JP2019506001A - 少なくとも1つの冷却フィンを備える熱拡散プレート、少なくとも1つの冷却フィンを備える熱拡散プレートを製造する方法、電子モジュール - Google Patents

少なくとも1つの冷却フィンを備える熱拡散プレート、少なくとも1つの冷却フィンを備える熱拡散プレートを製造する方法、電子モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP2019506001A
JP2019506001A JP2018540124A JP2018540124A JP2019506001A JP 2019506001 A JP2019506001 A JP 2019506001A JP 2018540124 A JP2018540124 A JP 2018540124A JP 2018540124 A JP2018540124 A JP 2018540124A JP 2019506001 A JP2019506001 A JP 2019506001A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
diffusion plate
thermal diffusion
cooling
cooling fin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2018540124A
Other languages
English (en)
Inventor
アイゼレ ロナルド
アイゼレ ロナルド
Original Assignee
ヘラエウス ドイチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディトゲゼルシャフト
ヘラエウス ドイチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディトゲゼルシャフト
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ヘラエウス ドイチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディトゲゼルシャフト, ヘラエウス ドイチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディトゲゼルシャフト filed Critical ヘラエウス ドイチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディトゲゼルシャフト
Publication of JP2019506001A publication Critical patent/JP2019506001A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3672Foil-like cooling fins or heat sinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4871Bases, plates or heatsinks
    • H01L21/4878Mechanical treatment, e.g. deforming
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4871Bases, plates or heatsinks
    • H01L21/4882Assembly of heatsink parts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3736Metallic materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/20218Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating using a liquid coolant without phase change in electronic enclosures
    • H05K7/20254Cold plates transferring heat from heat source to coolant
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

本発明は、少なくとも1つの冷却フィン(50)を有する熱拡散プレート(10)であって、熱拡散プレート(10)は、少なくとも第1層(20)と、少なくとも第2層(30)とを備え、第2層(30)のベース面(31)から折り曲げられた少なくとも1つの表面部(50)は、冷却フィンを形成する熱拡散プレートに関する。

