JP2019511130A - レーザディスク用のインピンジメント冷却装置および対応するレーザディスクモジュール - Google Patents

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Abstract

レーザディスク(2)用のインピンジメント冷却装置(1)であって、レーザディスク(2)が取付け可能である表面(3a)を有する、特にディスク状の支持プレート(3)と、この支持プレート(3)の裏面(3b)が取り付けられている表面を有する支持構造体(4)と、支持プレート(3)を冷却液(13)によって冷却するためのインピンジメント冷却部(14)とを有し、支持構造体(4)が、複数の冷却液供給管路(11)と複数の冷却液戻し管路(12)とを有し、冷却液(13)が、支持プレート(3)の裏面(3b)に向かって、特に支持プレート(3)の裏面(3b)に対して直角に冷却液供給管路(11)から流出する、レーザディスク(2)用のインピンジメント冷却装置(1)において、本発明によれば、供給管路(11)と戻し管路(12)とが、支持構造体(4)の長手方向に互いに平行に延びており、支持構造体(4)が、支持プレート(3)の裏面(3b)に隣接した領域に複数の空所(8)を有するか、または支持プレート(3)の裏面(3b)が、支持構造体(4)に向かって開放した複数の空所(8’)を有し、冷却液供給管路(11)が、複数の空所(8;8’)に開口しており、冷却液戻し管路(12)が、複数の空所(8;8’)から分岐していることが規定されている。

Description

本発明は、レーザディスク用のインピンジメント冷却装置であって、レーザディスクが取付け可能である表面を有する、特にディスク状の支持プレートと、この支持プレートの裏面が取り付けられている表面を有する支持構造体と、支持プレートを冷却液によって冷却するためのインピンジメント冷却部とを備えており、支持構造体が、複数の冷却液供給管路と複数の冷却液戻し管路とを有しており、冷却液が、支持プレートの裏面に向かって、特に支持プレートの裏面に対して直角に冷却液供給管路から流出する、レーザディスク用のインピンジメント冷却装置と、このようなインピンジメント冷却装置を備えたレーザディスクモジュールとに関する。
このような形態のインピンジメント冷却装置は、例えば米国特許出願公開第2014/0190665号明細書(US 2014 / 0 190 665 A1)によって公知になっている。
通常、レーザディスクは、CVDダイヤモンドから成るディスク状のヒートシンク(ディスク支持体)に接着され、このヒートシンクが裏側でインピンジメント流れによって冷却される。主として、ディスク支持体の熱機械的な特性が、レーザディスクの熱レンズ効果を決定する。これによって、CVDダイヤモンドから形成されるディスク支持体の熱伝導率および剛性に高い要求が課され、レーザ出力がより高い場合には、ダイヤモンドディスクがより肉厚となる。このことは、高い製造コストに結び付けられてしまう。言い換えると、熱抵抗がほぼ等しい場合、より高い剛性は、ますます肉厚のダイヤモンドディスクによって達成される。
冒頭に記載した米国特許出願公開第2014/0190665号明細書(US 2014 / 0 190 665 A1)は、支持プレートの裏面に隣接したただ1つの空所と、半径方向に延びる複数の戻し管路とを有している。
国際公開第2011/130897号(WO 2011/130897 A1)に基づき公知のインピンジメント冷却装置では、レーザディスクが支持プレートに組み付けられている。この支持プレートは同時にレーザ共振器の共振器ミラーを形成している。ノズル開口から流出した冷却液が、支持プレートの支持裏面に衝突し、これによって、支持プレートが冷却される。
欧州特許出願公開第1213801号明細書(EP 1 213 801 A2)に基づき、レーザ活性固体が、被覆層を備えた裏面で冷却水によって直接冷却される冷却装置が公知である。
米国特許第6339605号明細書(US 6,339,605 B1)に基づき、銅製基板に組み付けられたレーザディスクのための冷却が公知である。銅製基板は冷却液によって通流される。この冷却液は銅製基板の複数の微細通路内にまで案内される。これらの微細通路はレーザディスクに向かって開放している。したがって、このレーザディスクの裏面が、微細通路を通流した冷却液によって冷却される。
さらに、米国特許出願公開第2007/0297469号明細書(US 2007/0297469 A1)に基づき、ダイヤモンドまたはサファイヤから成る支持プレートに組み付けられたレーザディスクのための冷却が公知である。支持プレートの内部には、表面付近に設けられた冷却液のための複数の微細通路が延びている。
