JP2017223869A

JP2017223869A - 波長変換部材、発光装置および波長変換部材の製造方法

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Publication number: JP2017223869A
Application number: JP2016120132A
Authority: JP
Inventors: 明宏野村; Akihiro Nomura
Original assignee: Koito Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Koito Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2016-06-16
Filing date: 2016-06-16
Publication date: 2017-12-21
Anticipated expiration: 2036-06-16
Also published as: JP6935990B2

Abstract

【課題】放熱性に優れた波長変換部材、発光装置および波長変換部材の製造方法を提供する。【解決手段】波長変換部材（１４）は、一次光を波長変換して二次光を出射する蛍光体部（１４ａ）と、一次光を透過する半導体材料で構成された放熱保持部（１６）を備え、放熱保持部（１６）は、蛍光体部（１４ａ）の少なくとも一部に接触して蛍光体部（１４ａ）を保持する。【選択図】図２

Description

本発明は、波長変換部材、発光装置および波長変換部材の製造方法に関し、特にレーザ光源からの一次光を波長変換して二次光を出射する波長変換部材、発光装置および波長変換部材の製造方法に関する。

ＬＥＤ（ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）や半導体レーザを光源として、蛍光体材料を含有した波長変換部材で波長変換して白色光を得る発光装置が用いられている。これらの発光装置では、光源から青色光や紫外光などの一次光を発光して波長変換部材に照射し、波長変換部材に含有された蛍光体が一次光により励起されて黄色光などの二次光を発光し、一次光と二次光が混色して白色光が外部に照射される。

特許文献１には、半導体レーザを光源として用いた車両用灯具が提案されている。光源として半導体レーザを用いると、大出力で波長幅の狭い一次光を得られるが、指向性が非常に強く光が照射される領域が小さいという特徴がある。したがって、光源としてＬＥＤを用いる場合と比較すると、波長変換部材の極めて小さい領域に大出力の一次光が照射されて白色光を出射し、指向性が高い発光装置が得られる。

一方で、発光装置の波長変換部材では一次光の波長変換と同時に熱が生じている。特に、光源として半導体レーザを用いた場合には、一次光が小さな領域に集中して照射されるため、波長変換部材の温度が上昇しやすい。波長変換部材中に含有される蛍光体は、波長変換の効率に温度特性を有しているため、温度変化が大きすぎると所望の色度からずれてしまうという問題が生じてしまう。

特開２０１２−２２１６３３号公報

図８（ａ）は、従来の半導体レーザを光源とした発光装置における波長変換部材の固定方法の一例を示す模式図である。光源として半導体レーザを用いた発光装置では、一次光を透過するサファイア等で構成される光取り出し部１の表面に、蛍光体材料を含有した固体状の波長変換部材２が配置され、接着剤３で波長変換部材２を光取り出し部１に固定している。光源である半導体レーザは波長変換部材２から離れた位置に配置されており、図示を省略している。

図８（ｂ）は、半導体レーザを光源とした従来の発光装置における波長変換部材の固定方法の他の例を示す模式図である。この例では、発光装置の光取り出し部１に開口部を形成しておき、開口部内に波長変換部材２を挿入し、波長変換部材２の側面と光取り出し部１の開口部内面との間に接着剤３を注入して、波長変換部材２を光取り出し部１に固定している。この例では光取り出し部１は一次光を透過する材質である必要はなく、セラミック材料などを用いることができる。

図８（ａ）及び図８（ｂ）に示した発光装置では、波長変換部材２を接着剤３で固定しているため、波長変換部材２で発生した熱は接着剤３を介して光取り出し部１に伝わって放熱される。一般的に、光取り出し部１はサファイアやセラミックで構成され、接着剤３はガラスやシリコーン樹脂などで構成されており、熱伝導性が比較的に低い材料であるため波長変換部材２で発生した熱の放熱に改善の余地がある。

そこで本発明は、放熱性に優れた波長変換部材、発光装置および波長変換部材の製造方法を提供することを課題とする。

上記課題を解決するために本発明の波長変換部材は、一次光を波長変換して二次光を出射する蛍光体部と、前記一次光を透過する半導体材料で構成された放熱保持部を備え、前記放熱保持部は、前記蛍光体部の少なくとも一部に接触して前記蛍光体部を保持することを特徴とする。

