JP2013211288A - ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 - Google Patents
ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013211288A JP2013211288A JP2012078574A JP2012078574A JP2013211288A JP 2013211288 A JP2013211288 A JP 2013211288A JP 2012078574 A JP2012078574 A JP 2012078574A JP 2012078574 A JP2012078574 A JP 2012078574A JP 2013211288 A JP2013211288 A JP 2013211288A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- power module
- substrate
- heat
- module substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
Abstract
【課題】ヒートシンク付パワーモジュール用基板において、ヒートシンクを薄肉化した場合であっても、放熱フィンの作製時にヒートシンクに反りやうねり等の変形が発生することを抑制可能なヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層12の一方の面に回路層13が配設されたパワーモジュール用基板3と、放熱フィン16を有するヒートシンク11と、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板2の製造方法であって、パワーモジュール用基板3の他方の面側に金属板を接合した後に、前記放熱フィン16を前記金属板の表面に機械加工を用いて起立成形することにより、前記放熱フィン16を有する前記ヒートシンク11を形成することを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】絶縁層12の一方の面に回路層13が配設されたパワーモジュール用基板3と、放熱フィン16を有するヒートシンク11と、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板2の製造方法であって、パワーモジュール用基板3の他方の面側に金属板を接合した後に、前記放熱フィン16を前記金属板の表面に機械加工を用いて起立成形することにより、前記放熱フィン16を有する前記ヒートシンク11を形成することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
この発明は、絶縁層の一方の面に回路層が配設されたパワーモジュール用基板と前記絶縁層の他方の面側にヒートシンクとを備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法に関するものである。
各種の半導体素子のうちでも、電気自動車や電気車両などを制御するために用いられる大電力制御用のパワー素子(電子部品)は、従来の半導体素子と比べて発熱量が多い。このパワー素子を搭載するパワーモジュール用基板としては、例えばAlN(窒化アルミ)などからなるセラミックス基板(絶縁層)の一方の面及び他方の面に、導電性の優れた金属板を、回路層及び金属層として接合されたパワーモジュール用基板が、従来から広く用いられている。
そして、このようなパワーモジュール用基板は、その回路層の表面には、はんだ材を介してパワー素子としての半導体素子が搭載される。また、金属層の表面には、熱伝導性に優れたアルミニウム等からなるヒートシンクを接合し、放熱させる構造とされている。
最近では、パワーモジュールの小型化・薄肉化が進められるとともに、その使用環境も厳しくなってきており、電子部品からの発熱量が従来よりも増加する傾向にあり、電子部品の熱を十分に放熱することが求められている。この熱を放熱するために、例えば、特許文献1では、パワーモジュール用基板の下方に、放熱フィンを備えたヒートシンクが設けられ、このパワーモジュール用基板とヒートシンクとがネジ留めによって接合されたヒートシンク付パワーモジュール用基板が提案されている。
最近では、パワーモジュールの小型化・薄肉化が進められるとともに、その使用環境も厳しくなってきており、電子部品からの発熱量が従来よりも増加する傾向にあり、電子部品の熱を十分に放熱することが求められている。この熱を放熱するために、例えば、特許文献1では、パワーモジュール用基板の下方に、放熱フィンを備えたヒートシンクが設けられ、このパワーモジュール用基板とヒートシンクとがネジ留めによって接合されたヒートシンク付パワーモジュール用基板が提案されている。
ところで、従来のヒートシンク付パワーモジュール用基板は、予め金属板の表面を機械加工することによって放熱フィンを有するヒートシンクを形成し、このヒートシンクとパワーモジュール用基板とを接合することで作製される。このヒートシンク付パワーモジュール用基板をパワーモジュールとして使用した場合には、熱サイクルが負荷され、熱サイクルに応じて絶縁層及びヒートシンクが膨張と収縮を繰り返すこととなる。このとき、絶縁層とヒートシンクとの熱膨張係数の差に起因して、絶縁層には熱応力が生じ、割れが発生することがある。この絶縁層に生じる熱応力を低減して絶縁層に発生する割れを抑制するために、できるだけヒートシンクを薄肉化して剛性を低くすることが求められている。
しかしながら、ヒートシンクを薄肉化すると、ヒートシンクの剛性が低下するため、放熱フィンを加工する際にヒートシンクに反りやうねり等の変形が生じるおそれがある。このような変形が生じると、ヒートシンクを金属層と接合した際に、ヒートシンクと金属層の接合部に隙間が生じるため、パワーモジュールとして使用した場合に、熱の伝達が空気を介することとなり、ヒートシンクと金属層との接合部において熱抵抗が大きくなる問題がある。