公知例に対して、本発明の課題は、冒頭に記載した形態のインピンジメント冷却装置において、(ダイヤモンド製)支持プレートの熱抵抗がほぼ等しい場合に、支持プレートの厚さを増大させる必要なしに、支持プレートのより高い剛性を達成することである。
この課題は、本発明によれば、供給管路と戻し管路とが、支持構造体の長手方向に互いに平行に延びており、支持構造体が、支持プレートの裏面に隣接した領域に複数の空所を有しているか、または支持プレートの裏面が、支持構造体に向かって開放した複数の空所を有しており、冷却液供給管路が、複数の空所に開口しており、冷却液戻し管路が、複数の空所から分岐していることによって解決される。
本発明によれば、(例えばダイヤモンド材料から成る)支持プレートと、冷却液により通流される補剛用の裏側の(例えば炭化タングステンまたは窒化アルミニウムから成る)支持構造体とによって、ダイヤモンド製ヒートシンクの少ない熱抵抗の維持が可能となる。支持構造体の熱抵抗はレーザディスクの温度に影響を与えないので、本発明では、高い剛性と比較的高い熱抵抗とを有する材料を使用することができる。
有限要素法による計算から、CVDダイヤモンド製の約2mmの厚さの支持プレートと、炭化タングステン製の裏側の支持構造体とが、熱により生じるレーザディスクの曲げに対して、裏側で支持されていない約10mmの厚さのCVDダイヤモンド製の支持プレートとほぼ同じ大きさの機械的な抵抗を有していることが判った。さらに、有限要素法による計算から、多結晶ダイヤモンド複合材(PDC)製の約2mmの厚さの支持プレートと、炭化タングステン製の裏側の支持構造体とが、熱により生じるレーザディスクの曲げに対して、裏側で支持されていない約3〜4mmの厚さのCVDダイヤモンド製の支持プレートとほぼ同じ大きさの機械的な抵抗を有していることが判った。
支持構造体の空所が、支持プレートの裏面に向かって開放していて、これによって、冷却液が支持プレートの裏面に直接衝突してもよいし(冷却液への支持プレートの直接的な熱伝達)、支持プレートの裏面に対して閉鎖されていて、これによって、冷却液が支持プレートの底部に衝突してもよい。後者の事例では、支持プレートと支持構造体との間に位置するろうと、冷却液との間の直接的な接触が回避され、これによって、腐食の危険が減じられる。
好ましくは、支持プレートが、ダイヤモンド材料(例えばCVDダイヤモンドまたは多結晶ダイヤモンド複合材(PDC))から形成されていて、特に最大5mm、好適には最大3mm、特に好適には最大2mmの厚さを有している。ダイヤモンド材料は、高い熱伝導率と同時に十分な比剛性とを提供し、これによって、表側に組み付けられたレーザディスクの形状に裏側の冷却構造体によって大幅に影響が与えられることが阻止される。支持プレートと支持構造体とは、材料ペアに応じて、互いにろう接されているか、接着されているか、焼結されているか、またはいわゆる接合によって、つまり、中間層の形成なしでの2つの固体の間の機械的に耐荷性の剛結によって互いに結合されている。
本発明の特に好適な実施の形態では、支持プレートの裏面が、空所を有する分配プレートの表面に取り付けられており、分配プレートの裏面が、供給管路と戻し管路とを有する支持体に取り付けられている。好ましくは、この支持体が、セラミックスまたは超硬合金から形成されていて、特に少なくとも1cmの厚さ、好適には2cm〜10cmの厚さを有している。有利には、空所が、貫通開口として分配プレートの裏面にまで延びている。しかし、代替的には、分配プレートがその空所の上流側に複数のノズル開口を有しており、これらのノズル開口が、支持プレートの裏面に向かって、特に支持プレートの裏面に対して直角に方向設定されていてもよい。分配プレートは、ダイヤモンド材料から形成されていてもよいし、好適には、セラミックスまたは超硬合金(例えば炭化タングステンまたは窒化アルミニウム)から形成されていてもよく、特に少なくとも0.3mm、好適には少なくとも0.5mmの厚さを有することができる。
分配プレートの空所が、支持プレートの裏面に向かって開放していて、特に貫通開口として分配プレートの表面から裏面にまで延びていて、これによって、冷却液が、支持プレートの裏面に衝突してもよいし、分配プレートの底部によって閉鎖されていて、これによって、冷却液が、分配プレートの底部に衝突してもよい。
