JP2019508592A - パラジウム基合金 - Google Patents

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Abstract

三元系以上のパラジウム基合金は、約45〜55重量%のパラジウムと、約32〜42重量%の銅、約8〜15重量%の銀、約0〜5重量%のレニウム、及び、改質元素群のうちの1以上を選択的に1.0重量%以下含む。前記合金は、時効硬化され、350HKを超える硬度(ヌープ、100g荷重)と、19.5%IACS(International Annealed Copper Standard)を超える電気伝導率と、480゜F(250℃)までの温度で、100ksiを超える高温強度と、完全に時効硬化された状態での残存延性(引張伸びが2%超)とを示す。前記合金は、固定式または可動式の用いられてもよい。

Description

本開示は、貴金属合金組成物、該貴金属合金組成物を含むプローブ、および該プローブの製造方法に関する。
半導体の製造分野では、デバイスのサイズをより小さくすること(即ち、単位面積あたりのトランジスタ数をより多くすること)、及び処理能力を高めること(即ち、処理速度をより速めること)が、引き続き求められている。
貴金属合金は、耐酸化性に優れているため、テストプローブとして使用される他、固定式および可動式または摺動式の電気接点としても使用され、スリップリングブラシ、半導体プローブ、電位差センサなどの用途に幅広く用いられている。これまでの60年間、パリネイ(Paliney)(登録商標)7が、完全に時効硬化した状態で優れた耐酸化性と成形性の求められる用途に対し、標準合金として認められてきた。しかしながら、その電気伝導率は非常に低く、たったの約5.5%IACSである。
Kleinらは、米国特許第5,833,774号において、その様な用途に使用される銀/パラジウム/銅合金の組成物を開示している。また上記文献には、熱処理した場合に12〜16%IACSの電気伝導率を示し、かつ幅広い硬度レベルを有する、様々な貴金属合金について記載されている。上記教示に該当する市販の合金として、パリネイ(登録商標)H3Cおよびパリネイ(登録商標)Cは、導電率がパリネイ7の3倍近くある(表2参照)にもかかわらず、これらの合金は、多くの新しい用途で要求される電流容量を未だ達成していない。例えば、100ミクロン未満の直径を有する集積回路(IC)のテストプローブのためには、有効に使用できる電流レベルは、過剰な電気加熱のため、2アンペア未満である(「新世代のプローブ合金」、Smithら、IEEE SWテストワークショップ、2013年6月)。これらの系の合金は、完全に時効硬化した状態では、複雑かつ高公差の形状に成形することが難しい、といった別の問題点を更に有する。
Kleinらは、米国特許第6,210,636号において、摺動電気接点の用途に適した低コストの銀/パラジウム/銅/ニッケル/亜鉛高強度合金を開示している。しかしながら、この合金は、ニッケルと亜鉛の含有量を増加させることによって、貴金属の含有量の低減とその結果として生じるコストの低減のために開発されたものであるため、耐酸化性は、貴金属含有量のより高い合金よりと比較して劣る。加えて、これらの合金において、全体の導電率は一般的に10%IACS未満である(パリネイ(登録商標)5、DNIウェブサイト)。
Pd−Cu−Ag系の合金は1950年代から研究されてきたが(Raub、WorwagおよびZ.Metallkd、1955、46、52−57)、公表された研究の多くは、考えられうる相の関係についての記載と、合金の規則化の電気的特性への影響についての立証に焦点が当てられてきた。図1Aおよび図1Bに示される通り、規則化反応は、電気抵抗率が劇的に低下することが知られている。図1Aには、規則構造の化学量論的相であるCuAuとCuAuの存在を示すCu−Au二元合金の状態図が示されている。図1B(Barrett、1952年)は、Au−Cu二元系合金が不規則状態から規則状態に変態のために熱処理されたときの、該Au−Cu二元系合金の電気抵抗率の変化を示す。不規則状態(背景の点線)では、それぞれ純金属の状態で電気抵抗率が最小になり、2つの元素が混合するにつれて電気抵抗率は徐々に増加して、50−50at%レベル付近で最大に達する。しかし、上記合金を、適切な時間−温度の領域内で熱処理することによって、規則相が形成され、抵抗率を、Au量が25at%と50at%の両方においても最小限にすることができる。抵抗率は、組成が化学量論値からいずれの方向へ変化する場合にも、線対称的に変化する。この挙動は、規則−不規則転移で一般的に受け入れられているモデルである。
