JP2019504336A - 照明装置の変換体 - Google Patents

Abstract

【課題】一方では最適化された局所的に精密な排熱を可能にし、他方では調節可能な解像度ないしコントラスト作用を可能にする変換体の提供。
【解決手段】照明装置の変換体は一次光源から放射された一次光を少なくとも部分的に二次光に変換する変換体材料を有し、該二次光は該一次光と異なる波長を有する。該変換体はダイヤモンド柱状テクスチャ構造を構成する複数のダイヤモンド柱状結晶を有する多結晶ダイヤモンドからなる平坦状のダイヤモンド支持構造体を含む。該ダイヤモンド支持構造体の（複数の）領域は前記変換体材料を有する。これらの領域の間には、前記一次光が該ダイヤモンド支持構造体を無変換的に貫通通過することを可能にする自由空間が残留している。
【選択図】図５

Description

本発明は、照明装置の、とりわけ自動車両用投光装置の照明装置の、変換体（コンバータ）であって、該変換体は、一次光源から放射された一次光を少なくとも部分的に二次光に変換する変換体材料を有し、該二次光は該一次光と異なる波長を有する、変換体に関する。

更に、本発明は、本発明の変換体を含む、照明装置、自動車両用投光装置（前照灯等）及びシグナルランプに関する。更に、本発明は、本発明の変換体の製造方法に関する。

自動車両におけるレーザ光源の使用は現在重要性を増している。なぜなら、とりわけレーザダイオードは、フレキシブルかつ効率的なソルーションを可能にし、それによって、光線束（ビーム）の明るさ（ないし輝度：Leuchtdichte）及び発光効率（Lichtausbeute）も著しく向上されることができるからである。

しかしながら、既知のソルーションの場合、レーザビームの直接的な放出は、大きな出力を有し極めて細径化された光ビームによる人間その他の生物に対する、とりわけ眼に対する危険を回避するために、行われない。レーザビームは、寧ろ、（「蛍光体（Phosphor）」と略称される）ルミネセンス変換体材料を含有し、中間に配置される変換体へ導かれ、この変換体によって例えば青色光から好ましくは「白色」光に変換されるが、このことは、とりわけ、散乱されたレーザビームの重ね合わせにより法令に適合する白色光の印象（ないし知覚：Weisslichteindruck）を生じさせるためである。

本発明との関連において、「変換体材料（Konvertermaterial）」ないし「蛍光体（Phosphor）」という概念は、全く一般的に、或る１つの波長の光を他の１つの波長又は混合波長の光に、とりわけ「白色」光に変換する物質又は物質の混合物として理解されるものであるが、これは「波長変換」という概念に包含されるものである。ここで、「白色光」とは、人間に対し「白色」の色印象を引き起こすようにスペクトルが混合された光として理解されるものである。「光」という概念は、人間の眼によって視認可能な光線（ビーム）に限定されていないことは勿論である。

「変換体材料」としてはオプトセラミックスが既知になっているが、これは、例えばＹＡＧ−Ｃｅ（セリウムがドープされたイットリウム・アルミニウム・ガーネット）のような透明な（透光性の）セラミックスである。

とりわけ自動車両用投光装置の照明装置のための、光変換体は従来技術から十分に知られている。

既知の光変換体は、しばしば、１つの支持体（大抵はサファイア）と１つの変換体材料層を含む１つの層構造から構築されている。

ＷＯ ２０１５００４００５ Ａ１は１つの分離構造体と複数の変換領域とを有する変換素子を記載している。この変換素子では、各変換領域は分離構造体の一部分によって少なくとも部分的に包囲されており、かつ、各変換領域は電磁的一次ビームを少なくとも部分的により大きな波長を有する二次ビームに変換するよう構成されている。変換素子は例えば（１つの）ＬＥＤアレイに割り当てられている。

ＵＳ ２０１５／０１０２７３２２ Ａ１はスクリーンプリント法によって製造される変換素子を記載している。この変換素子は規則的に配置された複数の蛍光発生領域から構成されており、これらの領域の間隙（中間空間）には柔軟なゲル又は液体が充填されている。柔軟なゲルは、温度負荷下での熱機械的応力の補償として役立っている。

ＥＰ ２ ０６３ １７０ Ａ２は、少なくとも１つの光源と該光源の光路に配された少なくとも１つの光学的結像素子とを有する車両の照明装置を記載している。この照明装置では、光源と結像素子の間に、少なくとも結像素子の焦点面を（くまなく）照らすよう構成された（１つの）面状素子（Flaechenelement）が配されている。面状素子はとりわけ画定された（境界画成された）面セグメント（複数）を有する光変換体であり得る。

ＵＳ ２０１１／０２４９４６０ Ａ１は、１つの光源と１つの「蛍光体」素子と１つの投射レンズとを有する投射システムを記載している。

ＤＥ １０ ２０１３ １０２ ２０５ Ａ１は、少なくとも１つのレーザビーム源を有する自動車の照明装置を記載している。このレーザビーム源は、支持装置に配された少なくとも１つの発光物質層を励起して、波長変換を伴う光放出を引き起こさせる。発光物質層は、個々のピクセルに分割されている。

ＷＯ ２０１４／０９５９０６ Ａ２は、コリメートされた一次ビームを放出する１つのレーザ光源と、該コリメートされた一次ビームを少なくとも部分的に二次ビームに変換するよう構成されかつ運転時に発光領域（複数）を形成する複数の変換領域を有する１つの変換素子と、複数の変換領域を互いに対し分離しかつ一次ビーム及び二次ビームに対し非透過性である複数のセパレータ（Trennstege）と、を有する投光装置を記載している。

ＤＥ １０ ２００８０２７ ３３９ Ａ１は、熱伝導部材と、電磁的基本ビームを異なる波長を有する二次ビームに少なくとも部分的に変換するために役立つ発光物質と、を有する波長変換体を記載している。熱伝導部材は、透過ビームのために設けられた領域に配置されておりかつ格子（グリッド：Gitter）のように又は層として構成されることができる。熱伝導部材は、金属合金、金属間化合物、サファイア、窒化アルミニウム、窒化ホウ素又はダイヤモンドであり得る。

ＵＳ ７，６７５，０７９ Ｂ１は、１つの光変換領域と１つのＳｉＣ発光ダイオードとの間のダイヤモンドからなる１つの完全に平面的な中間層を記載している。ダイヤモンド層は、ＳｉＣダイオードの大きな値の屈折率を光変換領域の小さな値に一様に適合化することを可能にする。かくして、より多くのＵＶ光が境界面で反射されることなく光変換領域に入射することができる。ダイヤモンド層は、完全に平面的であって、構造化されておらず、例えば気相からの化学的析着（化学気相蒸着、ＣＶＤ）によって析着される。

ＷＯ ２０１５００４００５ Ａ１ ＵＳ ２０１５／０１０２７３２２ Ａ１ ＥＰ ２ ０６３ １７０ Ａ２ ＵＳ ２０１１／０２４９４６０ Ａ１ ＤＥ １０ ２０１３ １０２ ２０５ Ａ１ ＷＯ ２０１４／０９５９０６ Ａ２ ＤＥ １０ ２００８０２７ ３３９ Ａ１ ＵＳ ７，６７５，０７９ Ｂ１

既知の光変換体における問題の１つは、例えばスキャン式投光装置（前照灯）に使用されるような、フォーカスされる強力なレーザビームを変換する場合、例えば投光装置における熱流の制御及び最適化のような熱管理に関し、及び、変換される発光点（Leuchtpunkt）の達成可能な細かい解像（分解）度ないしコントラスト比に関し、制限が生じる（限界がある）点にある。

本発明の課題は、一方では最適化された局所的に精密な（punktuell）排熱（熱伝導）を可能にし、他方では構造化（離散的（孤立的）ピクセル化：diskrete Pixelung）及び散乱作用（Streuwirkung）に関し変換体材料の最適化された横方向（水平方向）分布を可能にする、従って、調節可能な解像度ないしコントラスト作用（効果）を可能にする変換体、とりわけレーザ光変換体、を提供することである。

この課題は冒頭に掲げたような照明装置の変換体によって解決される。この変換体は、本発明に応じ、ダイヤモンド柱状テクスチャ構造（Diamantsaeulentextur）を構成する複数のダイヤモンド柱状結晶（柱状晶）（Diamantsaeulenkristallen）を有する多結晶ダイヤモンドからなる平坦状の（flaechig）ダイヤモンド支持構造体を含み、該ダイヤモンド支持構造体の複数の領域は前記変換体材料を有し、及び、これらの領域の間には、前記一次光が該ダイヤモンド支持構造体を無変換的に（変換されることなく）貫通通過することを可能にする自由空間が残留している。

本発明は、従って、光変換体のための冷却及び光点形成を行う支持ユニットとしての、多結晶ダイヤモンドからなる平坦状のダイヤモンド支持構造体の使用を基礎としている。大きな熱伝導能（１６００から＞２０００（２０００超）Ｗ／ｍＫ）、大きな透明性（透光性）及び極めて大きな屈折率（２，４１７）によって、ダイヤモンドは変換体材料のための最適な支持媒体であることを示している。多結晶ダイヤモンドは、一方では、迅速な局所的に精密な（punktuell）排熱性を有する有力なヒートシンクである。他方では、ダイヤモンド支持構造体のテクスチャ構造（Texturierung）及びトポグラフィに基づき、目標を定めた（目的に合致する：gezielt）構造（分布、層厚、粒径（ないし粒度：Koernung））を有する変換体材料を施着することが可能になる。この場合、二次光の青色成分の経路（進路）は空の（フリーの）状態に維持することが可能であり、変換体材料の充填は、熱交換要求（必要性）に関するフラグメント化（セグメント化）に基づき、免除される（行われない）。本発明の変換体は、ダイヤモンド構造（体）によって、自由空間（複数）に基づき少なくとも領域毎に（bereichsweise）一次光に対し透過性（透光性）であり、そのため、一次光の一部は無変換的に（変換されることなく）透過される。従って、放出される二次光は透過される一次光と混合される。

