JP2008533719A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. レーザーダイオード組立体であって、
   放射面及び該放射面と対向する反射面を有するレーザーダイオードにして、前記放射面及び反射面間に第１及び第２の側面を有する前記レーザーダイオードと、
   前記レーザーダイオードの前記第１の側面に第１の半田接合部を介して取付けられた第１の電気絶縁性ヒートシンクにして、第１の冷却流路を有する前記第１の電気絶縁性ヒートシンクと、
   前記レーザーダイオードの前記第２の側面に第２の半田接合部を介して取付けられた第２の電気絶縁性ヒートシンクにして、第２の冷却流路を有する前記第２の電気絶縁性ヒートシンクと、
   頂部側を有する基板にして、前記頂部側は前記第１の電気絶縁性ヒートシンクの第１の底部側及び前記第２の電気絶縁性ヒートシンクの第２の底部側と連通し、かつ前記第１の冷却流路及び前記第２の冷却流路に冷却剤（ｃｏｏｌａｎｔ）を送る流れ流路システムを有する、前記基板と、
   前記第１の電気絶縁性ヒートシンク及び前記第２の電気絶縁性ヒートシンクに取付けられた金属化層にして、前記レーザーダイオードに電気的に連結されて該レーザーダイオードに電流を伝導し、かつ前記冷却剤から分離される前記金属化層とを備える、前記レーザーダイオード組立体。
2. レーザーダイオード組立体であって、
   放射面及び該放射面と対向する反射面を有するレーザーダイオードにして、前記放射面及び反射面間に第１及び第２の側面を有する前記レーザーダイオードと、
   前記レーザーダイオードの前記第１の側面に取付けられた第１のヒートシンクにして、第１の冷却流路を作り出す第１の組の接合層を有する前記第１のヒートシンクと、
   前記レーザーダイオードの前記第２の側面に取付けられた第２のヒートシンクにして、第２の冷却流路を作り出す第２の組の接合層を有する前記第２のヒートシンクと、
   前記第１のヒートシンク及び前記第２のヒートシンクと連通する少なくとも１つの基板にして、前記第１の冷却流路及び前記第２の冷却流路に冷却剤を送る流れ流路システムを有する前記少なくとも１つの基板と、
   前記レーザーダイオードに電気的に連結されて該レーザーダイオードに電流を伝導する金属通路とを備える、前記レーザーダイオード組立体。
3. 請求項１又は２に記載のレーザーダイオード組立体において、前記基板と連通する流体マニホールドをさらに含み、該流体マニホールドは前記基板に前記冷却剤を分配する、前記レーザーダイオード組立体。
4. 請求項１に記載のレーザーダイオード組立体において、前記第１の電気絶縁性ヒートシンク及び前記第２の電気絶縁性ヒートシンクは電気絶縁性シリコンの接合層から形成される、前記レーザーダイオード組立体。
5. 請求項１又は２に記載のレーザーダイオード組立体において、前記流れ流路システムは、入口と、出口と、バイパス領域とを有し、前記入口は前記第１のヒートシンクに前記冷却剤を提供し、前記バイパス領域は前記第１のヒートシンクから前記第２のヒートシンクに前記冷却剤を送り、かつ前記出口は前記第２のヒートシンクから前記冷却剤を受取る、前記レーザーダイオード組立体。
6. 請求項５に記載のレーザーダイオード組立体において、前記基板は、共に溶着されて前記バイパス領域を作り出す複数の層から製作される、前記レーザーダイオード組立体。
7. 請求項１又は２に記載のレーザーダイオード組立体において、前記第１及び第２のヒートシンクの少なくとも一方は、衝突ノズルを有し、且つ前記レーザーダイオードの前記２つの側面の一方の近くにある壁部に前記冷却剤の複数の流れを衝突させる衝突領域を含む、前記レーザーダイオード組立体。
8. 請求項１に記載のレーザーダイオード組立体において、前記金属化層は前記第１及び第２の電気絶縁性ヒートシンクの外面に位置する、前記レーザーダイオード組立体。
9. 請求項２に記載のレーザーダイオード組立体において、前記第１及び前記第２の組の接合層は銅板であり、かつ前記金属通路は該銅板により提供される、前記レーザーダイオード組立体。
10. 請求項２に記載のレーザーダイオード組立体において、前記第１及び前記第２の組の接合層はシリコン層であり、前記金属通路は前記第１及び第２のヒートシンク上の金属化層により提供される、前記レーザーダイオード組立体。