JP2019502151A - 高誘電率を有する光画像化可能薄フィルム - Google Patents
高誘電率を有する光画像化可能薄フィルム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019502151A JP2019502151A JP2018527084A JP2018527084A JP2019502151A JP 2019502151 A JP2019502151 A JP 2019502151A JP 2018527084 A JP2018527084 A JP 2018527084A JP 2018527084 A JP2018527084 A JP 2018527084A JP 2019502151 A JP2019502151 A JP 2019502151A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formulation
- nanoparticles
- dielectric constant
- thin film
- functionalized
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0752—Silicon-containing compounds in non photosensitive layers or as additives, e.g. for dry lithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
光画像化可能フィルムを調製するための配合物であって、該配合物が、(a)クレゾールノボラック型樹脂及びジアゾナフトキノン阻害剤を含むポジティブフォトレジストと、(b)官能化酸化ジルコニウムナノ粒子とを含む、配合物。
Description
本発明は、高誘電率を有する光画像化可能薄フィルムに関する。
高誘電率薄フィルムは、マイクロエレクトロニクス構成要素を更に小型化するために、内蔵キャパシタ、TFTパッシベーション層、及びゲート誘電体などの用途について関心が高い。光画像化可能な高誘電率薄フィルムを得るための1つのアプローチは、高誘電率ナノ粒子をフォトレジスト中に組み込むことである。US7,630,043は、カルボン酸などのアルカリ可溶性単位を有するアクリルポリマーを含有するポジティブフォトレジスト、及び4よりも高い誘電率を有する微粒子に基づく複合薄フィルムを開示する。しかしながら、この参考文献は、本発明において使用される結合剤は開示していない。
本発明は、光画像化可能フィルムを調製するための配合物であって、該配合物が、(a)クレゾールノボラック型樹脂及びジアゾナフトキノン阻害剤を含むポジティブフォトレジストと、(b)官能化酸化ジルコニウムナノ粒子とを含む、配合物を提供する。
別段明記されない限り、パーセンテージは重量パーセンテージ(重量%)であり、温度は℃である。別段明記されない限り、操作は室温(20〜25℃)で実行した。「ナノ粒子」という用語は、1〜100nmの直径を有する粒子を指し、すなわち、粒子の少なくとも90%が示されるサイズ範囲内にあり、粒径分布の最大ピーク高さがこの範囲内にある。好ましくは、ナノ粒子は、75nm以下、好ましくは50nm以下、好ましくは25nm以下、好ましくは10nm以下、好ましくは7nm以下の平均直径を有する。好ましくは、ナノ粒子の平均直径は、0.3nm以上、好ましくは1nm以上である。粒径は、動的光散乱法(DLS)によって決定される。好ましくは、横幅パラメータBP=(N75−N25)によって特徴付けられる、ジルコニア粒子の直径の分布の横幅は、4nm以下、より好ましくは3nm以下、より好ましくは2nm以下である。好ましくは、BP=(N75−N25)によって特徴付けられる、ジルコニア粒子の直径の分布の横幅は、0.01以上である。指数Wを以下のように考えることが有用である。
W=(N75−N25)/Dm
W=(N75−N25)/Dm
式中、Dmは、数平均直径である。好ましくは、Wは、1.0以下、より好ましくは0.8以下、より好ましくは0.6以下、より好ましくは0.5以下、より好ましくは0.4以下である。好ましくは、Wは、0.05以上である。