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、ヒートシンク付パワーモジュール用基板において、ヒートシンクを薄肉化した場合であっても、放熱フィンの作製時にヒートシンクに反りやうねり等の変形が発生することを抑制可能なヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供することを目的とする。
このような課題を解決して、前記目的を達成するために、本発明のヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法は、絶縁層の一方の面に回路層が配設されたパワーモジュール用基板と、放熱フィンを有するヒートシンクと、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法であって、パワーモジュール用基板の他方の面側に金属板を接合した後に、前記放熱フィンを前記金属板の表面に機械加工を用いて起立成形することにより、前記放熱フィンを有する前記ヒートシンクを形成することを特徴としている。
このヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法によれば、パワーモジュール用基板の他方の面側に金属板を接合した後に、放熱フィンを金属板の表面に機械加工を用いて起立成形することにより、放熱フィンを有するヒートシンクを形成する。こうすることによって、金属板がパワーモジュール用基板に支持されるため、パワーモジュール用基板と金属板が一体となり全体の剛性が上昇するので、機械加工を用いて放熱フィンを起立成形する際に、ヒートシンクに反りやうねり等の変形が発生することを抑制することができる。
また、金属板の表面を機械加工により放熱フィンを形成する時点でパワーモジュール用基板と金属板が一体となり剛性が上昇する分、ヒートシンクを薄肉化することができるので、低コストでヒートシンク付パワーモジュール用基板を製造することが可能である。
さらに、このようなヒートシンク付パワーモジュール用基板をパワーモジュールに適用した場合には、ヒートシンクを薄肉化してヒートシンクの剛性を低くできるので、熱サイクルが負荷された場合であっても絶縁層に割れが発生することを抑制することが可能となる。
また、金属板の表面を機械加工により放熱フィンを形成する時点でパワーモジュール用基板と金属板が一体となり剛性が上昇する分、ヒートシンクを薄肉化することができるので、低コストでヒートシンク付パワーモジュール用基板を製造することが可能である。
さらに、このようなヒートシンク付パワーモジュール用基板をパワーモジュールに適用した場合には、ヒートシンクを薄肉化してヒートシンクの剛性を低くできるので、熱サイクルが負荷された場合であっても絶縁層に割れが発生することを抑制することが可能となる。
また、前記絶縁層の他方の面に金属層の一方の面を接合し、前記金属層の他方の面側に前記金属板を接合した後に、前記放熱フィンを有する前記ヒートシンクを形成しても良い。
このような構成によれば、絶縁層とヒートシンクとの間に金属層を介在させることによって、熱サイクルが負荷された場合に、絶縁層に割れが生じることを抑制することが可能となる。
このような構成によれば、絶縁層とヒートシンクとの間に金属層を介在させることによって、熱サイクルが負荷された場合に、絶縁層に割れが生じることを抑制することが可能となる。
本発明によれば、ヒートシンク付パワーモジュール用基板において、ヒートシンクを薄肉化した場合であっても、放熱フィンの作製時にヒートシンクに反りやうねり等の変形が発生することを抑制可能なヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供することができる。
以下に、本発明の実施形態について添付した図面を参照して説明する。
まず、本発明の第一の実施形態に係るパワーモジュール1について説明する。このパワーモジュール1は、図1で示すように、ヒートシンク付パワーモジュール用基板2と、ヒートシンク付パワーモジュール用基板2に接合された半導体素子10(電子部品)と、を備えている。
まず、本発明の第一の実施形態に係るパワーモジュール1について説明する。このパワーモジュール1は、図1で示すように、ヒートシンク付パワーモジュール用基板2と、ヒートシンク付パワーモジュール用基板2に接合された半導体素子10(電子部品)と、を備えている。
ヒートシンク付パワーモジュール用基板2は、パワーモジュール用基板3と、このパワーモジュール用基板3に接合されたヒートシンク11と、を備えている。
そして、パワーモジュール用基板3は、絶縁層12と、絶縁層12の一方の面(図1において上面)に配設された回路層13と、絶縁層12の他方の面(図1において下面)に接合された金属層14と、を備えている。
そして、パワーモジュール用基板3は、絶縁層12と、絶縁層12の一方の面(図1において上面)に配設された回路層13と、絶縁層12の他方の面(図1において下面)に接合された金属層14と、を備えている。
絶縁層12は、回路層13と金属層14との間の電気的接続を防止するものであって、絶縁性の高いAlN(窒化アルミ)で構成されている。また、絶縁層12の厚さは、0.2〜1.5mmの範囲内に設定されており、本実施形態では、0.635mmに設定されている。
回路層13は、絶縁層12の一方の面に、導電性を有する金属板が接合されることにより、形成されている。本実施形態においては、回路層13は、純度が99.99%以上のアルミニウム(いわゆる4Nアルミニウム)の圧延板からなるアルミニウム板が、絶縁層12に接合されることにより形成されている。