1つの改良形態では、分配プレートと支持体との間にノズルプレートが配置されており、このノズルプレートが、支持体の供給管路をそれぞれ分配プレートの空所に接続しかつ支持プレートの裏面に向かって、特に支持プレートの裏面に対して直角に方向設定された複数のノズル開口と、分配プレートの空所を戻し管路に接続する複数の貫通開口とを有している。ノズル開口によって、冷却液が加速して支持プレートの裏面に衝突させられる。好ましくは、ノズルプレートが、ダイヤモンド材料(例えばCVDダイヤモンドまたはPDCダイヤモンド)、セラミックスまたは超硬合金(例えば炭化タングステンまたは窒化アルミニウム)から形成されていて、特に少なくとも0.3mm、好適には少なくとも0.5mmの厚さを有している。
好ましくは、支持構造体の個々の構成要素が、材料ペアに応じて、それぞれ互いに、例えば銅ベースおよび/または銀ベースの硬ろうによってろう接されているか、接着されているか、焼結されているか、または接合されている。
本発明の特に好適な別の実施の形態では、支持プレートの裏面が、空所を有していて、供給管路と戻し管路とを有する支持体の表面に取り付けられている。CVDダイヤモンドから成る支持プレートは、例えばレーザ加工によって、インピンジメント流れを発生させるための空所を裏側に備えることができ、その後、例えば炭化タングステンから成る軸部を硬ろうによって、構造化された裏面にろう接することができる。次いで、必要となる供給管路と戻し管路とを放電加工によって炭化タングステンに加工することができる。代替的には、支持体が、レーザ切断された個々の孔付きディスクから形成されていてもよい。これらの孔付きディスクは互いにろう接されて1つのスタックを形成しており、また、孔付きディスクの孔が互いに整合しており、これによって、一貫して延びる供給管路および戻し管路がスタック内に形成される。
支持体が、好適にはセラミックスまたは超硬合金(例えば炭化タングステンまたは窒化アルミニウム)から形成されていて、少なくとも0.5cmの厚さ、好適には0.5cm〜10cmの厚さを有しており、これによって、支持プレートの剛性が十分に高められる。
本発明の変化実施形態では、供給管路と戻し管路とが、支持体に複数の貫通通路によって形成されている。これらの貫通通路は、相並んで支持体に加工、例えば穿孔されている。これに対して、代替的な変化実施形態では、供給管路が、支持体に、それぞれ(環状)ギャップを形成するように支持体の貫通通路内に配置された別体の管(例えばノズルニードル)によって形成されている。戻し管路は、支持体に、それぞれ貫通通路と管との間に存在する(環状)ギャップによって形成されている。この事例では、供給管路が、ただ1つの戻し管路によって環状にまたは部分環状に取り囲まれている。この結果、環状の戻し管路の場合に、空間的な均質な冷却分布が達成される。代替的には、逆に、戻し管路が、支持体の貫通通路内に、それぞれ別体の管(例えばノズルニードル)によって形成されていて、供給管路が、それぞれ貫通通路と管との間に存在する(環状)ギャップによって形成されていてもよい。
好ましくは、供給管路の各々が、複数の戻し管路によって、特に供給管路に対して点対称で取り囲まれており、また、複数の戻し管路が、これらの戻し管路により取り囲まれた供給管路が開口する分配プレートの空所から分岐している。言い換えると、各供給管路に複数の戻し管路が割り当てられている。この結果、空間的な均質な冷却分布が達成される。しかし、特に支持プレートの材料が支持プレートの内部で十分に高い熱拡散を可能にする場合には、例えば供給管路1つあたりただ1つの戻し管路に基づき、空間的な不均質な冷却分布が利用されてもよい。
有利には、供給管路と戻し管路とが、支持構造体の長手方向に、つまり、支持体の場合には、その厚さ方向に互いに平行に延びている。
本発明は、上記のように形成されたインピンジメント冷却装置と、このインピンジメント冷却装置の支持プレートの表面に取り付けられたレーザディスクとを備えたレーザディスクモジュールにも関する。
本発明の対象の更なる利点および有利な構成は、明細書、特許請求の範囲および図面から明らかである。また、前述した特徴および以下にさらに記載する特徴は、それぞれ単独で使用されてもよいし、複数を任意に組み合わせて使用されてもよい。図説する実施の形態は、限定的な列挙と解釈すべきものではなく、むしろ、本発明を説明するための一例としての特徴を有している。
レーザディスク用の本発明に係るインピンジメント冷却装置の第1の実施例の組立て状態を示す図である。 レーザディスク用の本発明に係るインピンジメント冷却装置の第1の実施例の分解図である。 2つの戻し管路の間に配置された1つの供給管路の領域における図1のインピンジメント冷却装置の概略的な縦断面図である。 本発明に係るインピンジメント冷却装置の第2の実施例の、図2に類似した概略的な縦断面図である。 本発明に係るインピンジメント冷却装置の第3の実施例の、図2に類似した概略的な縦断面図である。 本発明に係るインピンジメント冷却装置の第4の実施例の、図2に類似した概略的な縦断面図である。
