げデバイスでは、ＣＥ層は、化学式：
Ｌｉ_ｘＮｉ^２＋ _{（１−ｙ）}Ｎｉ^３＋ _ｙＷ_ｚＯ_{（１＋０．５ｘ＋０．５ｙ＋３ｚ）}で表され、
ここで、１．５≦ｘ≦３、０．４≦ｙ≦０．９５、及び０．１５≦ｚ≦１である。

一実施形態では、ＣＥ層の厚さは、８０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内にある。

電解質層２０６は、電解質層を横切る電界が高い透過状態から低い透過状態に変化するとき、または逆に変化するとき、電解質層２０６を介してイオンが移動することを可能にする固体電解質を含む。一実施形態では、電解質層２０６は、セラミック電解質であってもよい。別の実施形態では、電解質層２０６は、ケイ酸塩系材料またはホウ酸塩系材料を含むことができる。電解質層２０６は、ケイ酸塩、ケイ酸アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸塩、ケイ酸ジルコニウム、ニオブ酸塩、ホウケイ酸塩、リンケイ酸塩、窒化物、フッ化アルミニウム、または他の好適なセラミック材料を含むことができる。ランタニド−遷移金属酸化物に基づく五酸化タンタル、またはガーネットまたはペロブスカイト材料のような他の好適なイオン伝導材料を使用することができる。別の他の実施形態では、形成されると、電解質層２０６は、可動イオンを含むことができる。したがって、上記のいずれかのリチウムドープまたはリチウム含有化合物を使用することができる。電解質層２０６は、少なくとも１対の隣接する層の間に反応生成物を含む交互または異なる材料を有する複数の層を含むことができる。さらなる実施形態では、電解質層２０６の屈折率及び厚さは、許容可能な可視光透過率を有するように選択され、電子電流は非常に低く保たれる。別の実施形態では、電解質層２０６は、低いかまたは顕著ではない電子伝導性（例えば、低い漏れ電流）を有する。電解質層２０６の厚さは、１０ｎｍ〜７０ｎｍの範囲内とすることができる。

透明導電性酸化物層２１０が、透明基板２００、透明導電性酸化物層２０２、電極層２０４、電解質層２０６、及び電極層２０８の上に重なる。透明導電性酸化物層２１０は、透明導電性酸化物層２０２に関して先に説明した材料のうちのいずれかを含むことができる。透明導電性酸化物層２１０は、透明導電性酸化物層２０２と比較して、同じ材料または異なる材料を含むことができる。透明導電性酸化物層２１０の厚さは、１５０ｎｍ〜６００ｎｍの範囲内である。

エレクトロクロミックスタック内の層は、物理蒸着、化学蒸着、原子層堆積、別の好適な技法、またはそれらの任意の組み合わせによって形成することができる。

方法は、さらに、図１のブロック１２２において、エレクトロクロミックスタック上の耐酸化層を形成することを含むことができる。耐酸化層は、後に形成されるバスバーのアニールまたは硬化、基板２００を所望の曲率または形状に曲げるための加熱、または別の目的で使用される熱サイクルの間、下地層を保護するのを助ける。エレクトロクロミックスタック内の１つ以上の層の性能は、熱サイクルによって悪影響を受ける可能性がある。特定の実施形態では、透明導電性酸化物層２０２及び２１０は、部分的に酸化されかつ完全に酸化されていない透明導電性酸化物を含むことができる。透明導電性酸化物が完全に酸化されると、透明導電性酸化物は十分な導電性を有さなくなり、完全に酸化された場合には過度に高い抵抗性または絶縁性になり得る。耐酸化層は、透明導電性酸化物層２０２、２１０、またはその両方が過度に酸化されるのを防ぐのを助ける。

図３は、透明導電性酸化物層２１０の上に耐酸化層３０２を形成した後のエレクトロクロミックデバイスの図解を含む。耐酸化層３０２は、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化チタン、窒化タングステン、窒化タンタル、窒化ケイ素チタン、窒化ケイ素タングステン、窒化ケイ素タンタルまたは他の金属窒化物などの窒化物を含むことができる。特定の実施形態では、耐酸化層３０２は、窒化ケイ素を含む。耐酸化層３０２の厚さは、可視光の十分な透過を提供するように選択される。一実施形態では、耐酸化層の厚さは、連続層を提供するために、少なくとも１０ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内であり、別の実施形態では、厚さは最大３００ｎｍまたは最大２５０ｎｍであり、厚さが厚いほど、層間剥離の原因となる圧縮応力が高くなりすぎることがある。特定の実施形態では、圧縮応力は、最大１ＧＰａであってもよい。特定の実施形態では、過度のストレスを引き起こすことなく十分な耐酸化性を有する連続層を形成することを可能にするために、厚さは５０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲である。