Description

本発明は、少なくとも1つの冷却フィンを備える熱拡散プレートに関する。本発明はまた、少なくとも第1層と、少なくとも第2層と、少なくとも1つの冷却フィンとを備える熱拡散プレートを製造する方法に関する。更に、本発明は、少なくとも1つの電子部品及び少なくとも1つの熱拡散プレートを備える電子モジュールに関する。
パワーエレクトロニクス半導体及びその回路キャリアは、電力損失の熱を散逸させるために周囲への熱経路を開かなければならない。上述のサブアセンブリは、典型的には、それらの回路キャリアと共に銅製の熱伝導プレート上に配置される。パワーエレクトロニクス半導体及びその回路キャリアを冷却するために、液体及び/又はガスを用いて冷却を行うことが知られている。この目的のために、熱伝導プレート又は熱拡散プレート上に冷却フィンが形成される。このような冷却フィンは、典型的には、熱伝導プレート又は熱拡散プレートのベース面(base surface)の上に突出する。冷却フィンによって達成され得る熱放散の程度は、本質的に、これらの冷却フィンが平らなベース面と比較して達成する表面の拡大に依存する。
表面の拡大又は冷却フィンの生成は、例えば、固体プレートからのフライス加工又は様々な鋳造技術の助けを借りて行われる。熱間又は冷間押し出し又は溶接又ははんだ付けなどの添加技術によって冷却フィンの形状を生成することも知られている。
一般に、成形製造工程を用いる熱拡散プレートの製造は、技術的に時間がかかり、費用がかかる。固体プレートからフライス加工して冷却フィンを製造する場合、この減法製造技術によって極めて多量の材料が消費される。特に砂型を用いて製造される銅鋳造は材料の消費を少なくするが、形状公差が大きいためにこの製造方法では不合格品が生成される。更に、粗い材料表面のために、最終的な表面平滑化工程が追加的に必要とされることが多い。
粉末ベースの金属射出成形プロセスに基づいて冷却フィンを備える熱拡散プレート又は熱伝導プレートの製造も知られている。しかし、そのようなプロセスは、多数のプロセスステップのために時間がかかり、コストがかかる。
この先行技術から進んで、本発明の課題は、極めて直接的且つ費用効果的な方法で製造することができ、且つ、表面の拡大に関して更に有利に構成される、更に発展した少なくとも1つの冷却フィンを備える熱拡散プレートを特定することである。
更に、本発明の課題は、単純且つ費用効果的な方法で実施することができ、追加の材料を消費することなく相当な表面の拡大を達成することができる熱拡散プレートの製造方法を特定することである。
更に、本発明の課題は、少なくとも1つの電子部品と、本発明による熱拡散プレート又は本発明により製造された熱拡散プレートとを備える電子モジュールを特定することである。
本発明によれば、少なくとも1つの冷却フィンを備える熱拡散プレートに関する問題は、請求項1の主題によって解決され、少なくとも第1層と少なくとも第2層と少なくとも1つの冷却フィンとを備える熱拡散プレートを製造する方法に関する問題は、請求項8の主題によって解決され、少なくとも1つの電子部品と少なくとも1つの熱拡散プレートとを備える電子モジュールに関する問題は、請求項14の主題によって解決される。
本発明は、少なくとも1つの冷却フィンを備える熱拡散プレートを特定するという考えに基づいており、本発明による熱拡散プレートは、少なくとも第1層及び少なくとも第2層を含み、第2層のベース面から折り曲げられた少なくとも1つの表面部が冷却フィンを形成する。
熱拡散プレートは、熱伝導プレート又はヒートシンクプレートと呼ぶこともできる。
本発明によれば、熱拡散プレートは、少なくとも2つの層を含み、少なくとも第2層は、ベース面から折り曲げられた少なくとも1つの表面部を含み、この表面部は冷却フィンを形成する。
折り曲げられた表面部(bent−out surface portion:折曲表面部)は、ベース面に対して異なる向きを有し、少なくとも部分的に折曲部(bending portion)を含む任意の表面部分を意味すると理解される。言い換えれば、折曲表面部は、折り曲げられ、及び/又は押し出され(press out)、及び/又は外へ押し出され(push out)てもよく、これらの表面部も、少なくとも部分的に折曲部を有する。
第2層は、少なくとも1つの折曲表面部を有するモノリシックに、すなわち一体に形成されている。折曲表面部は、ベース面に結合されている。この連結部は、表面部の折曲部とすることができる。表面拡大部は、折曲部に隣接することができる。換言すれば、冷却フィンの表面拡大部は、折曲部によってベース面に結合される。
第1層及び/又は少なくとも第2層は、好ましくは熱伝導材料から形成される。好ましくは、第1層及び少なくとも第2層の両方が熱伝導材料から形成される。本発明の好ましい実施形態では、第1層及び少なくとも第2層は、銅及び/又は銅合金及び/又はアルミニウム及び/又はアルミニウム合金及び/又はアルミニウムシリコンカーバイド(AlSiC)により形成される。
第1層と第2層との間には、結合層が、特に焼結層又は接着層又ははんだ層が構成されることができる。
結合材料は、好ましくは、少なくとも第1層と少なくとも第2層との間に焼結材料又は焼結材料の成分として導入される。したがって、焼結して伝導層を形成することができる組成物を使用して、結合される層の間の焼結結合を生成することができる。更に、焼結可能な組成物は、インク、ペースト又は層状プレスの形態の焼結されたプリフォームの適用の形態を有することができる。焼結されたプリフォームは、金属ペースト又は金属焼結ペーストの塗布及び乾燥によって生じる。このような焼結されたプリフォームは更に焼結可能である。
あるいは、結合材料を箔、特に金属箔(薄片、ホイル)として構成し、この箔、特に金属箔を第1層と第2層との間に配置することが可能である。
焼結ペーストは、印刷、特にスクリーン印刷又はステンシル印刷によって第1層及び/又は第2層に塗布することが可能である。場合により、焼結ペースト又は金属焼結ペーストは、実際の焼結プロセスが実施される前に乾燥させることができる。液体状態を通過することなく、焼結ペーストの金属粒子は、焼結の間に拡散によって結合し、それにより、少なくとも第1層と少なくとも第2層との間に強固な電流伝導性及び熱伝導性の金属性結合部又は金属結合部を形成する。少なくとも第1層と少なくとも第2層の結合のために、銀及び/又は銀合金及び/又は炭酸銀及び/又は酸化銀を含む焼結ペーストが特に好ましく使用される。
更に、金(Au)及び/又は金合金及び/又は銅(Cu)及び/又は銅合金を含む焼結ペーストを使用することが可能である。