このような本発明の波長変換部材では、半導体材料で構成された放熱保持部を蛍光体部に接触させて保持するため、蛍光体部で発生した熱は熱伝導率の良好な放熱保持部を介して効率よく放熱される。

また本発明の一態様では、前記蛍光体部は、蛍光体材料を含んだ焼結体である。

また本発明の一態様では、前記放熱保持部を保持する保持基板を有し、前記放熱保持部は前記保持基板より熱伝導率が大きい。

また本発明の一態様では、前記放熱保持部は、前記蛍光体部の側面全体を覆う。

また本発明の一態様では、前記放熱保持部は、前記蛍光体部における前記一次光の入射面を覆う。

上記課題を解決するために本発明の発光装置は、一次光を照射する光源と、前記一次光を波長変換して二次光を出射する蛍光体部と、前記一次光を透過する半導体材料で構成された放熱保持部を備え、前記放熱保持部は、前記蛍光体部の少なくとも一部に接触して前記蛍光体部を保持することを特徴とする。

上記課題を解決するために本発明の波長変換部材の製造方法は、保持基板に蛍光体部を載置する載置工程と、前記保持基板および前記蛍光体部の上に、光源からの一次光を透過する半導体材料を成長させて放熱保持部を形成する成長工程を備えることを特徴とする。

また本発明の一態様では、前記成長工程の後に、前記保持基板の裏面および／または前記放熱保持部の表面を研磨する研磨工程を備える。

また本発明の一態様では、前記載置工程の前に前記保持基板に溝を形成する溝形成工程を備え、前記載置工程では前記溝に前記蛍光体部を載置する。

本発明では、放熱性に優れた波長変換部材、発光装置および波長変換部材の製造方法を提供することができる。

第１実施形態における発光装置１０を示す模式断面図である。第１実施形態における波長変換部材１４の構造を示す模式断面図である。第１実施形態の波長変換部材１４の製造方法を示す工程図である。波長変換部材１４での熱の伝わり方を示す概念図である。第２実施形態における灯具ユニット２０を示す模式断面図である。第３実施形態の波長変換部材１４の製造方法を示す工程図である。第３実施形態における波長変換部材１４の構造を示す模式断面図である。半導体レーザを光源とした従来の発光装置における波長変換部材の固定方法の一例を示す模式図である。

（第１実施形態）
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付すものとし、適宜重複した説明は省略する。図１は、本実施形態における発光装置１０を示す模式断面図である。発光装置１０は、ステム１１と、半導体レーザ１２と、ケース部１３と、波長変換部材１４とを備える。発光装置１０では、半導体レーザ１２から一次光Ｌ１が波長変換部材１４に照射され、波長変換部材１４で波長変換された二次光と混色して白色光Ｌ２が外部に出射される。図１では発光装置１０として所謂ＣＡＮ型パッケージのものを示したが、ＣＡＮ型パッケージに限定されず各種半導体レーザ用のパッケージを用いることができる。

ステム１１は、半導体レーザ１２を搭載してケース部１３が固定される部材であり、図示しないリードピンやヒートシンクなどを備えて、外部から半導体レーザ１２に電力が供給されるとともに、半導体レーザ１２で発生した熱を外部に伝える。ステム１１を構成する材料は特に限定されないが、放熱性が良好な銅などの金属が望ましい。

半導体レーザ１２は、電力が供給されてレーザ光を発振する半導体素子である。半導体レーザ１２を構成する材料は特に限定されないが、一次光Ｌ１として青色光や紫外光を照射する場合には窒化物系半導体が用いられる、また、半導体レーザ１２の共振器構造や電極構造、電流狭窄構造などの素子構造も特に限定されず、必要な発光強度と発振波長を得るために適切な構造を採用することができる。

ケース部１３は、ステム１１上で半導体レーザ１２を覆うように配置される部材であり、ステム１１に立設される筒状の側壁と天面とを備えている。ケース部１３の天面中央には開口部が設けられて波長変換部材１４が固定されている。ケース部１３を構成する材料は限定されないが、波長変換部材１４で発生した熱をステム１１に良好に伝えるためには熱伝導性に優れた金属材料が好ましい。