本方法は、図１のブロック１２４において、耐酸化層の上に中間屈折率を有する層を形成することをさらに含むことができる。耐酸化層３０２は、比較的高い屈折率を有することができ、耐酸化層３０２の主表面が空気または他のガスに曝露されると、屈折率の相対的な相違によって、高すぎる全反射を引き起こす。したがって、耐酸化層の屈折率と空気または他のガスの屈折率との中間の屈折率を有する層は、全反射を低減するのに役立ち得る。

図４は、耐酸化層３０２上に中間屈折率を有するキャッピング層４０２を形成した後のエレクトロクロミックデバイスの図解を含む。キャッピング層４０２は、絶縁層とすることができる。一実施形態では、キャッピング層４０２は、酸化ケイ素、または別の好適な酸化物などの酸化物を含むことができる。酸化物は、多孔質であっても多孔質でなくてもよい。例えば、酸化物粒子と有機粒子との混合物を適用することができ、その後の焼成中に有機粒子を焼失させて多孔性酸化物を残すことができる。

層４０２の厚さは、全反射に著しく影響を及ぼすのに十分に厚くすることができる。実際には、ＳｉＯ_２のスパッタリングは比較的遅いプロセスであるため、上限値は機器のスループットによって制限されることがある。実際の厚さに関して、特定の実施形態では、キャッピング層４０２は、少なくとも３０ｎｍ、少なくとも４０ｎｍ、または少なくとも５０ｎｍの厚さを有することができ、別の特定の実施形態では、キャッピング層４０２は、最大２００ｎｍ、最大１５０ｎｍ、または最大１５０ｎｍの厚さを有することができる。範囲に関して、キャッピング層４０２は、３０ｎｍ〜２００ｎｍ、４０〜１５０ｎｍ、または５０ｎｍ〜１２０ｎｍの範囲内の厚さを有することができる。

層３０２及び４０２は、物理蒸着、化学蒸着、原子層堆積、別の好適な技法、またはそれらの任意の組み合わせによって形成することができる。

この方法は、図１のブロック１４２において、バスバーが次に形成される領域でエレクトロクロミックスタックの部分を除去することを含むことができる。図４を参照すると、バスバーの一方は、図４の左側付近の透明導電性酸化物層２０２に電気的に接続され、他方のバスバーは、図４の右側付近の透明導電性酸化物層２０２に電気的に接続される。エレクトロクロミックスタックの部分の除去は、レーザアブレーションのようなアブレーション技法を使用して行われてもよく、またはエッチング技法を使用して除去されてもよい。図５に図解するように、層２０４、２０６、２０８、２１０、３０２、及び４０２は、透明導電性酸化物層２０２が曝露する開口部５０２及び５０４を画定するようにパターン化される。別の実施形態では、開口部５０４は、開口部５０２と比較して異なる深さまで延びることができる。例えば、開口部５０４は、透明導電性酸化物層２１０が開口部５０４内に曝露されている限り、様々な異なる深さまで延びることができる。一実施形態では、層３０２及び４０２はパターン化され、透明導電層２１０は開口部５０４の底部に沿って曝露される。別の実施形態では、開口部５０４は、基板２００が開口部５０４の底部に沿って曝露されるように、透明導電性酸化物層２０２を介して延ばすことができる。この明細書を読んだ後、当該業者は、特定の用途の必要性または要望を満たす開口部５０４の深さを決定することができる。