概念「トポグラフィ（Topographie）」とは、平坦状のダイヤモンド支持構造体の表面の幾何学的性状（形状（Geometrie）、構造、高さプロファイル（分布）（Hoehenprofil））として理解されるべきものであり、多結晶ダイヤモンド支持構造体のトポグラフィはそれ自体は既知の態様による（複数の）間隙（中間空間）／（複数の）谷部と山部（凹部と凸部）（の連続構造）を含む。従って、平坦状のダイヤモンド支持構造体は内側面と外側面とを有し、典型的には多結晶のダイヤモンド柱状テクスチャ構造に基づき、内側面も外側面もトポグラフィ構造を有する。結晶成長（図３及びこれに関する以下の説明参照）の進行中、個々のダイヤモンド柱状結晶は一体化（同時成長）し、理想的には結晶成長の進行中に回避できない隙間（空所）のみによる欠落が生じているほぼ閉じた（完全な）１つの層を形成する。

ダイヤモンド支持構造体（ないし変換体）の概念「内側面」とは、基板上における（結晶）成長による多結晶ダイヤモンド支持構造体の製造の際に、基板側を指向する面をいう。これに応じ、ダイヤモンド支持構造体（ないし変換体）の概念「外側面」とは、ダイヤモンド支持構造体の製造の際に、基板とは反対側を指向する面として理解されるべきものである。

有利には、（平坦状の）ダイヤモンド支持構造体の変換体材料を有する領域は、フラットな面を備えたダイヤモンド支持構造体のトポグラフィに従う。かくして、目標を定めた（目的に合致する）構造（分布、層厚、粒径）を有する変換体材料がダイヤモンド支持構造体に施着され、変換体材料のこの構造はダイヤモンド支持（構造）体トポグラフィによって予め与えられて（決定されて）いる。このようにして、一次光がダイヤモンド支持構造体を無変換的に（変換されることなく）貫通通過することを可能にする変換体材料領域（複数）及び自由空間（複数）の同じ態様の（一様のないし均質な：gleichartig）分布が達成される。

本発明の変換体は、とりわけ、自動車両用投光装置（前照灯等）において使用される青色レーザビームからマルチスペクトルのほぼ白色光への変換に適している。

ダイヤモンド柱状結晶は平坦状のダイヤモンド支持構造体内において実質的に光伝播方向に配向されている。換言すれば、ダイヤモンド柱状結晶（複数）はダイヤモンド支持構造体内において互いに対し実質的に平行に配置されている。これには、基板の格子構造（Gitterstruktur）が結晶柱の格子構造を（結晶）核形成（Bekeimung）によって決定されることによって結晶柱（複数）が付加的に基板に対し平行な面において同様に配向されているエピタキシャル層（複数）も含まれる。

ダイヤモンド支持構造体は、有利には、気相からの化学的析着（Chemical Vapor Deposition（化学気相蒸着）、ＣＶＤ）によって製造される。気相からの化学的析着による多結晶ダイヤモンド層（複数）の製造方法は十分に知られている。結晶成長、ファセット形成（Facettierung）及び表面モルフォロジは、プロセスパラメータ（例えば温度、炭化水素：水素比）による個々のファセット（結晶面）の成長速度の制御、基板及び（結晶）核形成条件（Keimungsbedingungen）の選択によってそれ自体既知の態様で制御可能である（例えば Hartmann P., 1997, Dissertation TU Wien: Diamantabscheidung mit der DC-Glimmentladungsmethode sowie mit Bor- und Stickstoff-Zugabe im Hot-Filament-Verfahren; Wild et al., 1993, Diamand and Related Materials 2:158-168 参照）。

ＣＶＤ析着の開始時に、基板上には、複数の孤立したダイヤモンド結晶が間隙領域（中間空間）を残した状態で形成されるが、これらの結晶は、引き続く経過において更に成長し、（結晶）粒界によって分離されている個別結晶（複数）に関連する１つの層を形成する。結晶が更に成長すると、上方に向かって、個別化された（相互に分離された：vereinzelt）短い欠損（複数）を有する（１つの）単結晶領域が形成されるか、或いは、基板の配向とは異なる配向を有するファセットの形成後に成長が停止されることにより、ダイヤモンド柱構造体の外側面に（トポグラフィックな）凸部（複数）及び凹部（複数）が結果として形成される。

（結晶）核形成条件（Keimbedingungen）も結晶成長の個々の相（段階）のための好ましいプロセスパラメータも、化学的気相蒸着中に調節及び制御することができる。

結晶子（Kristallite）のサイズは、例えば、基板における（結晶）核（複数）間の距離（これは（結晶）核密度（Keimdichte）と逆の（反比例の）関係にある）によって決定されるが、同時に、（後に）衝突する反応パートナーは十分な自由行程長さ（Weglaenge）（これは基板温度によって影響を受け得る）を有する。

とりわけ、基板表面に対し直角方向の成長が基板表面に対し平行方向の成長（幅成長）より著しく迅速に行われる場合、内側面には深い間隙（ないし間隙領域）が残される（結果として形成される）。

最後に、競合するファセットの丁度その方向に成長を促進することにより、優先（ないし所望：bevorzugt）ファセット（結晶子面）を目標を定めて拡大することができる。

ダイヤモンド柱状テクスチャ構造及び本発明の変換体並びに結晶成長の例については、以下において更に添付の図面を参照して詳細に説明する。

好ましくは、ダイヤモンド柱状結晶は、１〜５００μｍの平均幅（平均結晶子幅）、好ましくは２０〜１００μｍの幅、を有する。これらのサイズで、光変換の際にピクセルが生じる。平均幅が比較的ないしより小さくなると、現時点で使用されているレーザスポットの拡がり（大きさ）に基づいて好ましさは少なくなるが、レーザ技術が更に発展すれば同様に好適に使用することができるであろう。反対に、幅が比較的ないしより大きいと、レーザスポットの（限界のある）励起面に基づいて、貫通通過する（透過する）一次光と散乱された（散乱により生じた）二次光との統計的（statistisch）混合は減少する。

有利な実施形態では、平坦状のダイヤモンド支持構造体の間隙（Zwischenraeume）は、少なくとも部分的に変換体材料で充填されている。「充填された（gefuellt）」とは、変換体材料が間隙に部分的に又は完全に充填されているか又は層として間隙表面に施着されていることを意味する。

概念「間隙（中間空間：Zwischenraum）」は、とりわけ、平坦状のダイヤモンド支持構造体の表面トポグラフィにおける谷部（凹部）（複数）に関係する。

更に、特定の実施形態においては、目標を定めたダイヤモンド成長及び多結晶ダイヤモンドと変換体の交互の析着によって、変換体材料で充填された閉じた間隙（複数）をダイヤモンド支持構造体に形成することができる。例えば、ダイヤモンド支持構造体の開いた（空の）間隙ないし谷部は変換体材料で充填し、ダイヤモンド支持構造体においてＣＶＤによるダイヤモンドの析着を更に続けることにより変換体材料を閉じ込めることができる。

更に以下において詳細に説明する更なる変形形態では、まず、構造化された変換体材料が基板上に施着されることができ、次いで、これらの変換体材料構造体間の領域（複数）においてダイヤモンド柱（複数）を成長させる。その後、これらのダイヤモンド柱は一体化（同時成長）して平坦状の多結晶ダイヤモンド柱テクスチャ構造が形成される。

投光装置への使用のために、有利には、変換体材料で充填されている間隙（即ち変換体材料の層厚）は、１０μｍ〜２ｍｍの厚み、好ましくは１００〜５００μｍの厚み、を有する。

平坦状のダイヤモンド支持構造体は、上述したトポグラフィ構造を夫々有する内側面と外側面とを有する。特定の実施形態では、ダイヤモンド支持構造体の両方の面（内側面及び外側面）の少なくとも１つにおける間隙（複数）／谷部（凹部）（複数）は、少なくとも部分的に変換体材料で充填されている。

好ましくは、ダイヤモンド支持構造体の少なくとも内側面における間隙／谷部（凹部）は、少なくとも部分的に変換体材料で充填されている。従って、内側面は優先（ないし所望：bevorzugt）面である。なぜなら、そこでは、結晶成長のために、間隙／谷部（凹部）はより深くなるからであり、充填される変換体材料の厚みをより大きくすることができるからである。ダイヤモンド支持構造体の内側面の間隙を変換体材料で充填可能にするためには、ダイヤモンド支持構造体は基板から（ないしは基板がダイヤモンド支持構造体から）引き離される必要がある。これについては更に以下において説明する。

平坦状のダイヤモンド支持構造体の両方の面（内側面及び外側面）における間隙／谷部（凹部）は、少なくとも部分的に変換体材料で充填されることができる。

平坦状のダイヤモンド支持構造体は、上述したトポグラフィ構造を夫々有する内側面と外側面とを有する。他の実施形態では、変換体材料は、ダイヤモンド支持構造体の該両方の面（内側面及び外側面）の少なくとも１つにおける山部（凸部）に少なくとも部分的に施着されている。