波長変換部材１４は、ケース部１３の開口部に固定されて発光装置１０からの光取り出し部として機能している。波長変換部材１４は、半導体レーザ１２から照射される一次光Ｌ１により励起されて二次光を発する蛍光体材料を含有する部材であり、一次光Ｌ１と二次光とが混色して白色光Ｌ２を外部に照射する。ここでは一次光Ｌ１と二次光の混色で白色光Ｌ２を照射する例を示したが、複数の蛍光体材料を備えて複数色の二次光を発光して二次光同士の混色によって白色光Ｌ２を照射するとしてもよい。また、照射する光Ｌ２として白色光の例を示したが、その他の単色光であってもよく、複数色を混色した白色以外の色であってもよい。

次に、波長変換部材１４の構造および製造方法について図２〜図４を用いて説明する。図２は、本実施形態における波長変換部材１４の構造を示す模式断面図である。図２に示すように本実施形態の波長変換部材１４は、蛍光体部１４ａと、保持基板１５と、放熱保持部１６とを備えている。

図２に示すように波長変換部材１４は、放熱保持部１６が蛍光体部１４ａと保持基板１５の図中下方全体を覆い、図中上方に蛍光体部１４ａと保持基板１５が露出している。蛍光体部１４ａの高さは保持基板１５よりも高く、保持基板１５の開口部内において蛍光体部１４ａが保持基板１５と放熱保持部１６に埋没した状態で保持されている。また、蛍光体部１４ａの側面および下面は放熱保持部１６で覆われており、上面が保持基板１５の開口部から露出している。保持基板１５の開口部の直径は蛍光体部１４ａよりも大きく形成されており、蛍光体部１４ａの側面と開口部内面との間には放熱保持部１６が入り込んでいることが好ましいが、蛍光体部１４ａと開口部とが接触していてもよい。

蛍光体部１４ａは、一次光Ｌ１によって励起されて二次光を発する蛍光体材料を含有する部材である。蛍光体部１４ａのサイズは、半導体レーザ１２からの一次光Ｌ１が照射される領域よりも大きく、一次光Ｌ１を適切に二次光に波長変換できればよく、例えば厚さ数百μｍ程度で直径が０．１〜数ｍｍ程度である。蛍光体部１４ａに含有される蛍光体材料は特に限定されないが、後述するように放熱保持部１６を形成するためにはセラミック蛍光体であることが好ましい。蛍光体部１４ａの具体的材料としては、Ｙ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂、すなわちＹＡＧ(ＹｔｔｒｉｕｍＡｌｍｉｎｕｍＧａｒｎｅｔ)粉末を用いて作成されたセラミック素地を焼結して得られるセラミック蛍光体が最も好ましい。ＹＡＧ焼結体を蛍光体部１４ａとして用いることで、一次光Ｌ１の青色光を波長変換して二次光の黄色光を出射し、一次光と二次光の混色により白色を得られる。

保持基板１５は、一方の表面に放熱保持部１６を保持する薄板状の部材であり、開口部内に蛍光体部１４ａが配置されている。保持基板１５を構成する材料は、一方の面に放熱保持部１６を形成することが可能な材料であり、例えばサファイア、ＳｉＣ、Ｓｉ等が好ましい。

放熱保持部１６は、保持基板１５の一方の面と蛍光体部１４ａ全体を覆って形成された部材である。上述したように、保持基板１５の開口部内と蛍光体部１４ａ側面との間隙にも放熱保持部１６が入り込んで形成されていることが好ましいが、蛍光体部１４ａと保持基板１５とが接触していてもよい。放熱保持部１６は、保持基板１５および蛍光体部１４ａ上に成長可能で、半導体レーザ１２からの一次光Ｌ１を透過する半導体材料で構成される。具体的な半導体材料としてはＩＩＩ族窒化物系半導体であるＧａＮやＡｌＮ等が挙げられる。

放熱保持部１６に用いられる半導体材料の熱伝導率は、ＧａＮが約１３０［Ｗ／ｍＫ］でＡｌＮが約１５０［Ｗ／ｍＫ］であり、従来用いられていた接着剤のガラスやシリコーン樹脂の１［Ｗ／ｍＫ］未満、サファイア基板の約４０［Ｗ／ｍＫ］よりも熱伝導性が良好である。

次に、図３を用いて波長変換部材１４の製造方法を示す。まず初めに、図３（ａ）に示すように、溝形成工程を経て表面に凹部１５ａが形成された保持基板１５を用意する。ここで用意する初期状態における保持基板１５の厚みは、図２に示した保持基板１５よりも厚く、数百μｍ以上の厚みを有して自立基板として必要な剛性を有している。ここで自立基板とは、半導体製造技術における通常の意味であり、操作時に破壊されない程度の強度を備えていることを意味している。凹部１５ａは、直径が蛍光体部１４ａの直径よりも大きく、蛍光体部１４ａの厚みよりも浅く形成されている。