本発明の更なる実施形態では、第1層と第2層との間に、低膨張材料により形成される第3層を構成することができる。低膨張材料は、ニッケル合金、特にインバー(Fe65Ni35)又はインバー36(Fe64Ni36)又はコバール(Fe54Ni29Co17)、及び/又はタングステン(W))及び/又は鉄−ニッケル−コバルト合金(FeNiCo合金)であり得る。第3層の低膨張材料に関して、モリブデン(Mo)又はモリブデン合金が特に好ましい材料であることが判明している。したがって、第3層は、モリブデン又はモリブデン合金により形成されるか、モリブデン又はモリブデン合金を含み得る。
低膨張材料により形成される第3層は、温度上昇に伴う膨張の減少をもたらし、したがって、熱拡散プレートに接続されるか、又は熱拡散プレートに接続され得る電子サブアセンブリの材料に対する膨張差を低減する。低膨張材料により形成される第3層のために、電子サブアセンブリと熱拡散プレートとの間の接合領域に応力誘起クラックが生じること及び熱流がクラックによって著しく妨げられることを防ぐことができる。これは、接続される電子サブアセンブリ又は接続された電子サブアセンブリが、熱拡散プレートの第1層及び/又は第2層よりも低い熱膨張を有する第2のキャリアを含む場合に特に有利である。
少なくとも1つの冷却フィンは、ピン形状又は長方形又は半円形又は正方形とすることができる。これは幾何学的図形の包括的なリストではない。少なくとも1つの冷却フィンの他の形状も可能である。例えば、少なくとも1つの冷却フィンは、多角形、特に三角形又は五角形で構成することができる。
熱拡散プレートが複数の冷却フィンを備える限りにおいて、複数の冷却フィンは異なる形状を有することが可能である。
折曲表面部を第2層のベース面に対して10°〜90°の角度で配置することができる。特に、折曲表面部の表面拡大部は、ベース面に対して10°〜90°の角度で形成することができる。折曲表面部は、第2層のベース面に対して垂直に構成されていることが好ましい。
熱拡散プレートが複数の冷却フィンを有する限りにおいて、複数の冷却フィン、特に複数の折曲表面部は、第2層のベース面に対して配置される角度が同じであることが好ましい。
ベース面から折り曲げられた表面部として形成されて複数の冷却フィンが構成されていれば、これらの冷却フィンが互いに同じ距離に配置されていれば有利である。
熱拡散プレートの表面は、少なくとも部分的に腐食防止コーティング、特にガルバニックニッケルコーティング(galvanic nickel coating)を含むことができる。熱拡散プレートの表面は、第1層の表面及び第2層の表面の両方を意味すると理解される。また、また、熱拡散プレートの表面は、冷却フィンを含む。第2層に面する第1層の第2面は、また、熱拡散プレートの表面を少なくとも部分的に形成することができる。この第1層の第2面は、第2層の表面部分がベース面から折り曲げられて形成されている部分に露出している。
熱拡散プレートの完全な表面には、好ましくは腐食防止コーティングが施される。腐食防止コーティングは、二重のガルバニックニッケルコーティングとすることができる。熱拡散プレートの表面の腐食防止コーティングは、熱拡散プレートが水冷又は液冷に関連して使用される場合に主に有利である。
あるいは、第2層又は第2層の第2面及び一又は複数の冷却フィンのみがニッケルコーティングを有することが可能である。更に、第1層の第2面の露出部分はコーティングを有することができる。特に、熱拡散プレートのこれらの部分は、使用中の状態で水又は液体に曝される。
本発明による熱拡散プレートの助けを借りて、少なくとも1つの冷却フィンを有する熱拡散プレートが利用可能にされ、表面の拡大に関して有利に形成され、追加の材料消費なしに表面の拡大が生成される。熱抵抗の割合は、表面の拡大に比例して低下する。熱拡散プレートは、好ましくは、複数の冷却フィンを備える。
冷却フィンに関する表面の拡大又は表面の成長、すなわち、折曲表面部に関しては、4つの表面構成要素から構成される。第1表面構成要素は、折曲表面部の後側である。裏側は第2層の第1面であり、もともと第1層を指している。第2表面構成要素は、折曲表面部の端面である。端面は第2層の厚さに対応する。第3表面構成要素は、第1層の露出表面である。露出した表面は、第1層の第2面の表面である。第1層の第2面はもともと第2層を指している。第4構成要素はやはり第2層の厚さであり、この端面は折曲表面部の一部ではなく、ベース面に残っている第2層の部分の一部である。
本発明は、熱拡散プレートを製造する方法を特定するという考え方に関するさらなる第2の側面に基づいており、熱拡散プレートは第1層と少なくとも第2層と少なくとも1つの冷却フィンとを含む。熱拡散プレートは、本発明の熱拡散プレートであることが好ましい。
本発明による方法は、少なくとも1つの弱い輪郭(weakening contour)及び/又は凹部(recess)が、第2層のベース面に導入され、少なくとも1つの弱い輪郭及び/又は凹部は、表面部が少なくとも1つの連結部によりベース面に結合されるように、少なくとも部分的に表面部の境界を定め、次に、表面部が、ベース面から折り曲げられる、いう事実に基づいている。
したがって、少なくとも1つの弱い輪郭及び/又は少なくとも1つの凹部は、第2層、特に第2層のベース面に導入され、第2層からの表面部の完全な分離を可能にする弱い輪郭及及び/又は凹部が形成されないようにする。弱い輪郭及び/又は凹部は、表面部の少なくとも1つの連結部がベース面に結合されるような形状を有する。換言すれば、弱い輪郭及び/又は凹部は、第2層のベース面からの表面部の完全な切断が不可能になるように構成されている。
ベース面への連結部は、好ましくは、表面部の後の曲げ部分である。既に述べたように、折曲表面部は、曲げ部分及び表面の拡大部分を含むことができる。
少なくとも1つの弱い輪郭及び/又は少なくとも1つの凹部が第2層のベース面に導入された後、又はその表面部がベース面から折り曲げられる。
折り曲げは、曲げ部分を有する表面部を形成する任意の機械的手順を意味すると理解される。したがって、折り曲げは、外への圧迫又は引き抜き又は折り畳み又は押し出しであってもよい。折曲表面部を形成するためのこれらの機械的可能性の効果は、ベース面への連結部が表面部の曲げ部を形成することである。
弱い輪郭及び/又は凹部は、切削、特にレーザ切断又はウォータージェット切断、及び/又はフライス削り及び/又は打ち抜き(stamping:スタンピング)によって第2層のベース面に導入することができる。