金属層14は、絶縁層12の他方の面に、金属板が接合されることにより形成されている。本実施形態においては、金属層14は、回路層13と同様に、純度が99.99%以上のアルミニウム(いわゆる4Nアルミニウム)の圧延板からなるアルミニウム板が、絶縁層12に接合されることにより形成されている。
ヒートシンク11は、天板15と天板15の下方に向けて垂設された放熱フィン16とを有しており、金属層14の絶縁層12が接合されていない側の面に、天板15が接合されている。このヒートシンク11は、半導体素子10からヒートシンク付パワーモジュール用基板2側へと伝熱された熱を放熱し、半導体素子10を冷却するためのものである。
ヒートシンク11は、一方の面が金属層14と接合された金属板で形成され、本実施形態においては、A6063(アルミニウム合金)で構成されている。
本実施形態において、天板15の厚さは0.1mm以上1mm以下が好ましいとされている。特に好ましい範囲として、0.3mm以上0.8mm以下とされている。
本実施形態において、天板15の厚さは0.1mm以上1mm以下が好ましいとされている。特に好ましい範囲として、0.3mm以上0.8mm以下とされている。
放熱フィン16は、天板15の面(図1において下面)から突出しており、天板15と同種の金属で構成されている。この放熱フィン16は、放熱面積を大きくし、冷却効率を向上させるために設けられるものである。
本実施形態においては、放熱フィン16の高さは3mm以上10mm以下、間隔は0.3mm以上2mm以下とされている。放熱フィン16は、板形状をしており、天板15の面から下方向に延在し、その途中で屈曲してさらに斜め下方へと延在している。
本実施形態においては、放熱フィン16の高さは3mm以上10mm以下、間隔は0.3mm以上2mm以下とされている。放熱フィン16は、板形状をしており、天板15の面から下方向に延在し、その途中で屈曲してさらに斜め下方へと延在している。
半導体素子10は、半導体を備えた電子部品であり、必要とされる機能に応じて種々の半導体素子が選択される。本実施形態では、IGBT素子とされている。この半導体素子10に電流が流れると半導体素子10自体が発熱する。また、このパワーモジュール1は、エンジンルーム等の高温環境下で使用されることがある。ここで、半導体素子10の使用温度が所定の温度を超えた場合、性能が落ちたり、破損したりすることがある。このため、半導体素子10の機能を十分に発揮させるには、十分な放熱を行い、適正な温度で動作させる必要がある。
本実施形態においては、半導体素子10とヒートシンク付パワーモジュール用基板2は、はんだ17を介して接合されている。
本実施形態においては、半導体素子10とヒートシンク付パワーモジュール用基板2は、はんだ17を介して接合されている。
次に、本実施形態であるパワーモジュール1、ヒートシンク付パワーモジュール用基板2、パワーモジュール用基板3の製造方法について、図2に示すフロー図を参照して説明する。
まず、回路層13となるアルミニウム板23及び金属層14となるアルミニウム板24と、ヒートシンク11となるアルミニウム合金板21(金属板)を準備する。なお、本実施形態において、このヒートシンク11となるアルミニウム合金板21(金属板)の厚さは2mmとされている。
まず、回路層13となるアルミニウム板23及び金属層14となるアルミニウム板24と、ヒートシンク11となるアルミニウム合金板21(金属板)を準備する。なお、本実施形態において、このヒートシンク11となるアルミニウム合金板21(金属板)の厚さは2mmとされている。
次に、回路層13、金属層14となるアルミニウム板23、24を、図3で示すように、絶縁層12の一方の面及び他方の面にそれぞれろう材を介して積層し、加圧・加熱後冷却することによって、アルミニウム板23、24と絶縁層12とを接合する(金属層及び回路層接合工程S11)。なお、このろう付けの温度は、640℃〜650℃に設定されている。このようにして、本実施形態であるパワーモジュール用基板3が製造される。
次に、金属層14の絶縁層12と接合されていない側の面に、図4で示すように、ヒートシンク11となるアルミニウム合金板21(金属板)の一方の面を対向配置し、ろう材を介して積層し、加圧・加熱後冷却することによって、金属層14とアルミニウム合金板21(金属板)とを接合する(金属板接合工程S12)。
そして、アルミニウム合金板21(金属板)の他方の面には、切り出し加工やロール加工等の機械加工を用いて図1で示した放熱フィン16を起立成形することにより、放熱フィン16を有するヒートシンク11を形成する(ヒートシンク形成工程S13)。本実施形態では、切り出し加工(機械加工)を用いており、図5で示すように、アルミニウム合金板21(金属板)の面に対して斜め方向(図5の矢印方向)に刃30を、アルミニウム合金板21(金属板)の厚さ(図5において厚さt1)が1mmになる位置まで侵入させ、切り出した面をアルミニウム合金板21(金属板)の面に対して垂直方向に掘り起こして起立成形させ、カールした板形状の放熱フィン16と天板15とを有するヒートシンク11を形成した。
なお、ロール加工を用いる場合には、凹凸を有する刃を備えたロールをアルミニウム合金板21(金属板)の他方の面に押付け、放熱フィン16を起立成形させて形成すれば良い。
こうして、本実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール用基板2が製造される。
なお、ロール加工を用いる場合には、凹凸を有する刃を備えたロールをアルミニウム合金板21(金属板)の他方の面に押付け、放熱フィン16を起立成形させて形成すれば良い。
こうして、本実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール用基板2が製造される。