以下の図面の説明では、同一の構成部材もしくは機能的に同一の構成部材に同じ符号が使用してある。
図1aおよび図1bに示したインピンジメント冷却装置1は、ディスクレーザ(図示せず)のレーザディスク2を冷却液によって冷却するために用いられる。レーザディスク2は、レーザ活性増幅材料から形成されていて、例えば、約50μm〜約500μmの厚さを有するYb:YAG結晶、Yb:LuAG結晶、Yb:YAG結晶、Yb:YLF結晶、Yb:Lu結晶、Yb:LuAG結晶、Yb:CALGO結晶、Nd:YAG結晶またはNd:YVO4結晶であってよい。
インピンジメント冷却装置1は、レーザディスク2を取り付ける表面3aを有するディスク状の支持プレート3と、この支持プレート3の裏面3bを取り付ける裏側の支持構造体4とを有している。この支持構造体4は、ディスク状の分配プレート5と、ディスク状のノズルプレート6と、約25〜40mmの直径を有する円筒状の支持体(支持ブロック)7とを有している。支持プレート3の裏面3bは分配プレート5の表面5aに取り付けられている。また、分配プレート5の裏面5bはノズルプレート6の表面6aに取り付けられている。ノズルプレート6の裏面6bは支持体7の表面7aに取り付けられている。
支持プレート3はダイヤモンド材料、例えばCVDダイヤモンドまたは多結晶ダイヤモンド複合材(PDC)から形成されている。このダイヤモンド材料は、高い熱伝導率と同時に十分に高い比剛性とを有しており、これによって、表面3aに組み付けられたレーザディスク2の形状に裏側の冷却構造体によって大幅に影響が与えられることが回避される。好適には、支持プレート3は約2〜4mmの厚さでしかない。
分配プレート5は、支持プレート3の裏面3bだけでなく、ノズルプレート6の表面6aにも向かって開放した複数の空所8を有している。つまり、これらの空所8は、分配プレート5の表面5aから裏面5bにまで達する貫通開口として延びている。分配プレート5は、冷却特性を最適化するために、同じくダイヤモンド材料(例えばCVDダイヤモンドまたはPDCダイヤモンド)から形成されていてもよいし、代替的にセラミックスまたは超硬合金(例えば炭化タングステンまたは窒化アルミニウム)から形成されていてもよい。好適には、分配プレート5は約0.5mmの厚さでしかない。
ノズルプレート6はセラミックスまたは超硬合金から形成されていて、複数の小さなノズル開口9と複数の貫通通路10とを有している。各ノズル開口9は複数の貫通案内通路10によって取り囲まれている。ノズル開口9は、それぞれ支持プレート3の裏面3bに直角に向けられている。好適には、ノズルプレート6は約0.5mmの厚さでしかない。
支持体7はセラミックスまたは超硬合金(例えば炭化タングステンまたは窒化アルミニウム)から形成されていて、0.3〜5mm(好適には3mm)の管路直径を有する、貫通通路として形成された複数の冷却液供給管路11および冷却液戻し管路12を有している。これらの管路11,12は支持体7の厚さ方向に互いに平行に延びている。各供給管路11は、複数、本実施の形態では例えば6つの戻し管路12によって取り囲まれている。各供給管路11は、ノズルプレート6の複数のノズル開口9のうちの1つのノズル開口9を介して、分配プレート5の複数の空所8のうちの1つの空所8に開口している。また、各空所8から、ノズルプレート6の貫通通路10を介して、空所8に連通した供給管路11を取り囲む6つの戻し管路12が分岐している。好適には、支持体7は0.5cm〜10cmの厚さである。
インピンジメント冷却装置1の個々の構成要素3,5〜7同士を結合するためには、材料ペアに応じて、ろう接、接着、焼結または接合プロセスが規定されている。ろうを選択する際には、腐食に関して、ろうと冷却循環路との間の相容性に注意を払わなければならない。したがって、好ましくは、銅ベースおよび/または銀ベースの硬ろうが、その強力な付着、高い強度および剛性という理由からも使用される。
図2にただ1つの供給管路11と2つの戻し管路12とによって単に概略的に示したように、冷却液13は、支持体7の供給管路11を介してノズルプレート6のノズル開口9を経てインピンジメント冷却装置1内へ流入する。ノズル開口9の開口横断面積は供給管路11の管路横断面積よりも小さいので、冷却液13がノズル開口9から加速して空所8内に流出し、そこで、支持プレート3の裏面3bに衝突し、これによって、支持プレート3が冷却される。図2では、このインピンジメント冷却部に全体的に符号14が付してある。衝突した冷却液13は、その後、空所8の内部で半径方向外向きに引き続き流れ、ノズルプレート6の貫通通路10を介して支持体7の戻し管路12内に流入する。