本方法は、図１のブロック１４４でバスバー前駆体を堆積させ、ブロック１４６において、バスバー前駆体を焼成してバスバーを形成することをさらに含むことができる。バスバー前駆体は、銀を含むことができ、したがってバスバーは銀を含むことができる。一実施形態では、バスバー前駆体は、銀ペーストであってもよい。耐酸化層３０２の使用は、銀含有フリットのより多くの選択及びより積極的な焼成条件を可能にする。例えば、より高い焼成温度を必要とする銀含有フリット、焼成中のより反応性の高い雰囲気、またはそれらの任意の組み合わせを使用することができる。透明導電性酸化物層２１０が酸化され過ぎる原因となる焼成条件によって、透明導電性酸化物層２１０が悪影響を受けるため、本明細書で特許請求された発明以前には、銀含有フリット及び焼成条件の選択に限界があった。例えば、銀含有フリットは、透明導電性酸化物層２１０に著しく悪影響を及ぼさないように、３９０℃未満の温度で焼成することができる。しかしながら、このような比較的低い温度での焼成は、透明導電性酸化物層２０２及び基板２００（例えば、鉱物ガラス材料）のようなバスバーと接触する下地材料へのバスバーの比較的高い抵抗率及び劣った接着性を提供する。

耐酸化層３０２は、積極的な焼成条件によって透明導電性酸化物層２１０が著しく悪影響を及ぼされる可能性を低減するのを助けることができる。したがって、より多様な銀含有フリット及び焼成条件を使用することができる。少なくとも３９０℃の焼成温度を使用することができ、抵抗率が低く、下地材料へのより良好な接着性を有するバスバーを提供することができる。

図６は、バスバー６０２及び６１０を形成した後の図解を含む。堆積及び焼成パラメータのいくつかは、焼成が行われた後のバスバー６０２及び６１０の所望の特性に依存し得る。バスバー６０２及び６１０は、最大８．０×１０^−６Ω＊ｃｍの抵抗率を有することができる。別の実施形態では、抵抗率は、最大６．０×１０^−６Ω＊ｃｍ、最大５．０×１０^−６Ω＊ｃｍ、最大４．０×１０^−６Ω＊ｃｍ、または最大３．０×１０^−６Ω＊ｃｍである。焼成温度は、より低い抵抗率を提供することができる。抵抗率は、化学ハンドブックに報告されているような純銀の抵抗率よりも高くなるため、抵抗率は１．５９×１０^−８Ω＊ｃｍより大きい。バスバー６０２及び６１０の厚さは、抵抗率と関連して、シート抵抗率に影響を与える。一実施形態では、バスバー６０２及び６１０の厚さは、少なくとも２ミクロン、少なくとも７ミクロン、または少なくとも１２ミクロンであり得る。知られていない理論上の上限はあるが、最大厚さは用途に依存することがある。別の実施形態では、厚さは最大８０ミクロン、最大６０ミクロン、または最大４０ミクロンであり得る。多くの用途では、バスバー６０２及び６１０の厚さは、１２ミクロン〜４０ミクロンの範囲内にある。この明細書を読んだ後、当業者はバスバー６０２及び６１０の必要または所望の電気特性を提供するために厚さを決定することができる。

バスバー前駆体は、印刷、シルクスクリーンなどによって堆積させることができる。バスバー前駆体は、バスバー前駆体が焼成された後にバスバー６０２及び６１０の所望の厚さを達成するのに十分な厚さを有することができる。バスバー前駆体の厚さは、溶媒、樹脂、または前駆体内の他の有機または揮発性成分の量に依存し得る。バスバー前駆体は、焼成後にバスバー６０２及び６１０の厚さの１．１倍〜４倍の厚さに堆積させることができる。非限定的な例として、バスバー６０２〜６１０が２０ミクロンの焼成後の厚さを有する場合、バスバー前駆体は、２２ミクロン〜８０ミクロンの範囲の厚さに堆積することができる。

バスバー前駆体は、バスバー６０２及び６１０を形成するために焼成することができる。焼成は、１つ以上の温度で行うことができる。一実施形態では、バスバー前駆体内に溶媒、樹脂、または他の有機材料が存在する場合、基板２００を約１００℃〜３５０℃の範囲内の温度に加熱して、溶媒を蒸発させ、樹脂を焼失させ、任意の他の有機材料、またはそれらの任意の組み合わせを揮発させることができる。基板２００の温度を焼結温度まで上昇させて、バスバー前駆体中の銀系のフリットを焼結させる。基板２００の温度は、少なくとも３９０℃、少なくとも４００℃、少なくとも４２５℃、少なくとも４５０℃、または少なくとも４７５℃であり得る。バスバー６０２及び６１０の抵抗率を下げることができ、今や焼結のためにより高い温度を使用できるので、下地材料への接着性を高めることができる。焼成中の耐酸化層３０２の存在は、焼成中に透明導電性酸化物層２１０が著しく悪影響を受ける可能性を低減するのに役立つ。したがって、焼成中に様々な周囲環境を使用することができる。一実施形態では、焼成は不活性ガス（Ｎ_２、Ａｒなど）中で行うことができ、または不活性ガスと酸化ガス（Ｏ_２、Ｎ_２Ｏなど）の組み合わせを含むことができる。特定の実施形態では、雰囲気は、空気を含む。別の実施形態では、焼成は、不活性ガスを含まない酸化性ガス中で行うことができる。焼結部分の間の時間は、２分〜１２０分の範囲であり得る。特定の時間は、銀系のフリットの組成に依存することがあり、したがって、商業的供給者は、焼成の焼結部分に推奨される時間範囲を提供することができる。