さらに、回路層13の表面に、はんだを介して半導体素子10を接合する。このはんだ付けの温度は、250℃以上350℃以下に設定されている(半導体素子接合工程S14)。このようにして、本実施形態であるパワーモジュール1が製造される。
次に、このパワーモジュール1の熱の流れを説明する。半導体素子10から発生した熱は、パワーモジュール用基板3側へと伝熱され、さらにヒートシンク11へと熱が伝熱されることとなる。そして、放熱フィン16を通じて熱が放熱される。
以上のような構成とされた本実施形態であるパワーモジュール1及びヒートシンク付パワーモジュール用基板2の製造方法によれば、絶縁層12と接合された金属層14の他方の面側にアルミニウム合金板21(金属板)を接合した後に、放熱フィン16を有するヒートシンク11を形成する。こうすることによって、パワーモジュール用基板3にアルミニウム合金板21(金属板)が支持されてパワーモジュール用基板3とアルミニウム合金板21(金属板)とが一体となり、全体としての剛性を上昇させることができる。そして、剛性が上昇するので、放熱フィン16を機械加工によって形成する際に、ヒートシンク11に生じる反りやうねり等の変形の発生を抑制することができる。
また、アルミニウム合金板21(金属板)の表面を機械加工により放熱フィン16を形成する際に、パワーモジュール用基板3とアルミニウム合金板21(金属板)とが一体となり全体の剛性が上昇する分、天板15を薄肉化することができるので、低コストでヒートシンク付パワーモジュール用基板2を製造することができる。
また、天板15に反りやうねり等の変形が生じることが抑制されるので、金属層14と天板15との間に隙間が生じ難くなり、金属層14とヒートシンク11の接合部における熱抵抗を低下させることができる。
また、金属層14の他方の面にアルミニウム合金板21をろう付けしてアルミニウム金属板21(金属板)を接合した後に、放熱フィン16を形成するので、予め放熱フィンを有するヒートシンクを金属層に接合する場合と異なり、放熱フィンが変形したり、破壊されたりすることをなくすことができる。
また、回路層13、金属層14をろう付けし、さらに金属層14の他方の面にアルミニウム合金板21(金属板)をろう付けした後に、放熱フィン16を形成するので、ろう付けの際の押圧によって放熱フィン16が変形したり、破壊されたりすることをなくすことができる。
また、本実施形態においては、切り出し加工によって放熱フィン16を形成し、天板15を薄肉化することができるので、低コストでヒートシンク付パワーモジュール用基板2を製造することが可能である。
また、本実施形態においては、天板15の好ましい厚さが0.1mm以上1mm以下とされているので、天板15が十分に薄く、剛性を低減することができる。
パワーモジュール1に熱サイクルが負荷される場合、熱サイクルに応じて絶縁層12及びヒートシンク11が膨張と収縮を繰り返すこととなる。この際に、絶縁層12とヒートシンク11の熱膨張係数の差に起因して、絶縁層12には熱応力が生じ、絶縁層12が割れる場合があるが、天板15の厚みを上記の範囲に設定することによって天板15の剛性を低減し絶縁層12の割れを確実に抑制することが可能となる。天板15の厚さが1mmを超える場合には、天板15の剛性の低減効果が得られないことがあり、0.1mm未満の場合には放熱フィン16を形成することが困難であるため上記の範囲に設定されている。
パワーモジュール1に熱サイクルが負荷される場合、熱サイクルに応じて絶縁層12及びヒートシンク11が膨張と収縮を繰り返すこととなる。この際に、絶縁層12とヒートシンク11の熱膨張係数の差に起因して、絶縁層12には熱応力が生じ、絶縁層12が割れる場合があるが、天板15の厚みを上記の範囲に設定することによって天板15の剛性を低減し絶縁層12の割れを確実に抑制することが可能となる。天板15の厚さが1mmを超える場合には、天板15の剛性の低減効果が得られないことがあり、0.1mm未満の場合には放熱フィン16を形成することが困難であるため上記の範囲に設定されている。
また、本実施形態においては、天板15の好ましい高さが、3mm以上10mm以下、間隔が0.3mm以上2mm以下の放熱フィン16を形成する構成とされているので、確実に放熱フィン16を形成することができる。そして、このような放熱フィン16を有するヒートシンク付パワーモジュール用基板2をパワーモジュール1に適用した場合に、熱を十分に放熱することが可能である。
放熱フィン16の高さが10mmを超える場合には、切り出し加工(機械加工)により放熱フィン16を形成することが困難であり、3mm未満の場合には、パワーモジュール1に適用した場合に放熱性が不十分とされることがあるため、上記の範囲に設定されている。
また、放熱フィン16の間隔が、2mmを超える場合には、パワーモジュール1に適用した場合に放熱性が不十分とされることがあり、0.3mm未満の場合には、放熱フィン16の製造が困難となるため、上記の範囲に設定されている。
また、放熱フィン16の間隔が、2mmを超える場合には、パワーモジュール1に適用した場合に放熱性が不十分とされることがあり、0.3mm未満の場合には、放熱フィン16の製造が困難となるため、上記の範囲に設定されている。
また、本実施形態であるパワーモジュール用基板3によれば、天板15が薄肉化されており剛性が低くなっているので、パワーモジュール1として使用した場合に熱サイクルを負荷されても、絶縁層12とヒートシンク11の熱膨張係数の差に起因して生じる熱応力が低く、絶縁層12が割れることを抑制することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