折り曲げられるべき表面部のパターン又は幾何学的形状は、弱い輪郭及び/又は凹部を第2層のベース面に導入することによって決定される。弱い輪郭及び/又は凹部の形成のために第2層のベース面から少なくとも部分的に切断される表面部の折り曲げは、上部スタンプによって、特に上部スタンプと該上部スタンプに相補的に形成されたカウンタースタンプとによって、行うことができる。
上部スタンプによる表面部の折り曲げは、例えば、個々の押し出しスタッド(press−out stud)を有する上部スタンプが第2層を押圧するという事実によって行われる。複数の冷却フィンを有する熱拡散プレートが製造される限りにおいて、複数の押し出しスタッドは、好ましくは、第2層に形成された弱い輪郭及び/又は凹部と同じ距離に、上部スタンプ上に互いに配置される。少なくとも1つの押し出しスタッドは、弱い輪郭及び/又は凹部によって境界が定められた表面部を押圧する。
上部スタンプと相補的に形成されたカウンタースタンプは、好ましくは、上部スタンプの押し出しスタッドが入ることができる少なくとも1つの凹部、好ましくは複数の凹部を含む。下部スタンプの壁の助けを借りて、表面部がベース面から突出する角度を決めることができる。折曲表面部は、第2層のベース面に対して10°〜90°の角度で配置することができる。したがって、カウンタースタンプの壁は、90°〜170°の角度で断面を形成することができる。
本発明の一実施形態では、弱い輪郭及び/又は凹部の形成及び表面部の折り曲げは、プログレッシブスタンピング(progressive stamping)によって実行することができる。
第2層は、特にはんだ付け又は拡散焼きなまし又は焼結又は共晶結合又は低温焼結又は拡散はんだ付け又は接着結合によって第1層に結合することができる。弱い輪郭及び/又は凹部の導入の前に、第2層を第1層に結合することが可能である。更に、第1層と第2層との結合は、表面部の折り曲げの前に行われることが可能である。第1層に結合された第2層の存在下で、表面部の折り曲げのために、表面部を第2層のベース面から、特に把持装置によって、引き抜く必要がある。引き抜きの場合にも同様に、表面部とベース面との連結部に折り曲げ部が形成される。
第1層と第2層との間に低膨張材料により形成される第3層を構成することが可能である。低膨張材料は、ニッケル合金、特にインバー(Fe65Ni35)又はインバー36(Fe64Ni36)又はコバール(Fe54Ni29Co17)及び/又はタングステン(W)及び/又は鉄−ニッケル−コバルト合金(FeNiCo合金)であり得る。第3層は、特に好ましくは、モリブデン又はモリブデン合金により形成される。
第1層と第2層との間に第3層が構成されている限りにおいて、第1層、第2層及び第3層は、150℃〜300℃の結合温度で、特に低温焼結法により、一体に結合されることが有利である。
本発明による方法のさらなる実施形態では、第2層は、少なくとも1つの表面部の折り曲げ後に、カウンタースタンプ又は下部スタンプ上に横たわらせたままにすることが可能である。製造されるべき熱拡散プレートの結合される層は、第2層上に連続的に配置される。押し出しスタッドを含まない更に別の上部スタンプを用いて、結合されるすべての層に圧力を加えることができる。熱拡散プレートの層は、結合層によって、特に加圧焼結のプロセスを用いる焼結ペーストによって、互いに物理的に一体に結合することが可能である。この目的のために、上部スタンプは、カウンタースタンプを押圧し、したがって、その間に位置する熱拡散プレートの層を押す。
本発明はまた、少なくとも1つの電子部品と少なくとも1つの熱拡散プレートとを有する電子モジュールを特定するという考えに基づいており、熱拡散プレートは、上述した本発明による熱拡散プレート又は発明により製造された熱拡散プレートである。
電子モジュールは、第2層から離れて面するように構成される第1層の第1面に間接的又は直接的に接続される少なくとも1つの電子部品を含む。第1層の第1面は、第1層の表面と呼ぶこともできる。電子部品によって発生された熱は、特に、第1層の表面又は第1層の第1面に作用する。少なくとも1つの電子部品を第1層の表面に間接的に接続する場合、結合層、特に接着層又ははんだ層又は焼結ペースト層を電子部品と熱拡散プレートとの間に構成要素とすることが可能である。
熱拡散プレートの第2層は、冷却媒体、特に空気及び/又は水及び/又はグリコール及び/又は油にさらされる部品として構成されることが好ましい。
熱拡散プレートの少なくとも1つの冷却フィンは、冷却媒体の流れ方向に対して10°〜90°の角度で形成することができる。特に、冷却フィンは、冷却媒体の流れ方向に対して平行又は垂直に配置させることが可能である。用途に応じて、少なくとも1つの冷却フィンは、好ましい形状及び/又は配置を有することができる。実施例の以下の実施例は、調査及び流体力学シミュレーションにおいて確認することができた。
小さな質量流量(mass flow:マスフロー)を有する冷却媒体の空気:
冷却フィンは、好ましくは大きな冷却面を有し、好ましくは正方形又は長方形に形成される。冷却フィンの冷却面への入射流は、冷却媒体の流れ方向と平行であり、複数の冷却フィンの冷却面は互いに大きな面間隔を有する。
大きな質量流量を有する冷却媒体の空気:
冷却フィンは小さい冷却面を有することが好ましい。冷却フィンの冷却面への入射流は、冷却媒体の流れ方向と平行であることが好ましく、複数の冷却フィンの冷却面は互いに小さな面間隔を有する。
低い圧力損失で小さな質量流量を有する冷却媒体水(場合によりグリコールを含む):
冷却フィンは小さな冷却面を有し、好ましくはピン形状又は半円形で構成され、冷却フィンの冷却面への入射流は、冷却媒体の流れ方向に対して角度的に傾斜して平行になり、複数の冷却フィンの冷却面は互いに標準の面間隔を有する。
大きな質量流量及び高い圧力損失を有する冷却媒体水(場合によりグリコールを含む):
冷却フィンは標準の冷却面を有し、好ましくは長方形又は半円形で構成され、冷却フィンの冷却面への入射流は、冷却媒体の流れ方向に対して大きな角度又は垂直であり、複数の冷却フィンの冷却面は、互いに小さな面間隔を有することが好ましい。
小さな質量流量の冷却媒体オイル:
冷却フィンは、大きな冷却面を有することが好ましく、長方形又は半円形で構成されることが好ましく、冷却フィンの冷却面への入射流は、冷却媒体の流れ方向と平行であることが好ましく、複数の冷却フィンの冷却面は互いに大きな面間隔を有する。
大きな質量流量及び高い圧力損失を有する冷却媒体オイル:
冷却フィンは大きな冷却面を有し、好ましくは長方形又は半円形で構成され、冷却フィンの冷却面への入射流は、冷却媒体の流れ方向に対してある角度を有することが好ましく、複数の冷却フィンの冷却面は、互いに大きな面間隔を有することが好ましい。
冷却フィンの最大の表面構成要素は、好ましくは、冷却フィンの冷却面と呼ばれる。冷却面又は冷却面の形状は、導入された凹部の形状及び/又は導入された弱い輪郭の形状に基づいて決定される。
本発明は、実施例の例に基づいて、添付の概略図を参照して、以下により詳細に説明される。これらの図では、以下では、同一で同一に動作する部分については同一の参照符号を使用する。
図1aは、実施形態の第1の例による冷却フィンを備えた熱拡散プレートの個々の層及び要素の配置を示す。 図1bは、結合された状態における図1aによる冷却フィンを備えた熱拡散プレートを示す。 図2は、複数の冷却フィンを備えた熱拡散プレートを示す。 図3は、別の実施形態による複数の冷却フィンを備えた熱拡散プレートを示す。 図4は、凹状の構造の熱拡散プレートを有する本発明による電子モジュールを示す。 図5aは、表面部の折り曲げに関する個々のプロセスステップを示す。 図5bは、表面部の折り曲げに関する個々のプロセスステップを示す。 図5cは、表面部の折り曲げに関する個々のプロセスステップを示す。 図5dは、表面部の折り曲げに関する個々のプロセスステップを示す。 図5eは、表面部の折り曲げに関する個々のプロセスステップを示す。 図6aは、熱拡散プレートの個々の層の結合に関する個々のプロセスステップを示す。 図6bは、熱拡散プレートの個々の層の結合に関する個々のプロセスステップを示す。 図6cは、熱拡散プレートの個々の層の結合に関する個々のプロセスステップを示す。
図1aは、製造される熱拡散プレート10の個々の層及び表面部を示す(図1b参照)。したがって、第1層20と少なくとも第2層30は、互いに上下に配置される。第1層20と第2層30との間に結合層40が配置される。第2層30は、基本的に第1層20と平行に形成されたベース面31を含む。第1層20は、第1面21及び第2面22を含む。第1面21は、第2層30から離れて面するように構成され、製造される熱拡散プレート10の表面を形成する。第1層20の第2面22は、第2層30の方に面している。第2層30はまた、第1層20に割り当てられた第1面32を含む。一方、第2層30の第2面33は、第1層20から離れて面するように構成される。
第1層20及び第2層30は、好ましくは、熱伝導材料から製造される。これらは、銅及び/又は銅合金及び/又はアルミニウム及び/又はアルミニウム合金及び/又はアルミニウムシリコンカーバイドであってもよい。第1層20と第2層30との間に構成される結合層40は、焼結層であることが好ましい。この焼結層は、例えば、銀粒子を含むことができる。
表面部50は、第2層30のベース面31から折り曲げられている。この折曲表面部50は、冷却フィンを形成する。折曲表面部50は、折曲部51及び表面拡大部52を含む。第2層30は、折曲表面部50のために切り欠き25を含む。第1層20の第2面22へのアクセスは、第1層20及び第2層30の結合した状態(図1b参照)において、切り欠き25により生成され得る。この場合、結合層40は、切り欠き25内に構成されていない。結合層40を形成することができる焼結ペーストは、第1層20又は第2層30上に塗布されて、例えばステンシル(stencil:謄写版原紙)の助けを借りて、結合層40が切り欠きを含むことができるようにする。あるいは、結合層40を連続的に、すなわち切り欠きなしに構成することが可能である。
この場合、折曲表面部50は、第2層30のベース面31に対して90°の角度αで配置される。冷却面53と第1層20の第2面22との間には、角度αが形成されている。換言すれば、冷却面53は、切り欠き25の領域に角度αが形成される。
熱拡散プレート10の全表面は、好ましくは、ガルバニックに塗布されたニッケルコーティングを含む。ニッケルコーティングは腐食を抑制する。熱拡散プレート10が水冷装置として使用される場合、ガルバニックニッケルコーティングは腐食の形成を防止する。熱拡散プレート10の表面は、第1層20の第1面21及び第2層30の第2面33の両方を意味すると理解される。熱拡散プレート10の表面はまた、折曲表面部50の冷却面53及び54を含む。第1層20の第2面22の切り欠き25に位置する部分も表面に属する。これは、第1層20及び第2層30の目に見える厚さd1及びd2にも適用される。
あるいは、第2層30又は第2層30の第2面33及び冷却フィン50のみがニッケルコーティングを含むことが可能である。更に、第1層20の第2面22の露出部分は、コーティングを含むことができる。特に、熱拡散プレートのこれらの部分は、使用中の状態で水又は液体にさらされる。
図2は、冷却フィンを形成する複数の折曲表面部50を有する熱拡散プレート10を示す。第1層20の第1面21には、複数の電子部品70が配置されている。これらの電子部品70は、基板プレート75上に配置されている。基板プレート75は、電子部品70とともに、例えばはんだ結合部77によって、第1層20の第1面21上に貼り付けられる。はんだ結合部77の代わりに接着結合又は焼結結合を構成することもできる。冷却フィン50を有する熱拡散プレート10と、基板プレート75及び電子部品70によって形成される電子サブアセンブリは、電子モジュール80を形成する。熱拡散プレート10の第2層30は、冷却媒体に曝される構成要素として構成されている。冷却媒体は、例えば、空気又は液体であり得る。
互いに平行に構成された矢印は、冷却媒体の流れ方向Sを示している。冷却フィン50は、冷却媒体の流れ方向Sに対して垂直に構成されている。したがって、冷却フィン50の冷却面54への冷却媒体の入射流は、直角である。冷却面54への入射流が直角であるため、冷却フィン50の間に乱流が生じ、特に良好な冷却能力がここに存在する。
図3は、電子モジュール80のさらなる実施形態を示す。代表的な熱拡散プレート10は、第1層20、第2層30及び第3層45を含む。この第3層45は低膨張層である。低膨張材料は、ニッケル合金、特にインバー(Fe65Ni35)又はインバー36(Fe64Ni36)又はコバール(Fe54Ni29Co17)及び/又はタングステン(W)及び/又は鉄−ニッケル−コバルト合金(FeNiCo合金)であり得る。モリブデン(Mo)又はモリブデン合金は、第3層45の低膨張材料に関して特に好ましい材料であることが判明している。従って、第3層45は、モリブデン又はモリブデン合金で作ることができ、又はモリブデン又はモリブデン合金を含み得る。この低膨張の第3層45又は低膨張材料により形成されるこの第3層45は、温度上昇に伴う膨張の減少をもたらし、このようにして、電子部品70及び/又は基板75の材料に関する膨張差を低減する。熱拡散プレート10と基板プレート75との結合ゾーンに応力誘起割れ(クラック)が発生することが防止され、クラックにより熱流が著しく減少することが防止される。これは、典型的には、4〜8ppm/Kの平均熱膨張率を有するセラミックベースの基板の場合である。低膨張の第3層45は、例えばモリブデンにより形成される。