一実施形態では、前述のような焼成は、個別の操作として行われてもよく、または別の目的のために行われる熱サイクル中に起こってもよい。したがって、焼成が行われるタイミングは柔軟性があり、ユーザーが焼成を既存のプロセスフローに統合する際のさらなる余裕を可能にする。さらに、焼成操作の異なる部分は、プロセスフローの異なるポイントで行われてもよい。例えば、バスバー前駆体から溶媒を蒸発させ、樹脂を焼失させ、他の有機材料を揮発させるか、またはそれらの任意の組み合わせを１回の熱サイクル中に行うことができ、もしくは異なる熱サイクル中に焼結を行うことができる。必要であれば、または所望であれば、異なる熱サイクル間で１つ以上の他のプロセス操作を行うことができる。

方法は、さらに、図１のブロック１６２において、仕上げ操作を行うことを含むことができる。特定の仕上げ操作は、特定の用途に依存してもよい。図７に図解するように、開口部７０２で層２１０、３０２及び４０２の一部が除去され、その結果、バスバー６０２は、透明導電性酸化物層２１０のほとんどに電気的に接続されない。したがって、バスバー６０２は、透明導電性酸化物層２０２の主な接続部であり、バスバー６１０は、透明導電性酸化物層２１０の主な接続部である。このプロセスのこの時点で、エレクトロクロミックデバイス７００が形成される。別の実施形態（図解せず）では、バスバー６０２は、図５に図解するように、開口部５０２内のスタックの側面に接触しないように形成される。この実施形態では、層２１０、３０２、及び４０２の部分の除去は不要である。

さらなる実施形態では、エレクトロクロミックデバイス７００は、車両の窓の少なくとも一部であり得る。車両用途では、エレクトロクロミックデバイス７００は、車両の本体形状に適合するように曲げられてもよく、またはそうでなければ成形されてもよい。エレクトロクロミックデバイスを曲げるかまたはそうでなければ成形するための温度は、少なくとも６００℃の温度であり得る。特定の実施形態では、温度は６００℃〜７００℃の範囲内である。熱は局所的に加えられてもよい。耐酸化層３０２は、曲げ中またはそうでなければ成形中に透明導電性酸化物層２１０に著しく悪影響を与える可能性を低減するのを助けることができる。バスバーを形成するための焼成の焼結部分は、エレクトロクロミックデバイスを曲げるために使用される熱サイクルの間に起こり得る。

一実施形態では、図８に図解するように、絶縁ガラスユニット８００を形成することができる。エレクトロクロミックデバイス７００は、可視光に対して透明な対向基板８０２に連結することができる。対向基板８０２は、焼戻しガラスまたは強化ガラスを含むことができる。特定の実施形態では、エレクトロクロミックデバイス７００と対向基板８０２との間に接着剤（図示せず）を使用することができる。絶縁ガラスユニット８００は、ガラスパネル８０４、スペーサ８２２、及びシール材料８２４をさらに含むことができる。対向基板８０２と同様に、ガラスパネル８０４は、焼戻しガラスまたは強化ガラスを含むことができる。さらに、ガラスパネル８０４は、基板２００に関して先に説明した太陽光制御層と同様の太陽光制御層を含むことができる積層体の一部であってもよい。絶縁ガラスユニットは、ガラスパネル８０４ではなく、基板２００内に太陽光制御層を含むことができ、ガラスパネル８０４内またはそこに取り付けられた太陽光制御層、または基板２００の各々を有し、ガラスパネル８０４内に、またはそこに取り付けられた、太陽光制御層を使用することができる。この最後の代替案では、太陽光制御層は、異なる機能を果たすことができる。例えば、建物の外側により近い太陽光制御層は、近赤外線を排除するのに役立ち、建物の内側により近い太陽光制御層は、低放射率材料を含むか、または紫外線を排除するのを助ける。シール動作中、アルゴン、Ｎ_２などの不活性ガスをギャップ８０６に充填してもよい。