好ましくは、官能化ナノ粒子は、酸化ジルコニウムと、1つ以上のリガンド、好ましくはアルキル、ヘテロアルキル(例えば、ポリ(エチレンオキシド))、または極性官能基を有するアリール基を有する、好ましくはカルボン酸、アルコール、トリクロロシラン、トリアルコキシシラン、または混合クロロ/アルコキシシランを有する、好ましくはカルボン酸を有するリガンドとを含む。極性官能基は、ナノ粒子の表面に結合すると考えられる。好ましくは、リガンドは、1〜25個、好ましくは1〜20個、好ましくは3〜12個の非水素原子を有する。好ましくは、リガンドは、炭素、水素、ならびに酸素、硫黄、窒素、及びケイ素からなる群から選択される追加の元素を含む。好ましくは、アルキル基は、C1−C18、好ましくはC2−C12、好ましくはC3−C8に由来する。好ましくは、アリール基は、C6−C12に由来する。アルキルまたはアリール基は、イソシアネート、メルカプト、グリシドキシ、または(メタ)アクリロイルオキシ基で更に官能化されてもよい。好ましくは、アルコキシ基は、C1−C4、好ましくはメチルまたはエチルに由来する。オルガノシランの中で、いくつかの好適な化合物は、アルキルトリアルコキシシラン、アルコキシ(ポリアルキレンオキシ)アルキルトリアルコキシシラン、置換アルキルトリアルコキシシラン、フェニルトリアルコキシシラン、及びこれらの混合物である。例えば、いくつかの好適なオルガノシランは、n−プロピルトリメトキシシラン、n−プロピルトリエトキシシラン、n−オクチルトリメトキシシラン、n−オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、2−[メトキシ(ポリエチレンオキシ)プロピル]−トリメトキシシラン、メトキシ(トリエチレンオキシ)プロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−(メタクリロイルオキシ)プロピルトリメトキシシラン、3−イソシアナトプロピルトリエトキシシラン、3−イソシアナトプロピルトリメトキシシラン、グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、及びこれらの混合物である。
オルガノアルコールの中で、好ましいのは、式R10OHのアルコールまたはアルコールの混合物であり、式中、R10は、脂肪族基、芳香族置換アルキル基、芳香族基、またはアルキルアルコキシ基である。より好ましいオルガノアルコールは、エタノール、プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、ドデシルアルコール、オクタデカノール、ベンジルアルコール、フェノール、オレイルアルコール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、及びこれらの混合物である。オルガノカルボン酸の中で、好ましいのは、式R11COOHのカルボン酸であり、式中、R11は、脂肪族基、芳香族基、ポリアルコキシ基、またはこれらの混合物である。R11が脂肪族基であるオルガノカルボン酸の中で、好ましい脂肪族基は、メチル、プロピル、オクチル、オレイル、及びこれらの混合物である。R11が芳香族基であるオルガノカルボン酸の中で、好ましい芳香族基は、C6H5である。好ましくは、R11は、ポリアルコキシ基である。R11がポリアルコキシ基である場合、R11は、一連の直鎖状アルコキシ単位であり、各単位内のアルキル基は、他の単位内のアルキル基と同一であっても、それとは異なっていてもよい。R11がポリアルコキシ基であるオルガノカルボン酸の中で、好ましいアルコキシ単位は、メトキシ、エトキシ、及びこれらの組み合わせである。官能化ナノ粒子は、例えば、US2013/0221279に記載される。
好ましくは、(配合物全体の固形分に基づいて計算される)配合物中の官能化ナノ粒子の量は、50〜95重量%、好ましくは少なくとも60重量%、好ましくは少なくとも70重量%、好ましくは少なくとも80重量%、好ましくは少なくとも90重量%、好ましくは90重量%以下である。
ジアゾナフトキノン阻害剤は、紫外線に対する感受性を提供する。紫外線への露光後、ジアゾナフトキノン阻害剤は、フォトレジストフィルムの溶解を阻害する。ジアゾナフトキノン阻害剤は、1個以上の塩化スルホニル置換基を有し、芳香族アルコール種、例えば、クミルフェノール、1,2,3−トリヒドロキシベンゾフェノン、p−クレゾール三量体、またはクレゾールノボラック樹脂自体と反応させられる、ジアゾナフトキノンから作製することができる。
好ましくは、クレゾールノボラック型樹脂は、2〜10個、好ましくは少なくとも3個、好ましくは8個以下、好ましくは6個以下のエポキシ官能基を有する。好ましくは、クレゾールノボラック型樹脂は、クレゾール、ホルムアルデヒド、及びエピクロロヒドリンの重合単位を含む。
好ましくは、フィルム厚さは、少なくとも50nm、好ましくは少なくとも100nm、好ましくは少なくとも500nm、好ましくは少なくとも1000nm、好ましくは3000nm以下、好ましくは2000nm以下、好ましくは1500nm以下である。好ましくは、配合物は、標準ケイ素ウェハまたは酸化インジウム−スズ(ITO)コーティングガラススライド上にコーティングされる。
1.1 材料