図4は、冷却フィン50を有する別の熱拡散プレート10を示す。熱拡散プレート10の層構造は非対称である。これは、第1層20の厚さd1が第2層30の厚さd2より大きく、且つ第3層45の厚さd3よりも大きいことを意味する。第3層45は低膨張層である。非対称的な構造のために、熱拡散プレート10は凹形状を有する。凹形状は、窪み60及び弓形側面65を形成する。
また、図5a〜図5eは、第2層30の折曲表面部50がどのように製造され得るかを段階的に示す。図5aは、第1面32上への第2層30の平面図を示している。第1面32及び第2面33の向きに関しては、図1a及び図1bに関連した前述の説明を参照すべきである。
複数の凹部90が第2層30に導入される。全体として、合計15個の凹部90を有する3つの水平な行と5つの垂直な列が形成される。凹部90は、U字形に構成されている。凹部90は、V字状又は半円状に構成されていることも考えられる。直線上にある凹部90間の水平方向の間隔は同一である。横方向に隣り合う凹部90間の間隔は同一である。
凹部90は、例えばレーザ切断又はウォータージェット切断によって切断することによって、第2層30に導入される。凹部90を打ち抜き又はフライス削りによって第2層30に導入することも可能である。凹部90は、表面部92の境界を定め、これらの表面部92は折曲表面部である。まだ折り曲げられていない状態では、全ての表面部92は、第2層30のベース面31と同じ平面内にある。それぞれの表面部92は、少なくとも1つの連結部91でベース面31に結合される。言い換えれば、凹部90は、表面部92がベース面31から完全に切断されないようにベース面31に導入されるべきである。連結部91は、後で折曲部51を形成する。その後の折曲表面部50の輪郭又は幾何学的形状は、凹部90の形状によって決定される。
凹部90が第2層30に導入された後、表面部92がベース面31から押し出される。この目的のために、第2層30がスタンピング(stamping:型押し、打刻)装置100内に配置される。スタンピング装置100は、上部スタンプ101とカウンタースタンプを有する。上部スタンプ101は、押し出しスタッド103を含む。上部スタンプ101は、製造される押し出し表面部50と同じ数の押し出しスタッド103を含むことが好ましい。第2層30は、押し出しスタッド103が表面部92を押すことができるようにスタンピング装置100内に配置される。連結部91は、好ましくは、カウンタースタンプ102の壁104の端に隣接して位置する。カウンタースタンプ102は、凹部105を含み、その中に押し出しスタッド103を摺動させることができる。
図5eに示すように、上部スタンプ101及びカウンタースタンプ102の圧力によって、表面部92がベース面31から押し出され又は折り曲げられる。この圧力は矢印方向に支配的である。ベース面31は、カウンタースタンプ102のアンビル(anvil:金床)状の対向要素106(図5c参照)上に横たわったままである。
図5dに示すように、凹部105は押し出しスタッド103よりも幅広であるので、表面部92は壁104に沿って垂直に下方に押されることができる。
図5eに示すように、上部スタンプ101は、表面部92がベース面31に対して90°に曲げられるように、カウンタースタンプ102の中に押し込まれる。この状態では、完全に折り曲げられた表面部50が存在する。壁104の形状(図5b参照)は、後で角度αを決定する。後続の折曲部51は、それぞれ壁104の端に形成される。
また、図6a〜6cは、例として、第2層30が、製造されるべき熱拡散プレート10の他の層にどのように結合され得るかを表す。この目的のために、押し出しスタッド103を備えた上スタンプ101を離す。第2層30は、カウンタースタンプ内に折曲表面部50を残したままである(図6a参照)。次に、第2層30の第1面32に結合層40が取り付けられ得る。この結合層40は、例えば、接着層又は焼結層又ははんだ層とすることができる。結合層40は、好ましくは、第1面32のベース面31にのみに取り付けられる。低膨張材料により形成される第3層45は、結合層40上に取り付けられることが好ましい。第3層45は、例えばモリブデン層である。第3層45上に結合層41を取り付けることもできる。ここでも、それは、接着層又は焼結層又ははんだ層とすることができる。次に、第1層20が配置される。第1層20の第2面22は、第2層30の方向を指す。
個々の層20,30,40,41及び45の配置は、図6bに示すように、上部スタンプ110及びカウンタースタンプ102を用いて加圧される。例えば、これは、低圧温度焼結プロセスの一部として行うことができる。ここで、150℃〜300℃の温度で熱を加える。耐久性のある焼結結合は、250℃の温度で、好ましくは1〜10分間、例えば4分間、5〜30MPa、特に25MPaの圧力を加えることによって形成される。
図6cに示すように、次いで、熱拡散プレート10をスタンピング装置100から取り外すことができるように、上部スタンプ110の除去が行われる。
最後に、熱拡散プレート10に腐食防止コーティングを完全に設けることができる。例えば、熱拡散プレート10の全面にニッケルコーティングを施すことができる。
10 熱拡散板
20 第1層
21 第1層の第1面
22 第1層の第2面
25 切り欠き
30 第2層
31 ベース面
32 第2層の第1面
33 第2層の第2面
40 結合層
41 結合層
45 第3層
50 折曲表面部
51 折曲部
52 表面拡大部
53 冷却面
54 冷却面
60 窪み
65 弓形側面
70 電子部品
75 基板プレート
77 はんだ層
80 電子モジュール
90 凹部
91 連結部
92 表面部
100 スタンプ装置
101 上部スタンプ
102 カウンタースタンプ
103 押し出しスタッド
104 壁
105 凹部
106 対向要素
110 上部スタンプ
d1 第1層の厚さ
d2 第2層の厚さ
d3 第3層の厚さ
S 冷却媒体の流れ方向
V 乱流
α ベース面と折曲表面部との間の角度

