JP2019511130A - レーザディスク用のインピンジメント冷却装置および対応するレーザディスクモジュール - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (17)
- レーザディスク(2)用のインピンジメント冷却装置(1)であって、
前記レーザディスク(2)が取付け可能である表面(3a)を有する、特にディスク状の支持プレート(3)と、
該支持プレート(3)の裏面(3b)が取り付けられている表面を有する支持構造体(4)と、
前記支持プレート(3)を冷却液(13)によって冷却するためのインピンジメント冷却部(14)と
を有し、
前記支持構造体(4)は、複数の冷却液供給管路(11)と複数の冷却液戻し管路(12)とを有し、前記冷却液(13)は、前記支持プレート(3)の前記裏面(3b)に向かって、特に前記支持プレート(3)の前記裏面(3b)に対して直角に前記冷却液供給管路(11)から流出する、
レーザディスク(2)用のインピンジメント冷却装置(1)において、
前記供給管路(11)と前記戻し管路(12)とは、前記支持構造体(4)の長手方向に互いに平行に延びており、
前記支持構造体(4)は、前記支持プレート(3)の前記裏面(3b)に隣接した領域に複数の空所(8)を有するか、または前記支持プレート(3)の前記裏面(3b)は、前記支持構造体(4)に向かって開放した複数の空所(8’)を有し、前記冷却液供給管路(11)は、前記複数の空所(8;8’)に開口しており、前記冷却液戻し管路(12)は、前記複数の空所(8;8’)から分岐している
ことを特徴とする、レーザディスク(2)用のインピンジメント冷却装置(1)。 - 前記支持構造体(4)の前記空所(8)は、前記支持プレート(3)の前記裏面(3b)に向かって開放していることを特徴とする、請求項1記載のインピンジメント冷却装置。
- 前記支持構造体(4)の前記空所(8)は、前記支持プレート(3)の前記裏面(3b)に対して閉鎖されていることを特徴とする、請求項1記載のインピンジメント冷却装置。
- 前記支持プレート(3)は、ダイヤモンド材料から形成されていて、特に最大5mm、好適には最大3mm、特に好適には最大2mmの厚さを有することを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項記載のインピンジメント冷却装置。
- 前記支持プレート(3)の前記裏面(3b)は、前記空所(8)を有する分配プレート(5)の表面(5a)に取り付けられており、前記分配プレート(5)の裏面(5b)が、前記供給管路(11)と前記戻し管路(12)とを有する支持体(7)に取り付けられていることを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項記載のインピンジメント冷却装置。
- 前記分配プレート(5)の前記空所(8)は、前記支持プレート(3)の前記裏面(3b)に向かって開放していて、特に貫通開口として前記分配プレート(5)の前記表面(5a)から前記裏面(5b)にまで延びており、前記冷却液(13)は、前記支持プレート(3)の前記裏面(3b)に衝突することを特徴とする、請求項5記載のインピンジメント冷却装置。
- 前記分配プレート(5)の前記空所(8)は、前記支持プレート(3)の前記裏面(3b)に対して前記分配プレート(5)の底部(17)によって閉鎖されており、前記冷却液(13)は、前記分配プレート(5)の前記底部(17)に衝突することを特徴とする、請求項5記載のインピンジメント冷却装置。
- 前記支持体(7)は、セラミックスまたは超硬合金から形成されていて、特に少なくとも0.5cmの厚さ、好適には0.5cm〜10cmの厚さを有することを特徴とする、請求項5から7までのいずれか1項記載のインピンジメント冷却装置。
- 前記分配プレート(5)と前記支持体(7)との間にノズルプレート(6)が配置されており、該ノズルプレート(6)は、前記支持体(7)の前記供給管路(11)をそれぞれ前記分配プレート(5)の前記空所(8)に接続しかつ前記支持プレート(3)の前記裏面(3b)に向かって、特に前記支持プレート(3)の前記裏面(3b)に対して直角に方向設定された複数のノズル開口(9)と、前記分配プレート(5)の前記空所(8)を前記戻し管路(12)に接続する複数の貫通開口(10)とを有することを特徴とする、請求項5から8までのいずれか1項記載のインピンジメント冷却装置。
- 前記分配プレート(5)および/または前記ノズルプレート(6)は、ダイヤモンド材料、セラミックスまたは超硬合金から形成されていて、特に少なくとも0.3mm、好適には少なくとも0.5mmの厚さを有することを特徴とする、請求項5から9までのいずれか1項記載のインピンジメント冷却装置。
- 前記支持プレート(3)の前記裏面(3b)は、前記空所(8’)を有し、前記供給管路(11)と前記戻し管路(12)とを有する支持体(7)の表面(7a)に取り付けられていることを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項記載のインピンジメント冷却装置。
- 前記支持体(7)は、セラミックスまたは超硬合金から形成されていて、特に少なくとも0.5cmの厚さ、好適には0.5cm〜10cmの厚さを有することを特徴とする、請求項11記載のインピンジメント冷却装置。
- 前記供給管路(11)と前記戻し管路(12)とは、前記支持体(7)に設けた複数の貫通通路によって形成されていることを特徴とする、請求項5から12までのいずれか1項記載のインピンジメント冷却装置。
- 前記支持体(7)において、前記供給管路(11)は、それぞれ該支持体(7)の貫通通路(15)内に配置された別体の管(14)によって形成されていて、前記戻し管路(12)は、前記支持体(7)において、それぞれ貫通通路(15)と管(14)との間に存在するギャップ(16)によって形成されており、または逆に、前記支持体(7)において、前記戻し管路(12)は、それぞれ該支持体(7)の貫通通路(15)内に配置された別体の管(14)によって形成されていて、前記供給管路(11)は、前記支持体(7)において、それぞれ貫通通路(15)と管(14)との間に存在するギャップ(16)によって形成されていることを特徴とする、請求項5から13までのいずれか1項記載のインピンジメント冷却装置。