図3に示したインピンジメント冷却装置1は、この実施の形態では、分配プレート5の空所8が支持プレート3の裏面3bに対して分配プレート5の底部17によって閉鎖されている点でのみ図2と異なっている。冷却液13は分配プレート5の底部17に衝突し、これによって、支持プレート3が冷却液13によって直接冷却されるのではなく、分配プレート5の底部17を介して間接的に冷却される。これによって、支持プレート3と分配プレート5との間に存在するろうと、冷却液13との間の直接的な接触が回避され、腐食の危険が減じられる。
図4に示したインピンジメント冷却装置1は、この実施の形態では、支持プレート3の裏面3bが、支持体7の表面7aに向かって開放した空所8’を有していて、支持体7の表面7aにじかに取り付けられている点で図2および図3と異なっている。供給管路11は支持プレート3の空所8’に開口しており、また、この空所8’から戻し管路12が分岐している。冷却液13は供給管路11から空所8’内に直接流出し、そこで、支持プレート3の裏面3bに衝突し、これによって、支持プレート3が冷却される。
空所8’は、例えばレーザ加工によって支持プレート3の裏面3bに加工される。その後、支持プレート3のこの構造化された裏面3bが、硬ろうによって支持体7の表面7aにろう接される。最後、必要となる供給管路11と戻し管路12とが、放電加工によって支持体7に加工される。代替的には、支持体7が、レーザ切断された個々の孔付きディスクから形成されていてもよい。これらの孔付きディスクは互いにろう接されて1つのスタックを形成しており、また、孔付きディスクの孔が互いに整合しており、これによって、一貫して延びる供給管路11および戻し管路12がスタック内に形成される。
図5に示したインピンジメント冷却装置1は、この実施の形態では、供給管路11が、支持体7において、独立した別体の(例えば特殊鋼から成る)管14によって形成されている点でしか図2と異なっていない。この管14は、環状ギャップ16を形成するように支持体7の貫通通路15内に配置されている。また、支持体7内には、管14と貫通通路15との間に存在する環状ギャップ16によって形成されたただ1つの戻し管路12しか延びていない。管14はその一方の自由端部でもって空所8にまで近づいていて、その他方の固定端部において支持体7の裏面に取り付けられている。代替的には、図3の分配プレート5が使用されてもよいし、図4の支持プレート3が使用されてもよい。

Claims (17)

  1. レーザディスク(2)用のインピンジメント冷却装置(1)であって、
    前記レーザディスク(2)が取付け可能である表面(3a)を有する、特にディスク状の支持プレート(3)と、
    該支持プレート(3)の裏面(3b)が取り付けられている表面を有する支持構造体(4)と、
    前記支持プレート(3)を冷却液(13)によって冷却するためのインピンジメント冷却部(14)と
    を有し、
    前記支持構造体(4)は、複数の冷却液供給管路(11)と複数の冷却液戻し管路(12)とを有し、前記冷却液(13)は、前記支持プレート(3)の前記裏面(3b)に向かって、特に前記支持プレート(3)の前記裏面(3b)に対して直角に前記冷却液供給管路(11)から流出する、
    レーザディスク(2)用のインピンジメント冷却装置(1)において、
    前記供給管路(11)と前記戻し管路(12)とは、前記支持構造体(4)の長手方向に互いに平行に延びており、
    前記支持構造体(4)は、前記支持プレート(3)の前記裏面(3b)に隣接した領域に複数の空所(8)を有するか、または前記支持プレート(3)の前記裏面(3b)は、前記支持構造体(4)に向かって開放した複数の空所(8’)を有し、前記冷却液供給管路(11)は、前記複数の空所(8;8’)に開口しており、前記冷却液戻し管路(12)は、前記複数の空所(8;8’)から分岐している
    ことを特徴とする、レーザディスク(2)用のインピンジメント冷却装置(1)。
  2. 前記支持構造体(4)の前記空所(8)は、前記支持プレート(3)の前記裏面(3b)に向かって開放していることを特徴とする、請求項1記載のインピンジメント冷却装置。
  3. 前記支持構造体(4)の前記空所(8)は、前記支持プレート(3)の前記裏面(3b)に対して閉鎖されていることを特徴とする、請求項1記載のインピンジメント冷却装置。