特定の下位変形形態では、変換体材料はダイヤモンド支持構造体の外側面における山部（凸部）に少なくとも部分的に施着されている。

変換体材料は、好ましくは、Ｃｅｒ（セリウム）ドープ型イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ−Ｃｅ）、ランタンドープ型酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３−Ｌａ_２Ｏ_３）、マグネシウム・アルミニウム・スピネル（ＭｇＡｌ_２Ｏ_４）及びユウロピウムドープ型Ｍ_２Ｓｉ_５Ｎ_８（但しＭはＣａ、Ｓｒ又はＢａ）からなる群から選択されている。

本発明の更なる対象（視点）は、一次光源と、本書に開示されているような本発明の変換体（光変換体）とを含む、自動車両用投光装置の照明装置ないしシグナルランプ（Signalleuchte）に関する。一次光源は、投光装置への使用のためには、有利には、レーザ光源、好ましくは青色光を放出するレーザ光源、である。

本発明の更なる対象（視点）は、更に、本書に開示されているような本発明の変換体又は本発明の照明装置を含む、自動車両用投光装置の照明装置ないしシグナルランプに関する。概念「自動車両用投光装置」ないし「投光装置」はあらゆる種類の自動車両用投光装置、とりわけ前照灯、を含み、概念「シグナルランプ」は（テールランプを含む）あらゆる種類のシグナルランプを含む。

更に、本発明は、本書に記載したような照明装置ための本発明の変換体の第１の有利な製造方法に関し、以下の工程を含む：
ａ）気相からの化学的析着（化学気相蒸着、ＣＶＤ）によってフラットな基板上にフラットな面を備える（平坦状の）多結晶ダイヤモンド支持構造体を製造（形成）すること、
ｂ）ダイヤモンド支持構造体の領域（複数）に変換体材料を少なくとも部分的に施着すること、但し、変換体材料を有する複数の領域間には、一次光がダイヤモンド支持構造体を無変換的に（変換されることなく）貫通通過することを可能にする自由空間が残留していること、及び、
場合により、工程ａ）の後又は工程ｂ）の後に、多結晶ダイヤモンド支持構造体からフラットな基板を引き離すこと。

多結晶ＣＶＤダイヤモンド構造体の製造（方法）はそれ自体は既知であり、文献に実施可能に記載されている（例えば Hartmann P., 1997, Dissertation TU Wien: Diamantabscheidung mit der DC-Glimmentladungsmethode sowie mit Bor- und Stickstoff-Zugabe im Hot-Filament-Verfahren; Wild et al., 1993, Diamand and Related Materials 2:158-168 参照）。反応のためには、原子状水素と活性（化）炭化水素が利用可能である必要があるが、これは、例えば熱解離、グロー放電又はマイクロ波によって励起されるプラズマによって達成される。炭素源としては、実用上一般的には、メタン及び／又はアセチレンがしばしば使用される。多結晶ダイヤモンド構造体は、典型的には、凡そ７５０℃〜凡そ９５０℃の温度、多量の原子状水素及び少量の炭素で生成される。基板の温度を７５０℃超にすることにより、基板上に反応パートナーのための十分な平均自由行程長（Weglaenge）が得られるため、好適なサイズの結晶子が生じる。他方、この温度未満では、極めて微細な粒度（粒径：Koernung）が生じ、最終的にはグラファイトが生じる。更に、凡そ７５０℃〜凡そ９５０℃の温度領域では、結晶子の表面からの水素の分離が可能にされるため、該表面における反応が維持される。

変換体材料を有する領域（複数）は、ダイヤモンド支持構造体の（複数の）間隙領域（谷部（凹部）、上述したような閉じた間隙）及び（複数の）山部（凸部）からなる群から選択されている。

工程ａ）で得られる多結晶ダイヤモンド支持構造体を内側面から（即ち基板側を指向する面から）も充填可能にするためには、ダイヤモンド支持構造体と基板とを相互に分離する必要がある。基板に応じた種々異なる方法がある。持続的な付着の場合（例えば化学的な結合の場合）、基板はエッチングによって除去される必要があるが、基板としてのシリコンは例えばフッ化水素酸・硝酸混合液中で酸化的に溶解することができる。モリブデン基板の場合、ダイヤモンド支持構造体は弱く結合されているに過ぎないので、熱膨張係数の相違に基づき冷却中にモリブデン基板表面から剥がれる。

特定の実施形態では、ダイヤモンド支持構造体は、変換体材料を施着する前に、集束イオンビーム（ＦＩＢ）法によって、レーザドリリング（Laser-Bohren）によって、酸化的エッチングによって（例えば個々の結晶粒に金属層を施着した後の、金属被覆された結晶粒間の領域の酸化的エッチバックによって）、高温金属粉末（例えば粉末状セレン又は鉄）の適用によって、研磨によって又は（例えば高温の鉄製工具による）圧刻（ないし刻印：Praegen）によって加工されることができる。型押し（Praegen）とは、この場合、材料排除（押しのけ）として理解されるものではなく、金属製型押し工具内におけるダイヤモンド構造体からの炭素の抜き出しとして理解されるものである。このようにして、ダイヤモンド支持構造体に更なる構造を形成すること又は例えばダイヤモンド柱状結晶尖頭部（頂部）のような構造を除去することができる。

本方法の一発展形態では、ダイヤモンド支持構造体に対する変換体材料の接着性を改善するために、変換体材料を施着する前に、少なくとも領域毎に（bereichsweise）、（金属、酸化物、カーバイド、窒化物）接着層をダイヤモンド支持構造体に施着することができる。

変換体材料は、インサイチュ（in situ）反応によって、例えばガス状の反応物質の化学的析着によってダイヤモンド支持構造体に施着されることができる。これは、ダイヤモンド支持構造体の生成のための反応器と同じ反応器でプロセスを実行できるという利点を有する。同様に、変換体材料は（物理的）材料析着／凝縮（Kondensation）によってダイヤモンド支持構造体に施着することも可能であり、この場合、変換体材料はその組成が変化することなく、例えばスパッタリング（Sputtern）又はスプレーコーティング（Spraycoaten）によって、材料源からダイヤモンド支持構造体へ移される。

その代わりに、変換体材料は、固体、液体又はゲル状のプリフォーム（Vorform）で施着され、次ぎの反応で、例えば温度プロファイル（Temperaturprofil）によって制御されて、ダイヤモンド支持構造体に結合される固相に変換されることもできる。この場合、有利なことに、このために必要な温度は化学的析着の場合よりも低く、そのため、ダイヤモンド支持構造体は例えば酸化条件化でもダメージを受けない（侵食されない）。そのような方法には、例えばゾル・ゲル法が含まれ、個々の方法工程には、ヘラ（を用いた）塗布（Aufrakeln）及び焼結が含まれる。

更に、好ましくは金属又はフォトポリマ補助層によるマスキング／エッチングによって、変換体材料の適用を局所的に制御することができる。

本書に記載するような照明装置のための本発明の変換体の更なる有利な製造方法は以下の工程を含む：
ａ）フラットな基板上に構造化（された）変換体材料層を製造（形成）すること、
ｂ）気相からの化学的析着（化学気相蒸着、ＣＶＤ）によって構造化変換体材料層を有する基板上に平坦状の多結晶ダイヤモンド支持構造体を析着すること、及び、
場合により、工程ｂ）の後に、変換体材料を有する多結晶ダイヤモンド支持構造体からフラットな基板を引き離すこと。

この方法では、従って、まず、構造化された変換体材料が基板上に施着され（適用され）、次いで、複数の変換体材料構造体間の領域（複数）においてダイヤモンド柱（複数）を成長させる。その後、これらのダイヤモンド柱は一体化（同時成長）して（１つの）平坦状の多結晶ダイヤモンド柱状テクスチャ構造を形成する。変換体材料が充填された多結晶ダイヤモンド支持構造体は、次いで、所望であれば、基板から分離されることができる。多結晶ＣＶＤダイヤモンド構造体の製造は、第１の方法に関連して上述したように行われる。変換体材料は、この方法では、気相から化学的に（化学気相蒸着、ＣＶＤ）又は材料析着／凝縮（Kondensation）によって物理的に（物理蒸着法、ＰＶＤ）フォトリソグラフィックに構造化可能な補助層、例えば樹脂（Lack）、に析着されることが可能であり、或いは、全面的に析着された後、フォトリソグラフィックに構造化されることが可能である。他の方法では、固体又はゲル状のプリフォームは構造化されて施着される（適用される）こと、例えば構造化されてプリントされること、が可能であり、これは例えばマスクを介してプリントされることによって行われる。引き続いて行われるプリフォームの変換体材料への変換は、この場合も、温度プロファイルによって制御することが可能であり、好ましくは、後続のダイヤモンド構造体生成（上記工程ｂ））の温度バジェット（Temperaturbudget）即ち所与のプロセス時間にわたるその温度も利用することができるであろう。

上記の本発明の方法の一変形形態では、ダイヤモンド支持構造体の気相からの化学的析着は、基板上におけるダイヤモンド結晶（複数）の目標を定めた（結晶）核形成（Keimung）に基づいており、基板又は基板表面は異種材料（Fremdmaterial）で製造されている。概念「異種材料」とは、ダイヤモンドから構成されていない材料として理解されるべきものである。好ましくは、基板は、ケイ素、高融点金属（Refraktaermetalle）（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷ）の群からの元素、とりわけモリブデン、ケイ素のカーバイド、高融点金属（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷ）の群からの元素のカーバイド（炭化物）、カーバイド化された表面を有するケイ素、カーバイド化された表面を有する高融点金属（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷ）の群からの元素からなる群から（選択した材料により）製造されている。異種材料上で、結晶成長は結晶核サイト（Keimstellen）において開始する。