パラジウム/銅合金系も技術論文や記事で取り上げられてきた。A.Yu.Volkovは、「Pd−Cu−Ag合金の微細構造および物理的性質の改善」において、三元系合金の広範囲な組成、組成範囲について調査し、報告している。Volkovは、パラジウム−銅合金に銀を添加する効果について、主に引張強さの改善に焦点を当てて調査を行った。この研究は強度について良好な影響を示すものの、Volkovに示されていた通り、Agの添加は全て、抵抗率の上昇を招く。即ち、Pd−Cu二元系合金では電気抵抗率が約8.5マイクロオームcm(20.3%IACS)であるのに対し、12at%のAgを含むPd−Cu−Ag合金では、電気抵抗率が約11マイクロオームcm(15.6%IACS)と高くなる。つまりこの研究では、機械的特性と電気的特性の両方を同時に最適化する方法について、何ら重要な知見が示されていない。
更に、米国特許第7,354,488号明細書では、高Pd含有鍛造合金の強度を増加させるために、Reと、B、NiおよびRuといった他の元素を併用することが示されている。これらの選択元素による相乗効果がない場合、データには、300HK以上の硬度レベルを確保するには、少なくとも10%のRe量が必要であることが示されている。これらの合金は、一般的に電気伝導率が5〜8%IACSレベルであり非常に低い。Pd量が通常75重量%超であるこれらの系では、Reは固溶強化元素であると考えられ、第2相または規則化に関与しない。Reはまた時折、歯科用鋳造合金の結晶粒微細化材として用いられるが、非常に少量であり、一般的に0.5%未満である。
ある実施形態において、三元系以上の貴金属合金は、パラジウム、銅、銀、および必要に応じてレニウムを含む。
ある実施形態において、三元系以上のパラジウム基合金は、(a)パラジウムを約45〜55重量%;(b)銅を約32〜42重量%;(c)銀を約8〜15重量%;(d)レニウムを約0〜5重量%;(e)ルテニウム、ジルコニウム、ガリウム、および亜鉛からなる群から選択される改質元素を1.0重量%以下;を含む。上記合金は、Pd:Cu比が重量比で約1.05〜1.6、かつPd:Ag比が重量比で約3〜6であってもよい。
ある実施形態において、前記合金は、プローブとして、またはプローブにおいて用いられうる。また、その様な実施形態において、上記プローブは、コブラプローブ、カンチレバープローブ、垂直プローブ、またはポゴピンプローブであることが挙げられる。
ある実施形態および別の実施形態において、前記合金中に前記パラジウムが約51〜55重量%、前記銅が約32〜40重量%、前記銀が約8.5〜14重量%、前記レニウムが約1.1〜3重量%存在する。ある実施形態および別の実施形態において、レニウムは亜鉛で置換されていてもよく、亜鉛は約0.2〜0.7重量存在していてもよい。
前記合金は、熱処理後の電気伝導度が19.5%IACSを超えていてもよい。前記合金は、熱処理後の硬度が少なくとも350ヌープであってもよい。前記合金は、レニウムの第2相を有していてもよい。前記合金は、ニッケル、クロム、金、白金およびホウ素、または鉄のうちの1つ以上を含んでいなくてもよい。前記合金は、時効硬化後に、約60゜Fから約450°Fで降伏強度が100ksi超、及び/又は、時効硬化後に、引張伸びが2%超を維持していてもよい。