任意選択で、エレクトロクロミックデバイス７００を形成した後、エレクトロクロミックデバイス７００を、応力を低減するため、または別の目的のためにアニールしてもよい。アニールは、焼成とは別個に行うことができる。別の実施形態では、焼成の焼結部分をアニール操作と結合することができる。耐酸化層３０２は、透明導電性酸化物層２１０に著しい悪影響を与えることなく、アニールのためのより高い温度、空気のような酸化雰囲気、または両方を使用することを可能にする。アニールは、１００℃〜６００℃の範囲の温度で行うことができる。

実施形態は、従来のエレクトロクロミックデバイスと比較して利点を提供することができる。バスバーの焼成の焼結部分の中のより高い温度は、より多くの銀系のフリットを使用することを可能にする。本発明の前に、焼成中の温度は、透明導電性酸化物層２１０が過度に酸化しないように制限される。焼成温度が上昇するにつれて、透明導電性酸化物に大きな影響を及ぼす可能性が増加する。焼成中に酸化雰囲気が使用されると、透明導電性酸化物が過度に酸化され、バスバーが過度に抵抗性になることがある。今や、３９０℃未満の温度で十分に焼結しない銀系のフリットを使用できるようになる。このような銀系のフリットは、同じ焼結温度を使用しても、３９０℃未満の温度で焼結するように設計された銀系のフリットよりも低い抵抗率を提供することができる。

焼結中により高い温度を使用することができることにより、下地材料とのバスバーのより良好な接着が可能になる。バスバーは、エレクトロクロミックスタック及び基板内の層に接触してもよい。図解の実施形態では、バスバー６０２及び６１０は、エレクトロクロミックスタックから離れた領域で、透明導電性酸化物層２０２及び基板２００と接触する。特定の実施形態では、透明導電性酸化物層２０２は、透明導電性酸化物であり、バスバー６０２及び６１０に接触する基板２００の表面は、ＳｉＯ_２を含む鉱物ガラスであり得る。ＡＳＴＭ Ｂ９０５−００（再承認）２０１０を使用してＳｉＯ_２への接着性を試験することができる。ＡＳＴＭ規格の方法Ａを使用する実施形態において、ＳｉＯ_２に対する平均接着強度は、２０回の測定に基づいて少なくとも３Ｎ、少なくとも５Ｎ、または少なくとも７Ｎである。問題となる接着の理論上の限界はないが、平均接着強度（方法Ａ）は、１０００Ｎ未満であってもよい。非常に良好な接着強度は、少なくとも１５Ｎと考えることができる。問題となる接着の理論上の限界はないが、平均接着強度（方法Ａ）は、１０００Ｎ未満であってもよい。非常に良好な接着強度は、少なくとも１５Ｎと考えることができる。ＡＳＴＭ規格の方法Ｂを使用する実施形態では、ＳｉＯ_２に対する平均接着強度は、２０回の測定に基づいて少なくとも３回または少なくとも４回である。

多くの異なる態様及び実施形態が可能である。それらの態様及び実施形態のいくつかを以下に説明する。本明細書を読めば、当業者は、それらの態様及び実施形態が単に例証的なものであり、本発明の範囲を限定しないことを認識するであろう。例示的実施形態は、下記に列挙されるもののうちの任意の１つ以上に従い得る。

実施形態１．エレクトロクロミックデバイスであって、
基板と、
基板上の第１の透明導電性酸化物層と、
基板上の第１のバスバーであって、銀を含み、
最大８．０×１０^−６Ω＊ｃｍの抵抗率と、
ＡＳＴＭ Ｂ９０５−００（２０１０年再承認）の方法Ａによって決定される、２０回の測定に基づいて少なくとも３ＮのＳｉＯ_２に対する平均接着強度と
ＡＳＴＭ Ｂ９０５−００（２０１０年再承認）の方法Ｂによって決定される、２０回の測定に基づいて少なくとも３のＳｉＯ_２に対する平均接着強度と、
またはそれらの組み合わせと、を有する、第１のバスバーと、を備える、エレクトロクロミックデバイス。