本発明の方法の更なる一変形形態では、工程ａ）における気相からの化学的析着はホモエピタキシャルプロセスに基づいて実行される。この場合、基板としてはダイヤモンド基板が考慮され、当該基板は、とりわけ、ＨＰＨＴダイヤモンド（例えばSumitomo Electric USA社のSumicrystal（商標）又はElement Six社のダイヤモンド基板）、及び、好ましくは研磨された、天然又はＣＶＤダイヤモンド基板から選択されている。ダイヤモンド基板の場合、利用可能な表面全体が（結晶）核形成面（Keimflaeche）として利用される。間隙を変換体材料のためにフリーの（空の）状態に維持すべき領域においては、表面は構造化された材料で被覆される。そのための材料としては、炭素に対する溶解度が小さくかつカーバイドを形成しない例えばＣｕ、Ａｕ又はＡｇのような金属を使用することができる。材料は、例えば、まず、基板表面に全面的に施着され（適用され）たのち、（結晶）核のない（keimfrei）（複数の）島（孤立領域）が形成されるようフォトリソグラフィックに構造化されることができる。その代替策として、構造（化）材料の代わりに、変換体材料は構造化された層（膜）として、ダイヤモンド支持構造体の析着の前に、ダイヤモンド基板に施着されることも可能である（代替法に関連する上記の説明参照）。

変換体材料は、有利には、Ｃｅｒ（セリウム）ドープ型ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）、ランタンドープ型酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３−Ｌａ_２Ｏ_３）、マグネシウム・アルミニウム・スピネル（ＭｇＡｌ_２Ｏ_４）及びユウロピウムドープ型Ｍ_２Ｓｉ_５Ｎ_８（但しＭはＣａ、Ｓｒ又はＢａ）からなる群から選択されている。

本発明は以下において非限定的実施例及び添付の図面を用いて詳細に説明される。

本発明の光変換体の製造に使用可能な気相からの化学的析着のための反応器１（ＣＶＤ反応器）の構造の一例。 ダイヤモンドの結晶モルフォロジに対する最も重要な成長パラメータの影響を説明する炭素相図の一例。 ダイヤモンド柱状結晶（複数）の成長相が示されている基板表面に対し直角をなす切断面における多結晶ダイヤモンド支持構造体の一例の模式図。 所定の方向におけるファセットの形成と成長速度との関係の例。 所定の方向におけるファセットの形成と成長速度との関係の例。 所定の方向におけるファセットの形成と成長速度との関係の例。 所定の方向におけるファセットの形成と成長速度との関係の例。 所定の方向におけるファセットの形成と成長速度との関係の例。 所定の方向におけるファセットの形成と成長速度との関係の例。 本発明に応じた変換体の種々の例。 本発明に応じた変換体の種々の例。 本発明に応じた変換体の種々の例。 本発明に応じた変換体の種々の例。 本発明に応じた変換体の種々の例。 本発明に応じた変換体の種々の例。 本発明に応じた変換体の種々の例。 本発明に応じた変換体の種々の例。 本発明に応じた変換体の種々の例。 本発明に応じた変換体の種々の例。

図１は広く普及しているＣＶＤ反応器１の一例を示す。この反応器１は本発明の光変換体のためのフラットな（ないし面状（平坦状）の：flaechig）ダイヤモンド支持構造体の製造のために利用可能である。ＣＤＶ反応器１は真空を形成するためにポンプ５によって排気可能な内部空間２を有し（基圧＜１ｍｂａｒ、Ｎ_２分圧はより小さい；（目標析着速度、出力、ガス流に応じた）１ｍｂａｒ〜１ｂａｒのプロセス圧、但し、高純度のプロセスガスが使用されるのが好ましい）。ＣＶＤ反応器１は内部空間２に連通するガスインレット３、４を有し，これらによって、分子水素ないしガス状炭化水素化合物のようなプロセスガス及び／又はキャリアガスが内部空間２内に供給される。反応性析着のためには、内部空間２の或る領域即ち反応空間２ａにおいて原子状水素と活性炭化水素が利用可能である必要があるが、これは、例えば熱解離、グロー放電又はマイクロ波によって励起されるプラズマによって達成される。炭素源としては、実用上一般的には、メタン及び／又はアセチレンがしばしば使用される。更に、反応器１は基板のための加熱可能な載置部６を有する。この基板上には、平坦状のダイヤモンド支持構造体が、更には特定の応用例では変換体材料も、ＣＶＤによって析着される。

図２は、結晶モルフォロジに対する最も重要な成長パラメータの影響を説明する炭素相図の一例（これはL. Vandenbulcke et al. 7. Euro-CVD Conference, Perpignan, Frankreich, 19-23 Juni 1989 からの抜粋に修正を加えたものである）を示す。この相図から分かるように、多結晶ダイヤモンド構造体（（１００）ファセット型及び（１１１）ファセット型）は、凡そ７５０℃〜凡そ９５０℃の温度、多量の原子状水素（Ｈ）及び少量の活性炭化水素化合物（Ｃ_ＸＨ_Ｙ ^＊、例えばメタンＣＨ_４又はアセチレンＣ_２Ｈ_２）で生成する。基板の温度を７５０℃超にすることにより、基板上に反応パートナーのための十分な平均自由行程長さ（Weglaenge）が得られるため、好適なサイズの結晶子が生じる。他方、この温度未満では、結晶性炭素への変化は達成されない。

図３は多結晶ダイヤモンド支持構造体１０の一例を模式的に示す。図示されているのは、ＣＶＤ析着法の進行中における基板表面１１上のダイヤモンド柱状結晶１３、１３、１３の成長相Ａ、Ｂ及びＣである。
・成長相Ａ：小さな核密度で開始され、（紙面）上方に向かって、即ち基板表面１１に対しほぼ直角をなす方向に、結晶子が迅速に成長するため、ダイヤモンド支持構造体１０の内側面１０ａ（即ち基板表面１１側を指向する面）には個々のダイヤモンド柱状結晶１３、１３、１３の間に十分な間隙１２が残留する。
・成長相Ｂ：個々のダイヤモンド柱状結晶１３、１３、１３の一体化（同時成長）により、層厚と熱（質）量（thermische Masse）の生成と共に、（１つの）多結晶ダイヤモンド柱状テクスチャ構造が得られる。
・成長相Ｃ：ダイヤモンド支持構造体１０の外側面１０ｂにおける優先（ないし所望：bevorzugt）ファセット（結晶面）の形成。例えば、（１１１）ファセットは、ダイヤモンド支持構造体１０の外側面１０ｂに変換体材料を受容するために十分な間隙１２を更なる後処理なしで形成するであろう。

特定の実施形態では、ダイヤモンド支持構造体１０は、変換体材料を施着する前に、集束イオンビーム（ＦＩＢ）法によって、酸化的エッチングによって（例えば個々の結晶粒に金属層を配した後の、金属被覆された結晶粒間の領域の酸化的エッチバック（バックエッチング）によって）、研磨によって又は（例えば高温の鉄製工具による）圧刻（Praegen）によって加工されることができる。このようにして、ダイヤモンド支持構造体に更なる構造を形成すること又は例えばダイヤモンド柱状結晶尖頭部（頂部）のような構造を除去することができる。

多結晶ダイヤモンド支持構造体１０の内側面１０ａにも変換体材料を適用可能にするためには、ダイヤモンド支持構造体１０と基板１１は相互に分離される必要がある。そのための方法は使用される基板の種類に応じて夫々異なる。シリコン基板の場合、基板は、エッチングによって又はフッ化水素酸・硝酸混合液中での酸化的溶解によってダイヤモンド支持構造体１０から引き離すことができる。モリブデン基板の場合、ダイヤモンド支持構造体１０は弱く結合されているに過ぎないので、冷却中に熱膨張係数の相違によってモリブデン基板表面から剥がれる。

更に、ダイヤモンド支持構造体１０に対する変換体材料の接着性を改善するために、変換体材料を施着する（適用する）前に、少なくとも領域毎に（bereichsweise）、（金属、酸化物、カーバイド、窒化物）接着層をダイヤモンド支持構造体１０に施着することができる。

変換体材料は、とりわけ、Ｃｅｒ（セリウム）ドープ型ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）、ランタンドープ型酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３−Ｌａ_２Ｏ_３）、マグネシウム・アルミニウム・スピネル（ＭｇＡｌ_２Ｏ_４）及びユウロピウムドープ型Ｍ_２Ｓｉ_５Ｎ_８（但しＭはＣａ、Ｓｒ又はＢａ）からなる群から選択することができる。

変換体材料は、ガス状の反応物質の化学的析着によって又は（物理的）材料析着／凝縮（Kondensation）（例えばスパッタリング又はスプレーコーティング）によってダイヤモンド支持構造体１０の間隙１２内に施着されるか又はその山部（凸部）上に施着されることができる。代替的に、変換体材料は、固体、液体又はゲル状のプリフォーム（Vorform）としてダイヤモンド支持構造体に（例えばヘラ塗布（Aufrakeln）によって又はゾル・ゲル法によって）施着され、次ぎの反応で（例えば焼結によって）固相に変換されることができる。