  4. 前記支持プレート(3)は、ダイヤモンド材料から形成されていて、特に最大5mm、好適には最大3mm、特に好適には最大2mmの厚さを有することを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項記載のインピンジメント冷却装置。
  5. 前記支持プレート(3)の前記裏面(3b)は、前記空所(8)を有する分配プレート(5)の表面(5a)に取り付けられており、前記分配プレート(5)の裏面(5b)が、前記供給管路(11)と前記戻し管路(12)とを有する支持体(7)に取り付けられていることを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項記載のインピンジメント冷却装置。
  6. 前記分配プレート(5)の前記空所(8)は、前記支持プレート(3)の前記裏面(3b)に向かって開放していて、特に貫通開口として前記分配プレート(5)の前記表面(5a)から前記裏面(5b)にまで延びており、前記冷却液(13)は、前記支持プレート(3)の前記裏面(3b)に衝突することを特徴とする、請求項5記載のインピンジメント冷却装置。
  7. 前記分配プレート(5)の前記空所(8)は、前記支持プレート(3)の前記裏面(3b)に対して前記分配プレート(5)の底部(17)によって閉鎖されており、前記冷却液(13)は、前記分配プレート(5)の前記底部(17)に衝突することを特徴とする、請求項5記載のインピンジメント冷却装置。
  8. 前記支持体(7)は、セラミックスまたは超硬合金から形成されていて、特に少なくとも0.5cmの厚さ、好適には0.5cm〜10cmの厚さを有することを特徴とする、請求項5から7までのいずれか1項記載のインピンジメント冷却装置。
  9. 前記分配プレート(5)と前記支持体(7)との間にノズルプレート(6)が配置されており、該ノズルプレート(6)は、前記支持体(7)の前記供給管路(11)をそれぞれ前記分配プレート(5)の前記空所(8)に接続しかつ前記支持プレート(3)の前記裏面(3b)に向かって、特に前記支持プレート(3)の前記裏面(3b)に対して直角に方向設定された複数のノズル開口(9)と、前記分配プレート(5)の前記空所(8)を前記戻し管路(12)に接続する複数の貫通開口(10)とを有することを特徴とする、請求項5から8までのいずれか1項記載のインピンジメント冷却装置。
  10. 前記分配プレート(5)および/または前記ノズルプレート(6)は、ダイヤモンド材料、セラミックスまたは超硬合金から形成されていて、特に少なくとも0.3mm、好適には少なくとも0.5mmの厚さを有することを特徴とする、請求項5から9までのいずれか1項記載のインピンジメント冷却装置。
  11. 前記支持プレート(3)の前記裏面(3b)は、前記空所(8’)を有し、前記供給管路(11)と前記戻し管路(12)とを有する支持体(7)の表面(7a)に取り付けられていることを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項記載のインピンジメント冷却装置。
  12. 前記支持体(7)は、セラミックスまたは超硬合金から形成されていて、特に少なくとも0.5cmの厚さ、好適には0.5cm〜10cmの厚さを有することを特徴とする、請求項11記載のインピンジメント冷却装置。
  13. 前記供給管路(11)と前記戻し管路(12)とは、前記支持体(7)に設けた複数の貫通通路によって形成されていることを特徴とする、請求項5から12までのいずれか1項記載のインピンジメント冷却装置。
  14. 前記支持体(7)において、前記供給管路(11)は、それぞれ該支持体(7)の貫通通路(15)内に配置された別体の管(14)によって形成されていて、前記戻し管路(12)は、前記支持体(7)において、それぞれ貫通通路(15)と管(14)との間に存在するギャップ(16)によって形成されており、または逆に、前記支持体(7)において、前記戻し管路(12)は、それぞれ該支持体(7)の貫通通路(15)内に配置された別体の管(14)によって形成されていて、前記供給管路(11)は、前記支持体(7)において、それぞれ貫通通路(15)と管(14)との間に存在するギャップ(16)によって形成されていることを特徴とする、請求項5から13までのいずれか1項記載のインピンジメント冷却装置。
  15. 前記支持プレート(3)および前記支持構造体(4)および/または前記支持構造体(4)の個々の構成要素(5〜7)は、それぞれ互いにろう接されているか、接着されているか、焼結されているか、または接合されていることを特徴とする、請求項1から14までのいずれか1項記載のインピンジメント冷却装置。