2〜13nmの範囲の粒径分布を有するPixelligent PN酸化ジルコニウム(ZrO2)官能化ナノ粒子を、Pixelligent Inc.から購入した。これらのナノ粒子を、ジルコニウムアルコキシド系前駆体によって溶媒熱合成を介して合成した。使用される潜在的なジルコニウムアルコキシド系前駆体としては、ジルコニウム(IV)イソプロポキシドイソプロパノール、ジルコニウム(IV)エトキシド、ジルコニウム(IV)n−プロポキシド、及びジルコニウム(IV)n−ブトキシドを挙げることができる。本発明の本文に記載される異なる潜在的なキャッピング剤が、キャップ交換プロセスを介してナノ粒子に添加されてもよい。ポジティブ広帯域g−ライン及びi−ライン可能SPR−220フォトレジストを、MicroChemから購入した。現像剤MF−26A(2.38重量%の水酸化テトラメチルアンモニウム)は、Dow Electronic Materialsグループによって提供された。使用したポジティブフォトレジストSPR−220の組成を、表1にまとめる。
2〜13nmの範囲の粒径分布を有するPixelligent PN酸化ジルコニウム(ZrO2)官能化ナノ粒子を、Pixelligent Inc.から購入した。これらのナノ粒子を、ジルコニウムアルコキシド系前駆体によって溶媒熱合成を介して合成した。使用される潜在的なジルコニウムアルコキシド系前駆体としては、ジルコニウム(IV)イソプロポキシドイソプロパノール、ジルコニウム(IV)エトキシド、ジルコニウム(IV)n−プロポキシド、及びジルコニウム(IV)n−ブトキシドを挙げることができる。本発明の本文に記載される異なる潜在的なキャッピング剤が、キャップ交換プロセスを介してナノ粒子に添加されてもよい。ポジティブ広帯域g−ライン及びi−ライン可能SPR−220フォトレジストを、MicroChemから購入した。現像剤MF−26A(2.38重量%の水酸化テトラメチルアンモニウム)は、Dow Electronic Materialsグループによって提供された。使用したポジティブフォトレジストSPR−220の組成を、表1にまとめる。
1.2 薄フィルム調製
ポジティブフォトレジストSPR−220と混合した、異なる比率のPixelligent PA(Pix−PA)及びPixelligent PN(Pix−PB)型ナノ粒子(ともに官能化酸化ジルコニウムナノ粒子に基づく)溶液を含有する溶液を調製した。得られた溶液を一晩撹拌し、ITOコーティングガラス上の薄フィルム(<15Ω/sq)へと、及び1500rpmのスピン速度で2分間スピンコーターを介してケイ素ウェハへと更に加工した。
ポジティブフォトレジストSPR−220と混合した、異なる比率のPixelligent PA(Pix−PA)及びPixelligent PN(Pix−PB)型ナノ粒子(ともに官能化酸化ジルコニウムナノ粒子に基づく)溶液を含有する溶液を調製した。得られた溶液を一晩撹拌し、ITOコーティングガラス上の薄フィルム(<15Ω/sq)へと、及び1500rpmのスピン速度で2分間スピンコーターを介してケイ素ウェハへと更に加工した。
1.3 誘電率特性評価
50nmの厚さの金電極(直径3mm)を、1Å/秒の速度でITO堆積ナノ粒子−フォトレジスト薄フィルム上に堆積させた。ITOを、ワニ口クリップ、及び細い金ワイヤを有する金電極と接触させた。Novocontrol Alpha−Aインピーダンス分析器を使用して、1.15MHzで各試料の静電容量を測定し、等式1(Cは静電容量であり、εrは誘電率であり、ε0は真空誘電率であり、Aは電極の面積であり、dはフォトレジストの厚さである)を介して誘電率を決定した。各フィルムを4つの異なる位置で測定して、標準偏差を決定した。
C=εr ε0.A/d 等式1
50nmの厚さの金電極(直径3mm)を、1Å/秒の速度でITO堆積ナノ粒子−フォトレジスト薄フィルム上に堆積させた。ITOを、ワニ口クリップ、及び細い金ワイヤを有する金電極と接触させた。Novocontrol Alpha−Aインピーダンス分析器を使用して、1.15MHzで各試料の静電容量を測定し、等式1(Cは静電容量であり、εrは誘電率であり、ε0は真空誘電率であり、Aは電極の面積であり、dはフォトレジストの厚さである)を介して誘電率を決定した。各フィルムを4つの異なる位置で測定して、標準偏差を決定した。
C=εr ε0.A/d 等式1
1.4 光画像化可能性(多量露光)
光画像化可能性条件を、10%未満のフィルム保持を達成するための時間として表2にまとめる。フィルムを、115℃で5分間ソフトベークに供した。その後、350〜450の主要スペクトル範囲にわたる高い反射率及び偏光非感受性のために設計された二色性ビーム反射鏡を備えた1000Wの水銀ランプを収容する、Oriel Researchの弧状ランプ源の使用を介して、それらをUV照射に露光した。使用した現像剤は、水酸化テトラメチルアンモニウムに基づくMF−26Aであった。ポストベークの後、コーティングされたウェハを、MF−26Aを含有するペトリ皿中に6分間浸漬した。各浸漬時間の後のフィルムの厚さを、M−2000Woollam分光エリプソメータを介して決定した。