更に、好ましくは金属又はフォトポリマの補助層によるマスキング／エッチングによって、変換体材料の適用を局所的に制御することができる。

変換体の種々の実施例については更に以下において図５ａ〜図５ｊとの関連で説明する。

図４ａ〜図４ｆは、所定の方向におけるファセットの形成とダイヤモンド結晶の成長速度との関係の例を示す。正四面体の（１１１）ファセット（図４ａ）から出発し、（１１１）方向における、即ち正四面体の面の面法線の方向における、（矢印で特定された）優先的（ないし所望の）成長が行われるものとする。（１１１）ファセットは図面参照符号１１１で特定されている。（１１１）方向における成長によって、まず、（１００）ファセットが生じる（図４ｂ）。（１００）ファセットは図面参照符号１００で特定されている。（１００）方向における成長が（１１１）方向と比べて遅くなる条件を選択すると、元の（１１１）ファセットは（１００）ファセットの成長により消え去る（隠れて、小さなファセットになる）（図４ｃ）。

逆の方法により、表面は、目標を定めて（１１１）ファセットで終端される（画される）ことができる。（１００）ファセットと（１１１）ファセットが混在する表面（図４ｄ）から出発し、（矢印で特定された）（１００）方向における成長を優先し（bevorzugen）かつ（１１１）方向における成長を抑制する成長条件を選択する。すると、（１１１）ファセットは面積（広がり）が大きくなり、他方、（１００）ファセットは面積（広がり）が消失する（小さくなる）（図４ｅ及び図４ｆ）。このようにして、ダイヤモンド支持構造体の表面の、即ち外側面の、ファセット（複数）を調節することができ、以って、外側面のトポグラフィを形成することができる。図４ｆに示されているような表面で終端されている（画されている）結晶子の配列（体）（Aneinanderreihung）は、山部（凹部）と山部（凹部）の間に深い間隙を有するトポグラフィを生成する。

図５ａ〜図５ｊは、本発明の変換体の種々の実施例を示す。

図５ａは、複数のダイヤモンド柱状結晶２３から構成されている（１つの）多結晶ダイヤモンド支持構造体２０を有する変換体２５の一例を示す。ダイヤモンド支持構造体は内側面２０ａと外側面２０ｂを有し、内側面２０ａの谷状の間隙２２は変換体材料２４で充填されている。変換体材料２４は、例えば青色レーザ光のような１つの波長の光を他の１つの波長又は混合波長の光に、とりわけ「白色」光に変換するというタスクを有する。外側面２０ｂには、ＣＶＤ法における制御された結晶成長によって（１００）ファセットが形成されている。

図５ｂは、複数のダイヤモンド柱状結晶３３から構成されている（１つの）多結晶ダイヤモンド支持構造体３０を有する変換体３５の一例を示す。ダイヤモンド支持構造体３０は図５ａのダイヤモンド支持構造体２０に対応するが、両者はダイヤモンド支持構造体３０の谷状の間隙３２は両側において即ち内側面３０ａにおいても外側面３０ｂにおいても変換体材料３４で（内側面では部分的に）充填されているという点において相違する。外側面３０ｂには、ＣＶＤ法における制御された結晶成長によって（１００）ファセットが形成されている。

図５ｃは、複数のダイヤモンド柱状結晶４３から構成されている（１つの）多結晶ダイヤモンド支持構造体４０を有する変換体４５の一例を示す。ダイヤモンド支持構造体４０は内側面４０ａと外側面４０ｂを有し、外側面４０ｂの谷状の間隙４２は変換体材料４４で充填されている。内側面４０ａの谷状の間隙４２は充填されていない。ダイヤモンド支持構造体４０の外側面４０ｂは、当該外側面４０ｂに変換体材料４４を受容するためのより大きな間隙４２が形成されるよう、変換体材料４４で充填される前に、マスキング及び集束イオンビーム（ＦＩＢ）法によって更に構造化されている。外側面４０ｂには、ＣＶＤ法における制御された結晶成長によって（１００）ファセットが形成されている。

図５ｄは、複数のダイヤモンド柱状結晶５３から構成されている（１つの）多結晶ダイヤモンド支持構造体５０を有する変換体５５の一例を示す。ダイヤモンド支持構造体５０は内側面５０ａと外側面５０ｂを有し、外側面５０ｂの谷状の間隙５２は変換体材料５４で充填されている。内側面５０ａの間隙５２は充填されていない。外側面５０ｂには、ＣＶＤ法における制御された結晶成長によって（１１１）ファセットが形成されており、そのため、個々のダイヤモンド柱状結晶５３は外側面５０ｂにおいては尖頭的に構成されている。

図５ｅは、複数のダイヤモンド柱状結晶６３から構成されている（１つの）多結晶ダイヤモンド支持構造体６０を有する変換体６５の一例を示す。ダイヤモンド支持構造体６０は内側面６０ａと外側面６０ｂを有し、外側面６０ｂの谷状の間隙６２は変換体材料６４で充填されている。内側面６０ａの間隙６２は充填されていない。外側面６０ｂには、ＣＶＤ法における制御された結晶成長によって（１１１）ファセットが形成されており、そのため、個々のダイヤモンド柱状結晶６３は、外側面６０ｂにおいて、最初は、尖頭形状を有していたが（図５ｂ参照）、その後、（当該尖頭部は）（例えばエッチング、研磨によって又は集束イオンビーム（ＦＩＢ）法によって）カット（尖頭部除去）されている。

図５ｆないし図５ｇは、複数のダイヤモンド柱状結晶７３ないし８３から構成されている（１つの）多結晶ダイヤモンド支持構造体７０ないし８０を有する変換体７５ないし８５の例を示す。ダイヤモンド支持構造体７０ないし８０は内側面７０ａないし８０ａと外側面７０ｂないし８０ｂを有する。外側面７０ｂないし８０ｂには、ＣＶＤ法における制御された結晶成長によって（１１１）ファセットが形成されており、そのため、個々のダイヤモンド柱状結晶７３ないし８３は外側面７０ｂないし８０ｂにおいて尖頭的に構成されている。外側面７０ｂないし８０ｂは構造化されて変換体材料７４ないし８４で被覆されている。

変換体７５（図５ｆ）の場合、外側面７０ｂの谷状間隙７２は変換体材料７４でライニングされている（被覆されている）。このライニング（Auskleiden）のために、例えば拡散制御型ＣＶＤプロセスによる合致的（形状適合的：konform）析着が利用される。（後の又は同時の）物理的エッチングプロセスを行えば、変換体は好ましくは外側面７０ｂの尖頭部（複数）において刻削され、そのため、これらの尖頭部には変換端材料が無くなっているであろう。物理的エッチングプロセスはイオン打ち込み（照射）による材料除去に基づいており、局所的により大きな電圧のためにトポグラフィックな尖頭部においてより大きな除去速度を達成する。

変換体８５（図５ｇ）の場合、外側面８０ｂの尖頭部（複数）８２のみが変換端材料８４で被覆されている。この場合、例えばフォトリソグラフィ法が考慮される。その際、例えばフォトレジストが補助層として塗布され、尖頭部（複数）は露光及び現像（Entwickeln）によってフリーにされる（freigestellt）。次に、変換体材料が施着され（適用され）、その後、補助層と変換体材料が尖頭部と尖頭部の間の谷部から除去される。この場合、リソグラフィ補助層の除去は、特別なプロセスステップにおいて又は後続プロセスの温度の上昇を利用して実行される。

図５ｈは、複数のダイヤモンド柱状結晶９３から構成されている（１つの）多結晶ダイヤモンド支持構造体９０を有する変換体９５の例を示す。ダイヤモンド支持構造体９０は内側面９０ａと外側面９０ｂを有し、外側面９０ｂの谷状間隙９２は変換体材料９４で充填されている。内側面９０ａの谷状間隙９２は充填されていない。外側面９０ｂには、ＣＶＤ法における制御された結晶成長によって、（１１１）ファセットも（１００）ファセットも含む混合ファセット型（ダイヤモンド）柱状テクスチャ構造が形成されている。

図５ｉは、ダイヤモンド支持構造体１１０の外側面１１０ｂにおける（複数の）ダイヤモンド柱状結晶１１３の尖頭部が、間隙１１２に変換体材料１１４を充填する前に、（例えばエッチング、研磨によって又は集束イオンビーム（ＦＩＢ）法によって）カットされているという点のみにおいて、変換体９５と相違する変換体１１５の一例を示す。内側面１１０ａには変換体材料はない。

図５ｈ及び図５ｉからは、混合ファセット型柱テクスチャ構造によってないしは尖頭部のカットによってより大きな関連変換体材料領域（ピクセル）を形成することができることも良好に見出される。

図５ｊは、図５ｅのダイヤモンド支持構造体６０に対応するダイヤモンド支持構造体１２０を有する変換体１２５の一例を示す。変換体材料１２４は、ダイヤモンド支持構造体１２０の外側面１２０ｂのダイヤモンド柱状結晶１２３のカットされた尖頭部の頂平部１２２に施着されている。内側面１２０ａには変換体材料はない。変換体材料１２４は当該高平部に例えば以下のように施着されることができる：まず、外側面１２０ｂを全面的に（面全体にわたって）金属で被覆する；次に、先端部を研磨によってカットすることにより、頂平部から金属を除去する；そして、変換体材料をＣＶＤ法によって外側面１２０ｂに全面的に１００〜５００μｍの層として析着する；次に、金属を分解（融解）することにより、頂平部１２２と頂平部１２２の間の谷部（凹部）にある金属と変換体材料を除去する。

図５ａ〜図５ｊから良好に分かるように、夫々のダイヤモンド支持構造体２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１１０、１２０の内側面ないし外側面２０ａ、２０ｂ、３０ａ、３０ｂ、４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂ、６０ａ、６０ｂ、７０ａ、７０ｂ、８０ａ、８０ｂ、９０ａ、９０ｂ、１１０ａ、１１０ｂ、１２０ａ、１２０ｂにおいて変換体材料２４、３４、４４、５４、６４、７４、８４、９４、１１４、１２４を有する領域２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２、１１２、１２２間には、一次光がダイヤモンド支持構造体２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１１０、１２０を無変換的に（変換されることなく）貫通通過することを可能にする自由空間が残留している。