次に図３（ｂ）に示すように、予め用意した蛍光体部１４ａを凹部１５ａ内に配置する。このとき、蛍光体部１４ａの側面が凹部１５ａの内周と接触せず、所定の間隙をもって配置されることが好ましい。蛍光体部１４ａが凹部１５ａ内に配置されることで、後工程である成長工程での成長ガスによって蛍光体部１４ａが飛ばされることを抑制し、蛍光体部１４ａを所定の位置に留めて放熱保持部１６を成長させることができる。

次に図３（ｃ）に示すように、保持基板１５上に蛍光体部１４ａを配置した状態で反応容器内に投入し、保持基板１５および蛍光体部１４ａ上に半導体層を成長させて放熱保持部１６を形成する。半導体層の成長には、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ：ＭｅｔａｌＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）やハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ：ＨｙｄｒｉｄｅＶａｐｏｒＰｈａｓｅＥｐｉｔａｘｙ）、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ：ＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｍＥｐｉｔａｘｙ）、スパッタ法などの各種方法を用いることができるが、結晶成長速度の点からＨＶＰＥ法が好ましい。セラミック蛍光体である蛍光体部１４ａ上に、ＡｌＮなどのＩＩＩ族窒化物半導体層が成長できることは、例えば特許第５７６８１５９号公報に記載されている。

図３（ｃ）に示したように、放熱保持部１６の成長は蛍光体部１４ａよりも放熱保持部１６が厚くなるまで継続され、蛍光体部１４ａの側面および上面を覆って蛍光体部１４ａに対応する位置が凸状となっている。このとき、蛍光体部１４ａ側面と凹部１５ａ内周面との間隙にも成長ガスが供給されることで、間隙にも放熱保持部１６が形成されている。

最後に図３（ｄ）に示すように、保持基板１５の裏面側および放熱保持部１６の表面側を研磨する。研磨の方法としては、保持基板１５および放熱保持部１６の材料に応じてラッピングや化学機械研磨（ＣＭＰ：ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ）など好ましい方法を採用できる。この研磨工程によって、保持基板１５の厚さは凹部１５ａの深さ程度まで薄板化され、同時に蛍光体部１４ａの裏面が露出される。また、放熱保持部１６は表面が平坦になる程度まで研磨されるが、蛍光体部１４ａの上面は露出されず放熱保持部１６が残留して覆った状態とされる。

上述した製造方法で得られた波長変換部材１４をダイシングで個別に分割し、ケース部１３の開口部に取り付け、半導体レーザ１２を覆うようにステム１１上にケース部１３を取り付けることで、本実施形態の発光装置１０が構成される。

図４は、波長変換部材１４での熱の伝わり方を示す概念図である。図３（ｄ）で完成した波長変換部材１４の上下方向は逆に描かれており、下方から一次光Ｌ１が照射される。図４中の黒い矢印は、蛍光体部１４ａからの熱の経路を模式的に示している。上述したように、ＧａＮやＡｌＮなどの半導体材料で構成される放熱保持部１６は、ガラスやシリコーン樹脂、サファイア基板よりも熱伝導性が良好であり、蛍光体部１４ａの側面及び下面に接触した放熱保持部１６を介して熱が良好に伝わって放熱される。

本実施形態の波長変換部材１４では、一次光Ｌ１の入射側にも蛍光体部１４ａを覆って放熱保持部１６が形成されている。放熱保持部１６は一次光Ｌ１を透過する材料で構成されているため、蛍光体部１４ａの入射面を放熱保持部１６が覆っていても一次光Ｌ１が放熱保持部１６に吸収されず、十分に蛍光体部１４ａに一次光Ｌ１が照射される。蛍光体部１４ａの入射面近傍にも放熱保持部１６が接触しているため、一次光Ｌ１の照射によって最も波長変換と発熱が行われる入射面の領域からも良好に放熱保持部１６から放熱をすることが可能となる。