実施形態２．（１）基板と第１の透明導電性酸化物層との間または（２）第１の透明導電性酸化物層上の耐酸化層をさらに含む、実施形態１に記載のエレクトロクロミックデバイス。

実施形態３．エレクトロクロミックデバイスを形成するプロセスであって、
基板上に第１の透明導電性酸化物層を形成することと、
基板上にバスバー前駆体を形成することであって、バスバー前駆体が銀を含む、形成することと、
第１のバスバーが、少なくとも３９０℃の温度になるように焼成することと、を含む方法。

実施形態４．前記耐酸化層が、（１）基板と前第１の透明導電性酸化物層との間または（２）第１の透明導電性酸化物層の上にあるように、耐酸化層を形成することをさらに含む、実施形態３に記載のプロセス。

実施形態５．耐酸化層を形成することが、スパッタ堆積技法で行われる、実施形態３または４に記載のプロセス。

実施形態６．バスバー前駆体を焼成することが、第１のバスバーが４００℃超、少なくとも４２５℃、少なくとも４５０℃、少なくとも４７５℃の温度になるように行われる、実施形態３〜５のうちのいずれか１つに記載のプロセス。

実施形態７．バスバー前駆体を基板上に形成した後、及びバスバー前駆体を焼成する前に、バスバー前駆体から有機材料を除去することをさらに含む、実施形態３〜６のうちのいずれか１つに記載のプロセス。

実施形態８．有機材料を除去することが、最大３５０℃、最大３２５℃、または最大３００℃の温度で行われる、実施形態７に記載のプロセス。

実施形態９．バスバー前駆体を焼成することが、第１の透明導電性酸化物層を形成した後に行われる、実施形態２〜８のうちのいずれか１つに記載のプロセス。

実施形態１０．バスバー前駆体を焼成した後に、エレクトロクロミックデバイスを成形することをさらに含み、曲げが、少なくとも６００℃の温度で行われる、実施形態２〜９のうちのいずれか１つに記載のプロセス。

実施形態１１．耐酸化層が、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化チタン、窒化タングステン、窒化タンタル、窒化ケイ素チタン、窒化ケイ素タングステン、または窒化ケイ素タンタルを含む、実施形態２及び４〜９のうちのいずれか１つに記載のエレクトロクロミックデバイスまたはそのプロセス。

実施形態１２．第１のバスバーが、最大６．０×１０^−６Ω＊ｃｍ、最大５．０×１０^−６Ω＊ｃｍ、最大４．０×１０^−６Ω＊ｃｍ、または最大３．０×１０^−６Ω＊ｃｍの抵抗率を有する、実施形態１〜１１のうちのいずれか１つに記載のエレクトロクロミックデバイスまたはそのプロセス。

実施形態１３．第１のバスバーが、１．５９×１０^−８Ω＊ｃｍを超える抵抗率を有する、実施形態１〜１２のうちのいずれか１つに記載のエレクトロクロミックデバイスまたはそのプロセス。

実施形態１４．第１のバスバーが、ＡＳＴＭ Ｂ９０５−００（２０１０年再承認）の方法Ａによって決定される２０回の測定に基づいて、少なくとも３Ｎ、少なくとも５Ｎまたは少なくとも７ＮのＳｉＯ_２に対する平均接着強度を有する、実施形態１〜１３のうちのいずれか１つに記載のエレクトロクロミックデバイスまたはそのプロセス。

実施形態１５．第１のバスバーが、ＡＳＴＭ Ｂ９０５−００（２０１０年再承認）の方法Ｂによって決定される少なくとも３または少なくとも４の分類を有する、実施形態１〜１４のうちのいずれか１つに記載のエレクトロクロミックデバイスまたはそのプロセス。

実施形態１６．第１のバスバーが、ＡＳＴＭ Ｂ９０５−００（２０１０年再承認）の方法Ａに決定される２０回の測定に基づいて、最大１０００ＮのＳｉＯ_２に対する平均接着強度を有する、実施形態１〜１５のうちのいずれか１つに記載のエレクトロクロミックデバイスまたはそのプロセス。

実施形態１７．第１の透明導電性酸化物層が、ドープされた金属酸化物を含む、実施形態１〜１６のうちのいずれか１つに記載のエレクトロクロミックデバイスまたはそのプロセス。