本発明の変換体の上記の実施例は、多数のうちの幾つかに過ぎず、従って（本発明を）限定するものと看做すべきではない。

以下に、本発明の好ましい実施の形態を示す。
（形態１）本発明の第１の視点により、照明装置の変換体が提供される。該変換体は、一次光源から放射された一次光を少なくとも部分的に二次光に変換する変換体材料を有し、該二次光は該一次光と異なる波長を有する。該変換体は、ダイヤモンド柱状テクスチャ構造を構成する複数のダイヤモンド柱状結晶を有する多結晶ダイヤモンドからなり平坦状のダイヤモンド支持構造体を含み、
該ダイヤモンド支持構造体の複数の領域は前記変換体材料を有し、及び、これらの領域の間には、前記一次光が該ダイヤモンド支持構造体を無変換的に貫通通過することを可能にする自由空間が残留している（基本構成）。
（形態２）形態１の変換体において、前記平坦状のダイヤモンド支持構造体の前記変換体材料を有する前記複数の領域は、該平坦状のダイヤモンド支持構造体のトポグラフィに従っていることが好ましい。
（形態３）形態１又は２の変換体において、前記平坦状のダイヤモンド支持構造体内の前記複数のダイヤモンド柱状結晶は、実質的に光伝播方向に配向されていることが好ましい。
（形態４）形態１〜３の何れかの変換体において、前記ダイヤモンド支持構造体は、気相からの化学的析着（Chemical Vapor Deposition（化学気相蒸着）、ＣＶＤ）によって製造されていることが好ましい。
（形態５）形態１〜４の何れかの変換体において、前記ダイヤモンド柱状結晶は、１〜５００μｍの平均幅を有することが好ましい。
（形態６）形態５の変換体において、前記ダイヤモンド柱状結晶は２０〜１００μｍの幅を有することが好ましい。
（形態７）形態１〜６の何れかの変換体において、前記ダイヤモンド支持構造体の間隙は、少なくとも部分的に変換体材料で充填されていることが好ましい。
（形態８）形態７の変換体において、変換体材料で充填されている前記間隙領域は、１０μｍ〜２ｍｍの厚みを有することが好ましい。
（形態９）形態８の変換体において、前記間隙領域は１００〜５００μｍの厚みを有することが好ましい。
（形態１０）形態７〜９の何れかの変換体において、前記平坦状のダイヤモンド支持構造体は、内側面と外側面を有し、該ダイヤモンド支持構造体の内側面及び外側面の少なくとも１つにおける間隙は、少なくとも部分的に変換体材料で充填されていることが好ましい。
（形態１１）形態１０の変換体において、前記ダイヤモンド支持構造体の内側面における間隙は、少なくとも部分的に変換体材料で充填されていることが好ましい。
（形態１２）形態１０の変換体において、前記平坦状のダイヤモンド支持構造体の内側面及び外側面の両方における間隙は、少なくとも部分的に変換体材料で充填されていることが好ましい。
（形態１３）形態１〜６の何れかの変換体において、前記平坦状のダイヤモンド支持構造体は、内側面と外側面を有し、変換体材料は、該ダイヤモンド支持構造体の内側面及び外側面の少なくとも１つにおける山部に少なくとも部分的に施着されていることが好ましい。
（形態１４）形態１３の変換体において、前記変換体材料は、前記ダイヤモンド支持構造体の外側面における山部に少なくとも部分的に施着されていることが好ましい。
（形態１５）形態１〜１４の何れかの変換体において、前記変換体材料は、Ｃｅｒ（セリウム）ドープ型イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ−Ｃｅ）、ランタンドープ型酸化イットリウム（Ｙ _２ Ｏ _３ −Ｌａ _２ Ｏ _３ ）、マグネシウム・アルミニウム・スピネル（ＭｇＡｌ _２ Ｏ _４ ）及びユウロピウムドープ型Ｍ _２ Ｓｉ _５ Ｎ _８ （但しＭはＣａ、Ｓｒ又はＢａ）からなる群から選択されていることが好ましい。
（形態１６）形態１〜１５の何れかの変換体において、前記照明装置は自動車両用投光装置の照明装置であることが好ましい。
（形態１７）一次光源と形態１〜１６の何れかの変換体とを含む、自動車両用投光装置の照明装置も有利に提供される。
（形態１８）形態１７の照明装置において、前記一次光源は、レーザ光源であることが好ましい。
（形態１９）形態１８の照明装置において、前記レーザ光源は青色光を放出するレーザ光源であることが好ましい。
（形態２０）形態１〜１６の何れかの変換体ないし形態１７〜１９の何れかの照明装置を含む、自動車両用投光装置も有利に提供される。
（形態２１）形態１〜１６の何れかの変換体ないし形態１７〜１９の何れかの照明装置を含む、シグナルランプも有利に提供される。
（形態２２）形態１〜１６の何れかの照明装置の変換体の製造方法であって、以下の工程：
ａ）気相からの化学的析着（化学気相蒸着、ＣＶＤ）によってフラットな基板上に平坦状の多結晶ダイヤモンド支持構造体を製造すること、
ｂ）前記ダイヤモンド支持構造体の複数の領域に変換体材料を少なくとも部分的に施着すること、但し、該変換体材料を有する複数の領域間には、前記一次光が該ダイヤモンド支持構造体を無変換的に貫通通過することを可能にする自由空間が残留していること
を含む、方法も有利に提供される。
（形態２３）形態２２の方法において、工程ａ）の後又は工程ｂ）の後に、前記多結晶ダイヤモンド支持構造体から前記フラットな基板を引き離す工程を更に含むことが好ましい。
（形態２４）形態２２又は２３の方法において、前記変換体材料を有する前記複数の領域は、前記ダイヤモンド支持構造体の間隙及び山部からなる群から選択されることが好ましい。
（形態２５）形態２２〜２４の何れかの方法において、前記ダイヤモンド支持構造体は、前記変換体材料を施着する前に、集束イオンビーム（ＦＩＢ）法、レーザドリリング、酸化的エッチング、高温金属粉末の適用、研磨によって又は型押しによって加工されることが好ましい。
（形態２６）形態２２〜２５の何れかの方法において、前記ダイヤモンド支持構造体に対する前記変換体材料の接着性を改善するために、該変換体材料を施着する前に、少なくとも領域毎に、接着層が該ダイヤモンド支持構造体に施着されることが好ましい。
（形態２７）形態２２〜２６の何れかの方法において、前記変換体材料は、ガス状の反応物質の化学的析着によって又は材料析着によって施着されることが好ましい。
（形態２８）形態２７の方法において、前記変換体材料はスパッタリング又はスプレーコーティングによって施着されることが好ましい。
（形態２９）形態２２〜２６の何れかの方法において、前記変換体材料は、固体、液体又はゲル状のプリフォームで施着され、次いで、前記ダイヤモンド支持構造体に結合される固相に変換されることが好ましい。
（形態３０）形態１〜１６の何れかの照明装置の変換体の製造方法であって、以下の工程：
ａ）フラットな基板上に構造化変換体材料層を製造すること、
ｂ）気相からの化学的析着（化学気相蒸着、ＣＶＤ）によって該構造化変換体材料層を有する基板上に平坦状の多結晶ダイヤモンド支持構造体を析着すること、
を含む、方法も有利に提供される。
（形態３１）形態３０に記載の方法において、工程ｂ）の後に、前記変換体材料を有する多結晶ダイヤモンド支持構造体から前記フラットな基板を引き離す工程を更に含むことが好ましい。
（形態３２）形態３０又は３１の方法において、前記変換体材料は、フォトリソグラフィ法と組み合わされた気相からの化学的析着（化学気相蒸着、ＣＶＤ）、フォトリソグラフィ法と組み合わされた物理蒸着法（ＰＶＤ）のような物理的材料析着によって、又は、構造（立体）化されたプリントによって、前記基板上に施着されることが好ましい。
（形態３３）形態２２〜３２の何れかの方法において、前記ダイヤモンド支持構造体の気相からの化学的析着は前記基板上におけるダイヤモンド結晶の目標を定めた核形成に基づいており、該基板又は基板表面は異種材料で製造されていることが好ましい。
（形態３４）形態３３の方法において、前記基板は、ケイ素、高融点金属（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷ）の群からの元素、ケイ素のカーバイド、高融点金属（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷ）の群からの元素のカーバイド、カーバイド化された表面を有するケイ素、カーバイド化された表面を有する高融点金属（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷ）の群からの元素からなる群から製造されていることが好ましい。
（形態３５）形態３４の方法において、前記高融点金属はモリブデンであることが好ましい。
（形態３６）形態２２〜３２の何れかの方法において、前記ダイヤモンド支持構造体の気相からの化学的析着は、ホモエピタキシャルプロセスに基づいて実行されることが好ましい。
（形態３７）形態３６の方法において、前記基板は、ＨＰＨＴダイヤモンド、又は、天然又はＣＶＤダイヤモンド基板から選択されていることが好ましい。
（形態３８）形態３７の方法において、前記基板は研磨された天然又はＣＶＤダイヤモンド基板であることが好ましい。
（形態３９）形態２２〜３８の何れかの方法において、前記変換体材料は、Ｃｅｒ（セリウム）ドープ型ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）、ランタンドープ型酸化イットリウム（Ｙ _２ Ｏ _３ −Ｌａ _２ Ｏ _３ ）、マグネシウム・アルミニウム・スピネル（ＭｇＡｌ _２ Ｏ _４ ）及びユウロピウムドープ型Ｍ _２ Ｓｉ _５ Ｎ _８ （但しＭはＣａ、Ｓｒ又はＢａ）からなる群から選択されていることが好ましい。
本発明は以下において非限定的実施例及び添付の図面を用いて詳細に説明される。
なお、特許請求の範囲に付記した図面参照符号は専ら発明の理解を助けるためのものであり、本発明を図示の態様に限定することは意図していない。