図1Aは、規則構造をとる化学量論的相であるCuAuとCuAuの存在が示された銅(Cu)−金(Au)二元合金の状態図を示す。 図1Bは、不規則状態から規則状態に変態のため銅−金二元合金を熱処理するときの、該銅−金二元合金の電気抵抗率の対応する変化を示す。 図2Aは、様々なPd:Cu比のパラジウム−銅−銀合金について、合金導電率をプロットしたものである。 図2Bは、様々なPd:Cu比のパラジウム−銅−銀合金について、合金導電率を、Cu−Pd二元系相と重ね合わせてプロットしたものである。グラフの右側のスケールに対応する導電率は、室温で測定した値を示している。 図2Cは、様々なPd:Ag比の熱処理後のパラジウム−銅−銀合金について、電気伝導度をプロットしたものである。 図3Aは、様々なPd:Cu比のパラジウム−銅−銀合金について、合金硬度(HK0.1)をプロットしたものである。 図3Bは、様々なPd:Ag比のパラジウム−銅−銀合金について、合金硬度(HK0.1)をプロットしたものである。 図4は、高温での合金の降伏強度が、電気伝導度および硬度での結果と同様に、特定範囲のPd:Cu比において達成されることを示している。 図5は、第2相のレニウムを含むパラジウム−銅−銀−レニウム合金の走査型電子顕微鏡(SEM)写真(上部)、及び、マトリックス(1)とレニウムに富んだラメラ(2)のエネルギー分散分光法(EDS)による分析値(下部)を示す。 図6は、室温での、本発明の合金の引張試験における全伸びの結果を示す棒グラフである。 図7は、室温および高温での、本発明の合金の引張試験における降伏強度の結果を示す図である。
(概要)
テストプローブの分野では、デバイスのサイズが小さくなるにつれ、デバイス上のプローブが接触するスペースも減少する。同時に、処理能力を高めるには、テストプローブにより高い試験電流を流すことができ、かつより高い温度でも使用できることが求められる。これらの要件をまとめると次の通りである。
1)テストパッド上に正確に配置できるように、テストプローブの直径を小さくしなければならない。
2)テスト電流の増加とプローブの直径の減縮によって、プローブが過熱して破損しないようにするため、テストプローブを構成する材料の電気伝導率の改善といった要望が得られる。
3)試験温度が上昇するにつれて、前記合金は、接触や拭き取り中、早期に軟化や破損が生じないよう、電流が上昇し続けても良好な強度を示すことが必要である。
4)これらの小型部品に必要とされる厳しい寸法公差を確保するため、時効状態においても十分成形することのできる高い延性を有することが必要である。
消費電力またはプローブの加熱は、電気抵抗に直接関係するので、
消費電力(単位ワット)=(プローブの電流、単位アンペア)×(プローブの抵抗値、単位オーム)
プローブの加熱はその抵抗に正比例すること、および、テストプローブの抵抗を減少させるか、またはテストプローブの電気伝導度を増加させることが、要求される電流増加に応じた温度において、より小さな直径のテストプローブで作動させるために重要であることは明らかである。
さらに、プローブワイヤのバルク抵抗を低下させることに加えて、プローブがIC表面上に繰り返し接触する間、低い接触抵抗を維持することも必要である。この界面抵抗は、接触時にプローブに加えられる垂直力および初期接触後の拭き取りの程度に影響を受ける。安定した性能を得るには、テストサイクルを通して全体的な荷重が弾性領域に残るようにプローブを設計する必要がある。したがって、より小さい直径のプローブを使用することによって電流密度が高まる状況下では、プローブワイヤの軟化、グラム力の減少(gram force reduction)および最終的に早期に破損しないように、高温での降伏強度を超えないことが重要である。
加えて、上記合金には、プローブデバイスの接触抵抗の増加を招く酸化が生じにくいことが求められる。貴金属合金が耐酸化性を有することはよく知られており、パラジウムベースの貴金属合金が耐酸化性に特に優れていることは広く知られている。
これらの事情に鑑みて、ここでは、耐摩耗性と耐酸化性を得るために、電気伝導率が19.5%IACSを超えると共に350HK0.1を超える硬度を維持する、パラジウム基合金を提供する。前記合金は、480°Fまでの温度で100ksiを超える降伏強度を含む。完全に時効硬化された状態で十分な延性を有するため、前記パラジウム基合金は、最終的な形状のテストプローブまたは電気接点に形成することができる。その結果、成形後に時効硬化する必要がなく、また前記時効処理中に、精密に成形した形が熱変形するといった付随するリスクを回避することもできる。