また、保持基板１５の凹部１５ａに相当する開口部内周と蛍光体部１４ａ側面との間にも放熱保持部１６が形成されているため、蛍光体部１４ａの側面全体を放熱保持部１６が覆い、蛍光体部１４ａからの放熱経路が確保される。

さらに、図３（ｄ）で示した研磨工程により、放熱保持部１６の表面は平坦化されている。これにより、一次光Ｌ１が放熱保持部１６を透過して蛍光体部１４ａに入射する際に、放熱保持部１６表面の凹凸による屈折や散乱で蛍光体部１４ａへの入射光量が減少することを抑制することができる。また、研磨工程で保持基板１５の裏面が研磨されて蛍光体部１４ａが露出しているため、蛍光体部１４ａと保持基板１５の界面で白色光が反射することや、保持基板１５を透過する際に減衰することを抑制でき、白色光の取り出し効率が向上する。

上述したように本実施形態では、波長変換部材１４が、一次光Ｌ１を波長変換して二次光を出射する蛍光体部１４ａと、一次光を透過する半導体材料で構成された放熱保持部１６を備え、放熱保持部１６が蛍光体部１４ａの少なくとも一部に接触して保持している。これにより、放熱性に優れた波長変換部材、発光装置および波長変換部材の製造方法を提供することができる。

（第２実施形態）
次に本発明の第２実施形態について図５を用いて説明する。第１実施形態と重複する部分についての説明は省略する。図５は、第２実施形態における灯具ユニット２０を示す模式断面図である。本実施形態は、第１実施形態で示した発光装置１０を光源として車両用の灯具ユニットを構成したものである。

図５に示す灯具ユニット２０は、ハイビーム用配光パターンを形成するように構成されている。灯具ユニット２０は、発光装置１０と、カバー２１と、ランプボディ２２と、投影レンズ２３と、出射した光を投影レンズ２３に向けて反射する楕円反射面を有するリフレクタ２４と、ベース部２６を介して発光装置１０が発する熱を外部へ放熱する放熱フィン２５と、発光装置１０が載置されているベース部２６と、スイブルアクチュエータ２７と、スクリュー２９と、レベリングアクチュエータ３０と、スクリュー３１とを備える。

ベース部２６は、水平方向にスイブルできるようにスイブルアクチュエータ２７によって支持されている。また、ベース部２６の上部は、スクリュー３１等を介してランプボディ２２と連結されている。スイブルアクチュエータ２７は、レベリングアクチュエータ３０と接続されている。レベリングアクチュエータ３０は、スクリュー２９を回転させることで、連結部材２８を移動させ、ベース部２６の上下方向の傾きを変えることができる。このように、レベリングアクチュエータ３０は、灯具ユニット２０の光軸や灯具ユニット２０により形成される配光パターンを上下方向に変化させるためのものである。

図１に示したように、半導体レーザ１２が発光した一次光Ｌ１は波長変換部材１４で二次光に波長変換され、一次光Ｌ１と二次光の混色による白色光Ｌ２が発光装置１０から出射される。図５に示したように、発光装置１０から上方に出射された白色光は、リフレクタ２４で前方に反射され、投影レンズ２３およびカバー２１を透過して車両前方に投影される。

本実施形態の灯具ユニット２０では、図４で示したように蛍光体部１４ａで発生した熱は放熱保持部１６を介してケース部１３及びステム１１を経由し、ベース部２６から放熱フィン２５に伝わり放熱される。したがって、本実施形態の灯具ユニット２０でも、蛍光体部１４ａで発生した熱を良好に放熱して安定した白色光照射を実現できる。

（第３実施形態）
次に本発明の第３実施形態について図６，７を用いて説明する。第１実施形態と重複する部分についての説明は省略する。図６は、本実施形態の波長変換部材１４の製造方法を示す工程図である。図７は、本実施形態における波長変換部材１４の構造を示す模式断面図である。

初めに、図６（ａ）に示すように、溝形成工程を経て表面に凹部１５ａが形成された保持基板１５を用意する。本実施形態では、凹部１５ａの側壁が表面と底面に対して所定の角度で傾斜したテーパ形状とされている。凹部１５ａの底面は蛍光体部１４ａと同程度の面積とする。

次に図６（ｂ）に示すように、予め用意した蛍光体部１４ａを凹部１５ａ内に配置する。凹部１５ａの側壁がテーパ形状であり、蛍光体部１４ａを載置することでテーパ形状によって蛍光体部１４ａが凹部底面に位置決めされるため、作業効率が向上する。また、テーパ形状の凹部１５ａの側面と蛍光体部１４ａの側面との間に隙間が確保される。

