JP5146261B2 - パワーモジュール - Google Patents
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Description
図1aは、本発明のパワーモジュールの一実施の形態の実装構造を示した模式図であり、図1bは、図1aのb−b矢視図を写真で示したものである。このパワーモジュール100の実装構造は、半導体素子1(IGBTチップ)がはんだ層3を介して金属配線板2上に取付けられて回路ユニット4を形成し、金属配線板2が絶縁基板5上に取り付けられ、絶縁基板5とヒートシンク板71および還流器72とからなる冷却器7の間に、応力緩和部材6が介層された積層構造を呈している。
図2aで示すパワーモジュール100Aは、図1のパワーモジュール100に対して絶縁基板5と応力緩和材6の間に金属板8を介層させた点でパワーモジュール100と相違している。
本発明者等は、応力緩和材の気孔径および気孔率の最適範囲、すなわち、多数の気孔が部材内に均一に分散する応力緩和材を気孔径および気孔率の双方から規定するに際し、それらをファクターとして変化させた際の、応力緩和材の剛性と熱伝導率を計測し、計測結果からそれらの傾向を特定する方法を採用した。図4は、応力緩和材の気孔径範囲を規定するために、応力緩和材の気孔径と剛性の関係を検証した実験の結果を示したものであり、いずれも平面視が矩形で板状を呈し、気孔径のみが異なる応力緩和材を複数作成し、それらの剛性(曲げ剛性)を計測したものである。なお、この実験では、すべての実験モデルの気孔率を9〜10体積%に設定し、その上で気孔径をモデルごとに変化させている。
本発明者等はさらに、実際のパワーモジュールの1/4規模の解析モデルを気孔率を変えてコンピュータ内で複数作成し、窒化アルミニウムからなる絶縁基板に発生した最大主応力を解析するとともに、発熱体(半導体素子)の温度を解析した。
Claims (7)
- 金属配線板と、該金属配線板上に搭載された半導体素子と、からなる回路ユニットと、
前記回路ユニットが搭載されるセラミックスからなる絶縁基板と、
前記絶縁基板が搭載される金属素材の応力緩和材と、
前記応力緩和材が搭載される冷却器と、からなり、
前記応力緩和材は、その気孔径が0.1〜85μmの範囲であり、その気孔率が1〜15体積%の範囲である、パワーモジュール。 - 前記応力緩和材は、アルミニウムもしくはその合金、銅もしくはその合金のうちのいずれか一種からなる、請求項1に記載のパワーモジュール。
- 前記応力緩和材と前記絶縁基板の間、該応力緩和材と前記冷却器の間の、双方もしくはいずれか一方に金属板が介層されている、請求項1または2に記載のパワーモジュール。
- 前記金属配線板が、気孔径が0.1〜85μmの範囲であり、気孔率が1〜15体積%の範囲である応力緩和材から形成されている、請求項1〜3のいずれかに記載のパワーモジュール。
- 応力緩和材からなる前記金属配線板と前記絶縁基板の間に金属板が介層されている、請求項4に記載のパワーモジュール。
- 前記金属配線板と前記絶縁基板の間に、気孔径が0.1〜85μmの範囲であり、気孔率が1〜15体積%の範囲である別途の応力緩和材が介層されている、請求項1〜3のいずれかに記載のパワーモジュール。
- 前記別途の応力緩和材と前記絶縁基板の間に金属板が介層されている、請求項6に記載のパワーモジュール。
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