光画像化可能性条件を、10%未満のフィルム保持を達成するための時間として表2にまとめる。フィルムを、115℃で5分間ソフトベークに供した。その後、350〜450の主要スペクトル範囲にわたる高い反射率及び偏光非感受性のために設計された二色性ビーム反射鏡を備えた1000Wの水銀ランプを収容する、Oriel Researchの弧状ランプ源の使用を介して、それらをUV照射に露光した。使用した現像剤は、水酸化テトラメチルアンモニウムに基づくMF−26Aであった。ポストベークの後、コーティングされたウェハを、MF−26Aを含有するペトリ皿中に6分間浸漬した。各浸漬時間の後のフィルムの厚さを、M−2000Woollam分光エリプソメータを介して決定した。
2.結果
2.1 誘電率結果
表3は、SPR−220ポジティブフォトレジストと混合した、異なる量のPixelligent PA(Pix−PA)及びPixelligent PN(Pix−PN)型ナノ粒子から作製した、いくつかの薄フィルムの1.15MHzで測定した誘電率を、フォトレジスト中に組み込まれるナノ粒子の重量パーセントの関数として列挙する。Pixelligent PA型ナノ粒子系薄フィルムについて得られる誘電率は、所与の薄フィルム内に存在する89.1重量%のナノ粒子について、8.88ほど高い一方で、Pixelligent PN型ナノ粒子系薄フィルムについて得られる誘電率は、所与の薄フィルム内に存在する81.23重量%のナノ粒子について、8.46ほど高かった。両方の結果は、ベースSPR−220フォトレジストの誘電率、及びDow顧客によって要求される誘電率の重要品質特性よりも有意に高い。
2.1 誘電率結果
表3は、SPR−220ポジティブフォトレジストと混合した、異なる量のPixelligent PA(Pix−PA)及びPixelligent PN(Pix−PN)型ナノ粒子から作製した、いくつかの薄フィルムの1.15MHzで測定した誘電率を、フォトレジスト中に組み込まれるナノ粒子の重量パーセントの関数として列挙する。Pixelligent PA型ナノ粒子系薄フィルムについて得られる誘電率は、所与の薄フィルム内に存在する89.1重量%のナノ粒子について、8.88ほど高い一方で、Pixelligent PN型ナノ粒子系薄フィルムについて得られる誘電率は、所与の薄フィルム内に存在する81.23重量%のナノ粒子について、8.46ほど高かった。両方の結果は、ベースSPR−220フォトレジストの誘電率、及びDow顧客によって要求される誘電率の重要品質特性よりも有意に高い。
2.2 複合薄フィルムの光画像化可能性
表4は、表3に詳述する露光条件、及び現像剤MF−26A(2.38重量%のTMAH)中への6分間の浸漬時間の経験前後の、SPR−220−ナノ粒子薄フィルムの厚さを示す。フィルム内に存在するナノ粒子の濃度とは無関係に、Pix PN型ナノ粒子を含有するフィルムは、現像剤中に6分置いた後完全に除去された。Pix−PAナノ粒子を含有する薄フィルムの場合、最大量のナノ粒子を含有する薄フィルムのみが、ほぼ完全に除去された。これは、この種類のナノ粒子を含有する他のフィルムの厚さ(>3000nm)と比較して、このフィルムのより薄い厚さ(〜1615nm)に帰することができた。Pix PAナノ粒子及びPix PNナノ粒子を含有する薄フィルムの除去可能性の差異は、両方の種類のナノ粒子に結合した異なるリガンドによって説明することができ、Pix PA型ナノ粒子に結合したリガンドは、UV露光下で潜在的により強く架橋した。
表4は、表3に詳述する露光条件、及び現像剤MF−26A(2.38重量%のTMAH)中への6分間の浸漬時間の経験前後の、SPR−220−ナノ粒子薄フィルムの厚さを示す。フィルム内に存在するナノ粒子の濃度とは無関係に、Pix PN型ナノ粒子を含有するフィルムは、現像剤中に6分置いた後完全に除去された。Pix−PAナノ粒子を含有する薄フィルムの場合、最大量のナノ粒子を含有する薄フィルムのみが、ほぼ完全に除去された。これは、この種類のナノ粒子を含有する他のフィルムの厚さ(>3000nm)と比較して、このフィルムのより薄い厚さ(〜1615nm)に帰することができた。Pix PAナノ粒子及びPix PNナノ粒子を含有する薄フィルムの除去可能性の差異は、両方の種類のナノ粒子に結合した異なるリガンドによって説明することができ、Pix PA型ナノ粒子に結合したリガンドは、UV露光下で潜在的により強く架橋した。
Claims (7)
- 光画像化可能フィルムを調製するための配合物であって、前記配合物が、
(a)クレゾールノボラック型樹脂及びジアゾナフトキノン阻害剤を含むポジティブフォトレジストと、
(b)官能化酸化ジルコニウムナノ粒子と、を含む、前記配合物。 - 前記官能化酸化ジルコニウムナノ粒子が、0.3nm〜50nmの平均直径を有する、請求項1に記載の配合物。