Claims (16)

  1. 少なくとも1つの冷却フィン(50)を有する熱拡散プレート(10)であって、
    前記熱拡散プレート(10)は、少なくとも第1層(20)と、少なくとも第2層(30)とを備え、
    前記第2層(30)のベース面(31)から折り曲げられた少なくとも1つの表面部(50)は、前記冷却フィンを形成することを特徴とする熱拡散プレート。
  2. 前記第1層(20)及び/又は前記第2層(30)は、銅及び/又は銅合金及び/又はアルミニウム及び/又はアルミニウム合金及び/又はアルミニウムシリコンカーバイド(AlSiC)により形成されることを特徴とする請求項1記載の熱拡散プレート。
  3. 結合層(40、41)が、特に焼結層又は接着層又ははんだ層が、前記第1層(20)と前記第2層(30)との間に形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の熱拡散プレート。
  4. 低膨張材料により形成され、特にニッケル合金により形成され、又は、特にインバー(Fe65Ni35)又はインバー36(Fe64Ni36)又はコバール(Fe54Ni29Co17)及び/又はタングステン(W)及び/又は鉄−ニッケル−コバルト合金(FeNiCo合金)により形成され、特に好ましくはモリブデン(Mo)により形成される少なくとも第3層(45)が、前記第1層(20)と前記第2層(30)との間に形成されることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の熱拡散プレート。
  5. 少なくとも1つの前記冷却フィン(50)は、ピン形状又は長方形又は半円形又は正方形であることを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載の熱拡散プレート。
  6. 折曲表面部(51)が、前記第2層(30)の前記ベース面(31)に対して10°〜90°の角度で配置されることを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の熱拡散プレート。
  7. 前記熱拡散プレート(10)の表面の少なくとも一部分には、腐食防止コーティングが、特にガルバニックニッケルコーティングが、形成されることを特徴とする請求項1〜6の何れか一項に記載の熱拡散プレート。
  8. 少なくとも第1層(20)と少なくとも第2層(30)と少なくとも1つの冷却フィン(50)とを備える熱拡散プレート(10)を製造するための方法、特に請求項1〜請求項7の何れか一項に記載の熱拡散プレート(10)を製造するための方法であって、
    少なくとも1つの弱い輪郭及び/又は凹部(90)が、前記第2層(30)のベース面(31)に導入され、少なくとも1つの前記弱い輪郭及び/又は前記凹部(90)は、表面部(92)が少なくとも1つの連結部(91)により前記ベース面(31)に結合されるように、少なくとも部分的に前記表面部(92)の境界を定め、
    次に、前記表面部(92)が、前記ベース面(31)から折り曲げられることを特徴とする熱拡散プレート(10)を製造するための方法。
  9. 前記弱い輪郭及び/又は前記凹部(90)は、切断によって、特にレーザ切断又はウォータージェット切断によって、及び/又はフライス削りによって、及び/又は打ち抜きによって、前記第2層(30)の前記ベース面(31)に導入されることを特徴とする請求項8に記載の方法。
  10. 前記表面部(92)の折り曲げは、上部スタンプ(101)によって、特に上部スタンプ(101)及び当該上部スタンプ(101)に相補的に形成されたカウンタースタンプ(102)によって行われることを特徴とする請求項8又は9に記載の方法。
  11. 前記第2層(30)は、特にはんだ付け、又は拡散焼きなまし、又は焼結、又は共晶結合、又は低温焼結、又は拡散はんだ付け、又は接着結合により、前記第1層(20)と結合されることを特徴とする請求項8〜10の何れか一項に記載の方法。
  12. 低膨張材料により形成され、特にニッケル合金により形成され、又は、特にインバー(Fe65Ni35)又はインバー36(Fe64Ni36)又はコバール(Fe54Ni29Co17)及び/又はタングステン(W)及び/又は鉄−ニッケル−コバルト合金(FeNiCo合金)により形成され、特に好ましくはモリブデン(Mo)により形成される第3層(45)が、前記第1層(20)と前記第2層(30)との間に形成されることを特徴とする請求項8〜11の何れか一項に記載の方法。
  13. 前記第1層(20)と前記第2層(30)と前記第3層(45)は、150℃〜300℃の結合温度で、特に低温焼結プロセスによって一体に結合されることを特徴とする請求項12に記載の方法。
  14. 少なくとも1つの電子部品(70)、及び請求項1〜7の何れか一項に記載の少なくとも1つの熱拡散プレート(10)又は請求項8〜13の何れか一項に記載の方法で製造された熱拡散プレート(10)を備える電子モジュール(80)であって、
    少なくとも1つの前記電子部品(70)は、前記第1層(20)における前記第2層(30)とは離れて面するように構成される面(21)に間接的又は直接的に接続されることを特徴とする電子モジュール。
  15. 前記熱拡散プレート(10)の前記第2層(30)は、冷却媒体、特に空気及び/又は水及び/又はグリコール及び/又は油にさらされる部品として構成されることを特徴とする請求項14に記載の電子モジュール。
  16. 少なくとも1つの前記冷却フィン(50)は、前記冷却媒体の流れの向き(S)に対して10°〜90°の角度で、特に垂直又は平行に形成されることを特徴とする請求項15に記載の電子モジュール。
JP2018540124A 2016-02-19 2017-02-09 少なくとも1つの冷却フィンを備える熱拡散プレート、少なくとも1つの冷却フィンを備える熱拡散プレートを製造する方法、電子モジュール Pending JP2019506001A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP16156492.7 2016-02-19
EP16156492.7A EP3208840A1 (de) 2016-02-19 2016-02-19 Wärmespreizplatte mit mindestens einer kühlfinne, verfahren zur herstellung einer wärmespreizplatte mit mindestens einer kühlfinne, elektronikmodul
PCT/EP2017/052872 WO2017140572A1 (de) 2016-02-19 2017-02-09 Wärmespreizplatte mit mindestens einer kühlfinne, verfahren zur herstellung einer wärmespreizplatte mit mindestens einer kühlfinne, elektronikmodul