さらに、合金の硬度と電気伝導性と、合金系のパラジウムと銅、およびパラジウムと銀の比とが相関を有することを認識していない従来技術とは対照的に、合金のPd:Cu比がある一定範囲内であれば、Pd/Cuの三元系以上の合金の時効硬化後の硬度と電気伝導性の両方を達成できることを見出した。加えて本発明は、この様な合金においてPd:Ag比を一定範囲内とすれば、適切なレベルの硬度と電気伝導性をより容易に達成できることを見出したものである。
よって、実施形態では、現状のテストプローブに対して求められる電気伝導率の向上と十分な硬度を確保できるPd:CuとPd:Agの比を満たすように、銅と銀が添加されたPd基合金を提供する。特に本発明者らは、Pd:CuとPd:Agの比を適切に制御することによって、高い電気伝導率、高硬度および優れた高温特性を併せ持つ、時効硬化可能なPd合金が得られることを見出した。図2Bの状態図は、規則化できるPd−Cu合金の範囲が限られていることを示唆しているが、本開示では、これらの合金のうちの狭い選択部分でのみ、19.5%IACS超、更には25%IACS超の電気伝導率を達成できることを示している。これらの合金では、電気伝導率の傾向が、図1Bに見られるような鋸歯状というよりもむしろ階段状に見える。表2に示され、かつ図2Aに概略的に示されるように、合金の導電率は、Pd:Cu比が重量比で1.05〜1.6の比を外れたときに劇的に低下する。表2について、合金1945および1932はPd:Cu比が1.05未満であり、導電率がそれぞれ8%IACS未満である。合金1946,1924,1925および1926は、Pd:Cu比が1.6を超え、導電率がそれぞれ6%IACS未満である。また、合金1879および1856に示されるように、Cr、Niを添加すると、この系の合金の導電率が劇的に低下してしまうことに留意すべきである。図面において、VHCとの用語は、本発明の範囲を満たす合金成分組成であることを示している。図2AにおけるVHCの例とは、表1に挙げられた合金組成と、合金1907、1941、1910、1900、1904、1859、1948、1929、1933、1937、1943、1930、1934、1938、1935、1912、1936、1931および1928とを含む。図2Bにおいて、導電率のデータは、Cu−Pd状態図と重ね合わさっている。この図では、図1Aに見られるような対称性はなく、高い電気伝導率は意外にも規則状態の領域の上側(高Pd)半分内でのみ達成されることを示している。Pd:Cu比が好ましい範囲内にあれば、電気伝導率は一般に19.5%IACS超、更には25%IACS超を達成する。しかしながら、図2Cに示される通り、Pd:Agの比を重量比で3〜6の範囲内に維持することも重要である。図2Cにおいて、VHCには、表1に挙げられた合金組成と、前述の合金組成が含まれる。表2に示される通り、合金の導電率は、Pd:Agの比が重量比で3〜6を外れると急激に低下する。合金1945と1913は、Pd:Ag比が3未満であり、導電率が19IACSを下回る。合金1925と1926は、Pd:Ag比が6を超えており、導電率が5IACSを下回る。これらのデータから、電気伝導率19.5%の閾値に到達するには、両方の比が一定範囲内にある必要があることが明らかである。残念ながら、電気伝導率のみ高くてもあまり用途がない。多くの用途では、材料がバネ部材または摩耗表面を構成するため、高硬度または高降伏強度のいずれかも求められる。
図3Aと図3Bは、Pd:Cu比またはPd:Ag比の関数としてのアニール条件からのHTにおける合金の硬度をそれぞれ示す。電気伝導率の場合と同様に、Pd:Cu比が1.05〜1.6の範囲内で最適な硬度特性を示す(図3A)。しかしながら、所望の硬度を確保するには、やはりPd:Cu比のみでは不十分であり、350HK超の硬度を確保するにはPd:Ag比を6以下にする必要がある(図3B)。表2において、合金1856,1945,1932,1946,1924,1925および1926は、これらのPd:Cu比および/またはPd:Ag比が規定範囲外にあるため、低硬度を示す。したがって、所望の硬度と電気伝導率の両方を達成するには、Pd:Cu比とPd:Ag比の両方を厳密に制御しなければならない。