  16. 前記供給管路(11)の各々は、複数の戻し管路(12)によって取り囲まれており、該複数の戻し管路(12)は、該複数の戻し管路(12)により取り囲まれた前記供給管路(11)が開口する前記分配プレート(5)の空所(8;8’)から分岐していることを特徴とする、請求項1から15までのいずれか1項記載のインピンジメント冷却装置。
  17. 請求項1から16までのいずれか1項記載のインピンジメント冷却装置(1)と、該インピンジメント冷却装置(1)の支持プレート(3)の表面(3a)に取り付けられたレーザディスク(2)とを備えるレーザディスクモジュール(20)。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016205638B4 (de) * 2016-04-05 2019-05-09 Trumpf Laser Gmbh Prallkühlvorrichtung für eine Laserscheibe und zugehöriges Laserscheibenmodul
WO2019158215A1 (de) * 2018-02-19 2019-08-22 Trumpf Lasersystems For Semiconductor Manufacturing Gmbh Faraday-rotator, optischer isolator, treiberlaseranordnung und euv-strahlungserzeugungsvorrichtung
CN110010572B (zh) * 2018-12-29 2021-04-06 浙江集迈科微电子有限公司 用于系统级大功率模组的大流量液冷散热器及其制作方法
JP7341673B2 (ja) * 2019-02-27 2023-09-11 三菱重工業株式会社 レーザ装置
CN111158621B (zh) * 2019-12-27 2021-10-22 联想(北京)有限公司 屏幕控制方法和电子设备
CN111682395A (zh) * 2020-05-06 2020-09-18 深圳技术大学 一种固体激光介质冷却结构及半导体泵浦固体激光器
CN112332210B (zh) * 2020-11-02 2022-01-25 北京工业大学 一种基于衬底散热的vcsel阵列芯片封装结构

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005142242A (ja) * 2003-11-05 2005-06-02 Japan Science & Technology Agency 固体レーザー装置
CN103219645A (zh) * 2013-04-02 2013-07-24 深圳市大族激光科技股份有限公司 薄片激光器增益介质的冷却装置及激光器
JP2015515124A (ja) * 2012-03-02 2015-05-21 ロゴス テクノロジーズ, エルエルシー.Logos Technologies, Llc. ディスクレーザを冷却するシステム及び方法
CN105305206A (zh) * 2015-11-03 2016-02-03 华中科技大学 一种适用于碟片激光器射流冲击冷却系统的热沉

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US297469A (en) 1884-04-22 stickney
IL67142A0 (en) * 1982-11-01 1983-03-31 Metalworking Lasers Int Ltd Cooled mirror and method of cooling same particularly useful in lasers
US6339605B1 (en) 2000-02-16 2002-01-15 The Boeing Company Active mirror amplifier system and method for a high-average power laser system
DE10061424A1 (de) 2000-12-09 2002-06-13 Haas Laser Gmbh & Co Kg Laserverstärkersystem
US7075959B1 (en) * 2003-11-14 2006-07-11 Hamilton Sundstrand Corporation Cooling device for diode pumped laser