実施形態１８．ドープされた金属酸化物が、第１３族元素でドープされた酸化スズ、第１３族元素でドープされた酸化亜鉛、またはそれらの任意の組み合わせを含む、実施形態１〜１７のうちのいずれか１つに記載のエレクトロクロミックデバイスまたはそのプロセス。

実施形態１９．エレクトロクロミック電極または対向電極である第１の電極と、
エレクトロクロミック電極または対向電極の他方である第２の電極と、
第１の電極と第２の電極との間に配置されたセラミック電解質層と、を備え、
第１の電極よりも第２電極の近くにある第２の透明導電性酸化物層と、
第１の透明導電性酸化物層は、第２の電極よりも第１の電極の近くにある、実施形態１〜１８のうちのいずれか１つに記載のエレクトロクロミックデバイスまたはそのプロセス。

実施形態２０．第２のバスバーをさらに備え、第１のバスバーが、第１の透明導電性酸化物層と電気的に接続され、第２のバスバーが、第２の透明導電性酸化物層と電気的に接続される、実施形態１９に記載のエレクトロクロミックデバイスまたはそのプロセス。

実施形態２１．耐酸化層の上にある絶縁層をさらに備え、絶縁層が、酸化物を含む、実施形態１〜２０のうちのいずれか１つに記載のエレクトロクロミックデバイスまたはそのプロセス。

実施形態２２．絶縁層が、ＳｉＯ_２を含む、実施形態２１に記載のエレクトロクロミックデバイスまたはそのプロセス。

実施形態２３．基板が、最大１重量％のアルカリ金属酸化物を含む、実施形態１〜２２のうちのいずれか１つに記載のエレクトロクロミックデバイスまたはそのプロセス。

実施形態２４．基板が鉱物ガラス層を含む、実施形態２２に記載のエレクトロクロミックデバイスまたはそのプロセス。

実施形態２５．鉱物ガラス層が、最大３００ミクロンの厚さを有する、実施形態２４に記載のエレクトロクロミックデバイスまたはそのプロセス。

実施形態２６．基板が可撓性である、実施形態１〜２５のうちのいずれか１つに記載のエレクトロクロミックデバイスまたはそのプロセス。

概要または実施例にて上記に説明される行為の全てが必要とされるわけではないこと、特定の行為のうちの一部は必要とされない場合があること、また１つ以上のさらなる行為が説明されるものに加えて実施される場合があることに留意されたい。またさらに、行為が列挙される順序は、必ずしもそれらが行われる順序ではない。

明瞭にするために、別個の実施形態の文脈において本明細書に記載される特定の特徴は、単一の実施形態において組み合わせて提供されてもよい。逆に、簡潔さのために、単一の実施形態の文脈において説明される様々な特徴はまた、別個にまたは任意の副組み合わせで提供されてもよい。さらに、範囲内に述べられている値への言及は、その範囲内各々かつ全ての値を含む。

利益、他の利点、及び問題の解決策が、特定の実施形態に関して上記に説明されてきた。しかしながら、任意の利益、利点、または解決策を生じさせるか、またはより明白にさせることができる利益、利点、問題の解決策、及び任意の特徴（複数可）は、特許請求の範囲のうちのいずれかまたは全ての決定的な、必須の、または本質的な特徴と解釈されるべきではない。

本明細書に説明される実施形態の明細書及び図解は、様々な実施形態の構造の一般的な理解を提供することを意図される。明細書及び図解は、本明細書に説明される構造または方法を使用する装置及びシステムの要素及び特徴の全ての徹底的及び包括的説明として機能することを意図されない。別個の実施形態はまた、単一の実施形態において組み合わせて提供されてもよく、逆に、簡潔さのために単一の実施形態の文脈において説明される様々な特徴はまた、別個にまたは任意の副組み合わせで提供されてもよい。さらに、範囲内に述べられている値への言及は、その範囲内の各々かつ全ての値を含む。多数の他の実施形態は、本明細書を単に読んだ後に当業者に明らかとなり得る。他の実施形態は、構造的置換、論理的置換、または別の変更が本開示の範囲から逸脱することなくなされ得るように、本開示から使用及び派生され得る。したがって、本開示は、制限的であるよりもむしろ例証的であるとみなされるべきである。