本発明の変換体の上記の実施例は、多数のうちの幾つかに過ぎず、従って（本発明を）限定するものと看做すべきではない。
以下に、本発明の態様を付記する。
（態様１）照明装置の、とりわけ自動車両用投光装置の照明装置の、変換体。該変換体は、一次光源から放射された一次光を少なくとも部分的に二次光に変換する変換体材料を有し、該二次光は該一次光と異なる波長を有する。
該変換体は、ダイヤモンド柱状テクスチャ構造を構成する複数のダイヤモンド柱状結晶を有する多結晶ダイヤモンドからなり平坦状のダイヤモンド支持構造体を含む。
該ダイヤモンド支持構造体の複数の領域は前記変換体材料を有し、及び、これらの領域の間には、前記一次光が該ダイヤモンド支持構造体を無変換的に貫通通過することを可能にする自由空間が残留している。
（態様２）上記の変換体において、前記平坦状のダイヤモンド支持構造体の前記変換体材料を有する前記複数の領域は、該平坦状のダイヤモンド支持構造体のトポグラフィに従っている。
（態様３）上記の変換体において、前記平坦状のダイヤモンド支持構造体内の前記複数のダイヤモンド柱状結晶は、実質的に光伝播方向に配向されている。
（態様４）上記の変換体において、前記ダイヤモンド支持構造体は、気相からの化学的析着（Chemical Vapor Deposition（化学気相蒸着）、ＣＶＤ）によって製造されている。
（態様５）上記の変換体において、前記ダイヤモンド柱状結晶は、１〜５００μｍの平均幅、好ましくは２０〜１００μｍの幅、を有する。
（態様６）上記の変換体において、前記ダイヤモンド支持構造体の間隙は、少なくとも部分的に変換体材料で充填されている。
（態様７）上記の変換体において、変換体材料で充填されている前記間隙領域は、１０μｍ〜２ｍｍの厚み、好ましくは１００〜５００μｍの厚み、を有する。
（態様８）上記の変換体において、前記平坦状のダイヤモンド支持構造体は、内側面と外側面を有し、
該ダイヤモンド支持構造体の内側面及び外側面の少なくとも１つにおける間隙は、少なくとも部分的に変換体材料で充填されている。
（態様９）上記の変換体において、前記ダイヤモンド支持構造体の内側面における間隙は、少なくとも部分的に変換体材料で充填されている。
（態様１０）上記の変換体において、前記平坦状のダイヤモンド支持構造体の内側面及び外側面の両方における間隙は、少なくとも部分的に変換体材料で充填されている。
（態様１１）上記の変換体において、前記平坦状のダイヤモンド支持構造体は、内側面と外側面を有し、
変換体材料は、該ダイヤモンド支持構造体の内側面及び外側面の少なくとも１つにおける山部に少なくとも部分的に施着されている。
（態様１２）上記の変換体において、前記変換体材料は、前記ダイヤモンド支持構造体の外側面における山部に少なくとも部分的に施着されている。
（態様１３）上記の変換体において、前記変換体材料は、Ｃｅｒ（セリウム）ドープ型イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ−Ｃｅ）、ランタンドープ型酸化イットリウム（Ｙ _２ Ｏ _３ −Ｌａ _２ Ｏ _３ ）、マグネシウム・アルミニウム・スピネル（ＭｇＡｌ _２ Ｏ _４ ）及びユウロピウムドープ型Ｍ _２ Ｓｉ _５ Ｎ _８ （但しＭはＣａ、Ｓｒ又はＢａ）からなる群から選択されている。
（態様１４）一次光源と上記の変換体とを含む、自動車両用投光装置の照明装置。
（態様１５）上記の照明装置において、前記一次光源は、レーザ光源、好ましくは青色光を放出するレーザ光源、である。
（態様１６）上記の変換体ないし上記の照明装置を含む、自動車両用投光装置。
（態様１７）上記の変換体ないし上記の照明装置を含む、シグナルランプ。
（態様１８）上記の照明装置の変換体の製造方法であって、以下の工程：
ａ）気相からの化学的析着（化学気相蒸着、ＣＶＤ）によってフラットな基板上に平坦状の多結晶ダイヤモンド支持構造体を製造すること、
ｂ）前記ダイヤモンド支持構造体の複数の領域に変換体材料を少なくとも部分的に施着すること、但し、該変換体材料を有する複数の領域間には、前記一次光が該ダイヤモンド支持構造体を無変換的に貫通通過することを可能にする自由空間が残留していること、及び、
場合により、工程ａ）の後又は工程ｂ）の後に、前記多結晶ダイヤモンド支持構造体から前記フラットな基板を引き離すこと、
を含む、方法。
（態様１９）上記の方法において、前記変換体材料を有する前記複数の領域は、前記ダイヤモンド支持構造体の間隙及び山部からなる群から選択される。
（態様２０）上記の方法において、前記ダイヤモンド支持構造体は、前記変換体材料を施着する前に、集束イオンビーム（ＦＩＢ）法、レーザドリリング、酸化的エッチング、高温金属粉末の適用、研磨によって又は型押しによって加工される。
（態様２１）上記の方法において、前記ダイヤモンド支持構造体に対する前記変換体材料の接着性を改善するために、該変換体材料を施着する前に、少なくとも領域毎に、接着層が該ダイヤモンド支持構造体に施着される。
（態様２２）上記の方法において、前記変換体材料は、ガス状の反応物質の化学的析着によって又は材料析着、例えばスパッタリング又はスプレーコーティング、によって施着される。
（態様２３）上記の方法において、前記変換体材料は、固体、液体又はゲル状のプリフォームで施着され、次いで、前記ダイヤモンド支持構造体に結合される固相に変換される。
（態様２４）上記の照明装置の変換体の製造方法であって、以下の工程：
ａ）フラットな基板上に構造化変換体材料層を製造すること、
ｂ）気相からの化学的析着（化学気相蒸着、ＣＶＤ）によって該構造化変換体材料層を有する基板上に平坦状の多結晶ダイヤモンド支持構造体を析着すること、及び、
場合により、工程ｂ）の後に、前記変換体材料を有する多結晶ダイヤモンド支持構造体から前記フラットな基板を引き離すこと、
を含む、方法。
（態様２５）上記の方法において、前記変換体材料は、フォトリソグラフィ法と組み合わされた気相からの化学的析着（化学気相蒸着、ＣＶＤ）、フォトリソグラフィ法と組み合わされた物理蒸着法（ＰＶＤ）のような物理的材料析着によって、又は、構造（立体）化されたプリントによって、前記基板上に施着される。
（態様２６）上記の方法において、前記ダイヤモンド支持構造体の気相からの化学的析着は前記基板上におけるダイヤモンド結晶の目標を定めた核形成に基づいており、該基板又は基板表面は異種材料で製造されている。
（態様２７）上記の方法において、前記基板は、ケイ素、高融点金属（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷ）の群からの元素、とりわけモリブデン、ケイ素のカーバイド、高融点金属（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷ）の群からの元素のカーバイド、カーバイド化された表面を有するケイ素、カーバイド化された表面を有する高融点金属（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷ）の群からの元素からなる群から製造されている。
（態様２８）上記の方法において、前記ダイヤモンド支持構造体の気相からの化学的析着は、ホモエピタキシャルプロセスに基づいて実行される。
（態様２９）上記の方法において、前記基板は、ＨＰＨＴダイヤモンド、又は、好ましくは研磨された、天然又はＣＶＤダイヤモンド基板から選択されている。
（態様３０）上記の方法において、前記変換体材料は、Ｃｅｒ（セリウム）ドープ型ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）、ランタンドープ型酸化イットリウム（Ｙ _２ Ｏ _３ −Ｌａ _２ Ｏ _３ ）、マグネシウム・アルミニウム・スピネル（ＭｇＡｌ _２ Ｏ _４ ）及びユウロピウムドープ型Ｍ _２ Ｓｉ _５ Ｎ _８ （但しＭはＣａ、Ｓｒ又はＢａ）からなる群から選択されている。

Claims (30)