合金組成:
本開示のパラジウム基合金は、三元以上の合金である。合金への添加元素として、銅(Cu)、銀(Ag)および/またはレニウム(Re)を含みうる。表1および2に、本開示の代表的な合金について、その組成、Pd:Cuの比とPd:Agの比、および合金特性を示す。これらは、合金1907,1941,1910,1900,1904,1859,1948,1929,1933,1937,1943,1930,1934,1938,1935,1912,1936,1931および1928のうちのいずれか、任意の組合せ、またはすべてを含む。
前記合金は、パラジウムを、約45〜55重量%、または約45〜50重量%、または約47〜55重量%、または約50〜55重量%、または約50〜54重量%、または約51〜55重量%含んでいてもよい。
前記合金には、銅が、約30〜45重量%、または約30〜40重量%、または約32〜40重量%、または約32〜42重量%、または約35〜45重量%、または約36〜43重量%存在していてもよい。
前記合金には、銀が、約8〜25重量%、約8〜20重量%、約8〜16重量%、約8〜15重量%、約8〜14重量%、約8.5〜14重量%、約8〜13重量%、約8〜12重量%、約8〜11重量%、約9〜15重量%、約9〜14重量%、約9〜13重量%、約9〜12重量%、約9〜11重量%、または約8〜10重量%存在していてもよい。
前記合金には、レニウムが、約0〜5重量%、約0.5〜5重量%、約0.5〜4.5重量%、約0.5〜4重量%、約0.5〜3.5重量%、約0.5〜3.0重量%、約1.1〜3.0重量%、約0.5〜2.5重量%、約0.5〜2.0重量%、または約0.5〜1.5重量%存在していてもよい。
前記合金には、亜鉛が、約0〜3重量%、約0.1〜1.0重量%、約0.2〜0.7重量%、約0.5〜3重量%、約1.0〜3.0重量%、または約0.5〜1.5重量%存在していてもよい。
前記パラジウム系合金は、更に、ルテニウム、ジルコニウム、ガリウム、および亜鉛を含む改質元素を、約1%以下含んでいてもよい。
本開示の合金は、合金が実質的に純粋な形態であるように、特に列挙された元素のみからなるものであってもよい。例えば、パラジウムが合金の少なくとも50重量%存在する場合、パラジウムは列挙された合金の残りの部分を構成し、他の全ての(言及されていない)置換基を排除する。本発明のパラジウム系合金は、その他の形態として、より優れた特性が求められる場合に、具体的に列挙した元素等で置換されていてもよい。また本発明の合金は、種々の不純物および他の少量の元素を、優れた特性に影響しない範囲内で含んでいてもよい。これらの微量成分の含有量は1000ppm未満であることが好ましい。
本開示の合金は、ニッケル、クロム、金、白金、ホウ素、鉄、亜鉛、ガリウムおよびビスマス、ならびに任意の他の添加元素を含んでいなくてもよい。少なくともニッケル、クロム、金、プラチナ、ホウ素、鉄は、導電率または硬化処理後の硬度の少なくともいずれかに悪影響を与えるため、本開示の合金に含まれていなくてもよい。例えば合金1856は、ニッケルの添加されたPd−Cu−Ag合金であるが、導電率が著しく低く(11.3IACS)、Pd−Cu−Ag三元合金1943(51.5Pd−37.5Cu−10.9Ag)と比較して特性に劣る。合金1879は、クロムの添加されたPd−Cu−Ag合金であるが、この合金も、合金1943と比較して導電率(7.3IACS)が著しく低い。金属の鋳造加工技術分野において知られている通り、合金の鋳造加工工程において、種々の微量元素が不可避的に混入することにより、本発明の合金には、微量元素が含まれうる。
合金比および特性:
パラジウムと銅の比は重量比で、1.05以上、または約1.05以上、または約1.6以下であってもよい。パラジウム/銀の比は重量比で、3以上、または約3以上、または、約6以下であってもよい。