- 前記支持プレート(3)および前記支持構造体(4)および/または前記支持構造体(4)の個々の構成要素(5〜7)は、それぞれ互いにろう接されているか、接着されているか、焼結されているか、または接合されていることを特徴とする、請求項1から14までのいずれか1項記載のインピンジメント冷却装置。
- 前記供給管路(11)の各々は、複数の戻し管路(12)によって取り囲まれており、該複数の戻し管路(12)は、該複数の戻し管路(12)により取り囲まれた前記供給管路(11)が開口する前記分配プレート(5)の空所(8;8’)から分岐していることを特徴とする、請求項1から15までのいずれか1項記載のインピンジメント冷却装置。
- 請求項1から16までのいずれか1項記載のインピンジメント冷却装置(1)と、該インピンジメント冷却装置(1)の支持プレート(3)の表面(3a)に取り付けられたレーザディスク(2)とを備えるレーザディスクモジュール(20)。
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WO2019158215A1 (de) * | 2018-02-19 | 2019-08-22 | Trumpf Lasersystems For Semiconductor Manufacturing Gmbh | Faraday-rotator, optischer isolator, treiberlaseranordnung und euv-strahlungserzeugungsvorrichtung |
CN110010572B (zh) * | 2018-12-29 | 2021-04-06 | 浙江集迈科微电子有限公司 | 用于系统级大功率模组的大流量液冷散热器及其制作方法 |
JP7341673B2 (ja) * | 2019-02-27 | 2023-09-11 | 三菱重工業株式会社 | レーザ装置 |
CN111158621B (zh) * | 2019-12-27 | 2021-10-22 | 联想(北京)有限公司 | 屏幕控制方法和电子设备 |
CN111682395A (zh) * | 2020-05-06 | 2020-09-18 | 深圳技术大学 | 一种固体激光介质冷却结构及半导体泵浦固体激光器 |
CN112332210B (zh) * | 2020-11-02 | 2022-01-25 | 北京工业大学 | 一种基于衬底散热的vcsel阵列芯片封装结构 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005142242A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Japan Science & Technology Agency | 固体レーザー装置 |
CN103219645A (zh) * | 2013-04-02 | 2013-07-24 | 深圳市大族激光科技股份有限公司 | 薄片激光器增益介质的冷却装置及激光器 |
JP2015515124A (ja) * | 2012-03-02 | 2015-05-21 | ロゴス テクノロジーズ, エルエルシー.Logos Technologies, Llc. | ディスクレーザを冷却するシステム及び方法 |
CN105305206A (zh) * | 2015-11-03 | 2016-02-03 | 华中科技大学 | 一种适用于碟片激光器射流冲击冷却系统的热沉 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US297469A (en) | 1884-04-22 | stickney | ||
IL67142A0 (en) * | 1982-11-01 | 1983-03-31 | Metalworking Lasers Int Ltd | Cooled mirror and method of cooling same particularly useful in lasers |
US6339605B1 (en) | 2000-02-16 | 2002-01-15 | The Boeing Company | Active mirror amplifier system and method for a high-average power laser system |
DE10061424A1 (de) | 2000-12-09 | 2002-06-13 | Haas Laser Gmbh & Co Kg | Laserverstärkersystem |
US7075959B1 (en) * | 2003-11-14 | 2006-07-11 | Hamilton Sundstrand Corporation | Cooling device for diode pumped laser |
US20060083276A1 (en) | 2004-09-28 | 2006-04-20 | Snake Creek Lasers, Llc. | Cryogenically cooled solid state lasers |
US7255153B2 (en) * | 2005-05-25 | 2007-08-14 | International Business Machines Corporation | High performance integrated MLC cooling device for high power density ICS and method for manufacturing |