US20060083276A1 (en) 2004-09-28 2006-04-20 Snake Creek Lasers, Llc. Cryogenically cooled solid state lasers
US7255153B2 (en) * 2005-05-25 2007-08-14 International Business Machines Corporation High performance integrated MLC cooling device for high power density ICS and method for manufacturing
US7656915B2 (en) * 2006-07-26 2010-02-02 Northrop Grumman Space & Missions Systems Corp. Microchannel cooler for high efficiency laser diode heat extraction
ES2927645T3 (es) 2009-04-14 2022-11-08 Airdar Inc Sistema de medición de emisiones y cuantificación de fuentes emisoras
RU2517963C1 (ru) 2010-04-19 2014-06-10 Хуачжун Юниверсити Оф Сайенс Энд Текнолоджи Твердотельный лазер дисковидной формы
US8659896B2 (en) * 2010-09-13 2014-02-25 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Cooling apparatuses and power electronics modules
US9612060B2 (en) * 2010-12-07 2017-04-04 Intel Corporation Direct air impingement cooling of package structures
US8908737B2 (en) * 2011-04-04 2014-12-09 Coherent, Inc. Transition-metal-doped thin-disk laser
US9484283B2 (en) * 2013-01-04 2016-11-01 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America Inc. Modular jet impingement cooling apparatuses with exchangeable jet plates
DE102013211977B3 (de) * 2013-06-25 2014-10-09 Trumpf Laser Gmbh + Co. Kg Festkörperlaseranordnung
US9131631B2 (en) * 2013-08-08 2015-09-08 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Jet impingement cooling apparatuses having enhanced heat transfer assemblies
DE102016205638B4 (de) * 2016-04-05 2019-05-09 Trumpf Laser Gmbh Prallkühlvorrichtung für eine Laserscheibe und zugehöriges Laserscheibenmodul

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005142242A (ja) * 2003-11-05 2005-06-02 Japan Science & Technology Agency 固体レーザー装置
JP2015515124A (ja) * 2012-03-02 2015-05-21 ロゴス テクノロジーズ, エルエルシー.Logos Technologies, Llc. ディスクレーザを冷却するシステム及び方法
CN103219645A (zh) * 2013-04-02 2013-07-24 深圳市大族激光科技股份有限公司 薄片激光器增益介质的冷却装置及激光器
CN105305206A (zh) * 2015-11-03 2016-02-03 华中科技大学 一种适用于碟片激光器射流冲击冷却系统的热沉

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