十分に時効硬化後の合金は、少なくとも350HK0.1の硬度と、少なくとも19.5%IACSの電気伝導率を示し、更に、引張伸びが2インチで2%を超え、480゜Fの高温での降伏強度が100ksi以上である。
図面において、図2Bは、パラジウム−銅合金の相グラフを示す。このグラフでは、パラジウム−銅の状態図(2007 Huang W、合金状態図データベース、ASM International)において、最大の導電率、硬度および高温強度が得られるPd:Cu比(重量%基準)を示す。前記導電率の試験は室温で行った。プロットで示された導電率から、時効後の導電率は、高Pd側の半分の規則状態領域で高い値を示し、Pd:Cu比が約1.05〜1.6で最大値を示すことがわかる。
図3Aは、Pd:Cu比と、パラジウム−銅−銀合金の硬度(HK0.1)の関係をプロットしたものであり、Pd:Cu比が約1.05〜1.6(重量%基準)のときに、高硬度(>350HK0.1)を示すことがわかる。また図1および図2は、Pd:Cu比が特定の範囲で高い硬度および導電率が達成されることを示す。
図3Bは、Pd:Ag比と、パラジウム−銅−銀合金の硬度(HK0.1)の関係をプロットしたものであり、Pd:Cu比が1.05〜1.6(重量%基準)で、Pd:Ag比が3〜6で高硬度(>350HK0.1)を達成していることがわかる。このデータでは、Pd/Ag比は3〜6の範囲内にあるが、Pd:Cu比が1.05〜1.6の範囲から外れる場合も示しており、合金の硬度は、Pd:Cu比とPd:Ag比の両方に依存することを示している。
時効硬化後に、Pd:Cu比が約1.05と1.6の特定の範囲を有する、パラジウム−銅の状態図での規則領域内の1領域のみが、高い硬度と非常に高い導電率の両方を達成できた、との知見は予期せぬことであった。一般的には、規則状態内の全ての組成において、ほぼ同一の硬度が得られると考えられる。
図4は、Pd:Cu比に対して合金の降伏強度(480°F)をプロットしたグラフである。図4の結果から、図2Aおよび図3Aで、室温、即ち、約60°Fから約480°Fまでの温度における導電率および硬度と同様に、Pd:Cu比が約1.05〜1.6(重量%基準)の範囲内で、高強度(>100ksi)を達成できたことを示している。表1および2に更に示す通り、高温強度についても、導電率および硬度と同様に、規則領域のある範囲において最大値を示すといった予想外の知見が得られた。
図5は、延伸方向に整列したレニウムリッチなラメラが示されたパラジウム基合金の走査型電子顕微鏡(SEM)写真である。図5の下部には、前記ラメラがほぼ純粋なレニウムであることを示すEDS分析を示す。パラジウム基合金において、ラメラ状(延伸方向に整列した)のレニウムリッチな第2相の存在についても予想外であった。室温では、レニウムはPdに可溶であるが、AgおよびCuの両方には不溶である。このことは、三元マトリックス中のReの溶解性については予測できないことを意味している。合金溶解時のPdリッチなマトリックスがRe溶解性を有すると仮定すると、合金が冷却されるにつれて溶解度が低下することが予想される。このことから、冷却中またはその後の時効熱処理の間に、過剰のReが、小さな球状のReリッチ粒子として沈殿する可能性があるといえる。そして上記粒子は、格子歪みを引き起こして導電率を低下させることが知られている、凝集析出物であると考えられる。しかしながら、銅(Cu)と銀(Ag)を所定の比となるようパラジウム基合金に加えることによって、合金マトリックス中に形成される、かなり大きなレニウム析出物が、非凝集性であって、電気伝導性に著しい悪影響を及ぼさないと考えられる。また、図7および8に示すように、レニウム(Re)の添加によって、実際に、これらの合金の室温での延性と、高温での機械的特性の両方が改善される。合金1938に関連して以下に説明する通り、最適な微細構造および熱処理を選択することによって、上記改善された延性をより高めることができる。