1. 照明装置の、とりわけ自動車両用投光装置の照明装置の、変換体（２５、３５、４５、５５、６５、７５、８５、９５、１１５、１２５）であって、
   該変換体は、一次光源から放射された一次光を少なくとも部分的に二次光に変換する変換体材料（２４、３４、４４、５４、６４、７４、８４、９４、１１４、１２４）を有し、該二次光は該一次光と異なる波長を有し、
   該変換体は、ダイヤモンド柱状テクスチャ構造を構成する複数のダイヤモンド柱状結晶（２３、３３、４３、５３、６３、７３、８３、９３、１１３、１２３）を有する多結晶ダイヤモンドからなり平坦状のダイヤモンド支持構造体（２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１１０、１２０）を含み、
   該ダイヤモンド支持構造体の複数の領域（２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２、１１２、１２２）は前記変換体材料（２４、３４、４４、５４、６４、７４、８４、９４、１１４、１２４）を有し、及び、これらの領域の間には、前記一次光が該ダイヤモンド支持構造体を無変換的に貫通通過することを可能にする自由空間が残留している、
   変換体。
2. 請求項１に記載の変換体において、
   前記平坦状のダイヤモンド支持構造体（２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１１０、１２０）の前記変換体材料を有する前記複数の領域（２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２、１１２、１２２）は、該平坦状のダイヤモンド支持構造体のトポグラフィに従っている、
   変換体。
3. 請求項１又は２に記載の変換体において、
   前記平坦状のダイヤモンド支持構造体（２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１１０、１２０）内の前記複数のダイヤモンド柱状結晶（２３、３３、４３、５３、６３、７３、８３、９３、１１３、１２３）は、実質的に光伝播方向に配向されている、
   変換体。
4. 請求項１〜３の何れかに記載の変換体において、
   前記ダイヤモンド支持構造体（２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１１０、１２０）は、気相からの化学的析着（Chemical Vapor Deposition（化学気相蒸着）、ＣＶＤ）によって製造されている、
   変換体。
5. 請求項１〜４の何れかに記載の変換体において、
   前記ダイヤモンド柱状結晶（２３、３３、４３、５３、６３、７３、８３、９３、１１３、１２３）は、１〜５００μｍの平均幅、好ましくは２０〜１００μｍの幅、を有する、
   変換体。
6. 請求項１〜５の何れかに記載の変換体において、
   前記ダイヤモンド支持構造体（２０、３０、４０、５０、６０、７０、９０、１１０）の間隙（２２、３２、４２、５２、６２、７２、９２、１１２）は、少なくとも部分的に変換体材料（２４、３４、４４、５４、６４、７４、９４、１１４）で充填されている、
   変換体。
7. 請求項６に記載の変換体において、
   変換体材料（２４、３４、４４、５４、６４、７４、９４、１１４）で充填されている前記間隙領域（２２、３２、４２、５２、６２、７２、９２、１１２）は、１０μｍ〜２ｍｍの厚み、好ましくは１００〜５００μｍの厚み、を有する、
   変換体。
8. 請求項６又は７に記載の変換体において、
   前記平坦状のダイヤモンド支持構造体（２０、３０、４０、５０、６０、７０、９０、１１０）は、内側面（２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、９０ａ、１１０ａ）と外側面（２０ｂ、３０ｂ、４０ｂ、５０ｂ、６０ｂ、７０ｂ、９０ｂ、１１０ｂ）を有し、
   該ダイヤモンド支持構造体の内側面及び外側面の少なくとも１つにおける間隙は、少なくとも部分的に変換体材料（２４、３４、４４、５４、６４、７４、９４、１１４）で充填されている、
   変換体。
9. 請求項８に記載の変換体において、
   前記ダイヤモンド支持構造体（２０、３０）の内側面（２０ａ、３０ａ）における間隙は、少なくとも部分的に変換体材料（２４、３４）で充填されている、
   変換体。
10. 請求項８に記載の変換体において、
    前記平坦状のダイヤモンド支持構造体（３０）の内側面及び外側面の両方（３０ａ、３０ｂ）における間隙は、少なくとも部分的に変換体材料（３４）で充填されている、
    変換体。
11. 請求項１〜５の何れかに記載の変換体において、
    前記平坦状のダイヤモンド支持構造体（８０、１２０）は、内側面（８０ａ、１２０ａ）と外側面（８０ｂ、１２０ｂ）を有し、
    変換体材料（８４、１２４）は、該ダイヤモンド支持構造体の内側面及び外側面の少なくとも１つにおける山部（８２、１２２）に少なくとも部分的に施着されている、
    変換体。
12. 請求項１１に記載の変換体において、
    前記変換体材料（８４、１２４）は、前記ダイヤモンド支持構造体（８０、１２０）の外側面（８０ｂ、１２０ｂ）における山部（８２、１２２）に少なくとも部分的に施着されている、
    変換体。
13. 請求項１〜１２の何れかに記載の変換体において、
    前記変換体材料（２４、３４、４４、５４、６４、７４、８４、９４、１１４、１２４）は、Ｃｅｒ（セリウム）ドープ型イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ−Ｃｅ）、ランタンドープ型酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３−Ｌａ_２Ｏ_３）、マグネシウム・アルミニウム・スピネル（ＭｇＡｌ_２Ｏ_４）及びユウロピウムドープ型Ｍ_２Ｓｉ_５Ｎ_８（但しＭはＣａ、Ｓｒ又はＢａ）からなる群から選択されている、
    変換体。
14. 一次光源と請求項１〜１３の何れかに記載の変換体（２５、３５、４５、５５、６５、７５、８５、９５、１１５、１２５）とを含む、自動車両用投光装置の照明装置。
15. 請求項１４に記載の照明装置において、
    前記一次光源は、レーザ光源、好ましくは青色光を放出するレーザ光源、である、
    照明装置。
16. 請求項１〜１３の何れかに記載の変換体（２５、３５、４５、５５、６５、７５、８５、９５、１１５、１２５）ないし請求項１４又は１５に記載の照明装置を含む、自動車両用投光装置。
17. 請求項１〜１３の何れかに記載の変換体（２５、３５、４５、５５、６５、７５、８５、９５、１１５、１２５）ないし請求項１４又は１５に記載の照明装置を含む、シグナルランプ。
18. 請求項１〜１３の何れかに記載の照明装置の変換体の製造方法であって、以下の工程：
    ａ）気相からの化学的析着（化学気相蒸着、ＣＶＤ）によってフラットな基板上に平坦状の多結晶ダイヤモンド支持構造体を製造すること、
    ｂ）前記ダイヤモンド支持構造体の複数の領域に変換体材料を少なくとも部分的に施着すること、但し、該変換体材料を有する複数の領域間には、前記一次光が該ダイヤモンド支持構造体を無変換的に貫通通過することを可能にする自由空間が残留していること、及び、
    場合により、工程ａ）の後又は工程ｂ）の後に、前記多結晶ダイヤモンド支持構造体から前記フラットな基板を引き離すこと、
    を含む、方法。
19. 請求項１８に記載の方法において、
    前記変換体材料を有する前記複数の領域は、前記ダイヤモンド支持構造体の間隙及び山部からなる群から選択される、
    方法。
20. 請求項１８又は１９に記載の方法において、
    前記ダイヤモンド支持構造体は、前記変換体材料を施着する前に、集束イオンビーム（ＦＩＢ）法、レーザドリリング、酸化的エッチング、高温金属粉末の適用、研磨によって又は型押しによって加工される、
    方法。
21. 請求項１８〜２０の何れかに記載の方法において、
    前記ダイヤモンド支持構造体に対する前記変換体材料の接着性を改善するために、該変換体材料を施着する前に、少なくとも領域毎に、接着層が該ダイヤモンド支持構造体に施着される、
    方法。
22. 請求項１８〜２１の何れかに記載の方法において、
    前記変換体材料は、ガス状の反応物質の化学的析着によって又は材料析着、例えばスパッタリング又はスプレーコーティング、によって施着される、
    方法。
23. 請求項１８〜２１の何れかに記載の方法において、
    前記変換体材料は、固体、液体又はゲル状のプリフォームで施着され、次いで、前記ダイヤモンド支持構造体に結合される固相に変換される、
    方法。
24. 請求項１〜１３の何れかに記載の照明装置の変換体の製造方法であって、以下の工程：
    ａ）フラットな基板上に構造化変換体材料層を製造すること、
    ｂ）気相からの化学的析着（化学気相蒸着、ＣＶＤ）によって該構造化変換体材料層を有する基板上に平坦状の多結晶ダイヤモンド支持構造体を析着すること、及び、
    場合により、工程ｂ）の後に、前記変換体材料を有する多結晶ダイヤモンド支持構造体から前記フラットな基板を引き離すこと、
    を含む、方法。
25. 請求項２４に記載の方法において、
    前記変換体材料は、フォトリソグラフィ法と組み合わされた気相からの化学的析着（化学気相蒸着、ＣＶＤ）、フォトリソグラフィ法と組み合わされた物理蒸着法（ＰＶＤ）のような物理的材料析着によって、又は、構造（立体）化されたプリントによって、前記基板上に施着される、
    方法。
26. 請求項１８〜２５の何れかに記載の方法において、
    前記ダイヤモンド支持構造体の気相からの化学的析着は前記基板上におけるダイヤモンド結晶の目標を定めた核形成に基づいており、該基板又は基板表面は異種材料で製造されている、
    方法。
27. 請求項２６に記載の方法において、
    前記基板は、ケイ素、高融点金属（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷ）の群からの元素、とりわけモリブデン、ケイ素のカーバイド、高融点金属（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷ）の群からの元素のカーバイド、カーバイド化された表面を有するケイ素、カーバイド化された表面を有する高融点金属（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷ）の群からの元素からなる群から製造されている、
    方法。
28. 請求項１８〜２５の何れかに記載の方法において、
    前記ダイヤモンド支持構造体の気相からの化学的析着は、ホモエピタキシャルプロセスに基づいて実行される、
    方法。
29. 請求項２８に記載の方法において、
    前記基板は、ＨＰＨＴダイヤモンド、又は、好ましくは研磨された、天然又はＣＶＤダイヤモンド基板から選択されている、
    方法。
30. 請求項１８〜２９の何れかに記載の方法において、
    前記変換体材料は、Ｃｅｒ（セリウム）ドープ型ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）、ランタンドープ型酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３−Ｌａ_２Ｏ_３）、マグネシウム・アルミニウム・スピネル（ＭｇＡｌ_２Ｏ_４）及びユウロピウムドープ型Ｍ_２Ｓｉ_５Ｎ_８（但しＭはＣａ、Ｓｒ又はＢａ）からなる群から選択されている、
    方法。

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