- 前記官能化酸化ジルコニウムナノ粒子が、カルボン酸、アルコール、トリクロロシラン、トリアルコキシシラン、または混合クロロ/アルコキシシラン官能基を有するリガンドを含む、請求項2に記載の配合物。
- 前記リガンドが、1〜20個の非水素原子を有する、請求項3に記載の配合物。
- 前記クレゾールノボラック型樹脂が、2〜10個のエポキシ官能基を有する、請求項4に記載の配合物。
- 前記配合物全体の固形分に基づいて計算される、前記配合物中の官能化ナノ粒子の量が、50〜95重量%である、請求項5に記載の配合物。
- 前記クレゾールノボラック型樹脂が、クレゾール、ホルムアルデヒド、及びエピクロロヒドリンの重合単位を含む、請求項6に記載の配合物。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201562268539P | 2015-12-17 | 2015-12-17 | |
US62/268,539 | 2015-12-17 | ||
PCT/US2016/065226 WO2017105937A1 (en) | 2015-12-17 | 2016-12-07 | Photo-imageable thin films with high dielectric constants |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019502151A true JP2019502151A (ja) | 2019-01-24 |
Family
ID=57708747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018527084A Pending JP2019502151A (ja) | 2015-12-17 | 2016-12-07 | 高誘電率を有する光画像化可能薄フィルム |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20180356726A1 (ja) |
EP (1) | EP3391146A1 (ja) |
JP (1) | JP2019502151A (ja) |
KR (1) | KR20180095543A (ja) |
CN (1) | CN108292095A (ja) |
TW (1) | TW201741765A (ja) |
WO (1) | WO2017105937A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201802587A (zh) * | 2016-03-24 | 2018-01-16 | 陶氏全球科技責任有限公司 | 具有高介電常數之光可成像薄膜 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2576762B2 (ja) * | 1993-06-30 | 1997-01-29 | 日本電気株式会社 | リング網のノード間情報収集方式 |
US5641608A (en) * | 1995-10-23 | 1997-06-24 | Macdermid, Incorporated | Direct imaging process for forming resist pattern on a surface and use thereof in fabricating printing plates |
EP1331517B1 (en) * | 2000-10-31 | 2010-08-18 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Positive photosensitive resin composition, process for its preparation, and semiconductor devices |
US6921623B2 (en) * | 2000-12-05 | 2005-07-26 | Kri, Inc. | Active components and photosensitive resin composition containing the same |
CN1930522B (zh) * | 2004-03-12 | 2013-06-12 | 东丽株式会社 | 正型感光性树脂组合物、使用该组合物的浮雕图形以及固体成象元件 |
WO2007072682A1 (ja) * | 2005-12-22 | 2007-06-28 | Fujifilm Corporation | 感光性転写材料、表示装置用部材及びその製造方法、ブラックマトリクス、カラーフィルタ及びその製造方法、表示装置用基板、並びに表示装置 |