特に図6において、棒グラフは、室温で合金の引張り強度試験を行った結果を示しており、棒グラフの各々は、同程度のパラジウム、銅及び銀に対し、レニウムを添加しないか(対照)または異なる量のレニウムを添加したものである。図6の結果は、レニウムが、引張伸びを驚くほど顕著に向上させる効果を有することを示している。また上記結果から、1.5重量%のレニウムを添加したパラジウム基合金は引張伸びが8.2%であり、0.5重量%の場合には引張伸びが5.71%であることがわかる。これらのいずれにおいても、引張伸びが2.2%であるレニウム添加なしの合金よりも改善がみられる。
図7は、4つの合金の高温での引張り強度試験を行った結果を示したチャートである。それぞれの合金は、同程度のパラジウム、銅及び銀に対し、レニウムを添加しないか(対照)またはレニウムを添加したか、またはレニウム、亜鉛を添加したものである。図7の結果は、レニウムが、高温での降伏強度保持に驚くほど顕著な改善効果を有することを示している。
これらの合金の高温特性に対し、Reの効果は非常に大きい。図7に示すように、Reを添加することによって、室温での降伏強度(YS)値は20%近く高くなる。さらに、Re量が高い合金ほど、室温からほぼ500°FまでYSを実質低下させることなく、かなりの広範囲の温度範囲にわたって、より高い機械的特性を維持することができる。Reを含まない場合には、温度が500°Fに近づくにつれて降伏応力が20%以上低下することがわかる。レニウムは、合金をより貴な金属となるよう促進させるものであるが、驚くべきことに、レニウムが別の利点をもたらしうる第2相として合金中に存在していることを我々は見出した。レニウムの第2相は、冷間加工と焼鈍の間、可塑性を有したままである可能性が高い。そのため、レニウムの第2相は、圧延方向に引き延ばされた形状を有する。レニウムは非常に延性と可鍛性の高い元素であるため、加工部品への成形性の改善や、疲労き裂の進展を阻止することによる疲労強度の改善に寄与することが考えられる。レニウムによって合金の成形性が改善されることは、例えば図6に示すように、レニウムを含まない合金と比較して優れた引張伸びを示すことからわかる。
本開示の例示的なパラジウム基合金(合金1938)は、以下の公称組成を含む:
パラジウム51.5重量%、
銅36.5重量%、
銀10.5重量%、および
レニウム1.5重量%を含む。
合金の組成に基づいて、パラジウム/銅の比およびパラジウム/銀の比はそれぞれ重量比で、Pd:Cu比が1.41、Pd:Ag比が4.9である。
合金1938は、通常の方法で焼鈍を行い、従来のワイヤ加工装置を用いて、直径が0.004インチ未満の細いワイヤに加工できるほどの延性を有する。このワイヤをストランドアニーリングによって900℃で最終焼鈍(その後すぐに水冷)を行って合金を軟化させ、次の人工時効硬化に必要な不規則状態とする。710゜Fに加熱し、該温度で90分間保持することにより時効硬化を行った。室温への冷却は速度に敏感ではなく、1〜2時間かかった。全ての熱処理工程は保護雰囲気で行った。この様な焼鈍および時効処理の後、合金から製造された直径0.004インチのワイヤの引張特性および電気的特性は、下記表の通りである。
レニウムの添加と熱処理によって、延性が更に向上し、電気テストに使用されるプローブ先端に適した組織を得ることができる。例えば以下の表は、合金1938の機械的性質および導電率に対する初期冷間加工および熱処理温度の影響を示す。
表1には、本発明で開示の典型的なパラジウム基合金の成分組成、Pd:CuとPd:Agの比率を挙げている。また、本発明に係るパラジウム基合金との区別を図る目的で、その他の合金の成分組成と比率も示している。表2には、これら様々な合金の導電率、硬度、降伏強度および引張伸びの値を示している。

本開示の合金の例示的な用途として、電気試験および医療機器の分野が挙げられる。電気的テストに関して、本発明の合金は、固定式および可動式の電気接触およびプローブ用途に使用することができる。例えば、本発明の合金は、プローブの構成要素、スリップリングアセンブリ(リングまたはブラシのいずれかとして)、または、電位差センサなどの用途における摺動接点として用いられていてもよい。プローブには、半導体テストで使用される電気プローブが含まれていてもよい。半導体テストプローブは、本開示の合金で形成されてもよく、または、本発明の合金が前記プローブの一部を形成してもよく、プローブ先端が本発明の合金に結合されてもよい。テストプローブとして、コブラプローブ、カンチレバープローブ、ポゴピンプローブおよび垂直プローブが挙げられる。