次に図６（ｃ）に示すように、保持基板１５上に蛍光体部１４ａを配置した状態で反応容器内に投入し、保持基板１５および蛍光体部１４ａ上に半導体層を成長させて放熱保持部１６を形成する。凹部１５ａの側面と蛍光体部１４ａの側面は、上述したように凹部１５ａのテーパ形状に起因して隙間が確保されているため、成長させる半導体層を蛍光体部１４ａの側面に接触させることが容易となる。

最後に図６（ｄ）に示すように、保持基板１５の裏面側および放熱保持部１６の表面側を研磨する。これにより図７に示す波長変換部材１４が得られる。

本実施形態でも、波長変換部材１４が、一次光Ｌ１を波長変換して二次光を出射する蛍光体部１４ａと、一次光を透過する半導体材料で構成された放熱保持部１６を備え、放熱保持部１６が蛍光体部１４ａの少なくとも一部に接触して保持している。これにより、放熱性に優れた波長変換部材、発光装置および波長変換部材の製造方法を提供することができる。

（第４実施形態）
次に本発明の第４実施形態について説明する。本実施形態の波長変換部材では、第１実施形態の研磨工程を省略し、図３（ｃ）で示した放熱保持部１６の成長終了時点でダイシングしてケース部１３の開口部に取り付ける。

ここでは保持基板１５裏面と放熱保持部１６表面の両面ともに研磨しない例を示したが、保持基板１５裏面と放熱保持部１６表面のどちらか一方のみを研磨するとしてもよい。

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

Ｌ１…一次光
Ｌ２…白色光
１…光取り出し部
３…接着剤
２…波長変換部材
１０…発光装置
１１…ステム
１２…半導体レーザ
１３…ケース部
１４…波長変換部材
１４ａ…蛍光体部
１５…保持基板
１５ａ…凹部
１６…放熱保持部
２０…灯具ユニット
２１…カバー
２２…ランプボディ
２３…投影レンズ
２４…リフレクタ
２５…放熱フィン
２６…ベース部
２７…スイブルアクチュエータ
２８…連結部材
２９…スクリュー
３０…レベリングアクチュエータ
３１…スクリュー

Claims

一次光を波長変換して二次光を出射する蛍光体部と、
前記一次光を透過する半導体材料で構成された放熱保持部を備え、
前記放熱保持部は、前記蛍光体部の少なくとも一部に接触して前記蛍光体部を保持することを特徴とする波長変換部材。
請求項１に記載の波長変換部材であって、
前記蛍光体部は、蛍光体材料を含んだ焼結体であることを特徴とする波長変換部材。
請求項１または２に記載の波長変換部材であって、
前記放熱保持部を保持する保持基板を有し、前記放熱保持部は前記保持基板より熱伝導率が大きいことを特徴とする波長変換部材。
請求項１乃至３の何れか一つに記載の波長変換部材であって、
前記放熱保持部は、前記蛍光体部の側面全体を覆うことを特徴とする波長変換部材。
請求項１乃至４の何れか一つに記載の波長変換部材であって、
前記放熱保持部は、前記蛍光体部における前記一次光の入射面を覆うことを特徴とする波長変換部材。
一次光を照射する光源と、
前記一次光を波長変換して二次光を出射する蛍光体部と、
前記一次光を透過する半導体材料で構成された放熱保持部を備え、
前記放熱保持部は、前記蛍光体部の少なくとも一部に接触して前記蛍光体部を保持することを特徴とする発光装置。
保持基板に蛍光体部を載置する載置工程と、
前記保持基板および前記蛍光体部の上に、光源からの一次光を透過する半導体材料を成長させて放熱保持部を形成する成長工程を備えることを特徴とする波長変換部材の製造方法。
請求項７に記載の波長変換部材の製造方法であって、
前記成長工程の後に、前記保持基板の裏面および／または前記放熱保持部の表面を研磨する研磨工程を備えることを特徴とする波長変換部材の製造方法。
請求項７または８に記載の波長変換部材の製造方法であって、
前記載置工程の前に前記保持基板に溝を形成する溝形成工程を備え、
前記載置工程では前記溝に前記蛍光体部を載置することを特徴とする波長変換部材の製造方法。