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2019506001A true JP2019506001A (ja) 2019-02-28

Family

ID=55442657

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018540124A Pending JP2019506001A (ja) 2016-02-19 2017-02-09 少なくとも1つの冷却フィンを備える熱拡散プレート、少なくとも1つの冷却フィンを備える熱拡散プレートを製造する方法、電子モジュール

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20210210403A1 (ja)
EP (1) EP3208840A1 (ja)
JP (1) JP2019506001A (ja)
TW (1) TWI676778B (ja)
WO (1) WO2017140572A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020092239A (ja) * 2018-12-07 2020-06-11 Jx金属株式会社 ヒートシンク、半導体モジュール及び、ヒートシンクの製造方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0779658A2 (en) * 1995-12-14 1997-06-18 Texas Instruments Incorporated A heat sink arrangement
US6205662B1 (en) * 1999-05-14 2001-03-27 Yun-Ching Chen Method of producing a built-up heat exchanger and product thereof
JP2001252772A (ja) * 2000-03-10 2001-09-18 Showa Denko Kk アルミニウム−銅クラッド材およびその製造方法
JP2001284505A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Sanko:Kk ヒートシンク及びその製造方法
US20010030039A1 (en) * 2000-03-10 2001-10-18 Showa Aluminum Corporation Aluminum-copper clad member, method of manufacturing the same, and heat sink
JP2006100640A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Hitachi Metals Ltd セラミックス回路基板及びこれを用いたパワー半導体モジュール
JP2009099740A (ja) * 2007-10-16 2009-05-07 Furukawa Electric Co Ltd:The 筐体の冷却装置
JP2009129983A (ja) * 2007-11-20 2009-06-11 Toyota Central R&D Labs Inc 接合体及びその製造方法、並びにパワー半導体モジュール及びその製造方法
WO2010005435A1 (en) * 2008-07-10 2010-01-14 Graftech International Holdings Inc. Improved heat dissipation for low profile devices
JP2014127629A (ja) * 2012-12-27 2014-07-07 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板、金属部材付パワーモジュール用基板、金属部材付パワーモジュール、パワーモジュール用基板の製造方法、及び金属部材付パワーモジュール用基板の製造方法
JP2015185706A (ja) * 2014-03-25 2015-10-22 三菱マテリアル株式会社 ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW524435U (en) * 2002-05-13 2003-03-11 Waffer Technology Corp Improved fin structure of heat sink
TW200833225A (en) * 2007-01-23 2008-08-01 Tysun Inc Thermal module of composite structure
TWI419272B (zh) * 2009-12-19 2013-12-11 Bridge Semiconductor Corp 具有凸柱/基座之散熱座及訊號凸柱之半導體晶片組體

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0779658A2 (en) * 1995-12-14 1997-06-18 Texas Instruments Incorporated A heat sink arrangement
US6205662B1 (en) * 1999-05-14 2001-03-27 Yun-Ching Chen Method of producing a built-up heat exchanger and product thereof
JP2001252772A (ja) * 2000-03-10 2001-09-18 Showa Denko Kk アルミニウム−銅クラッド材およびその製造方法
US20010030039A1 (en) * 2000-03-10 2001-10-18 Showa Aluminum Corporation Aluminum-copper clad member, method of manufacturing the same, and heat sink
JP2001284505A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Sanko:Kk ヒートシンク及びその製造方法
JP2006100640A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Hitachi Metals Ltd セラミックス回路基板及びこれを用いたパワー半導体モジュール
JP2009099740A (ja) * 2007-10-16 2009-05-07 Furukawa Electric Co Ltd:The 筐体の冷却装置
JP2009129983A (ja) * 2007-11-20 2009-06-11 Toyota Central R&D Labs Inc 接合体及びその製造方法、並びにパワー半導体モジュール及びその製造方法
WO2010005435A1 (en) * 2008-07-10 2010-01-14 Graftech International Holdings Inc. Improved heat dissipation for low profile devices
JP2014127629A (ja) * 2012-12-27 2014-07-07 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板、金属部材付パワーモジュール用基板、金属部材付パワーモジュール、パワーモジュール用基板の製造方法、及び金属部材付パワーモジュール用基板の製造方法
JP2015185706A (ja) * 2014-03-25 2015-10-22 三菱マテリアル株式会社 ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20210210403A1 (en) 2021-07-08
WO2017140572A1 (de) 2017-08-24
EP3208840A1 (de) 2017-08-23
TW201730504A (zh) 2017-09-01
TWI676778B (zh) 2019-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6171622B2 (ja) パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板を製造する方法
US20100091463A1 (en) Cooling body
JP5821389B2 (ja) パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール用基板
CN102574361B (zh) 层合材料及其制造方法
EP2372758A2 (en) Cooling device
TWI648115B (zh) 用於製造散熱板之方法、散熱板、用於製造半導體模組之方法及半導體模組
CN108140625A (zh) 带散热片的功率模块用基板及功率模块
CN106575639A (zh) 功率模块用基板的制造方法
JP2008235852A (ja) セラミックス基板及びこれを用いた半導体モジュール
US20110005810A1 (en) Insulating substrate and method for producing the same
JP2016072563A (ja) ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法
JP2001358266A (ja) 半導体搭載用放熱基板材料、その製造方法、及びそれを用いたセラミックパッケージ
JP2019506001A (ja) 少なくとも1つの冷却フィンを備える熱拡散プレート、少なくとも1つの冷却フィンを備える熱拡散プレートを製造する方法、電子モジュール
JP6331867B2 (ja) ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法
JP6040803B2 (ja) パワーモジュール
JP2013219194A (ja) 半導体装置
JP2012146801A (ja) ヒートシンク、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びヒートシンクの製造方法。
JP2016012612A (ja) ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法、パワーモジュール
CN109216303B (zh) 一种芯片散热器及其制备方法和dbc基板组件
JP2012191004A (ja) パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール用基板
US9138840B2 (en) Method for manufacturing a heat sink
JP5146261B2 (ja) パワーモジュール
CN106449566B (zh) 一种冷却器的制造方法
JP2018041867A (ja) 放熱基板、及び放熱基板の製造方法
CN116157258A (zh) 复合材料、散热器和半导体封装

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180801

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190527

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190604

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190815

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200121

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20200811