上記の説明および図面に記載の特定の実施形態は、説明のためのものに過ぎず、本発明の範囲を限定するものでないことを当業者であれば理解しうる。また、当業者であれば、本発明が、その主旨または本質的な特徴から逸脱することなく、他の特定の形態で具体化され得ることを認識しうる。特定の実施形態の詳細への言及は、本発明の範囲を限定するものではない。

Claims (17)

  1. 3元系以上のパラジウム基合金であって、
    (a)パラジウムを約45〜55重量%、
    (b)銅を約32〜42重量%、
    (c)銀を約8〜15重量%、
    (d)レニウムを約0〜5重量%、及び
    (e)ルテニウム、ジルコニウム、ガリウム及び亜鉛よりなる群から選択される1以上の改質元素を1.0重量%以下含み、
    前記合金は、
    Pd:Cu比が重量比で約1.05〜1.6であり、
    Pd:Ag比が重量比で約3〜6であるパラジウム基合金。
  2. 前記パラジウムが約51〜55重量%、前記銅が約32〜40重量%、前記銀が約8.5〜14重量%、および前記レニウムが約0.5〜2.5重量%で存在する請求項1に記載の合金。
  3. 前記パラジウムが約51〜55重量%、前記銅が約32〜40重量%、前記銀が約8.5〜14重量%、および前記レニウムが約0.2〜0.8重量%で存在する請求項1に記載の合金。
  4. 前記合金の熱処理後の導電率が、19.5%IACSを超える請求項1に記載の合金。
  5. 前記合金の熱処理後の硬さが、少なくともヌープ硬度350である請求項1に記載の合金。
  6. 前記合金は、レニウムの第2相を有する請求項1に記載の合金。
  7. 前記合金は、ニッケル、クロム、金、白金、ホウ素、鉄のうちの1以上を含まない請求項1に記載の合金。
  8. 前記合金は、時効硬化されており、約60゜Fから約480°Fで100ksiを超える降伏強度を維持している請求項1に記載の合金。
  9. 前記合金は、時効硬化されており、2%を超える引張伸びを示す請求項1に記載の合金。
  10. 3元系以上のパラジウム基合金を含む半導体プローブであって、
    前記パラジウム基合金が、
    (a)パラジウムを約45〜55重量%、
    (b)銅を約32〜42重量%、
    (c)銀を約8〜15重量%、
    (d)レニウムを約0〜5重量%、及び
    (e)ルテニウム、ジルコニウム、ガリウム及び亜鉛よりなる群から選択される1以上の改質元素を1.0重量%以下含み、
    前記合金は、
    Pd:Cu比が重量比で約1.05〜1.6であり、
    Pd:Ag比が重量比で約3〜6である半導体プローブ。
  11. 前記プローブが、コブラプローブ、カンチレバープローブ、垂直プローブ、またはポゴピンプローブである請求項10に記載の半導体プローブ。
  12. 前記合金の熱処理後の導電率が、19.5%IACSを超える請求項10に記載の半導体プローブ。
  13. 前記合金の熱処理後の硬さが、少なくともヌープ硬度350である請求項10に記載の半導体プローブ。
  14. 前記合金がレニウムの第2相を含む請求項10に記載の半導体プローブ。
  15. 前記合金は、ニッケル、クロム、金、白金、ホウ素、鉄のうちの1以上を含まない請求項10に記載の半導体プローブ。
  16. 前記合金は、時効硬化されており、約60゜Fから約480゜Fで100ksiを超える降伏強度を維持している請求項10に記載の半導体プローブ。
  17. 前記合金は、時効硬化されており、2%を超える引張伸びを示す請求項10に記載の半導体プローブ。
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