US7656915B2 (en) * | 2006-07-26 | 2010-02-02 | Northrop Grumman Space & Missions Systems Corp. | Microchannel cooler for high efficiency laser diode heat extraction |
ES2927645T3 (es) | 2009-04-14 | 2022-11-08 | Airdar Inc | Sistema de medición de emisiones y cuantificación de fuentes emisoras |
RU2517963C1 (ru) | 2010-04-19 | 2014-06-10 | Хуачжун Юниверсити Оф Сайенс Энд Текнолоджи | Твердотельный лазер дисковидной формы |
US8659896B2 (en) * | 2010-09-13 | 2014-02-25 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Cooling apparatuses and power electronics modules |
US9612060B2 (en) * | 2010-12-07 | 2017-04-04 | Intel Corporation | Direct air impingement cooling of package structures |
US8908737B2 (en) * | 2011-04-04 | 2014-12-09 | Coherent, Inc. | Transition-metal-doped thin-disk laser |
US9484283B2 (en) * | 2013-01-04 | 2016-11-01 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America Inc. | Modular jet impingement cooling apparatuses with exchangeable jet plates |
DE102013211977B3 (de) * | 2013-06-25 | 2014-10-09 | Trumpf Laser Gmbh + Co. Kg | Festkörperlaseranordnung |
US9131631B2 (en) * | 2013-08-08 | 2015-09-08 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Jet impingement cooling apparatuses having enhanced heat transfer assemblies |
DE102016205638B4 (de) * | 2016-04-05 | 2019-05-09 | Trumpf Laser Gmbh | Prallkühlvorrichtung für eine Laserscheibe und zugehöriges Laserscheibenmodul |
-
2016
- 2016-04-05 DE DE102016205638.7A patent/DE102016205638B4/de active Active
-
2017
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- 2017-03-23 KR KR1020187031676A patent/KR102291295B1/ko active IP Right Grant
- 2017-03-23 CN CN201780021959.5A patent/CN109075520A/zh active Pending
- 2017-03-23 WO PCT/EP2017/056992 patent/WO2017174369A1/de active Application Filing
- 2017-03-23 EP EP17713274.3A patent/EP3440748A1/de not_active Withdrawn
-
2018
- 2018-10-01 US US16/148,269 patent/US10727639B2/en active Active
-
2020
- 2020-07-22 US US16/935,373 patent/US11362475B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005142242A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Japan Science & Technology Agency | 固体レーザー装置 |
JP2015515124A (ja) * | 2012-03-02 | 2015-05-21 | ロゴス テクノロジーズ, エルエルシー.Logos Technologies, Llc. | ディスクレーザを冷却するシステム及び方法 |
CN103219645A (zh) * | 2013-04-02 | 2013-07-24 | 深圳市大族激光科技股份有限公司 | 薄片激光器增益介质的冷却装置及激光器 |
CN105305206A (zh) * | 2015-11-03 | 2016-02-03 | 华中科技大学 | 一种适用于碟片激光器射流冲击冷却系统的热沉 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10727639B2 (en) | 2020-07-28 |
CN109075520A (zh) | 2018-12-21 |
JP6835870B2 (ja) | 2021-02-24 |
EP3440748A1 (de) | 2019-02-13 |
KR102291295B1 (ko) | 2021-08-20 |
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