なお、本実施形態では、金属層14とヒートシンク11となるアルミニウム合金板21を接合する構成について説明したが、図6で示すように、金属層を絶縁層12に接合せず、絶縁層12とヒートシンク111となるアルミニウム合金板を直接接合しても良い。このような場合においても、天板115が薄く剛性が低いので、パワーモジュールとして用いた際にも絶縁層12に割れが発生することを抑制することができる。また、金属層をろう付けしないのでコストを低減できる。この金属層が接合されない場合において、放熱フィン116形成後の天板115の厚さは、0.1mm以上、1mm以下とされている。
また、本実施形態では、ヒートシンクはA6063(アルミニウム合金)で構成される場合について説明したが、他のアルミニウム合金や純アルミニウム、純銅、銅合金などの熱伝導性が良好な金属を用いても良い。
また、本実施形態では、回路層及び金属層を構成する金属板を純度99.99%の純アルミニウムの圧延板で構成されるものとして説明したが、これに限定されることはなく、他のアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されていてもよい。また、回路層及び金属層を構成する金属板を、純銅、または、銅合金で構成されたものとしてもよい。
また、本実施形態では、天板の下方に放熱フィンが設けられる構成について説明したが、放熱フィンの下方にさらに冷却器を接合する構成としても良い。
また、本実施形態では、回路層と半導体素子をはんだで接合する場合について説明したが、Agペーストを用いて接合しても良い。
また、本実施形態では、回路層と絶縁層をろう付けにて接合するものとして説明したが、これに限定されることはなく、過渡液相接合法(Transient Liquid Phase Bonding)、鋳造法等を適用してもよい。
さらに、回路層を銅又は銅合金で構成した場合には、銅又は銅合金からなる金属板を絶縁層に接合する際に、直接接合法(DBC法)、活性金属法、鋳造法等を適用することができる。
さらに、回路層を銅又は銅合金で構成した場合には、銅又は銅合金からなる金属板を絶縁層に接合する際に、直接接合法(DBC法)、活性金属法、鋳造法等を適用することができる。
また、本実施形態では、上述の実施形態では、絶縁層としてAlNを用いたが、これに限定されることはなく、Si3N4やAl2O3等を用いてもよいし、絶縁樹脂によって絶縁層を構成してもよい。
2 ヒートシンク付パワーモジュール用基板
3 パワーモジュール用基板
11、111 ヒートシンク
12 絶縁層
13 回路層
14 金属層
15、115 天板
16、116 放熱フィン
21 アルミニウム合金板(金属板)
3 パワーモジュール用基板
11、111 ヒートシンク
12 絶縁層
13 回路層
14 金属層
15、115 天板
16、116 放熱フィン
21 アルミニウム合金板(金属板)
Claims (2)
- 絶縁層の一方の面に回路層が配設されたパワーモジュール用基板と、放熱フィンを有するヒートシンクと、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法であって、
パワーモジュール用基板の他方の面側に金属板を接合した後に、前記放熱フィンを前記金属板の表面に機械加工を用いて起立成形することにより、前記放熱フィンを有する前記ヒートシンクを形成することを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法。 - 前記絶縁層の他方の面に金属層の一方の面を接合し、前記金属層の他方の面側に前記金属板を接合した後に、前記放熱フィンを有する前記ヒートシンクを形成することを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012078574A JP2013211288A (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012078574A JP2013211288A (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013211288A true JP2013211288A (ja) | 2013-10-10 |
Family
ID=49528918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012078574A Pending JP2013211288A (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013211288A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11232995B2 (en) | 2018-09-05 | 2022-01-25 | Denso Corporation | Semiconductor device |
WO2023133720A1 (zh) * | 2022-01-12 | 2023-07-20 | 谢华棣 | 立体散热电路板组的制造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08204294A (ja) * | 1995-01-27 | 1996-08-09 | Fuji Electric Co Ltd | 放熱フィン一体形プリント配線板 |
JPH08335651A (ja) * | 1995-06-09 | 1996-12-17 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板 |
JP2004031483A (ja) * | 2002-06-24 | 2004-01-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2011230954A (ja) * | 2010-04-27 | 2011-11-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミック部材とフィン付き放熱部材との接合体の製造方法 |