JP4818839B2 (ja) | 2006-07-19 | 2011-11-16 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置及びその製造方法 |
CN102472964B (zh) * | 2009-09-29 | 2013-08-07 | 东丽株式会社 | 正型感光性树脂组合物、使用其的固化膜及光学设备 |
CN103328374B (zh) | 2010-10-27 | 2017-04-26 | 皮瑟莱根特科技有限责任公司 | 纳米晶体的合成、盖帽和分散 |
-
2016
- 2016-11-21 TW TW105138147A patent/TW201741765A/zh unknown
- 2016-12-07 KR KR1020187018077A patent/KR20180095543A/ko unknown
- 2016-12-07 EP EP16820410.5A patent/EP3391146A1/en not_active Withdrawn
- 2016-12-07 JP JP2018527084A patent/JP2019502151A/ja active Pending
- 2016-12-07 WO PCT/US2016/065226 patent/WO2017105937A1/en active Application Filing
- 2016-12-07 CN CN201680070732.5A patent/CN108292095A/zh not_active Withdrawn
- 2016-12-07 US US15/781,722 patent/US20180356726A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201741765A (zh) | 2017-12-01 |
EP3391146A1 (en) | 2018-10-24 |
WO2017105937A1 (en) | 2017-06-22 |
KR20180095543A (ko) | 2018-08-27 |
US20180356726A1 (en) | 2018-12-13 |
CN108292095A (zh) | 2018-07-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5072820B2 (ja) | シリコーン樹脂組成物 | |
KR20150097783A (ko) | 금속 산화물 나노 입자와 실세스퀴옥산 중합체의 복합체 및 그의 제조 방법, 및 그 복합체를 사용하여 제조한 복합 재료 | |
TW201627356A (zh) | 聚矽氧樹脂、uv-led用封裝材料組成物、硬化物及uv-led用封裝材料 | |
JP2019502151A (ja) | 高誘電率を有する光画像化可能薄フィルム | |
JP4785085B2 (ja) | 熱硬化性シリコーン樹脂組成物 | |
JP2007277072A (ja) | 酸化物微粒子分散体およびその製造方法 | |
JP2006137932A (ja) | コーティング用組成物およびそれを用いた表示装置 | |
JP2019511006A (ja) | 高誘電率を有する光画像化可能な薄フィルム | |
KR20180125987A (ko) | 고 유전 강도를 갖는 감광성 박막 | |
TWI758843B (zh) | 硬化性樹脂組成物、硬化膜及電子裝置 | |
JP2019500643A (ja) | 高誘電率を有する光画像化可能薄フィルム | |
JP6237986B2 (ja) | 固体撮像素子用高屈折率膜形成組成物 | |
JP2019500640A (ja) | 高誘電率を有する光画像化可能薄フィルム | |
TW202428725A (zh) | 防污塗佈組合物、防污塗膜、防污塗佈層疊體和它們的製造方法 | |
JP2015017194A (ja) | アルコキシシランを含有する固体撮像素子用高屈折率膜形成組成物 | |
TW202402979A (zh) | 聚矽氧烷系組成物、皮膜形成用組成物、積層體、觸控面板、及硬化皮膜之形成方法 | |
KR20210028558A (ko) | 경화형 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 상기 경화막을 갖는 전자 장치 | |
JP2017215480A (ja) | 表面を改質した光学部材 | |
JP2017508835A (ja) | コーティング組成物、その製造方法およびその使用 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20180530 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20180829 |