Claims (15)

1. エレクトロクロミックデバイスであって、
   基板と、
   前記基板上の第１の透明導電性酸化物層と、
   前記基板上の第１のバスバーであって、前記第１のバスバーが銀を含み、
   最大８．０×１０^−６Ω＊ｃｍの抵抗率、
   ＡＳＴＭ Ｂ９０５−００（２０１０年再承認）の方法Ａによって決定される、２０回の測定に基づいて少なくとも３ＮのＳｉＯ_２に対する平均接着強度、
   ＡＳＴＭ Ｂ９０５−００（２０１０年再承認）の方法Ｂによって決定される、２０回の測定に基づいて少なくとも３のＳｉＯ_２に対する平均接着強度、または
   それらの組み合わせを有する、第１のバスバーと、を備える、エレクトロクロミックデバイス。
2. 前記第１のバスバーが、最大６．０×１０^−６Ω＊ｃｍ、最大５．０×１０^−６Ω＊ｃｍ、最大４．０×１０^−６Ω＊ｃｍ、最大３．０×１０^−６Ω＊ｃｍの抵抗率を有する、請求項１に記載のエレクトロクロミックデバイス。
3. 前記第１のバスバーが、ＡＳＴＭ Ｂ９０５−００（２０１０年再承認）の方法Ａによって決定される、２０回の測定に基づいて、少なくとも５Ｎまたは少なくとも７ＮのＳｉＯ_２に対する平均接着強度を有する、請求項１に記載のエレクトロクロミックデバイス。
4. 前記第１のバスバーが、ＡＳＴＭ Ｂ９０５−００（２０１０年再承認）の方法Ｂによって決定される、少なくとも４の分類を有する、請求項１に記載のエレクトロクロミックデバイス。
5. 前記第１の透明導電性酸化物層が、ドープされた金属酸化物を含む、請求項１に記載のエレクトロクロミックデバイス。
6. 前記ドープされた金属酸化物が、第１３族元素でドープされた酸化スズ、第１３族元素でドープされた酸化亜鉛、またはそれらの任意の組み合わせを含む、請求項５に記載のエレクトロクロミックデバイス。
7. エレクトロクロミック電極または対向電極である第１の電極と、
   前記エレクトロクロミック電極または対向電極の他方である第２の電極と、
   前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置されたセラミック電解質層と、
   前記第１の電極よりも前記第２の電極の近くにある第２の透明導電性酸化物層と、をさらに備え、
   前記第１の透明導電性酸化物層が、前記第２の電極よりも前記第１の電極の近くにある、請求項１に記載のエレクトロクロミックデバイス。
8. 耐酸化層の上にある絶縁層をさらに備え、前記絶縁層が酸化物を含む、請求項１に記載のエレクトロクロミックデバイス。
9. さらに前記絶縁層が、ＳｉＯ_２を含む、請求項８に記載のエレクトロクロミックデバイス。
10. 前記基板が、可撓性である、請求項１に記載のエレクトロクロミックデバイス。
11. （１）前記基板と前記第１の透明導電性酸化物層との間、または（２）前記第１の透明導電性酸化物層上に、耐酸化層をさらに含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
12. 前記耐酸化層が、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化チタン、窒化タングステン、窒化タンタル、窒化ケイ素チタン、窒化ケイ素タングステン、または窒化ケイ素タンタルを含む、請求項１１に記載のエレクトロクロミックデバイス。
13. エレクトロクロミックデバイスを形成するプロセスであって、
    基板上に第１の透明導電性酸化物層を形成することと、
    前記基板上にバスバー前駆体を形成することであって、前記バスバー前駆体が銀を含む、形成することと、
    前記バスバー前駆体を焼成して第１のバスバーを形成することであって、焼成は、前記第１のバスバーが少なくとも３９０℃の温度になるように行われる、形成することと、を含む、プロセス。
14. 耐酸化層が、（１）前記基板と前記第１の透明導電性酸化物層との間、または（２）前記第１の透明導電性酸化物層上にあるように、前記耐酸化層を形成することをさらに含む、請求項１３に記載のプロセス。
15. 前記バスバー前駆体を焼成することが、前記第１のバスバーが、４００℃超、少なくとも４２５℃、少なくとも４５０℃、または少なくとも４７５℃の温度になるように行われる、請求項１３または１４に記載のプロセス。