-
2012
- 2012-03-30 JP JP2012078574A patent/JP2013211288A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08204294A (ja) * | 1995-01-27 | 1996-08-09 | Fuji Electric Co Ltd | 放熱フィン一体形プリント配線板 |
JPH08335651A (ja) * | 1995-06-09 | 1996-12-17 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板 |
JP2004031483A (ja) * | 2002-06-24 | 2004-01-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2011230954A (ja) * | 2010-04-27 | 2011-11-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミック部材とフィン付き放熱部材との接合体の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11232995B2 (en) | 2018-09-05 | 2022-01-25 | Denso Corporation | Semiconductor device |
WO2023133720A1 (zh) * | 2022-01-12 | 2023-07-20 | 谢华棣 | 立体散热电路板组的制造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6171622B2 (ja) | パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板を製造する方法 | |
WO2014115677A1 (ja) | パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール | |
JP6199397B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US20170047268A1 (en) | Power-module substrate, heat-sink-attached power-module substrate, and heat-sink-attached power module | |
JP2013229579A5 (ja) | ||
JP5957862B2 (ja) | パワーモジュール用基板 | |
JP5125241B2 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP2008235852A (ja) | セラミックス基板及びこれを用いた半導体モジュール | |
JP6146242B2 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP5966512B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP5665355B2 (ja) | セラミック部材とフィン付き放熱部材との接合体の製造方法 | |
JP5987418B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP6149654B2 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP2008124187A6 (ja) | パワーモジュール用ベース | |
JP2008124187A (ja) | パワーモジュール用ベース | |
JP2010199251A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2013211288A (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP6183166B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法 | |
JP2008294282A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2010238965A (ja) | パワーモジュール用基板、パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール | |
JP2008294281A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP6201297B2 (ja) | 銅板付きパワーモジュール用基板及び銅板付きパワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP6118583B2 (ja) | 絶縁基板 | |
JP6237058B2 (ja) | 銅板付きパワーモジュール用基板、及び銅板付きパワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP2016082088A (ja) | 回路基板付きヒートシンク及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140926 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151124 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160405 |